KR100801921B1 - 발광 다이오드 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 형광체가 균일하게 분포된 형광체층이 형성된 발광 다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 균일한 형광체 분포 밀도를 갖는 형광체층을 반도체층 상에 형성하여 균일한 색상의 광을 구현할 수 있는 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 분말 수지와 형광체 분말을 혼합한 형광체 함유 파우더를 반도체층 상에 도포하고 경화시켜 형광체층을 형성함으로써 발광 다이오드의 제조공정을 간편화할 수 있다.
발광 다이오드, 형광체층, 형광체 함유 파우더, 반도체층, 전극
Description
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드의 사시도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 형광체층의 사시도.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조공정을 설명하기 위한 사시도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 기판 210: 반도체층
210a: 제 1 반도체층 210b: 제 2 반도체층
210c: 활성층 212: 전극
212a: 제 1 전극 212b: 제 2 전극
214: 와이어 본딩 패드 214a: 제 1 와이어 본딩 패드
214b: 제 2 와이어 본딩 패드 230: 배선
230a: 제 1 배선 230b: 제 2 배선
240: 형광체층 241: 형광체 함유 파우더
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 형광체가 균일하게 분포된 형광체층이 형성된 발광 다이오드에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체의 P-N 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭한다. 상기와 같은 발광 다이오드를 이용한 발광 장치는 기존의 전구 또는 형광등에 비하여 소모 전력이 작고 수명이 수 내지 수십배에 이르러, 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 월등하다. 상기와 같이 발광 다이오드를 조명용으로 사용하기 위해서는 발광 다이오드가 가시광을 방출해야하며, 이러한 조명용 발광 다이오드로는 통상 백색광을 발출하는 발광 다이오드를 사용한다. 이처럼 발광 다이오드가 백색 영역의 광파장을 방출하기 위해서 특정 범위의 광파장을 방출하는 발광칩과, 상기 발광칩에서 방출된 광을 사용자가 원하는 범위의 광파장으로 여기시킬 수 있는 형광체를 조합하여 백색광을 구현 하였다. 이때, 상기 발광칩에서 방출된 광을 형광체가 여기하기 위해서는 상기 발광칩 상에 형광체가 형성되어야 한다.
종래에는 상기 발광칩 상에 형광체를 형성할 때 형광체와 액상수지 혼합물을 발광칩 상에 도포하거나 몰딩하였다. 하지만 상기와 같은 구조를 갖는 종래 기술에 따른 발광 다이오드는 상기 형광체가 액상수지 내에 불균일하게 분포되어 발광칩에서 방출된 광이 상기 형광체에 의해 여기될 때 균일한 색상의 광을 구현할 수 없다 는 문제점이 있다. 다양한 형광체 분말을 혼합하여 사용하는 경우, 예를 들어 자외선 발광칩과 적절한 배합비를 갖는 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 형광체 분말의 혼합물을 이용하여 백색 발광 다이오드를 제조하는 경우, 각 형광체마다 다른 비중과 입도를 가지므로 형광체의 분포가 불균일하여 색의 불균일 문제는 보다 심화된다. 또한, 상기와 같이 형광체를 액상수지에 혼합할 경우 경화시간에 따라 침전정도가 커지므로 결과적으로 공정시간에 따라 색좌표가 변화될 수 있으며, 이로 인해 불량률도 증가될 뿐만 아니라 패키지에 따른 색좌표의 산포가 커지는 문제점이 발생된다.
또한, 발광칩의 하부에 반사판을 설치할 경우 액상수지에 혼합된 형광체가 반사판 쪽으로 침전되어 반사판의 반사효과를 저감시키고 결과적으로 발광휘도를 저하시키는 문제점이 발생된다.
본 발명의 목적은 전술된 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 균일한 색상의 광을 구현할 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 형광체층의 형성이 용이한 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판을 마련하는 단계; 상기 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계; 형광체 함유 파우더를 마련하는 단계; 상기 반도체층 상에 상기 형광체 함유 파우더를 도포하여 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다. 이때, 상기 형광체 함유 파우더를 마련하는 단계는, 분말 수지와 형광체 분말을 혼합하여 형광체 함유 파우더를 제조하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체층 상에 상기 형광체 함유 파우더를 도포하여 형광체층을 형성하는 단계는, 상기 형광체 함유 파우더를 상기 반도체층 상에 도포하는 단계; 상기 형광체 함유 파우더를 150도 내지 350도에서 2시간 내지 3시간 동안 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 형광체 함유 파우더는 분말 수지에 대해 5wt% 내지 50wt%인 형광체를 혼합할 수 있다.
또한, 본 발명은 반도체층을 형성하는 단계; 분말 수지에 대해 5wt% 내지 50wt%인 형광체를 혼합한 형광체 함유 파우더를 마련하는 단계; 상기 반도체층 상에 상기 형광체 함유 파우더를 도포하여 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 반도체층을 형성하는 단계; 분말 수지에 대해 5wt% 내지 50wt%인 형광체를 혼합한 형광체 함유 파우더를 마련하는 단계; 상기 반도체층 상에 상기 형광체 함유 파우더를 도포하여 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 형광체층의 사시도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 1에 도시된 바와 같이 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 형성된 반도체층(210)과, 상기 반도체층(210) 상에 형성된 형광체층(240)을 포함한다.
상기 기판(100)은 발광 다이오드를 제작하기 위한 통상의 웨이퍼를 지칭하는 것으로서, 사파이어(Al2O3), 탄화실리콘(SiC), 질화알루미늄(AlN), 실리콘(Si) 기판(100) 등을 포함할 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 반도체층(210)을 형성할 수 있는 기판이라면 어떤 기판이라도 사용할 수 있다.
상기 반도체층(210)은 p-n 접합구조를 가지는 화합물 반도체 적층구조로서 소수 캐리어(전자 또는 정공)들의 재결합에 의하여 발광되는 현상을 이용한다. 상기 반도체층(210)은 제 1 및 제 2 반도체층(210a, 210b)과 상기 제 1 및 제 2 반도체층(210a, 210b) 사이에 형성된 활성층(210c)을 포함할 수 있다. 이때, 본 실시예에서는 상기 제 2 반도체층(210b) 상의 일부영역에 활성층(210c)이 형성되며, 상기 활성층(210c) 상에 제 1 반도체층(210a)이 형성된다.
상기 제 1 반도체층(210a)은 진성반도체에 P형 불순물 즉, 3족 원소를 도핑하여 정공이 많아진 P형 반도체층일 수 있으며 상기 제 2 반도체층(210b)은 진성반도체에 N형 불순물 즉, 5족 원소가 도핑되어 전자가 많아진 N형 반도체층일 수 있다. 이때, 상기 P형 반도체층은 P형 클래드층과 P형 화합물 반도체층으로 형성될 수 있으며, 상기 N형 반도체층은 N형 클래드층과 N형 화합물 반도체층으로 형성될 수 있다. 본 발명에서는 상기 제 1 반도체층(210a)을 P형 반도체층으로, 상기 제 2 반도체층(210b)을 N형 반도체층으로 하여 설명하기로 한다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 1 반도체층(210a)을 N형 반도체층으로, 상기 제 2 반도체층(210b)을 P형 반도체층으로 할 수도 있다.
상기 활성층(210c)은 소정의 밴드갭과 양자 우물이 만들어져 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, 활성층(210c)을 이루는 물질의 종류에 따라 전자 및 정공이 결합하여 발생하는 발광 파장이 변화된다. 따라서, 목표로 하는 파장에 따라 조성이 제어된 반도체 재료를 활성층(210c)으로 사용하는 것이 바람직하다.
이러한 상기 반도체층(210)에는 외부전원을 인가하기 위한 전극(212)이 형성될 수 있다.
상기 전극(212)은 제 1 및 제 2 전극(212a, 212b)를 포함하며, 상기 제 1 및 2 반도체층(210a, 210b) 상에 각각 형성될 수 있다. 상기 전극(212)은 제 1 및 2 반도체층(210a, 210b)과 오믹접촉을 이루는 오믹성 금속으로서, 게르마늄(Ge), 니켈(Ni) 및 금(Au) 또는 이들의 합금을 도포하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 제 1 및 제 2 전극(212a, 212b) 상의 일정 위치에 크롬(Cr) 및 금(Au) 또는 이들의 합금을 도포하여 본딩패드용 전극물질 즉, 와이어 본딩 패드(214)가 형성될 수 있다. 상기 와이어 본딩 패드(214)는 제 1 및 제 2 와이어 본딩 패드(214a, 214b)를 포함한다. 상기 제 1 및 제 2 와이어 본딩 패드(214a, 214b)는 외부전원을 인가하기 위한 배선(230)을 형성할 때 접점이 되는 부분으로서, 상기 배선(230)이 제 1 및 제 2 전극(212a, 212b) 상에 견고하게 본딩될 수 있도록 한다.
상기 배선(230)은 상기 제 1 및 제 2 와이어 본딩 패드(214a, 214b)와 도시되지 않은 리드패턴과 같은 외부전원 입력부재를 연결하기 위한 것으로서, 본 실시예에서는 제 1 및 제 2 배선(230a, 230b)을 포함한다. 상기 외부전원 입력부재를 통해 입력된 외부전원은 상기 제 1 및 제 2 와이어 본딩패드(214a, 214b)에 전달되 어 제 1 및 제 2 전극(212a, 212b)을 통해 제 1 및 제 2 반도체층(210a, 210b)과 활성층(210c)에 인가된다. 이러한 배선(230)으로는 금(Au) 또는 알루미늄(Al)과 같이 전기전도성 및 연성이 좋은 금속을 사용할 수 있다.
상기 형광체층(240)은 상기 반도체층(210)에서 방출되는 광을 여기하여 다른 파장의 광으로 변환시키기 위한 것으로서, 구현하고자 하는 색에 따라 상기 반도체층(210)과 조합될 수 있는 여러 가지 형광체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드가 백색광을 발광하기 위해서는 청색을 발광하는 반도체층과 황색 형광체가 혼합된 형광체층을 사용할 수 있다. 본 발명에 따른 상기 형광체층(240)은 형광체 분말이 분말 수지와 혼합되어 경화된 균일한 두께의 고형물의 형태이다. 이때, 도 1에 도시된 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 상기 형광체층(240)이 상기 제 1 전극(212a)이 노출되도록 형성되나 이에 한정되는 것은 아니며, 노출된 상기 제 1 전극(212a)의 일부 또는 전체 영역을 덮도록 형성될 수도 있다. 또한, 상기 형광체층(240)은 상기 반도체층(210)의 측면에도 형성될 수도 있다. 즉, 상기 반도체층(210) 측면의 일부 또는 전체 영역에 상기 형광체층(240)이 형성될 수도 있다. 상기 형광체층(240)에 분포된 형광체(240a)는 균일한 밀도로 형성된다. 즉, 상기 형광체(240a)는 상기 형광체층(240)의 x,y,z축 방향으로 고르게 분포된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 발광 다이오드는 상기 반도체층(210)에서 방출되는 광이 상기 형광체층(240)에 의해 여기될 때 종래보다 균일한 색을 구현할 수 있다. 상기와 같이 본 발명은 형광체가 균일한 밀도로 분포된 형광체층(240)에 의해 상기 반도체층(210)에서 방출된 광이 여기되어 균일한 색을 가질 수 있다.
한편, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 상기 제 1 반도체층(210a) 상에 투명전극인 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zink Oxide; IZO)가 전극으로 형성될 수도 있다. 물론, 상기 투명전극은 형성되지 않을 수도 있다.
다음은 전술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조공정에 대해 도면을 참조하여 설명하고자 한다. 후술할 내용 중 전술한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명하기로 한다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조공정을 설명하기 위한 사시도이다.
도 3을 참조하면, 우선 준비된 기판(100) 상에 제 1 및 제 2 반도체층(210a, 210b)과 활성층(210c)을 포함하는 반도체층(210)을 형성한다. 이때, 상기 반도체층(210)은 유기금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 플라즈마 화학 증착법(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition, PCVD), 분자선 성장법(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 수소화물 기상 성장법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 등을 포함한 다양한 방법으로 증착 및 성장시킬 수 있다.
이후, 상기 제 1 반도체층(210a) 상에 감광막을 도포한 다음 사진 식각공정을 통해 감광막 패턴(미도시)을 형성한다. 상기 감광막 패턴은 반도체층(210)간의 사이 영역을 개방하는 형상으로 형성한다. 즉, 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 하는 식각공정으로 제 1 반도체층(210a), 활성층(210c) 및 제 2 반도체층(210b)을 식각하고 기판(100)의 일부를 노출시켜 기판(100)상에 다수의 반도체층(210)을 형성한다. 상기와 같이 다수의 반도체층(210)을 형성한 뒤 상기 감광막 패턴을 소정의 스트립 공정을 통해 제거한다. 이때, 상기 감광막 패턴 대신 다양한 물질의 마스크막이 가능하다.
상기 공정을 실시한 다음, 각 반도체층(210)의 제 2 반도체층(210b)이 노출되도록 제 1 반도체층(210a) 및 활성층(210c)을 식각한다. 이를 위해 전체 구조상에 제 1 반도체층의 일부를 개방하는 감광막 패턴(미도시)을 형성한다. 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 하는 식각공정을 실시하여 제 1 반도체층 및 활성층을 식각한다. 이후 상기 감광막 패턴을 제거한다. 상기 패터닝 공정 시 사용되는 식각 공정은 습식, 건식 식각공정을 실시할 수 있으며, 본 실시예에서는 플라즈마를 이용한 건식 식각을 실시하는 것이 효과적이다.
상기 마스크를 제거한 다음, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 제 1 및 제 2 반도체층(210a, 210b) 상에 제 1 및 제 2 전극(212a, 212b)을 각각 형성하고, 상기 제 1 및 제 2 전극(212a, 212b) 상에 제 1 및 제 2 와이어 본딩 패드(214a, 214b)를 각각 형성한다. 상기 공정을 수행한 후 각 반도체층(210)을 분리하기 위해 기판(100)을 절단(A 영역)한다.
상기와 같이 기판(100)을 절단한 후 도 5에 도시된 바와 같이 와이어 본딩 공정을 실시한다. 상기 와이어 본딩 공정으로 상기 제 1 및 제 2 와이어 본딩 패드(214a, 214b)와 도시되지 않은 리드패턴과 같은 외부전원 입력부재가 배선(230) 으로 연결된다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이 제 1 반도체층(210a) 상에 분말 수지와 형광체 분말을 고르게 혼합한 형광체 함유 파우더(241)를 일정량 도포한다. 이때, 상기 형광체 함유 파우더(241)는 분말 수지에 대해 형광체를 5wt% 내지 50wt% 범위로 혼합하며, 이와 같이 혼합된 형광체 함유 파우더(241)를 노즐(250) 등을 이용하여 상기 제 1 반도체층(210a) 상에 도포한다.
상기와 같이 제 1 반도체층(210a) 상에 형광체 함유 파우더(241)를 일정량 도포한 후 이를 경화시켜 도 1에 도시된 것처럼 형광체층(240)이 형성된 발광 다이오드를 완성한다. 이때, 본 실시예에서는 상기 형광체 함유 파우더(241)는 섭씨 150도 내지 350도에서 1시간 이상 경화시키는 것이 바람직하며, 섭씨 250도 내지 350도에서 2시간 내지 3시간 경화시키는 것이 더욱 바람직하다. 이때, 상기 형광체층(240)은 노출된 상기 제 1 전극(212a)의 일부 또는 전체영역을 덮도록 형성될 수도 있다.
상기와 같이 본 실시예는 분말 수지와 형광체를 혼합한 형광체 함유 파우더를 사용하여 종래 기술에 따른 액상 수지와 형광체를 혼합하여 몰딩된 형광체 몰딩부의 단점인 기포발생을 방지할 수 있다. 또한, 액상 수지가 아닌 분말 수지를 이용하므로 앞서 언급한 상기 형광체 분말이 침전되어 발생될 수 있는 문제점을 방지할 수 있다. 또한, 국제조명위원회(Commission Internationale de I'Eclairage; CIE)에 의한 색좌표상의 색도편차가 극히 적고, 엄격한 품질 수준에 맞는 우수한 수율을 실현할 수 있다.
다음은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드에 대해 도면을 참조하여 설명하고자 한다. 후술할 내용 중 전술한 실시예들과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드의 사시도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 7에 도시된 바와 같이 반도체층(310)과, 상기 반도체층(310)의 상부 및 하부에 각각 형성된 전극(312)과, 상기 반도체층(310)에 형성된 형광체층(340)을 포함한다.
상기 반도체층(310)은 전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 제 1 및 제 2 반도체층(310a, 310b)과 활성층(310c)을 포함한다. 하지만, 본 실시예에서는 전술한 제 1 실시예와는 달리 상기 제 1 반도체층(310a)과 활성층(310c)이 상기 제 2 반도체층(310b) 상의 일부 영역에 형성되지 않고 전체영역에 형성된다.
상기 전극(312)은 외부전원을 상기 반도체층(310)에 인가하기 위한 것으로서, 제 1 및 제 2 전극(312a, 312b)을 포함한다. 상기 제 1 전극(312a)은 상기 제 1 반도체층(310a)에 형성되며, 크롬(Cr), 금(Au), 크롬/금(Cr/Au) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(312b)은 상기 제 2 반도체층(310b)에 형성되며, 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 상기 제 1 반도체층(310a)과 제 1 전극(312a) 사이에 반사층(330)을 더 포함할 수 있다. 상기 반사층(330)은 활성 층(310c)에서 방출된 광을 제 2 반도체층(310b)으로 반사시키기 위한 것으로서, 니켈/금(Ni/Au), 은(Ag), 구리(Cu) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 반사층(330)에 의해 반사된 광은 제 2 반도체층(310b)을 통해 외부로 출사될 수 있다.
상기 형광체층(340)은 전술한 제 1 실시예와 동일하게 상기 반도체층(310)에서 방출되는 광을 여기하여 다른 파장의 광으로 변환시키기 위한 것으로서, 구현하고자 하는 색에 따라 상기 반도체층(310)과 조합될 수 있는 여러 가지 형광체층(340)을 포함할 수 있다. 본 발명 실시예에 따른 상기 형광체층(340)은 형광체 분말과 분말 수지가 고르게 혼합되어 경화된 고형물의 형태이며, 전술한 제 1 실시예와 동일하게 상기 제 2 반도체층(310b) 상에 분말 수지와 형광체 분말이 혼합된 형광체 함유 파우더를 도포하고 경화시켜 형성할 수 있다. 이때, 상기 형광체층(340)은 상기 제 2 반도체층(310b) 상에 형성될 때 상기 제 2 전극(312b)을 덮지 않는 형상으로 제작되며, 형광체층(340)에 분포된 형광체의 밀도는 전체적으로 균일하게 형성된다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 형광체층(340)은 노출된 상기 제 2 전극(213b)의 일부 또는 전체를 덮을 수도 있다.
상기와 같이 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 상기 반도체층(310)에서 방출되는 광이 상기 형광체층(340)에 의해 여기될 때 종래보다 균일한 색을 구현할 수 있다.
이상에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
예를 들어, 도시된 실시예에서는 수평형 및 수직형 발광 다이오드를 예로 하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 형광체를 사용하는 모든 발광 다이오드에 적용될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 분말 수지와 형광체 분말이 혼합되어 균일한 형광체 분포 밀도를 갖는 형광체 함유 파우더를 반도체층 상에 도포하여 형광체층을 형성함으로써, 균일한 색상의 광을 구현할 수 있고 제조공정이 간편한 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
Claims (5)
- 기판을 마련하는 단계;상기 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계;형광체 함유 파우더를 마련하는 단계;상기 반도체층 상에 상기 형광체 함유 파우더를 도포하여 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 형광체 함유 파우더를 마련하는 단계는,분말 수지와 형광체 분말을 혼합하여 형광체 함유 파우더를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 청구항 2에 있어서,상기 반도체층 상에 상기 형광체 함유 파우더를 도포하여 형광체층을 형성하는 단계는,상기 형광체 함유 파우더를 상기 반도체층 상에 도포하는 단계;상기 형광체 함유 파우더를 150도 내지 350도에서 2시간 내지 3시간 동안 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 형광체 함유 파우더는 분말 수지에 대해 5wt% 내지 50wt%인 형광체를 혼합한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 반도체층을 형성하는 단계;분말 수지에 대해 5wt% 내지 50wt%인 형광체를 혼합한 형광체 함유 파우더를 마련하는 단계;상기 반도체층 상에 상기 형광체 함유 파우더를 도포하여 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
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