KR101462751B1 - 삼불화질소 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 삼불화질소 제조방법에 관한 것으로서, 1) 제1전해조에서 불산(HF)을 전해하여 불소(F2) 가스를 발생시키는 단계; 2) 불소화 반응기에서 상기 불소(F2) 가스와 암모니아(NH3)를 반응시켜 삼불화질소(NF3)를 얻고, 부산물로서 제1산성불화암모늄(AAF-1)을 생성하는 단계; 3) 상기 제1산성불화암모늄(AAF-1)에 불산(HF), 암모니아(NH3) 또는 이들을 함께 첨가하여 암모니아에 대한 불산의 몰비를 조정한 제2산성불화암모늄(AAF-2)을 생성하는 단계; 4) 상기 제2산성불화암모늄(AAF-2)을 제2전해조에서 전해하여 삼불화질소(NF3)를 생성하는 단계; 및 5) 상기 단계 2)의 불소화 반응기에서 얻은 삼불화질소(NF3)와 상기 단계 4)에서 얻은 삼불화질소(NF3)를 합하여 최종 제품으로 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 NF3 제조방법은 NF3 생산에 필요한 전력사용량 및 HF와 NH3 사용량이 적어 경제성이 매우 높아 공업적으로 적용하기에 획기적인 NF3 제조방법이다.
Description
본 발명은 보다 경제적으로 삼불화질소(이하 NF3 라고 함)를 공업적 규모로 제조할 수 있도록 하는 신규한 방법에 관한 것이다.
삼불화 질소(NF3)는 비점이 약 -129℃이고, 융점은 약 -208℃인 무색의 가스로서, 통상 CVD 장치의 플라즈마 세정용 가스 및 실리콘, 폴리실리콘, Si3N4, WSi2, MoSi2 등의 반도체 드라이 에칭용 가스 및 엑시머 레이저용 가스로 사용되고 있으며, 또한 최근 들어서는 불소보다 활성이 낮은 불소원으로서, 특히 플루오르올레핀의 제조시 불소원으로서, 그리고 고(高) 에너지 연료의 산화제로서 사용되는 공업적으로 중요한 가스이다.
특히, 반도체의 집적화와 소형화 및 정밀도에 따른 원료와 재료의 고 순도 관리가 끊임없이 요구되는 반도체 분야의 특수성을 고려해 볼 때, 상기한 용도에 사용되는 삼불화질소는 가능한 불순물을 거의 포함하지 않는 고 순도의 품질과 제조 원가 절감이 절실히 요구되고 있다.
NF3 가스의 공업적 제조방법은 크게, 직접불소화법(Direct fluorination: 이하 DF법이라고 함)과 전기화학적 불소화법(Electrical chemical fluorination: 이하 ECF법이라고 함)으로 구분될 수 있다.
DF법의 특징은 제1단계에서 HF의 전해(電解)에 의해 불소(F2)가스를 제조하고, 제2단계에서 제1단계에서 얻은 F2 가스와 NH3 가스를 산성불화암모늄의 액상 중에서 110℃~135℃로 반응시키는 것에 의해 조(粗) NF3 가스를 제조하는 것이다 (미국특허 제4091081호 참조).
한편, ECF법의 특징은 NH3 및 HF로 이루어진 비수용액계 용융염(예를 들면NH3·2.6HF)을 전해액으로 하고, 이를 110℃~135℃로 직접 전해하는 것에 의해 조NF3 가스를 제조하는 것이다(일본특허 제3986175호 참조).
DF 법 및 ECF법으로 얻은 조NF3가스는 정제되어 제품 NF3가 얻어진다(일본특허 제1446989호 참조).
DF법은 NF3의 반응수율이 약 90%로 높고, 전해에 사용되는 전력이 적다는 이점이 있지만, NF3 반응시에 부생한 HF가 반응기내에서 NH3 와 반응하여 산성불화암모늄(NH3·nHF, 이하 AAF라고 함)을 생성한다. 이 산성불화암모늄(AAF)은 계 외로 제거 및 폐기되어야 하며, 결과적으로 원료 HF와 NH3의 사용량 증가로 이어진다.
한편, ECF법은 산성불화암모늄(AAF)을 전해하기 때문에 AAF를 계 외로 제거 및 폐기할 필요가 없어 HF와 NH3의 사용량은 적지만, NF3 반응수율이 약 70%로 낮고 전해에 사용되는 전력량이 크다는 결점이 있다.
DF법 NF3 가스의 공업적 제조방법의 개요는 다음과 같다.
제1전해조에서 HF를 KF존재 하에 전해하여 양극으로부터 F2, 음극으로부터 H2를 생성시키고, 이 F2를 제거하여 산성불화암모늄(이하 DF법의 산성불화암모늄은 AAF-1이라 함) 존재 하에서 NH3와 반응시켜 NF3가스를 얻는다. 반응식은 이하와 같다.
제1단계 반응:
6HF → 3H2 + 3F2
제2단계 반응:
3F2 + NH3 → NF3 + 3HF
mNH3 + 3HF → m(NH3·nHF) = m(AAF-1)
(상기 식에서, n = 1.5 ~ 3, n×m = 3, m = 1 ~ 2)
상기 반응식을 합하여 하나의 반응식으로 나타내면 다음과 같다.
(1+m)NH3 + 6HF → NF3 + 3H2 + mAAF-1
DF법의 불소화 반응기에서 부생하는 AAF-1은 통상 폐기된다. NF3를1kg생산하는데 필요한 HF의 이론값은 1.69 이고, NH3는 0.48 ~ 0.72이다.
한편, ECF법 NF3가스의 공업적 제조방법의 개요는 다음과 같다.
전해액은 산성불화암모늄(이하 ECF법의 산성불화암모늄은 AAF-2라 함)이고, 공업적으로 입수할 수 있는 암모니아(NH3), 불화암모늄(NH3·HF) 또는 산성불화암모늄 (NH3·2HF)과, 무수불화수소(HF)로 제조한다. 이 전해액을 니켈제 양극으로 전해한다. NF3 가스는 양극으로부터 발생하고, 질소를 주불순물로 하는 조NF3 가스가 얻어진다. 반응식은 다음과 같다.
NH3 + 3HF → NF3 + 3H2
NF3를 1kg 생산하는데 필요한 HF의 이론값은 0.85이고, NH3은 0.24이다. 즉, ECF법은 NF3 생산에 필요한 HF와 NH3 사용량이 DF법의 절반 수준이지만, 전력사용량이 크다.
이상과 같이, DF 법은 전력사용량은 적지만 원료사용량이 많고 ECF법은 반대로 전력사용량이 많은 대신 원료사용량이 적다. 따라서 양 방법의 장점을 모두 구비한 NF3 제조공정 개발이 절실히 필요하다.
따라서 본 발명은 DF법의 장점, 즉 전력사용량이 적다는 점과 함께, ECF법의 장점, 즉 HF나 NH3의 사용량이 적다는 점, 즉 두 방법의 장점을 모두 구비한 신규한 NF3제조 공정을 구축하고자 한다.
본 발명은 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여,
1) 제1전해조에서 불산(HF)을 전해하여 불소(F2) 가스를 발생시키는 단계;
2) 불소화 반응기에서 상기 불소(F2) 가스와 암모니아(NH3)를 반응시켜 삼불화질소(NF3)를 얻고, 부산물로서 제1산성불화암모늄(AAF-1)을 생성하는 단계;
3) 상기 제1산성불화암모늄(AAF-1)에 불산(HF), 암모니아(NH3) 또는 이들을 함께 첨가하여 암모니아에 대한 불산의 몰비를 조정한 제2산성불화암모늄(AAF-2)을 생성하는 단계;
4) 상기 제2 산성불화암모늄(AAF-2)을 제2전해조에서 전해하여 삼불화질소(NF3)를 생성하는 단계; 및
5) 상기 단계 2)의 불소화 반응기에서 얻은 삼불화질소(NF3)와 상기 단계 4)에서 얻은 삼불화질소(NF3)를 합하여 최종 제품으로 얻는 단계를 포함하는
삼불화질소 제조방법을 제공한다.
본 발명의 NF3 제조방법은 NF3 생산에 필요한 전력사용량 및 HF와 NH3 사용량이 적어 경제성이 매우 높아 공업적으로 적용하기에 획기적인 NF3 제조방법이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 NF3 제조방법의 개략적인 공정도이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 특별한 언급이 없는 한 %는 중량%를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 개략적인 공정 구성도이다.
본 발명은 삼불화질소를 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것으로서,
1) 제1전해조(21)에서 불산(HF)을 전해하여 불소(F2) 가스를 발생시키는 단계;
2) 불소화 반응기(25)에서 상기 불소(F2) 가스와 암모니아(NH3)를 반응시켜 삼불화질소(NF3)를 얻고, 부산물로서 제1산성불화암모늄(AAF-1)을 생성하는 단계;
3) 상기 제1산성불화암모늄(AAF-1)에 불산(HF), 암모니아(NH3) 또는 이들을 함께 첨가하여 암모니아에 대한 불산의 몰비를 조정한 제2산성불화암모늄(AAF-2)을 생성하는 단계;
4) 상기 제2 산성불화암모늄(AAF-2)을 제2전해조(26)에서 전해하여 삼불화질소(NF3)를 생성하는 단계; 및
5) 상기 단계 2)의 불소화 반응기에서 얻은 삼불화질소(NF3)와 상기 단계 4)에서 얻은 삼불화질소(NF3)를 합하여 최종 제품으로 얻는 단계를 포함하는
삼불화질소 제조방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 제1산성불화암모늄(AAF-1)은 암모니아에 대한 불산의 몰비가 1.5~3이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 제2산성불화암모늄(AAF-2)은 암모니아에 대한 불산의 몰비가 2~3.5로 조정될 수 있다.
또한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 단계 1)의 제1전해조(21)에서 발생한 불소가스를 상기 단계 2)의 불소화 반응기(25)에 도입하기 전에 제1정제탑(24)에서 정제하는 단계를 더 포함할 수 있다.
나아가, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 단계 4)의 제2전해조(26)에서 발생한 삼불화질소를 상기 단계 4)에서 얻은 삼불화질소와 합치기 전에 제2정제탑(29)에서 정제하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 DF법에 있어서, HF를 제1전해조(21)에서 전해하여 얻은 F2와 NH3를 불소화 반응기에서 반응시켜 NF3를 생성한 다음 여기에서 부생하는 제1 산성불화암모늄(NH3·nHF, n은 1.5 ~ 3)을 취출하여, HF 및/또는 NH3를 가함으로써 HF/NH3 몰비를 2 ~ 3.5로 조정한 제2 산성불화암모늄으로 한 다음, 이것을 ECF법 제2전해조(26)에 도입하여 전해하고, 상기 불소화 반응기로부터 얻은 NF3와 함께 제품 NF3로 하는 NF3 의 신규제조방법이다.
보다 구체적으로, 본 발명의 방법은 불산(HF)을 제1전해조(21)에서 전해하여 발생한 불소(F2)를 암모니아 (NH3)와 함께 불소화 반응기에서 AAF-1 존재 하, 110℃ ~ 135℃에서 반응시켜 NF3를 생성하는 반응에서, 부생하는 AAF-1에 HF 및/또는 NH3를 가하여 얻은 AAF-2를 제2전해조(26)에 공급하고, 50 ~ 200 A/dm2의 전류밀도로 전해하여 NF3를 생성시킴으로써, 불소화 반응기(25)로부터의 NF3와 제2전해조(26)로부터 NF3를 함께 제품 NF3를 얻는 매우 경제적인 NF3 제조방법이다.
DF법은 전술한 바와 같이, 일반적으로는 HF를 KF 존재하에 카본전극, 전류밀도 100 ~ 300 A·dm-2의 조건으로 제1전해조(21)에서 전해하고, 양극(22)으로부터 조 F2 를, 음극(23)으로부터 H2를 발생시킨다. 양극(22)으로부터 발생하는 HF등의 불순물을 포함하는 양극가스를 제1 정제탑(24)에서 정제하여 F2를 취출하여 불소화반응기(25)로 도입하고, AAF-1의 존재하에 NH3와110℃~135℃의 온도에서 반응시킨다. 여기에서 조 NF3 의 수율은 90% 정도로 고수율이다. 가스상 부반응 불순물의 대부분은 N2이고, 대략적인 조성은 NF3 90%, N2 10%이다.
불소화반응에서 생성된 HF는 액상 원료인 NH3와 반응하고, 액상 부산물 AAF-1을 생성한다. AAF-1의 n은 반응온도 등에 따라 결정되나, 통상 1.5~3 정도이다.
상기 AAF-1은 불소화반응기(25)로부터 취출된 다음, HF및/또는 NH3를 가하여 AAF의n을2 ~3.5로 조정함으로써 AAF-2 가 된다. AAF-2를 ECF법 제2전해조(26)에 공급하고, 니켈 양극(27)으로 전해하여, 양극(27)으로부터 조 NF3가스를 얻는다. 음극(28)에서는 조 H2가 발생한다. 제2전해조(26)에서의 NF3 수율은 70% 정도이다. 제2전해조(26)의 가스상 부반응 불순물의 대부분은 N2이며, 대략적인 조성은 NF3 70%, N2 30%이다. 제2전해조(26)에서는 AAF-2가 폐기되지 않고 전량 사용된다.
ECF 전해조(26)의 전류밀도는 50 ~ 200A·dm-2이고, 전해온도는 110℃ ~ 135℃ 가 바람직하다. 전류밀도의 하한값 미만에서는 NF3가스의 생산성이 감소하지만 기술적인 제약은 없다. 전류밀도의 상한값을 초과하면 전극 부근에서 발생하는 열이 전류밀도에 거의 비례하기 때문에 전류밀도가 현저하게 높아지면 전해액의 온도가 국부적으로 높아지고 그 결과 전해액의 조성이 안정되지 않고 반응수율이 저하되는 등 문제가 발생한다. 상기 전류밀도의 범위는 더욱 바람직하게는 60~150A·dm-2의 범위이다.
한편, 전해에 사용되는 음극(27)으로는 철, 스테인레스스틸, 니켈, 모넬 등이 사용될 수 있다.
제2전해조(26)의 양극(27)으로부터 얻은 조 NF3 가스는 제2정제탑(29)을 거쳐 정제되어 배관(13)을 통해 불소화반응기(25)로부터 나오는 NF3와 합쳐져 제품 NF3가 된다.
<실시예>
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다. 다만 하기 실시예는 본 발명의 바람직한 예시일 뿐이므로 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예
1
DF법 제1전해조(21)에 배관(1)에 의해 HF를 2.20 kg/h로 공급하여 전해하고, 정제탑(24)을 통해 1.99kg/h의 F2를 얻었다. 이 F2를 배관(5)에 의해 불소화 반응기(25)에 공급하고, 배관(2)에 의해 NH3를 0.77kg/h로 공급하였다. 불소화반응기(25)로부터 배관(7)에 의해 1.10 kg/h의 NF3와 0.05 kg/h의 N2를 얻었다. 배관(8)에 의해 1.60 kg/h의 AAF-1(NH3·2.2HF)이 배출되었다. 또한 전력의 사용량은 38 kWh이었다. 배관(8)의 AAF-1에, 배관(9)에 의해 HF를 0.21 kg/h로 첨가하여 1.81 kg/h의 AAF-2를 제조하여 배관(10)에 의해 ECF법 제2전해조(26)에 공급하였다. 제2전해조(26)에서의 전해에 의해 배관(13)으로부터 1.13 kg/h의 NF3와 0.19 kg/h의 N2를 얻었다. 전력사용량은 45 kWh이었다. 배관(15)에서는 2.23 kg/h의 NF3와 0.24 kg/h의 N2가 얻어졌다. 이 제조방법에서 HF 원단위는 1.08, NH3 원단위는 0.35, 전력 원단위는 37.2 kWh 이었다.
비교예
1
실시예 1에서 DF법 단독으로 NF3를 생산하였으며, 이 경우 HF 원단위는2.00, NH3 원단위는 0.70, 전력 원단위는 34.5 kWh이었다.
비교예
2
실시예 1에서 ECF법 단독으로 NF3를 생산하였으며, 이 경우 HF 원단위는 1.20, NH3 원단위는 0.40, 전력 원단위는 39.8 kWh 이었다.
상기 실시예와 비교예들로부터 이해되는 바와 같이 본 발명의 제조방법은 HF 및 NH3 원단위가 낮고 전력사용량 또한 적어 경제성이 매우 높은 획기적인 NF3제조방법이다.
배관
1. HF 9. HF
2. NH3 10. AAF-2
3. HF + F2 11. NF3 + HF
4. H2 12. H2
5. F2 13. NF3
6. HF 14. HF
7. NF3 15. NF3
8. AAF-1 16. H2
장치
21. 제1전해조
22. 양극
23. 음극
24. 제1정제탑
25. 불소화 반응기
26. 제2전해조
27. 양극
28. 음극
29. 제2정제탑
1. HF 9. HF
2. NH3 10. AAF-2
3. HF + F2 11. NF3 + HF
4. H2 12. H2
5. F2 13. NF3
6. HF 14. HF
7. NF3 15. NF3
8. AAF-1 16. H2
장치
21. 제1전해조
22. 양극
23. 음극
24. 제1정제탑
25. 불소화 반응기
26. 제2전해조
27. 양극
28. 음극
29. 제2정제탑
Claims (5)
1) 제1전해조에서 불산(HF)을 전해하여 불소(F2) 가스를 발생시키는 단계;
2) 불소화 반응기에서 상기 불소(F2) 가스와 암모니아(NH3)를 반응시켜 삼불화질소(NF3)를 얻고, 부산물로서 제1산성불화암모늄(AAF-1)을 생성하는 단계;
3) 상기 제1산성불화암모늄(AAF-1)에 불산(HF)을 첨가하여 암모니아에 대한 불산의 몰비를 조정한 제2산성불화암모늄(AAF-2)을 생성하는 단계;
4) 상기 제2산성불화암모늄(AAF-2)을 제2전해조에서 전해하여 삼불화질소(NF3)를 생성하는 단계; 및
5) 상기 단계 2)의 불소화 반응기에서 얻은 삼불화질소(NF3)와 상기 단계 4)에서 얻은 삼불화질소(NF3)를 합하여 최종 제품으로 얻는 단계를 포함하는
삼불화질소 제조방법.
2) 불소화 반응기에서 상기 불소(F2) 가스와 암모니아(NH3)를 반응시켜 삼불화질소(NF3)를 얻고, 부산물로서 제1산성불화암모늄(AAF-1)을 생성하는 단계;
3) 상기 제1산성불화암모늄(AAF-1)에 불산(HF)을 첨가하여 암모니아에 대한 불산의 몰비를 조정한 제2산성불화암모늄(AAF-2)을 생성하는 단계;
4) 상기 제2산성불화암모늄(AAF-2)을 제2전해조에서 전해하여 삼불화질소(NF3)를 생성하는 단계; 및
5) 상기 단계 2)의 불소화 반응기에서 얻은 삼불화질소(NF3)와 상기 단계 4)에서 얻은 삼불화질소(NF3)를 합하여 최종 제품으로 얻는 단계를 포함하는
삼불화질소 제조방법.
제1항에 있어서,
상기 제1산성불화암모늄(AAF-1)은 암모니아에 대한 불산의 몰비가 1.5~3인 것을 특징으로 하는 삼불화질소 제조방법.
상기 제1산성불화암모늄(AAF-1)은 암모니아에 대한 불산의 몰비가 1.5~3인 것을 특징으로 하는 삼불화질소 제조방법.
제1항에 있어서,
상기 제2산성불화암모늄(AAF-2)은 암모니아에 대한 불산의 몰비가 2~3.5로 조정된 것임을 특징으로 하는 삼불화질소 제조방법.
상기 제2산성불화암모늄(AAF-2)은 암모니아에 대한 불산의 몰비가 2~3.5로 조정된 것임을 특징으로 하는 삼불화질소 제조방법.
제1항에 있어서,
상기 단계 1)의 제1전해조에서 발생한 불소가스를 상기 단계 2)의 불소화 반응기에 도입하기 전에 제1정제탑에서 정제하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼불화질소 제조방법.
상기 단계 1)의 제1전해조에서 발생한 불소가스를 상기 단계 2)의 불소화 반응기에 도입하기 전에 제1정제탑에서 정제하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼불화질소 제조방법.
제1항에 있어서,
상기 단계 4)의 제2전해조에서 발생한 삼불화질소를 상기 단계 4)에서 얻은 삼불화질소와 합치기 전에 제2정제탑에서 정제하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼불화질소 제조방법.
상기 단계 4)의 제2전해조에서 발생한 삼불화질소를 상기 단계 4)에서 얻은 삼불화질소와 합치기 전에 제2정제탑에서 정제하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼불화질소 제조방법.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11773001B2 (en) * | 2019-12-17 | 2023-10-03 | Ohmium International, Inc. | Systems and methods of electrochemical hydrogen generation to provide a reducing ambient for industrial fabrication |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0986909A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-03-31 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 高純度三フッ化窒素ガスの製造方法 |
KR100419260B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2004-02-19 | 나두찬 | 삼불화질소 제조공정 반응폐액으로 부터 불화수소암모늄을제조하는 방법 |
-
2013
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JPH0986909A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-03-31 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 高純度三フッ化窒素ガスの製造方法 |
KR100419260B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2004-02-19 | 나두찬 | 삼불화질소 제조공정 반응폐액으로 부터 불화수소암모늄을제조하는 방법 |
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