KR100313547B1 - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100313547B1 KR100313547B1 KR1020000010091A KR20000010091A KR100313547B1 KR 100313547 B1 KR100313547 B1 KR 100313547B1 KR 1020000010091 A KR1020000010091 A KR 1020000010091A KR 20000010091 A KR20000010091 A KR 20000010091A KR 100313547 B1 KR100313547 B1 KR 100313547B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- layer pattern
- dummy layer
- dummy
- trench
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 12
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66545—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using a dummy, i.e. replacement gate in a process wherein at least a part of the final gate is self aligned to the dummy gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28035—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities
- H01L21/28044—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer
- H01L21/28061—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer the conductor comprising a metal or metal silicide formed by deposition, e.g. sputter deposition, i.e. without a silicidation reaction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4916—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen
- H01L29/4925—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen with a multiple layer structure, e.g. several silicon layers with different crystal structure or grain arrangement
- H01L29/4941—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen with a multiple layer structure, e.g. several silicon layers with different crystal structure or grain arrangement with a barrier layer between the silicon and the metal or metal silicide upper layer, e.g. Silicide/TiN/Polysilicon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 고속 및 고집적 소자에 대응할 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법은, 반도체 기판의 상면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막 상면에 더미층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 더미층 패턴의 양측벽에 절연성 사이드월 스페이서를 형성하는 공정과; 상기 사이드월 스페이서의 양측 반도체 기판내에 불순물 이온을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판의 상면 전체에 높이가 상기 더미층 패턴 보다 높아지도록 절연층을 형성하는 공정과, 상기 절연층에 대해 화학기계연마 공정을 실시하여 상기 더미층 패턴의 상면이 노출되도록 하는공정과, 상기 더미층 패턴을 식각 제거하여, 게이트 절연막 위에 트렌치를 형성하는 공정과, 상기 트렌치 내벽 및 상기 절연층 상면에 배리어막을 형성하는 공정과, 상기 트렌치 내부를 구리층으로 채우는 공정을 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 게이트 전극의 저항을 낮추어 고속 및 고집적 소자에 적용할 수 있는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 집적도가 높아지면서 채널길이가 급속도로 줄어들고, 그에 따라 게이트 전극의 폭도 줄어들고 있다. 따라서 종래 게이트 전극의 재료로 주로 이용되던 폴리실리콘 전극으로는 고속 및 고집적 소자를 제조하는데 한계가 있다. 따라서 게이트 전극의 재료를 저항이 낮은 새로운 재료로 대체할 필요가 있다.
구리는 저항이 낮고 전자 이동도 특성이 좋기 때문에 차세대 금속 배선재료로서 각광을 받고 있다. 그럼에도 불구하고, 구리는 절연막내로 확산이 잘되는 단점 때문에 게이트 전극으로 이용한 예는 없었다.
따라서 본 발명의 연구자는 저항이 낮고 전자 이동도 특성이 좋은 구리를 게이트 전극으로 이용할 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 연구하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 고속 및 고집적 소자에 대응할 수 있는 게이트 전극을 갖는 반도체 소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 특히 저항이 낮고 전기이동도 특성이 좋은 구리를 이용하여 게이트 전극을 형성한 반도체 소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 반도체 기판의 상면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막 상면에 더미층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 더미층 패턴의 양측벽에 절연성 사이드월 스페이서를 형성하는 공정과; 상기 사이드월 스페이서의 양측 반도체 기판내에 불순물 이온을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판의 상면 전체에 높이가 상기 더미층 패턴 보다 높아지도록 절연층을 형성하는 공정과, 상기 절연층에 대해 화학기계연마 공정을 실시하여 상기 더미층 패턴의 상면이 노출되도록 하는공정과, 상기 더미층 패턴을 식각 제거하여, 게이트 절연막 위에 트렌치를 형성하는 공정과, 상기 트렌치 내벽 및 상기 절연층 상면에 배리어막을 형성하는 공정과, 상기 트렌치 내부를 구리층으로 채우는 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한 상기 게이트 절연막과 상기 더미층 패턴 사이에 폴리실리콘층 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한 상기 상기 소스 및 드레인을 형성하는 공정 이후에,
상기 소스 및 드레인의 상면에 실리사이드층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.
도1은 본 발명에 따른 반도체 소자의 종단면도이다.
도2a 내지 도2h는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법을 도시하고 있다.
***** 도면 번호에 대한 설명 *****
100 : 반도체 기판 101 : 게이트 절연막
102 : 폴리실리콘층 패턴 103 : 트렌치
104 : 배리어막 105 : 구리층
106 : 사이드월 스페이서 107 : 소스
108 : 드레인 109 : 실리사이드층
200 : 반도체 기판 201 : 게이트 절연막
202 : 폴리실리콘층 202a : 폴리실리콘층 패턴
203 : 더미층 203a : 더미층 패턴
204 : 저농도 드레인영역(LDD) 205 : 제1절연층 측벽 스페이서
206 : 소스 207 : 드레인
208 : 실리사이드층 209 : 제2절연층
210 : 트렌치 211 : 배리어막
212 : 구리층
도1은 본 발명에 따른 반도체 소자의 구조를 도시하고 있다.
반도체 기판(100)의 상면에는 게이트 산화막(101)이 형성되어 있고, 상기 게이트 산화막(101)의 상면에는 폴리실리콘층 패턴(102)이 형성되어 있고, 상기 폴리실리콘층 패턴(102)의 상면에는 중앙에 트렌치(103)를 갖는 배리어막(104)이 형성되어 있고, 상기 배리어막(104)으로 둘러싸인 트렌치(103)내에는 구리층(105)이 채워져 있다. 상기 배리어막(104)의 양측에는 절연성 재료로 된 사이드월 스페이서(106)가 형성되어 있다.
상기 사이드월 스페이서(106)의 양측 상기 반도체 기판(100)내에는 소스(107) 및 드레인(108)이 각각 형성되어 있다. 또 상기 소스(107) 및 드레인(108)의 상면에는 실리사이드층(109)이 형성되어 있다.
상기 도1의 반도체 소자 제조방법은 다음과 같다.
먼저 도2a에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(200)의 상면에 게이트 절연막(201)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 절연막(201)의 상면에 폴리실리콘층(202)과 더미층(203)을 순차 적층형성한다. 상기 더미층(203)의 재료는 이후에 식각 제거될 층이므로 어떠한 막이든지 가능하며, 후속하는 공정에서 형성될 제1절연층과 식각 선택비가 큰 재료라면 어느것이든 가능하다. 본 발명의 실시례에서는 실리콘산화막(SiO2) 또는 실리콘질화막(SiNx)을 이용하였다.
다음으로, 도2b에 도시한 바와 같이, 상기 더미층(203)의 상면에 포토레지스트 마스크(미도시)를 형성한 다음, 상기 더미층(203) 및 폴리실리콘층(202)을 상기 포토레지스트 마스크를 이용하여 선택적으로 식각함으로써, 더미층 패턴(203a) 및 폴리실리콘층 패턴(202a)을 형성한다. 다음으로, 상기 더미층 패턴(203a)의 양측 반도체 기판(200)내에 불순물 이온을 주입하여 저농도 드레인 영역(LDD; lightlydoped drain)(204)을 형성한다.
다음으로, 도2c에 도시한 바와 같이, 상기 도2b의 구조 전면에 제1 절연층을 형성한 다음 마스크 패턴 없이 전면 이방성 에칭을 실시하여 상기 더미층 패턴(203a) 및 상기 폴리실리콘층 패턴(202a)의 측벽에 측벽스페이서(205)를 형성한다.
다음으로, 상기 측벽스페이서(205) 및 더미층 패턴(203a)을 마스크로하여 상기 반도체 기판(200)내에 불순물 이온을 주입하여 소스(206) 및 드레인(207) 영역을 형성한다.
다음으로 상기 반도체 기판(200)의 상면 전체에 금속막을 형성한 다음 살리사이드 공정을 실시하여 상기 소스(206) 및 드레인(207)의 상면에 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐 또는 코발트와 같은 금속 실리사이드층(208)을 형성한다.
다음으로, 도2d에 도시한 바와 같이 상기 도2d의 구조 전면에 제2절연층(209)을 형성한다.
다음으로, 도2e에 도시한 바와 같이 상기 더미층 패턴(203a)의 상면이 드러날때까지 상기 제2절연층(209)에 대해 화학기계연마 공정을 실시한다.
다음으로 도2f에 도시한 바와 같이 상기 더미층 패턴(203a)을 선택적으로 식각하여 제거함으로써 트렌치(210)를 형성한다.
다음으로, 도2g와 같이 도2f의 구조 전면에 즉 상기 트렌치(210)의 저면 및 측벽과 상기 제2절연층(209)의 상면에 배리어 금속막(211)을 형성한다. 상기 배리어 금속막(211)의 재료로서는 WNx, TiN, TaN중의 어느 하나인 것이 바람직하다.
다음으로, 상기 배리어 금속막(211)의 상면 전체에 특히 트렌치(210)의 내부가 모두 채워지도록 구리층(212)을 형성한다. 상기 구리층(212)을 형성하는 방법은, 물리적 증착방법, 화학기상증착법, 전기 도금법등이 있다.
다음으로 도2h에 도시한 바와 같이, 상기 제2절연층(209)의 상면이 노출될 때까지 상기 구리층(212)에 대해 화학기계연마 공정을 실시하여 상기 트렌치(210) 내부에만 구리층(212)을 남김으로써, 게이트 전극을 형성하여 반도체 소자의 제조를 완료한다. 상기 실시례에서의 구리층(212)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Ag)등의 다른 금속층으로 대체할 수 있다.
본발명은 저항이 낮고 전기이동도 특성이 좋은 장점이 있음에도 불구하고 절연막내로의 이온의 확산이 잘일어난다는 단점으로 인하여, 게이트 전극의 재료로 이용하기 어려웠던 구리를 게이트 전극으로 이용할 수 있도록 한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 소자 제조방법을 이용함으로써, 고속으로 동작하는 반도체 소자를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Claims (6)
- 반도체 기판의 상면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과,상기 게이트 절연막 상면에 더미층 패턴을 형성하는 공정과,상기 더미층 패턴의 양측벽에 절연성 사이드월 스페이서를 형성하는 공정과;상기 사이드월 스페이서의 양측 반도체 기판내에 불순물 이온을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하는 공정과,상기 반도체 기판의 상면 전체에 높이가 상기 더미층 패턴 보다 높아지도록 절연층을 형성하는 공정과,상기 절연층에 대해 화학기계연마 공정을 실시하여 상기 더미층 패턴의 상면이 노출되도록 하는공정과,상기 더미층 패턴을 식각 제거하여, 게이트 절연막 위에 트렌치를 형성하는 공정과,상기 트렌치 내벽 및 상기 절연층 상면에 배리어막을 형성하는 공정과,상기 트렌치 내부를 구리층으로 채우는 공정을 포함하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막과 상기 더미층 패턴 사이에 폴리실리콘층 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 더미층 패턴은 실리콘산화막(SiO2) 또는 실리콘질화막(SiNx)중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 배리어막은 WNx, TiN, TaN중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 소스 및 드레인을 형성하는 공정 이후에,상기 소스 및 드레인의 상면에 실리사이드층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 더미층 패턴을 형성하는 공정 이후에,상기 더미층 패턴의 양측 반도체 기판내에 LDD영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000010091A KR100313547B1 (ko) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 반도체 소자의 제조방법 |
| US09/617,275 US6479357B1 (en) | 2000-02-29 | 2000-07-17 | Method for fabricating semiconductor device with copper gate electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000010091A KR100313547B1 (ko) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010084794A KR20010084794A (ko) | 2001-09-06 |
| KR100313547B1 true KR100313547B1 (ko) | 2001-11-07 |
Family
ID=19651095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000010091A KR100313547B1 (ko) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6479357B1 (ko) |
| KR (1) | KR100313547B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100641933B1 (ko) | 2004-10-06 | 2006-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 형성 방법 |
| KR20110064477A (ko) * | 2009-12-08 | 2011-06-15 | 삼성전자주식회사 | 모오스 트랜지스터의 제조방법 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0117949D0 (en) * | 2001-07-24 | 2001-09-19 | Koninkl Philips Electronics Nv | Trench-gate semiconductor devices and their manufacture |
| US6576519B1 (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-10 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit |
| JP2003324197A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4091530B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2008-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4211644B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2009-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
| WO2008063203A2 (en) * | 2006-01-27 | 2008-05-29 | Whitehead Institute For Biomedical Research | Compositions and methods for efficient gene silencing in plants |
| KR101907694B1 (ko) * | 2012-03-06 | 2018-10-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187701A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| TW449919B (en) * | 1998-12-18 | 2001-08-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | A method of manufacturing a semiconductor device |
-
2000
- 2000-02-29 KR KR1020000010091A patent/KR100313547B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-07-17 US US09/617,275 patent/US6479357B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100641933B1 (ko) | 2004-10-06 | 2006-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 형성 방법 |
| KR20110064477A (ko) * | 2009-12-08 | 2011-06-15 | 삼성전자주식회사 | 모오스 트랜지스터의 제조방법 |
| KR101634748B1 (ko) * | 2009-12-08 | 2016-07-11 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터의 제조방법 및 그를 이용한 집적 회로의 형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6479357B1 (en) | 2002-11-12 |
| KR20010084794A (ko) | 2001-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8207566B2 (en) | Vertical channel transistor and method of fabricating the same | |
| US7494865B2 (en) | Fabrication method of metal oxide semiconductor transistor | |
| JP2011061222A (ja) | 多結晶シリコン・ゲート上のサリサイドの抵抗を改善するための方法およびデバイス | |
| KR100313547B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100850068B1 (ko) | 반도체 소자 및 이의 실리사이드막 제조 방법 | |
| KR100414735B1 (ko) | 반도체소자 및 그 형성 방법 | |
| TWI262561B (en) | Method of forming ultra-shallow junction devices and its application in a memory device | |
| US11855170B2 (en) | MOSFET device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same | |
| KR100563095B1 (ko) | 반도체 소자의 실리사이드 형성방법 | |
| WO2020228334A1 (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| US7745298B2 (en) | Method of forming a via | |
| US20230378297A1 (en) | Source/Drains In Semiconductor Devices and Methods of Forming Thereof | |
| KR100661229B1 (ko) | 반도체 소자의 핀형 트랜지스터 제조 방법 | |
| TWI235458B (en) | MOS transistor and fabrication method thereof | |
| KR19990084304A (ko) | 반도체소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100546723B1 (ko) | 반도체 소자의 폴리레지스터 형성방법 | |
| KR100900234B1 (ko) | 반도체 소자 및 그의 제조방법 | |
| US7253472B2 (en) | Method of fabricating semiconductor device employing selectivity poly deposition | |
| KR100628224B1 (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 형성방법 | |
| KR20030055690A (ko) | 다마신을 이용한 모스전계효과 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR100501542B1 (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR20010039150A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR20070000659A (ko) | 반도체 소자의 랜딩플러그 콘택홀 형성방법 | |
| KR20000026839A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR20040000683A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110923 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120921 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |