KR101960153B1 - 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 290
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims abstract description 157
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 13
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 181
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 150
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 69
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 175
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 50
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 32
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 16
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006266 hibernation Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0938—Using specific optical elements
- G02B27/095—Refractive optical elements
- G02B27/0955—Lenses
- G02B27/0966—Cylindrical lenses
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- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
- G02B19/0004—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
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- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
- G02B19/0033—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
도 2는 한쌍의 마이크로 플라이 아이 렌즈를 모식적으로 도시하는 사시도,
도 3은 조명 동공면에 형성되는 원형 형상의 2차 광원을 도시하는 모식도,
도 4의 (a)는 레티클상에 형성되는 조명 영역을 도시하는 모식도이며, (b)는 웨이퍼상에 형성되는 정지 노광 영역을 도시하는 모식도,
도 5는 정지 노광 영역 내의 중심점에 입사하는 입사광에 의해 형성되는 제 1 동공 강도 분포를 도시하는 모식도,
도 6은 정지 노광 영역 내의 주변점에 입사하는 입사광에 의해 형성되는 제 2 동공 강도 분포를 도시하는 모식도,
도 7의 (a)는 정지 노광 영역 내의 중심점에 대응하는 제 1 동공 강도 분포의 Z축 방향을 따른 광 강도를 도시하는 그래프이며, (b)는 정지 노광 영역 내의 주변점에 대응하는 제 2 동공 강도 분포의 Z축 방향을 따른 광 강도를 도시하는 그래프,
도 8은 제 1 실시형태에 있어서 분포 보정 광학계를 도시하는 개략 구성도,
도 9는 제 1 실시형태에 있어서 투과 필터를 모식적으로 도시하는 정면도,
도 10은 투과 필터를 Y축 방향을 따라 이동시켰을 경우의 작용도,
도 11은 투과 필터를 Y축 방향을 따라 이동시켰을 경우의 작용도,
도 12는 투과 필터를 Y축 방향을 따라 이동시켰을 경우의 작용도,
도 13은 투과 필터를 Y축 방향을 따라 이동시켰을 경우의 작용도,
도 14의 (a)는 제 2 실시형태에 있어서 분포 보정 광학계를 도시하는 개략 구성도이며, (b)는 각 투과 필터를 모식적으로 도시하는 정면도,
도 15는 제 3 실시형태에 있어서 분포 보정 광학계를 도시하는 개략 구성도,
도 16은 디바이스의 제조 예의 플로우 챠트,
도 17은 반도체 디바이스의 경우의 기판 처리에 관한 상세한 플로우 챠트.
12 : 광원장치
13 : 조명 광학계
15 : 투영 광학계
26 : 옵티컬 인테그레이터
27 : 조명 동공면
28 : 광학 소자로서의 제 1 콘덴서 광학계
30 : 제 1 광학 소자로서의 제 2 콘덴서 광학계
33 : 제 2 광학 소자로서의 입사측 렌즈군
36 : 동공 강도 분포 측량 장치
40 : 제어 장치
42 : 개구 조리개
50a, 51a : 입사면
52 내지 55 : 단위 파면 분할면으로서의 실린드리컬 렌즈면
60a 내지 60d : 영역으로서의 면 광원
63 : 제 1 조정 영역
64, 81, 82, 81A, 82A : 투과 필터
64a : 광투과성 부재
65a 내지 65d : 패턴 영역, 부분 영역으로서의 필터 영역
70 : 이동 기구
72 : 구동원
80 : 제 2 조정 영역
83 : 상면 공역면
AX : 광축
D1 내지 D3 : 분할면
EL : 노광 광
ER1 : 조사 영역으로서의 조명 영역
ER2 : 조사 영역으로서의 정지 노광 영역
P1a 내지 P3a, P1b 내지 P3b : 소정의 점으로서의 점
Ra : 피조사면
W : 기판으로서의 웨이퍼
Wa : 피조사면으로서의 표면
Claims (20)
- 광원으로부터의 조명 광으로 피조사면을 조명하는 조명 광학계에 있어서,
상기 조명 광학계의 광축과 교차하는 제 1 방향에 있어서의 투과율이 불균일인 영역을 구비하고, 상기 조명 광학계의 조명 동공 상의 제 1 위치로부터 제 2 방향을 따라서 진행하는 제 1 광이 상기 영역 내의 제 2 위치에 입사하고, 상기 조명 광학계의 조명 동공 상의 상기 제 1 위치로부터 제 3 방향을 따라서 진행하는 제 2 광이 상기 영역 내의 제 3 위치에 입사하도록 배치된 광 투과 부재와,
상기 광 투과 부재를 거친 상기 제 1 광과, 상기 조명 동공 상의 상기 제 1 위치와는 상이한 제 4 위치로부터 상기 제 2 방향을 따라서 진행하고 상기 광 투과 부재를 통과한 제 3 광을 상기 피조사면 상의 제 5 위치에 집광하는 집광 광학계와,
상기 광 투과 부재를 상기 조명 광학계의 광축 방향을 따라 이동시키는 이동 기구를 구비하는
조명 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 광 투과 부재에 의한 상기 제 1 광의 감광율과 상기 제 2 광의 감광율은 서로 상이한
조명 광학계. - 제 2 항에 있어서,
상기 집광 광학계는, 상기 광 투과 부재를 거친 상기 제 3 광과, 상기 제 4 위치로부터 상기 제 3 방향을 따라서 진행하고 상기 광 투과 부재를 통과한 제 4 광을 상기 피조사면 상의 제 6 위치에 집광하는
조명 광학계. - 제 3 항에 있어서,
상기 광 투과 부재에 의한 상기 제 3 광의 감광율과 상기 제 4 광의 감광율은 서로 상이한
조명 광학계. - 제 4 항에 있어서,
상기 광 투과 부재에 의한 상기 제 1 광의 감광율과 상기 제 3 광의 감광율은 서로 상이한
조명 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 광 투과 부재의 이동에 따라서, 상기 제 1 광, 상기 제 2 광 및 상기 제 3 광이 상기 광 투과 부재에 입사하는 위치가 변하는
조명 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 광 투과 부재의 상기 영역은 상기 제 1 방향과 교차하는 방향에 있어서의 투과율이 일정한
조명 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 광원과 조명 동공면과의 사이에 배치되는 옵티컬 인테그레이터를 구비하는
조명 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 광 투과 부재의 상기 광원측에 인접하는 제 1 광학 부재와, 상기 광 투과 부재의 상기 피조사면 측에 인접하는 제 2 광학 부재를 구비하는
조명 광학계. - 제 9 항에 있어서,
조명 동공면 또는 상기 조명 동공면과 광학적으로 공역한 면은, 상기 제 1 광학 부재와 상기 제 2 광학 부재와의 사이에 위치하는
조명 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 조명 동공 상의 상기 제 1 위치로부터 출사되어 상기 피조사면 상의 제 5 위치로 향하는 제 1 광과, 상기 조명 동공 상의 제 1 위치로부터 출사되어 상기 피조사면 상의 상기 제 5 위치와는 상이한 제 6 위치로 향하는 상기 제 2 광은, 상기 광 투과 부재의 상이한 위치를 통과하는
조명 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 광 투과 부재의 유효 직경에 대한 조명 동공면 내의 소정의 점으로부터 발하는 광속이 상기 광 투과 부재에 조사되는 영역의 최소 직경의 비는 상기 광 투과 부재의 광축 방향의 가동 범위 내에 있어서 1/2를 초과하는
조명 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 이동 기구는 상기 광 투과 부재를 상기 광축 방향과 교차하는 방향에 따라 이동시키는
조명 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 피조사면 상에 있어서 상기 조명 광학계로부터 사출되는 광에 의해 형성되는 조사 영역은, 상기 피조사면 상에 있어서의 제 4 방향의 쪽이 상기 제 4 방향과 교차하는 제 5 방향보다 길게 되도록 한 형상인
조명 광학계. - 제 14 항에 있어서,
상기 제 1 방향은 상기 제 4 방향에 대응하는
조명 광학계. - 제 15 항에 있어서,
상기 광원과 조명 동공면과의 사이에 배치되는 옵티컬 인테그레이터를 구비하며,
상기 옵티컬 인테그레이터는, 상기 피조사면 측에 사출하는 광의 발산각이, 상기 제 1 방향에 있어서의 발산각의 쪽이 상기 투과율이 변화하고 있는 방향과 교차하는 방향에 있어서의 발산각보다도 커지도록 구성되어 있는
조명 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 광 투과 부재는 평행 평면판 형상인
조명 광학계. - 광원으로부터 출력되는 광을 상기 피조사면 상의 소정의 패턴으로 인도하는 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 기재된 조명 광학계를 구비하고,
상기 조명 광학계로부터 사출되는 광으로 상기 소정의 패턴을 조명하는 것에 의해 형성된 패턴의 상을 감광 재료가 도포된 기판 상에 투영하는 것을 특징으로 하는
노광 장치. - 제 18 항에 있어서,
상기 패턴의 상을 상기 기판 상에 투영하기 위한 투영 광학계를 더 구비하고,
상기 투영 광학계에 대하여 상기 패턴 및 상기 기판을 주사 방향을 따라 상대 이동시키는 것에 의해, 상기 기판 상에 상기 패턴의 상을 투영하는 것을 특징으로 하는
노광 장치. - 제 19 항에 기재된 노광 장치를 이용하여, 상기 패턴의 상을 상기 기판의 표면에 노광하는 노광 단계와,
상기 노광 단계 후에 있어서, 상기 기판을 현상하여 상기 패턴의 상에 대응하는 형상의 마스크층을 상기 기판의 표면에 형성하는 현상 단계와,
상기 현상 단계 후에 있어서, 상기 마스크층을 거쳐서 상기 기판의 표면을 가공하는 가공 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는
디바이스의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US19380208P | 2008-12-24 | 2008-12-24 | |
US61/193,802 | 2008-12-24 | ||
PCT/JP2009/067340 WO2010073795A1 (ja) | 2008-12-24 | 2009-10-05 | 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020117016720A Division KR101708948B1 (ko) | 2008-12-24 | 2009-10-05 | 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170003722A KR20170003722A (ko) | 2017-01-09 |
KR101960153B1 true KR101960153B1 (ko) | 2019-03-19 |
Family
ID=42287422
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020117016720A KR101708948B1 (ko) | 2008-12-24 | 2009-10-05 | 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 |
KR1020167036524A KR101960153B1 (ko) | 2008-12-24 | 2009-10-05 | 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020117016720A KR101708948B1 (ko) | 2008-12-24 | 2009-10-05 | 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8947635B2 (ko) |
JP (1) | JP5541164B2 (ko) |
KR (2) | KR101708948B1 (ko) |
TW (1) | TW201027270A (ko) |
WO (1) | WO2010073795A1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5187631B2 (ja) * | 2008-12-30 | 2013-04-24 | 株式会社ニコン | 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
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TWI505329B (zh) | 2004-02-06 | 2015-10-21 | 尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
US7283209B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
JP2006054328A (ja) | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
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-
2009
- 2009-10-05 JP JP2010543957A patent/JP5541164B2/ja active Active
- 2009-10-05 KR KR1020117016720A patent/KR101708948B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-05 KR KR1020167036524A patent/KR101960153B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-05 WO PCT/JP2009/067340 patent/WO2010073795A1/ja active Application Filing
- 2009-10-27 TW TW098136314A patent/TW201027270A/zh unknown
-
2011
- 2011-06-24 US US13/168,068 patent/US8947635B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8947635B2 (en) | 2015-02-03 |
WO2010073795A1 (ja) | 2010-07-01 |
KR101708948B1 (ko) | 2017-03-08 |
KR20110105827A (ko) | 2011-09-27 |
KR20170003722A (ko) | 2017-01-09 |
US20120015306A1 (en) | 2012-01-19 |
JP5541164B2 (ja) | 2014-07-09 |
TW201027270A (en) | 2010-07-16 |
JPWO2010073795A1 (ja) | 2012-06-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20161227 Application number text: 1020117016720 Filing date: 20110718 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20170321 Patent event code: PE09021S01D |
|
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20180131 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20181218 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20190313 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20190313 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220216 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230220 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240219 Start annual number: 6 End annual number: 6 |