KR102504552B1 - Flushing condition setting apparatus and flushing condition setting method of semiconductor manufacturing parts - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 장치 및 플러싱 조건 결정 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 밸브나 필터 등 반도체 제조 부품의 플러싱 유닛을 매엽식 세정 유닛과 결합함으로써 플러싱 조건을 결정하도록 하는 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 장치 및 플러싱 조건 결정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for determining a flushing condition of a semiconductor manufacturing component and a method for determining a flushing condition, and more particularly, to a semiconductor manufacturing device for determining a flushing condition by combining a flushing unit of a semiconductor manufacturing component such as a valve or a filter with a single wafer type cleaning unit. It relates to a device for determining a flushing condition of a component and a method for determining a flushing condition.
반도체 제조 장비에는 일반적으로 수십~수백개의 부품이 포함되어 있으며 반도체의 수율에 영향을 미치지 않도록 이물질인 파티클의 발생 수준(크기와 개수 또는 밀도)이 소정의 범위 내에서 유지되도록 관리되어야 한다.Semiconductor manufacturing equipment generally includes tens to hundreds of parts, and the generation level (size, number, or density) of foreign particles must be maintained within a predetermined range so as not to affect the yield of semiconductors.
특히 반도체 제조 공정에는, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 약액 등의 처리액을 공급함으로써 그 기판에 에칭 처리나 세정 처리 등의 액처리를 실시하는 액처리 공정이 포함된다.Particularly, a semiconductor manufacturing process includes a liquid processing process in which liquid processing such as an etching process or a cleaning process is performed on a substrate by supplying a processing liquid such as a chemical liquid to a substrate such as a semiconductor wafer.
이러한 액처리 공정은 다수의 액처리 유닛을 포함하는 액처리 장치에 의해 실행된다.This liquid treatment process is performed by a liquid treatment apparatus including a plurality of liquid treatment units.
상기 액처리 장치를 구성하는 각 액처리 유닛으로는 처리액 공급 기구로부터 처리액이 분기되어 공급되며, 상기 처리액 공급기구는 탱크와, 탱크로부터 나와 탱크로 되돌아가는 순환 라인을 구비하는 것이 일반적이다.Treatment liquid is branched and supplied from a treatment liquid supply mechanism to each liquid treatment unit constituting the liquid treatment device, and the treatment liquid supply mechanism generally includes a tank and a circulation line returning from the tank to the tank. .
즉, 상기 순환 라인에는 복수의 분기 라인이 병렬로 접속되어 있고, 각 분기 라인으로부터 대응하는 액처리 유닛에 처리액이 공급된다.That is, a plurality of branch lines are connected in parallel to the circulation line, and a processing liquid is supplied to a corresponding liquid processing unit from each branch line.
이 경우, 상기 순환 라인에는 파티클 등의 오염 물질이 액처리 유닛에 공급되는 것을 방지하기 위해 필터가 설치되어 있으며 처리액의 유동방향을 변환하기 위한 밸브도 설치되어 있다.In this case, a filter is installed in the circulation line to prevent contaminants such as particles from being supplied to the liquid processing unit, and a valve for changing the flow direction of the treatment liquid is also installed.
상기 밸브와 필터는 정기적으로 교환되어 고장이나 오작동으로 인한 반도체 수율의 저하를 방지하고 있다.The valve and filter are regularly exchanged to prevent a decrease in semiconductor yield due to failure or malfunction.
일반적으로, 상기 밸브와 필터는 반도체 제조회사가 별도의 부품 제조업체로부터 구입하여 교체하게 되는데, 파티클에 의해 오염되었을 가능성이 있는 관계로 별도의 플러싱 유닛에서 설정된 시간 동안 순수(DIW) 등으로 플러싱한 후 교체하고 있다.In general, the valve and filter are purchased and replaced by a semiconductor manufacturer from a separate component manufacturer. Since they may be contaminated by particles, after flushing with pure water (DIW) for a set time in a separate flushing unit, are replacing
그러나, 반도체 제조회사가 반입 시간대와는 상관없이 경험적인 데이터를 기초로 일률적으로 플러싱 시간을 정하여 세척하기 때문에 반입되는 부품에 따라서는 필요 이상 장시간 플러싱하게 되어 생산성이 저하하는 경우가 있었다.However, since semiconductor manufacturers set the flushing time uniformly based on empirical data regardless of the delivery time zone, there is a case where the product is flushed for a longer time than necessary depending on the imported part, resulting in a decrease in productivity.
반대로, 특정 시간대에 반입한 밸브 또는 필터는 오염도가 심한데도 플러싱 시간이 짧게 설정되어 있어 여전히 기준 이상의 파티클을 포함하는 경우도 있어 반도체 수율에 악영향을 미치는 경우도 있었다.Conversely, valves or filters brought in during a specific time period may still contain particles above the standard because the flushing time is set short even though the degree of contamination is severe, which adversely affects the semiconductor yield.
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 특정 시간대에 반입한 밸브 또는 필터 등 반도체 제조 부품의 최적 플러싱 시간을 미리 예측하여 그 반입 시간대의 전체 부품에 적용할 수 있도록 함으로써 파티클이 소정의 기준 내에 포함되면서도 플러싱 시간을 단축하여 생산성을 높이고 제조원가를 크게 절감할 수 있는 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 장치 및 플러싱 조건 결정 방법을 제공하는데 있다.The present invention was made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to predict in advance the optimal flushing time of semiconductor manufacturing parts such as valves or filters brought in at a specific time period and apply it to all parts during the time period It is an object of the present invention to provide a device for determining a flushing condition for a semiconductor manufacturing component and a method for determining a flushing condition, which can increase productivity and greatly reduce manufacturing cost by shortening the flushing time while particles are included within a predetermined standard.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 장치는,In order to achieve the above object, the flushing condition determination device for semiconductor manufacturing parts according to the present invention,
부품의 세척을 수행하기 위한 플러싱 유닛;a flushing unit for performing cleaning of parts;
배관을 통해 상기 플러싱 유닛과 연결되어 플러싱 유닛에서 배출되는 플러싱액을 기판에 분사하기 위한 매엽식 세정 유닛; 및a single-wafer type cleaning unit connected to the flushing unit through a pipe and spraying the flushing liquid discharged from the flushing unit onto a substrate; and
상기 기판 상부에 존재하는 파티클의 발생 수준을 검사하기 위한 계측 유닛;a measurement unit for inspecting the generation level of particles present on the substrate;
을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it is configured to include.
상기 반도체 제조부품은 필터 또는 밸브이며, 상기 플러싱 유닛은 상기 필터 또는 밸브에 플러싱액을 공급하기 위한 세정 유체 공급부와, 플러싱액의 압력이나 유량을 가변시키기 위한 유체 상태 가변 부품과, 플러싱액의 공급 및 단속을 위한 개별 작동부를 포함하며, 상기 밸브를 반복적으로 개폐하기 위한 개폐 작동부가 내장되어 있는 것을 특징으로 한다.The semiconductor manufacturing component is a filter or a valve, and the flushing unit includes a cleaning fluid supply unit for supplying flushing liquid to the filter or valve, a fluid state variable component for varying the pressure or flow rate of the flushing liquid, and supply of the flushing liquid and an individual operating unit for regulation, characterized in that an opening/closing operation unit for repeatedly opening and closing the valve is built-in.
또한 본 발명에 따른 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 방법은,In addition, the method for determining the flushing conditions of semiconductor manufacturing parts according to the present invention,
반도체 제조부품을 플러싱 유닛에 수용하고 소정 시간 플러싱하는 제1 단계;A first step of accommodating semiconductor manufacturing parts in a flushing unit and flushing for a predetermined period of time;
상기 소정 시간 후 플러싱 유닛에서 배출되는 플러싱액을 매엽식 세정 유닛에 설치된 기판에 분사하는 제2 단계;a second step of spraying the flushing liquid discharged from the flushing unit after the predetermined period of time to the substrate installed in the single-wafer type cleaning unit;
상기 기판 상부에 존재하는 파티클의 발생 수준을 검사하는 제3 단계; 및a third step of inspecting the generation level of particles present on the substrate; and
상기 제3 단계에서 검사된 파티클의 발생 수준이 기준치 내에 있는 경우 플러싱한 전체 시간을 반도체 제조 부품의 플러싱 시간으로 결정하는 제4 단계;a fourth step of determining a total flushing time as a flushing time of the semiconductor manufacturing parts when the generation level of the particles inspected in the third step is within a reference value;
를 포함하는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it includes.
상기 제3 단계에서 검사된 파티클의 발생 수준이 기준치를 넘는 경우, 제1 단계로 돌아가서 추가적으로 플러싱하는 제5 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.and a fifth step of additionally flushing by returning to the first step when the generation level of particles inspected in the third step exceeds the reference value.
제5 단계에서 소정 시간을 새롭게 설정하는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that a predetermined time is newly set in the fifth step.
상기 반도체 제조부품은 밸브이며, 상기 제1 단계에서 상기 밸브를 개폐하면서 플러싱하며, 제4 단계에서 카운팅된 전체 개폐 회수를 플러싱 조건에 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The semiconductor manufacturing component is a valve, and flushing is performed while opening and closing the valve in the first step, and the flushing condition further includes the total number of opening and closing times counted in the fourth step.
상기 밸브의 개폐 주기(시간당 개폐 회수)를 플러싱 조건에 더 포함하는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the flushing condition further includes an opening/closing cycle (the number of opening/closing times per hour) of the valve.
상기 제1 단계에서 플러싱 유량이나 유압의 맥동을 플러싱 조건에 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In the first step, a flushing flow rate or hydraulic pressure pulsation may be further included as a flushing condition.
전술한 바와 같은 구성의 본 발명에 따르면, 반도체 제조부품을 플러싱 유닛에 수용하고 소정 시간 플러싱하는 제1 단계, 상기 소정 시간 후 플러싱 유닛에서 배출되는 플러싱액을 매엽식 세정 유닛에 설치된 기판에 분사하는 제2 단계, 상기 기판 상부에 존재하는 파티클의 발생 수준을 검사하는 제3 단계 및, 상기 제3 단계에서 검사된 파티클의 발생 수준이 기준치 내에 있는 경우 플러싱한 전체 시간을 반도체 제조 부품의 플러싱 시간으로 결정하는 제4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하므로, 특정 시간대에 반입된 밸브 또는 필터 등 반도체 제조 부품의 최적 플러싱 시간을 미리 예측하여 그 반입 시간대의 전체 부품에 적용할 수 있도록 함으로써 파티클이 소정의 기준 내에 포함되면서도 플러싱 시간을 단축하여 생산성을 높이고 제조원가를 크게 절감할 수 있다는 이점이 있다.According to the present invention having the configuration as described above, the first step of accommodating the semiconductor manufacturing component in the flushing unit and flushing for a predetermined time, spraying the flushing liquid discharged from the flushing unit after the predetermined time to the substrate installed in the single-wafer type cleaning unit The second step, the third step of inspecting the level of generation of particles existing on the substrate, and the total flushing time when the level of generation of particles inspected in the third step is within the reference value is the flushing time of the semiconductor manufacturing parts It is characterized in that it includes a fourth step of determining, so that the optimal flushing time of semiconductor manufacturing parts such as valves or filters brought in in a specific time period is predicted in advance and applied to all parts in the time period brought in, so that the particles meet the predetermined criteria. It has the advantage of reducing the flushing time, increasing productivity and significantly reducing manufacturing costs.
또한 본 발명에 따르면, 상기 반도체 제조부품은 밸브로서 상기 제1 단계에서 상기 밸브를 개폐하면서 플러싱하며, 제4 단계에서 카운팅된 전체 개폐 회수를 플러싱 조건에 더 포함하는 것을 특징으로 하므로, 실제 밸브 작동시에 밸브체가 왕복운동하면서 개폐 동작할 때 밸브 포트와 접촉하면서 파티클이 나올 수 있는 것까지 고려하여 플러싱 조건을 설정할 수 있다는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, since the semiconductor manufacturing component is a valve, flushing while opening and closing the valve in the first step, and further including the total number of opening and closing times counted in the fourth step as a flushing condition, the actual valve operation There is an effect that the flushing conditions can be set in consideration of the fact that particles may come out while contacting the valve port when the valve body reciprocates while opening and closing.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 장치를 나타내는 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 방법의 일 예를 나타내는 순서도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 방법의 다른 예를 나타내는 순서도이다.1 is a configuration diagram showing an apparatus for determining flushing conditions for semiconductor manufacturing components according to the present invention.
2 is a flowchart illustrating an example of a method for determining flushing conditions of a semiconductor manufacturing component according to the present invention.
3 is a flowchart showing another example of a method for determining flushing conditions of a semiconductor manufacturing component according to the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 장치(1000)는, 부품의 세척을 수행하기 위한 플러싱 유닛(100), 배관을 통해 상기 플러싱 유닛(100)과 연결되어 플러싱 유닛(100)에서 배출되는 플러싱액을 기판에 분사하기 위한 매엽식 세정 유닛(200) 및, 상기 기판 상부에 존재하는 파티클의 발생 수준을 검사하기 위한 계측 유닛(300)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the
상기 반도체 제조 부품으로는 밸브나 필터 등이 대표적이며 그 외에 약액의 순환 라인에 포함될 수 있는 다른 부품이 채택될 수 있다.As the semiconductor manufacturing component, a valve or a filter is typical, and other components that can be included in the circulation line of the chemical liquid may be adopted.
도면에서는 밸브 플러싱을 위한 밸브 플러싱 유닛(110)과 필터 플러싱을 위한 필터 플러싱 유닛(120)이 도시되어 있다.In the drawing, a
상기 플러싱 유닛(120)은 상기 필터 또는 밸브에 플러싱액을 공급하기 위한 세정 유체 공급부(미도시)와, 플러싱액의 압력이나 유량을 가변시키기 위한 유체 상태 가변 부품(미도시)과, 플러싱액의 공급 및 단속을 위한 개별 작동부(미도시)를 포함하며, 상기 밸브를 반복적으로 개폐하기 위한 개폐 작동부(400)가 내장될 수 있다.The
이러한 구성에 따라, 반도체 제조 부품을 소정 시간 플러싱할 때 밸브를 개폐하거나, 압력이나 유량에 주기적인 맥동을 주면서 흘려보내고 난 후 배출되는 플러싱액을 매엽식 세정 유닛(200)에 설치된 기판에 분사하고, 이 기판 상의 파티클의 발생 수준을 검사함으로써 상기 소정 시간의 플러싱이 충분한 것인지 판단할 수 있게 된다.According to this configuration, when flushing semiconductor manufacturing parts for a predetermined time, the valve is opened or closed, or the flushing liquid discharged after flowing while giving periodic pulsations in pressure or flow rate is sprayed on the substrate installed in the single-wafer
물론, 압력이나 유량의 맥동 또는 밸브의 주기적 개폐없이 순수하게 플러싱만 수행하는 것도 가능하다.Of course, it is also possible to perform purely flushing without pulsation of pressure or flow rate or periodic opening and closing of valves.
이 경우, 상기 소정 시간의 플러싱으로도 반도체 제조 부품의 세척이 충분하다고 판단되면, 그 반도체 제조 부품과 함께 반입된 전체 부품에 대해서는 상기 소정 시간으로 플러싱을 실시할 수 있게 된다.In this case, if it is determined that the washing of the semiconductor manufacturing parts is sufficient even with the flushing for the predetermined time, flushing can be performed for the predetermined time for all the parts brought in together with the semiconductor manufacturing parts.
그렇지 않고, 상기 소정 시간의 플러싱 후 배출된 플러싱액에 기준치 이상의 파티클이 포함되는 경우에는 추가 시간을 할애하여 추가적인 플러싱을 수행하게 되며, 파티클이 기준치 이하로 나올 때까지 동일한 과정을 반복하면 된다.Otherwise, if the flushing liquid discharged after flushing for the predetermined period of time contains particles greater than the standard value, additional flushing is performed by spending an additional amount of time, and the same process may be repeated until the number of particles falls below the standard value.
특히, 상기 반도체 제조부품은 밸브이며, 상기 플러싱 유닛(100)에는 상기 밸브를 반복적으로 개폐하기 위한 밸브 개폐 작동부(400)가 내장되어 있어 밸브의 개폐 작동과 동시에 플러싱을 실시하여 플러싱 조건을 결정할 수도 있다.In particular, the semiconductor manufacturing component is a valve, and the
이는, 밸브를 플러싱 완료하여 밸브 표면에 파티클이 남아았지 않더라도 실제 밸브 작동시에는 밸브체가 왕복운동하면서 개폐 동작할 때 밸브 포트와 접촉하면서 파티클이 갈려나올 수 있으며, 이러한 파티클이 반도체 수율에 악영향을 미칠 수 있기 때문에 이를 고려하여 플러싱 조건을 정하기 위함이다.This means that even if no particles remain on the valve surface after the valve is flushed, during actual valve operation, the valve body reciprocates while opening and closing, and particles may come out while contacting the valve port, and these particles may adversely affect the semiconductor yield. This is to set the flushing conditions considering this.
즉, 밸브체의 반복적인 개폐 동작을 통해 접촉 부위가 윤이나면서 오히려 강화되면 그 후에는 접촉에 의해서도 좀처럼 파티클이 발생하지 않게 되는 현상을 이용하여, 실제 밸브 동작 중에도 파티클이 발생하지 않는 것까지 고려한 플러싱 조건(레시피)을 얻을 수 있다.In other words, if the contact area is polished and rather strengthened through repeated opening and closing operations of the valve body, then by using the phenomenon that particles are hardly generated even by contact, flushing considering that no particles are generated even during actual valve operation condition (recipe) can be obtained.
도 2와 도 3을 참고하여 본 발명에 따른 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 방법을 보다 구체적으로 기술하면 이하와 같다.Referring to FIGS. 2 and 3 , a method for determining flushing conditions of a semiconductor manufacturing component according to the present invention will be described in detail as follows.
(1) 제1 단계(S1)(1) First step (S1)
먼저, 반도체 제조부품을 플러싱 유닛(100)에 수용하고 소정 시간(t) 플러싱한다.First, a semiconductor manufacturing component is accommodated in the
상기 소정 시간(t)은 기존에 일률적으로 적용한 플러싱 시간보다는 적게 설정하는 것이 바람직하다.It is preferable to set the predetermined time (t) less than the previously uniformly applied flushing time.
(2) 제2 단계(S2)(2) Second step (S2)
상기 소정 시간 후 플러싱 유닛(100)에서 배출되는 플러싱액을 매엽식 세정 유닛(200)에 설치된 기판에 분사한다.After the predetermined time, the flushing liquid discharged from the
이 경우, 상기 매엽식 세정 유닛(200)에서는 기판을 세정할 경우와 동일한 조건을 적용하는 것이 바람직하다.In this case, it is preferable to apply the same conditions as in the case of cleaning the substrate in the single wafer
이는, 후속하는 기판 검사가 기판의 정상적인 세정을 전제로 세팅되어 있기 때문이다.This is because the subsequent substrate inspection is set on the premise of normal cleaning of the substrate.
(3) 제3 단계(S3)(3) The third step (S3)
상기 기판 상부에 존재하는 파티클의 발생 수준을 검사한다.The generation level of particles existing on the substrate is inspected.
구체적로는, 기판 상에서 존재하는 상기 파티클의 밀도(단위 면적당 차지하는 면적) 등을 검사하며, 기판 세정 후 검사하는 통상적인 방법이 채택될 수 있다.Specifically, a conventional method of inspecting the density (area occupied per unit area) of the particles existing on the substrate and inspecting the substrate after cleaning may be adopted.
(4) 제4 단계(S4)(4) Fourth step (S4)
상기 제3 단계에서 검사된 파티클의 발생 수준이 기준치 내에 있는 경우 플러싱한 전체 시간을 반도체 제조 부품의 플러싱 시간(조건)으로 결정한다.When the generation level of the particles inspected in the third step is within the reference value, the total flushing time is determined as the flushing time (condition) of the semiconductor manufacturing parts.
즉, 검사 대상의 반도체 제조부품과 함께 반입된 전체 부품에 대하여 동일한 플러싱 시간을 설정하도록 한다.That is, the same flushing time is set for all parts brought in together with semiconductor manufacturing parts to be inspected.
이에 따라, 상기 반입된 부품에 대해서는 동일한 플러싱 시간으로 최적의 플러싱을 수행할 수 있다.Accordingly, optimum flushing can be performed with the same flushing time for the loaded parts.
(5) 제5 단계(S5)(5) Fifth Step (S5)
한편, 상기 제3 단계(S3)에서 검사된 파티클의 발생 수준이 기준치를 넘는 경우 제1 단계로 돌아가서 추가적으로 플러싱한다.On the other hand, when the generation level of the particles inspected in the third step (S3) exceeds the reference value, the first step is returned to additional flushing.
즉, 플러싱 시간을 별도로 할애하여 추가적인 플러싱을 수행하고, 기판에 분사한 후 기판 상의 파티클 발생 수준의 검사를 수행하여 파티클의 발생 수준이 기준치 이내에 있을 때까지 상기 과정을 반복한다.That is, additional flushing is performed by setting aside a flushing time, spraying is performed on the substrate, and then the particle generation level on the substrate is inspected, and the above process is repeated until the particle generation level is within the standard value.
본 단계에서, 추가적인 시간은 새롭게 설정할 수도 있고 제1 단계(S)에서의 소정 시간과 동일할 수도 있다.In this step, the additional time may be newly set or may be the same as the predetermined time in the first step (S).
예컨대, 소정 시간이 30분인 경우, 추가 시간은 30분 그대로이거나, 20분으로 새롭게 설정될 수 있다.For example, when the predetermined time is 30 minutes, the additional time may remain as 30 minutes or be newly set to 20 minutes.
이와 같은, 제1 단계(S1)로부터 제5 단계(S5)를 통해 반도체 제조 부품의 플러싱 조건이 적절히 결정된다.As described above, the flushing conditions of the semiconductor manufacturing parts are appropriately determined through the first step ( S1 ) to the fifth step ( S5 ).
한편, 상기 반도체 제조부품이 밸브일 경우, 상기 제1 단계(S1)에서 상기 밸브를 개폐하면서 플러싱하며, 제4 단계(S4)에서 카운팅된 전체 개폐 회수를 플러싱 조건에 포함할 수 있다.Meanwhile, when the semiconductor manufacturing component is a valve, flushing is performed while opening and closing the valve in the first step (S1), and the total number of opening and closing times counted in the fourth step (S4) may be included in the flushing conditions.
즉, 플러싱 조건으로서 플러싱 시간과 밸브 개폐 회수(카운팅)를 동시에 포함할 수 있다.That is, as the flushing conditions, the flushing time and the number of opening/closing (counting) of the valve may be simultaneously included.
이와 같은 경우에는, 파티클의 발생 수준이 기준치 내에 있는 플러싱 시간에 밸브체와 접촉하는 부위가 윤이나면서 거의 파티클이 발생하지 않는 것으로 판단할 수 있으며, 반입된 전체 반도체 제조부품의 플러싱 작업에 적용할 수 있다.In this case, it can be determined that almost no particles are generated while the area in contact with the valve body is polished during the flushing time when the level of particle generation is within the standard value. there is.
또한, 전술한 밸브 개폐 회수 외에, 상기 밸브의 개폐 주기(시간당 개폐 회수)나 상기 제1 단계(S1)에서 플러싱 유량과 유압의 맥동(파(wave)의 진폭이나 주기) 등을 플러싱 조건에 추가적으로 포함할 수도 있다.In addition to the above-described valve opening and closing times, the valve opening and closing cycle (opening and closing times per hour) or the flushing flow rate and hydraulic pulsation (wave amplitude or cycle) in the first step (S1) are additionally added to the flushing conditions may also include
본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위 내에서 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다The embodiments of the present invention are merely illustrative, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible within the scope of the claims below.
100... 플러싱 유닛
110... 밸브 플러싱 유닛
120... 필터 플러싱 유닛
200... 매엽식 세정 유닛
300... 계측 유닛
400... 밸브 개폐 작동부
1000... 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 장치100... flushing unit
110... valve flushing unit
120 ... filter flushing unit
200... single-fed cleaning unit
300... measuring unit
400... Valve opening and closing operation part
1000... device for determining flushing conditions of semiconductor manufacturing parts
Claims (8)
배관을 통해 상기 플러싱 유닛과 연결되어 플러싱 유닛에서 배출되는 플러싱액을 기판에 분사하기 위한 매엽식 세정 유닛; 및
상기 기판 상부에 존재하는 파티클의 발생 수준을 검사하기 위한 계측 유닛;
을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 장치.a flushing unit for performing cleaning of parts;
a single-wafer type cleaning unit connected to the flushing unit through a pipe and spraying the flushing liquid discharged from the flushing unit onto a substrate; and
a measurement unit for inspecting the generation level of particles present on the substrate;
An apparatus for determining a flushing condition for a semiconductor manufacturing component, characterized in that it comprises a.
상기 반도체 제조부품은 필터 또는 밸브이며, 상기 플러싱 유닛은 상기 필터 또는 밸브에 플러싱액을 공급하기 위한 세정 유체 공급부와, 플러싱액의 압력이나 유량을 가변시키기 위한 유체 상태 가변 부품과, 플러싱액의 공급 및 단속을 위한 개별 작동부를 포함하며, 상기 밸브를 반복적으로 개폐하기 위한 개폐 작동부가 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 장치. According to claim 1,
The semiconductor manufacturing component is a filter or a valve, and the flushing unit includes a cleaning fluid supply unit for supplying flushing liquid to the filter or valve, a fluid state variable component for varying the pressure or flow rate of the flushing liquid, and supply of the flushing liquid and an individual operating unit for interruption, wherein an opening/closing operation unit for repeatedly opening and closing the valve is built-in.
상기 소정 시간 후 플러싱 유닛에서 배출되는 플러싱액을 매엽식 세정 유닛에 설치된 기판에 분사하는 제2 단계;
상기 기판 상부에 존재하는 파티클의 발생 수준을 검사하는 제3 단계; 및
상기 제3 단계에서 검사된 파티클의 발생 수준이 기준치 내에 있는 경우 플러싱한 전체 시간을 반도체 제조 부품의 플러싱 시간으로 결정하는 제4 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 방법.A first step of accommodating semiconductor manufacturing parts in a flushing unit and flushing for a predetermined period of time;
a second step of spraying the flushing liquid discharged from the flushing unit after the predetermined period of time to the substrate installed in the single-wafer type cleaning unit;
a third step of inspecting the generation level of particles present on the substrate; and
a fourth step of determining a total flushing time as a flushing time of the semiconductor manufacturing parts when the generation level of the particles inspected in the third step is within a reference value;
A method for determining a flushing condition for a semiconductor manufacturing component, comprising:
상기 제3 단계에서 검사된 파티클의 발생 수준이 기준치를 넘는 경우, 제1 단계로 돌아가서 추가적으로 플러싱하는 제5 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 방법.According to claim 3,
and a fifth step of performing additional flushing by returning to the first step when the generation level of particles inspected in the third step exceeds the reference value.
제5 단계에서 소정 시간을 새롭게 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 방법.According to claim 4,
A method for determining flushing conditions for semiconductor manufacturing parts, characterized in that a predetermined time is newly set in the fifth step.
상기 반도체 제조부품은 밸브로서 상기 제1 단계에서 상기 밸브를 개폐하면서 플러싱하며, 제4 단계에서 카운팅된 전체 개폐 회수를 플러싱 조건에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 방법.According to any one of claims 3 to 5,
Wherein the semiconductor manufacturing component is a valve, flushing while opening and closing the valve in the first step, and further comprising, as a flushing condition, a total number of opening and closing times counted in the fourth step.
상기 밸브의 개폐 주기(시간당 개폐 회수)를 플러싱 조건에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 방법.According to claim 6,
The method of determining the flushing condition of a semiconductor manufacturing part, characterized in that the flushing condition further includes the opening and closing cycle (the number of opening and closing times per hour) of the valve.
상기 제1 단계에서 플러싱 유량이나 유압의 맥동을 플러싱 조건에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 방법.According to claim 6,
A method for determining a flushing condition for a semiconductor manufacturing component, characterized in that the flushing flow rate or pulsation of hydraulic pressure in the first step is further included as the flushing condition.
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102504552B1 true KR102504552B1 (en) | 2023-03-02 |
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05253853A (en) * | 1992-03-10 | 1993-10-05 | Sony Corp | Flake absorber and washing method for flake absorber |
| KR19990081141A (en) * | 1998-04-27 | 1999-11-15 | 김영환 | Parts cleaning device of semiconductor cleaning equipment |
| JP3003550B2 (en) * | 1995-06-22 | 2000-01-31 | 信越半導体株式会社 | Method and apparatus for measuring and evaluating cleanliness of wafer storage member |
| KR20090056544A (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-03 | 주식회사 동부하이텍 | Cleaner equipped with apparatus for measuring a pollution level of cleaning solvent and method for measuring a pollution level of cleaning solvent |
| JP2009523314A (en) * | 2005-12-05 | 2009-06-18 | セミトゥール・インコーポレイテッド | Cleaning and drying apparatus and method for semiconductor workpiece container |
| KR20150060547A (en) | 2013-11-25 | 2015-06-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Filter cleaning method, liquid processing apparatus and storage medium |
-
2021
- 2021-09-10 KR KR1020210121088A patent/KR102504552B1/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05253853A (en) * | 1992-03-10 | 1993-10-05 | Sony Corp | Flake absorber and washing method for flake absorber |
| JP3003550B2 (en) * | 1995-06-22 | 2000-01-31 | 信越半導体株式会社 | Method and apparatus for measuring and evaluating cleanliness of wafer storage member |
| KR19990081141A (en) * | 1998-04-27 | 1999-11-15 | 김영환 | Parts cleaning device of semiconductor cleaning equipment |
| JP2009523314A (en) * | 2005-12-05 | 2009-06-18 | セミトゥール・インコーポレイテッド | Cleaning and drying apparatus and method for semiconductor workpiece container |
| KR20090056544A (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-03 | 주식회사 동부하이텍 | Cleaner equipped with apparatus for measuring a pollution level of cleaning solvent and method for measuring a pollution level of cleaning solvent |
| KR20150060547A (en) | 2013-11-25 | 2015-06-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Filter cleaning method, liquid processing apparatus and storage medium |
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