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KR102698190B1 - 자외선 흡수 화합물 및 이를 포함하는 봉지재 조성물 - Google Patents

자외선 흡수 화합물 및 이를 포함하는 봉지재 조성물 Download PDF

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KR102698190B1
KR102698190B1 KR1020190115690A KR20190115690A KR102698190B1 KR 102698190 B1 KR102698190 B1 KR 102698190B1 KR 1020190115690 A KR1020190115690 A KR 1020190115690A KR 20190115690 A KR20190115690 A KR 20190115690A KR 102698190 B1 KR102698190 B1 KR 102698190B1
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Abstract

자외선 흡수 화합물 및 이를 포함하는 봉지재 조성물, 및 그로부터 제조된 봉지재가 제공된다. 본 발명의 일 구현예에 따르면, 자외선 흡수 화합물을 포함함으로써 유기 발광 소자를 포함한 디스플레이 소자 특히 플렉서블 디스플레이 소자의 자외선에 의한 열화를 효과적으로 방지할 수 있다.

Description

자외선 흡수 화합물 및 이를 포함하는 봉지재 조성물 {ULTRAVIOLET- ABSORBENT COMPOUND AND ENCAPSULANT COMPOSITION COMPRISING SAME}
본 발명은 자외선 흡수 화합물 및 이를 포함하는 봉지재 조성물에 관한 것이다, 구체적으로, 플렉서블 디스플레이에 사용할 수 있는 자외선 흡수 화합물 및 이를 포함하는 봉지재 조성물에 관한 것이다.
유기 박막을 이용한 디바이스로는 예를 들면, 광센서, 유기 스토리지 소자, 표시 소자, 유기 트랜지스터, 유기 박막 태양전지, 유기 반도체 소자, 통신 소자 등이 주목되고 있다.
그러나, 유기 박막을 이용한 디바이스는, 수분이나 산소 가스 등에 의해 변질되어, 디바이스 기능이 저하되어 결과적으로 수명이 저하되는 문제점이 있다. 이에 기체 및 수분 차단성을 갖는 봉지재가 요구되고 있다.
한편, 유기 발광 소자는 다결정의 반도체 디바이스이며, 저 전압으로 고 휘도의 발광을 얻을 수 있기 때문에 액정의 백라이트 등에 사용되며, 얇은 평면 표시 디바이스로서 기대되고 있다.
그러나,유기 발광 소자는 수분에 극히 약하고,금속 전극과 유기 박막 층과의 계면이 수분의 영향으로 박리한다든가, 금속이 산화하여 고 저항화 된다든가, 유기물 자체가 수분에 의해서 변질되어, 유기 발광 소자가 발광하지 않게 되거나 휘도가 저하되는 결점이 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해서, 열경화성 수지 조성물을 이용해 유리 기판상에 유기 발광 소자를 형성하여 유기 발광층 전면을 덮도록 봉지하는 기술이 있다. 그러나, 이 경우 열경화성 수지 조성물을 경화시키는 열 및 그 자체의 반응열의 영향에 의해,유기 발광 소자의 열화의 문제, 경화 시의 응력 변화에 의한 유기층으로부터의 음극의 박리의 문제가 있다. 또한,에폭시 수지를 아민 경화제로 경화시켰을 경우,경화 시에 발생하는 아민계의 아웃 개스에 의한 영향 때문에,보호막의 핀 홀로부터 유기 발광 소자를 부식시키든가,경화물이 착색하는 것에 의한 투과율의 저하와 같은 하는 문제가 있다.
한편, 이러한 열경화성 수지 조성물을 사용하는 경우의 문제를 해결하기 위해, 아크릴 수지 또는 에폭시 수지 등의 광경화성 수지를 포함하는 봉지재 조성물을 이용한 유기 발광 소자 봉지에 관한 기술이 소개되고 있다.
최근에는 봉지재의 기본적인 요구 특성인 기체 및 수분 차단성 이외에도, 접착성, 내광성 등의 부가적인 물성이 요구되고 있는 실정이다.
특히, 유기 발광 소자의 사용 시 자외선에의 노출로 인한 유기 발광 소자의 열화를 방지할 필요가 있다. 이를 위해서는 봉지재 조성물에 자외선 흡수 화합물을 포함할 수 있는데, 이 경우 봉지재 조성물의 경화를 위한 자외선 조사시 봉지재 조성물의 경화는 방해하지 않으면서, 이후 봉지막으로 사용시 유기 발광 소자를 자외선으로부터 보호할 수 있는 자외선 흡수 화합물이 필요한 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 파장 390nm 이하의 광을 흡수할 수 있는 자외선 흡수 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 자외선 흡수 화합물이 석출되지 않고, 디스플레이 소자의 자외선에 의한 손상, 변색 또는 수명 단축을 최소화할 수 있는 봉지재 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 하기 화학식 I의 자외선 흡수 화합물이 제공된다:
[화학식 I]
상기 화학식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자; 할로겐 원자; 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C6 알킬기; 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C6 알콕시기; 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C4 티오알킬기; 치환 또는 비치환 알릴옥시기; 또는 치환 또는 비치환 아릴옥시기이고;
R3는 치환 또는 비치환, C1-C20 알킬기 또는 C6-C20 아릴기이고;
R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소원자; 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 분자쇄 C1-C6 알킬기, C2-C6 알케닐기 또는 알릴기이고,
여기서 치환 알킬기, 치환 알콕시기, 치환 티오알킬기, 치환 알릴옥시기, 치환 아릴옥시기, 또는 치환 아릴기는 할로겐 원자, 또는 C1-C10의 알킬기로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 하기 화학식 1의 플루오레닐 마그네슘할로게나이드를 하기 화학식 2의 시아누릭 클로라이드와 반응시켜 하기 화학식 3의 디플루오레닐 시아누릭 클로라이드를 얻는 단계; 및
상기 화학식 3의 디플루오레닐 시아누릭 클로라이드과 하기 화학식 4의 레조르시놀을 반응시켜 하기 화학식 5의 레조르시놀 치환된 디플루오레닐 시아누릭 화합물을 얻는 단계;
상기 레조르시놀 치환된 디플루오레닐 시아누릭 화합물과 알킬할라이드를 반응시켜 화학식 I의 화합물을 얻는 단계;
를 포함하는 상기 화학식 I의 자외선 흡수 화합물의 제조방법이 제공된다:
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 광경화성 수지; 및 상기 화학식 I의 자외선 흡수 화합물을 포함하는 봉지재 조성물이 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기 봉지재 조성물의 경화물인 봉지재가 제공된다.
본 발명의 일 구현예에 따른 자외선 흡수 화합물은 파장이 390nm 이하인 광을 효과적으로 흡수할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 자외선 흡수 화합물은 봉지재 조성물에 포함되는 경우 잘 용해될 수 있으며, 봉지재 형성시 표면으로부터 석출되지 않아 표면이 고른 봉지재를 얻을 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 봉지재 조성물은 자외선에 의한 디스플레이 소자 예를 들어, 유기발광소자의 손상, 변색, 수명단축을 최소화 할 수 있는 봉지재를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 봉지재 조성물로부터 제조된 봉지재는 자외선 흡수 화합물이 석출되지 않을 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 자외선 흡수 화합물은 하기 화학식 I의 화합물이다:
[화학식 I]
상기 화학식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자; 할로겐 원자; 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C6 알킬기; 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C6 알콕시기; 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C4 티오알킬기; 치환 또는 비치환 알릴옥시기; 또는 치환 또는 비치환 아릴옥시기이고;
R3는 치환 또는 비치환, C1-C20 알킬기 또는 C6-C20 아릴기이고;
R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소원자; 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 분자쇄 C1-C6 알킬기, C2-C6 알케닐기 또는 알릴기이고;
여기서 치환 알킬기, 치환 알콕시기, 치환 티오알킬기, 치환 알릴옥시기, 치환 C5-C20의 아릴옥시기, 또는 치환 아릴기는 할로겐 원자, 또는 C1-C10의 알킬기로 치환된 것을 의미한다.
예를 들어, 상기 화학식 I에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자; 할로겐 원자; C1-C3의 비치환 알킬기; 비치환의 C1-C3 알콕시기; 비치환 C1-C3 티오알킬기; 비치환 알릴옥시기; 또는 비치환 C5-C10의 아릴옥시기이고;
R3는 비치환 C1-C10 알킬기 또는 C6-C12의 아릴기이고;
R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소원자; 비치환의 C1-C6 알킬기, C2-C6 알케닐기 또는 알릴기일 수 있다.
또한, 상기 화학식 I에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자; 할로겐 원자; C1-C3의 비치환 알킬기이고;
R3는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C8의 알킬기; 비치환 C6-C8의 아릴기이고;
R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자; C1-C3의 비치환 알킬기일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 I의 화합물은 하기 화합물 1 내지 화합물 4중 어느 하나일 수 있다:
<화합물 1>
.
<화합물 2>
<화합물 3>
<화합물 4>
본 발명의 일 구현예에 따른 자외선 흡수 화합물은 특히 390nm 이하, 예를 들어, 350nm 내지 380nm 파장의 자외선을 효과적으로 흡수할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 자외선 흡수 화합물은 350 nm 내지 380nm 파장의 광에 대한 몰 흡광계수(molar extinction coefficient)가 1,000 이상, 예를 들어 10,000 이상, 15,000 이상일 수 있다. 상기 범위내의 몰 흡광계수를 가짐으로써 상기 파장 범위내의 자외선을 효과적으로 흡수할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 화학식 I의 자외선 흡수 화합물의 제조방법은 하기 화학식 1의 플루오레닐 마그네슘할로게나이드를 하기 화학식 2의 시아누릭 클로라이드와 반응시켜 하기 화학식 3의 디플루오레닐 시아누릭 클로라이드를 얻는 단계; 상기 화학식 3의 디플루오레닐 시아누릭 클로라이드과 하기 화학식 4의 레조르시놀을 반응시켜 하기 화학식 5의 레조르시놀 치환된 디플루오레닐 시아누릭 화합물을 얻는 단계; 및 상기 레조르시놀 치환된 디플루오레닐 시아누릭 화합물과 알킬할라이드를 반응시켜 화학식 I의 화합물을 얻는 단계;를 포함한다:
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
다만, 본 발명의 일 측면에 따른 자외선 흡수 화합물의 제조방법은 반드시 상기 방법에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 측면에 따른 봉지재 조성물은 광경화성 수지 및 상기 화학식 I의 자외선 흡수 화합물을 포함할 수 있다.
광경화성 수지로는 일반적으로 봉지재 조성물에 사용되는 것이면 특별히 제한되지 않는다.
예를 들어, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 변성 올레핀 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지로는 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 노볼락형, 지방족 고리형, 글리시딜아민형, 수소 첨가 비스페놀 A형 등의 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.
변성 에폭시 수지로는 아크릴 변성 에폭시 수지, 폴리부타디엔계 변성 에폭시 수지, 그래프트 변성 에폭시 수지, 실릴화 폴리에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.
에폭시 수지는 경화촉진제, 광라디칼 중합개시제 등과 함께 사용하는 것이 바람직할 수 있다.
폴리우레탄 수지로는 폴리올계 우레탄 수지, 폴리이소시아네이트계 우레탄 수지, 폴리에테르계 우레탄 수지, 폴리에스테르계 우레탄 수지, 폴리카보네이트계 우레탄 수지 등을 사용할 수 있다.
폴리카보네이트 수지로는 폴리 변성 비스페놀카보네이트 수지, 폴리디페닐카보네이트 수지, 폴리에스테르카보네이트 수지, 그래프트화 폴리카보네이트 수지, 금속원자를 킬레이트화한 폴리카보네이트 수지 등을 사용할 수 있다.
폴리아크릴레이트 수지로는 폴리에틸렌글리콜계 다관능 아크릴레이트 수지, 에폭시 변성 아크릴레이트 수지, 우레탄 변성 아크릴레이트 수지, 실릴화 아크릴레이트 수지, 변성 에테르 사슬 아크릴레이트 수지, 변성 지방족 아크릴레이트 수지 등을 사용할 수 있다.
변성 올레핀 수지로는 에폭시 변성 올레핀 수지, 아크릴레이트 변성 올레핀 수지, 실릴화 올레핀 수지, 에틸렌계 중합체, 프로필렌계 중합체, 변성 부타디엔계 중합체, 변성 스티렌계 중합체, 또한 각 계통의 공중합체 등을 사용할 수 있다.
폴리에스테르 수지로는 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 변성 폴리에스테르 수지 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 봉지재 조성물에 포함되는 상기 화학식 I의 자외선 흡수 화합물은 하기 화합물 1 내지 화합물 4 중 어느 하나일 수 있다:
<화합물 1>
<화합물 2>
<화합물 3>
<화합물 4>
상기 자외선 흡수 화합물은 상기 광경화성 수지 100중량부에 대하여 1 중량부 내지 20중량부, 예를 들어, 1 중량부 내지 10중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 범위 내로 포함되는 경우, 파장 390nm 이하, 예를 들어 파장 380nm 내지 390nm에서 투과율 1% 이하를 확보하여, 디스플레이 소자의 광 안정성을 높일 수 있고, 자외선 흡수 화합물이 봉지재로부터 석출되는 것을 막을 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 봉지재 조성물은 상기 광경화성 수지 및 상기 화학식 I의 자외선 흡수 화합물 이외에 경화제, 광개시제, 커플링제, 상용화제, 소포제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 경화제로는 봉지재 조성물에 통상적으로 경화제로 사용될 수 있는 물질이라면 제한 없이 포함할 수 있으며, 바람직하게는 가교제의 역할을 함으로써 봉지재의 충분한 가교밀도를 확보할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 우레탄 아크릴레이트계 경화제 및 아크릴레이트계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 경화제는 상기 광경화성 수지 100중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 범위내의 함량으로 사용하는 경우, 원하는 정도의 겔화를 달성할 수 있고 봉지재의 기체 및 수분 차단성을 확보할 수 있다.
상기 광개시제는 상기 광경화성 수지 100 중량부에 대하여, 0.1중량부 내지 10 중량부, 예를 들어 0.5 중량부 내지 8 중량부의 양으로 포함할 수 있다.
광개시제는 봉지재 조성물에 통상적으로 사용되는 것이라면 제한 없이 포함할 수 있으며, 예를 들어, 과산화물계 개시제, 카르복실산계 개시제, 아세토페논계 개시제, 벤조페논계 개시제,티오크산톤계 개시제, 벤조인계 개시제, 옥심계 개시제, 붕소염계 개시제, 인계 개시제, 트리아진계 개시제, 설폰산염계 개시제, 이미다졸계 개시제 등을 들 수 있다.
커플링제로는 γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 메타크릴트리에톡시실란, 메르캅토트리메톡시실란, 에폭시
변성 실란, 우레탄 변성 실란, 아민계 티타네이트 커플링제, 포스파이트계 티타네이트 커플링제, 피롤린산계 티타네이트 커플링제, 카르복실산계 티타네이트 커플링제 등을 사용할 수 있다.
상용화제로는 지방족 디엔 폴리머계 상용화제, 폴리올레핀계 상용화제, 지방족 고리형 디엔계 상용화제, 비닐리덴계 상용화제, 초산비닐과 알릴알코올을 혼합한 상용화제 등을 사용할 수 있다.
소포제로는 아크릴계 소포제, 저점도 실리콘계 소포제, 알코올계 소포제, 지방산 에스테르계 소포제, 폴리에테르계 소포제 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 봉지재 조성물은 보다 우수한 경화도를 구현하기 위한 측면에서, 접착조제, 계면활성제, 자외선 흡수제, 광안정제, 열안정제, 산화 방지제, 수분 흡착제, 유연화제, 가소제, 윤활제, 난연제, 대전방지제, 소포제, 레벨링제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 접착조제는 가수분해성기(예, 알콕시, 아실옥시, 할로겐 등) 및 유기 관능기(예, 아미노, 메르캅토, 비닐,에폭시, 메타크릴옥시, 아크릴옥시, 이소시아네이트 등)로부터 선택되는 2종 이상의 상이한 치환기를 갖는 실란 화합물일 수 있다. 이의 비제한적인 예로는 N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란 및 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
상기 계면활성제는 계면활성능을 가지는 폴리에테르계 실리콘 오일일 수 있으며, 이의 비제한적인 예로는 상품명 KF-101, KF-102, KF-105, KF-351, KF-352, KF-618, KF-945, KF-2001, KF-2004, X-22-163A, X-22-163B,X-22-167B, X-22-169AS, X-22-2000, X-22-4741, X-22-4741(이상, 신에츠 화학공업주식회사 제품), 상품명 BYK-307, BYK-325, BYK-333(이상, 비크 케미 재팬사 제품)등을 들 수 있다.
상기 광안정제는 광열화 개시의 활성종을 포착하여, 광산화를 방지하는 역할을 할 수 있다. 이때, 상기 광안정제의 비제한적인 예로는 힌더드 아민계 화합물 또는 힌더드 피페리딘계 화합물 등과 같은 공지의 화합물을 들 수 있다. 상기 열안정제의 비한정적인 일 예로는 트리스(2,4-디-터트-부틸페닐)포스파이트, 비스[2,4-비스(1,1-디메틸에틸)-6-메틸페닐]에틸에스테르아인산, 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)[1,1-비페닐]-4,4'-디일비스포스포네이트 및 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)펜타에리쓰리톨디포스파이트 등의 인계 열안정제; 8-하이드록시-5,7-디-터트-부틸-푸란-2-온과 o-크실렌과의 반응 생성물 등의 락톤계 열안정제;를 들 수 있고, 이들 중 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 수분 흡착제는 봉지재로 침투한 수분 내지는 습기와의 화학적 반응 또는 물리적 반응을 통해 수분을 흡착 또는 제거할 수 있는 물질을 의미한다. 상기 수분 흡착제의 비제한적인 예로는 금속 산화물, 황산염, 유기 금속 산화물, 클레이, 탈크, 침상 실리카, 판상 실리카, 다공성 실리카, 제올라이트, 티타니아 또는 지르코니아 등을 들 수 있으며, 이의 구체적인 예로는 산화마그네슘, 산화칼슘, 산화스트론튬, 산화바륨 또는 산화알루미늄 등의 금속 산화물; 황산마그네슘, 황산나트륨 또는 황산니켈 등의 황산염; 알루미늄 옥사이드 옥틸레이트 등의 유기 금속 산화물을 들 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 봉지재는 상기 봉지재 조성물의 경화물일 수 있다. 예를 들어 상기 봉재재 조성물의 광경화물일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 봉지재는 플렉서블 디스플레이, 예를 들어, 유기발광소자의 봉지재일 수 있다. 본 발명의 일 구현예에 따른 봉지재는 자외선을 흡수함으로써 봉지재 내부의 디스플레이 소자의 열화를 효과적으로 방지할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 들어 상세하게 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 범위 및 그 치환 및 변경을 포함하며, 실시예의 범위로 한정되지 않는다.
제조예 1: 화합물 1의 제조
(1) 화합물 1-a의 합성
화합물 1-a
건조된 2L 반응기에 마그네슘 6.8g (282 mmol), 아이오딘 소량, 테트라하이드로퓨란 200ml를 넣고, 질소 분위기 하에서 15분 동안 교반하였다. 2-브로모플루오렌 62.8g (256 mmol)을 테트라하이드로퓨란에 용해시킨 다음 상기 반응기에 0℃에서 적가한 후 약 2시간 동안 환류 교반하였다.
상기 반응물을 0℃에서 시아누릭 클로라이드 23.6g (128 mmol)이 용해된 테트라하이드로퓨란 용액 에 적가한 다음, 얻은 혼합물을 12시간 동안 50℃에서 환류하면서 교반하였다. 반응종료 후 0℃에서 염화암모늄 수용액을 천천히 적가하여, 유기층을 추출한 다음 농축하였다. 농축물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 상기 화합물 1-a 42.6g을 얻었다. (수율 75%)
1H NMR (300MHz, CDCl3) : δ 7.98 (2H, d, J=8.5Hz), 7.87-7.77 (4H, m), 7.63-7.54 (4H, m), 7.45-740 (4H, m), 4.11 (4H, m)
(2) : 화합물 1-b의 합성
화합물 1-b
질소 분위기하에서 클로로벤젠 100mL에 상기 (1)에서 제조한 화합물 1-a 40g (90 mmol)과 알루미늄 클로라이드 18g (135 mmol)을 넣고 25℃에서 30분동안 교반하였다. 얻은 혼합물에 레소시놀 10g (90 mmol)을 넣고 85℃에서 5시간 동안 환류 교반하였다. 반응종료 후 결과물을 실온으로 냉각하고, 빙수 100mL를 천천히 적가하였다. 여기에, 클로로벤젠을 첨가하고, 감압하에 농축한 다음 여과하였다. 얻은 결과물을 증류수로 세척하고, 생성된 고체를 에탄올에서 재결정하여 화합물 1-b 30.3g을 얻었다. (수율 65%)
1H NMR (300MHz, d-DMSO) : δ 13.12 (1H s), 10.50 (1H, s), 7.95 (2H, d, J=7.5Hz), 7.85-7.75 (4H, m), 7.61-7.53 (4H, m), 7.36-7.25 (5H, m), 6.45 (1H, d, J=8.5Hz), 6.32 (1H, s), 4.10 (4H, m)
(3) : 화합물 1의 합성
화합물 1
상기 (2)에서 얻은 화합물 1-b 10.4g (20 mmol), 무수 칼륨 카보네이트 5.5g (40 mmol), 3-클로로메틸헵탄 3.3g (22 mmol), 및 아세톤 100ml의 혼합물을 24시간 동안 85
Figure 112019096111686-pat00024
에서 환류 가열하였다. 반응 종료 후, 결과물을 실온으로 냉각시키고, 메틸렌 클로라이드로 희석하였다. 결과물을 셀라이트를 통해 여과한 다음, 농축 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1 9.3g을 얻었다. (수율 74%)
1H NMR (300MHz, d-DMSO) : δ 13.14 (1H, s), 7.97 (2H, d, J=7.5Hz), 7.87-7.78 (4H, m), 7.63-7.57 (4H, m), 7.37-7.25 (5H, m), 6.49 (1H, d, J=8.5Hz), 6.47 (1H, s), 4.13 (4H, m), 3.90 (2H, m), 1.96 (1H, m), 1.56 (2H, m), 1.32 (2H, m), 1.26 (4H, m), 0.92 (6H, m)
제조예 2: 화합물 2의 제조
(1) 화합물 2-a의 합성
화합물 2-a
건조된 2L 반응기에 마그네슘 6.8g (282 mmol), 아이오딘 소량, 테트라하이드로퓨란 200mL를 넣고, 질소 분위기 하에서 15분 동안 교반하였다. 2-브로모-9,9-다이에틸 플루오렌 77.1g (256 mmol)을 테트라하이드로퓨란에 용해시킨 다음, 상기 반응기에 0℃에서 적가한 후 약 2시간 동안 환류 교반하였다.
상기 반응물을 0℃에서 시아누릭 클로라이드 23.6g (128 mmol)이 용해된 테트라하이드로퓨란 용액에 적가한 다음, 얻은 혼합물을 12시간 동안 50℃에서 환류하면서 교반하였다. 반응종료 후 0℃에서 염화암모늄 수용액을 천천히 적가하여, 유기층을 추출한 다음 농축하였다. 농축물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 2-a 55.5g을 얻었다. (수율 78%)
1H NMR (300MHz, CDCl3) : δ 7.97 (2H, d, J=8.5Hz), 7.85-7.75 (4H, m), 7.62-7.50 (4H, m), 7.40-7.36 (4H, m), 1.92 (8H, m), 0.89 (12H, m)
(b) 화합물 2-b의 합성
화합물 2-b
질소 분위기하에서 클로로벤젠 100mL에 상기 (1)에서 제조한 화합물 2-a 50g (90 mmol)과 알루미늄 클로라이드 18g (135 mmol)을 넣고 25℃에서 30분동안 교반하였다. 얻은 혼합물에 레소시놀 10g (90 mmol)을 넣고 85℃에서 6시간 동안 환류 교반하였다. 반응종료 후 결과물을 실온으로 냉각하고, 빙수 100mL를 천천히 적가하였다. 여기에, 클로로벤젠을 첨가하고, 감압 하에 농축한 다음 여과하였다. 얻은 결과물을 증류수로 세척하고, 생성된 고체를 에탄올에서 재결정하여 화합물 2-b 38.5g을 얻었다. (수율 68%)
1H NMR (300MHz, d-DMSO) : δ 13.06 (1H s), 10.48 (1H, s), 7.93 (2H, d, J=7.5Hz), 7.82-7.70 (4H, m), 7.58-7.50 (4H, m), 7.3-7.24 (5H, m), 6.43 (1H, d, J=8.5Hz), 6.29 (1H, s), 1.90 (8H, m), 0.88 (12H, m)
(3) : 화합물 2의 합성
화합물 2
상기 (2)에서 얻은 화합물 2-b 12.6g (20 mmol) , 무수 칼륨 카보네이트 5.5g (40 mmol), 1-클로로헥산 2.65g (22 mmol), 및 아세톤 100ml의 혼합물을 24시간 동안 85℃에서 환류 가열하였다. 반응종료 후, 결과물을 실온으로 냉각시키고 메틸렌 클로라이드로 희석하였다. 결과물을 셀라이트를 통해 여과한 다음 농축 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 2 10.1g을 얻었다. (수율 71%)
1H NMR (300MHz, d-DMSO) : δ 13.14 (1H, s), 7.97 (2H, d, J=7.5Hz), 7.87-7.78 (4H, m), 7.63-7.57 (4H, m), 7.37-7.25 (5H, m), 6.49 (1H, d, J=8.5Hz), 6.47 (1H, s), 3.90 (2H, m), 1.96 (1H, m), 1.91 (8H, m), 1.56 (2H, m), 1.32 (2H, m), 1.26 (4H, m), 0.92 (6H, m), 0.89 (12H, m)
제조예 3: 화합물 3의 제조
화합물 3
상기 제조예 1의 (2)에서 제조한 화합물 1-b 10.4g (20 mmol) , 무수 칼륨 카보네이트 5.5g (40 mmol), 아이요도 벤젠 4.5g (22 mmol), 및 DMF 100ml의 혼합물을 24시간 동안 85℃에서 환류 교반하였다. 반응종료 후 결과물을 실온으로 냉각시키고 메틸렌 클로라이드로 희석시켰다. 결과물을 셀라이트를 통해 여과한 다음 농축 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1 6.9g을 얻었다. (수율 58%)
1H NMR (300MHz, d-DMSO) : δ 13.09 (1H, s), 7.93 (2H, d, J=7.5Hz), 7.83-7.72 (4H, m), 7.60-7.52 (4H, m), 7.40-7.20 (7H, m), 7.08-7.00 (3H m), 6.41 (1H, d, J=8.5Hz), 6.38 (1H, s), 4.09 (4H, m)
제조예 4: 화합물 4의 제조
(1) 화합물 4-b의 제조
화합물 4-b
질소 분위기하에서 클로로벤젠 100mL에 상기 제조예 1의 (1)에서 제조한 화합물 1-a 40g (90 mmol)과 알루미늄 클로라이드 18g (135 mmol)을 넣고 25℃에서 30분동안 교반하였다. 얻은 혼합물에 4-클로로레소시놀 13g (90 mmol)을 넣고 85℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응종료 후 결과물을 실온으로 냉각하고 빙수 100mL를 천천히 적가하였다. 여기에, 클로로벤젠을 첨가하고, 감압 하에 농축한 다음 여과하였다. 얻은 결과물을 증류수로 세척하고, 생성된 고체를 에탄올에서 재결정하여 화합물 4-b 29.8g을 얻었다. (수율 60%)
1H NMR (300MHz, d-DMSO) : δ 13.45 (1H s), 10.80 (1H, s), 8.05 (2H, d, J=7.5Hz), 7.92-7.85 (4H, m), 7.73-7.68 (4H, m), 7.54-7.45 (5H, m), 6.68 (1H, s), 4.11 (4H, m)
(2) 화합물 4의 합성
화합물 4
상기 (1)에서 제조한 화합물 4-b 11g (20 mmol), 무수 칼륨 카보네이트 5.5g (40 mmol), 1-아이요도헥산 4.7g (22 mmol), 및 아세톤 100mL의 혼합물을 24시간 동안 85℃에서 환류 가열하였다. 반응종료 후 결과물을 실온으로 냉각시키고 메틸렌 클로라이드로 희석켰다. 결과물을 셀라이트를 통해 여과한 다음 농축 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 47.4g을 얻었다. (수율 58%)
1H NMR (300MHz, d-DMSO) : δ 13.29 (1H s), 8.01 (2H, d, J=7.5Hz), 7.89-7.83 (4H, m), 7.75-7.69 (4H, m), 7.51-7.41 (5H, m), 6.68 (1H, s), 4.09 (4H, m), 3.91 (2H, m), 1.92 (2H, m), 1.55 (2H, m), 1.34 (2H, m), 1.28 (2H, m), 0.93 (6H, m)
실시예 1 내지 실시예 4: 광경화성 조성물의 제조
하기 표 1에 나타낸 조성과 같이, 광경화성 수지를 포함하는 봉지재 조성물을 얻기 위해, 바이페닐메틸아크릴레이트 (Miwon사) 20 중량부, 1,12-도데칸디올 다이메타아크릴레이트 (Sartomer사) 40 중량부, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트 (Sartomer사) 15중량부, 디사이클로펜틸 아크릴레이트 (Eternal사) 20중량부, 3,3,5 트리메틸사이클로헥실 아크릴레이트 (Sartomer사) 5중량부를 사용하고, 이들을 합친 양 100 중량부에 대하여, 광개시제로 다이페닐(2,4,6-트리메틸벤졸)포스핀 옥사이드 (BASF사) 3 중량부, 상기 제조예 1 내지 제조예 4에서 제조한 자외선 흡수 화합물 각각을 5 중량부, 및 기타 첨가제로 계면활성제, 부착증진제 및 산화방지제를 총 2중량부의 양으로 혼합하였으며, 상기 혼합물을 상온(23℃에서 3시간 동안 교반하여 봉지재 조성물을 제조하였다.
비교예 1 내지 비교예 4: 광경화성 조성물의 제조
상기 제조예 1의 자외선 흡수 화합물 대신에 하기 표 1에 나타낸 바와 같이, 트리아진계 Tinuvin 400, 477, 479 (Basf사)와 벤조트리아졸계 Tinuvin 384-2 5 중량부를 각각 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 봉지재 조성물을 얻었다.
[표 1]
몰 흡광계수
상기 실시예 1 내지 실시예 4에서 사용된 자외선 흡수 화합물(제조예 1 내지 제조예 4의 화합물) 및 상기 비교예 1 내지 비교예 4에서 사용된 자외선 흡수 화합물에 대하여 UV-VIS spectrometer(@380nm)(제조사명: Thermo Scientific 모델명: Genesys 10S UV-Vis)를 이용하여 최대 흡수 파장에서의 흡광도를 측정하였다. 또한, 측정된 흡광도를 자외선 흡수제 각각의 몰 농도(mol/L)로 나누어 몰 흡광계수를 계산하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
용해성
상기 실시예 1 내지 실시예 4 및 비교예 1 내지 비교예 4의 봉지재 조성물 제조시, 자외선 흡수 화합물의 용해성을 평가하였다. 육안으로 침전이 전혀 관찰되지 않는 경우 ◎, 침전이 약간 생성되는 경우 △, 침전이 다량 생성되는 경우 X로 표시하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
상기 실시예 1 내지 실시예 4 및 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조한 봉지재 조성물을 유리 기판(크기: 5 x 5 cm) 위에 스핀 코터(제조사명: 이틀랩 모델명: EP-80P)를 사용하여 5㎛ 두께로 코팅한 후, 질소 분위기에서 395nm 파장의 1000mW LED 노광기로 5초 동안 2000mJ의 자외선을 조사하여 두께 5㎛의 경화물을 형성한 후 하기와 같이 물성을 측정하였다.
표면경도
Mitsubishi사의 7B 내지 9H의 연필을 사용하고, 경화층에 대한 하중은 200g에 긁기각도 45도 조건에서 상기 제조한 경화층의 표면 경도를 측정하였다 (규격 : ASTM D3363).
광투과율
UV-VIS spectrometer(@380nm)(제조사명: Thermo Scientific 모델명: Genesys 10S UV-Vis )를 이용하여 상기에서 얻은 경화층의 380nm 파장에 대한 광투과율을 측정하였다. 광투과율은 %로 나타낸다.
아웃개싱
상기 경화층이 형성된 기판을 100℃에서 10분간 열처리하였을 때 발생되는 TVOC를 TD-GC/MS(제조사명: Perkin Elmer 모델명: QP2010 Series)를 이용하여 아웃개싱을 측정하였다.
석출 여부
제조한 기판에 대해 석출에 의한 표면 돌기 등의 현상에 대하여 광학현미경을 통해 검사 평가하였다. 석출 (돌기 및 분화구 등) 없이 양호할 경우 ◎, 석출 (돌기 및 분화구 등) 현상 발생하였을 경우 X로 표기하였다.
상기 시험 결과들은 하기 표 2에 나타내었다.
[표 2]
상기 표 2에서 보듯이, 본 발명의 일 구현예에 따른 자외선 흡수 화합물은 390nm 이하의 파장에서의 자외선 흡수가 뛰어남을 알 수 있다.
또한, 상기 실시예 1 내지 실시예 4에서 제조한 봉지재 조성물은 각 성분을 3시간 교반한 후에는 자외선 흡수 화합물이 잘 용해되었음을 확인할 수 있었다. 반면에, 비교예 1 내지 비교예 4의 봉지재 조성물의 경우 자외선 흡수 화합물이 잘 용해되지 않아 침전이 형성되었음을 알 수 있다.
또한, 상기 표 2에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 4에 따라 제조한 봉지재는 경화도 및 표면 경도가 뛰어날 뿐 아니라, 자외선에 대한 광 투과율이 낮음을 알 수 있다. 뿐만 아니라, 아웃개싱의 정도가 낮고 자외선 화합물의 석출성이 낮아 봉지막으로서의 물성이 뛰어나다.
반면에, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조한 봉지재는 막 형성시 자외선 흡수 화합물이 표면으로부터 석출되어 매끄럽지 않음을 알 수 있다.

Claims (9)

  1. 하기 화학식 I의 자외선 흡수 화합물:
    [화학식 I]

    상기 화학식에서,
    R1은 수소 원자 또는 할로겐 원자이고;
    R2는 수소 원자이고;
    R3는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C10 알킬기 또는 C6-C12 아릴기이고;
    R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소원자 또는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C6 알킬기이다.
  2. 제1항에 있어서,
    하기 화합물 1 내지 화합물 4중 어느 하나인 자외선 흡수 화합물:
    <화합물 1>

    <화합물 2>

    <화합물 3>

    <화합물 4>

  3. 제1항에 있어서,
    350 nm 내지 380nm 파장의 광에 대한 몰 흡광계수가 1,000 이상인 자외선 흡수 화합물.
  4. 하기 화학식 1의 플루오레닐 마그네슘할로게나이드를 하기 화학식 2의 시아누릭 클로라이드와 반응시켜 하기 화학식 3의 디플루오레닐 시아누릭 클로라이드를 얻는 단계;
    상기 화학식 3의 디플루오레닐 시아누릭 클로라이드과 하기 화학식 4의 레조르시놀을 반응시켜 하기 화학식 5의 레조르시놀 치환된 디플루오레닐 시아누릭 화합물을 얻는 단계; 및
    상기 레조르시놀 치환된 디플루오레닐 시아누릭 화합물과 알킬할라이드를 반응시켜 화학식 I의 화합물을 얻는 단계;
    를 포함하는 하기 화학식 I의 자외선 흡수 화합물의 제조방법:
    [화학식 1]

    [화학식 2]

    [화학식 3]

    [화학식 4]

    [화학식 5]

    [화학식 I]

    상기 화학식에서,
    R1은 수소 원자 또는 할로겐 원자이고;
    R2는 수소 원자이고;
    R3는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C10 알킬기 또는 C6-C12 아릴기이고;
    R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소원자 또는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C6 알킬기이다.
  5. 광경화성 수지; 및 하기 화학식 I의 자외선 흡수 화합물을 포함하는 봉지재 조성물:
    [화학식 I]

    상기 화학식에서,
    R1은 수소 원자 또는 할로겐 원자이고;
    R2는 수소 원자이고;
    R3는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C10 알킬기 또는 C6-C12 아릴기이고;
    R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소원자 또는 비치환, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C6 알킬기이다.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 자외선 흡수 화합물을 상기 광경화성 수지 100중량부에 대하여 1 중량부 내지 10 중량부의 함량으로 포함하는 봉지재 조성물.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 자외선 흡수 화합물은 하기 화합물 1 내지 화합물 4중 어느 하나인 봉지재 조성물:
    <화합물 1>

    <화합물 2>

    <화합물 3>

    <화합물 4>
    .
  8. 제5항에 따른 봉지재 조성물의 경화물인 봉지재.
  9. 제8항에 있어서,
    플렉서블 디스플레이용인 봉지재.

KR1020190115690A 2019-09-19 2019-09-19 자외선 흡수 화합물 및 이를 포함하는 봉지재 조성물 KR102698190B1 (ko)

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