Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR100796749B1 - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 - Google Patents

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR100796749B1
KR100796749B1 KR1020010026721A KR20010026721A KR100796749B1 KR 100796749 B1 KR100796749 B1 KR 100796749B1 KR 1020010026721 A KR1020010026721 A KR 1020010026721A KR 20010026721 A KR20010026721 A KR 20010026721A KR 100796749 B1 KR100796749 B1 KR 100796749B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate
electrode
pixel
data
line
Prior art date
Application number
KR1020010026721A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020087738A (ko
Inventor
김동규
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=19709532&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR100796749(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020010026721A priority Critical patent/KR100796749B1/ko
Priority to JP2001246591A priority patent/JP4700856B2/ja
Priority to US09/964,645 priority patent/US6882375B2/en
Publication of KR20020087738A publication Critical patent/KR20020087738A/ko
Priority to US11/079,734 priority patent/US7791681B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100796749B1 publication Critical patent/KR100796749B1/ko
Priority to US12/848,026 priority patent/US8736780B2/en
Priority to US13/842,111 priority patent/US8576346B2/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136268—Switch defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

절연 기판 위에 가로 방향의 게이트선, 게이트선의 끝에 연결되어 있는 게이트 패드 및 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있으며, 가로 방향으로 뻗어 있으며 공통 전압이 전달되는 유지 용량용 배선이 형성되어 있다. 게이트 배선 및 유지 용량용 배선을 덮는 게이트 절연막 상부에는 반도체층과 저항 접촉층이 형성되어 있으며, 또한 세로 방향으로 뻗어 게이트선과 화소 영역을 정의하는 데이터선, 저항 접촉층의 상부까지 연장되어 있는 소스 전극, 소스 전극과 분리되어 게이트 전극에 대하여 소스 전극의 반대쪽 저항 접촉층 상부에 형성되어 있는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 데이터 배선 및 이들이 가리지 않는 반도체층 상부에는 보호막이 형성되어 있으며, 그 상부에는 보호막의 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 연결되어 있으며, 돌출되어 전단의 게이트선과 중첩되어 있는 수리부를 가지는 화소 전극이 형성되어 있다. 여기서, 수리부는 화소 전극이 플로팅되거나 공통 전압이 전달되어 화소가 항상 밝게 표시되는 화이트 불량이 발생하는 경우에 화소를 식별이 거의 불가능한 블랙 불량으로 용이하게 바꿀 수 있도록 하는 기능을 가진다.
화이트불량, 블랙불량, 단선, 단락

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판{a thin film transistor array substrate for a liquid crystal display}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 2는 도 1에서 II-II' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 3은 도 1에서 III 부분을 확대하여 도시한 배치도이고,
도 4a는 보조 수리부를 가지는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조 일부를 도시한 배치도이고,
도 4b는 도 4a에서 IVb-IVb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 5a는 링 모양의 수리부를 가지는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조 일부를 도시한 배치도이고,
도 5b는 도 5a에서 Vb-Vb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 7은 도 6에서 VI-VI' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 9 및 도 10은 도 8에서 IX-IX' 및 X-X' 선을 따라 잘라 도시한 각각의 단면도이다.
본 발명은 박막 트랜지스터 어레이 기판에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 단위 화소에 형성되어 있는 화소 전극을 통하여 화상을 표시하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판 사이에 액정을 주입하고, 각각의 전극에 가하는 전압의 세기를 조절하여 광 투과량을 조절하는 구조로 되어 있다.
이러한 액정 표시 장치에서 매트릭스 배열을 가지는 각각의 단위 화소에는 투명한 도전 물질로 이루어져 있으며, 표시 동작을 하는 화소 전극이 형성되어 있다. 이러한 화소 전극은 배선을 통하여 인가되는 신호에 의하여 구동되는데, 배선에는 서로 교차하여 매트릭스 배열의 단위 화소 영역을 정의하는 게이트선과 데이터선이 있으며, 이들 배선은 박막 트랜지스터 등의 스위칭 소자를 통하여 화소 전극과 연결되어 있다. 이때, 스위칭 소자는 게이트선으로부터의 주사 신호에 통하여 화소 전극에 전달되는 데이터선으로부터의 화상 신호를 제어한다. 또한, 각각의 화소에는 화소 전극과 축전기를 형성하여 화소 전극에 인가된 화상 신호를 다음 신호가 인가될 때까지 유지시켜 주는 유지 용량용 배선이 형성되어 있다.
이렇게 박막 트랜지스터 가지는 액정 표시 장치를 제조하는 공정에서 제조 원가를 상승시키는 원인으로는 크게 화소 불량(pixel defect)이며, 이중에서 화소가 항상 밝게 표시되는 화이트 불량(white defect)은 눈에 쉽게 뛰게 되므로 식별이 거의 불가능하도록 화소가 항상 어둡게 표시되는 블랙 불량(black defect)으로 바꾸어 수리하는 것이 바람직하다.
여기서, 화이트 불량은 화소 전극과 스위칭 소자의 접촉 불량이 발생하거나 스위칭 소자의 오동작으로 인하여 발생하는데, 이 경우에는 초기에 어두운 상태를 표시하다가 시간이 결과할수록 화소 전극에서 누설 전류가 발생하여 화소 전압이 화소 전극과 마주하는 공통 전극의 공통 전압에 접근하게 되어 화이트 불량으로 변하게 된다. 또한, 화이트 불량은 데이터선과 화소 전극 사이에 도전 물질이 잔류하여 이들이 전기적으로 단락되거나 화소 전극과 공통 전극이 서로 단락되어 발생한다.
이러한 화이트 불량을 블랙 불량으로 수리하는 방법 중 하나는 화소 전극을 이와 중첩하는 게이트선과 단락시켜 게이트 신호가 전달되도록 한다. 이때, 게이트선은 이웃하는 화소 행의 스위칭 소자에 게이트 신호를 전달하며, 화소 전극과 중첩되어 유지 축전기를 만들기 위한 유지 용량 배선으로 사용된다.
하지만, 화소 전극과 중첩하는 유지 용량용 배선을 별도로 독립적으로 가지는 독립 배선 방식에서 유지 용량용 배선에 공통 전압이 전달되는 액정 표시 장치에서는, 유지 용량용 배선과 화소 전극을 단락시키더라도 화소 전극에 공통 전압이 전달되기 때문에 화소는 그대로 화이트 불량으로 남는 문제점이 있다.
본 발명은 독립적으로 유지 용량용 배선을 가지는 독립 배선 방식에서 화이트 불량을 수리할 수 있는 화소 구조를 가지는 박막 트랜지스터 어레이 기판을 제공하기 위한 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에서는 화소 전극을 이웃하는 화소 행에 게이트 신호를 전달하는 전단의 게이트선과 중첩되도록 돌출된 수리부를 가지도록 형성한다.
더욱 상세하게, 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판에는 기판 위에 가로 방향의 게이트선 및 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하며 게이트 신호가 전달되는 게이트 배선과 가로 방향으로 공통 전압이 전달되는 유지 용량용 배선이 형성되어 있다. 또한, 게이트 배선 및 유지 용량용 배선을 덮는 게이트 절연막 상부에는 반도체층과 세로 방향으로 뻗어 게이트선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선 및 데이터선에 연결되어 있으며 반도체층 상부에 형성되어 있는 소스 전극 및 게이트 전극을 중심으로 소스 전극과 마주하는 반도체층 상부에 형성되어 있는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 데이터 배선 및 반도체층을 덮는 보호막의 상부에는 보호막의 제1 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 연결되어 있으며, 돌출되어 전단의 게이트선의 일부와 중첩되어 있는 수리부를 가지는 화소 전극이 화소 영역에 형성되어 있다.
여기서, 게이트 절연막을 사이에 두고 유지 용량용 배선과 중첩되어 있으며, 보호막의 제2 접촉 구멍을 통하여 화소 전극과 연결되어 있는 유지 용량용 도전체 패턴을 더 포함할 수 있으며, 유지 용량용 배선은 화소 영역의 상부 및 하부에 가로 방향으로 형성되어 있는 이중의 유지 전극선과 화소 영역의 가장자리에 세로 방향으로 형성되어 있으며 이중의 유지 전극선을 연결하는 유지 전극을 포함할 수 있다.
수리부와 중첩되어 있는 게이트선의 일부는 나머지 부분보다 좁은 폭으로 형성되어 있는 것이 바람직하며, 수리부와 게이트선 사이에 형성되어 있는 보조 수리부를 더 포함할 수 있다. 여기서, 보조 수리부는 데이터 배선과 동일한 층으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
그러면, 도 1 내지 도 3을 참고로 하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1에서 II-II' 선을 따라 도시한 단면도이고 도 3은 도 1에서 III 부분을 확대하여 도시한 배치도이다. 또한, 도 4a는 보조 수리부를 가지는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조 일부를 도시한 배치도이고, 도 4b는 도 4a에서 IVb-IVb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 5a는 링 모양의 수리부를 가지는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조 일부를 도시한 배치도이고, 도 5b는 도 5a에서 Vb-Vb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
절연 기판(10) 위에 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 도전 물질로 이루어진 단일막 또는 이를 포함하는 다층막으로 이루어져 있는 게이트 배선과 유지 용량용 배선(28)이 형성되어 있다. 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(22), 게이트선(22)의 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 게이트 신호를 인가받아 게이트선으로 전달하는 게이트 패드(24) 및 게이트선(22)에 연결되어 있는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(26)을 포함한다. 유지 용량용 배선(28)은 가로 방향으로 뻗어 있으며, 이후에 형성되는 화소 전극(82)과 전기적으로 연결되어 있는 유지 용량용 도전체 패턴(64)과 중첩되어 유지 축전기를 이루며, 절연 기판(10)과 마주하는 대향 기판(도시하지 않음)에 형성되어 있는 공통 전극(도시하지 않음)에 전달되는 공통 전압이 전달된다. 여기서, 게이트 배선(22. 24. 26)이 다층막인 경우에는 다른 물질과 접촉 특성이 우수한 패드용 물질을 포함할 수 있으며, 유지 용량용 배선(28)에는 게이트 신호가 전달될 수 있다.
기판(10) 위에는 질화 규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)이 게이트 배선(22, 24, 26) 및 유지 용량용 배선(28)을 덮고 있다.
게이트 전극(24)의 게이트 절연막(30) 상부에는 비정질 규소 등의 반도체로 이루어진 반도체층(40)이 형성되어 있으며, 반도체층(40)의 상부에는 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 저항 접촉층(55, 56)이 각각 형성되어 있다.
저항 접촉층(55, 56) 및 게이트 절연막(30) 위에는 은 또는 알루미늄 등과 같이 저저항을 가지는 단일막 또는 다층막으로 이루어진 데이터 배선(62, 65, 66, 68)이 형성되어 있다. 데이터 배선은 세로 방향으로 형성되어 게이트선(22)과 교차하여 매트릭스 배열의 화소 영역을 정의하는 데이터선(62), 데이터선(62)에 연결되어 저항 접촉층(55)의 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(65), 데이터선(62)의 한쪽 끝에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상 신호를 인가받는 데이터 패드(68), 소스 전극(65)과 분리되어 있으며 게이트 전극(26)에 대하여 소스 전극(65)의 반대쪽 저항 접촉층(56) 상부에 형성되어 있는 드레인 전극(66)을 포함한다. 또한, 데이터 배선은 유지 용량을 향상시키기 위해 유지 용량용 배선(28)과 중첩되어 유기 축전기를 이루는 유지 용량용 도전체 패턴(64)을 포함할 수 있다.
데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68) 및 이들이 가리지 않는 반도체층(40) 상부에는 질화 규소 또는 평탄화 특성이 우수한 유기 물질로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있다.
보호막(70)에는 드레인 전극(66), 유기 축전기용 도전체 패턴(64) 및 데이터 패드(68)를 각각 드러내는 접촉 구멍(76, 72, 78)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(30)과 함께 게이트 패드(24)를 드러내는 접촉 구멍(74)이 형성되어 있다.
보호막(70) 상부에는 접촉 구멍(72, 76)을 통하여 유지 축전기용 도전체 패턴(64) 및 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되어 있으며 화소에 위치하는 화소 전극(82)이 형성되어 있다. 이때, 화소 전극(82)은 일부가 돌출되어 이웃하는 전단의 화소 행에 게이트 신호를 전달하는 전단의 게이트선(22)과 중첩되어 있는 수리부(85)를 포함한다. 또한, 보호막(70) 위에는 접촉 구멍(74, 78)을 통하여 각각 게이트 패드(24) 및 데이터 패드(68)와 연결되어 있는 보조 게이트 패드(86) 및 보조 데이터 패드(88)가 형성되어 있다. 여기서, 화소 전극(82)은 과 보조 게이트 및 데이터 패드(86, 88)는 투명한 도전 물질인 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등으로 이루어져 있다. 여기서, 수리부(85)는 화소 전극(82)이 플로팅되거나 공통 전압이 전달되어 화소가 항상 밝게 표시되는 화이트 불량이 발생하는 경우에 화소를 식별이 거의 불가능한 블랙 불량으로 용이하게 바꿀 수 있도록 하는 기능을 가진다. 즉, 화이트 불량이 발생하는 경우에 수리부(85)를 통하여 전단의 게이트선(22)과 화소 전극(82)을 단락시키면 화소 전극(82)과 이와 마주하는 공통 전극에 전계를 인가하지 않은 상태에서 밝은 색을 표시하는 노멀리 화이트 모드(normally white mode)의 액정 표시 장치에서 화소 전극(82)에는 게이트 오프 전압이 전달되고, 화소 전극(82)과 공통 전극사이에서는 10V 정도의 전계가 형성되어 화소는 어둡게 표시되는 블랙 불량으로 변하게 된다.
이때, 화소 전극(82)은 투명한 도전 물질로 이루어져 레이저를 이용하여 수리부(85)와 게이트선(22)을 단락시켜 화소를 수리하는 과정에서 수리부(85)의 위치를 찾는 것이 어려울 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 수리부(85)에 대응하는 게이트선(22)의 일부는 다른 부분과 다른 모양을 가지는 바람직하며, 예를 들러 도 3에서 보는 바와 같이 수리부(85)와 중첩하는 게이트선(22)의 일부는 다른 부분보다 좁은 폭으로 형성되어 있다.
또한, 도 2에서 보는 바와 같이, 게이트선(22)과 수리부(85) 사이에는 게이트 절연막(30)과 보호막(70)이 개재되어 있어 레이저를 이용하여 두 도전막(22, 85)을 단락시키기가 어려울 수 있으며, 이러한 문제점을 개선하기 위하여 도 4a 및 도 4b에서 보는 바와 같이 데이터 배선(62, 75, 66, 68)과 동일한 층으로 게이트 절연막(30)과 보호막(70) 사이에 보조 수리부(69)를 추할 수도 있다. 이 경우에도 수리부(85)의 위치를 용이하게 파악할 수 있도록 보조 수리부(69)의 일부는 게이트선(22)의 밖으로 벗어나도록 배치하는 것이 바람직하다.
또한, 수리부(85)의 구조는 다양한 모양, 예를 들어 도 5a 및 도 5b에서 보는 바와 같이 중앙에 개구부를 가지는 링(ring) 모양으로 변경할 수 있다.
한편, 유지 용량용 배선의 단선을 방지하고 화소의 개구율을 향상시키기 위해 유지 용량용 배선은 다른 구조로 형성될 수 있다. 이에 대하여 도 6 및 도 7을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 7은 도 5에서 VII-VII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
대부분의 구조는 제1 실시예와 동일하다.
하지만, 제1 실시예와 다르게 게이트선(22)의 일부가 게이트 전극(26)으로 사용되며, 유지 용량용 배선은 가로 방향으로 뻗어 있으며, 이중으로 형성되어 화소의 상부 및 하부에 각각 배치되어 있는 유지 전극선(281, 282) 및 이중의 유지 전극선(281)을 연결하며 화소의 가장자리에 세로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극(282)을 포함한다. 이렇게 유지 용량용 배선이 이중 구조의 유지 전극선(281)을 가지는 구조에서는 유지 용량용 배선(281, 282)이 단선되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이러한 구조에서는 유지 용량용 배선(281, 282)이 화소 전극(82)의 가장자리 부분과 중첩되어 유지 축전기를 이루어 유지 용량을 충분히 확보할 수 있는 동시에 충분한 개구율을 확보할 수 있다.
또한, 반도체층(40)은 게이트 전극(26)의 안쪽에 형성되어 있으며, 소스 전극(65)은 게이트 전극(26)을 따라 가로 방향으로 뻗어 저항 접촉층(55) 상부까지 연장되어 있으며, 드레인 전극(66)은 게이트 전극(26)에 대하여 소스 전극(65)의 반대쪽에 위치하는 저항 접촉층(56) 상부에 형성되어 있다.
이러한 본 발명의 구조에서도 제1 실시예와 동일하게 수리부(85)와 중첩하는 게이트선(22)의 일부는 다른 부분보다 좁은 폭으로 형성될 수 있으며, 수리부(85)와 게이트선(22) 사이에 보조 수리부가 추가될 수 있다.
한편, 본 발명의 제1 및 제2 실시예에서는 화소 전극이 수리부를 가지는 구조를 제시하였지만, 게이트 배선의 일부가 돌출되어 화소 전극과 중첩되는 수리부를 가질 수 있으며, 도 8 내지 도 10을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 9 및 도 10은 도 8에서 IX-IX' 및 X-X' 선을 따라 잘라 도시한 각각의 단면도이다.
대부분의 구조는 제1 실시예와 동일하다.
하지만, 이웃하는 화소 행에 게이트 신호를 전달하는 전단의 게이트선(22)의 일부가 돌출되어 하부의 화소 전극(82)과 중첩되어 있다
또한, 배선(22, 24, 26, 28)을 덮는 게이트 절연막(30)의 상부에는 수소화 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 반도체 패턴(42, 48)이 형성되어 있으며, 반도체 패턴(42, 48) 위에는 인(P) 따위의 n형 불순물로 고농도로 도핑되어 있는 비정질 규소 따위로 이루어진 저항성 접촉층(ohmic contact layer) 패턴 또는 중간층 패턴(55, 56, 58)이 형성되어 있다. 이때, 접촉층 패턴(55, 56, 58)은 그 하부의 반도체 패턴(42, 48)과 그 상부의 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)의 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 하며, 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)과 완전히 동일한 형태를 가진다. 즉, 데이터선부 중간층 패턴(55)은 데이터선부(62, 68, 65)와 동일하고, 드레인 전극용 중간층 패턴(56)은 드레인 전극(66)과 동일하며, 유지 축전기용 중간층 패턴(58)은 유지 축전기용 도전체 패턴(64)과 동일하다. 한편, 반도체 패턴(42, 48)은 박막 트랜지스터의 채널부(C)를 제외하면 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68) 및 저항성 접촉층 패턴(55, 56, 58)과 동일한 모양을 하고 있다. 구체적으로는, 유지 축전기용 반도체 패턴(48)과 유지 축전기용 도전체 패턴(64) 및 유지 축전기용 접촉층 패턴(58)은 동일한 모양이지만, 박막 트랜지스터용 반도체 패턴(42)은 데이터 배선 및 접촉층 패턴의 나머지 부분과 약간 다르다. 즉, 박막 트랜지스터의 채널부(C)에서 데이터선부(62, 68, 65), 특히 소스 전극(65)과 드레인 전극(66)이 분리되어 있고 데이터선부 중간층(55)과 드레인 전극용 접촉층 패턴(56)도 분리되어 있으나, 박막 트랜지스터용 반도체 패턴(42)은 이곳에서 끊어 지지 않고 연결되어 박막 트랜지스터의 채널을 생성한다.
물론, 본 발명의 제3 실시예의 구조에서도 도 5a 및 도 5b의 예와 같이 수리부(25)는 링 모양으로 형성될 수 있다.
이러한 본 발명의 제1 내지 제3 실시예에 따른 구조에서 화소 전극(82)의 수리부(85)와 전단의 게이트선(22)이 중첩하는 면적 또는 전단의 게이트선(22)의 수리부(25)와 화소 전극(82)이 중첩하는 면적은 5-1,000㎛2의 범위인 것이 바람직하다.
그러면, 이러한 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법에 대하여 도 1 내지 도 7을 참조하여 간략하게 설명한다.
먼저, 절연 기판(10)에 위에 저저항을 가지는 은 계열 또는 알루미늄 계열로 이루어진 단일막을 적층하고 사진 식각 공정으로 패터닝하여 게이트 배선(22, 24, 26)과 유지 용량용 배선(28, 281. 282)을 형성한다.
다음, 질화 규소로 이루어진 게이트 절연막(30), 비정질 규소로 이루어진 반도체층, 도핑된 비정질 규소층의 삼층막을 연속하여 적층하고 마스크를 이용한 패터닝 공정으로 반도체층(40)과 도핑된 비정질 규소층을 패터닝하여 게이트 전극(26)과 마주하는 게이트 절연막(30) 상부에 반도체층(40)과 저항 접촉층을 동일한 모양으로 형성한다.
다음, 데이터 배선용 도전 물질을 적층한 후, 마스크를 이용한 사진 공정으 로 패터닝하여 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)을 형성한다. 이때, 유지 용량을 충분히 확보할 수 있는 경우에는 제2 실시예와 같이 유지 용량용 도전체 패턴(64)을 형성하지 않을 수 있으며, 도 4a 및 도 4b에서 보는 바와 같이 화이트 불량을 용이하게 수리하기 위하여 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)과 동일한 층으로 보조 수리부(69)를 형성할 수 있다.
이어, 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)으로 가리지 않는 저항 접촉층을 식각하여 게이트 전극(26)을 중심으로 양쪽으로 분리되는 저항 접촉층(55, 56)을 완성하고 이들(55, 56) 사이의 반도체층 패턴(40)을 노출시킨다. 이어, 노출된 반도체층(40)의 표면을 안정화시키기 위하여 산소 플라스마를 실시하는 것이 바람직하다.
다음으로, 낮은 유전율을 가지며 평탄화 특성이 우수한 유기 물질 또는 질화 규소 등의 절연 물질을 기판(10)의 상부에 적층하여 보호막(70)을 형성하고, 사진 식각 공정으로 게이트 절연막(30)과 함께 패터닝하여, 게이트 패드(24), 드레인 전극(66), 유지 축전기용 도전체 패턴(64) 및 데이터 패드(68)를 드러내는 접촉 구멍(74, 76, 72, 78)을 형성한다. 이때, 유지 축전기용 도전체 패턴(64)을 형성하지 않는 경우에는 접촉 구멍(72) 또한 형성할 필요가 없다.
다음, 마지막으로 ITO 또는 IZO막을 적층하고 마스크를 이용한 패터닝을 실시하여 접촉 구멍(76, 72)을 통하여 드레인 전극(66) 및 유지 축전기용 도전체 패턴(64)과 연결되며 게이트선(22)과 중첩하는 수리부(85)를 가지는 화소 전극(82)과 접촉 구멍(74, 78)을 통하여 게이트 패드(24) 및 데이터 패드(68)와 각각 연결되는 보조 게이트 패드(86) 및 보조 데이터 패드(88)를 각각 형성한다.
한편, 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법에서는 제조 공정을 단순화하기 위해 반도체 패턴(42, 48), 접촉층 패턴(55, 56, 58) 및 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)을 하나의 감광막 패턴을 이용한 사진 식각 공정으로 형성한다. 상세하게는, 게이트 배선을 형성한 다음, 게이트 절연막(30), 비정질 규소로 이루어진 반도체층, 도핑된 비정질 규소층의 삼층막을 연속하여 적층한다. 이어, 데이터 배선용 도전 물질을 적층하고 그 상부에 감광막을 형성하고, 채널부(C)의 빛 투과 조절막을 가지는 마스크를 이용하여 부분적으로 다른 두께를 가지는 감광막 패턴을 형성한다. 이때, 감광막 패턴은 데이터 배선에 대응하는 제1 부분보다 채널부(C)에 대응하는 제2 부분이 작은 두께를 가지며 다른 부분은 감광막이 모두 제거되어 있다. 우선, 이러한 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 반도체 패턴(42, 48)을 형성한다. 이어, 제2 부분의 감광막을 제거하고 제1 부분의 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 채널부(C)에서 데이터 배선용 도전 물질을 제거하여 데이터 배선(62, 65, 64, 66, 68)을 형성하고, 이를 식각 마스크로 하여 도핑된 비정질 규소층을 제거하여 접촉층 패턴(55, 56, 58)을 완성한다.
따라서, 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판에서는 화소 전극에 전단의 게이트선과 중첩하는 수리부를 둠으로써 화소의 화이트 불량을 용이하게 수리할 수 있다.

Claims (40)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며 가로 방향으로 뻗어 있으며 제1 부분과 상기 제1 부분보다 폭이 좁은 제2 부분을 가지는 게이트선 및 상기 게이트선의 제1 부분에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하며, 게이트 신호가 전달되는 게이트 배선,
    상기 기판 위에 가로 방향으로 형성되어 있으며 유지 용량용 배선,
    상기 기판 상부에 형성되어 있으며 상기 게이트선 및 상기 유지 용량용 배선을 덮는 게이트 절연막,
    상기 게이트 전극의 상기 게이트 절연막 상부에 형성되어 있는 반도체층,
    세로 방향으로 형성되어 상기 게이트선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선, 상기 데이터선에 연결되어 있으며 상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 소스 전극 및 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 마주하는 상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,
    상기 데이터 배선 및 상기 반도체층을 덮고 제1 및 제2 접촉 구멍을 가지며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 상기 반도체층 표면과 접촉하는 보호막,
    상기 보호막 상부의 상기 화소 영역에 형성되고 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극,
    상기 화소 전극으로부터 연장되어 있고 상기 게이트선의 제2 부분과 중첩하는 수리부를 포함하는
    액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  2. 제1항에서,
    상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 유지 용량용 배선과 중첩되어 있으며, 상기 제2 접촉 구멍을 통하여 상기 화소 전극과 연결되어 있는 유지 용량용 도전체 패턴을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  3. 삭제
  4. 제1항에서,
    상기 수리부와 상기 게이트선의 제2 부분 사이에 형성되어 있는 보조 수리부를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  5. 제4항에서,
    상기 보조 수리부는 상기 데이터 배선과 동일한 층으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  6. 제1항에서,
    상기 유지 용량용 배선은,
    상기 화소 영역의 상부 및 하부에 가로 방향으로 형성되어 있는 이중의 유지 전극선과 상기 화소 영역의 가장자리에 세로 방향으로 형성되어 있으며 이중의 상기 유지 전극선을 연결하는 유지 전극을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  7. 제1항에서,
    상기 수리부는 링 모양으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제1항에서,
    상기 수리부와 상기 제2 부분이 중첩하는 면적은 5-1,000㎛2의 범위인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  11. 제1항에서,
    상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 채널부를 제외한 상기 반도체층은 상기 데이터 배선과 동일한 모양을 가지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  12. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며 가로 방향으로 뻗어 있는 복수의 게이트선,
    상기 게이트선 상부에 형성되어 있는 반도체층,
    세로 방향으로 형성되어 상기 게이트선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 복수의 데이터선,
    상기 반도체층 상부에 형성되어 있는
    복수의 소스 전극,
    상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 복수의 드레인 전극,
    상기 화소 영역에 각각 배치되어 있는 복수의 화소 전극,
    상기 데이터선을 덮고 있으며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 상기 반도체층 표면과 접하고 있는 보호막,
    상기 화소 영역에서 상기 화소 전극과 각각 중첩하고 있는 복수의 유지 전극선,
    각각의 상기 화소 영역에 배치되어 있으며, 상기 화소 전극으로부터 연장되어 전단의 상기 게이트선과 중첩하는 복수의 확장부,
    상기 전단의 게이트선과 상기 확장부 사이에 형성되어 있으며, 상기 게이트선 및 상기 확장부와 절연되어 있는 복수의 도전체 패턴
    을 포함하는 액정 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 유지 전극선은 상기 게이트선과 평행하게 가로 방향으로 뻗어 있는 액정 표시 장치.
  14. 제12항에서,
    상기 확장부는 링 모양으로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  15. 제12항에서,
    상기 게이트선은 상기 확장부와 중첩하는 제1 부분과 상기 확장부와 중첩하지 않는 제2 부분을 가지고, 상기 제1 부분은 상기 제2 부분보다 폭이 좁은 액정 표시 장치.
  16. 삭제
  17. 제12항에서,
    상기 도전체 패턴은 상기 데이터선과 동일한 층으로 이루어진 액정 표시 장치.
  18. 제12항에서,
    상기 확장부와 전단의 게이트선이 중첩하는 면적은 5-1,000㎛2의 범위인 액정 표시 장치.
  19. 제12항에서,
    상기 유지 전극선과 각각 중첩하며, 상기 화소 전극에 각각 연결되어 있는 복수의 유지 축전기용 도전체 패턴을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  20. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며 가로 방향의 게이트선 및 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하며, 게이트 신호가 전달되는 게이트 배선,
    상기 기판 위에 가로 방향으로 형성되어 있으며 유지 용량용 배선,
    상기 기판 상부에 형성되어 있으며 상기 게이트선 및 상기 유지 용량용 배선을 덮는 게이트 절연막,
    상기 게이트 전극의 상기 게이트 절연막 상부에 형성되어 있는 반도체층,
    세로 방향으로 형성되어 상기 게이트선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선, 상기 데이터선에 연결되어 있으며 상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 소스 전극 및 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 마주하는 상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,
    상기 데이터 배선 및 상기 반도체층을 덮고 제1 및 제2 접촉 구멍을 가지는 보호막,
    상기 보호막 상부의 상기 화소 영역에 형성되고 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극,
    상기 화소 전극으로부터 연장되어 있으며 링 모양으로 형성된 수리부를 포함하며,
    상기 수리부는 전단의 상기 게이트선과 중첩하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  21. 제20항에서,
    상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 유지 용량용 배선과 중첩되어 있으며, 상기 제2 접촉 구멍을 통하여 상기 화소 전극과 연결되어 있는 유지 용량용 도전체 패턴을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  22. 제20항에서,
    상기 유지 용량용 배선은,
    상기 화소 영역의 상부 및 하부에 가로 방향으로 형성되어 있는 이중의 유지 전극선과 상기 화소 영역의 가장자리에 세로 방향으로 형성되어 있으며 이중의 상기 유지 전극선을 연결하는 유지 전극을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  23. 제20항에서,
    상기 수리부와 전단의 게이트선이 중첩하는 면적은 5-1,000㎛2의 범위인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  24. 제20항에서,
    상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 채널부를 제외한 상기 반도체층은 상기 데이터 배선과 동일한 모양을 가지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  25. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며 가로 방향으로 뻗어 있는 복수의 게이트선,
    세로 방향으로 형성되어 상기 게이트선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 복수의 데이터선,
    상기 화소 영역에 각각 배치되어 있는 복수의 화소 전극,
    상기 화소 영역에서 상기 화소 전극과 각각 중첩하고 있는 복수의 유지 전극선,
    각각의 상기 화소 영역에 배치되어 있으며, 전단의 상기 게이트선으로부터 연장되어 있으며 상기 화소 전극과 중첩하는 복수의 확장부, 그리고
    상기 화소 전극과 상기 확장부 사이에 형성되어 있으며, 상기 화소 전극 및 상기 확장부와 절연되어 있는 복수의 도전체 패턴
    을 포함하는 액정 표시 장치.
  26. 제25항에서,
    상기 유지 전극선은 상기 게이트선과 평행하게 가로 방향으로 뻗어 있는 액정 표시 장치.
  27. 제25항에서,
    상기 확장부와 상기 화소 전극이 중첩하는 면적은 5-1,000㎛2의 범위인 액정 표시 장치.
  28. 제25항에서,
    상기 유지 전극선과 각각 중첩하며, 상기 화소 전극에 각각 연결되어 있는 복수의 유지 축전기용 도전체 패턴을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  29. 제1항에서,
    상기 게이트 배선은 게이트 패드를 더 포함하고, 상기 데이터 배선은 데이터 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  30. 제29항에서,
    상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드 상부에 각각 형성되어 있는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  31. 제30항에서,
    상기 보조 게이트 패드 및 상기 보조 데이터 패드는 상기 화소 전극과 동일한 층으로 이루어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  32. 제12항에서,
    상기 게이트선에 각각 연결되어 있는 복수의 게이트 패드,
    상기 데이터선에 각각 연결되어 있는 복수의 데이터 패드
    를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  33. 제32항에서,
    상기 게이트 패드 상부에 각각 형성되어 있는 복수의 보조 게이트 패드,
    상기 데이터 패드 상부에 각각 형성되어 있는 복수의 보조 데이터 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  34. 제33항에서,
    상기 보조 게이트 패드 및 상기 보조 데이터 패드는 상기 화소 전극과 동일한 층으로 이루어진 액정 표시 장치.
  35. 제20항에서,
    상기 게이트 배선은 게이트 패드를 더 포함하고, 상기 데이터 배선은 데이터 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  36. 제35항에서,
    상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드 상부에 각각 형성되어 있는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  37. 제36항에서,
    상기 보조 게이트 패드 및 상기 보조 데이터 패드는 상기 화소 전극과 동일한 층으로 이루어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  38. 제25항에서,
    상기 게이트선에 각각 연결되어 있는 복수의 게이트 패드,
    상기 데이터선에 각각 연결되어 있는 복수의 데이터 패드
    를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  39. 제38항에서,
    상기 게이트 패드 상부에 각각 형성되어 있는 복수의 보조 게이트 패드,
    상기 데이터 패드 상부에 각각 형성되어 있는 복수의 보조 데이터 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  40. 제39항에서,
    상기 보조 게이트 패드 및 상기 보조 데이터 패드는 상기 화소 전극과 동일한 층으로 이루어진 액정 표시 장치.
KR1020010026721A 2001-05-16 2001-05-16 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 KR100796749B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010026721A KR100796749B1 (ko) 2001-05-16 2001-05-16 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
JP2001246591A JP4700856B2 (ja) 2001-05-16 2001-08-15 液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板
US09/964,645 US6882375B2 (en) 2001-05-16 2001-09-28 Thin film transistor array substrate for liquid crystal display
US11/079,734 US7791681B2 (en) 2001-05-16 2005-03-15 Thin film transistor array substrate for liquid crystal display
US12/848,026 US8736780B2 (en) 2001-05-16 2010-07-30 Thin film transistor array substrate for liquid crystal display
US13/842,111 US8576346B2 (en) 2001-05-16 2013-03-15 Thin film transistor array substrate for liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010026721A KR100796749B1 (ko) 2001-05-16 2001-05-16 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020087738A KR20020087738A (ko) 2002-11-23
KR100796749B1 true KR100796749B1 (ko) 2008-01-22

Family

ID=19709532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010026721A KR100796749B1 (ko) 2001-05-16 2001-05-16 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판

Country Status (3)

Country Link
US (4) US6882375B2 (ko)
JP (1) JP4700856B2 (ko)
KR (1) KR100796749B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100940575B1 (ko) 2003-07-29 2010-02-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시장치의 수리 방법

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW466773B (en) * 2000-12-15 2001-12-01 Acer Display Tech Inc Manufacturing method of thin film transistor liquid crystal display
KR100796749B1 (ko) * 2001-05-16 2008-01-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100740938B1 (ko) * 2001-08-30 2007-07-19 삼성전자주식회사 레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판
KR100838185B1 (ko) * 2001-09-24 2008-06-13 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 이용한 액정 표시 장치와, 이의 제조방법
TWI282625B (en) * 2002-08-01 2007-06-11 Au Optronics Corp Method of forming a thin film transistor liquid crystal display
WO2004063805A1 (en) * 2002-12-03 2004-07-29 Quanta Display Inc. Pixel structure and thin film transistor array
KR20040062139A (ko) * 2002-12-31 2004-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치와 그 리페어 방법
KR100945579B1 (ko) * 2003-03-17 2010-03-08 삼성전자주식회사 표시 장치용 표시판 및 그의 제조 방법과 그 표시판을포함하는 액정 표시 장치
KR100598737B1 (ko) * 2003-05-06 2006-07-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100965155B1 (ko) * 2003-06-12 2010-06-23 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 그 리페어 방법
KR20050001707A (ko) * 2003-06-26 2005-01-07 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101006434B1 (ko) 2003-06-26 2011-01-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시장치의 수리 방법
KR20050053883A (ko) * 2003-12-03 2005-06-10 삼성전자주식회사 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
KR101036738B1 (ko) * 2003-12-26 2011-05-24 엘지디스플레이 주식회사 리페어 라인을 구비하는 ｔｆｔ어레이 기판 및 이를이용한 리페어 방법
KR101086478B1 (ko) * 2004-05-27 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP4498043B2 (ja) * 2004-07-20 2010-07-07 シャープ株式会社 液晶表示装置、液晶表示装置のリペア方法及び液晶表示装置の駆動方法
US7221413B2 (en) 2004-08-05 2007-05-22 Au Optronics Corporation Thin film transistor array substrate and repairing method thereof
KR101048998B1 (ko) * 2004-08-26 2011-07-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
US20060054889A1 (en) * 2004-09-16 2006-03-16 Jang-Soo Kim Thin film transistor array panel
KR101133761B1 (ko) * 2005-01-26 2012-04-09 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TWI280666B (en) * 2005-08-24 2007-05-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Thin film transistor array substrate and repairing method thereof
JP4702003B2 (ja) * 2005-11-16 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 液晶装置およびプロジェクタ
US7417692B2 (en) * 2006-01-09 2008-08-26 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Laser repair structure and method for TFT-LCD
US20070194331A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Yeh Chang C Liquid crystal display device and defect repairing method for the same
JP2007241183A (ja) * 2006-03-13 2007-09-20 Mitsubishi Electric Corp 表示装置および表示装置の修復方法
TWI320602B (en) * 2006-03-23 2010-02-11 Prime View Int Co Ltd E-ink display and method for repairing the same
KR101238337B1 (ko) * 2006-05-12 2013-03-04 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 액정표시장치
JP2008009199A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Sony Corp 液晶表示装置
TWI344025B (en) 2006-10-11 2011-06-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure and repair method thereof
KR101448909B1 (ko) 2008-03-17 2014-10-13 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 리페어 방법
KR101502416B1 (ko) 2008-04-17 2015-03-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 유기발광표시장치
US8021935B2 (en) * 2008-10-01 2011-09-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film device fabrication process using 3D template
CN101644863B (zh) * 2008-08-06 2011-08-31 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构及其制造方法
KR101605467B1 (ko) * 2009-10-16 2016-04-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
US8456582B2 (en) * 2010-09-07 2013-06-04 Au Optronics Corporation Active device, pixel structure and display panel
CN102074503B (zh) * 2010-10-19 2013-09-25 友达光电股份有限公司 显示面板的阵列基板及其修补方法
CN102629050B (zh) * 2011-08-02 2014-06-11 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法
TWI463628B (zh) 2012-02-03 2014-12-01 E Ink Holdings Inc 顯示器面板電路結構
KR101924079B1 (ko) 2012-07-06 2018-12-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2015129863A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
CN103746014B (zh) * 2014-01-20 2016-03-30 瑞德兴阳新能源技术有限公司 一种ito栅线太阳能电池及其制备方法
CN103746013B (zh) * 2014-01-20 2016-03-30 瑞德兴阳新能源技术有限公司 一种石墨烯太阳能电池及其制备方法
TWI560889B (en) * 2015-04-22 2016-12-01 Au Optronics Corp Pixel structure and display panel
KR102322240B1 (ko) * 2015-04-28 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 표시 기판의 리페어 방법
US9786856B2 (en) 2015-08-20 2017-10-10 Dpix, Llc Method of manufacturing an image sensor device
US9929215B2 (en) 2016-07-12 2018-03-27 Dpix, Llc Method of optimizing an interface for processing of an organic semiconductor
CN107665863B (zh) * 2016-07-29 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置
CN106876436B (zh) * 2017-03-06 2020-03-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其修复方法
CN106681036A (zh) * 2017-03-29 2017-05-17 合肥京东方显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN106898620B (zh) * 2017-03-29 2019-08-16 合肥京东方显示技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
JP2019020653A (ja) * 2017-07-20 2019-02-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10381275B2 (en) * 2017-11-29 2019-08-13 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and repairing method thereof
CN109935580A (zh) * 2017-12-19 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制作方法、电子装置
US10877343B2 (en) * 2018-11-21 2020-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha Array substrate and display device
CN109613772B (zh) 2019-01-03 2021-12-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、修复方法、显示装置
CN111200004A (zh) * 2020-02-27 2020-05-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种像素结构及其制备方法、显示面板
CN113238418B (zh) * 2021-04-14 2022-09-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
KR20230016080A (ko) * 2021-07-22 2023-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0421823A (ja) * 1990-05-16 1992-01-24 Hosiden Corp 液晶表示素子の点欠陥の黒欠陥化法及び液晶表示素子
JPH06110081A (ja) * 1992-09-28 1994-04-22 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JPH06160901A (ja) * 1992-11-20 1994-06-07 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JPH0772507A (ja) * 1993-06-14 1995-03-17 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
KR19980041737A (ko) * 1996-11-13 1998-08-17 기타오카 다카시 액정디스플레이장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032883A (en) * 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
CA1313563C (en) * 1988-10-26 1993-02-09 Makoto Sasaki Thin film transistor panel
EP0372821B1 (en) * 1988-11-30 1995-03-08 Nec Corporation Liquid crystal display panel with reduced pixel defects
JPH0833558B2 (ja) * 1989-05-26 1996-03-29 松下電器産業株式会社 アクティブマトリックスアレイ
KR940005124B1 (ko) * 1989-10-04 1994-06-11 호시덴 가부시기가이샤 액정표시소자
EP0438138B1 (en) * 1990-01-17 1995-03-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid-crystal display device of active matrix type
US5151806A (en) * 1990-04-27 1992-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus having a series combination of the storage capacitors
DE69122162T2 (de) * 1990-05-11 1997-03-06 Sharp Kk Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix und Methode zu ihrer Herstellung
JP2616160B2 (ja) * 1990-06-25 1997-06-04 日本電気株式会社 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ
JP3226223B2 (ja) * 1990-07-12 2001-11-05 株式会社東芝 薄膜トランジスタアレイ装置および液晶表示装置
KR920006894A (ko) * 1990-09-27 1992-04-28 쓰지 하루오 액티브 매트릭스 표시장치
JP2702294B2 (ja) 1991-02-21 1998-01-21 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JPH07119919B2 (ja) * 1991-05-15 1995-12-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置
JP3150365B2 (ja) * 1991-07-22 2001-03-26 株式会社東芝 液晶表示装置
EP0530834B1 (en) 1991-09-05 1996-12-04 Casio Computer Company Limited Thin-film transistor and method of manufacturing the same
NL194848C (nl) * 1992-06-01 2003-04-03 Samsung Electronics Co Ltd Vloeibaar-kristalindicatorinrichting.
JPH0682822A (ja) 1992-09-01 1994-03-25 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法
EP0592063A3 (en) * 1992-09-14 1994-07-13 Toshiba Kk Active matrix liquid crystal display device
JPH06160900A (ja) 1992-11-20 1994-06-07 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3098345B2 (ja) * 1992-12-28 2000-10-16 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
JPH06250211A (ja) * 1993-02-23 1994-09-09 Hitachi Ltd 液晶表示基板とその製造方法
US6313889B1 (en) * 1993-03-04 2001-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Matrix-type display device capable of being repaired in pixel unit
US5621556A (en) * 1994-04-28 1997-04-15 Xerox Corporation Method of manufacturing active matrix LCD using five masks
JP2755376B2 (ja) * 1994-06-03 1998-05-20 株式会社フロンテック 電気光学素子の製造方法
JP3164489B2 (ja) 1994-06-15 2001-05-08 シャープ株式会社 液晶表示パネル
JP3263250B2 (ja) 1994-08-24 2002-03-04 株式会社東芝 液晶表示装置
KR100218584B1 (ko) * 1994-09-21 1999-09-01 모리시타 요이찌 액정표시장치 및 그구동방법
US5691876A (en) 1995-01-31 1997-11-25 Applied Materials, Inc. High temperature polyimide electrostatic chuck
WO1996026463A1 (en) * 1995-02-23 1996-08-29 Citizen Watch Co., Ltd. Liquid crystal display device and production method thereof
US5994721A (en) * 1995-06-06 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate
KR100359794B1 (ko) * 1995-07-11 2003-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의리페어구조및이의형성방법
KR100338480B1 (ko) * 1995-08-19 2003-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및그제조방법
JP3240620B2 (ja) * 1995-09-27 2001-12-17 セイコーエプソン株式会社 表示装置、電子機器及び表示装置の製造方法
JP3418653B2 (ja) * 1995-09-28 2003-06-23 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
CN1881062B (zh) * 1995-10-03 2013-11-20 精工爱普生株式会社 有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法
US5835177A (en) * 1995-10-05 1998-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers
JPH09171196A (ja) 1995-10-16 1997-06-30 Sharp Corp 液晶表示装置
KR100283733B1 (ko) * 1995-10-16 2001-03-02 마찌다 가쯔히꼬 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 그 단선 수정 방법
JPH09113930A (ja) * 1995-10-16 1997-05-02 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその断線修正方法
TW317629B (ko) * 1995-11-01 1997-10-11 Samsung Electronics Co Ltd
EP1338914A3 (en) * 1995-11-21 2003-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display
JPH10133216A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3251490B2 (ja) 1996-03-13 2002-01-28 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3304272B2 (ja) * 1996-05-09 2002-07-22 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその構造欠陥処置方法
JP3062090B2 (ja) * 1996-07-19 2000-07-10 日本電気株式会社 液晶表示装置
GB9626487D0 (en) * 1996-12-17 1997-02-05 Philips Electronics Nv Electronic devices and their manufacture
JP3152193B2 (ja) 1996-12-18 2001-04-03 日本電気株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法
KR100229613B1 (ko) * 1996-12-30 1999-11-15 구자홍 액정 표시 장치 및 제조 방법
JP3680527B2 (ja) * 1997-01-31 2005-08-10 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法
US5852305A (en) * 1997-03-27 1998-12-22 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display apparatus with repair structure
US6310669B1 (en) * 1997-05-26 2001-10-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha TFT substrate having connecting line connect to bus lines through different contact holes
JP3966614B2 (ja) * 1997-05-29 2007-08-29 三星電子株式会社 広視野角液晶表示装置
US6115087A (en) * 1997-05-30 2000-09-05 Nec Corporation Active matrix liquid crystal display unit having pixel accompanied with accumulating capacitor varied in width along gate line
JP2985124B2 (ja) * 1997-06-12 1999-11-29 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100295309B1 (ko) * 1997-09-30 2001-09-17 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터기판
US5909263A (en) * 1997-11-06 1999-06-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display panel array structure at a pixel contact hole
JPH11167124A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Advanced Display Inc 液晶表示装置
KR100474002B1 (ko) * 1998-04-28 2005-07-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의불량패드수리방법및그구조
JPH11311806A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネル及びその製造方法
JP2000002889A (ja) * 1998-06-16 2000-01-07 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
KR100430773B1 (ko) * 1998-07-14 2004-05-10 가부시끼가이샤 도시바 액티브 매트릭스형 액정표시장치
US6671009B1 (en) * 1998-09-03 2003-12-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display with method for OCB splay-bend transition
US6822701B1 (en) * 1998-09-04 2004-11-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus
JP2000081638A (ja) 1998-09-04 2000-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
KR100646778B1 (ko) 1998-09-24 2007-03-02 삼성전자주식회사 액정 표시장치
JP3401589B2 (ja) 1998-10-21 2003-04-28 株式会社アドバンスト・ディスプレイ Ｔｆｔアレイ基板および液晶表示装置
KR100305322B1 (ko) * 1998-11-07 2001-11-30 구본준, 론 위라하디락사 리페어배선을포함하는액정표시장치용어레이기판
KR100474529B1 (ko) * 1998-11-27 2005-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형액정표시장치및그제조방법
US6300987B1 (en) * 1998-12-04 2001-10-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for liquid crystal displays
JP3683463B2 (ja) * 1999-03-11 2005-08-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ
US6441401B1 (en) * 1999-03-19 2002-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for repairing the same
US6448579B1 (en) * 2000-12-06 2002-09-10 L.G.Philips Lcd Co., Ltd. Thin film transistor array substrate for liquid crystal display and a method for fabricating the same
EP1069463A3 (en) 1999-07-15 2004-08-04 Alps Electric Co., Ltd. Active matrix type liquid crystal display
JP2001147448A (ja) 1999-11-22 2001-05-29 Alps Electric Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR100313245B1 (ko) * 1999-08-25 2001-11-07 구본준, 론 위라하디락사 리페어 기능을 갖는 액정표시소자
CN1195243C (zh) * 1999-09-30 2005-03-30 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法
KR100351439B1 (ko) * 1999-10-04 2002-09-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
JP2001159764A (ja) 1999-12-02 2001-06-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子
KR100628680B1 (ko) * 1999-12-17 2006-09-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100679096B1 (ko) * 1999-12-30 2007-02-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
US6922226B2 (en) * 1999-12-31 2005-07-26 Lg. Philips Lcd Co. Ltd. Liquid crystal display device implementing improved electrical lines and the fabricating method
JP4089123B2 (ja) 2000-02-29 2008-05-28 ソニー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US6583829B2 (en) * 2000-03-06 2003-06-24 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display having an opening in each pixel electrode corresponding to each storage line
JP4497641B2 (ja) * 2000-03-29 2010-07-07 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその欠陥修復方法
KR100382456B1 (ko) * 2000-05-01 2003-05-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 리페어 패턴 형성방법
JP2002091342A (ja) * 2000-07-10 2002-03-27 Toshiba Corp マトリクスアレイ基板
JP3712637B2 (ja) * 2000-08-11 2005-11-02 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその欠陥修正方法
TW499606B (en) * 2000-11-06 2002-08-21 Hannstar Display Corp Signal line repairing structure and forming method thereof
JP2002162644A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4282219B2 (ja) * 2000-11-28 2009-06-17 三洋電機株式会社 画素暗点化方法
TW490856B (en) * 2001-03-27 2002-06-11 Acer Display Tech Inc Repairing method for data line of liquid crystal display
JP2002310537A (ja) 2001-04-06 2002-10-23 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 車両用空調装置
KR100796749B1 (ko) * 2001-05-16 2008-01-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
TW588179B (en) * 2001-07-25 2004-05-21 Hannstar Display Corp Substrate structure for thin film transistor array
US7095392B2 (en) * 2003-02-07 2006-08-22 02Micro International Limited Inverter controller with automatic brightness adjustment circuitry

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0421823A (ja) * 1990-05-16 1992-01-24 Hosiden Corp 液晶表示素子の点欠陥の黒欠陥化法及び液晶表示素子
JPH06110081A (ja) * 1992-09-28 1994-04-22 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JPH06160901A (ja) * 1992-11-20 1994-06-07 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JPH0772507A (ja) * 1993-06-14 1995-03-17 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
KR19980041737A (ko) * 1996-11-13 1998-08-17 기타오카 다카시 액정디스플레이장치 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100940575B1 (ko) 2003-07-29 2010-02-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시장치의 수리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8736780B2 (en) 2014-05-27
KR20020087738A (ko) 2002-11-23
JP2002350900A (ja) 2002-12-04
US7791681B2 (en) 2010-09-07
US6882375B2 (en) 2005-04-19
US8576346B2 (en) 2013-11-05
US20050157220A1 (en) 2005-07-21
JP4700856B2 (ja) 2011-06-15
US20130229590A1 (en) 2013-09-05
US20020171781A1 (en) 2002-11-21
US20100296018A1 (en) 2010-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100796749B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
US6980264B2 (en) Repair method for defects in data lines and flat panel display incorporating the same
US7295257B2 (en) Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP5379824B2 (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP4235611B2 (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板
KR20050024948A (ko) 박막 트랜지스터 표시판
KR100612992B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법
KR100656900B1 (ko) 정전기 방전 구조를 가지는 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100318541B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100623974B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100759968B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법
KR100686224B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법
US20060054889A1 (en) Thin film transistor array panel
KR100750921B1 (ko) 수리 구조를 갖추고 있는 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 그 수리 방법
KR100529571B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법
KR100670057B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100686232B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100859509B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100859523B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100870014B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판
KR20020069414A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100840325B1 (ko) 액정 표시 장치용 기판
KR100920357B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR20020095978A (ko) 액정 표시 장치 및 그의 수선 방법
KR20020083361A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121214

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140102

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151230

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180102

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 12