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KR20150014961A - 슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기체의 연마 방법 및 기체 - Google Patents

슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기체의 연마 방법 및 기체 Download PDF

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KR20150014961A
KR20150014961A KR1020147034838A KR20147034838A KR20150014961A KR 20150014961 A KR20150014961 A KR 20150014961A KR 1020147034838 A KR1020147034838 A KR 1020147034838A KR 20147034838 A KR20147034838 A KR 20147034838A KR 20150014961 A KR20150014961 A KR 20150014961A
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도모히로 이와노
히사타카 미나미
도시아키 아쿠츠
고지 후지사키
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히타치가세이가부시끼가이샤
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Abstract

지립과 첨가제와 물을 함유하는 연마액이며, 지립이, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하고, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대하여 흡광도 1.00 이상 1.50 미만을 부여하는 것이며, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액을 원심 가속도 1.59×105G로 50분 원심 분리했을 때에 불휘발분 함량 300ppm 이상의 액상을 부여하는 것인, 연마액.

Description

슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기체의 연마 방법 및 기체{SLURRY, POLISHING-SOLUTION SET, POLISHING SOLUTION, SUBSTRATE POLISHING METHOD, AND SUBSTRATE}
본 발명은 슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기체(基體)의 연마 방법 및 기체에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에 사용되는 슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기체의 연마 방법 및 기체에 관한 것이다.
최근의 반도체 소자의 제조 공정에서는, 고밀도화 및 미세화를 위한 가공 기술의 중요성이 더욱 증가하고 있다. 그 가공 기술의 하나인 CMP(케미컬·메커니컬·폴리싱: 화학 기계 연마) 기술은, 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 쉘로우 트렌치 분리(Shallow Trench Isolation. 이하, 경우에 따라 「STI」라고 함)의 형성, 프리메탈 절연 재료 또는 층간 절연 재료의 평탄화, 플러그 또는 매립 금속 배선의 형성에 필수적인 기술로 되어 있다.
종래, 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, CVD(케미컬·베이퍼·데포지션: 화학 기상 성장)법 또는 회전 도포법 등의 방법으로 형성되는 산화규소 등의 절연 재료를 CMP에 의해 평탄화한다. 이 CMP에서는, 일반적으로, 지립으로서 콜로이달 실리카, 퓸드실리카 등의 실리카 입자를 포함하는 실리카계 연마액이 사용되고 있다. 실리카계 연마액은, 사염화규소를 열분해하는 등의 방법으로 지립을 입자 성장시켜, pH 조정을 행하여 제조된다. 그러나, 이러한 실리카계 연마액은, 연마 속도가 낮다는 기술 과제가 있다.
그런데, 디자인 룰 0.25㎛ 이후의 세대에서는, 집적 회로 내의 소자 분리에 STI가 사용되고 있다. STI 형성에서는, 기체 위에 퇴적한 절연 재료의 여분의 부분을 제거하기 위하여 CMP가 사용된다. 그리고, CMP에 있어서 연마를 정지시키기 위해, 연마 속도가 늦은 스토퍼(연마 정지층)가 절연 재료 아래에 형성된다. 스토퍼 재료(스토퍼의 구성 재료)에는 질화규소, 폴리실리콘 등이 사용되고, 스토퍼 재료에 대한 절연 재료의 연마 선택비(연마 속도비: 절연 재료의 연마 속도/스토퍼 재료의 연마 속도)가 큰 것이 바람직하다. 종래의 실리카계 연마액은, 스토퍼 재료에 대한 절연 재료의 연마 선택비가 3 정도로 작아, STI용으로서는 실용에 견디는 특성을 갖지 못한 경향이 있다.
또한, 최근 들어, 산화세륨계 연마액으로서, 고순도의 산화세륨 입자를 사용한 반도체용 연마액이 사용되고 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 1 참조).
그런데, 최근 들어, 반도체 소자의 제조 공정에서는 가일층의 배선의 미세화를 달성할 것이 요구되고 있으며, 연마 시에 발생하는 연마 흠집이 문제가 되고 있다. 즉, 종래의 산화세륨계 연마액을 사용하여 연마를 행했을 때에, 미소한 연마 흠집이 발생해도, 이 연마 흠집의 크기가 종래의 배선 폭보다 작은 것이라면 문제가 되지 않았지만, 가일층의 배선의 미세화를 달성하고자 하는 경우에는 문제가 되어버린다.
이러한 문제에 대하여, 상기와 같은 산화세륨계 연마액에서는, 산화세륨 입자의 평균 입자 직경을 작게 하는 시도가 이루어져 있다. 그러나, 평균 입자 직경을 작게 하면, 기계적 작용이 저하되기 때문에 연마 속도가 저하되어버리는 문제가 있다. 이렇게 산화세륨 입자의 평균 입자 직경을 제어함으로써 연마 속도 및 연마 흠집의 양립을 도모하려 해도, 연마 속도를 유지하면서, 연마 흠집에 대한 최근의 까다로운 요구를 달성하는 것은 매우 어려운 일이다.
이에 대해, 4가 금속 원소의 수산화물의 입자를 사용한 연마액이 검토되어 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 2 참조). 또한, 4가 금속 원소의 수산화물 입자의 제조 방법에 대해서도 검토되어 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 3 참조). 이 기술은, 4가 금속 원소의 수산화물의 입자가 갖는 화학적 작용을 살리면서 기계적 작용을 최대한 작게 함으로써, 입자에 의한 연마 흠집을 저감하고자 하는 것이다.
또한, 연마 흠집을 저감하는 것 이외에도, 요철을 갖는 기체를 평탄하게 연마할 것이 요구되고 있다. 상기 STI를 예로 들면, 스토퍼 재료(예를 들어 질화규소, 폴리실리콘)의 연마 속도에 대하여, 피연마 재료인 절연 재료(예를 들어 산화규소)의 연마 선택비를 향상시킬 것이 요구되고 있다. 이들을 해결하기 위해서, 여러 첨가제를 연마액에 첨가하는 것이 검토되어 오고 있다. 예를 들어, 연마액에 첨가제를 첨가함으로써, 배선 밀도가 상이한 배선을 동일면 내에 갖는 기체에서의 연마 선택비를 향상시키는 기술이 알려져 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 4 참조). 또한, 연마 속도를 제어하고, 글로벌한 평탄성을 향상시키기 위해서, 산화세륨계 연마액에 첨가제를 첨가하는 것이 알려져 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 5 참조).
일본 특허 공개 평10-106994호 공보 국제 공개 제02/067309호 일본 특허 공개 제2006-249129호 공보 일본 특허 공개 제2002-241739호 공보 일본 특허 공개 평08-022970호 공보
그러나, 특허문헌 2 및 3에 기재된 기술에서는, 연마 흠집이 저감되는 한편, 연마 속도가 충분히 높다고는 할 수 없었다. 연마 속도는 제조 프로세스의 효율에 영향을 미치기 때문에, 더 높은 연마 속도를 갖는 연마액이 요구되고 있다.
또한, 종래의 연마액에서는, 연마액이 첨가제를 함유하면, 첨가제의 첨가 효과가 얻어지는 대신에 연마 속도가 저하되어버리는 경우가 있어, 연마 속도와 다른 연마 특성의 양립이 어렵다는 과제가 있다.
또한, 종래의 연마액에서는, 보관 안정성이 낮은 경우가 있다. 예를 들어, 연마 특성이 경시적으로 변화하여 대폭 저하된다(연마 특성의 안정성이 낮다)는 과제가 있다. 상기 연마 특성 중 대표적인 것으로서 연마 속도가 있고, 경시적으로 연마 속도가 저하된다(연마 속도의 안정성이 낮다)는 과제가 있다. 또한, 보관 중에 지립이 응집되거나 침전되어, 연마 특성에 악영향을 주는(분산 안정성이 낮은) 경우도 있다.
본 발명은, 상기 과제를 해결하고자 하는 것으로, 첨가제의 첨가 효과를 유지하면서 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마하는 것이 가능함과 함께, 보관 안정성을 향상시키는 것이 가능한 연마액을 얻을 수 있는 슬러리를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 첨가제의 첨가 효과를 유지하면서 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마하는 것이 가능함과 함께, 보관 안정성을 향상시키는 것이 가능한 연마액 세트 및 연마액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 슬러리, 상기 연마액 세트 또는 상기 연마액을 사용한 기체의 연마 방법, 및 이것에 의해 얻어지는 기체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립을 사용한 슬러리에 대하여 예의 검토한 결과, 지립을 특정량 함유하는 수분산액에서 특정 파장의 광에 대한 광흡수(흡광도)가 특정 범위에 있음과 함께, 지립을 특정량 함유하는 수분산액을 특정한 조건에서 원심 분리했을 때에 불휘발분 함량이 높은 액상을 부여하는 지립을 사용함으로써, 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마 가능하고, 또한, 높은 보관 안정성을 달성 가능한 것을 발견하였다. 또한, 이러한 슬러리에 첨가제를 첨가하여 얻어지는 연마액을 사용한 경우에, 첨가제의 첨가 효과를 유지하면서 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마 가능하고, 또한, 높은 보관 안정성을 달성 가능한 것을 발견하였다.
즉, 본 발명에 따른 슬러리는, 지립과 물을 함유하는 슬러리이며, 지립이, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하고, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대하여 흡광도 1.00 이상 1.50 미만을 부여하는 것이며, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액을 원심 가속도 1.59×105G로 50분 원심 분리했을 때에 불휘발분 함량 300ppm 이상의 액상을 부여하는 것이다.
본 발명에 따른 슬러리에 의하면, 상기 슬러리에 첨가제를 첨가하여 얻어지는 연마액을 사용한 경우에, 첨가제의 첨가 효과를 유지하면서 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께, 보관 안정성을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 보관 안정성이 우수한 연마액으로서, 특히, 분산 안정성이 우수하고 또한 연마 속도의 안정성도 우수한 연마액을 얻을 수 있다. 또한, 첨가제를 첨가하지 않고 본 발명에 따른 슬러리를 연마에 사용한 경우에, 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께 보관 안정성을 향상시킬 수도 있다. 이 경우, 보관 안정성이 우수한 슬러리로서, 특히, 분산 안정성이 우수하고 또한 연마 속도의 안정성도 우수한 슬러리로 할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 슬러리에 의하면, 지립이 4가 금속 원소의 수산화물을 포함함으로써, 피연마면에서의 연마 흠집의 발생을 억제할 수도 있다.
본 발명자는, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립을 사용한 슬러리에 대하여 또한 예의 검토한 결과, 상기 지립이 파장 500nm의 광에 대한 광투과율을 높이는 것이 가능한 경우에, 더욱 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마하는 것이 가능함과 함께, 더욱 높은 보관 안정성을 달성 가능한 것을 발견하였다. 즉, 본 발명에 따른 슬러리에 있어서, 지립은, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 500nm의 광에 대하여 광투과율 50％/cm 이상을 부여하는 것인 것이 바람직하고, 광투과율 95％/cm 이상을 부여하는 것인 것이 보다 바람직하다.
본 발명자는, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립을 사용한 슬러리에 대하여 또한 예의 검토한 결과, 상기 지립이 파장 290nm의 광에 대한 흡광도를 높이는 것이 가능한 경우에, 더욱 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마하는 것이 가능함과 함께, 더욱 높은 보관 안정성을 달성 가능한 것을 발견하였다. 즉, 본 발명에 따른 슬러리에 있어서, 지립은, 상기 지립의 함유량을 0.0065질량％(65ppm)로 조정한 수분산액에서 파장 290nm의 광에 대하여 흡광도 1.000 이상을 부여하는 것인 것이 바람직하다. 또한, 「ppm」은, 질량 ppm, 즉 「parts per million mass」를 의미하는 것으로 한다.
본 발명에 따른 슬러리에 있어서, 지립은, 상기 지립의 함유량을 0.0065질량％로 조정한 수분산액에서 파장 450 내지 600nm의 광에 대하여 흡광도 0.010 이하를 부여하는 것인 것이 바람직하다. 이 경우, 더욱 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께 보관 안정성을 향상시킬 수 있다.
4가 금속 원소의 수산화물은, 4가 금속 원소의 염과 알칼리원을 반응시켜서 얻어지는 것인 것이 바람직하다. 이 경우, 입자 직경이 매우 미세한 입자를 지립으로서 얻을 수 있기 때문에, 연마 흠집의 저감 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.
4가 금속 원소는, 4가 세륨인 것이 바람직하다. 이 경우, 화학적 활성이 높은 미립자가 지립으로서 얻어지기 때문에, 더욱 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있다.
또한, 본 발명자는, 상기 슬러리의 구성 성분 외에 첨가제를 함유하는 연마액에 있어서, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도가 특정 범위에 있음과 함께 원심 분리 후의 액상에서의 불휘발분 함량이 높은 상기 지립을 사용함으로써, 첨가제의 첨가에 수반하여 피연마 재료의 연마 속도가 저하되는 것을 억제할 수 있음을 발견하였다.
즉, 본 발명에 따른 연마액 세트는, 제1 액과 제2 액을 혼합하여 연마액이 되도록 상기 연마액의 구성 성분이 제1 액과 제2 액으로 나누어서 보존되고, 제1 액이 상기 슬러리이며, 제2 액이 첨가제와 물을 포함한다. 본 발명에 따른 연마액 세트에 의하면, 첨가제의 첨가 효과를 유지하면서 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께, 보관 안정성을 향상시킬 수 있다. 본 발명에 따른 연마액 세트에 의하면, 연마 흠집의 발생을 억제할 수도 있다.
첨가제는, 비닐알코올 중합체 및 당해 비닐알코올 중합체의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 이 경우, 첨가제가 지립 표면을 피복함으로써, 피연마면에 지립이 부착되는 것이 억제되므로, 지립의 분산성이 향상되어, 연마액의 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 피연마면의 세정성을 향상시킬 수도 있다. 또한, 스토퍼 재료의 연마 속도를 억제함으로써, 스토퍼 재료에 대한 절연 재료의 연마 속도비(절연 재료의 연마 속도/스토퍼 재료의 연마 속도)를 향상시킬 수 있다.
첨가제의 함유량은, 연마액 전체 질량 기준으로 0.01질량％ 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 첨가제의 첨가 효과를 유의미하게 얻을 수 있음과 함께 보관 안정성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 연마액은, 지립과 첨가제와 물을 함유하는 연마액이며, 지립이, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하고, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대하여 흡광도 1.00 이상 1.50 미만을 부여하는 것이며, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액을 원심 가속도 1.59×105G로 50분 원심 분리했을 때에 불휘발분 함량 300ppm 이상의 액상을 부여하는 것이다. 본 발명에 따른 연마액에 의하면, 첨가제의 첨가 효과를 유지하면서 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께, 보관 안정성을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 보관 안정성이 우수한 연마액으로서, 특히, 분산 안정성이 우수하고 또한 연마 속도의 안정성도 우수한 연마액으로 할 수 있다. 본 발명에 따른 연마액에서는, 지립이 4가 금속 원소의 수산화물을 포함함으로써, 피연마면에서의 연마 흠집의 발생을 억제할 수도 있다.
본 발명에 따른 연마액에 있어서, 지립은, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 500nm의 광에 대하여 광투과율 50％/cm 이상을 부여하는 것인 것이 바람직하고, 광투과율 95％/cm 이상을 부여하는 것인 것이 보다 바람직하다. 이들의 경우, 더욱 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께 보관 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 연마액에 있어서, 지립은, 상기 지립의 함유량을 0.0065질량％(65ppm)로 조정한 수분산액에서 파장 290nm의 광에 대하여 흡광도 1.000 이상을 부여하는 것인 것이 바람직하다. 이 경우, 더욱 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께 보관 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 연마액에 있어서, 지립은, 상기 지립의 함유량을 0.0065질량％로 조정한 수분산액에서 파장 450 내지 600nm의 광에 대하여 흡광도 0.010 이하를 부여하는 것인 것이 바람직하다. 이 경우, 더욱 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께 보관 안정성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 연마액에 있어서, 4가 금속 원소의 수산화물은, 4가 금속 원소의 염과 알칼리원을 반응시켜서 얻어지는 것인 것이 바람직하다. 이 경우, 입자 직경이 매우 미세한 입자를 지립으로서 얻을 수 있기 때문에, 연마 흠집의 저감 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 연마액에 있어서, 4가 금속 원소는, 4가 세륨인 것이 바람직하다. 이 경우, 화학적 활성이 높은 미립자가 지립으로서 얻어지기 때문에, 더욱 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있다.
본 발명에 따른 연마액에 있어서, 첨가제는, 비닐알코올 중합체 및 당해 비닐알코올 중합체의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 이 경우, 첨가제가 지립 표면을 피복함으로써, 피연마면에 지립이 부착되는 것이 억제되므로, 지립의 분산성이 향상되어, 연마액의 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 피연마면의 세정성을 향상시킬 수도 있다. 또한, 스토퍼 재료의 연마 속도를 억제함으로써, 스토퍼 재료에 대한 절연 재료의 연마 속도비(절연 재료의 연마 속도/스토퍼 재료의 연마 속도)를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 연마액에 있어서, 첨가제의 함유량은, 연마액 전체 질량 기준으로 0.01질량％ 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 첨가제의 첨가 효과를 유의미하게 얻을 수 있음과 함께 보관 안정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 슬러리, 상기 연마액 세트 또는 상기 연마액을 사용한 기체의 연마 방법을 제공한다. 이 연마 방법에 의하면, 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께 보관 안정성을 향상시킬 수 있다. 이 연마 방법에 의하면, 연마 흠집의 발생을 억제할 수 있음과 함께, 평탄성이 우수한 기체를 얻을 수도 있다.
본 발명에 따른 연마 방법의 제1 실시 형태는, 상기 슬러리를 사용하는 연마 방법에 관한 것이다. 즉, 제1 실시 형태에 따른 연마 방법은, 표면에 피연마 재료를 갖는 기체의 상기 피연마 재료를 연마 패드에 대향하도록 배치하는 공정과, 연마 패드와 피연마 재료 사이에 상기 슬러리를 공급하여, 피연마 재료의 적어도 일부를 연마하는 공정을 갖는다.
본 발명에 따른 연마 방법의 제2 및 제3 실시 형태는, 상기 연마액 세트를 사용하는 연마 방법에 관한 것이다. 이러한 연마 방법에 의하면, 첨가제를 혼합한 후에 장시간 보존될 경우에 우려되는, 지립의 응집, 연마 특성의 변화 등의 문제를 피할 수도 있다.
즉, 제2 실시 형태에 따른 연마 방법은, 표면에 피연마 재료를 갖는 기체의 상기 피연마 재료를 연마 패드에 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 연마액 세트에서의 제1 액과 제2 액을 혼합하여 연마액을 얻는 공정과, 연마 패드와 피연마 재료 사이에 연마액을 공급하여, 피연마 재료의 적어도 일부를 연마하는 공정을 갖는다. 제3 실시 형태에 따른 연마 방법은, 표면에 피연마 재료를 갖는 기체의 상기 피연마 재료를 연마 패드에 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 연마액 세트에서의 제1 액과 제2 액을 각각 연마 패드와 피연마 재료 사이에 공급하여, 피연마 재료의 적어도 일부를 연마하는 공정을 갖는다.
본 발명에 따른 연마 방법의 제4 실시 형태는, 상기 연마액을 사용하는 연마 방법에 관한 것이다. 즉, 제4 실시 형태에 따른 연마 방법은, 표면에 피연마 재료를 갖는 기체의 상기 피연마 재료를 연마 패드에 대향하도록 배치하는 공정과, 연마 패드와 피연마 재료 사이에 상기 연마액을 공급하여, 피연마 재료의 적어도 일부를 연마하는 공정을 갖는다.
피연마 재료는, 산화규소를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 피연마 재료의 표면에 요철이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 연마 방법에 의하면, 슬러리, 연마액 세트 및 연마액의 특징을 충분히 살릴 수 있다.
본 발명에 따른 기체는, 상기 연마 방법에 의해 연마된 것이다.
본 발명에 따른 슬러리에 의하면, 첨가제의 첨가 효과를 유지하면서 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마하는 것이 가능함과 함께, 보관 안정성을 향상시키는 것이 가능한 연마액을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 슬러리에 의하면, 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께 보관 안정성을 향상시킬 수도 있다. 본 발명에 따른 연마액 세트 및 연마액에 의하면, 첨가제의 첨가 효과를 유지하면서 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께, 보관 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 연마 방법은, 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있기 때문에 스루풋이 우수함과 함께, 첨가제를 사용하는 경우에는 원하는 특성(예를 들어 평탄성, 선택성)을 만족할 수 있다. 또한, 상기 보관 안정성에 대해서, 본 발명에 따르면, 예를 들어 60℃에서 3일간(72시간) 보관한 슬러리, 연마액 세트 또는 연마액을 사용하여 연마한 경우에도, 보관 전의 연마 속도를 기준으로 하여 연마 속도의 변화율을 작게 할(예를 들어 5.0％ 이내에 그칠) 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 반도체 소자의 제조 공정에서의 기체 표면의 평탄화 공정에 대한 상기 슬러리, 연마액 세트 및 연마액의 응용이 제공된다. 특히, 본 발명에 따르면, 쉘로우 트렌치 분리 절연 재료, 프리메탈 절연 재료, 층간 절연 재료 등의 평탄화 공정에 대한 상기 슬러리, 연마액 세트 및 연마액의 응용이 제공된다.
도 1은 앵글 로터의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 첨가제를 첨가했을 때에 지립이 응집되는 모습을 도시하는 모식도이다.
도 3은 첨가제를 첨가했을 때에 지립이 응집하는 모습을 도시하는 모식도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지의 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다. 본 명세서에서, 「슬러리」 및 「연마액」이란, 연마 시에 피연마 재료에 접촉하는 조성물이며, 물 및 지립을 적어도 포함하고 있다. 또한, 지립의 함유량을 소정량으로 조정한 「수분산액」이란, 소정량의 지립과 물을 포함하는 액을 의미한다.
본 실시 형태에서, 지립은, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하고, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대하여 흡광도 1.00 이상 1.50 미만을 부여하는 것이며, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액을 원심 가속도 1.59×105G로 50분 원심 분리했을 때에 불휘발분 함량 300ppm 이상의 상청액(액상)을 부여하는 것이다. 본 발명자는, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도 및 원심 분리 후의 상청액에서의 불휘발분 함량에 관한 상기 조건을 만족하는 지립을 사용함으로써, 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음과 함께 보관 안정성을 향상시킬 수 있음을 발견하였다.
또한, 이러한 지견을 발견하기에 앞서, 본 발명자는 이하의 지견을 가지고 있었다. 즉, 본 발명자는, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립을 사용한 슬러리에 대하여 예의 검토한 결과, 지립을 특정량 함유하는 수분산액에서 특정 파장의 광에 대한 흡광도를 높이는 것이 가능한 지립을 사용함으로써, 피연마 재료의 연마 속도를 조정하기 쉬워지는 것을 발견하고, 또한, 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대하여 흡광도 1.50 이상을 부여하는 지립을 사용함으로써, 특히 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음을 발견하였다. 또한, 본 발명자는, 상기 조건을 만족하는 연마액 및 슬러리가 육안으로 약간 황색기를 띠고 있으며, 연마액 및 슬러리의 황색기가 짙어질수록 연마 속도가 향상되는 것을 발견하였다.
이에 반해, 본 발명자는, 연마 속도와 보관 안정성을 고도로 양립시키는 관점에서, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립에 대하여 더욱 검토하여, 상기한 바와 같이, 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대하여 흡광도 1.00 이상 1.50 미만을 부여하는 지립을 사용하는 것에 착상하기에 이르렀다.
<연마액>
본 실시 형태에 따른 연마액은, 지립과 첨가제와 물을 적어도 함유한다. 이하, 각 구성 성분에 대하여 설명한다.
(지립)
지립은, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 것을 특징으로 한다. 「4가 금속 원소의 수산화물」은, 4가의 금속(M4 +)과, 적어도 하나의 수산화물 이온(OH-)을 포함하는 화합물이다. 4가 금속 원소의 수산화물은, 수산화물 이온 이외의 음이온(예를 들어 질산 이온 NO3 -, 황산 이온 SO4 2 -)을 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 4가 금속 원소의 수산화물은, 4가 금속 원소에 결합한 음이온(예를 들어 질산 이온 NO3 -, 황산 이온 SO4 2 -)을 포함하고 있어도 된다.
4가 금속 원소는, 희토류 원소 및 지르코늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하다. 4가 금속 원소로서는, 연마 속도를 더욱 향상시키는 관점에서, 희토류 원소가 바람직하다. 4가를 취할 수 있는 희토류 원소로서는, 세륨, 프라세오디뮴, 테르븀 등의 란타노이드 등을 들 수 있고, 그 중에서도 입수가 용이하고 또한 연마 속도가 더욱 우수한 관점에서, 세륨(4가 세륨)이 바람직하다. 희토류 원소의 수산화물과 지르코늄의 수산화물을 병용해도 되고, 희토류 원소의 수산화물로부터 2종 이상을 선택하여 사용할 수도 있다.
본 실시 형태에 따른 연마액은, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립의 특성을 손상시키지 않는 범위에서 다른 종류의 지립을 병용할 수 있다. 구체적으로는, 실리카, 알루미나, 지르코니아 등의 지립을 사용할 수 있다.
지립 중에서의 4가 금속 원소의 수산화물의 함유량은, 지립 전체 질량 기준으로 50질량％ 이상이 바람직하고, 60질량％ 이상이 보다 바람직하고, 70질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 80질량％ 이상이 특히 바람직하고, 90질량％ 이상이 매우 바람직하고, 95질량％ 이상이 매우 바람직하고, 98질량％ 이상이 보다 한층 바람직하고, 99질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 지립은, 실질적으로 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는(지립의 실질적으로 100질량％가 4가 금속 원소의 수산화물 입자인) 것이 특히 바람직하다.
지립 중에서의 4가 세륨의 수산화물의 함유량은, 지립 전체 질량 기준으로 50질량％ 이상이 바람직하고, 60질량％ 이상이 보다 바람직하고, 70질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 80질량％ 이상이 특히 바람직하고, 90질량％ 이상이 매우 바람직하고, 95질량％ 이상이 매우 바람직하고, 98질량％ 이상이 보다 한층 바람직하고, 99질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 지립은, 화학적 활성이 높고 연마 속도가 더욱 우수한 점에서, 실질적으로 4가 세륨의 수산화물을 포함하는(지립의 실질적으로 100질량％가 4가 세륨의 수산화물 입자인) 것이 특히 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 연마액의 구성 성분 중에서, 4가 금속 원소의 수산화물은 연마 특성에 끼치는 영향이 큰 것으로 생각된다. 그로 인해, 4가 금속 원소의 수산화물의 함유량을 조정함으로써, 지립과 피연마면의 화학적인 상호 작용이 향상되어, 연마 속도를 더욱 향상시킬 수 있다. 즉, 4가 금속 원소의 수산화물의 함유량은, 4가 금속 원소의 수산화물의 기능을 충분히 발현하기 쉬워지는 점에서, 연마액 전체 질량 기준으로 0.01질량％ 이상이 바람직하고, 0.03질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.05질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 4가 금속 원소의 수산화물의 함유량은, 지립의 응집을 피하는 것이 용이해짐과 함께, 피연마면과의 화학적인 상호 작용이 양호해지고, 지립의 특성을 유효하게 활용할 수 있는 점에서, 연마액 전체 질량 기준으로 8질량％ 이하가 바람직하고, 5질량％ 이하가 보다 바람직하고, 3질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 1질량％ 이하가 특히 바람직하고, 0.5질량％ 이하가 매우 바람직하고, 0.3질량％ 이하가 매우 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 연마액에 있어서, 지립의 함유량의 하한은, 특별히 제한은 없지만, 원하는 연마 속도가 얻어지기 쉬워지는 점에서, 연마액 전체 질량 기준으로 0.01질량％ 이상이 바람직하고, 0.03질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.05질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 지립의 함유량의 상한은, 특별히 제한은 없지만, 지립의 응집을 피하는 것이 용이해짐과 함께, 지립이 효과적으로 피연마면에 작용하여 연마를 원활하게 진행시킬 수 있는 점에서, 연마액 전체 질량 기준으로 10질량％ 이하가 바람직하고, 5질량％ 이하가 보다 바람직하고, 3질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 1질량％ 이하가 특히 바람직하고, 0.5질량％ 이하가 매우 바람직하고, 0.3질량％ 이하가 매우 바람직하다.
지립의 평균 2차 입자 직경(이하, 특별히 언급이 없는 한 「평균 입자 직경」이라고 함)이 어느 정도 작은 경우, 피연마면에 접하는 지립의 비표면적이 증대함으로써 연마 속도를 더욱 향상시킬 수 있음과 함께, 기계적 작용이 억제되어 연마 흠집을 더욱 저감할 수 있다. 그로 인해, 평균 입자 직경의 상한은, 더욱 우수한 연마 속도가 얻어짐과 함께 연마 흠집을 더욱 저감할 수 있는 점에서, 200nm 이하가 바람직하고, 150nm 이하가 보다 바람직하고, 100nm 이하가 더욱 바람직하고, 80nm 이하가 특히 바람직하고, 60nm 이하가 매우 바람직하고, 40nm 이하가 매우 바람직하다. 평균 입자 직경의 하한은, 더욱 우수한 연마 속도가 얻어짐과 함께 연마 흠집을 더욱 저감할 수 있는 점에서, 1nm 이상이 바람직하고, 2nm 이상이 보다 바람직하고, 3nm 이상이 더욱 바람직하다.
지립의 평균 입자 직경은, 광자 상관법으로 측정할 수 있고, 구체적으로는 예를 들어, 말번사 제조의 장치명: 제타 사이저 3000HS, 베크만 코울터사 제조의 장치명: N5 등으로 측정할 수 있다. N5를 사용한 측정 방법은, 구체적으로는 예를 들어, 지립의 함유량을 0.2질량％로 조정한 수분산액을 제조하고, 이 수분산액을 1cm 각(角)의 셀에 약 4mL(L은 「리터」를 나타냄. 이하 동일함) 넣고, 장치 내에 셀을 설치한다. 분산매의 굴절률을 1.33, 점도를 0.887mPa·s로 조정하고, 25℃에서 측정을 행함으로써 얻어지는 값을 지립의 평균 입자 직경으로서 채용할 수 있다.
[불휘발분 함량]
상기 지립은, 입도 분포계로 측정할 수 있는 입자 직경을 갖는 대 입자와, 입도 분포계로 측정할 수 없는 입자 직경을 갖는 미세 입자를 함유하고 있다고 생각된다. 이러한 지립을 물에 분산시킨 수분산액을 충분한 원심력을 작용시켜서 원심 분리했을 경우, 수분산액은 침강물과 상청액(액상)으로 주로 고액 분리되어, 대 입자는 침강물로서 침강하고, 미세 입자는 상청액 내에 부유하는 것으로 생각된다.
본 발명자는, 충분량의 지립을 함유하는 수분산액을 특정한 조건(대 입자와 미세 입자를 적절하게 분리 가능한 원심력을 작용할 수 있는 조건)에서 원심 분리했을 때에 불휘발분 함량이 높은 상청액을 부여하는 지립을 사용함으로써, 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음을 발견하였다. 즉, 본 실시 형태에서 지립은, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액을 원심 가속도 1.59×105G로 50분 원심 분리했을 때에 불휘발분 함량 300ppm 이상의 상청액을 부여하는 것이다.
원심 분리 후의 상청액에 포함되는 불휘발분 함량이 높으면 연마 속도의 향상 효과가 얻어지는 이유에 대해서, 본 발명자는 다음과 같이 생각하고 있다. 지립을 포함하는 슬러리 및 연마액은, 일반적으로, 원심 가속도 1.59×105G로 50분 원심 분리했을 경우에는, 거의 모든 지립이 침강한다. 그러나, 본 실시 형태에 따른 슬러리 및 연마액은, 포함되는 지립의 입자 직경이 충분히 작기 때문에, 상기 조건에서 원심 분리를 행해도 침강하지 않는 미세 입자가 많이 포함된다. 즉, 불휘발분 함량이 증가함에 수반하여 지립 중의 미세 입자의 비율이 증가하고, 피연마면에 접하는 지립의 표면적이 증대하는 것으로 생각된다. 이에 의해, 화학적 작용에 의한 연마의 진행이 촉진되어, 연마 속도가 향상되는 것으로 생각된다.
지립의 함유량이 1.0질량％로 조정된 수분산액을 원심 분리했을 때의, 상청액의 불휘발분 함량의 하한은, 더욱 우수한 연마 속도가 얻어지는 점에서, 400ppm 이상이 바람직하고, 500ppm 이상이 보다 바람직하고, 600ppm 이상이 더욱 바람직하고, 700ppm 이상이 특히 바람직하고, 750ppm 이상이 매우 바람직하다. 상청액의 불휘발분 함량의 상한은, 예를 들어 10000ppm(1.0질량％)이다.
상기 원심 분리를 행하는 장치로서는, 튜브가 소정의 각도로 배치되어 이루어지는 앵글 로터 및 튜브의 각도가 가변이며 원심 분리 중에 튜브가 수평 또는 거의 수평하게 되는 스윙 로터 중 어느 것이든 사용할 수 있다.
도 1은, 앵글 로터의 일례를 나타내는 모식 단면도이다. 앵글 로터(1)는, 회전축(A1)을 중심으로 하여 좌우 대칭이며, 도 1에서는, 그 일방측(도면 중 좌측)만을 도시하고, 타방측(도면 중 우측)을 생략하고 있다. 도 1에서, A2는 튜브각이며, Rmin은 회전축(A1)에서부터 튜브까지의 최소 반경이며, Rmax는 회전축(A1)에서부터 튜브까지의 최대 반경이다. Rav는 회전축(A1)에서부터 튜브까지의 평균 반경이며, 「(Rmin+Rmax)/2」로서 구해진다.
이러한 원심 분리 장치에 있어서, 원심 가속도[단위: G]는 하기식 (1)로부터 구할 수 있다.
원심 가속도[G]=1118×R×N2×10-8 … (1)
(식 중 R은 회전 반경(cm)을 나타내고, N은 1분당 회전수(rpm=회전/분)를 나타냄)
본 실시 형태에서는, 식 (1) 중의 회전 반경(R)으로서 도 1 중의 평균 반경(Rav)의 값을 사용하고, 원심 가속도가 1.59×105G가 되도록 회전수(N)를 설정하여 원심 분리를 행한다. 또한, 도 1과 같은 앵글 로터 대신에 스윙 로터를 사용하는 경우에는, 원심 분리 중의 튜브의 상태로부터 최소 반경(Rmin), 최대 반경(Rmax), 평균 반경(Rav)을 각각 구하여 조건을 설정한다.
상기 지립은, 예를 들어 앵글 로터로서 가부시끼가이샤 히타치고끼 제조의 초 원심 분리기 70P-72를 사용하여, 지립을 대 입자와 미세 입자로 분리할 수 있다. 70P-72를 사용한 수분산액의 원심 분리는, 구체적으로는 예를 들어, 이하와 같이 하여 행할 수 있다. 우선, 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액을 제조하고, 이것을 원침관(튜브)에 충전한 후에 원침관을 로터에 설치한다. 그리고, 회전수 50000회전/분으로 50분간 회전시킨 후, 로터로부터 원침관을 꺼내어, 원침관 내의 상청액을 채취한다. 상청액의 불휘발분 함량은, 채취한 상청액의 질량과, 상청액을 건조한 후의 잔류분의 질량을 잼으로써 산출할 수 있다.
[흡광도]
지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대한 흡광도 1.00 이상 1.50 미만을 부여하는 지립을 사용함으로써, 연마 속도를 향상시킬 수 있음과 함께, 보관 안정성을 향상시킬 수 있다. 그 이유는 반드시 명백한 것은 아니지만, 본 발명자는 다음과 같이 생각하고 있다. 즉, 4가 금속 원소의 수산화물의 제조 조건 등에 따라, 4가의 금속(M4 +), 1 내지 3개의 수산화물 이온(OH-) 및 1 내지 3개의 음이온(Xc -)을 포함하는 M(OH)aXb(화학식 중 a+b×c=4임)를 포함하는 입자가 지립의 일부로서 생성되는 것이라 생각된다(또한, 이러한 입자도 「4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립」임). M(OH)aXb에서는, 전자 흡인성의 음이온(Xc -)이 작용하여 수산화물 이온의 반응성이 향상되어 있어, M(OH)aXb의 존재량이 증가함에 수반하여 연마 속도가 향상되는 것으로 생각된다. 그리고, M(OH)aXb를 포함하는 입자가 파장 400nm의 광을 흡광하기 때문에, M(OH)aXb의 존재량이 증가하여 파장 400nm의 광에 대한 흡광도가 높아짐에 수반하여, 연마 속도가 향상되는 것으로 생각된다.
4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립은, M(OH)aXb뿐만 아니라, M(OH)4, MO2 등도 포함할 수 있다고 생각된다. 음이온(Xc -)으로서는, NO3 -, SO4 2 - 등을 들 수 있다.
또한, 지립이 M(OH)aXb를 포함하는 것은, 지립을 순수로 잘 세정한 후에 FT-IR ATR법 (Fourier transform Infra Red Spectrometer Attenuated Total Reflection법, 푸리에 변환 적외선 분광 광도계 전반사 측정법)으로 음이온(Xc -)에 해당하는 피크를 검출하는 방법에 의해 확인할 수 있다. XPS법(X-ray Photoelectron Spectroscopy, X선 광전자 분광법)에 의해, 음이온(Xc -)의 존재를 확인할 수도 있다.
한편으로, M(OH)aXb(예를 들어 M(OH)3X) 등의 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 입자의 구조 안정성을 계산하면, X의 존재량이 증가함에 수반하여 입자의 구조 안정성이 저하되는 결과가 얻어지고 있다. 이러한 점에서, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도를 지표로 하여, X를 포함하는 상기 입자의 존재량을 조정함으로써, 높은 연마 속도 및 높은 보관 안정성의 양쪽을 달성할 수 있다고 생각된다.
여기서, M(OH)aXb(예를 들어 M(OH)3X)의 파장 400nm의 흡수 피크는, 후술하는 파장 290nm의 흡수 피크보다 훨씬 작은 것으로 확인되었다. 이에 반해, 본 발명자는, 지립 함유량이 비교적 많아, 흡광도가 크게 검출되기 쉬운 지립 함유량 1.0질량％의 수분산액을 사용하여 흡광도의 크기를 검토한 결과, 당해 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대한 흡광도 1.00 이상 1.50 미만을 부여하는 지립을 사용하는 경우에, 연마 속도의 향상 효과와 보관 안정성이 우수한 것을 발견하였다. 또한, 상기한 바와 같이 파장 400nm의 광에 대한 흡광도는 지립에서 유래되는 것이라 생각되기 때문에, 파장 400nm의 광에 대하여 흡광도 1.00 이상 1.50 미만을 부여하는 지립 대신에, 파장 400nm의 광에 대하여 1.00 이상 1.50 미만의 흡광도를 부여하는 물질(예를 들어 황색을 나타내는 색소 성분)을 포함하는 연마액에서는, 보관 안정성을 유지하면서 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 없음은 말할 필요도 없다.
파장 400nm의 광에 대한 흡광도의 하한은 1.00 이상인데, 더욱 우수한 연마 속도와 보관 안정성의 양립을 도모하는 관점에서, 1.05 이상이 바람직하고, 1.10 이상이 보다 바람직하고, 1.15 이상이 더욱 바람직하고, 1.20 이상이 특히 바람직하고, 1.25 이상이 매우 바람직하다. 파장 400nm의 광에 대한 흡광도의 상한은, 보관 안정성(예를 들어, 60℃에서 72시간 보관했을 때의 연마 속도의 안정성)이 저하되는 것을 억제하는 관점에서, 1.50 미만이다.
본 발명자는, 상기 지립이, 지립의 함유량을 0.0065질량％로 조정한 수분산액에서 파장 290nm의 광에 대하여 흡광도 1.000 이상을 부여하는 경우에, 더욱 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마할 수 있음을 발견하였다.
지립의 함유량을 0.0065질량％로 조정한 수분산액에서 파장 290nm의 광에 대한 흡광도 1.000 이상을 부여하는 지립을 사용함으로써, 연마 속도의 향상 효과가 얻어지는 이유는 반드시 명백한 것은 아니지만, 본 발명자는 다음과 같이 생각하고 있다. 즉, 4가 금속 원소의 수산화물의 제조 조건 등에 따라서 생성하는 M(OH)aXb(예를 들어 M(OH)3X)를 포함하는 입자는, 계산상, 파장 290nm 부근에 흡수의 피크를 갖고, 예를 들어 Ce4 +(OH-)3NO3 -을 포함하는 입자는 파장 290nm에 흡수의 피크를 갖는다. 그로 인해, M(OH)aXb의 존재량이 증가하여 파장 290nm의 광에 대한 흡광도가 높아짐에 수반하여, 연마 속도가 향상되는 것이라 생각된다. 한편으로, 입자의 구조 안정성을 계산하면, X의 존재량이 증가함에 수반하여 입자의 구조 안정성이 저하되는 결과가 얻어지고 있다. 이러한 점에서, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도와 함께 파장 290nm의 광에 대한 흡광도를 지표로 하여, X를 포함하는 상기 입자의 존재량을 조정함으로써, 연마 속도를 더욱 향상시킬 수 있다고 생각된다.
여기서, 파장 290nm 부근의 광에 대한 흡광도는, 측정 한계를 초과할수록 크게 검출되는 경향이 있다. 이에 반해, 본 발명자는, 지립의 함유량이 비교적 적어, 흡광도가 작게 검출되기 쉬운 지립 함유량 0.0065질량％의 수분산액을 사용하여 흡광도의 크기를 검토한 결과, 당해 수분산액에서 파장 290nm의 광에 대한 흡광도 1.000 이상을 부여하는 지립을 사용하는 경우에, 연마 속도의 향상 효과가 우수한 것을 발견하였다. 또한, 본 발명자는, 흡광 물질에 흡수되면 당해 흡광 물질이 황색을 나타내는 경향이 있는 파장 400nm 부근의 광과는 별도로, 파장 290nm 부근의 광에 대한 지립의 흡광도가 높을수록, 이러한 지립을 사용한 연마액 및 슬러리의 황색기가 짙어지는 것을 발견하고, 연마액 및 슬러리의 황색기가 짙어질수록 연마 속도가 향상되는 것을 발견하였다. 그리고, 본 발명자는, 지립 함유량 0.0065질량％의 수분산액에서의 파장 290nm의 광에 대한 흡광도와, 지립 함유량 1.0질량％의 수분산액에서의 파장 400nm의 광에 대한 흡광도가 상관하는 것을 발견하였다.
파장 290nm의 광에 대한 흡광도의 하한은, 더욱 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마하는 관점에서, 1.000 이상이 바람직하고, 1.050 이상이 보다 바람직하고, 1.100 이상이 더욱 바람직하고, 1.130 이상이 특히 바람직하고, 1.150 이상이 매우 바람직하고, 1.180 이상이 매우 바람직하다. 파장 290nm의 광에 대한 흡광도의 상한은, 특별히 제한은 없지만, 10.000 이하가 바람직하고, 5.000 이하가 보다 바람직하고, 3.000 이하가 더욱 바람직하다.
4가 금속 원소의 수산화물(예를 들어 M(OH)aXb)은 파장 450nm 이상, 특히 파장 450 내지 600nm의 광에 대하여 흡광을 갖고 있지 않은 경향이 있다. 따라서, 불순물을 포함함으로써 연마에 대하여 악영향이 발생하는 것을 억제하여 더욱 우수한 연마 속도로 피연마 재료를 연마하는 관점에서, 지립은, 상기 지립의 함유량을 0.0065질량％(65ppm)로 조정한 수분산액에서 파장 450 내지 600nm의 광에 대하여 흡광도 0.010 이하를 부여하는 것인 것이 바람직하다. 즉, 지립의 함유량을 0.0065질량％로 조정한 수분산액에서 파장 450 내지 600nm의 범위에서의 모든 광에 대한 흡광도가 0.010을 초과하지 않는 것이 바람직하다. 파장 450 내지 600nm의 광에 대한 흡광도의 상한은, 0.005 이하가 보다 바람직하고, 0.001 이하가 더욱 바람직하다. 파장 450 내지 600nm의 광에 대한 흡광도의 하한은, 0이 바람직하다.
수분산액에서의 흡광도는, 예를 들어 가부시끼가이샤 히타치 세이사꾸쇼 제조의 분광 광도계(장치명: U3310)를 사용하여 측정할 수 있다. 구체적으로는 예를 들어, 지립의 함유량을 1.0질량％ 또는 0.0065질량％로 조정한 수분산액을 측정 샘플로서 제조한다. 이 측정 샘플을 1cm 각의 셀에 약 4mL 넣고, 장치 내에 셀을 설치한다. 이어서, 파장 200 내지 600nm의 범위에서 흡광도 측정을 행하여, 얻어진 차트로부터 흡광도를 판단한다.
지립의 함유량이 0.0065질량％보다 적어지도록 과도하게 희석하여 파장 290nm의 광에 대한 흡광도를 측정했을 경우에, 흡광도가 1.000 이상을 나타내면, 지립의 함유량을 0.0065질량％로 한 경우에도 흡광도가 1.000 이상인 것으로 하여 흡광도를 스크리닝해도 된다. 지립의 함유량이 0.0065질량％보다 많아지도록 희석하여 파장 450 내지 600nm의 광에 대한 흡광도를 측정했을 경우에, 흡광도가 0.010 이하를 나타내면, 지립의 함유량을 0.0065질량％로 한 경우에도 흡광도가 0.010 이하인 것으로 하여 흡광도를 스크리닝해도 된다.
[광투과율]
본 실시 형태에 따른 연마액은, 가시광에 대한 투명도가 높은(육안으로 투명 또는 투명에 가까운) 것이 바람직하다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 따른 연마액에 포함되는 지립은, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 500nm의 광에 대하여 광투과율 50％/cm 이상을 부여하는 것인 것이 바람직하다. 이에 의해, 첨가제의 첨가에 기인하는 연마 속도의 저하를 더욱 억제할 수 있기 때문에, 연마 속도를 유지하면서 다른 특성을 얻는 것이 용이해진다. 이러한 관점에서, 상기 광투과율의 하한은, 60％/cm 이상이 보다 바람직하고, 70％/cm 이상이 더욱 바람직하고, 80％/cm 이상이 특히 바람직하고, 90％/cm 이상이 매우 바람직하고, 95％/cm 이상이 매우 바람직하고, 98％/cm 이상이 보다 한층 바람직하고, 99％/cm 이상이 더욱 바람직하다. 광투과율의 상한은 100％/cm이다.
이렇게 지립의 광투과율을 조정함으로써 연마 속도의 저하를 억제하는 것이 가능한 이유는 상세하게는 알 수 없지만, 본 발명자는 이하와 같이 생각하고 있다. 4가 금속 원소(세륨 등)의 수산화물을 포함하는 지립이 갖는 지립으로서의 작용은, 기계적 작용보다 화학적 작용이 더 지배적이 된다고 생각된다. 그로 인해, 지립의 크기보다 지립의 수가, 보다 연마 속도에 기여하는 것으로 생각된다.
지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 광투과율이 낮은 경우, 그 수분산액에 존재하는 지립은, 입자 직경이 큰 입자(이하 「조대 입자」라고 함)가 상대적으로 많이 존재한다고 생각된다. 이러한 지립을 포함하는 연마액에 첨가제(예를 들어 폴리비닐알코올(PVA))를 첨가하면, 도 2에 도시한 바와 같이, 조대 입자를 핵으로 해서 다른 입자가 응집한다. 그 결과로서, 단위 면적당의 피연마면에 작용하는 지립수(유효 지립수)가 감소하고, 피연마면에 접하는 지립의 비표면적이 감소하기 때문에, 연마 속도의 저하가 야기된다고 생각된다.
한편, 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 광투과율이 높은 경우, 그 수분산액에 존재하는 지립은, 상기 「조대 입자」가 적은 상태라고 생각된다. 이렇게 조대 입자의 존재량이 적은 경우에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 연마액에 첨가제(예를 들어 폴리비닐알코올)를 첨가해도, 응집의 핵이 되는 조대 입자가 적기 때문에, 지립끼리의 응집이 억제되거나, 또는 응집 입자의 크기가 도 2에 도시하는 응집 입자에 비해 작아진다. 그 결과로서, 단위 면적당의 피연마면에 작용하는 지립수(유효 지립수)가 유지되고, 피연마면에 접하는 지립의 비표면적이 유지되기 때문에, 연마 속도의 저하가 발생하기 어려워진다고 생각된다.
본 발명자의 검토에서는, 일반적인 입경 측정 장치에서 측정되는 입자 직경이 동일한 연마액이라도, 육안으로 투명한(광투과율이 높은) 것, 및 육안으로 탁한(광투과율이 낮은) 것이 있을 수 있음을 알 수 있었다. 이로부터, 상기와 같은 작용을 일으킬 수 있는 조대 입자는, 일반적인 입경 측정 장치에서 검지할 수 없을 정도의 극히 적은 양으로도, 연마 속도의 저하에 기여한다고 생각된다.
또한, 조대 입자를 저감시키기 위하여 여과를 복수 회 반복해도, 첨가제에 의해 연마 속도가 저하되는 현상은 그다지 개선되지 않아, 상기 흡광도에 기인하는 연마 속도의 향상 효과가 충분히 발휘되지 않는 경우가 있음을 알았다. 따라서, 본 발명자는, 지립의 제조 방법을 연구하여, 수분산액에서 광투과율이 높은 지립을 사용함으로써 상기 문제를 해결할 수 있음을 발견하였다.
상기 광투과율은, 파장 500nm의 광에 대한 투과율이다. 상기 광투과율은, 분광 광도계로 측정되는 것이며, 구체적으로는 예를 들어, 가부시끼가이샤 히타치 세이사꾸쇼 제조의 분광 광도계 U3310(장치명)으로 측정된다.
보다 구체적인 측정 방법으로서는, 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액을 측정 샘플로 하여 제조한다. 이 측정 샘플을 1cm 각의 셀에 약 4mL 넣고, 장치 내에 셀을 세트하여 측정을 행한다. 또한, 지립의 함유량이 1.0질량％보다 큰 수분산액에서 50％/cm 이상의 광투과율을 갖는 경우에는, 이것을 희석하여 1.0질량％로 한 경우도 광투과율은 50％/cm 이상이 되는 것이 명확하다. 그로 인해, 지립의 함유량이 1.0질량％보다 큰 수분산액을 사용함으로써, 간편한 방법으로 광투과율을 스크리닝할 수 있다.
지립이 수분산액에서 부여하는 상기 흡광도 및 광투과율, 및 상청액에서의 불휘발분 함량은, 안정성이 우수한 것이 바람직하다. 예를 들어, 수분산액에서의 흡광도 및 광투과율에 관하여, 수분산액을 60℃에서 3일간(72시간) 유지한 후에, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도는 1.00 이상 1.50 미만인 것이 바람직하고, 파장 290nm의 광에 대한 흡광도는 1.000 이상인 것이 바람직하고, 파장 450 내지 600nm의 광에 대한 흡광도는 0.010 이하인 것이 바람직하고, 파장 500nm의 광에 대한 광투과율은 50％/cm 이상인 것이 바람직하다. 또한, 예를 들어 상청액에서의 불휘발분 함량에 관하여, 60℃에서 3일간(72시간) 유지한 후의 수분산액으로부터 얻어지는 상청액에 있어서, 불휘발분 함량은 300ppm 이상인 것이 바람직하다. 이러한 흡광도, 광투과율 및 불휘발분 함량의 가일층의 바람직한 범위는, 지립에 대하여 상술한 범위와 마찬가지이다.
연마액에 포함되는 지립이 수분산액에서 부여하는 흡광도 및 광투과율은, 지립 이외의 고체 성분 및 물 이외의 액체 성분을 제거한 후, 소정의 지립 함유량의 수분산액을 제조하여, 당해 수분산액을 사용해서 측정할 수 있다. 고체 성분 또는 액체 성분의 제거에는, 연마액에 포함되는 성분에 따라서도 상이한데, 수천 G 이하의 중력 가속도를 걸 수 있는 원심기를 사용한 원심 분리, 수만 G 이상의 중력 가속도를 걸 수 있는 초원심기를 사용한 초 원심 분리 등의 원심 분리법; 분배 크로마토그래피, 흡착 크로마토그래피, 겔 침투 크로마토그래피, 이온 교환 크로마토그래피 등의 크로마토그래피법; 자연 여과, 감압 여과, 가압 여과, 한외 여과 등의 여과법; 감압 증류, 상압 증류 등의 증류법 등을 사용할 수 있으며, 이들을 적절히 조합해도 된다.
예를 들어, 중량 평균 분자량이 수만 이상(예를 들어 5만 이상)인 화합물을 포함하는 경우에는, 크로마토그래피법, 여과법 등을 들 수 있고, 그 중에서도 겔 침투 크로마토그래피 및 한외 여과가 바람직하다. 여과법을 사용하는 경우, 연마액에 포함되는 지립은, 적절한 조건의 설정에 의해 필터를 통과시킬 수 있다. 중량 평균 분자량이 수만 이하(예를 들어 5만 미만)인 화합물을 포함하는 경우에는, 크로마토그래피법, 여과법, 증류법 등을 들 수 있고, 겔 침투 크로마토그래피, 한외 여과 및 감압 증류가 바람직하다. 다른 종류의 지립이 포함되는 경우, 여과법, 원심 분리법 등을 들 수 있고, 여과의 경우에는 여과액에, 원심 분리의 경우에는 액상에, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립이 보다 많이 포함된다.
크로마토그래피법으로 지립을 분리하는 방법으로서는, 예를 들어, 하기 조건에 의해 지립 성분을 분취, 및/또는 다른 성분을 분취할 수 있다.
시료 용액: 연마액 100μL
검출기: 가부시끼가이샤 히타치 세이사꾸쇼 제조 UV-VIS 디텍터, 상품명 「L-4200」, 파장: 400nm
인터그레이터: 가부시끼가이샤 히타치 세이사꾸쇼 제조 GPC 인터그레이터, 상품명 「D-2500」
펌프: 가부시끼가이샤 히타치 세이사꾸쇼 제조, 상품명 「L-7100」
칼럼: 히따찌 가세이 가부시끼가이샤 제조 수계 HPLC용 충전 칼럼, 상품명 「GL-W550S」
용리액: 탈이온수
측정 온도: 23℃
유속: 1mL/분(압력은 40 내지 50kg/cm2 정도)
측정시간: 60분
또한, 크로마토그래피를 행하기 전에, 탈기 장치를 사용하여 용리액의 탈기 처리를 행하는 것이 바람직하다. 탈기 장치를 사용할 수 없는 경우에는, 용리액을 사전에 초음파 등으로 탈기 처리하는 것이 바람직하다.
연마액에 포함되는 성분에 따라서는, 상기 조건에서도 지립 성분을 분취할 수 없을 가능성이 있는데, 그 경우, 시료 용액량, 칼럼 종류, 용리액 종류, 측정 온도, 유속 등을 최적화함으로써 분리할 수 있다. 또한, 연마액의 pH를 조정함으로써, 연마액에 포함되는 성분의 유출 시간을 조정하여, 지립과 분리할 수 있을 가능성이 있다. 연마액에 불용 성분이 있을 경우, 필요에 따라, 여과, 원심 분리 등으로 불용 성분을 제거하는 것이 바람직하다.
[지립의 제작 방법]
4가 금속 원소의 수산화물은, 4가 금속 원소의 염(금속염)과, 알칼리원(염기)을 반응시킴으로써 제작 가능하다. 이에 의해, 입자 직경이 매우 미세한 입자를 얻을 수 있고, 연마 흠집의 저감 효과가 더욱 우수한 연마액을 얻을 수 있다. 이러한 방법은, 예를 들어 특허문헌 3에 개시되어 있다. 4가 금속 원소의 수산화물은, 4가 금속 원소의 염과 알칼리액(알칼리원의 용액. 예를 들어 알칼리 수용액)을 혼합함으로써 얻을 수 있다. 또한, 4가 금속 원소의 수산화물은, 4가 금속 원소의 염을 포함하는 금속염 용액(예를 들어 금속염 수용액)과 알칼리액을 혼합함으로써 얻을 수 있다. 또한, 4가 금속 원소의 염 및 알칼리원 중 적어도 한쪽을 액체 상태로 반응계에 공급하는 경우, 혼합액을 교반하는 수단은 한정되는 것은 아니며, 회전축 주위로 회전하는 봉상, 판상 또는 프로펠러상의 교반자 또는 교반 날개를 사용하여 혼합액을 교반하는 방법; 용기의 외부로부터 동력을 전달하는 자기 교반 막대를 사용하여, 회전하는 자계에서 교반자를 회전시켜서 혼합액을 교반하는 방법; 조 외에 설치한 펌프로 혼합액을 교반하는 방법; 외기를 가압하여 조 내에 급격하게 불어 넣음으로써 혼합액을 교반하는 방법 등을 들 수 있다. 4가 금속 원소의 염으로서는, 금속을 M으로서 나타내면, M(NO3)4, M(SO4)2, M(NH4)2(NO3)6, M(NH4)4(SO4)4 등을 들 수 있다.
상청액의 불휘발분 함량, 흡광도 및 광투과율을 조정하는 수단으로서는, 4가 금속 원소의 수산화물의 제조 방법의 최적화 등을 들 수 있다. 파장 400nm의 광에 대한 흡광도 및 파장 290nm의 광에 대한 흡광도를 변화시키는 방법으로서는, 알칼리액 내의 알칼리원의 선택, 금속염 용액과 알칼리액에서의 원료 농도의 조정, 금속염 용액과 알칼리액의 혼합 속도의 조정, 4가 금속 원소의 염과 알칼리원을 혼합하여 얻어지는 혼합액의 액온 조정 등을 들 수 있다. 파장 500nm의 광에 대한 광투과율을 변화시키는 방법으로서는, 금속염 용액과 알칼리액에서의 원료 농도의 조정, 금속염 용액과 알칼리액의 혼합 속도의 조정, 혼합할 때의 교반 속도의 조정, 혼합액의 액온 조정 등을 들 수 있다. 상청액의 불휘발분 함량의 조정 수단으로서는, 금속염 용액과 알칼리액에서의 원료 농도의 조정, 혼합액의 액온 조정, 금속염 용액과 알칼리액의 혼합 속도의 조정, 혼합할 때의 교반 속도의 조정 등을 들 수 있다.
상청액의 불휘발분 함량, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도, 파장 290nm의 광에 대한 흡광도 및 파장 500nm의 광에 대한 광투과율을 높게 하기 위해서는, 4가 금속 원소의 수산화물의 제조 방법을, 보다 「완만하게」 하는 것이 바람직하다. 여기서, 「완만하게」란, 반응이 진행함에 따라서 반응계의 pH가 상승할 때의 pH의 상승을 완만하게 하는(늦게 하는) 것을 의미한다. 반대로, 상청액의 불휘발분 함량, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도, 파장 290nm의 광에 대한 흡광도 및 파장 500nm의 광에 대한 광투과율을 낮게 하기 위해서는, 4가 금속 원소의 수산화물의 제조 방법을, 보다 「격렬하게」 하는 것이 바람직하다. 여기서, 「격렬하게」란, 반응이 진행함에 따라서 반응계의 pH가 상승할 때의 pH의 상승을 격렬하게 하는(빠르게 하는) 것을 의미한다. 상청액의 불휘발분 함량, 흡광도 및 광투과율의 값을 소정 범위로 하기 위해서는, 상기 경향을 참고로 해서, 4가 금속 원소의 수산화물의 제조 방법을 최적화하는 것이 바람직하다. 이하, 상청액의 불휘발분 함량, 흡광도 및 광투과율의 제어 방법에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
{알칼리원}
알칼리액의 알칼리원으로서는, 특별히 제한은 없지만, 유기 염기, 무기 염기 등을 들 수 있다. 유기 염기로서는, 구아니딘, 트리에틸아민, 키토산 등의 질소 함유 유기 염기; 피리딘, 피페리딘, 피롤리딘, 이미다졸 등의 질소 함유 복소환 유기 염기; 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 염화테트라메틸암모늄, 염화테트라에틸암모늄 등의 암모늄염 등을 들 수 있다. 무기 염기로서는, 암모니아, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소리튬, 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨 등의 알칼리 금속의 무기염 등을 들 수 있다. 알칼리원은, 1종류를 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
파장 400nm의 광에 대한 흡광도 및 파장 290nm의 광에 대한 흡광도를 높게 하기 위해서는, 알칼리원으로서, 약한 염기성을 나타내는 알칼리원을 사용하는 것이 바람직하다. 알칼리원 중에서도, 질소 함유 복소환 유기 염기가 바람직하고, 피리딘, 피페리딘, 피롤리딘, 이미다졸이 보다 바람직하고, 피리딘 및 이미다졸이 더욱 바람직하고, 이미다졸이 특히 바람직하다.
{농도}
금속염 용액과 알칼리액에서의 원료 농도의 제어에 의해, 상청액의 불휘발분 함량, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도, 파장 290nm의 광에 대한 흡광도 및 파장 500nm의 광에 대한 광투과율을 변화시킬 수 있다. 구체적으로는, 금속염 용액의 금속염 농도를 짙게 함으로써 상청액의 불휘발분 함량이 높아지는 경향이 있고, 알칼리액의 알칼리 농도(염기의 농도, 알칼리원의 농도)를 옅게 함으로써 상청액의 불휘발분 함량이 높아지는 경향이 있다. 금속염 용액의 금속염 농도를 짙게 함으로써 흡광도가 높아지는 경향이 있고, 알칼리액의 알칼리 농도를 옅게 함으로써 흡광도가 높아지는 경향이 있다. 금속염 농도를 짙게 함으로써 광투과율이 높아지는 경향이 있고, 알칼리 농도를 옅게 함으로써 광투과율이 높아지는 경향이 있다.
금속염 용액에서의 금속염 농도의 상한은, 우수한 연마 속도와 우수한 지립의 안정성을 양립하기 쉬워지는 점에서, 금속염 용액의 전체를 기준으로 하여 1.000mol/L 이하가 바람직하고, 0.500mol/L 이하가 보다 바람직하고, 0.300mol/L 이하가 더욱 바람직하고, 0.200mol/L 이하가 특히 바람직하다. 금속염 농도의 하한은, 급격하게 반응이 일어나는 것을 억제할 수 있음(pH의 상승을 온화하게 할 수 있음)과 함께, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도, 파장 290nm의 광에 대한 흡광도 및 파장 500nm의 광에 대한 광투과율이 높아지는 점에서, 금속염 용액의 전체를 기준으로 하여 0.010mol/L 이상이 바람직하고, 0.020mol/L 이상이 보다 바람직하고, 0.030mol/L 이상이 더욱 바람직하다.
알칼리액에서의 알칼리 농도의 상한은, 급격하게 반응이 일어나는 것을 억제하는 점에서, 알칼리액의 전체를 기준으로 하여 15.0mol/L 이하가 바람직하고, 12.0mol/L 이하가 보다 바람직하고, 10.0mol/L 이하가 더욱 바람직하고, 5.0mol/L 이하가 특히 바람직하다. 알칼리 농도의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 생산성의 관점에서, 알칼리액의 전체를 기준으로 하여 0.001mol/L 이상이 바람직하다.
알칼리액에서의 알칼리 농도는, 선택되는 알칼리원에 따라 적절히 조정되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 알칼리원의 공액 산의 pKa가 20 이상인 알칼리원의 경우, 알칼리 농도의 상한은, 급격하게 반응이 일어나는 것을 억제하는 점에서, 알칼리액의 전체를 기준으로 하여 0.10mol/L 이하가 바람직하고, 0.05mol/L 이하가 보다 바람직하고, 0.01mol/L 이하가 더욱 바람직하다. 알칼리 농도의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 소정량의 4가 금속 원소의 수산화물을 얻기 위하여 사용하는 용액의 사용량을 억제하는 점에서, 알칼리액의 전체를 기준으로 하여 0.001mol/L 이상이 바람직하다.
알칼리원의 공액 산의 pKa가 12 이상 20 미만인 알칼리원의 경우, 알칼리 농도의 상한은, 급격하게 반응이 일어나는 것을 억제하는 점에서, 알칼리액의 전체를 기준으로 하여 1.0mol/L 이하가 바람직하고, 0.50mol/L 이하가 보다 바람직하고, 0.10mol/L 이하가 더욱 바람직하다. 알칼리 농도의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 소정량의 4가 금속 원소의 수산화물을 얻기 위하여 사용하는 용액의 사용량을 억제하는 점에서, 알칼리액의 전체를 기준으로 하여 0.01mol/L 이상이 바람직하다.
알칼리원의 공액 산의 pKa가 12 미만인 알칼리원의 경우, 알칼리 농도의 상한은, 급격하게 반응이 일어나는 것을 억제하는 점에서, 알칼리액의 전체를 기준으로 하여 15.0mol/L 이하가 바람직하고, 10.0mol/L 이하가 보다 바람직하고, 5.0mol/L 이하가 더욱 바람직하다. 알칼리 농도의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 소정량의 4가 금속 원소의 수산화물을 얻기 위하여 사용하는 용액의 사용량을 억제하는 점에서, 알칼리액의 전체를 기준으로 하여 0.10mol/L 이상이 바람직하다.
구체적인 알칼리원에 대해서, 알칼리원의 공액 산의 pKa가 20 이상인 알칼리원으로서는, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데카-7-엔(pKa: 25) 등을 들 수 있다. 알칼리원의 공액 산의 pKa가 12 이상 20 미만인 알칼리원으로서는, 수산화칼륨(pKa: 16), 수산화나트륨(pKa: 13) 등을 들 수 있다. 알칼리원의 공액 산의 pKa가 12 미만인 알칼리원으로서는, 암모니아(pKa: 9), 이미다졸(pKa: 7) 등을 들 수 있다. 사용하는 알칼리원의 공액 산의 pKa값은, 알칼리 농도가 적절하게 조정되는 한, 특별히 한정되는 것은 아니나, 알칼리원의 공액 산의 pKa는, 20 미만인 것이 바람직하고, 12 미만인 것이 보다 바람직하고, 10 미만인 것이 더욱 바람직하고, 8 미만인 것이 특히 바람직하다.
{혼합 속도}
금속염 용액과 알칼리액의 혼합 속도의 제어에 의해, 상청액의 불휘발분 함량, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도, 파장 290nm의 광에 대한 흡광도 및 파장 500nm의 광에 대한 광투과율을 변화시킬 수 있다. 경향으로서는, pH의 상승이 완만해지도록(늦어지도록) 함으로써 상기 불휘발분 함량, 흡광도 및 광투과율이 각각 높아진다. 보다 구체적으로는, 혼합 속도를 느리게 함으로써 상청액의 불휘발분 함량이 높아지는 경향이 있고, 혼합 속도를 빠르게 함으로써 상청액의 불휘발분 함량이 낮아지는 경향이 있다. 혼합 속도를 느리게 함으로써 흡광도가 높아지는 경향이 있고, 혼합 속도를 빠르게 함으로써 흡광도가 낮아지는 경향이 있다. 혼합 속도를 느리게 함으로써 파장 500nm의 광에 대한 광투과율이 높아지는 경향이 있고, 혼합 속도를 빠르게 함으로써 광투과율이 낮아지는 경향이 있다.
혼합 속도의 상한은, 급격하게 반응이 진행하는 것을 더욱 억제할 수 있음과 함께, 국소에서의 반응의 치우침을 더욱 억제하는 관점에서, 5.00×10-3m3/min(5L/min) 이하가 바람직하고, 1.00×10-3m3/min(1L/min) 이하가 보다 바람직하고, 5.00×10-4m3/min(500mL/min) 이하가 더욱 바람직하고, 1.00×10-4m3/min(100mL/min) 이하가 특히 바람직하다. 혼합 속도의 하한은, 특별히 제한되지 않지만, 생산성의 관점에서, 1.00×10-7m3/min(0.1mL/min) 이상이 바람직하다.
{교반 속도}
금속염 용액과 알칼리액을 혼합할 때의 교반 속도의 제어에 의해, 상청액의 불휘발분 함량, 파장 500nm의 광에 대한 광투과율을 변화시킬 수 있다. 구체적으로는, 교반 속도를 빠르게 함으로써 상청액의 불휘발분 함량이 높아지는 경향이 있고, 교반 속도를 느리게 함으로써 상청액의 불휘발분 함량이 낮아지는 경향이 있다. 교반 속도를 빠르게 함으로써 광투과율이 높아지는 경향이 있고, 교반 속도를 느리게 함으로써 광투과율이 낮아지는 경향이 있다.
교반 속도의 하한은, 국소에서의 반응의 치우침을 더욱 억제할 수 있고, 또한, 혼합 효율이 우수한 관점에서, 30min-1 이상이 바람직하고, 50min-1 이상이 보다 바람직하고, 80min-1 이상이 더욱 바람직하다. 교반 속도의 상한은, 특별히 제한되지 않고, 또한, 교반 날개의 크기, 형상에 따라 적절히 조정을 필요로 하는데, 액이 튀는 것을 억제하는 관점에서, 1000min-1 이하가 바람직하다.
{액온(합성 온도)}
4가 금속 원소의 염과 알칼리원을 혼합하여 얻어지는 혼합액의 액온 제어에 의해, 상청액의 불휘발분 함량, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도, 파장 290nm의 광에 대한 흡광도 및 파장 500nm의 광에 대한 광투과율을 변화시키는 것이 가능하여, 원하는 연마 속도와 보관 안정성을 달성 가능한 지립을 얻을 수 있다. 구체적으로는, 액온을 낮게 함으로써 상청액의 불휘발분 함량이 높아지는 경향이 있고, 액온을 높게 함으로써 상청액의 불휘발분 함량이 낮아지는 경향이 있다. 액온을 낮게 함으로써 흡광도가 높아지는 경향이 있고, 액온을 높게 함으로써 흡광도가 낮아지는 경향이 있다. 액온을 낮게 함으로써 광투과율이 높아지는 경향이 있고, 액온을 높게 함으로써 광투과율이 낮아지는 경향이 있다.
액온은, 예를 들어 혼합액에 온도계를 설치하여 읽어낼 수 있는 혼합액 내의 온도이며, 30 내지 100℃인 것이 바람직하다. 액온의 상한은, 급격한 반응을 억제할 수 있는 점에서, 100℃ 이하가 바람직하고, 60℃ 이하가 보다 바람직하고, 55℃ 이하가 더욱 바람직하고, 50℃ 이하가 특히 바람직하고, 45℃ 이하가 극히 바람직하다. 액온의 하한은, 반응을 용이하게 진행시켜, 보관 안정성이 우수한(특히, 연마 속도의 안정성이 우수한) 연마액을 얻을 수 있는 점에서, 30℃ 이상이 바람직하고, 35℃ 이상이 보다 바람직하다.
상기에 의해 제작된 4가 금속 원소의 수산화물은, 불순물을 포함하는 경우가 있는데, 당해 불순물을 제거해도 된다. 불순물을 제거하는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 원심 분리, 필터 프레스, 한외 여과 등의 방법 등을 들 수 있다. 이에 의해, 파장 450 내지 600nm의 광에 대한 흡광도를 조정할 수 있다.
(첨가제)
본 실시 형태에 따른 연마액은, 절연 재료(예를 들어 산화규소)에 대하여 특히 우수한 연마 속도를 얻을 수 있기 때문에, 절연 재료를 갖는 기체를 연마하는 용도에 특히 적합하다. 본 실시 형태에 따른 연마액에 의하면, 첨가제를 적절히 선택함으로써, 연마 속도와, 연마 속도 이외의 연마 특성을 고도로 양립시킬 수 있다.
첨가제로서는, 예를 들어 지립의 분산성을 높이는 분산제, 연마 속도를 향상시키는 연마 속도 향상제, 평탄화제(연마 후의 피연마면의 요철을 저감시키는 평탄화제, 연마 후의 기체의 글로벌 평탄성을 향상시키는 글로벌 평탄화제), 질화규소 또는 폴리실리콘 등의 스토퍼 재료에 대한 절연 재료의 연마 선택비를 향상시키는 선택비 향상제 등의 공지된 첨가제를 특별히 제한 없이 사용할 수 있다.
분산제로서는, 비닐알코올 중합체 및 그의 유도체, 베타인, 라우릴베타인, 라우릴디메틸아민옥시드 등을 들 수 있다. 연마 속도 향상제로서는, β-알라닌베타인, 스테아릴베타인 등을 들 수 있다. 피연마면의 요철을 저감시키는 평탄화제로서는, 라우릴황산암모늄, 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산트리에탄올아민 등을 들 수 있다. 글로벌 평탄화제로서는, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크롤레인 등을 들 수 있다. 선택비 향상제로서는, 폴리에틸렌이민, 폴리아릴아민, 키토산 등을 들 수 있다. 이것들은 1종류를 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 연마액은, 첨가제로서, 비닐알코올 중합체 및 그의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 첨가제가 지립 표면을 피복함으로써, 피연마면에 지립이 부착되는 것이 억제되는 점에서, 지립의 분산성이 향상되어, 지립의 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 피연마면의 세정성을 향상시킬 수도 있다. 그러나, 일반적으로, 폴리비닐알코올의 단량체인 비닐알코올은, 단체로는 안정된 화합물로서 존재하지 않는 경향이 있다. 그로 인해, 폴리비닐알코올은, 일반적으로, 아세트산비닐 단량체 등의 카르복실산비닐 단량체를 중합하여 폴리카르복실산비닐을 얻은 후, 이것을 비누화(가수분해)하여 얻어지고 있다. 따라서, 예를 들어 원료로서 아세트산비닐 단량체를 사용하여 얻어진 비닐알코올 중합체는, -OCOCH3과, 가수 분해된 -OH를 분자 중에 관능기로서 갖고 있으며, -OH로 되어 있는 비율이 비누화도로서 정의된다. 즉, 비누화도가 100％가 아닌 비닐알코올 중합체는, 실질적으로 아세트산비닐과 비닐알코올의 공중합체와 같은 구조를 갖고 있다. 또한, 비닐알코올 중합체는, 아세트산비닐 단량체 등의 카르복실산비닐 단량체와, 그 외의 비닐기 함유 단량체(예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 스티렌, 염화비닐)를 공중합시켜, 카르복실산비닐 단량체에서 유래되는 부분의 전부 또는 일부를 비누화한 것이어도 된다. 본 명세서에서는, 이들을 총칭하여 「비닐알코올 중합체」라고 정의하는데, 「비닐알코올 중합체」란, 이상적으로는 하기 구조식을 갖는 중합체이다.
Figure pct00001
(식 중 n은 양의 정수를 나타냄)
비닐알코올 중합체의 「유도체」는, 비닐알코올의 단독 중합체(즉 비누화도 100％의 중합체)의 유도체 및 비닐알코올 단량체와 다른 비닐기 함유 단량체(예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 스티렌, 염화비닐)과의 공중합체의 유도체를 포함하는 것으로서 정의된다.
비닐알코올 중합체의 유도체로서는, 중합체의 일부의 수산기를 아미노기, 카르복실기, 에스테르기 등으로 치환한 것, 중합체의 일부의 수산기를 변성한 것 등을 들 수 있다. 이러한 유도체로서는, 반응형 폴리비닐알코올(예를 들어, 닛본 고세 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조, 고세파이머(등록 상표) Z), 양이온화 폴리비닐알코올(예를 들어, 닛본 고세 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조, 고세파이머(등록 상표) K), 음이온화 폴리비닐알코올(예를 들어, 닛본 고세 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조, 고세란(등록 상표) L, 고세날(등록 상표) T), 친수기 변성 폴리비닐알코올(예를 들어, 닛본 고세 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조, 에코마티) 등을 들 수 있다.
비닐알코올 중합체 및 그의 유도체는, 상기한 바와 같이, 지립의 분산제로서 기능하여, 연마액의 안정성을 더욱 향상시키는 효과가 있다. 비닐알코올 중합체 및 그의 유도체의 수산기가, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립과 상호 작용함으로써, 지립의 응집을 억제하고, 연마액에서의 지립의 입경 변화를 억제하여 안정성을 더욱 향상할 수 있는 것으로 생각된다.
비닐알코올 중합체 및 그의 유도체는, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립과 조합하여 사용함으로써, 스토퍼 재료(예를 들어 질화규소, 폴리실리콘)에 대한 절연 재료(예를 들어 산화규소)의 연마 선택비(절연 재료의 연마 속도/스토퍼 재료의 연마 속도)를 높게 할 수도 있다. 또한, 비닐알코올 중합체 및 그의 유도체는, 연마 후의 피연마면의 평탄성을 향상시킬 수 있음과 함께, 피연마면에 대한 지립의 부착을 방지(세정성의 향상)할 수도 있다.
비닐알코올 중합체 및 그의 유도체의 비누화도는, 스토퍼 재료에 대한 절연 재료의 연마 선택비가 더욱 높아지는 점에서, 95mol％ 이하가 바람직하다. 마찬가지의 관점에서, 비누화도의 상한은, 90mol％ 이하가 보다 바람직하고, 88mol％ 이하가 더욱 바람직하고, 85mol％ 이하가 특히 바람직하고, 83mol％ 이하가 매우 바람직하고, 80mol％ 이하가 매우 바람직하다.
비누화도의 하한에 특별히 제한은 없지만, 물에 대한 용해성이 우수한 관점에서, 50mol％ 이상이 바람직하고, 60mol％ 이상이 보다 바람직하고, 70mol％ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 비닐알코올 중합체 및 그의 유도체의 비누화도는, JIS K 6726(폴리비닐알코올 시험 방법)에 준거하여 측정할 수 있다.
비닐알코올 중합체 및 그의 유도체의 평균 중합도(중량 평균 분자량)의 상한은, 특별히 제한은 없지만, 피연마 재료의 연마 속도의 저하를 더욱 억제하는 관점에서, 3000 이하가 바람직하고, 2000 이하가 보다 바람직하고, 1000 이하가 더욱 바람직하다.
스토퍼 재료에 대한 절연 재료의 연마 선택비가 더욱 높아지는 관점에서, 평균 중합도의 하한은, 50 이상이 바람직하고, 100 이상이 보다 바람직하고, 150 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 비닐알코올 중합체 및 그의 유도체의 평균 중합도는, JIS K 6726(폴리비닐알코올 시험 방법)에 준거하여 측정할 수 있다.
비닐알코올 중합체 및 그의 유도체로서는, 스토퍼 재료에 대한 절연 재료의 연마 선택비 및 연마 후의 기체 평탄성을 조정할 목적으로, 비누화도 또는 평균 중합도 등이 상이한 복수의 중합체를 조합하여 사용해도 된다. 이 경우, 적어도 1종의 비닐알코올 중합체 및 그의 유도체의 비누화도가 95mol％ 이하인 것이 바람직하고, 연마 선택비를 더욱 향상시키는 관점에서, 각각의 비누화도 및 배합비로부터 산출한 평균의 비누화도가 95mol％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 비누화도의 바람직한 범위에 대해서는, 상기한 범위와 마찬가지이다.
첨가제의 함유량은, 첨가제의 효과가 더욱 효과적으로 얻어지는 관점에서, 연마액 전체 질량 기준으로 0.01질량％ 이상이 바람직하고, 0.05질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.08질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 0.1질량％ 이상이 특히 바람직하다. 첨가제의 함유량은, 피연마 재료의 연마 속도의 저하를 더욱 억제하는 관점에서, 연마액 전체 질량 기준으로 10질량％ 이하가 바람직하고, 5.0질량％ 이하가 보다 바람직하고, 3.0질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 1.0질량％ 이하가 특히 바람직하다.
(물)
본 실시 형태에 따른 연마액에서의 물은, 특별히 제한은 없지만, 탈이온수, 초순수 등이 바람직하다. 물의 함유량은, 다른 구성 성분의 함유량을 제외한 연마액의 잔량부이면 되며, 특별히 한정되지 않는다.
지립을 물에 분산시키는 방법으로서는, 특별히 제한은 없지만, 구체적으로는 예를 들어, 교반에 의한 분산 방법; 호모게나이저, 초음파 분산기 또는 습식 볼 밀 등에 의한 분산 방법을 들 수 있다.
[연마액의 특성]
연마액의 pH(25℃)는 더욱 우수한 연마 속도가 얻어지는 점에서, 2.0 내지 9.0이 바람직하다. 이것은, 피연마면의 표면 전위에 대한 지립의 표면 전위가 양호해져, 지립이 피연마면에 대하여 작용하기 쉬워지기 때문이라고 생각된다. 연마액의 pH가 안정되고, 지립의 응집 등의 문제가 발생하기 어려워지는 점에서, pH의 하한은, 2.0 이상이 바람직하고, 3.0 이상이 보다 바람직하고, 4.0 이상이 더욱 바람직하다. 지립의 분산성이 우수하고, 더욱 우수한 연마 속도가 얻어지는 점에서, pH의 상한은 9.0 이하가 바람직하고, 8.0 이하가 보다 바람직하고, 7.5 이하가 더욱 바람직하다.
연마액의 pH는, pH 미터(예를 들어, 요꼬가와 덴끼 가부시끼가이샤 제조의 형 번호 PH81)로 측정할 수 있다. pH로서는, 예를 들어 표준 완충액(프탈산염 pH 완충액: pH4.01(25℃), 중성 인산염 pH 완충액: pH6.86(25℃))을 사용하여, 2점 교정한 후, 전극을 연마액에 넣어, 2분 이상 경과하여 안정된 후의 값을 채용한다.
연마액의 pH의 조정에는, 종래 공지의 pH 조정제를 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. pH 조정제로서는, 구체적으로는 예를 들어, 인산, 황산, 질산 등의 무기산; 포름산, 아세트산, 프로피온산, 말레산, 프탈산, 시트르산, 숙신산, 말론산, 글루타르산, 아디프산, 푸마르산, 락트산, 벤조산 등의 카르복실산 등의 유기산; 에틸렌디아민, 톨루이딘, 피페라진, 히스티딘, 아닐린, 2-아미노피리딘, 3-아미노피리딘, 피콜린산, 모르폴린, 피페리딘, 히드록실아민 등의 아민류; 피리딘, 이미다졸, 트리아졸, 피라졸, 벤즈이미다졸, 벤조트리아졸 등의 질소 함유 복소환 화합물을 들 수 있다. 또한, pH 조정제는, 후술하는 슬러리(슬러리 전구체, 슬러리용 저장액 등을 포함함), 첨가액 등에 포함되어 있어도 된다.
pH 안정화제란, 소정의 pH로 조정하기 위한 첨가제를 가리키며, 완충 성분이 바람직하다. 완충 성분은, 소정의 pH에 대하여 pKa가 ±1.5 이내인 화합물이 바람직하고, pKa가 ±1.0 이내인 화합물이 보다 바람직하다. 이러한 화합물로서는, 글리신, 아르기닌, 리신, 아스파라긴, 아스파라긴산, 글루탐산 등의 아미노산; 상기 카르복실산과 염기의 혼합물; 상기 카르복실산의 염 등을 들 수 있다.
<슬러리>
본 실시 형태에 따른 슬러리는, 상기 슬러리를 그대로 연마에 사용해도 되고, 연마액의 구성 성분을 슬러리와 첨가액으로 나눈, 소위 2액 타입의 연마액에서의 슬러리로서 사용해도 된다. 본 실시 형태에서, 연마액과 슬러리는 첨가제의 유무의 점에서 상이하며, 슬러리에 첨가제를 첨가함으로써 연마액이 얻어진다.
본 실시 형태에 따른 슬러리는, 본 실시 형태에 따른 연마액과 마찬가지의 지립 및 물을 적어도 함유한다. 예를 들어, 지립은, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이며, 지립의 평균 2차 입자 직경의 바람직한 범위 및 측정 방법은, 본 실시 형태에 따른 연마액에서 사용되는 지립과 마찬가지이다.
본 실시 형태에 따른 슬러리에 있어서, 지립은, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대하여 흡광도 1.00 이상 1.50 미만을 부여하는 것이며, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액을 원심 가속도 1.59×105G로 50분 원심 분리했을 때에 불휘발분 함량 300ppm 이상의 상청액(액상)을 부여하는 것이다. 지립은, 상기 지립의 함유량을 0.0065질량％로 조정한 수분산액에서 파장 290nm의 광에 대하여 흡광도 1.000 이상을 부여하는 것인 것이 바람직하다. 지립은, 상기 지립의 함유량을 0.0065질량％로 조정한 수분산액에서 파장 450 내지 600nm의 광에 대하여 흡광도 0.010 이하를 부여하는 것인 것이 바람직하다. 지립은, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 500nm의 광에 대한 광투과율 50％/cm 이상을 부여하는 것인 것이 바람직하다. 이러한 흡광도, 광투과율 및 상청액의 불휘발분 함량의 바람직한 범위 및 측정 방법에 대해서도 본 실시 형태에 따른 연마액에서 사용되는 지립과 마찬가지이다.
본 실시 형태에 따른 슬러리의 구성 성분 중에서, 4가 금속 원소의 수산화물은 연마 특성에 끼치는 영향이 큰 것이라 생각된다. 그로 인해, 4가 금속 원소의 수산화물의 함유량을 조정함으로써, 지립과 피연마면의 화학적인 상호 작용이 향상되어, 연마 속도를 더욱 향상시킬 수 있다. 즉, 4가 금속 원소의 수산화물의 함유량은, 4가 금속 원소의 수산화물의 기능을 충분히 발현하기 쉬워지는 점에서, 슬러리 전체 질량 기준에서 0.01질량％ 이상이 바람직하고, 0.03질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.05질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 4가 금속 원소의 수산화물의 함유량은, 지립의 응집을 피하는 것이 용이해짐과 함께, 피연마면과의 화학적인 상호 작용이 양호해져, 지립의 특성(예를 들어 연마 속도의 향상 작용)을 유효하게 활용할 수 있는 점에서, 슬러리 전체 질량 기준으로 8질량％ 이하가 바람직하고, 5질량％ 이하가 보다 바람직하고, 3질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 1질량％ 이하가 특히 바람직하고, 0.7질량％ 이하가 매우 바람직하고, 0.5질량％ 이하가 매우 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 슬러리에 있어서, 지립의 함유량 하한은, 원하는 연마 속도가 얻어지기 쉬워지는 점에서, 슬러리 전체 질량 기준으로 0.01질량％ 이상이 바람직하고, 0.03질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.05질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 지립의 함유량 상한은, 특별히 제한은 없지만, 지립의 응집을 피하는 것이 용이해지는 점에서, 슬러리 전체 질량 기준으로 10질량％ 이하가 바람직하고, 5질량％ 이하가 보다 바람직하고, 3질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 1질량％ 이하가 특히 바람직하고, 0.7질량％ 이하가 매우 바람직하고, 0.5질량％ 이하가 매우 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 슬러리의 pH(25℃)는, 피연마면의 표면 전위에 대한 지립의 표면 전위가 양호해지고, 지립이 피연마면에 대하여 작용하기 쉬워지기 때문에, 더욱 우수한 연마 속도가 얻어지는 점에서, 2.0 내지 9.0이 바람직하다. 슬러리의 pH가 안정되고, 지립의 응집 등의 문제가 발생하기 어려워지는 점에서, pH의 하한은, 2.0 이상이 바람직하고, 2.2 이상이 보다 바람직하고, 2.5 이상이 더욱 바람직하다. 지립의 분산성이 우수하고, 더욱 우수한 연마 속도가 얻어지는 점에서, pH의 상한은, 9.0 이하가 바람직하고, 8.0 이하가 보다 바람직하고, 7.0 이하가 더욱 바람직하고, 6.5 이하가 특히 바람직하고, 6.0 이하가 매우 바람직하다. 슬러리의 pH는, 본 실시 형태에 따른 연마액의 pH와 마찬가지의 방법으로 측정할 수 있다.
<연마액 세트>
본 실시 형태에 따른 연마액 세트에서는, 슬러리(제1 액)와 첨가액(제2 액)을 혼합하여 연마액이 되도록, 상기 연마액의 구성 성분이 슬러리와 첨가액으로 나누어서 보존된다. 슬러리로서는, 본 실시 형태에 따른 슬러리를 사용할 수 있다. 첨가액으로서는, 첨가제를 물에 용해시킨 액(첨가제와 물을 포함하는 액)을 사용할 수 있다. 연마액 세트는, 연마 시에 슬러리와 첨가액을 혼합함으로써 연마액으로서 사용된다. 이와 같이, 연마액의 구성 성분을 적어도 2개의 액으로 나누어서 보존함으로써, 보존 안정성이 더욱 우수한 연마액으로 할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 따른 연마액 세트에서는, 3액 이상으로 구성 성분을 나누어도 된다.
첨가액에 포함되는 첨가제로서는, 상기 연마액에서 설명한 것과 마찬가지의 첨가제를 사용할 수 있다. 첨가액에서의 첨가제의 함유량은, 첨가액과 슬러리를 혼합하여 연마액을 제조했을 때에 연마 속도가 과도하게 저하되는 것을 억제하는 관점에서, 첨가액 전체 질량 기준으로 0.01질량％ 이상이 바람직하고, 0.02질량％ 이상이 보다 바람직하다. 첨가액에서의 첨가제의 함유량은, 첨가액과 슬러리를 혼합하여 연마액을 제조했을 때에 연마 속도가 과도하게 저하되는 것을 억제하는 관점에서, 첨가액 전체 질량 기준으로 20질량％ 이하가 바람직하다.
첨가액에서의 물로서는, 특별히 제한은 없지만, 탈이온수, 초순수 등이 바람직하다. 물의 함유량은, 다른 구성 성분의 함유량을 제외한 잔량부이면 되며, 특별히 한정되지 않는다.
<기체의 연마 방법 및 기체>
상기 연마액, 슬러리 또는 연마액 세트를 사용한 기체의 연마 방법 및 이에 의해 얻어지는 기체에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 따른 연마 방법은, 상기 연마액 또는 슬러리를 사용하는 경우, 1액 타입의 연마액을 사용한 연마 방법이며, 상기 연마액 세트를 사용하는 경우, 2액 타입의 연마액 또는 3액 이상의 타입의 연마액을 사용한 연마 방법이다.
본 실시 형태에 따른 기체의 연마 방법에서는, 표면에 피연마 재료를 갖는 기체(예를 들어, 반도체 기판 등의 기판)를 연마한다. 본 실시 형태에 따른 기체의 연마 방법에서는, 피연마 재료 아래에 형성된 스토퍼를 사용하여 피연마 재료를 연마해도 된다. 본 실시 형태에 따른 기체의 연마 방법은, 예를 들어 준비 공정과 기체 배치 공정과 연마 공정을 적어도 갖고 있다. 준비 공정에서는, 표면에 피연마 재료를 갖는 기체를 준비한다. 기체 배치 공정에서는, 피연마 재료가 연마 패드에 대향하여 배치되도록 기체를 배치한다. 연마 공정에서는, 연마액, 슬러리 또는 연마액 세트를 사용하여, 피연마 재료의 적어도 일부를 제거한다. 연마 대상인 피연마 재료의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 막상(피연마 재료막)이다.
피연마 재료로서는, 산화규소 등의 무기 절연 재료; 오르가노실리케이트 글라스, 전체 방향환계 Low-k 재료 등의 유기 절연 재료; 질화규소, 폴리실리콘 등의 스토퍼 재료 등을 들 수 있고, 그 중에서도 무기 절연 재료 및 유기 절연 재료가 바람직하고, 무기 절연 재료가 보다 바람직하다. 산화규소의 막은, 저압 CVD법, 플라즈마 CVD법 등에 의해 얻을 수 있다. 산화규소의 막에는, 인, 붕소 등의 원소가 도핑되어 있어도 된다. 피연마 재료의 표면(피연마면)은 요철이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 본 실시 형태에 따른 기체의 연마 방법에서는, 피연마 재료의 요철의 볼록부가 우선적으로 연마되어, 표면이 평탄화된 기체를 얻을 수 있다.
1액 타입의 연마액 또는 슬러리를 사용하는 경우, 연마 공정에서는, 기체의 피연마 재료와 연마 정반의 연마 패드 사이에 연마액 또는 슬러리를 공급하여, 피연마 재료의 적어도 일부를 연마한다. 예를 들어, 피연마 재료를 연마 패드에 가압한 상태에서, 연마 패드와 피연마 재료 사이에 연마액 또는 슬러리를 공급하고, 기체와 연마 정반을 상대적으로 움직이게 하여 피연마 재료의 적어도 일부를 연마한다. 이때, 연마액 및 슬러리는, 원하는 수분량의 조성물로서 그대로 연마 패드 위에 공급되어도 된다.
본 실시 형태에 따른 연마액 및 슬러리는, 저장, 운반, 보관 등에 관한 비용을 억제하는 관점에서, 물 등의 액상 매체로 액체 성분을 예를 들어 2배 이상(질량 기준)으로 희석하여 사용되는 연마액용 저장액 또는 슬러리용 저장액으로서 보관할 수 있다. 상기 각 저장액은, 연마 직전에 액상 매체로 희석되어도 되고, 연마 패드 위에 저장액과 액상 매체를 공급하여 연마 패드 상에서 희석되어도 된다.
저장액의 희석 배율(질량 기준)의 하한은, 배율이 높을수록 저장, 운반, 보관 등에 관한 비용의 억제 효과가 높기 때문에, 2배 이상이 바람직하고, 3배 이상이 보다 바람직하고, 5배 이상이 더욱 바람직하고, 10배 이상이 특히 바람직하다. 희석 배율의 상한으로서는 특별히 제한은 없지만, 배율이 높을수록 저장액에 포함되는 성분의 양이 많아져(농도가 높아져), 보관 중의 안정성이 저하되는 경향이 있기 때문에, 500배 이하가 바람직하고, 200배 이하가 보다 바람직하고, 100배 이하가 더욱 바람직하고, 50배 이하가 특히 바람직하다. 또한, 3액 이상으로 구성 성분을 나눈 연마액에 대해서도 마찬가지이다.
상기 저장액에 있어서, 지립의 함유량은, 특별히 제한은 없지만, 지립의 응집을 피하는 것이 용이해지는 점에서, 저장액 전체 질량 기준으로 20질량％ 이하가 바람직하고, 15질량％ 이하가 보다 바람직하고, 10질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 5질량％ 이하가 특히 바람직하다. 지립의 함유량은, 저장, 운반, 보관 등에 관한 비용을 억제하는 관점에서, 저장액 전체 질량 기준으로 0.02질량％ 이상이 바람직하고, 0.1질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.5질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 1질량％ 이상이 특히 바람직하다.
2액 타입의 연마액을 사용하는 경우, 본 실시 형태에 따른 기체의 연마 방법은, 연마 공정 전에 슬러리와 첨가액을 혼합하여 연마액을 얻는 연마액 제조 공정을 가져도 된다. 이 경우, 연마 공정에서는, 연마액 제조 공정에서 얻어진 연마액을 사용하여 피연마 재료를 연마한다. 이러한 연마 방법에서는, 연마액 제조 공정에서, 슬러리와 첨가액을 별도의 배관으로 송액하여, 이 배관을 공급 배관 출구의 직전에 합류시켜서 연마액을 얻어도 된다. 연마액은, 원하는 수분량의 연마액으로 해서 그대로 연마 패드 위에 공급되어도 되고, 수분량이 적은 저장액으로 해서 연마 패드 위에 공급된 후에 연마 패드 상에서 희석되어도 된다. 또한, 3액 이상으로 구성 성분을 나눈 연마액에 대해서도 마찬가지이다.
2액 타입의 연마액을 사용하는 경우, 연마 공정에서, 슬러리와 첨가액을 각각 연마 패드와 피연마 재료 사이에 공급하여, 슬러리와 첨가액이 혼합되어서 얻어지는 연마액에 의해 피연마 재료의 적어도 일부를 연마해도 된다. 이러한 연마 방법에서는, 슬러리와 첨가액을 별도의 송액 시스템에서 연마 패드 상에 공급할 수 있다. 슬러리 및/또는 첨가액은, 원하는 수분량의 액으로 해서 그대로 연마 패드 위에 공급되어도 되고, 수분량이 적은 저장액으로 해서 연마 패드 위에 공급된 후에 연마 패드 상에서 희석되어도 된다. 또한, 3액 이상으로 구성 성분을 나눈 연마액에 대해서도 마찬가지이다.
본 실시 형태에 따른 연마 방법에서 사용하는 연마 장치로서는, 예를 들어 피연마 재료를 갖는 기체를 유지하기 위한 홀더와, 회전 수가 변경 가능한 모터 등이 설치되어 있고 또한 연마 패드를 부착 가능한 연마 정반을 갖는 일반적인 연마 장치를 사용할 수 있다. 연마 장치로서는, 예를 들어 가부시끼가이샤 에바라 세이사꾸쇼 제조의 연마 장치(형 번호: EPO-111), Applied Materials사 제조의 연마 장치(상품명: Mirra3400, Reflexion 연마기)를 들 수 있다.
연마 패드로서는, 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 일반적인 부직포, 발포 폴리우레탄, 다공질 불소 수지를 사용할 수 있다. 연마 패드에는, 연마액 등이 저류되는 홈 가공이 실시되어 있는 것이 바람직하다.
연마 조건으로서는, 특별히 제한은 없지만, 기체가 튀는 것을 억제하는 견지에서, 연마 정반의 회전 속도는 200min-1(rpm) 이하의 저회전이 바람직하다. 기체에 거는 압력(가공 하중)은 연마 흠집이 발생하는 것을 더욱 억제하는 견지에서, 100kPa 이하가 바람직하다. 연마하고 있는 동안에, 연마 패드의 표면에는, 연마액 또는 슬러리 등을 펌프 등으로 연속적으로 공급하는 것이 바람직하다. 이 공급량에 제한은 없지만, 연마 패드의 표면이 항상 연마액 또는 슬러리 등으로 덮여 있는 것이 바람직하다. 연마 종료 후의 기체는, 유수 중에서 잘 세정한 후, 기체에 부착된 물방울을 스핀 드라이어 등에 의해 털어내어 건조시키는 것이 바람직하다.
실시예
이하, 본 발명에 대하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
(4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립의 제작)
다음의 수순에 따라, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하는 지립을 제작하였다. 또한, 하기 설명 중 A 내지 G로 나타내는 값은, 표 1에 각각 나타내는 값이다.
<실시예 1 내지 9>
A[L]의 물을 용기에 넣고, 농도 50질량％의 질산세륨암모늄 수용액(화학식 Ce(NH4)2(NO3)6, 식량 548.2g/mol, 니혼 가가꾸 산교 가부시끼가이샤 제조, 제품명 50％ CAN액)을 B[L] 첨가하여 혼합하였다. 그 후, 액온을 C[℃]로 조정하여 금속염 수용액을 얻었다. 금속염 수용액의 금속염 농도는 표 1에 나타내는 바와 같다.
이어서, 표 1에 나타내는 알칼리 종을 물에 용해시켜서 농도 D[mol/L]의 수용액을 E[L] 준비한 후에, 액온을 온도 C[℃]로 조정하여 알칼리액을 얻었다.
상기 금속염 수용액이 들어간 용기를, 물을 가득 채운 수조에 넣었다. 외부 순환 장치 쿨닉스 서큘레이터(도쿄리카 기까이 가부시끼가이샤(EYELA) 제조, 제품명 쿨링 서모펌프 CTP101)를 사용하여, 표 1 중 C[℃]로 나타내는 온도로 수조의 수온을 조정하였다. 수온을 C[℃]로 유지하면서, 표 1 중 F[min-1]로 나타내는 교반 속도로 금속염 수용액을 교반하면서, 상기 알칼리액을 혼합 속도 G[m3/min]로 용기 내에 가하여, 4가 세륨의 수산화물을 포함하는 지립을 함유하는 슬러리 전구체 1을 얻었다. 슬러리 전구체 1의 pH는, 표 1에 「종료 pH」로서 나타내는 바와 같다. 또한, 각 실시예에서는, 날개부 전체 길이 5cm의 3장 날개 피치 패들을 사용하여 금속염 수용액을 교반하였다.
얻어진 슬러리 전구체 1을, 분획 분자량 50000의 중공자 필터를 사용하여 순환시키면서 한외 여과하여, 도전율이 50mS/m 이하로 될 때까지 이온분을 제거함으로써, 슬러리 전구체 2를 얻었다. 또한, 상기 한외 여과는, 액면 센서를 사용하여, 슬러리 전구체 1이 들어있는 탱크의 수위를 일정하게 하도록 물을 첨가하면서 행하였다. 얻어진 슬러리 전구체 2를 적당량 취하여, 건조 전후의 질량을 잼으로써, 슬러리 전구체 2의 불휘발분 함량(4가 세륨의 수산화물을 포함하는 지립의 함량)을 산출하였다. 또한, 이 단계에서 불휘발분 함량이 1.0질량％ 미만이었을 경우에는, 한외 여과를 더 행함으로써, 1.1질량％를 초과하는 정도로 농축하였다.
<실시예 10>
실시예 3과 동일한 방법으로 얻어진 슬러리 전구체 1을, 분획 분자량 50000의 중공자 필터를 사용하여 순환시키면서 한외 여과하여, 도전율이 50mS/m 이하로 될 때까지 이온분을 제거한 후, 1.0질량％의 이미다졸 수용액을 pH가 5.0이 될 때까지 가함으로써, 슬러리 전구체 2를 얻었다. 한외 여과 및 슬러리 전구체 2의 불휘발분 함량(4가 세륨의 수산화물을 포함하는 지립의 함량)의 산출은 실시예 1 내지 9와 마찬가지로 행하였다.
<비교예 1 내지 4>
A[L]의 물을 용기에 넣고, 농도 50질량％의 질산세륨암모늄 수용액(화학식 Ce(NH4)2(NO3)6, 식량 548.2g/mol, 니혼 가가꾸 산교 가부시끼가이샤 제조, 제품명 50％ CAN액)을 B[L] 첨가하여 혼합하였다. 그 후, 액온을 C[℃]로 조정하여 금속염 수용액을 얻었다. 금속염 수용액의 금속염 농도는 표 1에 나타내는 바와 같다.
이어서, 표 1에 나타내는 알칼리 종을 물에 용해시켜서 농도 D[mol/L]의 수용액을 E[L] 준비한 후에, 액온을 온도 C[℃]로 조정하여 알칼리액을 얻었다.
상기 금속염 수용액이 들어있는 용기를, 물을 가득 채운 수조에 넣었다. 외부 순환 장치 쿨닉스 서큘레이터(도쿄리카 기까이 가부시끼가이샤(EYELA) 제조, 제품명 쿨링 서모펌프 CTP101)를 사용하여, 표 1 중 C[℃]로 나타내는 온도로 수조의 수온을 조정하였다. 수온을 C[℃]로 유지하면서, 표 1 중 F[min-1]로 나타내는 교반 속도로 금속염 수용액을 교반하면서, 상기 알칼리액을 혼합 속도 G[m3/min]로 용기 내에 가하여, 4가 세륨의 수산화물을 포함하는 지립을 함유하는 슬러리 전구체 1을 얻었다. 슬러리 전구체 1의 pH는, 표 1에 「종료 pH」로서 나타내는 바와 같다. 또한, 각 비교예에서는, 날개부 전체 길이 5cm의 3장 날개 피치 패들을 사용하여 금속염 수용액을 교반하였다.
슬러리 전구체 1을 3000G로 원심 분리하고, 데칸테이션에 의해 고액 분리를 실시하여 액체를 제거하였다. 얻어진 여과물에 적당량의 물을 첨가해서 잘 교반한 후에 원심 분리 및 데칸테이션에 의해 고액 분리를 실시하는 작업을 또한 3회 행하였다.
얻어진 여과물에 새롭게 물을 첨가하여 액량을 1.0L로 조정한 후, 초음파 분산 처리를 180분간 행하여 슬러리 전구체 2를 얻었다. 얻어진 슬러리 전구체 2를 적당량 취하여, 건조 전후의 질량을 잼으로써, 슬러리 전구체 2의 불휘발분 함량(4가 세륨의 수산화물을 포함하는 지립의 함량)을 산출하였다.
Figure pct00002
(지립의 구조 분석)
슬러리 전구체 2를 적당량 채취하여, 진공 건조하여 지립을 단리하였다. 순수로 충분히 세정하여 얻어진 시료에 대해서, FT-IR ATR법에 의한 측정을 행한 결과, 수산화물 이온에 기초하는 피크 이외에, 질산 이온(NO3 -)에 기초하는 피크가 관측되었다. 또한, 동 시료에 대해서, 질소에 대한 XPS(N-XPS) 측정을 행한 결과, NH4 +에 기초하는 피크는 관측되지 않았고, 질산 이온에 기초하는 피크가 관측되었다. 이 결과로부터, 슬러리 전구체 2에 포함되는 지립은, 세륨 원소에 결합한 질산 이온을 갖는 입자를 적어도 일부 함유하는 것이 확인되었다. 또한, 세륨 원소에 결합한 수산화물 이온을 갖는 입자를 적어도 일부 함유하는 점에서, 지립이 세륨의 수산화물을 함유하는 것이 확인되었다. 이 결과로부터, 세륨의 수산화물이 세륨 원소에 결합한 수산화물 이온을 포함하는 것이 확인되었다.
(흡광도 및 광투과율의 측정)
슬러리 전구체 2를 적당량 채취하여, 지립 함유량이 0.0065질량％(65ppm)가 되도록 물로 희석하여 측정 샘플(수분산액)을 얻었다. 측정 샘플을 1cm 각의 셀에 약 4mL 넣고, 가부시끼가이샤 히타치 세이사꾸쇼 제조의 분광 광도계(장치명: U3310) 내에 셀을 설치하였다. 파장 200 내지 600nm의 범위에서 흡광도 측정을 행하여, 파장 290nm의 광에 대한 흡광도와, 파장 450 내지 600nm의 광에 대한 흡광도를 측정하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
슬러리 전구체 2를 적당량 채취하여, 지립 함유량이 1.0질량％가 되도록 물로 희석하여 측정 샘플(수분산액)을 얻었다. 측정 샘플을 1cm 각의 셀에 약 4mL 넣고, 가부시끼가이샤 히타치 세이사꾸쇼 제조의 분광 광도계(장치명: U3310) 내에 셀을 설치하였다. 파장 200 내지 600nm의 범위에서 흡광도 측정을 행하여, 파장 400nm의 광에 대한 흡광도와, 파장 500nm의 광에 대한 광투과율을 측정하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
(평균 2차 입자 직경의 측정)
슬러리 전구체 2를 적당량 채취하여, 지립 함유량이 0.2질량％가 되도록 물로 희석하여 측정 샘플(수분산액)을 얻었다. 측정 샘플을 1cm 각의 셀에 약 4mL 넣고, 베크만 코울터사 제조의 장치명: N5 내에 셀을 설치하였다. 분산매의 굴절률을 1.33, 점도를 0.887mPa·s로 조정하고, 25℃에서 측정을 행하여, 표시된 평균 입자 직경값을 평균 2차 입자 직경으로 하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
(원심 분리 후의 상청액의 불휘발분 함량의 측정)
슬러리 전구체 2를 적당량 채취하여, 지립 함유량이 1.0질량％가 되도록 물로 희석해서 측정 샘플(수분산액)을 얻었다. 측정 샘플을 가부시끼가이샤 히타치고끼 제조의 초 원심 분리기(장치명: 70P-72)에 부속된 원침관(튜브)에 충전하고, 상기 초 원심 분리기를 사용하여 회전수 50000(회전/분)으로 50분간 원심 분리하였다. 상기 초 원심 분리기에 있어서, 튜브각은 26°, 최소 반경(Rmin)은 3.53cm, 최대 반경(Rmax )은 7.83cm, 평균 반경(Rav)은 5.68cm이었다. 평균 반경(Rav)으로부터 계산되는 원심 가속도는, 158756G=1.59×105G이었다.
원심 분리 후의 튜브로부터 상청액을 5.0g 취하여, 알루미늄 샤알레에 넣어 150℃ 1시간 건조시켰다. 건조 전후의 질량을 잼으로써, 상청액에 포함되는 불휘발분 함량(4가 세륨의 수산화물을 포함하는 지립의 함량)을 산출하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
Figure pct00003
실시예 1 내지 10에서의 흡광도, 광투과율 및 불휘발분 함량의 측정에 사용한 측정 샘플과 마찬가지의 측정 샘플을 60℃/72시간 보관한 후에, 마찬가지로 흡광도, 광투과율 및 불휘발분 함량을 측정하였다. 파장 400nm의 광에 대한 흡광도는 1.00 이상 1.50 미만이고, 파장 290nm의 광에 대한 흡광도는 1.000 이상이며, 파장 450 내지 600nm의 광에 대한 흡광도는 0.010 이하고, 파장 500nm의 광에 대한 광투과율은 50％/cm 이상이며, 불휘발분 함량은 300ppm 이상이었다.
(슬러리용 저장액의 외관 평가)
슬러리 전구체 2에 물을 첨가하고, 지립 함유량을 1.0질량％로 조정하여 슬러리용 저장액 1을 얻었다. 또한, 슬러리용 저장액 1과는 별도로, 슬러리용 저장액 1을 60℃/72시간 보관하여 슬러리용 저장액 2를 제작하였다. 슬러리용 저장액 1, 2의 외관 관찰 결과를 표 3에 나타내었다.
(슬러리용 저장액의 pH 측정)
슬러리용 저장액 1 및 슬러리용 저장액 2의 pH(25℃)를 요꼬가와 덴끼 가부시끼가이샤 제조의 형 번호PH81을 사용하여 측정하였다. 결과를 표 3에 나타내었다.
(슬러리의 제작)
슬러리용 저장액 1 및 2 각 100g에 순수를 150g 첨가하여, 지립 함유량 0.4질량％의 슬러리 1 및 2를 얻었다.
(연마액의 제작)
첨가제로서 5질량％의 폴리비닐알코올과, X질량％의 이미다졸을 포함하는 첨가액 1을 준비하였다. 100g의 첨가액 1에 물을 150g 첨가하여 첨가액 2를 얻었다. 슬러리 1과 첨가액 2를 1:1(질량비)로 혼합함으로써 연마액 1(지립 함유량: 0.2질량％, 폴리비닐알코올 함유량: 1.0질량％)을 얻었다. 여기서, 상기 X질량％는, 연마액의 pH가 6.0이 되도록 결정하였다. 또한, 폴리비닐알코올 수용액 내의 폴리비닐알코올의 비누화도는 80mol％이며, 평균 중합도는 300이었다.
마찬가지로 하여, 슬러리 2(60℃/72시간 보관한 슬러리용 저장액으로부터 얻어지는 슬러리)와 첨가액 2를 혼합하여 연마액 2를 얻었다.
(절연막의 연마)
연마 장치에서의 기체 설치용의 흡착 패드를 부착한 홀더에, 절연막으로서 산화규소막이 형성된 φ200mm 실리콘 웨이퍼를 세트하였다. 다공질 우레탄 수지제 패드를 부착한 정반 위에, 절연막이 패드에 대향하도록 홀더를 실었다. 상기에서 얻어진 연마액을, 공급량 200mL/min으로 패드 위에 공급하면서, 연마 하중 20kPa로 기체를 패드에 눌렀다. 이때 정반을 78min-1, 홀더를 98min-1로 1분간 회전시켜 연마를 행하였다. 연마 후의 웨이퍼를 순수로 잘 세정해서 건조시켰다. 연마액 1, 2 각각에 대해서, 광 간섭식 막 두께 측정 장치를 사용하여 연마 전후의 막 두께 변화를 측정하여 연마 속도를 구하였다. 또한, 연마액 1의 연마 속도에 대한 연마액 1의 연마 속도와 연마액 2의 연마 속도의 차의 비율(연마 속도의 차/연마액 1의 연마 속도×100)을 연마 속도 변화율로서 산출하였다. 결과를 표 3에 나타내었다.
Figure pct00004
표 3으로부터 명백해진 바와 같이, 실시예의 연마액은, 60℃/72시간 보관 후에도 외관이 투명하고, 연마 속도의 변화율도 작다.
또한, 연마 후의 절연막 표면을, 물을 공급하면서 회전 수 60min-1로 회전시킨 PVA 브러시로 1분 세정한 후에 건조시켰다. 텐코르 제조 서프 스캔 6220을 사용하여 절연막 표면을 관측한 결과, 절연막 표면에서의 0.2㎛ 이상의 연마 흠집의 개수는, 실시예 1 내지 10에서는 5 내지 20(개/웨이퍼) 정도로, 충분히 억제되었다.
(스토퍼막의 연마 및 연마 속도비)
실시예 1에서 얻어진 연마액 1에 대하여 폴리실리콘막(스토퍼막)의 연마 속도와, 폴리실리콘막에 대한 산화규소막(절연막)의 연마 선택비를 구하였다.
즉, 연마 장치에서의 기체 설치용의 흡착 패드를 부착한 홀더에, 폴리실리콘막이 형성된 φ200mm 실리콘 웨이퍼를 세트하였다. 다공질 우레탄 수지제 패드를 부착한 정반 위에 폴리실리콘막이 패드에 대향하도록 홀더를 실었다. 실시예 1에서 얻어진 연마액 1을, 공급량 200mL/min으로 패드 위에 공급하면서, 연마 하중 20kPa로 기체를 패드에 눌렀다. 이때 정반을 78min-1, 홀더를 98min-1로 1분간 회전시켜 연마를 행하였다. 연마 후의 웨이퍼를 순수로 잘 세정해서 건조시켰다. 계속해서, 광 간섭식 막 두께 측정 장치를 사용하여 연마 전후의 막 두께 변화를 측정하여 폴리실리콘막의 연마 속도를 구한 결과 4nm/min이었다. 폴리실리콘막에 대한 산화규소막의 연마 선택비(산화규소막의 연마 속도/폴리실리콘막의 연마 속도)는 70이었다.
(첨가제의 효과 및 연마 속도에의 영향)
폴리비닐알코올을 포함하지 않는 연마액에 대해서, 산화규소막의 연마 속도 및 폴리실리콘막의 연마 속도와, 폴리실리콘막에 대한 산화규소막의 연마 선택비를 구하였다.
즉, 5질량％의 폴리비닐알코올을 포함하지 않고, 동 질량％의 물을 첨가한 것 이외는 상기와 마찬가지로 하여 첨가액 1 및 첨가액 2를 제작하여, 실시예 1에서 사용한 슬러리 1과 혼합하여, 연마액 1X를 제작하였다. 이 연마액 1X를 사용하여, 상기와 마찬가지로 해서, 산화규소막의 연마 속도, 폴리실리콘막의 연마 속도 및 폴리실리콘막에 대한 산화규소막의 연마 속도비를 구한 결과, 산화규소막의 연마 속도는 280nm/min이며, 폴리실리콘막의 연마 속도는 80nm/min이며, 연마 선택비는 3이었다.
이 결과로부터, 실시예 1의 연마액 1은, 첨가제로서의 폴리비닐알코올을 포함하지 않는 연마액 1X와 비교하여, 연마 선택비가 향상되는 한편, 절연막의 연마 속도는 거의 변화하지 않았다. 즉, 실시예 1의 연마액 1은, 첨가제의 첨가 효과를 유지하면서 우수한 연마 속도로 피연마막을 연마하는 것이 가능한 것을 알았다.
1 : 앵글 로터 A1 : 회전축
A2 : 튜브각 Rmin : 최소 반경
Rmax : 최대 반경 Rav : 평균 반경

Claims (26)

  1. 지립과 물을 함유하는 슬러리이며,
    상기 지립이, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하고, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대하여 흡광도 1.00 이상 1.50 미만을 부여하는 것이며, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액을 원심 가속도 1.59×105G로 50분 원심 분리했을 때에 불휘발분 함량 300ppm 이상의 액상을 부여하는 것인, 슬러리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지립이, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 500nm의 광에 대하여 광투과율 50％/cm 이상을 부여하는 것인, 슬러리.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지립이, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 500nm의 광에 대하여 광투과율 95％/cm 이상을 부여하는 것인, 슬러리.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지립이, 상기 지립의 함유량을 0.0065질량％로 조정한 수분산액에서 파장 290nm의 광에 대하여 흡광도 1.000 이상을 부여하는 것인, 슬러리.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지립이, 상기 지립의 함유량을 0.0065질량％로 조정한 수분산액에서 파장 450 내지 600nm의 광에 대하여 흡광도 0.010 이하를 부여하는 것인, 슬러리.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 4가 금속 원소의 수산화물이 4가 금속 원소의 염과 알칼리원을 반응시켜서 얻어지는 것인, 슬러리.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 4가 금속 원소가 4가 세륨인, 슬러리.
  8. 제1 액과 제2 액을 혼합하여 연마액이 되도록 상기 연마액의 구성 성분이 상기 제1 액과 상기 제2 액으로 나누어서 보존되며, 상기 제1 액이 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 슬러리이고, 상기 제2 액이 첨가제와 물을 포함하는, 연마액 세트.
  9. 제8항에 있어서, 상기 첨가제가 비닐알코올 중합체 및 당해 비닐알코올 중합체의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 연마액 세트.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 첨가제의 함유량이 연마액 전체 질량 기준으로 0.01질량％ 이상인, 연마액 세트.
  11. 지립과 첨가제와 물을 함유하는 연마액이며,
    상기 지립이, 4가 금속 원소의 수산화물을 포함하고, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대하여 흡광도 1.00 이상 1.50 미만을 부여하는 것이며, 또한, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액을 원심 가속도 1.59×105G로 50분 원심 분리했을 때에 불휘발분 함량 300ppm 이상의 액상을 부여하는 것인, 연마액.
  12. 제11항에 있어서, 상기 지립이, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 500nm의 광에 대하여 광투과율 50％/cm 이상을 부여하는 것인, 연마액.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 지립이, 상기 지립의 함유량을 1.0질량％로 조정한 수분산액에서 파장 500nm의 광에 대하여 광투과율 95％/cm 이상을 부여하는 것인, 연마액.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지립이, 상기 지립의 함유량을 0.0065질량％로 조정한 수분산액에서 파장 290nm의 광에 대하여 흡광도 1.000 이상을 부여하는 것인, 연마액.
  15. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지립이, 상기 지립의 함유량을 0.0065질량％로 조정한 수분산액에서 파장 450 내지 600nm의 광에 대하여 흡광도 0.010 이하를 부여하는 것인, 연마액.
  16. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 4가 금속 원소의 수산화물이 4가 금속 원소의 염과 알칼리원을 반응시켜서 얻어지는 것인, 연마액.
  17. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 4가 금속 원소가 4가 세륨인, 연마액.
  18. 제11항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 첨가제가 비닐알코올 중합체 및 당해 비닐알코올 중합체의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 연마액.
  19. 제11항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 첨가제의 함유량이 연마액 전체 질량 기준으로 0.01질량％ 이상인, 연마액.
  20. 표면에 피연마 재료를 갖는 기체(基體)의 상기 피연마 재료를 연마 패드에 대향하도록 배치하는 공정과,
    상기 연마 패드와 상기 피연마 재료 사이에 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 슬러리를 공급하여, 상기 피연마 재료의 적어도 일부를 연마하는 공정을 갖는, 기체의 연마 방법.
  21. 표면에 피연마 재료를 갖는 기체의 상기 피연마 재료를 연마 패드에 대향하도록 배치하는 공정과,
    제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 연마액 세트에서의 상기 제1 액과 상기 제2 액을 혼합하여 상기 연마액을 얻는 공정과,
    상기 연마 패드와 상기 피연마 재료 사이에 상기 연마액을 공급하여, 상기 피연마 재료의 적어도 일부를 연마하는 공정을 갖는, 기체의 연마 방법.
  22. 표면에 피연마 재료를 갖는 기체의 상기 피연마 재료를 연마 패드에 대향하도록 배치하는 공정과,
    제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 연마액 세트에서의 상기 제1 액과 상기 제2 액을 각각 상기 연마 패드와 상기 피연마 재료 사이에 공급하여, 상기 피연마 재료의 적어도 일부를 연마하는 공정을 갖는, 기체의 연마 방법.
  23. 표면에 피연마 재료를 갖는 기체의 상기 피연마 재료를 연마 패드에 대향하도록 배치하는 공정과,
    상기 연마 패드와 상기 피연마 재료 사이에 제11항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 연마액을 공급하여, 상기 피연마 재료의 적어도 일부를 연마하는 공정을 갖는, 기체의 연마 방법.
  24. 제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피연마 재료가 산화규소를 포함하는, 연마 방법.
  25. 제20항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피연마 재료의 표면에 요철이 형성되어 있는, 연마 방법.
  26. 제20항 내지 제25항 중 어느 한 항에 기재된 연마 방법에 의해 연마된, 기체.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018048068A1 (ko) * 2016-09-07 2018-03-15 주식회사 케이씨텍 표면개질된 콜로이달 세리아 연마입자, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102666014B (zh) 2010-03-12 2017-10-31 日立化成株式会社 悬浮液、研磨液套剂、研磨液以及使用它们的基板的研磨方法
US9988573B2 (en) * 2010-11-22 2018-06-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Slurry, polishing liquid set, polishing liquid, method for polishing substrate, and substrate
CN103222036B (zh) 2010-11-22 2016-11-09 日立化成株式会社 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基板的研磨方法及基板
SG11201405091TA (en) * 2012-02-21 2014-09-26 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing agent, polishing agent set, and substrate polishing method
US10557059B2 (en) 2012-05-22 2020-02-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Slurry, polishing-solution set, polishing solution, substrate polishing method, and substrate
CN104321854B (zh) 2012-05-22 2017-06-20 日立化成株式会社 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基体的研磨方法及基体
JP6028942B2 (ja) * 2012-05-25 2016-11-24 日産化学工業株式会社 ウェーハ用研磨液組成物
WO2015037311A1 (ja) * 2013-09-10 2015-03-19 日立化成株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液、基体の研磨方法及び基体
JP2018012821A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 スピードファム株式会社 研削液
JP6708994B2 (ja) 2017-03-27 2020-06-10 日立化成株式会社 スラリ及び研磨方法
WO2018179061A1 (ja) 2017-03-27 2018-10-04 日立化成株式会社 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
WO2020021680A1 (ja) 2018-07-26 2020-01-30 日立化成株式会社 スラリ及び研磨方法
CN111819263A (zh) * 2018-03-22 2020-10-23 日立化成株式会社 研磨液、研磨液套剂和研磨方法
KR102382508B1 (ko) * 2018-09-25 2022-04-01 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 슬러리 및 연마 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0822970A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Toshiba Corp 研磨方法
JPH10106994A (ja) 1997-01-28 1998-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JP2002241739A (ja) 2001-02-20 2002-08-28 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨方法
WO2002067309A1 (fr) 2001-02-20 2002-08-29 Hitachi Chemical Co., Ltd. Pate a polir et procede de polissage d'un substrat
JP2006249129A (ja) 2005-03-08 2006-09-21 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤の製造方法及び研磨剤
KR20120024881A (ko) * 2009-10-22 2012-03-14 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 연마제, 농축 1액식 연마제, 2액식 연마제 및 기판의 연마 방법

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3123452A (en) 1964-03-03 Glass polish and process of polishing
US3097083A (en) 1959-07-02 1963-07-09 American Potash & Chem Corp Polishing composition and process of forming same
BR9104844A (pt) 1991-11-06 1993-05-11 Solvay Processo para a extracao seletiva de cerio de uma solucao aquosa de elementos de terras raras
FR2684662B1 (fr) 1991-12-09 1994-05-06 Rhone Poulenc Chimie Composition a base d'oxyde cerique, preparation et utilisation.
FR2714370B1 (fr) 1993-12-24 1996-03-08 Rhone Poulenc Chimie Précurseur d'une composition et composition à base d'un oxyde mixte de cérium et de zirconium, procédé de préparation et utilisation.
WO1998039253A1 (fr) * 1997-03-03 1998-09-11 Nissan Chemical Industries, Ltd. Procede de production de sols de composites, de composition de revetement et d'elements optiques
KR100336598B1 (ko) 1996-02-07 2002-05-16 이사오 우치가사키 산화 세륨 연마제 제조용 산화 세륨 입자
JPH09270402A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法
JPH10154672A (ja) 1996-09-30 1998-06-09 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
EP1610367B1 (en) 1996-09-30 2010-03-17 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates
US5759917A (en) * 1996-12-30 1998-06-02 Cabot Corporation Composition for oxide CMP
JP3992402B2 (ja) 1999-05-25 2007-10-17 株式会社コーセー 金属酸化物固溶酸化セリウムからなる紫外線遮断剤並びにそれを配合した樹脂組成物及び化粧料
TW593674B (en) 1999-09-14 2004-06-21 Jsr Corp Cleaning agent for semiconductor parts and method for cleaning semiconductor parts
JP4231632B2 (ja) 2001-04-27 2009-03-04 花王株式会社 研磨液組成物
KR100704690B1 (ko) 2001-10-31 2007-04-10 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 연마액 및 연마방법
JP3782771B2 (ja) 2002-11-06 2006-06-07 ユシロ化学工業株式会社 研磨用砥粒及び研磨剤の製造方法
US7300601B2 (en) 2002-12-10 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization
AU2003296130A1 (en) 2002-12-31 2004-07-29 Hanyang Hak Won Co., Ltd. Slurry composition for chemical mechanical polishing, method for planarization of surface of semiconductor element using the same, and method for controlling selection ratio of slurry composition
JP4285480B2 (ja) 2003-05-28 2009-06-24 日立化成工業株式会社 研磨剤及び研磨方法
US20050028450A1 (en) 2003-08-07 2005-02-10 Wen-Qing Xu CMP slurry
JP4913409B2 (ja) 2003-09-12 2012-04-11 日立化成工業株式会社 セリウム塩、その製造方法、酸化セリウム及びセリウム系研磨剤
JP5013671B2 (ja) 2004-12-28 2012-08-29 日揮触媒化成株式会社 金属酸化物ゾルの製造方法および金属酸化物ゾル
US20060278614A1 (en) 2005-06-08 2006-12-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for defect improvement by reduced particle stiction on copper surface
US7803203B2 (en) 2005-09-26 2010-09-28 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of semiconductor materials
KR20070041330A (ko) 2005-10-14 2007-04-18 가오가부시끼가이샤 반도체 기판용 연마액 조성물
JP4243307B2 (ja) 2006-04-14 2009-03-25 昭和電工株式会社 ガラス基板の加工方法及びガラス基板加工用リンス剤組成物
SG136886A1 (en) 2006-04-28 2007-11-29 Asahi Glass Co Ltd Method for producing glass substrate for magnetic disk, and magnetic disk
FR2906800B1 (fr) * 2006-10-09 2008-11-28 Rhodia Recherches & Tech Suspension liquide et poudre de particules d'oxyde de cerium, procedes de preparation de celles-ci et utilisation dans le polissage
CN101611476B (zh) 2007-02-27 2015-11-25 日立化成株式会社 金属用研磨液以及研磨方法
JP5281758B2 (ja) * 2007-05-24 2013-09-04 ユシロ化学工業株式会社 研磨用組成物
JP4294710B2 (ja) 2007-09-13 2009-07-15 三井金属鉱業株式会社 酸化セリウム及びその製造方法
JP5444625B2 (ja) 2008-03-05 2014-03-19 日立化成株式会社 Ｃｍｐ研磨液、基板の研磨方法及び電子部品
CN102017091B (zh) 2008-04-23 2014-10-29 日立化成株式会社 研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法
JP5287174B2 (ja) * 2008-04-30 2013-09-11 日立化成株式会社 研磨剤及び研磨方法
US8383003B2 (en) 2008-06-20 2013-02-26 Nexplanar Corporation Polishing systems
JP5403957B2 (ja) 2008-07-01 2014-01-29 花王株式会社 研磨液組成物
US20100107509A1 (en) 2008-11-04 2010-05-06 Guiselin Olivier L Coated abrasive article for polishing or lapping applications and system and method for producing the same.
JP5499556B2 (ja) 2008-11-11 2014-05-21 日立化成株式会社 スラリ及び研磨液セット並びにこれらから得られるｃｍｐ研磨液を用いた基板の研磨方法及び基板
JP2010153781A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Hitachi Chem Co Ltd 基板の研磨方法
JP2010153782A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Hitachi Chem Co Ltd 基板の研磨方法
WO2010067844A1 (ja) 2008-12-11 2010-06-17 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法
JP5355099B2 (ja) 2009-01-08 2013-11-27 ニッタ・ハース株式会社 研磨組成物
JP2011142284A (ja) 2009-12-10 2011-07-21 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨液、基板の研磨方法及び電子部品
CN102666014B (zh) 2010-03-12 2017-10-31 日立化成株式会社 悬浮液、研磨液套剂、研磨液以及使用它们的基板的研磨方法
JP5648567B2 (ja) 2010-05-07 2015-01-07 日立化成株式会社 Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法
CN103222036B (zh) * 2010-11-22 2016-11-09 日立化成株式会社 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基板的研磨方法及基板
US9988573B2 (en) 2010-11-22 2018-06-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Slurry, polishing liquid set, polishing liquid, method for polishing substrate, and substrate
CN103339219B (zh) * 2011-01-25 2015-01-14 日立化成株式会社 Cmp研磨液及其制造方法、复合粒子的制造方法以及基体的研磨方法
CN102408836A (zh) 2011-10-20 2012-04-11 天津理工大学 一种用于氧化钛薄膜化学机械平坦化的纳米抛光液及应用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0822970A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Toshiba Corp 研磨方法
JPH10106994A (ja) 1997-01-28 1998-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JP2002241739A (ja) 2001-02-20 2002-08-28 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨方法
WO2002067309A1 (fr) 2001-02-20 2002-08-29 Hitachi Chemical Co., Ltd. Pate a polir et procede de polissage d'un substrat
JP2006249129A (ja) 2005-03-08 2006-09-21 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤の製造方法及び研磨剤
KR20120024881A (ko) * 2009-10-22 2012-03-14 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 연마제, 농축 1액식 연마제, 2액식 연마제 및 기판의 연마 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018048068A1 (ko) * 2016-09-07 2018-03-15 주식회사 케이씨텍 표면개질된 콜로이달 세리아 연마입자, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물

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