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KR20040067705A - 발광 다이오드 및 그 제조 방법 - Google Patents

발광 다이오드 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20040067705A
KR20040067705A KR20030004938A KR20030004938A KR20040067705A KR 20040067705 A KR20040067705 A KR 20040067705A KR 20030004938 A KR20030004938 A KR 20030004938A KR 20030004938 A KR20030004938 A KR 20030004938A KR 20040067705 A KR20040067705 A KR 20040067705A
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nitride layer
layer
insulating film
nitride
groove
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KR20030004938A
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Inventor
김민홍
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이종 기판 상면에 형성된 제 1 n-질화물층에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여, 동일한 폭의 절연막 상부에 위치한 영역에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하거나, 또는 폭이 서로 다른 두 개의 절연막 상부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하고, 이렇게 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 그 제 2 n-질화물층 상면에 활성층을 형성하도록 함으로써 단일 칩의 발광 다이오드에서 동시에 여러 파장의 광을 낼 수 있게 되어 그 광들의 혼합으로 다양한 색의 구현이 가능하다.

Description

발광 다이오드 및 그 제조 방법{Light emitting diode, and method for manufacturing the same}
본 발명은 단일 칩의 발광 다이오드에서 동시에 여러 파장의 광을 낼 수 있도록 하여 그 광들의 혼합으로 다양한 색의 구현이 가능하도록 하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 질화갈륨을 비롯한 Ⅲ족 질화물 반도체는 자외선에서 가시 광선 영역에 이르는 발광 파장을 가지고 있고, 화학적, 열적 안정성이 우수하여 고온, 고출력 전자소자로의 응용이 활발하게 추진되고 있는 물질이다.
현재 가장 활발히 제품개발이 이루어지고 있는 분야는 발광 다이오드(LED), 다이오드(LD)등의 광소자이고, 특히 청색 및 녹색 발광 다이오드(LED)는 시판중에 있으며, 좀 더 긴 파장과 자외선 영역의 짧은 파장의 발광 다이오드(LED)를 개발하려는 시도도 활발히 이루어지고 있다.
도 1은 이러한 발광 다이오드를 도시한 것으로서, 이에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드는, 사파이어 기판과 같은 이종 기판(11)의 상부에 n형으로 도핑된 질화물층(12)(이하 "n-질화물층"으로 약칭함), 활성층(13), p형으로 도핑된 질화물층(14)(이하 "p-질화물층"으로 약칭함)이 적층되어 있고, p-질화물층(14)의 상부에는 투명전극(15)이 형성되어 있으며, 이 투명전극(15)의 상부와 n-질화물층(12)의 상부에는 각기 p-패드 전극(16)과 n-패드 전극(17)이 형성되어 있는데, 이렇게 형성된 p패드 전극과 n패드 전극을 통하여 각기 전류가 인가되면, 활성층에서 광이 발생되고, 이 광은 투명전극을 통하여 외부로 방출된다.
이러한, 반도체 발광 다이오드는 활성층을 형성하기 위해 사용되는 반도체 활성층의 In과 Ga의 비율에 따라 밴드갭이 변화하여 청색 또는 노란색 등의 여러 가지 광이 방출되는데, 예컨대 In을 15% ~ 25% 하고, Ga을 85% ~ 75%으로 할 경우에는 통상적으로 청색 광이 방출되고, In의 비율을 60%이상 늘리고 Ga을 30%이하로 줄일 경우에는 노란색 광이 방출된다.
하지만, 이와 같은 통상의 반도체 발광 다이오드는 전술한 바에서 알수 있는 것과 같이, 청색이나 노란색 등과 같이 특정 파장의 단일색 광만을 방출할 수 밖에 없어, 원하는 바에 의한 색의 구현 및 그 조절이 어려웠다.
그래서, 종래에는 야그 포스퍼를 이용해 원하는 바에 따라 색을 구현하기도 하였는데, 예를 들면, 청색 발광 다이오드 칩을 몰딩 컵에 조립할 때, 야그(YAG, Y3Al5O12 Garnet)포스퍼가 포함된 노란색 형광 물질을 발광 다이오드 칩의 상부에 도포하여, 이 야그 포스터(Phospor)에서 나오는 노란색광과 청색광을 결합시켜 백색광을 구현하기도 하였으나, 이러한 방법은 발광 다이오드의 활성층에서 방출된 광이 포스퍼를 투과하여 외부로 방출되기 때문에 그 발광 효율이 현저히 저하될 뿐만 아니라, 또한 포스퍼 처리 등과 같은 공정을 수행해야 함으로 그 제조시 생산수율이 저하되는 등의 여러 문제점을 발생시켜 왔다.
이에 본 발명은 상기한 문제점을 해소시키기 위한 하나의 방법으로 개발된 것으로, 단일 칩의 발광 다이오드에서 동시에 여러 파장의 광을 낼 수 있도록 하여 그 광들의 혼합으로 다양한 색의 구현이 가능하도록 하는 발광 다이오드 및 그제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이를 위해 본 발명은 이종 기판 상면에 형성된 제 1 n-질화물층에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여, 동일한 폭의 절연막 상부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하거나, 또는 폭이 서로 다른 두 개의 절연막 상부에 홈이 형성된 제 2n-질화물층을 형성하고, 이렇게 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 그 제 2 n-질화물층 상면에 활성층을 형성하도록 한다.
도 1은 일반적인 발광 다이오드의 구조를 도시한 도면이고,
도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조 방법의 제 1 실시예를 도시한 공정 순서도이고,
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조 방법의 제 2 실시예를 도시한 공정 순서도이고,
도 4는 본 발명에 따라 활성층을 그 하부의 홈이 형성된 제 2n-질화물층의 상면 형상에 따라 제조할 경우 서로 다른 두 개의 파장을 가진 광이 발생되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
20, 30 : 이종 기판 21, 31 : 제 1 n-질화물층
22 : 절연막 또는 금속박막 23, 34 : 제 2 n-질화물층
24, 35 : 활성층 25, 36 : p-질화물층
26, 37 : p-패드 전극 27, 38 : n-패드 전극
32 : 제 1 절연막 33 : 제 2 절연막
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 본 발명인 반도체 다이오드의 제조 방법에 대한 제 1 실시예에 대해 도 2a 내지 도 2e를 참조하여 설명한다.
< 제 1 실시예 >
우선, 도 2a에 도시된 바와 같이, 이종 기판(20) 상면에 n형으로 도핑된 질화물층을 증착하고 소정 두께만큼 얇게 성장시켜 제 1 n-질화물층(21)을 형성한 후, 상기 제 1 n-질화물층(21) 상면에 마스크 재료를 도포하여 스트라이프(stripe) 형태로 패터닝하여 절연막(22)을 형성한다.
상기 이종 기판(20)은 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드, 실리콘 기판 중에서 선택된 어느 하나를 사용하고, 상기 제 1 n-질화물층(21)의 두께는 가능한 한 얇게 하되, 약 2㎛정도로 하며, 상기 마스크 재료는 실리콘 산화물(SiO2)를 사용하여 대략 1000Å정도로 하는 것이 바람직하다. 마스크 재료로는 실리콘질화물(Si3N4)나 녹는 점이 높은 텅스텐(W), 텅스텐 질화물 (WNx) 등을 사용하여도 된다.
다음, 상기 제 1 n-질화물층(21) 상면에 스트라이프 형태로 패터닝된 절연막(22)이 반복적으로 형성되면, 상기 절연막(22)을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층(21)을 측면성장시켜 상기 절연막(22)의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층(23)을 형성한다(도 2b).
이 때, 측면 성장 온도는 일반적인 측면 성장 온도인 1000℃ ~ 1100℃정도보다 낮게 하여 측면 성장 속도가 상대적으로 천천히 일어나도록 함으로써, 상기 제 2 n-질화물층(23)에는 상기 절연막(23)의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성되도록 하는데, 바람직한 온도는 900℃ ~ 1050℃정도이다.
또한, 상기와 같이 측면 성장 온도를 조절하여 홈을 형성하는 것뿐만 아니라, 압력을 조절하여 홈을 형성할 수도 있는데, 이 경우에는 일반적인 측면 성장 압력보다 상대적으로 증가시키도록 하며, 최소한 100토르(torr)이상으로 하는 것이 바람직하다.
상기한 온도와 압력은 가변적인 것으로, 측면 성장하는 장치에 따라 변형이 가능하며, 단 측면 성장하는 장치가 어떠한 것이든지 간에 그 장치에서 일반적으로 측면 성장시킬 경우에 사용되는 일반적인 온도보다는 낮게, 그 압력보다는 높게 하여 측면 성장시키도록 하는데, 특히, 상기 홈은 V-groove 형상이 되도록 하는 것이 가장 바람직하다.
다음, 상기 제 1 n-질화물층(21)을 측면 성장시켜 절연막(22)의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층(23)이 형성되면, 이 형성된 제 2 n-질화물층(23)의 상면을 따라 발광 물질을 도포하여 상기 제 2 n-질화물층(23)의 상면과 동일한 형상의 활성층(24)을 형성한다(도 2c).
그 결과, 활성층(24)의 상면 중에서 평탄한 면과 홈으로 형성된 면은 발광 물질의 조성이 다르게 되어, 반도체 다이오드의 발광시, 평탄한 면을 통해 방출되는 광과 홈을 통해 방출되는 광의 파장이 다르게 된다.
다음, 상기 제 2 n-질화물층(23)의 상면과 동일한 형상의 활성층(24)이 형성되면, 이렇게 형성된 활성층(24) 상면에 p 도핑된 질화물을 증착하여 p-질화물층(25)을 형성한다(도 2d).
이 때, 상기 p-질화물층(25)의 상면은 상기 활성층(24)의 상면과 달리 평탄한 면이 되도록 p 도핑된 질화물을 그 상면에 균일하게 도포되도록 하는 것이 바람직하며, 상기 활성층(24)은 단일 양자 우물 구조나 다층 양자 우물 구조 모두 가능하다.
마지막으로, 상기 활성층(24) 상면에 p-질화물층(25)이 형성되면, 형성된 p-질화물층(25) 상면에 금속(metal)을 증착하고 패터닝하여 와이어 본딩시 패드로 사용되는 p패드 전극(26)을 형성한다.
그리고, 상기 p패드 전극(26) 형성과 동시에 또는 각기, 상기 p-질화물층(25)부터 상기 제 2 n-질화물층(23)의 일부까지 수직 방향으로 메사 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층(23)의 상면에 금속(metal)을 증착하고 패터닝하여 n패드전극(27)을 형성함으로써 본 발명의 제 1 실시예를 종료하는데, 상기 금속은Cr, Ni, Au, Al, Ti, Pt 중에서 선택된 어느 하나를 사용하거나, 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 사용하는 것이 바람직하다.
이와 같은 방법으로 제조된 발광 다이오드는 도 2e에 도시된 바와 같이, 이종 기판 상면에 형성된 제 1 n-질화물층(20)과, 상기 제 1 n-질화물층(21) 상면에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여 형성된 절연막(22)과, 상기 절연막(22)을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층(21)을 측면성장시켜 상기 절연막(22)의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층(23)과, 상기 홈이 형성된 제 2 n-질화물층(23)의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2 n-질화물층(23) 상면에 형성된 활성층(24)과, 상기 활성층(24) 상면에 형성된 p-질화물층(25)과, 상기 p-질화물층(25) 상면의 일부에 형성된 p패드 전극(26)과, 상기 p-질화물층(25)부터 상기 제 2 n-질화물층(23)의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층(23)의 상면에 형성된 n패드전극(27)으로 이루어지게 된다.
다음으로는, 또 다른 본 발명인 반도체 다이오드의 제 2 실시예에 대해 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 설명한다.
< 제 2 실시예 >
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 이종 기판(30) 상면에 n형으로 도핑된 질화물층을 증착하고 소정 두께만큼 얇게 성장시켜 제 1 n-질화물층(31)을 형성한다.
그런 다음, 상기 제 1 n-질화물층(31) 상면에 마스크 재료를 도포하고 스트라이프 형태로 패터닝하여 제 1 절연막(32)과, 상기 제 1 절연막(32)보다 상대적으로 폭이 넓은 제 2 절연막(33)을 규칙적으로 반복되게 형성하고, 상기 제 1절연막(32)과 제 2 절연막(33)을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층(31)을 측면성장시켜 상기 제 2 절연막(33)의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층(34)을 형성한다.
상기 이종 기판(30)은 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 중에서 선택된 어느 하나를 사용하고, 상기 제 1 n-질화물층(31)의 두께는 가능한 한 얇게 하되, 약 2㎛정도로 하며, 상기 마스크 재료는 실리콘 산화물(SiO2)를 사용하여 대략 1000Å정도로 하는 것이 바람직하다.
특히, 상기 제 1 절연막(32)은 그 폭을 3㎛정도로 하고, 상기 제 2 절연막(33)의 폭은 5㎛정도로 하는 것이 바람직한데, 이 때, 상기 절연막들(32, 33)을 패터닝하여 노출되는 제 1 n-질화물층(31)의 폭, 즉, 인접한 절연막들간의 거리는 일정하게 유지되도록 한다.
그리고, 측면 성장 온도는 일반적인 측면 성장 온도인 1000℃ ~ 1100℃정도보다 낮게 하여 측면 성장 속도가 상대적으로 천천히 일어나도록 함으로써 상기 제 2 절연막의 일부에 홈이 형성되도록 하는데, 바람직한 온도는 900℃ ~ 1050℃정도이다.
또한, 상기와 같이 측면 성장 온도를 조절하여 홈을 형성하는 것뿐만 아니라, 압력을 조절하여 홈을 형성할 수도 있는데, 이 경우에는 일반적인 측면 성장 압력보다 상대적으로 증가시키도록 하며, 최소한 100토르(torr)이상으로 하는 것이 바람직하다.
상기한 온도와 압력은 가변적인 것으로, 측면 성장하는 장치에 따라 변형이 가능하며, 단 측면 성장하는 장치가 어떠한 것이든지 간에 그 장치에서 일반적으로 측면 성장시킬 경우에 사용되는 일반적인 온도보다는 낮게 그 압력보다는 높게 하여 측면 성장시키도록 하는데, 특히 상기 홈은 V-groove 형상이 되도록 하는 것이 가장 바람직하다.
이와 같이, 측면 성장 온도와 압력을 조절함으로써, 상대적으로 작은 폭을 가진 제 1 절연막(32)의 상부에서는 제 1 n-질화물이 측면 성장되어 합체가 이루어지고, 상대적으로 넓은 폭을 가진 제 2 절연막(33)의 상부에서는 홈이 형성되게 된다.
한편, 상기 제 1 절연막(32)과 제 2 절연막(33)을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층(31)을 측면성장시켜 상기 제 2 절연막(33)의 상부 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층(34)이 형성되면, 이렇게 형성된 제 2 n-질화물층(34)의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2 n-질화물층(34) 상면에 활성층(35)을 형성한다(도 3b).
즉, 상기 제 2 n-질화물층(34)의 상면을 따라 발광 물질을 도포하여 상기 제 2 n-질화물층(34)의 상면과 동일한 형상의 활성층(35)을 형성한다.
그 결과, 활성층(35)의 상면 중에서, 평탄한 면이 제 1 실시예보다 넓어져 그 면으로는 파장이 짧은 광이 상대적으로 많이 방출되고, 홈으로 형성된 면은 좁아져 그 면으로는 파장이 긴 광이 상대적으로 적게 방출되기 때문에, 외부로 방출되는 광의 색상을 원하는 바에 따라 가변적으로 조절이 가능하게 된다.
한편, 상기 제 2 n-질화물층(34)의 상면과 동일한 형상의 활성층(35)이 형성되면, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 형성된 활성층(35) 상면에 p 도핑된 질화물을 증착하여 p-질화물층(36)을 형성하는데, 이 때, 상기 p-질화물층(36)의 상면은 상기 활성층의 상면과 달리 평탄한 면이 되도록 p 도핑된 질화물을 균일하게 도포되도록 하는 것이 바람직하다.
다음, 상기 활성층(35) 상면에 p-질화물층(36)이 형성되면, 형성된 p-질화물층 상면에 금속(metal)을 증착하고 패터닝하여 와이어 본딩시 패드로 사용되는 p패드 전극(37)을 형성한다.
그리고, 상기 p패드 전극(37) 형성과 동시에 또는 각기, 상기 p-질화물층(36)부터 상기 제 2 n-질화물층(34)의 일부까지 수직 방향으로 메사 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층(34)의 상면에 금속(metal)을 증착하고 패터닝하여 n패드전극(38)을 형성함으로써 본 발명의 제 2 실시예를 종료하는데, 상기 금속은 Cr, Ni, Au, Al, Ti, Pt 중에서 선택된 어느 하나를 사용하거나, 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 사용하는 것이 바람직하다.
이와 같은 방법으로 제조된 발광 다이오드는, 도 3c에 도시된 바와 같이, 이종 기판(30) 상면에 형성된 제 1 n-질화물층(31)과, 상기 제 1 n-질화물층(31) 상면에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여 형성된 제 1 절연막(32)과, 상기 제 1 절연막(32)보다 폭이 넓은 제 2 절연막(33)과, 상기 제 1 절연막(32)과 제 2 절연막(33)을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층(31)을 측면성장시켜 상기 제 2 절연막(33)의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층(34)과, 상기 홈이 형성된 제 2 n-질화물층(34)의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2n-질화물층(34) 상면에 형성된 활성층(35)과, 상기 활성층(35) 상면에 형성된 p-질화물층(36)과, 상기 p-질화물층(36) 상면의 일부에 형성된 p패드 전극(37)과, 상기 p-질화물층(36)부터 상기 제 2 n-질화물층(34)의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층(34)의 상면에 형성된 n패드전극(38)으로 이루어지게 된다.
한편, 도 4는 본 발명에 따라 활성층을 그 하부의 홈이 형성된 제 2n-질화물층의 상면 형상에 따라 제조할 경우 서로 다른 두 개의 파장을 가진 광이 발생되는 것을 설명하기 위한 도면으로서, 이에 도시한 바와 같이, V-groove형상의 홈이 형성된 면(24A)과 평탄한 면(24B)은 흡착되는 원자의 표면 이동 속도가 다르고, 또한 홈(24A)의 특성상 오목한 부분에 스트레인 필드(strain field)가 발생되어 활성층 형성시 사용되는 발광 물질인 In이 평탄한 면(24B)보다 상대적으로 더 많이 인입되어 그 홈(24A)으로는 파장이 긴 광이 방출되고, 평탄한 면(24B)으로는 파장이 짧은 광이 방출된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 발광 다이오드 및 그 제조 방법은 이종 기판 상면에 형성된 제 1 n-질화물층에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여, 동일한 폭의 절연막 상부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하거나, 또는 폭이 서로 다른 두 개의 절연막 상부에 홈이 형성된 제 2n-질화물층을 형성하고, 이렇게 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 그 제 2 n-질화물층 상면에 활성층을 형성하도록 함으로써 단일 칩의 발광 다이오드에서 동시에 여러 파장의 광을 낼 수 있게 되어 그 광들의 혼합으로 다양한 색의 구현이 가능한 효과가 있다.
본 발명은 기재된 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (11)

  1. 이종 기판 상면에 제 1 n-질화물층을 형성하는 제 1 단계;
    상기 제 1 n-질화물층 상면에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여 절연막을 형성하는 제 2 단계;
    상기 절연막을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층을 측면성장시켜 상기 절연막의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하는 제 3 단계;
    상기 홈이 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2 n-질화물층 상면에 활성층을 형성하는 제 4 단계;
    상기 활성층 상면에 p-질화물층을 형성하는 제 5 단계;
    상기 p-질화물층 상면의 일부에 p패드 전극을 형성하고, 상기 p-질화물층부터 상기 제 2 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층의 상면에 n패드전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어지는, 발광 다이오드 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 절연막은;
    두께가 500 ~200Å 정도이고,
    상기 마스크 재료는;
    실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4) 및 텅스텐, 텅스텐 질화물 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계는;
    상기 제 1 n-질화물층을 900℃ ~ 1050℃정도의 온도에서 측면 성장시켜 상기 절연막의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 홈은;
    V-groove인 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법.
  5. 이종 기판 상면에 제 1 n-질화물층을 형성하는 제 1 단계;
    상기 제 1 n-질화물층 상면에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막보다 폭이 넓은 제 2 절연막을 규칙적으로 반복되게 형성하는 제 2 단계;
    상기 제 1 절연막과 제 2 절연막을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층을 측면성장시켜 상기 제 2 절연막의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하는 제 3 단계;
    상기 홈이 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2 n-질화물층 상면에 활성층을 형성하는 제 4 단계;
    상기 활성층 상면에 p-질화물층을 형성하는 제 5 단계;
    상기 p-질화물층 상면의 일부에 p패드 전극을 형성하고, 상기 p-질화물층부터 상기 제 2 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층의 상면에 n패드전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어지는, 발광 다이오드 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 절연막은;
    그 폭이 2㎛ ~ 15㎛정도이고,
    상기 제 2 절연막은;
    그 폭이 5㎛ ~ 20㎛정도이며 제 2 절연막이 제 1 절연막의 폭보다 약 2㎛ 이상 넓은 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 절연막과 제 2 절연막은;
    실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물, 텅스텐 및 텅스텐 질화물 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 제 3 단계는;
    상기 제 1 n-질화물층을 900℃ ~ 1050℃정도의 온도에서 측면 성장시켜 상기 제 2 절연막의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법.
  9. 제 5 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 홈은;
    V-groove인 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조 방법.
  10. 이종 기판 상면에 형성된 제 1 n-질화물층;
    상기 제 1 n-질화물층 상면에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여 형성된 절연막;
    상기 절연막을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층을 측면성장시켜 상기 절연막의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층;
    상기 홈이 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2 n-질화물층 상면에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상면에 형성된 p-질화물층;
    상기 p-질화물층 상면의 일부에 형성된 p패드 전극과, 상기 p-질화물층부터 상기 제 2 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층의 상면에 형성된 n패드전극으로 이루어지는, 발광 다이오드.
  11. 이종 기판 상면에 형성된 제 1 n-질화물층;
    상기 제 1 n-질화물층 상면에 마스크 재료를 도포하고 패터닝하여 형성된 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막보다 폭이 넓은 제 2 절연막;
    상기 제 1 절연막과 제 2 절연막을 마스크로 하여 상기 제 1 n-질화물층을 측면성장시켜 상기 제 2 절연막의 상부에 위치한 영역의 일부에 홈이 형성된 제 2 n-질화물층;
    상기 홈이 형성된 제 2 n-질화물층의 상면과 동일한 형상으로 상기 제 2 n-질화물층 상면에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상면에 형성된 p-질화물층;
    상기 p-질화물층 상면의 일부에 형성된 p패드 전극과, 상기 p-질화물층부터 상기 제 2 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 노출된 제 2 n-질화물층의 상면에 형성된 n패드전극으로 이루어지는, 발광 다이오드.
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