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KR20170032427A - 스퍼터링 타깃 구조체 및 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법 - Google Patents

스퍼터링 타깃 구조체 및 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법 Download PDF

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KR20170032427A
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KR
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target structure
less
thermal sprayed
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KR1020177004466A
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도오루 고마츠
노부아키 나카시마
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가부시끼가이샤 도시바
도시바 마테리알 가부시키가이샤
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Abstract

파티클을 저감한다. 스퍼터링 타깃 구조체는, 스퍼터링 타깃과, 스퍼터링 타깃을 유지하는 백킹 플레이트를 구비한다. 스퍼터링 타깃의 표면 및 백킹 플레이트의 표면 중 적어도 하나의 표면은, 50㎛ 이상 300㎛ 이하의 평균 직경과 5㎛ 이상 30㎛ 이하의 평균 깊이를 갖는 복수의 오목부를 포함하는 영역을 구비한다. 복수의 오목부를 포함하는 영역의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 10㎛ 이상 20㎛ 이하이다.

Description

스퍼터링 타깃 구조체 및 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법 {SPUTTERING TARGET STRUCTURE AND SPUTTERING TARGET STRUCTURE MANUFACTURING METHOD}
본 발명의 일 형태는, 스퍼터링 타깃 구조체 및 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
미세 구조를 갖는 반도체 장치 또는 액정 표시 장치 등을 포함하는 전자 부품에서는, 수율의 향상을 위해, 종래부터 제조 공정에 의해 발생하는 파티클 등의 더스트의 저감이 진행되고 있다. 파티클은, 수율 악화 요인의 하나이다.
고집적화에 수반하여, 내부 구조의 미세화가 진행됨에 따라, 예를 들어 Al, Cu 등의 금속 배선 폭이 좁아진다. 예를 들어, 메모리 배선 폭은 19nm 내지 15nm, 나아가 10nm로 협소화되고 있다. 배선 폭이 좁은 경우, 종래에는 주목받지 않았던 직경이 0.2㎛ 이하인 미세한 파티클이 배선 불량이나 소자 불량 등을 일으키는 경우가 있다. 이에 수반하여, 종래보다 더 미세한 파티클(크기 0.2㎛ 이하)의 발생을 저감해야 한다.
스퍼터링 장치에 사용되는 스퍼터링 타깃 구조체에서는, 스퍼터링된 스퍼터링 타깃의 구성 성분이 스퍼터링 타깃 자체에 재부착하여 피막이 형성된다. 상기 피막이 박리되어, 파티클로서 반도체 기판 등에 탈락한다. 이와 같이, 상기 파티클은, 전자 부품의 불량 요인의 하나이다.
재부착막의 탈락 방지 대책으로서는, 예를 들어 스퍼터링 타깃 및 백킹 플레이트에 있어서, 구성 성분이 재부착되는 영역의 표면을 블라스트 처리에 의해 거칠게 하여 재부착막의 부착 밀착성을 높이는 방법, 또는 용사나 PVD(Physical Vapor Deposition: PVD), CVD(Chemical Vapor Deposition: CVD)에 의해 타깃 성분이 재부착되는 영역에 피막을 형성하여 재부착막의 부착 밀착성을 높이는 방법 등을 들 수 있다.
종래의 블라스트 처리에서는, 예각부를 갖는 첨예한 지립을 피처리재의 표면에 충돌시키거나, 또는 구형의 미디어를 표면에서 파쇄시킨다. 이 때문에, 지립이 피처리재에 침식하기 쉽고, 피처리재의 표면에 파쇄층 등의 흠집이 발생하기 쉽다. 따라서, 표면이 거칠지만 복수의 흠집이 잔존한다. 이 때문에, 미세한 파티클의 발생을 없애는 것은 곤란하다.
일본 특허 공개 평9-287072호 공보 일본 특허 제3895277호 공보 일본 특허 제3791829호 공보 일본 특허 제4820508호 공보
본 발명의 일 형태에 의해 해결하는 과제 중 하나는, 파티클을 저감하는 것이다.
본 실시 형태의 스퍼터링 타깃 구조체는, 스퍼터링 타깃과, 스퍼터링 타깃을 유지하는 백킹 플레이트를 구비한다. 스퍼터링 타깃의 표면 및 백킹 플레이트의 표면 중 적어도 하나의 표면은, 50㎛ 이상 300㎛ 이하의 평균 직경과 5㎛ 이상 30㎛ 이하의 평균 깊이를 갖는 복수의 오목부를 포함하는 영역을 구비한다. 복수의 오목부를 포함하는 영역의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 10㎛ 이상 20㎛ 이하이다.
도 1은, 스퍼터링 타깃 구조체의 일부의 구성예를 도시하는 단면 모식도이다.
도 2는, 스퍼터링 타깃 구조체의 다른 일부의 구성예를 도시하는 단면 모식도이다.
도 3은, 볼 샷 처리의 예를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 4는, 볼 샷 처리의 다른 예를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 1은, 스퍼터링 타깃 구조체의 일부의 구조예를 도시하는 단면 모식도이다. 도 1에 도시하는 스퍼터링 타깃 구조체는, 스퍼터링 타깃(1)과, 스퍼터링 타깃(1)을 유지하는 백킹 플레이트(2)를 구비한다.
스퍼터링 타깃(1)의 표면 및 백킹 플레이트(2)의 표면 중 적어도 하나의 표면은 복수의 오목부를 포함하는 영역(3)을 갖는다. 영역(3)은, 스퍼터링 시에 있어서 스퍼터링 타깃(1)의 구성 성분이 재부착되는 영역이다. 도 1에 도시하는 스퍼터링 타깃 구조체에서는, 스퍼터링 타깃(1)이 측면에 영역(3a)을 갖고, 백킹 플레이트(2)가 상면에 영역(3b)을 갖는다. 영역(3a) 및 영역(3b)은, 연속되도록 형성되어 있어도 된다.
복수의 오목부 중 적어도 하나의 평면 형상은, 예를 들어 원형을 가져도 된다. 복수의 오목부 중 적어도 하나는, 예를 들어 부분 구 형상 또는 컵 형상을 가져도 된다. 이때, 오목부의 저면이 아래로 볼록한 곡면이다. 복수의 오목부는, 영역(3a) 및 영역(3b) 중 적어도 하나의 영역에 설치되어 있으면 된다.
영역(3)의 산술 평균 조도 Ra는, 20㎛ 이하이다. 산술 평균 조도 Ra가 20㎛ 이하인 경우, 영역(3)에 부착되는 부착물의 밀착성을 높일 수 있다. 따라서, 재부착막의 박리가 효과적으로 억제되어, 파티클을 감소시킬 수 있다. 산술 평균 조도 Ra가 20㎛를 초과하는 경우, 표면의 샤프한 볼록부에 기인하는 재부착막의 막 돌기가 형성되기 쉬워진다. 막 돌기 주변에는, 불안정하게 퇴적된 미립자가 노출된다. 상기 미립자가 스퍼터링 시의 플라즈마에 의한 열 변화에 의해 탈락함으로써, 파티클이 발생하기 쉬워진다. 영역(3a) 및 영역(3b)의 산술 평균 조도 Ra는, 10㎛ 이상 20㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
복수의 오목부의 평균 직경은, 50㎛ 이상 300㎛ 이하인 것이 바람직하다. 복수의 오목부의 평균 깊이는, 5㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 바람직하다. 오목부의 형상 및 개수를 제어함으로써, 스퍼터링 타깃(1)의 표면 및 백킹 플레이트(2)의 표면에 산술 평균 조도 Ra가 20㎛ 이하인 영역(3a) 및 영역(3b)을 형성할 수 있다.
도 2는, 스퍼터링 타깃 구조체의 다른 일부의 구조예를 도시하는 단면 모식도이다. 도 2에 도시하는 스퍼터링 타깃 구조체는, 도 1에 도시하는 스퍼터링 타깃 구조체와 비교하여 백킹 플레이트(2)가 용사막(4)을 갖는다는 구성이 상이하다. 도 2에 도시하는 스퍼터링 타깃 구조체에서는, 용사막(4)이 표면에 영역(3b)을 갖는다. 용사막(4)은, 스퍼터링 타깃(1)의 본체부 및 백킹 플레이트(2)의 본체부 중 적어도 하나의 표면에 설치되어 있으면 된다.
용사막(4)의 막 두께는 50㎛ 이상인 것이 바람직하다. 용사막(4)의 막 두께가 50㎛ 미만인 경우, 영역(3b)과 부착물의 사이의 열팽창 차를 완화하는 기능이 저하된다. 이 때문에, 부착물이 백킹 플레이트(2)로부터 박리되어, 탈락하기 쉬워져, 파티클양이 증가하는 경우가 있다. 용사막(4)의 막 두께는, 100㎛ 이상 500㎛ 이하, 나아가 150㎛ 이상 250㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
용사막(4)은, 예를 들어 복수의 입자를 포함하는 조직을 갖는다. 복수의 입자의 평균 입자 직경은, 5㎛ 이상 150㎛ 이하인 것이 바람직하다. 용사막(4)의 상대 밀도는 75% 이상 99% 이하인 것이 바람직하다.
상대 밀도가 99%를 초과하는 경우 또는 평균 입자 직경이 5㎛ 미만인 경우, 용사막(4)에 걸리는 응력에 의해 입자 간에 크랙이 발생하기 쉽다. 따라서 응력 완화 능력이 저하되어 피막이 박리되는 경우가 있다. 상대 밀도가 75% 미만인 경우 또는 평균 입자 직경이 150㎛를 초과하는 경우, 용사막(4)의 표면의 요철이 현저하게 된다. 따라서, 용사막(4)의 표면의 상태에 따라 퇴적된 부착물 표면으로부터 돌기에 기인한 더스트(파티클)가 발생하기 쉽다. 용사막(4)의 상대 밀도는, 97% 이상 99% 이하인 것이 보다 바람직하다.
용사막(4)의 상대 밀도는, 다음의 방법에 의해 구해진다. 용사막(4)의 막 두께 방향으로 절단한 단면 조직을 광학 현미경에 의해 배율 500배로 관찰한다. 세로 210㎛, 가로 270㎛의 시야에서 공공의 면적을 측정한다. 하기 (1)식으로부터 상대 밀도(%)로서 환산한다. 10군데의 시야의 상대 밀도의 평균값이 용사막(4)의 상대 밀도이다.
상대 밀도(%)={(S1-S2)/S1}×100 (1)
(식 중, S1은 세로 210㎛×가로 270㎛의 시야의 면적(㎛2)이고, S2는 세로 210㎛×가로 270㎛의 시야 내에 있어서의 공공의 합계 면적(㎛2)임)
용사막(4)은, 플라즈마 용사나 아크 용사를 적절히 선택함으로써 형성된다. 용사 재료로서는 분말이나 와이어를 들 수 있다. 이때, Ra를 20㎛ 이하로 제어하기 위해 조정된 분말 입경 또는 와이어 직경을 갖는 재료를 사용한다.
용사법에서는, 플라즈마 방전이나 아크 방전에 의한 열원으로 공급 분말이나 와이어를 용융시켜 편평 입자가 퇴적되는 막 구조를 갖는 용사막(4)을 얻을 수 있다. 공급 분말의 플라즈마 용사 조건을 제어함으로써, 공급 분말이 입자형 혹은 타원형의 입자로서 존재하는 다공질의 용사막(4)을 얻을 수 있다. 이것에 한정되지 않고, 연소용 가스를 열원으로 하여 공급 분말이나 와이어를 용융 상태로 분사하는 플레임 용사를 사용하여 용사막이 형성되어도 된다.
이상과 같이, 스퍼터링 타깃 구조체는, 스퍼터링 타깃(1)의 표면 및 백킹 플레이트(2)의 표면 중 적어도 하나의 표면에 복수의 오목부를 갖는 영역을 구비한다. 상기 영역의 산술 평균 조도 Ra는 20㎛ 이하이다.
본원 발명자는, 미세 파티클의 성분을 분석하고, 스퍼터링 타깃에 있어서의 미세 파티클의 발생 위치의 조사, 검증을 거듭하여, 예의 시작(試作)ㆍ검토를 행하였다. 그 결과, 미세 파티클의 발생의 요인으로서, 타깃면의 상태(면 조도, 면 형상), 블라스트 처리에 사용되는 미디어의 종류, 용사막에 있어서의 재부착막의 불안정 지점이 관련되어 있다는 것을 알아냈다.
상기 스퍼터링 타깃 구조체에서는, 미소 파티클의 발생이 줄어들고, 배선 불량이나 소자 불량 등의 발생이 억제된다. 따라서, 전자 부품의 제조 수율을 대폭 개선할 수 있다. 또한, 성막 재료의 막의 박리가 장기간에 걸쳐 효과적으로 억제되기 때문에, 성막 장치의 클리닝이나 구성 부품의 교환 빈도가 감소하고 성막 장치의 운전 관리가 극히 용이하게 된다. 또한, 막 제품의 생산성을 높일 수 있고, 성막 비용을 저감할 수 있다.
이어서, 상기 스퍼터링 타깃 구조체를 제조하는 공정을 구비하는 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법예에 대하여 설명한다. 상기 제조하는 공정은, 스퍼터링 타깃(1)의 표면 및 백킹 플레이트의 표면 중 적어도 하나의 표면에 대하여 소성 가공을 행하여 복수의 오목부를 형성하는 공정을 구비한다.
용사막(4)의 표면 조도는, 용사 처리에 의해서만 소정의 범위로 조정할 수 있다. 그러나, 용사막(4)의 표면에 미세한 요철이나 공동부가 형성되기 쉽고, 이 요철이나 공동부를 기점으로 하여 재부착막의 이상 성장부가 형성되기 쉽다. 이 이상 성장부는 불안정하기 때문에, 용사막(4)의 표면부로부터 탈락하기 쉬워, 파티클이 발생하기 쉽다. 따라서, 용사막(4)의 표면을 소성 가공함으로써, 요철이나 공동부 등의 결함부를 해소하는 것이 바람직하다.
소성 가공으로서는, 예를 들어 볼 샷 처리를 들 수 있다. 볼 샷 처리는, 둥근 볼형의 금속제 미세 지립을 고압 유체와 함께 피처리재(스퍼터링 타깃, 백킹 플레이트 또는 용사막 등)의 표면에 충돌시키는 처리이다. 볼 샷 처리에서는, 피처리재의 표면에 지립을 잔존시키지 않고, 또한 피처리재의 표면에 손상(파쇄층 형성)을 주지 않고 오목부를 형성할 수 있다. 복수의 오목부의 형상(직경, 깊이 등)은, 예를 들어 볼형 지립의 볼 직경, 볼형 지립의 분사 거리, 분사 압력, 분사 시간 등의 처리 조건을 제어함으로써 조정된다.
도 3은, 볼 샷 처리의 예를 설명하기 위한 단면 모식도이다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 스퍼터링 타깃(1)의 표면 및 백킹 플레이트(2)의 표면 중 적어도 하나의 표면에 경질 볼(5)을 분사 노즐(6)로부터 사출한다. 도 4는, 볼 샷 처리의 다른 예를 설명하기 위한 단면 모식도이다. 용사막(4)을 갖는 경우, 용사막(4)의 표면에, 경질 볼(5)을 분사 노즐(6)로부터 사출한다.
경질 볼(5)로서는, 예를 들어 보통강, 스테인리스강이나 세라믹스 재료제의 구형 볼을 들 수 있다. 상기 구형 볼은, 분사에 의한 강한 충격력을 받은 경우에 있어서도 파손되기 어렵다. 따라서, 반복 사용할 수 있다.
경질 볼(5)의 직경은 예를 들어 2mm 이하, 나아가 0.4mm 이상 0.8mm 이하인 것이 바람직하다. 경질 볼(5)의 직경이 2mm를 초과하는 경우, 예를 들어 용사막(4)의 표면의 오목부까지 볼을 충돌시키는 것이 곤란하고, 용사 형태가 그대로 잔존하는 부분이 발생하여, 면 전체가 균일하게 되지 않는다.
상기 볼 샷 처리에 있어서의 분사 압력은, 경질 볼(5)이 균일한 운동량을 가지면서 분사되는 압력이면 된다. 분사 압력은 5kg/㎠ 이하인 것이 바람직하다. 분사 압력이 5kg/㎠를 초과하는 경우, 예를 들어 용사막(4)의 표면이 극단적으로 소성 변형되어, 원하는 표면 조도를 얻는 것이 곤란하게 된다. 또한, 상기 분사 압력이 과도하게 낮아지면 경질 볼(5)이 안정적으로 분출되지 않기 때문에, 용사막(4)의 표면이 완전한 평활 상태로 되지 않고, 용사막(4)의 표면에 용사 형태가 잔존한 불균일한 형태로 되어 막의 생산성이 저하되어버린다.
볼 샷 처리에 의해 용사막(4)을 소성 가공함으로써, 응력이 완화된다. 따라서, 부품의 수명을 길게 할 수 있음과 함께 파티클을 저감할 수 있다.
볼 샷 처리를 실시함으로써, 용사막(4)의 표면부가 변형되어, 도 4에 도시하는 바와 같이 볼의 외표면 형상에 대응한 곡면을 갖는 오목부(7)가 다수 형성된다. 이 오목부(7)의 직경(D) 및 깊이(d)는, 상기 볼 직경, 분출 압력 등의 샷 조건을 조정함으로써 제어할 수 있다. 이것은, 도 3에서 도시하는, 용사막이 없는 경우에도 마찬가지이다.
복수의 오목부의 평균 직경 및 평균 깊이는, 이하와 같이 정의된다. 전자 현미경 등에 의한 영역(3)의 단면 조직의 관찰에 의해 얻어진 단면 조직 사진에 있어서, 단위 영역 내에 인접하여 존재하는 5개의 오목부(7)를 임의로 선택하고, 각각의 오목부(7)의 직경(D) 및 깊이(d)를 측정한다. 측정한 직경(D)의 평균값이 평균 직경이고, 측정한 깊이(d)의 평균값이 평균 깊이이다.
볼 샷 처리와 드라이아이스 샷 처리를 병용해도 된다. 드라이아이스 샷 처리는, 드라이아이스 펠릿을 분사하여 표면을 클리닝하는 처리이다. 드라이아이스 샷 처리에서는, 볼 샷 피처리재(타깃ㆍ백킹 플레이트, 용사막)의 표면에 볼 샷 처리하였을 때 잔존하는 이물을 드라이아이스의 승화 에너지로 단시간에 제거하는 것이 가능하여, 청정한 볼 샷 처리에 의한 오목부를 유지할 수 있다.
볼 샷 처리와 드라이아이스 샷 처리를 병용함으로써, 예를 들어 볼 샷 처리 전에 용사막(4)의 표면에 잔존하고 있던 부착물 및 돌기부(요철부) 등을 용이하게 제거할 수 있다. 따라서, 미소한 파티클의 발생 원인으로 되는 결함부를 해소하여 거의 완전한 클리닝을 행할 수 있다. 따라서, 직경이 0.1㎛ 정도인 미세한 파티클도 저감할 수 있고, 타깃의 장수명(라이프)화와 파티클 저감 효과의 양쪽을 실현할 수 있다.
드라이아이스 샷 처리는, 용사 후에 행해져도 된다. 용사막(4)의 표면에는 비산 입자 등의 박리되기 쉬운 입자가 존재하는 경우가 있다. 이 때문에, 그대로의 상태로 볼 샷 처리를 행한 경우, 볼 샷 처리면에는 비산 입자가 찌부러진 매우 박리되기 쉬운 피막이 존재할 가능성이 있다. 그 때문에, 용사막(4)에 대하여 최초로 드라이아이스 샷 처리를 행함으로써, 탈락하기 쉬운 비산 입자가 제거되어, 볼 샷 처리 후라도 박리되기 쉬운 이상부의 형성을 삭감할 수 있다.
<실시예>
(실시예 1 내지 6)
실시예 1 내지 6의 스퍼터링 타깃 구조체를 제작하였다. 스퍼터링 타깃의 재료 및 용사막의 두께는, 표 1에 나타내는 바와 같다. 또한, 실시예 1 내지 6에서 사용하는 백킹 플레이트의 재료는 알루미늄 합금이다.
실시예 1, 2의 스퍼터링 타깃 구조체의 제작에서는, 용사막을 형성하지 않고 볼 샷 처리에 의해 스퍼터링 타깃의 표면 및 백킹 플레이트의 표면에 복수의 오목부를 포함하는 영역을 형성하였다.
실시예 3, 4의 스퍼터링 타깃 구조체의 제작에서는, 백킹 플레이트의 본체부의 표면에 아크 Al 용사막을 형성하고, 볼 샷 처리에 의해 스퍼터링 타깃의 표면 및 백킹 플레이트의 표면(용사막의 표면)에 복수의 오목부를 포함하는 영역을 형성하였다.
실시예 5, 6의 스퍼터링 타깃 구조체의 제작에서는, 백킹 플레이트의 본체부의 표면에 아크 Al 용사막을 형성하고, 볼 샷 처리 및 드라이아이스 샷 처리에 의해 스퍼터링 타깃의 표면 및 백킹 플레이트의 표면(용사막의 표면)에 복수의 오목부를 포함하는 영역을 형성하였다.
볼 샷 처리에서는, 직경이 0.8mm인 스테인리스제 볼을, 분출 압력 5kg/㎠로 분사 노즐로부터 사출하여 스퍼터링 타깃의 표면 및 백킹 플레이트의 표면에 충돌시켰다.
(비교예 1 내지 6)
실시예 1 내지 6과 동일한 재료의 스퍼터링 타깃 및 백킹 플레이트를 사용하여 비교예 1 내지 6의 스퍼터링 타깃 구조체를 제작하였다. 비교예 1, 2의 스퍼터링 타깃 구조체의 제작에서는, 용사막을 형성하지 않고, 비교예 3 내지 6의 스퍼터링 타깃 구조체의 제작에서는, 백킹 플레이트의 본체부의 표면에 아크 Al 용사막을 형성하였다. 스퍼터링 타깃의 재료 및 용사막의 두께는, 표 1에 나타내는 바와 같다. 또한, 비교예 1 내지 6의 스퍼터링 타깃 구조체의 제작에서는, 상기 볼 샷 처리 및 드라이아이스 샷 처리를 실시하지 않았다. 비교예 2, 5의 스퍼터링 타깃 구조체의 제작에서는, SiC 지립에 의한 블라스트 처리를 행하였다. 비교예 3, 6의 스퍼터링 타깃 구조체의 제작에서는, 커트 와이어에 의한 블라스트 처리인 와이어 샷 처리를 행하였다. 블라스트 처리 및 와이어 샷 처리는, 종래부터 행해지고 있는 표면을 거칠게 하는 처리이다.
Figure pct00001
얻어진 각 스퍼터링 타깃의 오목부의 산술 평균 조도 Ra(오목부 Ra), 오목부 평균 직경, 오목부 평균 깊이를 표 2에 나타낸다. 또한, 실시예 1 내지 6, 비교예 1 내지 6의 스퍼터링 타깃 구조체에 있어서, 12인치 웨이퍼 표면 상에 혼입된 직경 0.2㎛ 이상의 더스트 수를 파티클 카운터(WM-3)로 측정하였다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pct00002
표 2로부터 명백한 바와 같이, 복수의 오목부를 포함하고, 산술 평균 조도 Ra가 20㎛ 이하인 영역을 갖는 실시예의 스퍼터링 타깃 구조체에서는, 비교예의 스퍼터링 타깃 구조체와 비교하여 파티클 발생량을 대폭 저감할 수 있다. 또한, 각 실시예에서 형성한 용사막에 의해 파티클 발생을 효과적이면서도 안정적으로 방지할 수 있다. 실시예 1 내지 6, 비교예 1 내지 6에서 사용한 백킹 플레이트의 재질은 알루미늄 합금이지만, 구리 합금을 백킹 플레이트로서 사용해도 마찬가지의 효과가 얻어졌다.
볼 샷 처리 및 드라이아이스 샷 처리의 2종의 후처리를 병용함으로써 용사막 형성 직후 또는 볼 샷 시공 직후에 용사막 표면에 잔존하고 있던 부착물을 효과적으로 제거할 수 있다. 따라서, 이상 성장한 부착물의 탈락이 효과적으로 방지된다. 따라서, 웨이퍼 상에 혼입되는 파티클 등의 더스트 수를 더 저감할 수 있다는 것이 실증되었다. 또한, 실시예 3 내지 6에 관한 스퍼터링 타깃 구조체의 용사막의 상대 밀도를 측정한바, 모두 91% 내지 99%의 범위 내였다.

Claims (14)

  1. 스퍼터링 타깃과,
    상기 스퍼터링 타깃을 유지하는 백킹 플레이트를 구비하고,
    상기 스퍼터링 타깃의 표면 및 상기 백킹 플레이트의 표면 중 적어도 하나의 표면은, 50㎛ 이상 300㎛ 이하의 평균 직경과 5㎛ 이상 30㎛ 이하의 평균 깊이를 갖는 복수의 오목부를 포함하는 영역을 구비하고,
    상기 복수의 오목부를 포함하는 영역의 표면의 산술 평균 조도 Ra가 10㎛ 이상 20㎛ 이하인, 스퍼터링 타깃 구조체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스퍼터링 타깃 및 상기 백킹 플레이트 중 적어도 하나는,
    본체부와,
    상기 본체부의 표면에 설치되고, 상기 복수의 오목부를 포함하는 영역을 구비하는 용사막을 갖는, 스퍼터링 타깃 구조체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 용사막은, 복수의 입자를 포함하고,
    상기 복수의 입자의 평균 입자 직경이 5㎛ 이상 150㎛ 이하인, 스퍼터링 타깃 구조체.
  4. 제2항에 있어서, 상기 용사막의 상대 밀도가 75% 이상 99% 이하인, 스퍼터링 타깃 구조체.
  5. 제2항에 있어서, 상기 용사막의 두께가 50㎛ 이상 500㎛ 이하인, 스퍼터링 타깃 구조체.
  6. 제2항에 있어서, 상기 용사막은 알루미늄을 포함하는, 스퍼터링 타깃 구조체.
  7. 제2항에 있어서, 상기 스퍼터링 타깃은 티타늄을 포함하는, 스퍼터링 타깃 구조체.
  8. 제2항에 있어서, 상기 백킹 플레이트는, 알루미늄 합금 및 구리 합금 중 적어도 하나의 재료를 포함하는, 스퍼터링 타깃 구조체.
  9. 제1항에 기재된 스퍼터링 타깃 구조체를 제조하는 공정을 구비하는 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법이며,
    상기 제조하는 공정은, 상기 스퍼터링 타깃의 표면 및 상기 백킹 플레이트의 표면 중 적어도 하나의 표면에 대하여 볼 샷 처리 및 드라이아이스 샷 처리 중 적어도 하나의 처리를 행하여 상기 복수의 오목부를 형성하는 공정을 포함하는, 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법.
  10. 제2항에 기재된 스퍼터링 타깃 구조체를 제조하는 공정을 구비하는 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법이며,
    상기 제조하는 공정은,
    아크 용사, 플라즈마 용사 또는 플레임 용사에 의해 용사 재료를 용융시켜 상기 스퍼터링 타깃 및 상기 백킹 플레이트 중 적어도 하나의 상기 본체부의 표면에 상기 용사막을 형성하는 공정과,
    상기 용사막에 대하여 볼 샷 처리 및 드라이아이스 샷 처리 중 적어도 하나의 처리를 행하여 상기 복수의 오목부를 형성하는 공정을 포함하는, 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 복수의 오목부를 형성하는 공정은,
    상기 볼 샷 처리에 의해 상기 용사막의 표면에 상기 복수의 오목부를 형성하는 공정과,
    상기 볼 샷 처리 후에 상기 드라이아이스 샷 처리에 의해 상기 복수의 오목부를 포함하는 영역에 잔류하는 이물을 제거하는 공정을 갖는, 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 복수의 오목부를 형성하는 공정은,
    상기 드라이아이스 샷 처리에 의해 상기 용사막의 표면에 잔존하는 입자의 적어도 일부를 제거하는 공정과,
    상기 드라이아이스 샷 처리 후에 상기 볼 샷 처리에 의해 상기 용사막의 표면에 상기 복수의 오목부를 형성하는 공정을 구비하는, 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 용사 재료는 분말형 또는 와이어형인, 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 볼 샷 처리에 있어서, 충돌시키는 볼의 직경이 2mm 이하이고, 또한 분사 압력이 5kg/㎠ 이하인, 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210011532A (ko) * 2019-07-22 2021-02-02 주식회사 싸이노스 아크 코팅공정에서의 파티클 감소방법 및 이에 의한 코팅층을 갖는 반도체 제조공정의 스퍼터링 장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10655212B2 (en) * 2016-12-15 2020-05-19 Honeywell Internatonal Inc Sputter trap having multimodal particle size distribution
CN113684441B (zh) * 2021-08-27 2023-04-07 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 一种电弧喷枪

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4820508B1 (ko) 1968-07-19 1973-06-21
JPH09287072A (ja) 1996-04-19 1997-11-04 Japan Energy Corp スパッタリングタ−ゲット組立体及びその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3791829B2 (ja) 2000-08-25 2006-06-28 株式会社日鉱マテリアルズ パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット
EP1312695B1 (en) * 2000-11-17 2009-07-29 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Sputtering target producing few particles, backing plate provided with the target, and a method of producing the target
WO2008117482A1 (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Kabushiki Kaisha Toshiba 真空成膜装置用部品及び真空成膜装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4820508B1 (ko) 1968-07-19 1973-06-21
JPH09287072A (ja) 1996-04-19 1997-11-04 Japan Energy Corp スパッタリングタ−ゲット組立体及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210011532A (ko) * 2019-07-22 2021-02-02 주식회사 싸이노스 아크 코팅공정에서의 파티클 감소방법 및 이에 의한 코팅층을 갖는 반도체 제조공정의 스퍼터링 장치

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