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KR20030086820A - 상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들 - Google Patents

상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들 Download PDF

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KR20030086820A
KR20030086820A KR1020020025009A KR20020025009A KR20030086820A KR 20030086820 A KR20030086820 A KR 20030086820A KR 1020020025009 A KR1020020025009 A KR 1020020025009A KR 20020025009 A KR20020025009 A KR 20020025009A KR 20030086820 A KR20030086820 A KR 20030086820A
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phase change
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nitride film
barrier layer
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Abstract

상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들을 제공한다. 이 상변화 기억 셀은 차례로 적층된 제1 배리어막 패턴 및 상변화 물질막 패턴으로 구성된 데이타 저장요소, 상기 상변화 물질막 패턴을 덮는 상부 층간절연막 및 상기 상부 층간절연막의 소정영역을 관통하여 상기 상변화 물질막 패턴의 소정영역을 노출시키는 플레이트 전극 콘택홀을 구비한다. 상기 플레이트 전극 콘택홀에 의해 노출된 상기 상변화 물질막 패턴은 제2 배리어막 패턴과 접촉한다. 이에 따라, 상기 상부 층간절연막의 두께를 감소시킴으로써 상기 플레이트 전극 콘택홀의 종횡비를 현저히 감소시킬 수 있다. 결과적으로, 상기 상변화 물질막 패턴 및 상기 제2 배리어막 패턴 사이의 접촉면적을 감소시킬지라도 상기 플레이트 전극 콘택홀 내의 상기 제2 배리어막 패턴은 보이드 또는 틈(seam)을 갖지 않도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 신뢰성 있고 저전력 상변화 기억 셀(reliable and low power phase change memory cell)을 구현할 수 있다.

Description

상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들{Phase change memory cells and methods of fabricating the same}
본 발명은 반도체소자들 및 그 제조방법들에 관한 것으로, 특히 상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들에 관한 것이다.
비휘발성 메모리소자들은 그들의 전원이 차단될지라도 그들 내에 저장된 데이타들이 소멸되지 않는 특징을 갖는다. 이러한 비휘발성 메모리소자들은 적층 게이트 구조(stacked gate structure)를 갖는 플래쉬 기억 셀들을 주로 채택하고 있다. 상기 적층 게이트 구조는 채널 상에 차례로 적층된 터널산화막, 부유게이트, 게이트 층간 유전체막(inter-gate dielectric layer) 및 제어게이트 전극을 포함한다. 따라서, 상기 플래쉬 기억 셀들의 신뢰성 및 프로그램 효율을 향상시키기 위해서는 상기 터널산화막의 막질이 개선되어야 하고 셀의 커플링 비율이 증가되어야 한다.
상기 플래쉬 메모리소자들 대신에 새로운 비휘발성 기억소자들, 예컨대 상변화 기억소자들이 최근에 제안된 바 있다.
도 1은 종래의 상변화 기억 셀에 채택되는 데이타 저장요소를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체기판(1) 상에 하부 층간절연막(3)이 배치된다. 상기 반도체기판(1)의 소정영역은 상기 하부 층간절연막(3)을 관통하는 콘택홀(5a)에 의해 노출된다. 상기 콘택홀(5a)은 일반적으로 양의 경사진 측벽(positive sloped sidewall)을 갖는다. 다시 말해서, 상기 콘택홀(5a)의 상부직경은 그것의 하부직경보다 크다. 특히, 상기 콘택홀(5a)의 종횡비(aspect ratio)가 클수록 상기 콘택홀(5a)의 측벽의 경사도(slope)는 더욱 완만해진다. 이는, 상기 콘택홀(5a)의 형성에 사용되는 건식식각 공정의 특성에 기인한다. 따라서, 상기 하부 층간절연막(3)의 두께가 증가하면, 상기 콘택홀(5a)을 형성하기 위한 건식식각 공정을 실시하는 시간을 증가시킬라도 상기 반도체기판(1)이 노출되지 않을 수 있다.
상기 콘택홀(5a)은 도전성 플러그(5b)로 채워진다. 상기 도전성 플러그(5b) 내에 보이드(5c) 또는 틈(seam)이 형성될 수 있다. 이러한 보이드(5c) 또는 틈은 상기 도전성 플러그(5b)를 형성하는 공정 도중에 생성된다. 상기 보이드(5c) 또는 틈은 상기 콘택홀(5a)의 종횡비가 큰 경우에 생성되기 쉽다.
상기 도전성 플러그(5b)를 갖는 반도체기판 상에 차례로 적층된 상변화 물질막 패턴(7) 및 상부전극(9)이 배치된다. 상기 상변화 물질막 패턴(7)은 상기 도전성 플러그(5b)를 덮는다. 상기 상변화 물질막 패턴(7)은 온도에 따라 2개의 안정된 상태들을 갖는 특성을 보이는 물질막, 예컨대 GeSbTe막(이하; 'GST'막이라 한다)으로 형성한다. 좀 더 구체적으로, 상기 GST막을 용융점(melting point)보다 높은 온도로 가열한 후에 급냉시키면, 상기 GST막은 비정질 상태(amorphous state)를 갖는다. 이에 반하여, 상기 GST막을 용융점보다 낮고 결정화 온도(crystallization temperature)보다 높은 온도로 가열한 후에 냉각시키면, 상기 GST막은 결정 상태(crystalline state)를 갖는다. 상기 GST막은 상기 GST막을 통하여 흐르는 전류에 의해 가열된다. 따라서, 상기 GST막을 비정질 상태 또는 결정 상태로 변화시키는 데 요구되는 전력소모를 감소시키기 위해서는 상기 도전성 플러그(5b) 및 상기 상변화 물질막 패턴(7) 사이의 접촉면적(contact area)을 감소시키는 것이 요구된다. 다시 말해서, 상기 콘택홀(5a)의 상부직경을 감소시키는 것이 바람직하다. 그러나, 상기 콘택홀(5a)의 상부직경을 감소시키는 경우에, 상기 반도체기판(1)을 노출시키기가 어렵다. 이는, 앞서 설명한 바와 같이, 상기 콘택홀(5a)의 측벽이 양의 경사도(positive slope)를 갖기 때문이다.
상기 GST막은 폴리실리콘막 등과 같은 도전막과 쉽게 반응하는 성질을 갖는다. 예를 들면, 상기 GST막이 폴리실리콘막과 반응하는 경우에, 상기 GST막 내에 실리콘 원자들이 침투하여 상기 GST막의 저항을 증가시킨다. 이에 따라, 상기 GST막의 고유의 특성이 저하되어 상변화 기억 셀의 상변화 물질막으로 사용하는 것을 어렵게 만든다. 따라서, 상기 상변화 물질막 패턴(7)과 직접 접촉하는 상기 도전성 플러그(5b) 및 상기 상부전극(9)은 상기 상변화 물질막 패턴(7)과 반응하지 않는 안정된 물질막으로 형성된다. 예를 들면, 타이타늄 질화막과 같은 금속 질화막이 상기 도전성 플러그(5b) 및 상기 상부전극(9)을 형성하는 데 널리 사용된다.
상기 상변화 물질막 패턴(7)의 주변의 상기 하부 층간절연막(3)은 상부 층간절연막(11)으로 덮여진다. 상기 상부 층간절연막(11) 상에 상기 상부전극(9)과 전기적으로 접속된 플레이트 전극(13)이 배치된다.
상술한 바와 같이 종래의 기술에 따르면, 상기 도전성 플러그(5b) 내에 보이드(5c) 또는 틈이 생성될 수 있다. 이에 따라, 상기 상변화 물질막 패턴(7)이 상기 보이드(5c) 또는 틈(seam)의 내부를 채울 수 있다. 이 경우에, 상기 상변화 물질막 패턴(7) 및 상기 도전성 플러그(5b)의 접촉면적이 증가되어 상변화 기억 셀의 동작 특성을 저하시킨다. 또한, 상기 콘택홀(5a)의 상부직경을 감소시키는 데 한계가 있다. 따라서, 상기 상변화 기억 셀에 원하는 데이타를 저장시키는 데 요구되는 전력소모를 감소시키기가 어렵다.
본 발명의 일 특징은 히팅 플러그로 사용되는 도전성 플러그 내에 보이드 또는 틈이 생성되는 것을 방지하기에 적합한 상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 특징은 데이타를 저장시키는 데 요구되는 전력소모를 최소화시키기에 적합한 상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 특징은 고집적 상변화 기억소자에 적합한 상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들을 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 상변화 기억 셀의 데이타 저장요소(data storage element)를 보여주는 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 기억 셀의 데이타 저장요소를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 상변화 기억 셀의 데이타 저장요소를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 기억 셀들의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 상변화 기억 셀들의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 발명의 일 양태(an aspect)에 따르면, 상변화 기억 셀들이 제공된다. 이 상변화 기억 셀들은 반도체기판 상에 형성된 데이타 저장요소를 포함한다. 상기 데이타 저장요소는 차례로 적층된 제1 배리어막 패턴 및 상변화 물질막 패턴을 포함한다. 상기 데이타 저장요소를 갖는 반도체기판의 전면은 상부 층간절연막으로 덮여진다. 상기 데이타 저장요소의 소정영역은 상기 상부 층간절연막을 관통하는 플레이트 전극 콘택홀에 의해 노출된다. 적어도 상기 노출된 데이타 저장요소의 소정영역은 제2 배리어막 패턴과 접촉한다.
상기 제1 배리어막 패턴은 상기 상변화 물질막 패턴과 반응하지 않는 도전막인 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 제1 배리어막 패턴은 금속 질화막인 것이 바람직하다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 배리어막 패턴 또한 금속 질화막인 것이 바람직하다. 상기 제2 배리어막 패턴 및 상기 상변화 물질막 패턴 사이의 접촉면적은 상기 제1 배리어막 패턴 및 상기 상변화 물질막 패턴 사이의 접촉면적보다 작다.
이에 더하여, 상기 플레이트 전극 콘택홀의 측벽 및 상기 제2 배리어막 패턴 사이에 절연막 스페이서가 개재될 수 있다. 이 경우에, 상기 제2 배리어막 패턴 및 상기 상변화 물질막 패턴 사이의 접촉면적을 최소화시킬 수 있다.
더 나아가서, 상기 반도체기판 및 상기 데이타 저장요소 사이에 하부 층간절연막이 개재될 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 배리어막 패턴은 상기 하부 층간절연막을 관통하는 스토리지 노드 플러그를 통하여 상기 반도체기판과 전기적으로 접속된다. 상기 스토리지 노드 플러그의 상부면은 상기 제2 배리어막 패턴 및 상기 상변화 물질막 패턴 사이의 접촉면적보다 더 넓은 면적을 갖는다.
상기 제2 배리어막 패턴은 상기 플레이트 전극 콘택홀의 내벽 및 상기 상부 층간절연막의 상부면을 덮는다. 이와는 달리(alternatively), 상기 제2 배리어막 패턴은 상기 플레이트 전극 콘택홀의 내부를 채우는 플러그 형태를 가질 수도 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 상변화 기억 셀의 제조방법들이 제공된다. 이 방법들은 반도체기판 상에 데이타 저장요소를 형성하는 것을 포함한다. 상기 데이타 저장요소는 차례로 적층된 제1 배리어막 패턴 및 상변화 물질막 패턴으로 구성된다. 상기 데이타 저장요소를 갖는 반도체기판의 전면 상에 상부 층간절연막을 형성한다. 상기 상부 층간절연막을 패터닝하여 상기 상변화 물질막 패턴의 소정영역을 노출시키는 플레이트 전극 콘택홀을 형성한다. 상기 플레이트 전극 콘택홀을 덮는 제2 배리어막 패턴을 형성한다. 상기 제2 배리어막 패턴은 적어도 상기 노출된 상변화 물질막 패턴과 접촉하도록 형성된다.
상기 데이타 저장요소를 형성하기 전에, 상기 반도체기판 상에 하부 층간절연막을 형성하고, 상기 하부 층간절연막의 소정영역을 관통하는 스토리지 노드 플러그를 형성할 수 있다. 이 경우에, 상기 스토리지 노드 플러그의 상부면은 상기 제1 배리어막 패턴의 하부면과 접촉한다. 상기 스토리지 노드 플러그 및 상기 제1 배리어막 패턴 사이의 접촉면적은 상기 제2 배리어막 패턴 및 상기 상변화 물질막 패턴 사이의 접촉면적보다 크다.
이에 더하여, 상기 상부 층간절연막을 형성하기 전에 상기 데이타 저장요소 상에 산화보호막 패턴(oxidation protection layer pattern)을 형성할 수 있다. 상기 산화보호막 패턴은 실리콘 질화막(SiN), 붕소질화막(BN), 실리콘 탄화막(SiC) 또는 황화 아연막(ZnS)으로 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우에, 상기 플레이트 전극 콘택홀은 상기 상부 층간절연막 및 상기 산화보호막 패턴을 패터닝함으로써 형성된다.
더 나아가서, 상기 제2 배리어막 패턴을 형성하기 전에, 상기 플레이트 전극 콘택홀의 측벽 상에 절연막 스페이서를 형성할 수 있다. 이 경우에, 상기 제2 배리어막 패턴 및 상기 상변화 물질막 패턴 사이의 접촉면적을 더욱 감소시킬 수 있다.
상기 제2 배리어막 패턴은 상기 플레이트 전극 콘택홀의 내벽 및 상기 상부 층간절연막의 상부면을 덮도록 콘포말하게 형성할 수 있다. 이와는 달리(alternatively), 상기 제2 배리어막 패턴은 상기 플레이트 전극 콘택홀을 갖는 반도체기판의 전면 상에 제2 배리어막을 형성하고 상기 상부 층간절연막의 상부면이 노출될 때까지 상기 제2 배리어막을 평탄화시킴으로써 형성할 수 있다. 그 결과, 상기 제2 배리어막 패턴은 상기 플레이트 전극 콘택홀을 채우는 플러그 형태를 갖는다.
상기 제2 배리어막 패턴을 갖는 반도체기판의 전면 상에 플레이트 전극을 형성한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 기억 셀을 보여주는 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 반도체기판(51) 상에 데이타 저장요소가 배치된다. 상기 데이타 저장요소는 차례로 적층된 제1 배리어막 패턴(69) 및 상변화 물질막 패턴(71)을 포함한다. 상기 데이타 저장요소 및 상기 반도체기판(51) 사이에 하부 층간절연막(66)이 개재될 수 있다. 이 경우에, 상기 반도체기판(51)의 소정영역은 상기 하부 층간절연막을 관통하는 스토리지 노드 콘택홀(67a)에 의해 노출된다. 상기 스토리지 노드 콘택홀(67a)은 스토리지 노드 플러그(68)로 채워진다. 상기 스토리니 노드 플러그(68)의 상부면은 상기 제1 배리어막 패턴(69)과 접촉한다. 상기 상변화 물질막 패턴(71)은 온도에 따라 2개의 안정한 상태(two stable states)를 갖는 물질막, 예컨대 GeSbTe막을 포함한다. 또한, 상기 제1 배리어막 패턴(69)은 상기 상변화 물질막 패턴(71)과 반응하지 않는 도전막인 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 제1 배리어막 패턴(69)은 금속 질화막인 것이 바람직하다. 상기 금속 질화막은 타이타늄 질화막(TiN), 타이타늄 알루미늄 질화막(TiAlN), 타이타늄 보론 질화막(TiBN), 타이타늄 실리콘 질화막(TiSiN), 탄탈륨 질화막(TaN), 탄탈륨 알루미늄 질화막(TaAlN), 탄탈륨 보론 질화막(TaBN), 탄탈륨 실리콘 질화막(TaSiN), 텅스텐 질화막(WN), 텅스텐 보론 질화막(WBN), 텅스텐 실리콘 질화막(WSiN), 텅스텐 알루미늄 질화막(WAlN), 지르코늄 질화막(ZrN), 지르코늄 실리콘 질화막(ZrSiN), 지르코늄 알루미늄 질화막(ZrAlN), 지르코늄 보론 질화막(ZrBN) 또는 몰리브데눔 질화막(MoN)일 수 있다.
상기 데이타 저장요소를 갖는 반도체기판은 상부 층간절연막(75)으로 덮여진다. 상기 상부 층간절연막(75) 및 상기 상변화 물질막 패턴(71) 사이에 산화보호막 패턴(73)이 개재되는 것이 바람직하다. 상기 산화보호막 패턴(73)은 상기 상변화 물질막 패턴(71)이 산화되는 것을 방지한다. 상기 산화보호막 패턴(73)은 실리콘 질화막(SiN), 붕소 질화막(BN), 실리콘 탄화막(SiC) 또는 황화아연막(ZnS)인 것이 바람직하다. 상기 산화보호막 패턴(73) 및 그 위의 상기 상부 층간절연막(75)의 전체두께(total thickness)는 상기 하부 층간절연막(66)의 두께에 비하여 상대적으로얇은 것이 바람직하다.
상기 상변화 물질막 패턴(71)의 소정영역은 상기 상부 층간절연막(75) 및 상기 산화보호막 패턴(73)을 관통하는 플레이트 전극 콘택홀(77)에 의해 노출된다. 상기 노출된 상변화 물질막 패턴(71)의 면적은 상기 스토리지 노드 플러그(68) 및 상기 제1 배리어막 패턴(69) 사이의 접촉면적보다 작은 것이 바람직하다. 이에 더하여, 상기 플레이트 전극 콘택홀(77)의 측벽은 절연막 스페이서(79)로 덮여질 수 있다. 이 경우에, 상기 노출된 상변화 물질막 패턴(71)의 면적을 더욱 감소시킬 수 있다.
상기 플레이트 전극 콘택홀(77)의 내벽 및 상기 상부 층간절연막(75)의 상부면은 제2 배리어막 패턴(81)으로 덮여진다. 상기 플레이트 전극 콘택홀(77)의 측벽이 상기 스페이서(79)로 덮여진 경우에는, 상기 제2 배리어막 패턴(81)은 상기 스페이서(79)의 측벽, 상기 노출된 상변화 물질막 패턴(71)의 표면 및 상기 상부 층간절연막의 상부면을 콘포말하게 덮는다. 상기 제2 배리어막 패턴(81) 역시 금속 질화막인 것이 바람직하다. 상기 제2 배리어막 패턴(81) 상에 플레이트 전극(83)이 적층된다. 여기서, 상기 플레이트 전극 콘택홀(77)의 종횡비는 상기 스토리지 노드 콘택홀(67a)의 종횡비보다 작도록 조절하는 것이 용이하다. 이는, 상기 상부 층간절연막(75)을 상기 하부 층간절연막(66)에 비하여 상대적으로 얇게 형성할 수 있기 때문이다. 결과적으로, 상기 플레이트 전극 콘택홀(77)을 채우는 상기 제2 배리어막 패턴(81) 및 상기 플레이트 전극(83) 내에 보이드 또는 틈(seam)이 생성되는 것을 방지할 수 있다. 그러나, 본 발명에 따르면, 상기 플레이트 전극 콘택홀(77) 내에 보이드 또는 틈이 형성될지라도, 상기 보이드 또는 틈은 상기 상변화 물질막 패턴(71) 및 상기 제2 배리어막 패턴(81) 사이의 계면까지 연장되지 않는다. 따라서, 상기 상변화 물질막 패턴(71)이 상기 보이드 또는 틈 내부로 침투하는 현상을 방지할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 기억 셀에 데이타를 쓰기 위하여 상기 상변화 물질막 패턴(71)에 열을 가하면, 도 2a에 도시된 바와 같이 상기 제2 배리어막 패턴(81)과 접촉하는 상기 상변화 물질막 패턴(71)의 일부(71a)가 결정상태 또는 비정질 상태로 변한다.
도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 상변화 기억 셀을 보여주는 단면도이다.
도 2b를 참조하면, 반도체기판(51) 상에 하부 층간절연막(66), 데이타 저장요소, 상부 층간절연막(75), 플레이트 전극 콘택홀(77) 및 스페이서(79)가 도 2a에 보여진 그것들과 동일한 형태들(same configurations)을 갖는다. 그러나, 본 실시예에 따르면, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 플레이트 전극 콘택홀(77)은 플러그 형태를 갖는 제2 배리어막 패턴(91)으로 채워진다. 상기 제2 배리어막 패턴(91)을 갖는 반도체기판 상에 플레이트 전극(93)이 배치된다. 따라서, 상기 플레이트 전극(93)은 상기 상부 층간절연막(75)과 직접 접촉한다.
다음에, 본 발명에 따른 상변화 기억 셀의 제조방법들을 설명하기로 한다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 기억 셀의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 반도체기판(51)의 소정영역에 소자분리막(53)을 형성하여 복수개의 활성영역들을 한정한다. 상기 소자분리막(53)은 통상의 소자분리 기술, 예컨대 트렌치 소자분리 기술을 사용하여 형성할 수 있다. 상기 소자분리막(53)을 갖는 반도체기판 상에 복수개의 절연된 워드라인들(55)을 형성한다. 상기 워드라인들(55)은 상기 활성영역들의 상부를 가로지르도록 형성된다. 상기 각 활성영역들 상에 한 쌍의 평행한 워드라인들(55)이 형성된다. 상기 워드라인들(55) 및 상기 소자분리막(53)을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 활성영역들에 불순물 이온들을 주입한다. 그 결과, 상기 각 활성영역들 내에 하나의 공통 드레인 영역(57d) 및 두개의 소오스 영역들(57s)이 형성된다. 상기 공통 드레인 영역(57d)은 상기 한 쌍의 워드라인들(55) 사이의 활성영역에 형성되고, 상기 소오스 영역들(57s)은 상기 활성영역들의 양 끝단들에 형성된다. 상기 워드라인들(55), 상기 공통 드레인 영역들(57d) 및 상기 소오스 영역들(57s)은 전송 트랜지스터들(access transistors)을 구성한다.
상기 전송 트랜지스터들을 갖는 반도체기판의 전면 상에 제1 하부 층간절연막(59)을 형성한다. 상기 제1 하부 층간절연막(59)을 패터닝하여 상기 공통 드레인 영역들(57d)을 노출시키는 비트라인 패드 콘택홀들 및 상기 소오스 영역들(57s)을 노출시키는 스토리지 노드 패드 콘택홀들을 형성한다. 상기 비트라인 패드 콘택홀들 및 상기 스토리지 노드 패드 콘택홀들 내에 각각 통상의 방법을 사용하여 비트라인 패드들(61b) 및 스토리지 노드 패드들(61s)을 형성한다. 상기 제1 하부 층간절연막(59) 상에 상기 워드라인들(55)의 상부를 가로지르는 복수개의비트라인들(63)을 형성한다. 상기 비트라인들(63)은 상기 비트라인 패드들(61b)과 전기적으로 접속된다. 상기 비트라인들(63)을 갖는 반도체기판의 전면 상에 제2 하부 층간절연막(65)을 형성한다. 상기 제1 및 제2 하부 층간절연막들(65)은 실리콘 산화막으로 형성하는 것이 바람직하다.
도 4를 참조하면, 상기 제2 하부 층간절연막(65)을 패터닝하여 상기 스토리지 노드 패드들(61s)을 노출시키는 복수개의 스토리지 노드 콘택홀들(67a)을 형성한다. 상기 스토리지 노드 패드들(61s)을 형성하는 공정을 생략하는 경우에는, 상기 스토리지 노드 콘택홀들(67a)은 상기 제1 및 제2 하부 층간절연막들(59, 65)로 구성되는 하부 층간절연막(66)을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 상기 스토리지 노드 콘택홀들(67a) 내에 통상의 방법을 사용하여 스토리지 노드 플러그들(67)을 형성한다. 상기 각 스토리지 노드 패드들(61s) 및 그 위에 적층된 상기 각 스토리지 노드 플러그들(67)은 종래기술의 히팅 플러그(heating plug) 역할을 하는 도전성 플러그(68)를 구성한다. 그러나, 본 발명에 있어서, 상기 도전성 플러그(68)는 히팅 플러그 역할을 하지 않는다. 따라서, 상변화 기억 셀에 데이타를 저장시키는 데 필요한 전력소모를 감소시키기 위하여 상기 스토리지 노드 콘택홀들(67a)의 상부직경을 감소시키는 것이 요구되지 않는다. 다시 말해서, 상기 스토리지 노드 콘택홀들(67a)의 상부직경을 증가시킬 수 있으므로 상기 스토리지 노드 콘택홀들(67a)을 형성하기 위한 사진/식각공정에 대한 제약이 없다.
상기 스토리지 노드 플러그들(67)은 저압 화학기상증착(LPCVD) 공정을 사용하여 도우핑된 폴리실리콘막으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 저압 화학기상증착 공정 및 상기 폴리실리콘막은 우수한 단차도포성을 보인다. 따라서, 상기 스토리지 노드 플러그들(67) 내에 보이드 또는 틈(seam)이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
상기 스토리지 노드 플러그들(67)을 갖는 반도체기판 상에 제1 배리어막 및 상변화 물질막을 차례로 형성한다. 상기 제1 배리어막은 상기 상변화 물질막과 반응하지 않는 도전막, 예컨대 도전성 금속질화막으로 형성하는 것이 바람직하다. 좀 더 구체적으로, 상기 금속 질화막은 타이타늄 질화막(TiN), 타이타늄 알루미늄 질화막(TiAlN), 타이타늄 보론 질화막(TiBN), 타이타늄 실리콘 질화막(TiSiN), 탄탈륨 질화막(TaN), 탄탈륨 알루미늄 질화막(TaAlN), 탄탈륨 보론 질화막(TaBN), 탄탈륨 실리콘 질화막(TaSiN), 텅스텐 질화막(WN), 텅스텐 보론 질화막(WBN), 텅스텐 실리콘 질화막(WSiN), 텅스텐 알루미늄 질화막(WAlN), 지르코늄 질화막(ZrN), 지르코늄 실리콘 질화막(ZrSiN), 지르코늄 알루미늄 질화막(ZrAlN), 지르코늄 보론 질화막(ZrBN) 또는 몰리브데눔 질화막(MoN)으로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 상변화 물질막은 온도에 따라 2개의 안정한 상태(two stable states), 즉 결정 상태 또는 비정질 상태를 갖는 물질막으로 형성한다. 예를 들면, 상기 상변화 물질막은 게르마늄(Ge), 스티비움(Sb) 및 텔루리움(Te)을 함유하는 화합물막(compound material layer), 즉 GST막으로 형성할 수 있다.
상기 상변화 물질막은 쉽게 산화될 수 있다. 상기 상변화 물질막이 산화되면, 그 고유의 특성이 저하된다. 구체적으로, 상기 상변화 물질막 내에 산소가 침투하면, 상기 상변화 물질막의 저항이 증가한다. 이 경우에, 상기 상변화 물질막을결정화시키기가 어렵다. 따라서, 상기 상변화 물질막 상에 산화보호막(oxidation protection layer)을 형성하는 것이 바람직하다. 결과적으로, 상기 산화보호막은 상기 상변화 물질막이 후속 공정에서 산화되는 것을 방지하기 위하여 형성한다. 상기 산화보호막은 실리콘 질화막(SiN), 붕소질화막(BN), 실리콘 탄화막(SiC) 또는 황화아연막(ZnS)으로 형성할 수 있다.
상기 산화보호막, 상기 상변화 물질막 및 상기 제1 배리어막을 연속적으로 패터닝하여 상기 각 스토리지 노드 플러그들(67)을 덮는 복수개의 데이타 저장요소들(data storage elements) 및 상기 데이타 저장요소들 상에 적층된 산화보호막 패턴들(73)을 형성한다. 상기 데이타 저장요소들의 각각은 제1 배리어막 패턴(69) 및 상기 제1 배리어막 패턴(69) 상에 적층된 상변화 물질막 패턴(71)으로 구성된다. 이어서, 상기 데이타 저장요소들 및 산화보호막 패턴들(73)을 갖는 반도체기판의 전면 상에 상부 층간절연막(75)을 형성한다. 상기 상부 층간절연막(75)은 상기 하부 층간절연막(66)에 비하여 상대적으로 얇은 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 특히, 상기 상부 층간절연막(75)은 상기 제2 하부 층간절연막(65)보다 얇은 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 상부 층간절연막(75)은 상기 산화보호막 패턴들(73)에 대하여 식각 선택비를 갖는 절연막, 즉 실리콘 산화막으로 형성하는 것이 바람직하다.
도 5를 참조하면, 상기 상부 층간절연막(75) 및 상기 산화보호막 패턴들(73)을 패터닝하여 상기 상변화 물질막 패턴들(71)의 소정영역들을 노출시키는 플레이트 전극 콘택홀들(77)을 형성한다. 상기 플레이트 전극 콘택홀들(77)의 하부직경들은 상기 스토리지 노드 콘택홀들(67a)의 상부직경들보다 작도록 한정하는 것이 바람직하다. 그럼에도 불구하고, 상기 플레이트 전극 콘택홀들(77)의 종횡비는 상기 스토리지 노드 콘택홀들(67a)의 종횡비에 비하여 작도록 제어하는 것이 용이하다. 이는, 상기 상부 층간절연막(75)이 상기 제2 하부 층간절연막(65)보다 얇은 두께로 형성되기 때문이다.
상기 산화보호막 패턴들(73)은 상기 상부 층간절연막(75)이 식각되는 동안 식각저지막 역할을 한다. 따라서, 상기 플레이트 전극 콘택홀들(77)을 형성하는 동안 상기 상변화 물질막 패턴들(71)에 가해지는 과도식각 손상(over etching damage)을 최소화시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 상변화 물질막 패턴들(71)의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 상기 플레이트 전극 콘택홀들(77)의 측벽들 상에 통상의 방법을 사용하여 절연막 스페이서들(79)을 형성할 수도 있다. 상기 절연막 스페이서들(79)은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막과 같은 절연막으로 형성한다. 이에 따라, 스페이서들(79)에 의해 둘러싸여진 상기 플레이트 전극 콘택홀들(77)에 의해 노출되는 상기 상변화 물질막 패턴들(71)의 면적을 더욱 감소시킬 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 스페이서들(79)을 갖는 반도체기판의 전면 상에 콘포말한 제2 배리어막을 형성한다. 이어서, 상기 제2 배리어막 상에 플레이트 전극막을 형성한다. 상기 제2 배리어막은 상기 제1 배리어막처럼 금속 질화막으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 플레이트 전극막 및 상기 제2 배리어막을 연속적으로 패터닝하여 플레이트 전극 콘택홀들(77) 및 이들 사이의 상기 상부 층간절연막(75)을덮는 제2 배리어막 패턴(81) 및 상기 제2 배리어막 패턴(81) 상에 적층된 플레이트 전극(83)을 형성한다. 여기서, 상기 플레이트 전극 콘택홀들(77) 내의 상기 제2 배리어막 패턴(81) 및 플레이트 전극(83)은 도 6에 보여진 바와 같이 그 내부에 보이드 또는 틈을 갖지 않는다. 이는, 앞서 설명한 바와 같이 상기 플레이트 전극 콘택홀들(77)의 종횡비를 현저히 감소시킬 수 있기 때문이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 상변화 기억 셀의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다. 이 실시예에 있어서, 전송 트랜지스터들, 비트라인들, 데이타 저장요소들 및 플레이트 전극 콘택홀들 및 절연막 스페이서들은 도 3 내지 도 5에서 설명된 제1 실시예와 동일한 방법들을 사용하여 형성한다. 따라서, 이들을 제조하는 방법들에 대한 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 상기 스페이서들(79)을 갖는 반도체기판의 전면 상에 제2 배리어막을 형성한다. 상기 제2 배리어막은 본 발명의 제1 실시예에서의 제2 배리어막과 동일한 물질막으로 형성한다. 또한, 상기 제2 배리어막은 상기 플레이트 전극 콘택홀들(77)이 상기 제2 배리어막으로 완전히 채워지도록 두껍게 형성하는 것이 바람직하다. 본 실시예에 따르면, 상기 플레이트 전극 콘택홀들(77) 내의 상기 제2 배리어막은 보이드 또는 틈을 갖지 않도록 형성될 수 있다. 이는, 도 6에서 설명된 바와 같이 상기 플레이트 전극 콘택홀들(77)의 종횡비를 현저히 감소시킬 수 있기 때문이다. 이어서, 상기 상부 층간절연막(75)의 상부면이 노출될 때까지 상기 제2 배리어막을 평탄화시키어 상기 플레이트 전극 콘택홀들(77) 내에 제2 배리어막 패턴들(91)을 형성한다. 이에 따라, 상기 제2 배리어막 패턴들(91)은 플러그 형태를 갖는다. 상기 제2 배리어막 패턴들(91)을 갖는 반도체기판의 상에 플레이트 전극(93)을 형성한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 따르면, 상변화 물질막 패턴 상에 형성되는 제2 배리어막 패턴은 보이드 또는 틈을 갖지 않는다. 또한, 상기 상변화 물질막 패턴 및 제2 배리어막 패턴 사이의 접촉면적을 현저히 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 상변화 물질막 패턴에 데이타를 저장시키는 데 필요한 전력소모를 최소화시킬 수 있다.

Claims (32)

  1. 반도체기판 상에 형성되되, 차례로 적층된 제1 배리어막 패턴 및 상변화 물질막 패턴(phase change material layer pattern)으로 구성된 데이타 저장요소;
    상기 데이타 저장요소를 갖는 반도체기판의 전면을 덮는 상부 층간절연막;
    상기 상부 층간절연막을 관통하여 상기 상변화 물질막 패턴의 소정영역을 노출시키는 플레이트 전극 콘택홀; 및
    적어도 상기 노출된 상변화 물질막 패턴과 접촉하는 제2 배리어막 패턴을 포함하는 상변화 기억 셀.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이타 저장요소 및 상기 반도체기판 사이게 개재된 하부 층간절연막; 및
    상기 하부 층간절연막의 소정영역을 관통하여 상기 제1 배리어막 패턴의 하부면과 접촉하는 스토리지 노드 플러그를 더 포함하되, 상기 스토리지 노드 플러그 및 상기 제1 배리어막 패턴 사이의 접촉 면적은 상기 제2 배리어막 패턴 및 상기 상변화 물질막 패턴 사이의 접촉 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 배리어막 패턴은 금속 질화막인 것을 특징으로 하는 상변화 기억셀.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 금속 질화막은 타이타늄 질화막(TiN), 타이타늄 알루미늄 질화막(TiAlN), 타이타늄 보론 질화막(TiBN), 타이타늄 실리콘 질화막(TiSiN), 탄탈륨 질화막(TaN), 탄탈륨 알루미늄 질화막(TaAlN), 탄탈륨 보론 질화막(TaBN), 탄탈륨 실리콘 질화막(TaSiN), 텅스텐 질화막(WN), 텅스텐 보론 질화막(WBN), 텅스텐 실리콘 질화막(WSiN), 텅스텐 알루미늄 질화막(WAlN), 지르코늄 질화막(ZrN), 지르코늄 실리콘 질화막(ZrSiN), 지르코늄 알루미늄 질화막(ZrAlN), 지르코늄 보론 질화막(ZrBN) 또는 몰리브데눔 질화막(MoN)인 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 배리어막 패턴은 금속 질화막인 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 금속 질화막은 타이타늄 질화막(TiN), 타이타늄 알루미늄 질화막(TiAlN), 타이타늄 보론 질화막(TiBN), 타이타늄 실리콘 질화막(TiSiN), 탄탈륨 질화막(TaN), 탄탈륨 알루미늄 질화막(TaAlN), 탄탈륨 보론 질화막(TaBN), 탄탈륨 실리콘 질화막(TaSiN), 텅스텐 질화막(WN), 텅스텐 보론 질화막(WBN), 텅스텐실리콘 질화막(WSiN), 텅스텐 알루미늄 질화막(WAlN), 지르코늄 질화막(ZrN), 지르코늄 실리콘 질화막(ZrSiN), 지르코늄 알루미늄 질화막(ZrAlN), 지르코늄 보론 질화막(ZrBN) 또는 몰리브데눔 질화막(MoN)인 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트 전극 콘택홀의 측벽 및 상기 제2 배리어막 패턴 사이에 개재된 절연막 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 배리어막 패턴은 상기 플레이트 전극 콘택홀의 내벽(inner wall) 및 상기 상부 층간절연막의 상부면을 덮는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 배리어막 패턴은 상기 플레이트 전극 콘택홀을 채우는 플러그 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 배리어막 패턴을 갖는 반도체기판의 전면 상에 형성된 플레이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이타 저장요소 및 상기 상부 층간절연막 사이에 개재된 산화보호막 패턴(oxidation protection layer pattern)을 더 포함하되, 상기 플레이트 전극 콘택홀은 상기 산화보호막 패턴을 관통하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 산화보호막 패턴은 실리콘 질화막(SiN), 붕소질화막(BN), 실리콘 탄화막(SiC) 또는 황화아연막(ZnS)인 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀.
  13. 반도체기판 상에 데이타 저장요소를 형성하되, 상기 데이타 저장요소는 차례로 적층된 제1 배리어막 패턴 및 상변화 물질막 패턴으로 구성되고,
    상기 데이타 저장요소를 갖는 반도체기판의 전면 상에 상부 층간절연막을 형성하고,
    상기 상부 층간절연막을 패터닝하여 상기 상변화 물질막 패턴의 소정영역을 노출시키는 플레이트 전극 콘택홀을 형성하고,
    상기 플레이트 전극 콘택홀을 덮는 제2 배리어막 패턴을 형성하는 것을 포함하되, 상기 제2 배리어막 패턴은 적어도 상기 노출된 상변화 물질막 패턴과 접촉하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 데이타 저장요소를 형성하기 전에, 상기 반도체기판 상에 하부 층간절연막을 형성하고,
    상기 하부 층간절연막을 패터닝하여 상기 반도체기판의 소정영역을 노출시키는 스토리지 노드 콘택홀을 형성하고,
    상기 스토리지 노드 콘택홀 내에 스토리지 노드 플러그를 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 스토리지 노드 플러그는 상기 제1 배리어막 패턴의 하부면과 접촉하고, 상기 스토리지 노드 플러그 및 상기 제1 배리어막 패턴 사이의 접촉면적은 상기 제2 배리어막 패턴 및 상기 상변화 물질막 패턴 사이의 접촉 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 데이타 저장요소를 형성하는 것은
    상기 반도체기판 상에 제1 배리어막 및 상변화 물질막을 차례로 형성하고,
    상기 상변화 물질막 및 상기 제1 배리어막을 연속적으로 패터닝하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제1 배리어막은 금속 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 금속 질화막은 타이타늄 질화막(TiN), 타이타늄 알루미늄 질화막(TiAlN), 타이타늄 보론 질화막(TiBN), 타이타늄 실리콘 질화막(TiSiN), 탄탈륨 질화막(TaN), 탄탈륨 알루미늄 질화막(TaAlN), 탄탈륨 보론 질화막(TaBN), 탄탈륨 실리콘 질화막(TaSiN), 텅스텐 질화막(WN), 텅스텐 보론 질화막(WBN), 텅스텐 실리콘 질화막(WSiN), 텅스텐 알루미늄 질화막(WAlN), 지르코늄 질화막(ZrN), 지르코늄 실리콘 질화막(ZrSiN), 지르코늄 알루미늄 질화막(ZrAlN), 지르코늄 보론 질화막(ZrBN) 또는 몰리브데눔 질화막(MoN)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 상변화 물질막은 GeSbTe막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 상부 층간절연막을 형성하기 전에, 데이타 저장요소 상에 산화보호막 패턴을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 플레이트 전극 콘택홀은 상기 상부 층간절연막 및 상기 산화보호막 패턴을 패터닝함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 산화보호막 패턴은 실리콘 질화막(SiN), 붕소질화막(BN), 실리콘 탄화막(SiC) 또는 황화아연막(ZnS)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  21. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 배리어막 패턴은 금속질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 금속질화막은 타이타늄 질화막(TiN), 타이타늄 알루미늄 질화막(TiAlN), 타이타늄 보론 질화막(TiBN), 타이타늄 실리콘 질화막(TiSiN), 탄탈륨 질화막(TaN), 탄탈륨 알루미늄 질화막(TaAlN), 탄탈륨 보론 질화막(TaBN), 탄탈륨 실리콘 질화막(TaSiN), 텅스텐 질화막(WN), 텅스텐 보론 질화막(WBN), 텅스텐 실리콘 질화막(WSiN), 텅스텐 알루미늄 질화막(WAlN), 지르코늄 질화막(ZrN), 지르코늄 실리콘 질화막(ZrSiN), 지르코늄 알루미늄 질화막(ZrAlN), 지르코늄 보론 질화막(ZrBN) 또는 몰리브데눔 질화막(MoN)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  23. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 배리어막 패턴을 형성하기 전에, 상기 플레이트 전극 콘택홀의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  24. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 배리어막 패턴은 상기 플레이트 전극 콘택홀의 내벽(inner wall) 및 상기 상부 층간절연막의 상부면을 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  25. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 배리어막 패턴을 형성하는 것은
    상기 상부 층간절연막 상에 상기 플레이트 전극 콘택홀을 채우는 제2 배리어막을 형성하고,
    상기 상부 층간절연막의 상부면이 노출될 때까지 상기 제2 배리어막을 평탄화시키어 상기 플레이트 콘택홀 내부에 제2 배리어막 플러그를 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  26. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 배리어막 패턴을 갖는 반도체기판의 전면 상에 플레이트 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  27. 반도체기판 상에 하부 층간절연막을 형성하고,
    상기 하부 층간절연막을 패터닝하여 상기 반도체기판의 소정영역들을 노출시키는 복수개의 스토리지 노드 콘택홀들을 형성하고,
    상기 스토리지 노드 콘택홀들 내에 복수개의 스토리지 노드 플러그들을 형성하고,
    상기 각 스토리지 노드 플러그들을 덮는 복수개의 데이타 저장요소들을 형성하되, 상기 데이타 저장요소들의 각각은 차례로 적층된 제1 배리어막 패턴 및 상변화 물질막 패턴으로 구성되고,
    상기 복수개의 데이타 저장요소들을 갖는 반도체기판의 전면 상에 상부 층간절연막을 형성하고,
    상기 상부 층간절연막을 패터닝하여 상기 각 상변화 물질막 패턴들을 노출시키는 복수개의 플레이트 전극 콘택홀들을 형성하고,
    상기 플레이트 전극 콘택홀들을 채우는 복수개의 제2 배리어막 플러그들을 형성하고,
    상기 제2 배리어막 플러그들을 갖는 반도체기판 상에 플레이트 전극을 형성하는 것을 포함하되, 상기 각 제2 배리어막 플러그들 및 상기 각 상변화 물질막 패턴들 사이의 접촉면적은 상기 각 스토리지 노드 플러그들의 상부면의 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 상부 층간절연막을 형성하기 전에 상기 각 데이타 저장요소들 상에 적층된 복수개의 산화보호막 패턴들을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 플레이트 전극 콘택홀들은 상기 상부 층간절연막 및 상기 산화보호막 패턴들을 패터닝함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  29. 제 27 항에 있어서,
    상기 제2 배리어막 플러그들을 형성하기 전에, 상기 플레이트 전극 콘택홀들의 측벽들 상에 절연막 스페이서들을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  30. 반도체기판 상에 하부 층간절연막을 형성하고,
    상기 하부 층간절연막을 패터닝하여 상기 반도체기판의 소정영역들을 노출시키는 복수개의 스토리지 노드 콘택홀들을 형성하고,
    상기 스토리지 노드 콘택홀들 내에 복수개의 스토리지 노드 플러그들을 형성하고,
    상기 각 스토리지 노드 플러그들을 덮는 복수개의 데이타 저장요소들을 형성하되, 상기 데이타 저장요소들의 각각은 차례로 적층된 제1 배리어막 패턴 및 상변화 물질막 패턴으로 구성되고,
    상기 복수개의 데이타 저장요소들을 갖는 반도체기판의 전면 상에 상부 층간절연막을 형성하고,
    상기 상부 층간절연막을 패터닝하여 상기 각 상변화 물질막 패턴들을 노출시키는 복수개의 플레이트 전극 콘택홀들을 형성하고,
    상기 플레이트 전극 콘택홀들의 내벽들 및 상기 상부 층간절연막의 상부면을 덮는 제2 배리어막 패턴을 형성하고,
    상기 제2 배리어막 패턴 상에 플레이트 전극을 형성하는 것을 포함하되, 상기 제2 배리어막 패턴 및 상기 각 상변화 물질막 패턴들 사이의 접촉면적은 상기 각 스토리지 노드 플러그들의 상부면의 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 상부 층간절연막을 형성하기 전에 상기 각 데이타 저장요소들 상에 적층된 복수개의 산화보호막 패턴들을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 플레이트 전극 콘택홀들은 상기 상부 층간절연막 및 상기 산화보호막 패턴들을 패터닝함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
  32. 제 30 항에 있어서,
    상기 제2 배리어막 패턴을 형성하기 전에, 상기 플레이트 전극 콘택홀들의 측벽들 상에 절연막 스페이서들을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 기억 셀의 제조방법.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100653701B1 (ko) * 2004-08-20 2006-12-04 삼성전자주식회사 반도체 소자의 작은 비아 구조체 형성방법 및 이를 사용한상변화 기억 소자의 제조방법
KR100655796B1 (ko) * 2004-08-17 2006-12-11 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR100748557B1 (ko) * 2006-05-26 2007-08-10 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치
KR100818498B1 (ko) * 2005-09-07 2008-03-31 엘피다 메모리, 아이엔씨. 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR100827653B1 (ko) * 2004-12-06 2008-05-07 삼성전자주식회사 상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들
US7514704B2 (en) 2004-01-05 2009-04-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-change memory device and method of manufacturing the same
US7666789B2 (en) 2005-07-25 2010-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a variable resistance structure and method of manufacturing a phase-change memory device using the same
US7759263B2 (en) 2006-07-12 2010-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods for fabricating improved gate dielectrics
KR101029674B1 (ko) * 2006-08-25 2011-04-15 마이크론 테크놀로지, 인크 프로그램 가능한 저항 메모리 장치 및 그것을 이용한 시스템 및 그것을 형성하는 방법
US8026543B2 (en) 2004-05-27 2011-09-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices having phase change memory cells, electronic systems employing the same and methods of fabricating the same
KR101131137B1 (ko) * 2006-11-30 2012-04-03 삼성전자주식회사 확산 방지막을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그제조방법

Families Citing this family (390)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486306B1 (ko) * 2003-02-24 2005-04-29 삼성전자주식회사 셀프 히터 구조를 가지는 상변화 메모리 소자
JP2004319651A (ja) * 2003-04-14 2004-11-11 Seiko Epson Corp メモリの素子及びその製造方法
JP4634014B2 (ja) * 2003-05-22 2011-02-16 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
KR100504700B1 (ko) * 2003-06-04 2005-08-03 삼성전자주식회사 고집적 상변환 램
US20050018526A1 (en) * 2003-07-21 2005-01-27 Heon Lee Phase-change memory device and manufacturing method thereof
US7893419B2 (en) 2003-08-04 2011-02-22 Intel Corporation Processing phase change material to improve programming speed
US6815704B1 (en) * 2003-09-04 2004-11-09 Silicon Storage Technology, Inc. Phase change memory device employing thermally insulating voids
KR100568109B1 (ko) * 2003-11-24 2006-04-05 삼성전자주식회사 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법
US20070284743A1 (en) * 2003-12-12 2007-12-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Fabricating Memory Devices Using Sacrificial Layers and Memory Devices Fabricated by Same
JP4124743B2 (ja) * 2004-01-21 2008-07-23 株式会社ルネサステクノロジ 相変化メモリ
KR100733147B1 (ko) * 2004-02-25 2007-06-27 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
DE102004011430B4 (de) * 2004-03-09 2008-06-19 Qimonda Ag Halbleiterspeichereinrichtung
DE102004014487A1 (de) * 2004-03-24 2005-11-17 Infineon Technologies Ag Speicherbauelement mit in isolierendes Material eingebettetem, aktiven Material
JP5281746B2 (ja) 2004-05-14 2013-09-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US20050263801A1 (en) * 2004-05-27 2005-12-01 Jae-Hyun Park Phase-change memory device having a barrier layer and manufacturing method
US7411208B2 (en) 2004-05-27 2008-08-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-change memory device having a barrier layer and manufacturing method
KR100668823B1 (ko) * 2004-06-30 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 상변환 기억 소자 및 그 제조방법
KR100668825B1 (ko) * 2004-06-30 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 상변화 기억 소자 및 그 제조방법
KR100615598B1 (ko) * 2004-07-19 2006-08-25 삼성전자주식회사 평탄화 절연막을 갖는 반도체 장치들 및 그 형성방법들
KR100593450B1 (ko) * 2004-10-08 2006-06-28 삼성전자주식회사 수직하게 차례로 위치된 복수 개의 활성 영역들을 갖는피이. 램들 및 그 형성방법들.
TWI254443B (en) * 2004-10-08 2006-05-01 Ind Tech Res Inst Multilevel phase-change memory, manufacture method and status transferring method thereof
US7499305B2 (en) * 2004-10-18 2009-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of the same
KR100626388B1 (ko) * 2004-10-19 2006-09-20 삼성전자주식회사 상변환 메모리 소자 및 그 형성 방법
US7238959B2 (en) * 2004-11-01 2007-07-03 Silicon Storage Technology, Inc. Phase change memory device employing thermally insulating voids and sloped trench, and a method of making same
US7189626B2 (en) * 2004-11-03 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Electroless plating of metal caps for chalcogenide-based memory devices
EP2381476B1 (en) * 2004-11-11 2017-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for the manufacture of a semiconductor device
KR100612913B1 (ko) 2004-12-16 2006-08-16 한국과학기술연구원 ＡＩＮ 열방출층 및 ＴｉＮ 전극이 적용된 상변화 메모리
DE102004061548A1 (de) * 2004-12-21 2006-06-29 Infineon Technologies Ag Integration von 1T1R-CBRAM-Speicherzellen
US7265373B2 (en) * 2005-01-04 2007-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Phase change memory device and method of manufacturing
KR100657944B1 (ko) * 2005-01-12 2006-12-14 삼성전자주식회사 상전이 램 동작 방법
DE102005014645B4 (de) * 2005-03-31 2007-07-26 Infineon Technologies Ag Anschlusselektrode für Phasen-Wechsel-Material, zugehöriges Phasen-Wechsel-Speicherelement sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
JP2006352082A (ja) * 2005-05-19 2006-12-28 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
KR100650735B1 (ko) * 2005-05-26 2006-11-27 주식회사 하이닉스반도체 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법
US20060273297A1 (en) * 2005-06-07 2006-12-07 Thomas Happ Phase change memory cell having ring contacts
KR100682948B1 (ko) * 2005-07-08 2007-02-15 삼성전자주식회사 상전이 메모리 소자 및 그 제조방법
US7504652B2 (en) * 2005-07-13 2009-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Phase change random access memory
KR100625170B1 (ko) 2005-07-13 2006-09-15 삼성전자주식회사 전극 구조체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 상변화메모리 장치 및 그 제조 방법
US20070045606A1 (en) 2005-08-30 2007-03-01 Michele Magistretti Shaping a phase change layer in a phase change memory cell
DE102005051973B3 (de) * 2005-10-31 2007-06-28 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren für vertikale Leitbahnstruktur, Speichervorrichtung sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
US7589364B2 (en) * 2005-11-02 2009-09-15 Elpida Memory, Inc. Electrically rewritable non-volatile memory element and method of manufacturing the same
US7635855B2 (en) 2005-11-15 2009-12-22 Macronix International Co., Ltd. I-shaped phase change memory cell
JP4860249B2 (ja) * 2005-11-26 2012-01-25 エルピーダメモリ株式会社 相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法
US7531825B2 (en) * 2005-12-27 2009-05-12 Macronix International Co., Ltd. Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array
EP1811564B1 (en) 2006-01-20 2010-03-10 STMicroelectronics S.r.l. Electrical fuse device based on a phase-change memory element and corresponding programming method
US7956358B2 (en) * 2006-02-07 2011-06-07 Macronix International Co., Ltd. I-shaped phase change memory cell with thermal isolation
US7714315B2 (en) * 2006-02-07 2010-05-11 Qimonda North America Corp. Thermal isolation of phase change memory cells
US7812334B2 (en) * 2006-04-04 2010-10-12 Micron Technology, Inc. Phase change memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of making and using same
US9178141B2 (en) 2006-04-04 2015-11-03 Micron Technology, Inc. Memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of manufacturing same
US7345899B2 (en) * 2006-04-07 2008-03-18 Infineon Technologies Ag Memory having storage locations within a common volume of phase change material
US7514705B2 (en) * 2006-04-25 2009-04-07 International Business Machines Corporation Phase change memory cell with limited switchable volume
DE102006023609A1 (de) * 2006-05-19 2007-11-22 Infineon Technologies Ag Programmierbare resistive Speicherzelle mit einer programmierbaren Widerstandsschicht
US20070267621A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-22 Infineon Technologies Ag Resistive memory device
KR100807223B1 (ko) 2006-07-12 2008-02-28 삼성전자주식회사 상변화 물질층, 상변화 물질층 형성 방법 및 이를 이용한상변화 메모리 장치의 제조 방법
JP4437300B2 (ja) * 2006-09-06 2010-03-24 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置
US7772581B2 (en) * 2006-09-11 2010-08-10 Macronix International Co., Ltd. Memory device having wide area phase change element and small electrode contact area
KR100889743B1 (ko) * 2006-12-07 2009-03-24 한국전자통신연구원 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법
US8188569B2 (en) * 2006-12-15 2012-05-29 Qimonda Ag Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device
KR20080060918A (ko) * 2006-12-27 2008-07-02 삼성전자주식회사 상변화 메모리 소자와 그 제조 및 동작 방법
US20080173975A1 (en) * 2007-01-22 2008-07-24 International Business Machines Corporation Programmable resistor, switch or vertical memory cell
KR100896180B1 (ko) * 2007-01-23 2009-05-12 삼성전자주식회사 선택적으로 성장된 상변화층을 구비하는 상변화 메모리소자 및 그 제조방법
US7525176B2 (en) 2007-01-30 2009-04-28 International Business Machines Corporation Phase change memory cell design with adjusted seam location
US7745231B2 (en) 2007-04-17 2010-06-29 Micron Technology, Inc. Resistive memory cell fabrication methods and devices
US20080265239A1 (en) * 2007-04-26 2008-10-30 Jan Boris Philipp Integrated circuit including spacer material layer
TWI333273B (en) * 2007-05-02 2010-11-11 Powerchip Technology Corp Methods for reducing a contact area between heating electrode and phase-change material layer, phase-change memory devices and methods for fabricating the same
US7678642B2 (en) * 2007-05-11 2010-03-16 Hynix Semiconductor Inc. Method for manufacturing phase change memory device using a patterning process
US7888719B2 (en) * 2007-05-23 2011-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor memory structures
US20080303015A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Thomas Happ Memory having shared storage material
US7977661B2 (en) 2007-06-07 2011-07-12 Qimonda Ag Memory having shared storage material
US7545019B2 (en) * 2007-06-07 2009-06-09 Qimonda North America Corp. Integrated circuit including logic portion and memory portion
US8410607B2 (en) * 2007-06-15 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor memory structures
KR100985756B1 (ko) 2007-11-21 2010-10-06 주식회사 하이닉스반도체 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP2009135219A (ja) 2007-11-29 2009-06-18 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
US7859025B2 (en) * 2007-12-06 2010-12-28 International Business Machines Corporation Metal ion transistor
WO2009115995A1 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Nxp B.V. An electronic component comprising a convertible structure
KR20090106887A (ko) * 2008-04-07 2009-10-12 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8054673B2 (en) * 2009-04-16 2011-11-08 Seagate Technology Llc Three dimensionally stacked non volatile memory units
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR101716472B1 (ko) * 2010-05-24 2017-03-15 삼성전자 주식회사 상변화 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
KR20120061609A (ko) * 2010-12-03 2012-06-13 삼성전자주식회사 집적회로 칩 및 이의 제조방법
US8409960B2 (en) * 2011-04-08 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Methods of patterning platinum-containing material
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
CN103904214B (zh) * 2014-03-03 2017-06-16 上海新储集成电路有限公司 一种二维相变存储器单元结构及其制造方法
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
FR3027450B1 (fr) * 2014-10-20 2016-11-04 Commissariat Energie Atomique Dispositif memoire non volatile hybride et procede de fabrication d'un tel dispositif
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9406881B1 (en) 2015-04-24 2016-08-02 Micron Technology, Inc. Memory cells having a heater electrode formed between a first storage material and a second storage material and methods of forming the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
KR102375591B1 (ko) * 2015-10-27 2022-03-16 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10361213B2 (en) 2016-06-28 2019-07-23 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device containing multilayer wordline barrier films and method of making thereof
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10355139B2 (en) * 2016-06-28 2019-07-16 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with amorphous barrier layer and method of making thereof
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) * 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11217532B2 (en) 2018-03-14 2022-01-04 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing compositionally graded word line diffusion barrier layer for and methods of forming the same
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
US10950784B2 (en) * 2019-06-07 2021-03-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. RRAM with a barrier layer
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11476418B2 (en) * 2020-12-08 2022-10-18 International Business Machines Corporation Phase change memory cell with a projection liner
US11456415B2 (en) 2020-12-08 2022-09-27 International Business Machines Corporation Phase change memory cell with a wrap around and ring type of electrode contact and a projection liner
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5440167A (en) * 1994-02-23 1995-08-08 Crosspoint Solutions, Inc. Antifuse with double via contact and method of manufacture therefor
US5789758A (en) * 1995-06-07 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory cell with a plurality of chalcogenide electrodes
US5789277A (en) * 1996-07-22 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method of making chalogenide memory device
US5998244A (en) * 1996-08-22 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Memory cell incorporating a chalcogenide element and method of making same
US7173317B1 (en) * 1998-11-09 2007-02-06 Micron Technology, Inc. Electrical and thermal contact for use in semiconductor devices
KR100309817B1 (ko) * 1998-12-30 2002-01-15 박종섭 비휘발성 메모리 소자의 캐패시터 제조 방법
US6507061B1 (en) 2001-08-31 2003-01-14 Intel Corporation Multiple layer phase-change memory

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7514704B2 (en) 2004-01-05 2009-04-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-change memory device and method of manufacturing the same
US7910398B2 (en) 2004-01-05 2011-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-change memory device and method of manufacturing the same
US8026543B2 (en) 2004-05-27 2011-09-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices having phase change memory cells, electronic systems employing the same and methods of fabricating the same
US7394087B2 (en) 2004-08-17 2008-07-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-changeable memory devices and methods of forming the same
US7741631B2 (en) 2004-08-17 2010-06-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-changeable memory devices including phase-changeable materials on silicon nitride layers
KR100655796B1 (ko) * 2004-08-17 2006-12-11 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
US7989259B2 (en) 2004-08-17 2011-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing phase-changeable memory devices including upper and lower electrodes
KR100653701B1 (ko) * 2004-08-20 2006-12-04 삼성전자주식회사 반도체 소자의 작은 비아 구조체 형성방법 및 이를 사용한상변화 기억 소자의 제조방법
US7473597B2 (en) 2004-08-20 2009-01-06 Samsung Electronics Co., Ltd Method of forming via structures and method of fabricating phase change memory devices incorporating such via structures
KR100827653B1 (ko) * 2004-12-06 2008-05-07 삼성전자주식회사 상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들
US7642622B2 (en) 2004-12-06 2010-01-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase changeable memory cells and methods of forming the same
US7666789B2 (en) 2005-07-25 2010-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a variable resistance structure and method of manufacturing a phase-change memory device using the same
US7803657B2 (en) 2005-07-25 2010-09-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a variable resistance structure and method of manufacturing a phase-change memory device using the same
US8148710B2 (en) 2005-07-25 2012-04-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-change memory device using a variable resistance structure
KR100818498B1 (ko) * 2005-09-07 2008-03-31 엘피다 메모리, 아이엔씨. 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR100748557B1 (ko) * 2006-05-26 2007-08-10 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치
US7453111B2 (en) 2006-05-26 2008-11-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-change memory device
US7759263B2 (en) 2006-07-12 2010-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods for fabricating improved gate dielectrics
US7879737B2 (en) 2006-07-12 2011-02-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods for fabricating improved gate dielectrics
KR101029674B1 (ko) * 2006-08-25 2011-04-15 마이크론 테크놀로지, 인크 프로그램 가능한 저항 메모리 장치 및 그것을 이용한 시스템 및 그것을 형성하는 방법
KR101131137B1 (ko) * 2006-11-30 2012-04-03 삼성전자주식회사 확산 방지막을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그제조방법

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