Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR101821101B1 - 백색 반사재 및 그 제조방법 - Google Patents

백색 반사재 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101821101B1
KR101821101B1 KR1020177005977A KR20177005977A KR101821101B1 KR 101821101 B1 KR101821101 B1 KR 101821101B1 KR 1020177005977 A KR1020177005977 A KR 1020177005977A KR 20177005977 A KR20177005977 A KR 20177005977A KR 101821101 B1 KR101821101 B1 KR 101821101B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
titanium oxide
silicone resin
white reflector
silicone rubber
white
Prior art date
Application number
KR1020177005977A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170028456A (ko
Inventor
마스츠구 타사키
나오토 이가라시
츠토무 오다키
마이미 요시다
Original Assignee
가부시키가이샤 아사히 러버
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=43386647&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101821101(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 가부시키가이샤 아사히 러버 filed Critical 가부시키가이샤 아사히 러버
Publication of KR20170028456A publication Critical patent/KR20170028456A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101821101B1 publication Critical patent/KR101821101B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0808—Mirrors having a single reflecting layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281—Shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/23—Sheet including cover or casing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/266—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension of base or substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

본 발명은, 도금 처리에 의한 반사층 등의 번거로운 표면 가공을 시행하지 않더라도, 380㎚ 이상의 파장 영역의 근자외선광이나 근적외선광을 광 누출 없이 충분히 반사할 수 있고, 근자외선광이 조사되어도 황변되거나 열화되거나 하지 않고, 내광성, 내열성, 내후성이 우수하며, 높은 기계적 강도와 우수한 화학적 안정성을 지니고, 높은 백색도를 유지할 수 있는 동시에, 간편하게 형성할 수 있어서 생산성 높고 저렴하게 제조할 수 있는 범용성의 백색 반사재 및 백색 반사재의 제조방법, 나아가서는, 백색 반사재를 막 형태로 형성하기 위한 잉크 조성물로서 이용되는 백색 반사재를 제공하는 것을 과제로 한다. 해당 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 백색 반사재(10), (16)는, 실리콘 수지 또는 실리콘 고무에 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 입자(12a), (12b)가 분산되어서 성형되어 있고, 산화티타늄 함유 실리콘 조성물로 이루어진다.

Description

백색 반사재 및 그 제조방법{WHITE COLOR REFLECTING MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF}
본 발명은, 반도체 발광소자 및 태양 전지소자와 같은 반도체 광학소자를 설치하는 기판이나, 그들 광학소자를 수납해서 광학소자의 주위를 구성하는 반사체(reflector) 등 반도체 광학소자 패키지의 부재로서 이용되어, 광이나 열선에 대해서 안정적이며, 광 누출 없이 높은 반사 효율을 가지고, 그것을 장시간 안정적으로 유지해서 반사시키는 것이 가능한 백색 반사재 및 그 제조방법에 관한 것이다.
조명 기구, 신호기, 액정 모니터의 백라이트(backlight) 등 각종 발광 기기의 광원으로서, 발광 다이오드(LED)가 이용되고 있다. 이러한 발광 다이오드, 특히, 고휘도 발광 다이오드는, 백열 전구, 할로겐 램프, 수은등, 형광등 등의 백색계 조명 장치보다도 소비 전력이 적고 수명이 길기 때문에 범용되고 있다.
종래의 발광 기기에 광원으로서 이용되는 LED는, 도 12와 같이, 발광 소자(33)가 알루미나 세라믹스제나 유리 섬유 함유 에폭시 수지제나 비스말레이미드·트라이아진 수지제의 기재(40) 위에 놓여, 발광 소자(33)로부터 뻗어나온 리드 선 (34a), (34b)이 그 기재(40) 상의 배선(35a), (35b)에 각각 연결된 것이다. 기재(40) 상에서 발광 소자(33)는, 폴리에터, 폴리프탈아마이드, 폴리에터에터케톤과 같은 수지제 또는 알루미나와 같은 고가의 세라믹스제로서 출사 방향으로 개구된 수 ㎜ 내지 수 ㎝ 정도의 작은 백색계 패키지 성형체 부재(반사체)(30)로 둘러싸여 있어, 그들과 일체화해서 반도체 발광장치를 구성하고 있다.
그 기재(40)나 패키지 성형체 부재(반사체)(30)가 이들 수지제이면, 반도체 발광장치를 회로에 고정할 때의 무연 리플로에 의한 온도에서 열화되어, 광파장이 자외선인 경우, 광 열화를 일으키거나, 특히 고휘도 발광 다이오드인 경우, 고휘도 출사광이나 그에 수반되는 고열에 의해 점차로 황변 또는 갈변하여 열화되어, 표면이 바래지거나 반사율이 나빠지거나 해버린다. 한편, 기재(40)나 패키지 성형체 부재(반사체)(30)가 세라믹스제이면 자외선에 의한 광 열화나 열에 의한 열화는 없지만 출사광이 누출되어 충분한 조도가 얻어지지 않는다.
또, 이들 기판이나 패키지 성형체 부재의 표면에, 광을 반사시키기 위한 도금 처리가 실시되지만, 은 도금이면, 높은 반사율을 나타내지만 황화에 의해 흑화되어 반사율이 저하한다고 하는 문제점이 있고, 금 도금이면, 우수한 내황화성이나 내산화성을 나타내지만 반사율이 낮은데다가 고가여서 범용성이 결여된다고 하는 문제점이 있으며, 또한, 이러한 작은 기판이나 패키지 성형체 부재의 표면에는 정밀도가 높은 도금 처리가 필요해서, 도금을 시행하기 위해서는 복잡한 처리 공정이 필요하게 되어, 생산성이 저하되어 버린다고 하는 문제점이 있다.
도금 처리를 실시하지 않더라도 광에 의해 열화되기 어렵고 광의 누출이 적은 반사재로서, 특허문헌 1에 분해 촉매 활성이 낮은 백색 안료인 루틸형 산화티타늄과 방향족 폴리카보네이트 수지를 함유하는 조성물로 이루어진 광반사층의 한쪽 면에, 자외선 흡수능이 있는 내후층을 구비하고, 다른 쪽 면에 차광층을 구비한 광반사재가 개시되어 있다.
발광 다이오드는 가시 영역의 하한 근방의 단파장 영역이나 자외선 영역의 광을 조사할 수 있는 것이 제조되도록 되어 왔다. 이러한 발광 다이오드로부터 출사되어, 가시 영역의 하한에 가까운 파장 영역 360㎚ 이상, 특히 파장 영역 380 내지 400㎚의 광을 루틸형 산화티타늄 함유 폴리카보네이트 수지와 같은 플라스틱제 반사재에서는 충분히 반사할 수 없다.
특허문헌 2에는, 넓은 파장 영역에서 반사율이 양호한 아나타제형 산화티타늄을 에폭시 수지에 분산시킨 수지조성물을 개재해서, 기판과 발광 소자가 접합되어 있는 반도체 발광장치가 개시되어 있지만, 반사율의 경시 변화가 크고, 에폭시 수지가 점차로 열화되어, 경시적으로 반사 효율이 저하되어 버린다.
또, 발광 다이오드는, 발광 파장의 단파장화나 고출력화에 따라서, 밀봉수지로서, 내열내광성이 우수한 실리콘계 밀봉수지가 많이 이용되게 되었지만, 종래 이용되고 있던 폴리에터, 폴리프탈아마이드, 폴리에터에터케톤과 같은 수지제 패키지 부재와의 수축률 등의 상위에 의해, 접착성이 충분하지 않다고 하는 문제가 있어, 패키지의 새로운 설계가 요구되고 있다.
상기 종전의 플라스틱제 반사재로 충분히 반사할 수 없는 380 내지 400㎚의 파장 영역이나 그 이상의 가시광 영역, 또한 장파장의 적외선 영역의 열선을, 효율적으로 반사할 수 있고, 광을 출사하는 조명 기기뿐만 아니라 태양광 등을 광전변환시키는 태양 전지 조립체에도 이용할 수 있으며, 내열, 내광성이 우수하고, 변색이 없으며, 장기간의 사용에 의해서도 반사율이 저하되지 않는 범용성의 반사재가 요구되고 있다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
(특허문헌 1) JP2006-343445 A
(특허문헌 2) JP2008-143981 A
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 도금 처리에 의한 반사층 등의 번거로운 표면 가공을 실시하지 않더라도, 380㎚ 이상의 파장 영역의 근자외선광이나 근적외선광을 광 누출 없이 충분히 반사할 수 있어 근자외선광이 조사되어도 황변되거나 열화되거나 하지 않아, 내광성, 내열성, 내후성이 우수하고, 높은 기계적 강도와 우수한 화학적 안정성을 지니며, 높은 백색도를 유지할 수 있는 동시에, 간편하게 성형할 수 있어서 생산성이 높고 저렴하게 제조할 수 있는 범용성의 백색 반사재 및 백색 반사재의 제조방법, 나아가서는, 백색 반사재를 막 형태로 성형하기 위한 잉크 조성물로서 이용되는 백색 반사재를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 이루어진 본 발명의 제1측면에 의한 백색 반사재는, 실리콘 수지 또는 실리콘 고무에 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 입자가 분산되어서 성형되어 있고, 산화티타늄 함유 실리콘 조성물로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제1측면에 있어서, 상기 산화티타늄 입자가, 평균 입자직경 0.05 내지 50㎛이며, 상기 실리콘 수지 또는 실리콘 고무 100질량부에 대해서, 5 내지 400질량부 함유되어 반사율이 적어도 80% 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제3측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제1측면에 있어서, 집광 또는 확산시켜야 할 방향으로 반사하거나 난반사하도록, 입체 형태, 막 형태 또는 판 형태로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제4측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제3측면에 있어서, 표면에 발광 소자 또는 태양 전지소자로 이루어진 반도체 광학소자에 접속하기 위한 도전 금속막이 부여되어 있는 상기 판 형태 또는 막 형태인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제5측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제3측면에 있어서, 상기 막 형태의 기재가 상기 도전 금속막 상에 부여되거나, 또는 상기 도전 금속막이 막 형태의 기재 상에 부여되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제6측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제5측면에 있어서, 상기 막 형태의 기재 또는 상기 도전 금속막에, 광학소자의 비장착면 측에서, 지지체가 부여되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제7측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제6측면에 있어서, 상기 지지체에 상기 도전 금속막이 부여되고, 상기 도전 금속막 상에 상기 막 형태의 기재가 부여되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제8측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제3측면에 있어서, 막 형태의 두께가 5㎛ 내지 2000㎛인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제9측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제3측면에 있어서, 발광 소자 또는 태양 전지소자로 이루어진 광학소자를, 둘러싸고 있고, 그것의 입출사 방향으로 점차로 넓어져 상기 입체 형태로 개구되면서, 수용하고 있는 패키지 성형체 부재인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제10측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제9측면에 있어서, 상기 발광 소자에 접속하고 있는 도전 금속막이 표면에 부여되어, 그 광학소자를 장착하고 있는 기재와, 상기 패키지 성형체 부재가, 접착제에 의해 접착되거나, 또는 화학결합을 개재해서 결합되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제11측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제10측면에 있어서, 상기 기재가 실리콘 수지 또는 실리콘 고무로 성형되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제12측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제10측면에 있어서, 상기 기재에 상기 광학소자의 비장착면 측에서 지지체가 부여되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제13측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제10측면에 있어서, 상기 기재에 유리 섬유직물(glass cloth), 유리 페이퍼(glass paper) 및 유리 섬유로부터 적어도 1개 이상 선택된 보강 재료가 함유되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제14측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제9측면에 있어서, 상기 기재 상에, 상기 광학소자를 둘러싸는 상기 패키지 성형체 부재가 복수개 늘어서면서, 상기 발광 소자를 구비하고 있는 반도체 발광장치, 또는 상기 태양전자소자를 구비하고 있는 태양 전지가 일체로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제15측면에 의한 백색 반사재는, 상기 제1측면에 있어서, 상기 실리콘 수지 또는 실리콘 고무가 하이드로실릴 함유 실릴기, 비닐 함유 실릴기, 알콕시실릴 함유 실릴기 및 가수분해성 기 함유 실릴기 중 어느 하나의 활성 실릴기를 지니는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제16측면에 의한 백색 반사재는, 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄과 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분을 함유하고, 성형체 성형 가공에 이용하기 위한 산화티타늄 함유 실리콘 조성물인 것을 특징으로 한다.
구체예에서 상기 백색 반사재는 가교 경화에 의해 망상 구조를 형성하는 실리콘 수지로 이루어진 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무로 이루어진 미가교 실리콘 고무 성분에 Al2O3, ZrO2, SiO2 및 실란 커플링제 중 적어도 하나에 의해 표면 처리된, 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 입자를 분산한 액상, 소성 또는 반고체의 산화티타늄 함유 실리콘 미가교 성분 조성물을 입체 형태, 막 형태 또는 판상 형태로 성형한 성형체에 지지체가 부여된 백색 반사재이며, 상기 성형체는 150℃에서 1000시간의 열처리 후에 측정한 고온경시반사율과 상기 열처리 전에 측정한 초기 반사율이 550nm에서 90% 이상이며, 상기 실리콘 수지 또는 상기 실리콘 고무의 고무 경도가 쇼어A 경도로 30 내지 90 또는 쇼어D 경도로 5 내지 80인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제17측면에 의한 백색 반사재의 제조방법은, 비실리콘 수지로 이루어진 지지체의 표면을 표면활성화 처리하는 단계; 및 표면활성화 처리한 면에, 실리콘 수지 또는 실리콘 고무에 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 입자를 분산시킨 액상 또는 소성의 산화티타늄 함유 실리콘 조성물을 도포한 후, 가교 경화시켜 적층체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제18측면에 의한 백색 반사재의 제조방법은, 상기 제17측면에 있어서, 가교 경화된 산화티타늄 함유 실리콘 조성물층 상에 또 금속 도전층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제19측면에 의한 백색 반사재의 제조방법은, 비실리콘 수지로 이루어진 지지체에 금속 도전층을 형성하는 단계, 해당 금속 도전층에 배선 회로를 형성하는 단계, 해당 배선 회로에 반도체 발광소자를 결선하는 단계, 해당 반도체 발광소자의 주위에 미가교 실리콘 수지 또는 실리콘 고무에 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 입자가 분산된 액상 또는 소성의 산화티타늄 함유 실리콘 조성물을 부분적으로 비치하는 단계; 및 그 후 비치한 해당 조성물을 가교 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 산화티타늄을 함유하는 실리콘제의 백색 반사재는, 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄의 입자, 그 중에서도, 특히 아나타제형 산화티타늄 입자를 실리콘 수지 또는 실리콘 고무에 분산시킴으로써, 380 내지 400㎚의 근자외선 파장 영역뿐만 아니라 그 이상의 가시 영역의 광, 나아가서는 그것보다 장파장 영역인 780㎚ 이상의 적외선과 같은 열선을, 높은 반사율로, 광 누출하는 일 없이, 충분히 반사시킬 수 있다.
또, 이 반사재는, 은폐성이 우수한 백색을 띠고 있어, 광이나 열이나 화학적 작용에 의해서 변질되기 어려운 경질의 실리콘 수지나 연질의 실리콘 고무를 이용하고 있기 때문에, 고휘도 발광 다이오드나 자외선 발광 다이오드로부터의 광, 직사 일광이나 고온에 폭로되어도, 또한, 높은 광촉매 활성을 지니는 아나타제형 산화티타늄을 함유하고 있어도, 황변·갈변되거나 열화되거나 하는 일이 없기 때문에, 내광성, 내열성, 내후성이 우수하다. 게다가, 높은 기계적 강도를 나타내고, 우수한 화학적 안정성을 지니며, 높은 백색도를 유지할 수 있어 내구성이 우수하기 때문에, 반도체 광학소자를 이용하는 반도체 발광장치나 태양 전지장치의 용도에 이용되는 재료로서 우수하다.
이 반사재는, 반사 목적의 도금 등의 번거로운 표면 가공을 실시할 필요가 없고, 간편한 공정으로 간이하게, 균질하게 고반사 특성의 것을 정밀하게, 확실하고도 대량으로 저렴하게 제조할 수 있기 때문에, 생산성이 높다.
이 반사재는, 발광 소자뿐만 아니라 태양 전지소자와 같은 광전변환 소자 등에 이용되는 기재나 패키지 성형체 부재 등 반도체 광학소자에 관련되는 각종 분야의 기기의 반사재로서, 범용적으로 이용할 수 있다.
이 반사재는, 판 형태로 하거나, 입체 형태로 하거나, 또는 막 형태로 하거나 해서, 소망의 형태로 형성되어서 반사 효율을 높인 백색 반사재로서 이용할 수 있다. 예를 들어, 종래 사용되고 있는 에폭시 기재와 같은 실리콘 이외의 저렴한 수지제 부재 상에 막 형태로 형성해서, 생산성을 높이면서, 저렴하게 제조함으로써, 종래 사용되고 있던 기재의 열적 열화, 변색 등을 없앨 수 있다. 이 경우, 종전의 수지 기재 상에 막 형태로 적층된 백색 반사재 상에 금속박 혹은 금속 도금에 의해 도전 금속막을 형성하고, 이어서 에칭 등에 의해 회로를 형성해서 회로 기판으로서 이용할 수 있다. 또한, 그 배선 패턴에 반도체 광학소자 또는 광반도체 광학장치를 설치하고, 발광 소자와 회로를 결선함으로써, 반사재가 노출된 부분은, 발광 소자의 발광에 대해서 효율이 양호한 반사면으로 된다.
이 반사재는, 종전의 에폭시 수지나 폴리이미드 수지 등의 기재로 이루어진 기판 전면을 덮도록 막 형태로 형성된 것이어도 되고, 종전의 전기 기판 상에 형성된 배선 패턴의 일부를 남겨서 잉크 형태의 반사재로 덮도록 막 형태 부분을 반사면으로 해서 형성된 것이어도 된다.
본 발명의 반사재의 다른 태양으로서, 산화티타늄을 함유하는 실리콘을 포함해서 이루어진 백색 반사막 형성용 조성물로서, 잉크로서 사용할 수 있고, 지지체의 종류로 한정되는 일 없이, 평활성이 우수하며 높은 반사율을 지니는 박막을, 도포, 인쇄, 분사, 침지 등의 수단에 의해, 그 지지체 표면에 형성할 수 있다. 열에 의해 황변을 일으키는 에폭시 수지제나 비스말레이미드·트라이아진 수지제의 지지체에 전면 또는 반사 기능을 부여하고자 하는 부분에 상기 수단에 의해서 박막을 형성함으로써, 지지체는 변색되지만 박막은 표면에 황변을 일으키지 않으므로, 그 황변에 의한 반사율의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 세라믹스제의 지지체나 반사체에 이 박막을 형성함으로써, 세라믹스의 투명성을 차단하여 출사광을 누출을 방지하는 동시에 반사광을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명을 적용한, 백색 반사재를 이용한, 반도체 발광장치를 나타낸 모식단면도;
도 2는 본 발명을 적용한, 백색 반사재를 이용한, 패키지 성형체 부재의 하나의 부재(반사체)를 나타낸 모식단면도;
도 3은 본 발명을 적용한, 백색 반사재를 이용한, 기판의 제조 공정을 나타낸 모식단면도;
도 4는 본 발명을 적용한, 백색 반사재를 이용한, 태양 전지를 나타낸 모식단면도;
도 5는 본 발명을 적용한, 아나타제형 산화티타늄 함유 실리콘제 백색 반사재, 루틸형 산화티타늄 함유 실리콘제 백색 반사재, 및 본 발명의 적용 외의 알루미나 함유 백색 반사재에 있어서의 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 나타낸 도면;
도 6은 본 발명을 적용한, 도막 형태 타입의 백색 반사재제 기재와, 본 발명의 적용 외의 비스말레이미드·트라이아진 수지제 기재 및 유리 에폭시 수지제 기재에 있어서의 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 나타낸 도면;
도 7은 본 발명을 적용한, 도막 형태 타입의 백색 반사재제 기재와, 본 발명의 적용 외의 비스말레이미드·트라이아진 수지제 기재 및 유리 에폭시 수지제 기재의 열처리 후에 있어서의 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 나타낸 도면;
도 8은 본 발명을 적용한, 비스말레이미드·트라이아진 수지제 기재에 백색 반사재 도막을 형성한 기판에 있어서의 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 나타낸 도면;
도 9는 본 발명을 적용한, 비스말레이미드·트라이아진 수지제 기재에 백색 반사재 도막을 형성한 기판의 열처리 후에 있어서의 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 나타낸 도면;
도 10은 본 발명을 적용한, 유리 에폭시 수지제 기재에 백색 반사재 도막을 형성한 기판에 있어서의 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 나타낸 도면;
도 11은 본 발명을 적용한, 유리 에폭시 수지제 기재에 백색 반사재 도막을 형성한 기판의 열처리 후에 있어서의 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 나타낸 도면;
도 12는 본 발명의 적용 외의 반사재를 이용한, 종래의 반도체 발광장치를 나타낸 모식단면도.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태를 상세히 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 형태로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 산화티타늄 함유 실리콘제의 백색 반사재의 바람직한 일 형태에 대해서, 도 1을 참조하면서 상세히 설명한다.
백색 반사재는, 도 1과 같이, 반도체 발광장치(1)에 편입되는 것으로, 반도체 발광소자(13)를 장착하는 기재(16)와, 그 발광 소자를 둘러싸는 패키지 성형체 부재(10)에 이용되고 있다.
기재(16)는, 기판(20)의 회로 측의 층을 구성하는 부재로서, 산화티타늄 입자(12b)를 함유하고 있는 실리콘 수지로 형성되어 있다. 기재(16) 상의 반도체 발광소자(13)의 장착면 측의 표면에 도전 금속막인 구리막(15a), (15b)이 부여되어, 전원(도시 생략)에 접속되는 배선 패턴을 형성하고 있다. 발광 다이오드(13)로부터 뻗어나온 2개의 리드 선(14a), (14b)이, 그 구리막(15a)과 구리막(15b)에, 각각 접속되어 있다. 그 기재(16)의 표면 상의 배선 패턴 부위 이외의 부위는, 기재(16)가 노출되어 있어서, 거기에 함유된 산화티타늄 입자(12b) 때문에, 백색을 띠어, 백색 반사재로서 우수한 은폐성을 지니기 때문에 광을 누출하지 않는다.
판 형태의 기재(16) 상의 반도체 발광소자(13)의 비장착면 측의 표면에, 절연성의 지지체(17)가 부여되어서, 기판(20)을 형성하고 있다. 패키지 성형체 부재(10)의 출사방향 측의 개구부는, 투광성 재료로 밀봉되거나, 혹은 밀봉 대신에 또는 밀봉과 함께 유리제나 수지제의 투명판이나 투명 필름으로 덮여 있어도 된다. 그 밀봉이나 투명판이나 투명 필름이, 그것의 투과광의 파장을 소기의 파장으로 변환하는 안료, 색소, 형광제, 인광제를 함유하고 있어도 된다. 또한, 패키지 성형체 부재(10)의 출사방향 측의 개구부가, 볼록 렌즈, 오목렌즈, 프레넬 렌즈(Fresnel lens)와 같은 렌즈로 덮여 있어도 된다(도시 생략).
패키지 성형체 부재(10)도, 기재(16)로 이용된 동종의 산화티타늄 입자(12a)를 함유하는 실리콘 수지로 성형되어 있다. 패키지 성형체 부재(10)는, 반도체 발광소자(13)를 둘러싸면서, 경사진 내벽(11)에 의해서 그 광의 출사방향을 향해서 점차로 넓어져 개구되어 있어, 반도체 발광소자(13)의 장착면 측의 기재(16)의 표면에 접착제층(도시 생략)을 개재해서 일체로 접착되어 있다.
또, 다른 태양으로서의 패키지 성형체 부재는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 출사방향을 향해서 점차로 넓어져 개구된 세라믹제의 패키지 성형체 부재(10a)의 내벽에 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 분말, 및 필요에 따라서 실란 커플링제를 함유하는 실리콘 조성물을 막 형태로 도포해서 경화시켜 도막(18)을 형성한 패키지 성형체 부재(10a)이더라도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 세라믹 재질의 장점인 내열성·치수안정성에 부가해서, 단점인 광의 누출을 방지할 수 있다.
이 패키지 성형체 부재(10), (10a)도, 산화티타늄 입자(12a)가 충전되어 있기 때문에, 백색을 띠고, 게다가 우수한 은폐성을 지니기 때문에 광 누출하는 일 없이, 특히 380㎚ 이상, 그 중에서도 400㎚ 이상의 파장의 광의 반사율이 극히 높은 것이다. 또한, 이 패키지 성형체 부재(10), (10a)는, 화학적으로 안정하여 변색되기 어려운 실리콘 수지로 형성되어 있기 때문에, 근자외광이나 고휘도 광에 장기간 노출되어도 황변되지 않고 백색인 채로 유지될 수 있으며, 게다가 단단해서 높은 기계적 강도를 지니고, 우수한 내광성, 내열성, 내후성을 나타내므로, 내구성이 우수하다.
이들 백색 반사재를 이용한 패키지 성형체 부재(10), (10a)의 내벽(11)의 표면이나, 기재(16)의 표면은, 연마나 화학 에칭에 의해 표면 처리되어도 더한층 반사율이 향상된다.
이와 같이 해서 이루어진 반도체 발광장치(1)는, 반도체 발광소자(13)가 장착된 기판(20)과 패키지 성형체 부재(10)의 복수 조가, 정연히 사방팔방으로 복수개 늘어선 조명 기구이더라도 된다. 본 발명의 백색 반사재를 이용한 반도체 발광장치(1)는, 특히 380 내지 400㎚의 근자외선 영역의 파장 영역뿐만 아니라 그 이상의 가시광 영역, 그것보다 장파장 영역의 적외선과 같은 열선의 반사율이 매우 높게 되어 있다.
본 발명의 백색 반사재를 이용한 반도체 발광장치(1)는, 이하와 같이, 각 제조 공정을 거쳐서 제조된다.
(1) 구리박이 적층된 백색 반사 기재(16)의 제작:
구리박의 조제:
두께 12 내지 18㎛의 구리박의 표면을, 탈지하고 나서, 코로나 방전 처리, 대기압 플라즈마 처리 또는 자외선 처리에 의해 표면 처리를 실시하여, 구리박의 표면에 노출되어 있는 수산기를 생성시킨다. 그 구리박의 표면을, 비닐메톡시실록산 호모폴리머, 예를 들어, CH2=CH-Si(OCH3)2-O-[(CH2=CH-)Si(-OCH3)-O-]j-Si(OCH3)2-CH=CH2(j는 3 내지 4)의 용액에 침지하고 나서, 열처리하고, 구리박의 표면에 노출하고 있는 수산기와 비닐메톡시실록산 호모폴리머를 반응시켜, 실릴에터를 형성시켜서, 비닐실릴기 함유 실릴기인 활성 실릴기를 생성시킨다. 반응성을 향상시키기 위하여, 그것을 백금촉매 현탁액에 담그고, 활성 실릴기 중의 비닐기에 백금촉매를 보유시켜, 적층해야 할 구리박을 준비한다.
실리콘 조성물의 조제:
다음에, 하이드로실릴기 함유 실릴기를 지니는 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분과 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 분말이 함유되어 있는 실리콘 조성물을 준비한다. 그의 상세는 나중에 기술한다.
상기 표면 처리한 구리박의 면에 상기 실리콘 조성물을, 유하(流下) 도포하고, 가열 성형과 함께 가교시키면, 비닐실릴기 함유 실릴기의 비닐과, 하이드로실릴기 함유 실릴기의 하이드로실릴이 부가형 반응하여, 구리박이 적층된 산화티타늄 함유 실리콘제의 백색 반사재(기재(16))가 제작된다.
(2) 회로 형성과 반도체 발광소자의 접속:
기재(16)에 적층된 구리박막(15)에, 레지스트를 이용해서 목적으로 하는 회로로 되도록 에칭함으로써, 소망의 배선 패턴을 지니는 배선(15a), (15b)을 형성한다. 반도체 발광소자(13)를 배선 패턴의 소정의 위치에 설치하고, 리드 선(14a), (14b)을 초음파 용착에 의해, 반도체 발광소자(13)와 배선(15a), (15b)에 접속한다.
(3) 패키지 성형체 부재의 제작:
한편, 상기와 마찬가지의 미가교 실리콘 수지 성분과 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 분말과 필요에 따라 실란 커플링제를 함유하는 실리콘 조성물을 하부 금형에 주입하고, 상부 금형을 닫고서 가열 가교시킴으로써, 산화티타늄 함유 실리콘제의 백색 반사재인 패키지 성형체 부재(10)를 성형한다.
또, 산화티타늄에 실란 커플링제를 코팅처리하고 나서, 실록산 화합물에 가하여, 가열, 또는 광 조사에 의해 실란 커플링제와 실록산 화합물을 가교시켜서 바인더의 분자 간에 필러(filler)를 내포시킨 실리콘 수지를 금형 내에서 성형하면 한층 강도가 강한 기판(20)이나 패키지 성형체 부재(10)가 얻어진다.
(4) 패키지 성형체 부재와 기재의 일체화:
이 패키지 성형체 부재(10)의 입구가 큰 개구부를 위로 향하게 해서, 반도체 발광소자(13) 및 리드 선(14a), (14b)에 접하지 않도록 반도체 발광소자(13)를 둘러싸게끔 패키지 성형체 부재(10)를 배치하면서 구리박 회로의 일부를 포함하는 기재(16)에 접착제로 접착해서 일체화한다. 그 후, 패키지 성형체 부재(10)의 개구부를 실리콘 투명수지로 밀봉하면, 반도체 발광장치(1)가 얻어진다.
이와 같이 해서 제조된 반도체 발광장치(1)는, 다음과 같이 같이 해서 사용된다. 반도체 발광소자(13)에, 음극측 구리박 회로(구리막)(15a) 및 리드 선(14a)과, 양극측 구리박 회로(구리막)(15b) 및 리드 선(14b)에 의해, 전류를 인가하면, 반도체 발광소자(13)는 발광한다. 발광한 광의 일부는, 패키지 성형체 부재(10)의 출사방향 측의 개구부로부터, 직접, 외부 계로 조사된다. 발광한 광의 다른 일부는, 패키지 성형체 부재(10)의 내벽(11) 또는 기재(16)의 표면 상의 배선 패턴 이외의 백색 반사판이 노출되어 있는 부위에서 반사되어, 출사방향 측의 개구부로부터 외부 계로 조사된다.
본 발명의 산화티타늄 함유 실리콘제의 백색 반사재는, 성형된 백색 반사재를 만들기 위한 재료도 포함하고, 이 경우의 백색 반사재는 액상체, 소성체 또는 반고체이더라도 되고, 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분, 아나타제형, 루틸형 또는 양쪽의 산화티타늄 분말, 및 필요에 따라서 실란 커플링제를 함유하는 실리콘 조성물(백색 반사재 형성용 조성물과 동일함. 이하, 단지, 「실리콘 조성물」이라고 지칭할 경우도 있음)이다. 이러한 실리콘 조성물은, 막 형태로 도포해서 가교시킴으로써, 열적 열화에 의해 착색되는 기판의 표면을 높은 반사 효율을 가지고 백색을 유지시킬 수 있고, 예를 들어, 도 2에 나타낸 바와 같이, 투광성의 세라믹제 반사체의 반사면에 막 형태로 도포함으로써 광누출을 방지할 수 있다.
본 발명의 백색 반사재는, 알루미늄판과 같은 다른 재질로 이루어진 지지체(17) 상에 실리콘 조성물을 도포함으로써 형성된 막 형태의 기재(16)이더라도 된다. 또, 필름 시트 형태로 성형된 막 형태의 기재(16)이더라도 되고, 필름 시트 형태로 성형된 기재(16)를 접착제층을 개재해서 지지체(17)에 접합시킨 것이어도 된다. 또, 지지체(17)와 기재(16)가 적층 구조를 이루어 적층된 기재(16)의 표면에 배선 패턴을 형성하기 위한 도전 금속막(구리 박막)(15)이 부여되어서 3층으로 이루어진 적층 구조의 기판(20)을 형성하고 있어도 된다. 또한, 지지체(17)의 표면에 배선 패턴을 형성하는 도전 금속막(구리박막)(15)이 부여되어, 프린트 회로가 형성된 후, 반사 기능이 필요한 부분에만 실리콘 조성물을 도포함으로써 기재(16)가 형성된 기판(20)을 형성하고 있어도 된다. 이와 같이 기재(16)와 지지체(17) 중 어느 한쪽 면에 구리박 등 도전 금속막(구리박막)을 부여해서 적층체로 해서 형성된 기판(20)은, 산화티타늄 함유 실리콘제의 백색 반사재만으로 형성된 기판에 구리박을 부여해서 형성된 기판(20)에 비해서 실리콘 수지의 물성의 약함을 보충하여, 같은 두께의 기판이어도 기판의 물성이 각별히 향상된다. 특히 백색 반사재의 반사 특성을 가지면서, 실리콘 수지의 굽힘 약함을 지지체의 강직성으로 보충하고, 또한, 지지체의 평활면이 얇은 백색 반사재의 표면에 재현되므로, 전자회로 기판 용도로서 바람직하다.
이들 적층구조에 있어서, 백색 반사재인 기재(16)와 지지체(17) 또는 도전 금속막(구리박막)(15)과의 접착 계면은, 강고하게 접착하고 있으므로, 왜곡이나 박리를 일으키지 않는다.
이들 기재(16)의 두께는 용도에 따라서 적절하게 조정된다. 통상 2㎛ 내지 5㎜의 범위에서 조정되고, 바람직하게는 5㎛ 내지 2000㎛이며, 10㎛ 내지 100㎛이면 더욱 바람직하다. 두께가 지나치게 얇으면, 은폐도가 저하하고, 적절한 반사율은 얻을 수 없다. 또한, 지나치게 두꺼우면, 반사재 표면 특성은 그 이상 향상되지 않으므로, 기계적인 특성을 기대하는 이외에는, 그 정도 두께는 필요는 없다.
막 형태의 기재(16)를 구비한 기판(20)의 제조방법을 도 3의 (A), (B)에 예시해서 상세히 설명한다.
우선, 도 3의 (A)에 나타낸 바와 같이, 지지체(17)의 표면에, 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분과 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄이 함유되어 있는 산화티타늄 함유 실리콘제 백색 반사막형성용 조성물을, 스크린 인쇄법에 의해 도포하고, 가교 경화시켜서, 기재(16)를 형성한다(도 3(A) 중의 (a)공정). 이 기재(16)의 표면에 코로나 방전 처리, 대기압 플라즈마 처리 또는 자외선 처리의 표면 처리를 해서 수산기를 생성시키고, 금속 증착 처리 또는 도금 처리를 실시하여, 도전 금속막인 구리박막(15)을 형성한다(도 3(A) 중의 (b)공정). 이 구리박막(15)에 마스킹해서 마스킹층(21a), (21b)을 형성하고(도 3(A) 중의 (c)공정), 이어서 산처리해서 에칭함으로써, 소망의 배선 패턴을 지니는 배선(15a), (15b)을 형성한다(도 3(A) 중의 (d)공정). 마스킹층(21a), (21b)을 용출에 의해 제거하고(도 3(A) 중의 (e)공정), 반도체 발광소자(13)로부터 뻗어나온 리드선(14a), (14b)을, 초음파 용착에 의해 배선(15a), (15b)에 접속한다(도 3(A) 중의 (f)공정). 배선 패턴 부위 이외의 부위에는, 고반사율을 나타내는 기재(16)가 노출되어 있다.
또, 도 3의 (B)에 나타낸 바와 같이, 지지체(17)의 표면에, 탈지하고 나서 코로나 방전 처리, 대기압 플라즈마 처리 또는 자외선 처리의 표면 처리를 실시한 도전 금속막(구리박)을 접착시키는 처리, 또는 도금 처리를 실시하여, 도전 금속막인 구리박막(15)을 형성한다(도 3(B) 중의 (a)공정). 이 도전 금속막(15)에 마스킹해서 마스킹층(21a), (21b)을 형성하고(도 3(B) 중의 (b)공정), 이어서 산처리해서 에칭함으로써, 소망의 배선 패턴을 지니는 배선(15a), (15b)을 형성한다(도 3(B) 중의 (c)공정). 마스킹층(21a), (21b)을 용출에 의해 제거하고(도 3(B) 중의 (d)공정), 반도체 발광소자(13)로부터 뻗어나온 리드선(14a), (14b)과 접속되는 배선 패턴 부위 이외의 부위에, 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분과 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄이 함유되어 있는 산화티타늄 함유 실리콘제 백색 반사막형성용 조성물을 스크린 인쇄법에 의해 도포하여, 기재(도막)(16a), (16b), (16c)를 형성한다(도 3(B) 중의 (ｅ)공정). 반도체 발광소자(13)를 소망의 기재(도막)(16b) 위에 놓고, 리드 선(14a), (14b)으로 해당 반도체 발광소자(13)와 배선(15a), (15b)을 초음파 용착에 의해 접속한다(도 3(B) 중의 (f)공정). 이것에 의해 반도체 발광소자의 발광은 기재(도막)에 의해 반사된다.
다른 백색 반사재의 태양은, 도 4와 같이, 태양 전지(2)의 조립체로서 편입되는 것으로, 태양 전지소자(24)인 광전변환 소자를 장착한 패키지 성형체 부재(10)에 이용된다.
패키지 성형체 부재(10)는, 산화티타늄 입자(12a)를 함유하는 실리콘 수지로 이루어지고, 주발 형태로 복수 움푹 패인 열이 몇 겹이나 늘어서서, 성형되어 있다. 태양 전지소자(24)는, 내부의 대략 구형의 p형 실리콘 반도체(24a)와 그 주변을 덮어서 PN 접합하고 있는 n형 실리콘 반도체(24b)로 이루어진다. n형 실리콘 반도체(24b)의 하단이 연마에 의해서 떨어져 나가 있어, 그곳에서부터 p형 실리콘 반도체(24a)가 노출되어 있다. n형 실리콘 반도체(24b)는, 음전극의 전극 소자(element)층인 구리막(22b)에만 접속하고, 한편 p형 실리콘 반도체(24a)는, 양전극의 전극 소자층인 구리막(22a)에만 접속하고 있다. 양쪽 전극인 구리막(22a), (22b)은, 그 사이에 적층되어 있는 절연체층(23)에 의해 격리되어 절연되어 있다. 패키지 성형체 부재(10)는, 태양 전지소자(24)를 둘러싸면서, 주발 형태로 움푹 패인 내벽(11)에 의해서 그 출사방향을 향해서 점차로 넓어져 개구되어 있고, 구리막 (22b)에 접착제층(도시 생략)을 개재해서 일체로 접착되어 있다.
패키지 성형체 부재(10)의 내벽(11)의 표면은 실리콘계 밀봉수지와의 접착성을 향상시키기 위해서 표면 처리를 실시할 수 있다. 구체적으로는 상기 「(1) 구리박이 적층된 백색 반사 기재(16)의 제작」의 난에서 기재한 접착방법이 이용된다.
본 발명에 있어서의 패키지 성형체 부재(10) 및 그것을 이용한 태양 전지 조립체(2)는, 다음과 같이 해서 제조된다. 실리콘 수지 성분과 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 분말과 필요에 따라서 실란 커플링제를 함유하는 실리콘 형성용 조성물을 금형 속에서 경화시켜서, 주발 형태로 등 간격으로 사방팔방으로 움푹 패인 패키지 성형체 부재(10)를 제작한다. 주발 형태의 오목부의 바닥에, 구멍을 도려내 둔다. 패키지 성형체 부재(10)의 주발 형태의 오목부의 바닥의 구멍에 대응하는 위치에서, 절연체(23)에 구멍을 뚫어두고, 그 뒷면 쪽에 구리막(22a)을, 접착제로 접착시키면서, 절연체(23)의 구멍에 채운 전기 전도성 물질을 개재해서, 노출시켜 둔다. 절연체의 앞면 측에 구리막 (22b)을, 접착제로 접착시켜, 에칭해서 배선 패턴을 형성한다. 패키지 성형체 부재(10)의 주발 형태의 오목부의 바닥의 구멍과, 절연체(23)의 구멍으로부터 노출된 구리막(22a)을 일치시키면서, 그 구리막 (22b)을 덮도록 패키지 성형체 부재(10)를 구리막(22b)에 접착제로 접착한다. 한편, 구형 p형 실리콘 결정의 주변을 n형 실리콘 결정으로 박막형성한 실리콘 구를 제작한다. 이 실리콘 구의 일부를 평탄하게 연마하고, 외주의 n형 실리콘 반도체(24b)를 떨어져 나가게 해서 그 떨어져 나간 부분으로부터 내부의 p형 실리콘 반도체(24a)를 노출시킨다. 그 p형 실리콘 반도체(24a)의 노출 부분에, 절연체(23)의 구멍으로부터 노출시킨 구리막(22a)을 접촉시킨다. n형 실리콘 반도체(24b)를, 음전극을 겸하는 구리막(22b)에만 접촉시켜서 접착 고정하면, 태양 전지 조립체(2)가 얻어진다.
본 발명의 백색 반사재를 이용한 태양 전지 조립체(2)는, 이하와 같이 해서 사용된다. 도 4와 같이 이 태양 전지 조립체(2)의 태양 전지소자(24)를 향해서 광, 예를 들어, 태양광을 입사시킨다. 예를 들어, 바로 위로부터의 입사 태양광은 똑바로 태양 전지소자(24)의 정상부에 수직으로 입사한다. 그 바로 위보다도 약간 벗어난 입사 태양광은, 패키지 성형체 부재(10)의 내벽(11)에서 반사되어, 태양 전지소자(24)의 측면에 거의 수직으로 입사한다. 이와 같이 해서, 태양 전지 조립체(2)에 입사한 광은, n형 실리콘 반도체(24b)와 p형 실리콘 반도체(24a)와의 PN접합 계면에 효율적으로 도달하여, 광기전력이 생기고, 회로로 하면, 광전류가 흐른다.
태양 전지 조립체(2)에 이용되는 패키지 성형체 부재(10)가 세라믹스제 등 산화티타늄 함유 실리콘제의 백색 반사재 이외의 다른 재료로 이루어진 패키지 성형체 부재(10)인 경우, 패키지 성형체 부재(10)의 표면을 본 발명의 백색 반사재로 막 형태로 덮어, 광을 집광해야할 방향으로 반사시키는 것이 가능하다.
본 발명의 백색 반사재에 이용되는 각 소재에 대해서 이하에 설명한다. 이 백색 반사막 또는 소망의 형상의 백색 반사재를 형성하기 위한 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분에 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄이 분산되어 있는 실리콘 조성물은, 열경화성이며, 우수한 내열성, 내구성, 내광성을 나타내는 것이다. 또, 이 실리콘 조성물은, 적절하게, 용제나 첨가제를 가하여, 그 점도를 조정할 수 있어, 액 누설을 일으키는 일이 없이, 소망의 막 두께인 도막을 형성하는 것이나 소망의 형상의 성형물을 형성할 수 있다. 이 산화티타늄 함유 실리콘 조성물은, 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분을 이용하고 있으므로, 종래의 광경화성으로서 1회용인 레지스트에 비해서, 1회용이 아니어도 희석제 등의 용매를 추가하면서 사용할 수 있어 보존성이 우수하다. 희석제로서, 상품명 제오롤라(아사히유리사 제품 불소계 용제), 자일렌, 톨루엔, 에터, 시너(thinner), 1-브로모프로판 등을 들 수 있다. 또한, 반응하여 실리콘 경화물로 되는 저점도의 실리콘 시너를 이용해도 된다. 그 중에서도, 시너는 입수하기 쉽고, 점도가 오르지 않기 때문에 가공성이 우수하여 바람직하다.
본 발명에 있어서의 실리콘 조성물은, 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분 100질량부에 대해서, 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄이 5 내지 400질량부 함유되어 있는 것이 바람직하다. 이 실리콘 조성물을 이용해서 형성된 본 발명의 백색 반사재는, 5질량부보다 적으면 충분한 반사가 얻어지지 않고, 특히 장파장 영역에 있어서 반사율의 저하가 생기며, 한편, 400질량부를 넘으면 산화티타늄의 분산이 곤란해진다.
본 발명에 있어서의 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄은, 작은 입자직경과 큰 입자직경을 조합시킴으로써, 첨가량을 증가시키는 최밀 충전을 할 수 있고, 큰 입자직경의 산화티타늄을 사용함으로써, 은폐력을 올릴 수 있다. 그 평균 입자직경이 0.05 내지 50㎛인 것이 바람직하다. 0.05㎛보다 작다면 은폐력이 저하되기 쉽다. 또한, 50㎛보다 크다면 조성물의 도포조건이 불안정해져 도포 후의 표면 품질이 안정하지 않다. 산화티타늄은, 형상에 제한이 없고 임의의 입자 형상인 것, 예를 들어, 플레이크 형상, 부정형상 또는 구 형상의 입자를 사용할 수 있지만, 그 입자직경이 0.1 내지 10㎛인 것이 바람직하며, Al2O3, ZrO2, SiO2 등으로 표면 처리한 산화티타늄이어도 된다. 아나타제형 산화티타늄은 광촉매 작용이 강하기 때문에, 상기 표면 처리를 행하는 것이 바람직하다.
또, 가시 영역의 광을 반사시킬 경우에는, 루틸형이 바람직하며, 380 내지 400㎚의 파장 영역의 광을 반사시킬 경우에는, 아나타제형이 바람직하다. 특히, 아나타제형 산화티타늄은, 380 내지 400㎚의 파장 영역뿐만 아니라 그 이상의 가시 영역의 광과 그것보다 장파장 영역의 적외선과 같은 780㎚ 이상의 열선을 충분히 반사시킬 수 있어 바람직하다.
아나타제형 산화티타늄 또는 루틸형의 산화티타늄은, 실리콘 100질량부 중에, 5 내지 400질량부 함유되어 있는 것이 바람직하며, 10 내지 200질량부 함유되어 있으면 한층 바람직하다. 5질량부 미만이면 은폐력이 작아 반사율을 확보할 수 없다. 400질량부를 넘으면 도포가 곤란해지는 경향이 있다.
아나타제형 산화티타늄 분말은, 진애 등의 부착 이물을 분해시킬 정도의 강력한 광분해 촉매로서 작용하는 것이기 때문에, 통상, 폴리카보네이트, 폴리프탈아마이드, 폴리에터에터케톤과 같은 열가소성 수지 등의 고분자 화합물에 첨가되면 그것을 분해시켜 황변시키거나, 열화되어 균열을 일으키거나 해버린다. 그러나, 실리콘은 아나타제형 산화티타늄에 대해서도 화학적으로 안정하기 때문에, 백색 반사재는 장기간에 걸쳐서 변질도 변형도 일으키지 않는다.
도 5에, 아나타제형 산화티타늄과 루틸형 산화티타늄과 알루미나의 각 분말을 실리콘에 10질량% 함유시킨 30㎛ 백색 반사막을 형성했을 경우에 있어서의, 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 나타내고 있다. 도 5로부터 명백한 바와 같이, 파장 400㎚에서, 루틸형 산화티타늄의 반사율은 불과 30%인데 대해서, 아나타제형 산화티타늄의 반사율은 80%를 초과하고 있다. 아나타제형 산화티타늄은, 루틸형 산화티타늄보다도, 파장 380 내지 420㎚에서 특히 반사율이 높게 되어 있다. 한편, 알루미나 반사막은, 300㎚부근에서 반사율은 향상하지만, 380㎚보다 장파장 영역의 반사율은 최고라도 80% 정도로, 아나타제형, 루틸형 산화티타늄에 훨씬 미치지 못한다.
아나타제형 산화티타늄의 굴절률은 2.45 내지 2.55, 루틸형 산화티타늄의 굴절률은 2.61 내지 2.90인데 대해서, 알루미나의 굴절률은 약 1.76이다. 아나타제형 산화티타늄도 루틸형 산화티타늄과 마찬가지로 알루미나보다도 굴절률이 높기 때문에 반사율이 높다.
본 발명의 백색 반사재는, 산화티타늄과 함께, 알루미나나 황산바륨, 마그네시아, 질화알루미늄, 질화붕소(육방정·입방정), 실리카(결정성 실리카·용융 실리카), 티타늄산바륨, 카올린, 탤크, 분말 알루미늄과 같은 무기 백색 안료를, 방열 용도나 자외선 반사 용도 등에 따라서 적절하게 첨가해도 된다. 실리콘에 알루미나나 황산바륨과 같은 무기 백색 안료만을 분산가능한 최대량을 함유시켜도, 광의 누출을 일으켜 버리지만, 이러한 무기 백색 안료와 산화티타늄이 공존하고 있으면, 광의 누출이 없어져 반사율이 높아지는 것에 더해서, 방열 기능이나 자외선반사 기능 등의 기능이 부가되어서 바람직하다.
본 발명의 백색 반사재에 이용되는 실리콘 수지 또는 실리콘 고무로서는, 특별히 한정되지 않고, 경질 실리콘 수지, 연질 실리콘 수지, 경질 실리콘 고무, 연질 실리콘 고무가 이용된다. 일례로서 폴리(다이메틸실록산)과 같은 폴리(다이알킬실록산)이나 폴리(다이페닐실록산)과 같은 폴리(다이아릴실록산)으로 예시되는 폴리실록산 화합물을 들 수 있다.
이들 실리콘 중에서도, 저굴절률인 다이메틸실리콘이면 바람직하고, 반사율을 향상시킬 수 있다. 다이메틸실리콘은, 황변의 원인으로 되는 페닐기를 함유하지 않거나 또는 페닐기의 함유가 극히 적기 때문에, 내열성이나 내자외선성도 향상시킬 수 있다.
한편, 페닐기를 함유하는 페닐실리콘은, 재료의 경도를 높게 할 수 있으므로 경질의 백색 반사재를 작성할 경우에는 적절하게 이용된다.
이러한 실리콘은, 3차원 가교되는 실리콘이며, 이 3차원 가교되는 폴리실록산 화합물은, 그 도중의 Si기가 알킬옥시실릴기나 다이알킬옥시실릴기, 비닐실릴기가나 다이비닐실릴기, 하이드로실릴기나 다이하이드로실릴기이거나, 그들 기가 복수개 존재하거나 함으로써, 망 형상으로 삼차원적으로 가교된다고 하는 것이다. 실록산 화합물끼리나, 실록산 화합물과 필요에 따라서 실란 커플링제는, 각각의 알킬옥시실릴기 또는 다이알킬옥시실릴기끼리가 탈알콜화 반응에 의해 축합되어 가교되거나, 비닐실릴기나 다이비닐실릴기와 하이드로실릴기나 다이하이드로실릴기가 백금 착체 등의 백금 촉매 존재 하에서, 무용매 중, 가열이나 광조사에 의해서 부가되어 가교되거나 한다. 실록산 화합물은, 그 중에서도, 부가되어 가교되는 폴리실록산 화합물이 바람직하다. 다이페닐실록시기(-Si(C6H5)2-O-)나 다이메틸실록시기(-Si(CH3)2-O-)와 같은 반복 단위를 지니는 실록산 화합물이어도 된다. 실록산 화합물은, 다이메틸실록시기의 반복 단위를 지니고, 알킬옥시실릴기, 다이알킬옥시실릴기, 비닐실릴기, 다이비닐실릴기, 하이드로실릴기, 다이하이드로실릴기를 지니고 있는 폴리실록산 화합물이면, 변색이 적으므로 한층 바람직하다.
이러한 실리콘은, -40℃ 내지 +200℃의 넓은 온도 범위에 있어서, 고무 탄성을 지닐 수 있으므로, 지지체에 적층한 경우, 지지체의 온도에 의한 열팽창, 열수축에 의한 치수변화에 대해서, 실리콘은 추종하여, 균열 등이 발생하지 않는다. 그 결과, 반사율을 저하시키는 요인의 하나를 배제할 수 있다.
세라믹 코팅 등은, 내열성이 우수하지만, 지지체와의 열팽창, 열수축에 추종할 수 없으므로 균열이 발생해서 반사율을 저하시키는 결과로 된다.
실리콘 고무이면, 그 고무 탄성과 내열성으로부터 장기간 높은 반사율을 지닐 수 있다. 또, 경질의 실리콘 수지더라도 페닐실리콘은, 고온 시 경도가 저하하는 특성을 지니고 있으므로, 지지체의 선팽창에 충분히 대응할 수 있다.
고무 경도로서는, 쇼어A 경도로 30 내지 90, 쇼어D 경도로 5 내지 80이 바람직하다.
막 형태의 백색 반사재를 형성하기 위한 산화티타늄 함유 실리콘 조성물의 인쇄 방법으로서, 스크린 인쇄법, 패드 인쇄, 오프셋 인쇄, 그라비어 인쇄, 볼록판인쇄(凸版印刷) 등을 들 수 있다. 도포방법으로서, 잉크젯법, 디스펜서법, 스프레이법, 롤러법, 블레이드 코팅법, 에어노즐 코팅법, 딥 코팅법, 바 코팅법 등을 들 수 있다. 소망하는 회로 기판의 배선 패턴에 맞춰서 백색 반사막을 형성할 수 있는 스크린 인쇄법이 실크 스크린이나 메탈 마스크를 이용할 수 있으므로 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서, 필요에 따라 이용되는 실란 커플링제는, 반응성 작용기로서, 알킬옥시기나 비닐기나 아미노기나 에폭시기를 지니는 것을 들 수 있다. 커플링제로서는, 실란 커플링제 이외에, 티타네이트나 알루미네이트의 커플링제여도 된다.
실록산 화합물에 실란 커플링제가 함유되어 있으면, 그것이 함유되어 있지 않을 경우보다도, 산화티타늄을 망상 구조 속에 확실히 도입하므로, 실리콘 수지의 강도가 현저히 강해진다.
특히, 실란 커플링제 처리된 산화티타늄을 함유하는 실리콘제의 백색 반사재는, 산화티타늄이 실란 커플링제를 개재해서 실리콘과 가교하고 있기 때문에, 굽힘 강도, 젖음성·분산성이 향상되고 있어, 고품질의 것으로 된다. 이러한 실란 커플링 처리는, 예를 들어, 산화티타늄에 대해서 1질량%의 실란 커플링제를 첨가하고, 헨셸 믹서로 교반해서 표면 처리를 행하고, 100 내지 130℃에서, 30 내지 90분간 건조시킨다고 하는 것이다.
본 발명의 백색 반사재의 도포방법 이외의 성형방법은, 금형을 이용해서, 압축 성형, 사출 성형, 트랜스퍼 성형, 액상 실리콘 고무 사출 형성(LIMS), 압출 성형, 캘린더 성형과 같은 방법으로 성형된다.
본 발명에 있어서, 패키지 성형체 부재(10)와 기재(16)와의 접착이나, 패키지 성형체 부재(10)와 구리막(15a), (15b), (22a), (22b)과 같은 도전 금속막과의 접착에 이용되는 접착제는, SE9185(토레·다우코닝 주식회사 제품; 상품명)나 SE9186(토레·다우코닝 주식회사 제품; 상품명)을 들 수 있다.
본 발명에 있어서의 구리박과 같은 도전 금속막, 패키지 성형체 부재, 막 형태 또는 판 형태의 백색 반사 기재 및 지지체의 조합의 적층에 있어서는, 표면 처리에 의해 접착면을 활성화시킨 화학결합에 의한 적층 이외에 상기 접착제를 이용해서 적층 접착시켜도 된다.
표면 처리에 의해 접착시키는 수단으로서 보다 구체적으로는, 금속박의 표면을, 탈지하고 나서, 코로나 방전 처리, 대기압 플라즈마 처리 또는 자외선 처리의 표면 처리를 실시하여, 그 금속박의 표면에서 노출되고 있는 수산기를 생성시킨다. 그 금속박의 표면을, 비닐메톡시실록산 호모폴리머, 예를 들어, CH2=CH-Si(OCH3)2-O-[(CH2=CH-)Si(-OCH3)-O-]j-Si(OCH3)2-CH=CH2(j는 3 내지 4)의 용액에 침지시키고 나서, 열처리하고, 금속박의 표면상에 생성시킨 수산기와 비닐메톡시실록산 호모폴리머를 반응시켜, 실릴에터를 형성시켜서, 비닐실릴기 함유 실릴기인 활성 실릴기를 생성시킨다. 반응성을 향상시키기 위해서, 그것을 백금 촉매 현탁액에 담그고, 활성 실릴기 중의 비닐기에 백금 촉매를 보유시킨다. 이어서, 하이드로실릴기 함유 실릴기를 지니는 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분과 아나타제형 산화티타늄이 함유되어 있는 실리콘 원료조성물로 표면 처리한 금속박의 면을 접촉시켜, 가열해서 가황시키면, 비닐실릴기 함유 실릴기의 비닐과, 하이드로실릴기 함유 실릴기의 하이드로실릴이 부가형 반응을 하는 결과, 금속박과 백색 반사재가 강고한 화학결합을 개재해서 부착되어 확실히 결합된다.
활성기가 비닐기인 비닐메톡시실록산 호모폴리머를 이용해서 금속막에 결합시켜, 반응성 기가 하이드로실릴기인 하이드로실릴기 함유 실릴기 함유 실리콘 고무 성분이 함유되어 있는 실리콘 조성물을 이용한 예를 나타냈지만, 활성기가, 하이드로실릴 함유 실릴기, 비닐 함유 실릴기, 알콕시실릴 함유 실릴기 및 가수분해성 기 함유 실릴기 중 어느 하나의 활성 실릴기이며, 반응성 기가, 상기 실리콘 고무 성분 또는 상기 실리콘 수지 성분 중의 하이드로실릴기 함유 실릴기, 비닐실릴기 함유 실릴기, 알콕시실릴 함유 실릴기 및 가수분해성 기 함유 실릴기 중의 어느 하나의 반응성 실릴기여도 된다. 활성기와 반응성 기와의 조합은, 어느 한쪽이 하이드로실릴기 함유 실릴기일 경우에 다른 쪽이 비닐실릴기 함유 실릴기이며, 어느 한쪽이 알콕시실릴 함유 실릴기일 경우에 다른 쪽이 알콕시실릴 함유 실릴기 또는 가수분해성 기 함유 실릴기이며, 모두가 가수분해성 기 함유 실릴기인 것을 들 수 있다.
이러한 활성 실릴기는 어느 것이라도 금속막의 표면의 수산기에 기능성 알콕시실릴화합물의 알콕시실릴기가 반응함으로써, 형성되는 것이다.
백색 반사재를, 발광 다이오드 패키지나 태양 전지 조립체에 이용한 예를 나타냈지만, 광이나 열선을 반사하기 위한 기판, 예를 들어, 반도체소자 기판, 집적 회로 기판, 고주파 기판, 전기 회로 기판, 태양 전지 기판에 이용해도 된다. 그들을 케이스나 하우징으로서 이용해서, 일체화시키고 있어도 된다.
본 발명에 있어서의 도전 금속막 형성을 위한 도금 처리로서는, 도금의 종류로서, 니켈 도금, 구리 도금, 은 도금, 금 도금, 크롬 도금, 바나듐 도금 등을 들 수 있고, 이들 도금을 조합시켜서 도전 금속막을 형성하면 된다.
지지체(17)는, 특별히 한정되지 않지만, 세라믹스제, 비스말레이미드·트라이아진 수지제, 유리제, 금속 알루미늄제, 종이 페놀 수지제, 베이클라이트제, 유리 섬유 함유 에폭시 수지제, 폴리테트라플루오로에틸렌제, 종이 에폭시제, 폴리아마이드제, 폴리이미드제, 실리콘 수지제, 실리콘 고무제의 지지체 및 이들 지지체에 유리 섬유직물, 유리 페이퍼 및 유리 섬유로부터 선택되는 보강 재료가 포함된 지지체를 들 수 있다.
실시예
이하에, 본 발명의 산화티타늄 함유 실리콘제의 백색 반사재를 샘플로 제작하여, 반도체 발광장치에 편입시킨 예를 나타낸다.
(실시예 1)
실리콘 수지(상품명 SR-7010: 토레·다우코닝 주식회사) 100질량부에 아나타제형 산화티타늄(상품명 SA-1: 사카이화학공업(堺化學工業) 주식회사)을 10질량부 첨가하여 분산시키고, 가열 프레스에서, 170℃에서 5분간의 경화 조건에 의해서, 세로 70㎜, 가로 70㎜, 두께 1㎜의 백색 반사판을 제작하였다. 그 후 170℃에서 90분간 어닐링하여 측정 샘플로 하였다. 150℃에서 1000시간 경과 후의 반사율을, 분광 광도계 UV-3150(시마즈사 제품)을 이용해서 측정하였다. 또한, 반사율의 측정은, 3종류의 파장(380㎚, 550㎚ 및 780㎚)의 광에 대해서 실시하였다. 그 측정 결과를, 하기 표 1에 정리해서 나타낸다.
Figure 112017021359035-pat00001
《고온에서의 경시 후의 반사율 평가》
표 1로부터 명확한 바와 같이, 1000시간 경과 후에도 큰 반사율의 저하는 보여지지 않고, 황변되거나 열화되거나 하는 일이 없기 때문에, 내광성, 내열성이 우수하여, 유용한 반사재인 것을 알 수 있었다.
(실시예 2 및 비교예 1)
비스말레이미드·트라이아진수지(BT수지), 유리 에폭시 수지(GE수지) 100질량부 각각에 루틸형 산화티타늄(상품명 SR-1: 사카이화학공업 주식회사)을 100질량부 첨가하여 분산시켜 막 두께가 50㎛인 기판을 1매씩 작성하였다.
한편, 상기와 마찬가지로 해서 두께 25㎛의 비스말레이미드·트라이아진 수지 기재 및 유리 에폭시 수지 기재를 얻었다.
이 25㎛ 두께의 각각의 기재(BT수지제 기재, GE수지제 기재) 상에 바 코터로, 실시예 1에서 이용한 실리콘 수지에 루틸형 산화티타늄(상품명 SR-1: 사카이화학공업 주식회사)을 100질량부 첨가한 실리콘 조성물을 도포하여 막 두께 25㎛의 실리콘 수지조성물 도막을 구비하는 적층체로 하여 두께 50㎛의 백색 반사판을 얻었다.
이들 4종류의 백색 반사판을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 측정 파장에 대해서는, 200㎚ 내지 1000㎚의 범위에서 반사율을 측정하였다.
가열 전의 반사율의 결과를 도 6에 나타내고, 가열 경과 후의 반사율의 결과를 도 7에 나타낸다.
《종래 기판과 본 발명의 백색 반사판의 고온에서의 경시 후의 반사율의 비교평가》
도 6 및 도 7로부터, BT수지제 기재나 GE수지제 기재에 산화티타늄 함유 실리콘제 백색 반사막 형성 조성물을 도포하는 것에 의해, 각각 반사율이 향상되는 것이 명확해졌다. 또, 열처리 후에 있어서도, 산화티타늄 함유 실리콘제 백색 반사막 형성 조성물을 도포한 적층 타입의 백색 반사재는 높은 반사율을 유지하는 것을 알 수 있었다.
(실시예 3)
실시예 2와 마찬가지로 작성한 두께 25㎛의 BT수지 기재 상에, 실리콘 수지 100질량부에 대해서, 루틸형 산화티타늄의 배합부수, 즉, 배합량을 10질량부(phr), 25phr, 50phr, 250phr로 한 산화티타늄 함유 실리콘 조성물을 막 두께가 25㎛로 되도록 각각 도포하여, 두께 50㎛의 적층 타입의 백색 반사재를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지의 반사율 측정을 행하고, 그 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 도 8에 나타낸다. 또, 실시예 2와 마찬가지의 열처리 및 반사율 측정을 행하고, 그 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 도 9에 나타낸다.
《BT수지 기재 상에 도포한 도막 두께 25㎛의 적층 타입의 백색 반사판에 있어서의 루틸형 산화티타늄의 첨가량마다의 반사율 평가와 가열 후의 반사율 비교평가》
도 8로부터 루틸형 산화티타늄을 10phr 첨가하여 분산시켜 형성된 적층 타입의 백색 반사 기재는, 반사율이 90% 이상인 것을 알 수 있었다. 도 9로부터, 가열 경시 변화를 고려하면 80%의 반사율을 확보하기 위해서는, 25phr 이상의 루틸형 산화티타늄이 필요한 것을 알 수 있었다. 이것으로부터, 10phr 이상이면 바람직하며, 가열 경시 변화를 고려하면 25phr 이상이면 보다 바람직하다.
(실시예 4)
실시예 2와 마찬가지로 작성한 두께 25㎛의 GE수지 기재 상에, 실리콘 수지 100질량부에 대해서, 루틸형 산화티타늄의 배합량을 10질량부(phr), 25phr, 50phr, 250phr로 한 산화티타늄 함유 실리콘 조성물을 막 두께가 25㎛로 되도록 각각 도포하고, 두께 50㎛의 적층 타입의 백색 반사재를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지의 반사율 측정을 행하고, 그 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 도 10에 나타낸다. 또한, 실시예 2와 마찬가지의 열처리 및 반사율 측정을 행하고, 그 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 도 11에 나타낸다.
도 10에, 루틸형 산화티타늄의 배합량을 10phr, 25phr, 50phr, 250phr로 한 산화티타늄 함유 실리콘제 백색 반사막형성 조성물을 각각 GE수지제 기재 상에 도포하고, 그 막 두께가 25㎛인 기판에 있어서의, 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 나타낸다. 또한, 도 11에, 루틸형 산화티타늄의 배합량을 10phr, 25phr, 50phr, 250phr로 한 산화티타늄 함유 실리콘제 백색 반사막형성 조성물을 각각 GE수지제 기재 상에 도포하고, 그 막 두께가 25㎛인 기판의 열처리 후에 있어서의 조사 파장과 반사율과의 상관 관계를 나타낸다.
《GE수지 기재 상에 도포한 도막 두께 25㎛의 적층 타입의 백색 반사판에 있어서의 루틸형 산화티타늄의 첨가량마다의 반사율 평가와 가열 후의 반사율 비교평가》
*도 10으로부터 루틸형 산화티타늄을 25phr 첨가하여 분산시켜 형성된 적층 타입의 백색 반사 기재는 반사율이 80% 이상인 것을 알 수 있었다. 도 11로부터, 가열 경시 변화를 고려하면 80%의 반사율을 확보하기 위해서는, 50phr 이상의 루틸형 산화티타늄이 필요한 것을 알 수 있었다. 이것으로부터, 루틸형 산화티타늄의 첨가량은 25phr 이상이면 바람직하고, 가열 경시 변화를 고려하면 50phr 이상이면 보다 바람직하다.
이상과 같이, 종래의 기재 상에 본 발명의 산화티타늄 함유 실리콘 조성물을 도포함으로써 반사율이 향상된 백색 반사재를 얻을 수 있고, 가열 경시 변화에 있어서도 산화티타늄의 함유량을 조절함으로써, 종래의 반사율을 상회하는 백색 반사 기재를 얻을 수 있었다. 이것으로부터, 회로 기판이나 반도체 발광장치의 반사재로서 유용한 것을 알 수 있었다.
본 발명의 산화티타늄 함유 실리콘제의 백색 반사재는, 발광 다이오드(LED)와 같은 반도체 발광장치, 광반도체 패키지 부재, 반도체 발광소자를 기판 상에 배치해서 편입시킨 전자회로기판, 및 이들을 응용한 조명 기구, 백라이트 반사 시트에 이용할 수 있다. 또한, 이 백색 반사재는, 입사하는 광을 반사해서, 광전변환 소자에 집광시키기 위한 기재로서 태양 전지 용도에 이용할 수 있다.
1: 반도체 발광장치 2: 태양 전지 조립체
10: 패키지 성형체 부재 10a: 세라믹스제 패키지 성형체 부재
11: 내벽
12a, 12b: 아나타제형 산화티타늄 입자
13: 반도체 발광소자 14a, 14b: 리드 선
15, 15a, 15b: 도전 금속막(구리막)
16, 16a, 16b, 16c: 백색 반사재인 기재(도막)
17: 지지체 18: 백색 반사재인 도막
20: 기판 21a, 21b: 마스킹층
22a, 22b: 도전 금속막(구리막) 23: 절연체
24: 태양 전지소자 24a: p형 실리콘 반도체
24b: n형 실리콘 반도체 30: 패키지 성형체 부재
33: 반도체 발광소자 34a, 34b: 리드 선
35a, 35b: 도전 금속막(구리막) 40: 기재

Claims (23)

  1. 실록산 화합물끼리 부가 또는 축합으로 가교 경화에 의해 망상 구조를 형성하는 실리콘 수지로 이루어진 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무로 이루어진 미가교 실리콘 고무 성분에 Al2O3, ZrO2, SiO2 및 실란 커플링제 중 적어도 하나에 의해 표면 처리된, 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 입자를 분산한 액상, 소성 또는 반고체의 산화티타늄 함유 실리콘 미가교 성분 조성물을 입체 형태, 막 형태 또는 판상 형태로 성형한 성형체에 지지체가 부여된 백색 반사재이며,
    상기 산화티타늄 입자는, 상기 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분 100질량부에 대해서, 5 내지 400질량부 함유하는 것이고,
    상기 성형체는 150℃에서 1000시간의 열처리 후에 측정한 고온경시반사율과 상기 열처리 전에 측정한 초기 반사율이 550nm에서 90% 이상이며,
    상기 실리콘 수지 또는 상기 실리콘 고무의 고무 경도가 쇼어A 경도로 30 내지 90 또는 쇼어D 경도로 5 내지 80인 백색 반사재.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Al2O3, 상기 ZrO2 및 상기 SiO2 중 적어도 하나로 표면 처리된, 또는 한층 더 실란 커플링제로 표면 처리된 상기 아나타제형 또는 루틸형 산화티타늄 입자가 분산되어있는 것을 특징으로하는 백색 반사재.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산화티타늄 함유 실리콘 미가교 성분 조성물에 실란 커플링제를 함유하는 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  4. 제1항에 있어서, 상기 산화티타늄 입자는, 평균 입자직경이 0.05 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  5. 제1항에 있어서, 집광 또는 확산시켜야 할 방향으로 반사하거나 또는 난반사하도록 성형되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  6. 제5항에 있어서, 상기 백색반사재는, 표면에 발광 소자 또는 태양 전지소자로 이루어진 반도체 광학소자에 접속하기 위한 도전 금속막이 부여된 상기 판상 형태 또는 막 형태의 기재인 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  7. 제6항에 있어서, 상기 판상 또는 막 형태의 기재가 상기 도전 금속막 상에 부여되거나, 또는 상기 도전 금속막이 판상 또는 막 형태의 기재 상에 부여되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기재 또는 상기 도전 금속막에, 광학소자의 비장착면 측에서, 상기 지지체가 부여되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  9. 제8항에 있어서, 상기 지지체에 상기 도전 금속막이 부여되고, 상기 도전 금속막 상에 상기 기재가 부여되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  10. 제1항에 있어서, 상기 판상 또는 막 형태의 두께가 5㎛ 내지 2000㎛인 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  11. 제1항에 있어서, 발광 소자 또는 태양 전지소자로 이루어진 광학소자를, 둘러싸고 있고, 상기 광학소자의 입출사 방향으로 점차로 넓어져 상기 입체 형태로 개구되면서, 수용하고 있는 패키지 성형체 부재인 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  12. 제11항에 있어서, 상기 발광 소자에 접속하고 있는 도전 금속막이 표면에 부여되어, 그 광학소자를 장착하고 있는 기재와, 상기 패키지 성형체 부재가, 접착제에 의해 접착되거나, 또는 화학결합을 개재해서 결합되어 있는 것을 특징으로 하고, 도전 금속막을 가진, 백색 반사재.
  13. 제12항에 있어서, 상기 기재가 실리콘 수지 또는 실리콘 고무로 성형되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  14. 제12항에 있어서, 상기 기재에 상기 광학소자의 비장착면 측에서 상기 지지체가 부여되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  15. 제12항에 있어서, 상기 기재에 유리 섬유직물(glass cloth), 유리 페이퍼(glass paper) 및 유리 섬유로부터 적어도 1개 이상 선택된 보강 재료가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  16. 제12항에 있어서, 상기 기재 상에, 상기 광학소자를 둘러싸는 상기 패키지 성형체 부재가 복수개 늘어서면서, 상기 발광 소자를 지니고 있는 반도체 발광장치, 또는 상기 태양전지소자를 구비하고 있는 태양 전지가 일체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  17. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분이, 하이드로실릴 함유 실릴기, 비닐 함유 실릴기, 알콕시실릴 함유 실릴기 및 가수분해성 기 함유 실릴기 중 어느 하나의 활성 실릴기를 지니는 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 산화 티타늄 함유 실리콘 미가교 성분 조성물을 압축 성형, 사출 성형, 트랜스퍼 성형, 액상 실리콘 고무 사출 성형, 압출 및 캘린더 성형으로부터 선택된 어느 하나의 방법으로 가교 경화하거나, 또는 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄, 디스펜서 법, 롤러 법, 블레이드 코트 및 바 코트에서 선택되는 어느 하나의 도포 방법으로 도포한 후 가교 경화하여 상기 망상 구조 중에 상기 산화 티타늄 입자를 도입한 실리콘 수지 또는 상기 실리콘 고무로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 산화 티타늄 함유 실리콘 미가교 성분 조성물이 가교 경화한 것이며, 상기 망상 구조 중 상기 산화 티타늄 입자를 도입한 백색 반사재.
  20. Al2O3, ZrO2 , SiO2 및 실란 커플링제 중 적어도 하나에 의해 표면 처리된, 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄과 실록산 화합물끼리 부가 또는 축합으로 가교 경화에 의해 망상 구조를 형성하는 실리콘 수지로 이루어진 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무로 이루어진 미가교 실리콘 고무 성분을 함유하고,
    상기 산화티타늄 입자는, 상기 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분 100질량부에 대해서, 5 내지 400질량부 함유하는 것이고,
    150℃에서 1000시간의 열처리 후에 측정한 고온경시반사율과 상기 열처리 전에 측정한 초기 반사율이 550nm에서 90% 이상이며,
    상기 실리콘 수지 또는 상기 실리콘 고무의 고무 경도가 쇼어A 경도로 30 내지 90 또는 쇼어D 경도로 5 내지 80인 입체 형태, 막 형태 또는 판상 형태의 성형체에 지지체가 부여된 백색 반사재이고, 상기 백색반사재를 위해서 상기 성형체의 성형 가공에 사용되는 액상, 소성 또는 반고체의 산화티타늄 함유 실리콘 미가교 성분 조성물인 것을 특징으로 하는 백색 반사재.
  21. 비실리콘 수지로 이루어진 지지체의 표면을 표면활성화 처리하는 단계; 및
    표면활성화 처리한 면에, 실록산 화합물끼리 부가 또는 축합으로 가교 경화에 의해 망상 구조를 형성하는 실리콘 수지로 이루어진 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무로 이루어진 미가교 실리콘 고무 성분에 Al2O3, ZrO2, SiO2 및 실란 커플링제 중 적어도 하나에 의해 표면 처리된 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 입자를 분산한 것으로 상기 산화티타늄 입자를 상기 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분 100질량부에 대해서, 5 내지 400 질량부 함유한 액상 또는 소성의 산화티타늄 함유 실리콘 미가교 성분 조성물을 도포한 후, 가교 경화시켜 적층체를 형성하고,
    150℃에서 1000시간의 열처리 후에 측정한 고온경시반사율과 상기 열처리 전에 측정한 초기 반사율이 550nm에서 90% 이상이고, 상기 실리콘 수지 또는 상기 실리콘 고무의 고무 경도가 쇼어A 경도로 30 내지 90 또는 쇼어D 경도로 5 내지 80인 성형체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 반사재의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 산화티타늄 함유 실리콘 미가교 성분 조성물의 가교 경화한 층 상에 또 금속 도전층을 형성하는 것을 특징으로 하고, 금속 도전층을 갖는 백색 반사재의 제조방법.
  23. 비실리콘 수지로 이루어진 지지체에 금속 도전층을 형성하는 단계;
    상기 금속 도전층으로 배선 회로를 형성하는 단계;
    상기 배선 회로에 반도체 발광소자를 결선하는 주위에 실록산 화합물끼리 부가 또는 축합으로 가교 경화에 의해 망상 구조를 형성하는 실리콘 수지로 이루어진 미가교 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무로 이루어진 미가교 실리콘 고무 성분에 Al2O3, ZrO2, SiO2 및 실란 커플링제 중 적어도 하나에 의해 표면 처리된, 아나타제형 또는 루틸형의 산화티타늄 입자가 분산되어 상기 산화티타늄 입자를 상기 실리콘 수지 성분 또는 실리콘 고무 성분 100질량부에 대해서, 5 내지 400질량부 함유한 액상 또는 소성의 산화티타늄 함유 실리콘 미가교 성분 조성물을 상기 지지체 상에 부분적으로 설치하는 단계; 및
    상기 조성물을 가교 경화하여 성형체를 적층한 적층체를 형성하는 단계를 포함하고,
    150℃에서 1000시간의 열처리 후에 측정한 고온경시반사율과 상기 열처리 전에 측정한 초기 반사율이 550nm에서 90% 이상이고, 상기 실리콘 수지 또는 상기 실리콘 고무의 고무 경도가 쇼어A 경도로 30 내지 90 또는 쇼어D 경도로 5 내지 80인 성형체로 하는 것을 특징으로 하는 금속 도전층을 가진 백색 반사재의 제조방법.
KR1020177005977A 2009-06-26 2010-06-25 백색 반사재 및 그 제조방법 KR101821101B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009152828 2009-06-26
JPJP-P-2009-152828 2009-06-26
JP2010065888 2010-03-23
JPJP-P-2010-065888 2010-03-23
PCT/JP2010/060875 WO2010150880A1 (ja) 2009-06-26 2010-06-25 白色反射材及びその製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127001938A Division KR20120123242A (ko) 2009-06-26 2010-06-25 백색 반사재 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170028456A KR20170028456A (ko) 2017-03-13
KR101821101B1 true KR101821101B1 (ko) 2018-01-22

Family

ID=43386647

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127001938A KR20120123242A (ko) 2009-06-26 2010-06-25 백색 반사재 및 그 제조방법
KR1020177005977A KR101821101B1 (ko) 2009-06-26 2010-06-25 백색 반사재 및 그 제조방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127001938A KR20120123242A (ko) 2009-06-26 2010-06-25 백색 반사재 및 그 제조방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8704258B2 (ko)
EP (1) EP2448026A4 (ko)
JP (2) JP5746620B2 (ko)
KR (2) KR20120123242A (ko)
CN (1) CN102473824B (ko)
HK (1) HK1170849A1 (ko)
TW (1) TWI477555B (ko)
WO (1) WO2010150880A1 (ko)

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120123242A (ko) 2009-06-26 2012-11-08 가부시키가이샤 아사히 러버 백색 반사재 및 그 제조방법
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
US20110215348A1 (en) * 2010-02-03 2011-09-08 Soraa, Inc. Reflection Mode Package for Optical Devices Using Gallium and Nitrogen Containing Materials
WO2011118109A1 (ja) 2010-03-23 2011-09-29 株式会社朝日ラバー 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
US8896235B1 (en) 2010-11-17 2014-11-25 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
US9232634B2 (en) 2011-01-17 2016-01-05 Canon Components, Inc. Flexible circuit board for mounting light emitting element, illumination apparatus, and vehicle lighting apparatus
JP5274586B2 (ja) 2011-01-17 2013-08-28 キヤノン・コンポーネンツ株式会社 フレキシブル回路基板
JP5543386B2 (ja) * 2011-01-21 2014-07-09 スタンレー電気株式会社 発光装置、その製造方法及び照明装置
JP5582048B2 (ja) 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP2500623A1 (en) 2011-03-18 2012-09-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for providing a reflective coating to a substrate for a light-emitting device
JP5743641B2 (ja) * 2011-03-30 2015-07-01 日本タングステン株式会社 Ｌｅｄパッケージ
JP5745319B2 (ja) * 2011-04-14 2015-07-08 日東電工株式会社 蛍光反射シート、および、発光ダイオード装置の製造方法
JP5791947B2 (ja) * 2011-04-18 2015-10-07 イビデン株式会社 Ｌｅｄ基板の製造方法
JP2012227294A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Ibiden Co Ltd Ｌｅｄ基板、発光モジュール、ｌｅｄ基板の製造方法、及び発光モジュールの製造方法
JP5670250B2 (ja) * 2011-04-18 2015-02-18 イビデン株式会社 Ｌｅｄ基板、発光モジュール、発光モジュールを有する機器、ｌｅｄ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法
JP2012243846A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 金属ベース回路基板および発光素子
JP2013004905A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置
US9941435B2 (en) * 2011-07-01 2018-04-10 Sunpower Corporation Photovoltaic module and laminate
JP5682497B2 (ja) 2011-07-29 2015-03-11 信越化学工業株式会社 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板
JP5764423B2 (ja) * 2011-08-02 2015-08-19 日東電工株式会社 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレームまたは光半導体装置用基板、ならびに光半導体装置
JP6034175B2 (ja) 2012-01-10 2016-11-30 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP2013191687A (ja) * 2012-03-13 2013-09-26 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置
JP2013197505A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
WO2013152362A1 (en) * 2012-04-07 2013-10-10 Axlen, Inc. High flux high brightness led lighting devices
DE102012213178A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft LED-Modul mit Leiterplatte
JP5609925B2 (ja) * 2012-07-09 2014-10-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP2879195A4 (en) * 2012-07-27 2016-01-20 Konica Minolta Inc LED DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP2014072450A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
MX364372B (es) 2012-10-01 2019-04-24 Arkema France Difusor optico de luz y metodo para la medicion de la misma.
JP6344881B2 (ja) * 2012-10-01 2018-06-20 株式会社朝日ラバー 反射材の製造方法
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US9133389B2 (en) 2012-10-31 2015-09-15 Empire Technology Development Llc Light guide structure and illuminating device
JP6010758B2 (ja) * 2012-11-14 2016-10-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
JP6363618B2 (ja) 2012-12-27 2018-07-25 ダウ シリコーンズ コーポレーション 優れた反射率及び難燃性を有する物品を形成するための組成物、並びにそれらから形成された物品
JP6010455B2 (ja) * 2012-12-27 2016-10-19 信越化学工業株式会社 集光型太陽電池モジュール
JP2014130916A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール用基板及び発光モジュール用基板の製造方法
US9708492B2 (en) * 2013-01-10 2017-07-18 Konica Minolta, Inc. LED device and coating liquid used for production of same
JP6068175B2 (ja) * 2013-02-12 2017-01-25 新光電気工業株式会社 配線基板、発光装置、配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法
JP5977686B2 (ja) * 2013-02-13 2016-08-24 信越化学工業株式会社 集光型太陽電池モジュールの製造方法及び集光型太陽電池モジュール
KR101769223B1 (ko) 2013-02-27 2017-08-17 가부시키가이샤 아사히 러버 백색 반사막용 잉크, 백색 반사막용 분체 도료, 백색 반사막의 제조 방법, 백색 반사막, 광원 마운트 및 조명기구 쉐이드
JP6088310B2 (ja) * 2013-03-22 2017-03-01 日本タングステン株式会社 発光体保持基板およびその製造方法
JP2014187081A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP6255747B2 (ja) * 2013-07-01 2018-01-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
TW201505132A (zh) * 2013-07-25 2015-02-01 Lingsen Precision Ind Ltd 光學模組的封裝結構
US9410664B2 (en) 2013-08-29 2016-08-09 Soraa, Inc. Circadian friendly LED light source
KR101506990B1 (ko) * 2014-03-31 2015-04-01 주식회사 산코코리아 태양전지 셀 연결부재
CN104977635A (zh) * 2014-04-02 2015-10-14 鸿威光电股份有限公司 反射片
US9671085B2 (en) 2014-04-22 2017-06-06 Dow Corning Corporation Reflector for an LED light source
WO2015170773A1 (ja) 2014-05-09 2015-11-12 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板および発光装置
WO2015175839A1 (en) 2014-05-14 2015-11-19 California Institute Of Technology Large-scale space-based solar power station: packaging, deployment and stabilization of lightweight structures
WO2015179214A2 (en) 2014-05-14 2015-11-26 California Institute Of Technology Large-scale space-based solar power station: power transmission using steerable beams
CN105322433B (zh) * 2014-05-28 2020-02-04 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及其相关发光装置
US12021162B2 (en) 2014-06-02 2024-06-25 California Institute Of Technology Ultralight photovoltaic power generation tiles
US11362228B2 (en) * 2014-06-02 2022-06-14 California Institute Of Technology Large-scale space-based solar power station: efficient power generation tiles
CN104061477B (zh) * 2014-07-08 2016-02-17 惠州奔达电子有限公司 一种高效散热的led光源模组
WO2016009661A1 (ja) * 2014-07-17 2016-01-21 フドー株式会社 光反射体材料、光反射体、及び照明器具
WO2016038836A1 (ja) * 2014-09-10 2016-03-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
EP3218940A4 (en) * 2014-10-27 2018-08-15 Henkel AG & Co. KGaA A method for manufacturing an optical semiconductor device and a silicone resin composition therefor
US20160163901A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-09 Benjamin Ian Hsia Laser stop layer for foil-based metallization of solar cells
JP6762736B2 (ja) 2015-03-16 2020-09-30 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
CN107615108B (zh) * 2015-05-28 2020-02-14 大塚化学株式会社 反光体材料、反光体和照明器具
WO2017015508A1 (en) 2015-07-22 2017-01-26 California Institute Of Technology Large-area structures for compact packaging
JP6675111B2 (ja) * 2015-08-03 2020-04-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
US10992253B2 (en) 2015-08-10 2021-04-27 California Institute Of Technology Compactable power generation arrays
WO2017027633A1 (en) 2015-08-10 2017-02-16 California Institute Of Technology Systems and methods for controlling supply voltages of stacked power amplifiers
JP6237826B2 (ja) * 2015-09-30 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法
CN106626645B (zh) * 2015-10-29 2019-07-23 宁波长阳科技股份有限公司 一种太阳能电池背板及其制备方法
CN105542516B (zh) * 2015-12-07 2017-11-10 陕西理工学院 一种可反射近红外线黄色颜料及其制备方法
CN106972093B (zh) * 2016-01-13 2019-01-08 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构
US20190096954A1 (en) * 2016-03-10 2019-03-28 Lumileds Holding B.V. Led module
JP2017199803A (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 日立マクセル株式会社 三次元成形回路部品
CN107403791B (zh) * 2016-05-18 2020-04-10 光宝光电(常州)有限公司 发光显示器以及形成发光显示器的方法
JP6418200B2 (ja) 2016-05-31 2018-11-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN106365661B (zh) * 2016-09-12 2019-02-26 中国科学院兰州化学物理研究所 一种多层结构氧化铝复合陶瓷及其制备方法
CN106887505B (zh) * 2017-04-24 2019-07-16 芜湖聚飞光电科技有限公司 一种单面发光芯片级led的制作方法
US10224358B2 (en) * 2017-05-09 2019-03-05 Lumileds Llc Light emitting device with reflective sidewall
JP7048879B2 (ja) 2017-10-12 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7366016B2 (ja) 2017-11-10 2023-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 屋根コーティング組成物、使用方法、及び物品
KR102367879B1 (ko) 2017-11-17 2022-02-25 모멘티브퍼포먼스머티리얼스코리아 주식회사 실리콘계 반사재 조성물 및 이를 이용하여 형성된 광학 장치
CN108231973B (zh) * 2017-12-08 2019-08-27 开发晶照明（厦门）有限公司 封装支架
CN111655476B (zh) 2018-01-19 2022-05-03 惠普发展公司，有限责任合伙企业 柔性包装材料
CN108538996A (zh) * 2018-03-07 2018-09-14 广州硅能照明有限公司 一种提高cob光输出的方法
KR102533213B1 (ko) 2018-07-16 2023-05-17 삼성전자주식회사 액정표시장치
US11634240B2 (en) 2018-07-17 2023-04-25 California Institute Of Technology Coilable thin-walled longerons and coilable structures implementing longerons and methods for their manufacture and coiling
US11862736B2 (en) * 2018-09-17 2024-01-02 GBT Tokenize Corp. Multi-dimensional photonic integrated circuits and memory structure having optical components mounted on multiple planes of a multi-dimensional package
KR102654268B1 (ko) * 2018-10-10 2024-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111087819A (zh) * 2018-10-23 2020-05-01 北京科化新材料科技有限公司 一种液体硅材料复合物及其制备方法和应用
US11772826B2 (en) 2018-10-31 2023-10-03 California Institute Of Technology Actively controlled spacecraft deployment mechanism
JP7457657B2 (ja) 2018-12-27 2024-03-28 デンカ株式会社 発光基板及び照明装置
US12040436B2 (en) 2018-12-27 2024-07-16 Denka Company Limited Phosphor substrate, light emitting substrate, and lighting device
US12068438B2 (en) 2018-12-27 2024-08-20 Denka Company Limited Phosphor substrate, light emitting substrate, and lighting device
US12107196B2 (en) 2018-12-27 2024-10-01 Denka Company Limited Phosphor substrate, light emitting substrate, and lighting device
WO2020137761A1 (ja) 2018-12-27 2020-07-02 デンカ株式会社 蛍光体基板、発光基板及び照明装置
US10720551B1 (en) * 2019-01-03 2020-07-21 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lamps
CN110028706A (zh) * 2019-04-09 2019-07-19 深圳市圆方科技新材料有限公司 一种具有红外线能量反射的橡胶及其制造方法
CN113875320A (zh) * 2019-05-23 2021-12-31 昕诺飞控股有限公司 针对固态光源应用的稳定pcb
JP7558547B2 (ja) * 2019-07-16 2024-10-01 株式会社朝日ラバー 光学部材、及びそれの製造方法
JP7503288B2 (ja) * 2019-11-11 2024-06-20 株式会社朝日ラバー シリコーン樹脂製紫外線反射保護基材、その製造方法、及びそれに用いる原材料組成物
CN110903695B (zh) * 2019-12-23 2022-06-24 江门市阪桥电子材料有限公司 一种具有高反射性能的硅胶油墨
US11865200B2 (en) 2020-10-02 2024-01-09 Michael E. Stein Chemical composition and related methods
CN114927607A (zh) * 2022-03-31 2022-08-19 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组及其制备方法
CN115260983B (zh) * 2022-08-01 2024-04-05 旭宇光电（深圳）股份有限公司 Led封装材料、led光源及其封装方法
CN117682763A (zh) * 2023-11-16 2024-03-12 东莞南玻太阳能玻璃有限公司 免烧结高反射光伏玻璃釉料及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005146191A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Kaneka Corp 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体
JP2009021394A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
JP2009129801A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路基板

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315654A (ja) 1992-05-08 1993-11-26 Denki Kagaku Kogyo Kk 発光ダイオードランプ
US6468638B2 (en) 1999-03-16 2002-10-22 Alien Technology Corporation Web process interconnect in electronic assemblies
JP4101468B2 (ja) 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US6632892B2 (en) 2001-08-21 2003-10-14 General Electric Company Composition comprising silicone epoxy resin, hydroxyl compound, anhydride and curing catalyst
JP4180844B2 (ja) 2002-06-06 2008-11-12 昭和電工株式会社 硬化性難燃組成物、その硬化物及びその製造方法
JP4774201B2 (ja) * 2003-10-08 2011-09-14 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及び半導体装置
JP2006124600A (ja) 2004-11-01 2006-05-18 Teijin Chem Ltd 光高反射性ポリカーボネート樹脂組成物およびその製造方法
JP4371234B2 (ja) 2005-03-03 2009-11-25 信越化学工業株式会社 フレキシブル金属箔ポリイミド積層板
EP1710847B1 (en) 2005-04-08 2014-09-17 Nichia Corporation Light emitting device with silicone resin layer formed by screen printing
JP4634856B2 (ja) 2005-05-12 2011-02-16 利昌工業株式会社 白色プリプレグ、白色積層板、及び金属箔張り白色積層板
TWI256737B (en) 2005-05-19 2006-06-11 Pi-Fu Yang One-block light-emitting device and manufacturing method thereof
JP2006343445A (ja) 2005-06-08 2006-12-21 Mitsubishi Engineering Plastics Corp 光反射材及びその製造法
JP5196711B2 (ja) 2005-07-26 2013-05-15 京セラ株式会社 発光装置およびそれを用いた照明装置
WO2007072659A1 (ja) * 2005-12-20 2007-06-28 Toshiba Lighting & Technology Corporation 発光装置
WO2007074892A1 (ja) 2005-12-26 2007-07-05 Teijin Limited 透明フィルム
JP2007270054A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Jsr Corp 金属酸化物微粒子含有ポリシロキサン組成物およびその製造方法
JPWO2008023551A1 (ja) * 2006-08-22 2010-01-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 表示素子
CN101522838B (zh) 2006-10-05 2012-07-04 陶氏康宁公司 有机硅树脂膜及其制备方法
US20080117619A1 (en) 2006-11-21 2008-05-22 Siew It Pang Light source utilizing a flexible circuit carrier and flexible reflectors
JP2008143981A (ja) 2006-12-07 2008-06-26 Three M Innovative Properties Co 光反射性樹脂組成物、発光装置及び光学表示装置
JP2008159713A (ja) 2006-12-21 2008-07-10 Momentive Performance Materials Japan Kk 発光装置
JP2008187030A (ja) 2007-01-30 2008-08-14 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP2008222828A (ja) 2007-03-12 2008-09-25 Momentive Performance Materials Japan Kk 凸レンズ形成用シリコーンゴム組成物及びそれを用いた光半導体装置
JP4973279B2 (ja) * 2007-03-29 2012-07-11 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2008251316A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Hitachi Ltd プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP4771179B2 (ja) 2007-05-31 2011-09-14 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP2009024116A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Sony Corp 硬化性樹脂材料−微粒子複合材料及びその製造方法、光学材料、並びに発光装置
US20090032829A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Tong Fatt Chew LED Light Source with Increased Thermal Conductivity
US7968899B2 (en) * 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
JP2009135485A (ja) 2007-11-07 2009-06-18 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP4623322B2 (ja) 2007-12-26 2011-02-02 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法
JP5221122B2 (ja) 2007-12-28 2013-06-26 株式会社朝日ラバー シリコーン樹脂基材
JP2009173773A (ja) 2008-01-24 2009-08-06 Toshiba Corp シリコーン樹脂組成物および半導体装置
JP5064254B2 (ja) 2008-01-30 2012-10-31 日東電工株式会社 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
JP4678415B2 (ja) 2008-03-18 2011-04-27 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース
JP2009244551A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像表示装置用表示粒子および画像表示装置
JP5355030B2 (ja) 2008-04-24 2013-11-27 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ光源及びｌｅｄ光源の色度調整方法
JP5289835B2 (ja) 2008-06-25 2013-09-11 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4648992B2 (ja) * 2008-12-03 2011-03-09 新日本製鐵株式会社 塗装金属材及びその製造方法
JP2010232252A (ja) 2009-03-26 2010-10-14 Unon Giken:Kk 白色反射層を有するカバーレイフィルム
KR20120123242A (ko) 2009-06-26 2012-11-08 가부시키가이샤 아사히 러버 백색 반사재 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005146191A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Kaneka Corp 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体
JP2009021394A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
JP2009129801A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路基板

Also Published As

Publication number Publication date
US20120138997A1 (en) 2012-06-07
HK1170849A1 (en) 2013-03-08
EP2448026A1 (en) 2012-05-02
JP5746620B2 (ja) 2015-07-08
US8704258B2 (en) 2014-04-22
JPWO2010150880A1 (ja) 2012-12-10
EP2448026A4 (en) 2013-08-14
WO2010150880A1 (ja) 2010-12-29
KR20120123242A (ko) 2012-11-08
JP2014078041A (ja) 2014-05-01
KR20170028456A (ko) 2017-03-13
CN102473824B (zh) 2015-08-05
TWI477555B (zh) 2015-03-21
TW201120142A (en) 2011-06-16
CN102473824A (zh) 2012-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101821101B1 (ko) 백색 반사재 및 그 제조방법
JP6717512B2 (ja) 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP5221122B2 (ja) シリコーン樹脂基材
JP2002317048A (ja) 硬化剤、硬化性組成物、光学材料用組成物、光学材料、その製造方法、並びに、それを用いた液晶表示装置及びｌｅｄ
JP5722368B2 (ja) シリコーン樹脂基材
JP5989063B2 (ja) シリコーン樹脂基材
JP5563440B2 (ja) 樹脂レンズ、レンズ付ｌｅｄ装置及びレンズ付ｌｅｄ装置の製造方法
WO2022209840A1 (ja) 紫外線反射材、その製造方法、及びそれの原材料組成物
JP7503288B2 (ja) シリコーン樹脂製紫外線反射保護基材、その製造方法、及びそれに用いる原材料組成物
KR20140061857A (ko) 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant