KR100312479B1 - 과전류 차단 구조의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 도전선 부재의 주위를 수지로 조밀하게 피복하는 구성에 있어서, 과전류가 흐르는 통전 경로를 응답성이 양호하게 확실히 차단할 수 있는 실용적인 과전류 차단 구조의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

통전 경로상의 과전류 차단 예정 위치에 간극을 개재하여 한 쌍의 전극편을 갖는 리드 프레임을 준비하는 전극편 형성 공정과, 리드 프레임상의 간극을 개재하여 존재하는 한 쌍의 전극편 사이에 선 직경이 가는 도체 와이어를 와이어 본딩 방법에 의해 접속하는 와이어 본딩 공정과, 와이어 본딩된 도체 와이어의 주위를 수지 봉지하는 동시에, 성형 기술에 의해 도체 와이어의 경로 부근의 수지층을 우묵하게 들어가게 하여 얇은 두께의 피복층을 성형하는 수지 몰드 공정을 포함한다.

Description

과전류 차단 구조의 제조 방법{THE MANUFACTURE METHOD OF EXCESS CURRENT INTERRUPTING STRUCTURE}

본 발명은 부하에 이어지는 통전 경로에 과전류가 흐르는 상태가 되었을 때, 그 통전 경로를 응답성이 양호하게 확실히 차단할 수 있는 과전류 차단 구조의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 금, 동 및 알루미늄 등의 양도체를 상대적으로 고저항인 것으로서 취급할 수 있도록 한, 예컨대 미세한 금선, 동선 및 알루미늄선 등의 선 부재를 과전류로 발열하는 도전선 부재로서 사용하고, 이 도전선 부재의 주위를 수지로 피복한 구성에 있어서, 과전류가 흐르는 통전 경로를 완전히 차단할 수 있도록 한 과전류 차단 구조의 제조 방법에 관한 것이다.

종래에는 부하에 이어지는 통전 경로에 퓨즈를 삽입 배치함으로써, 과전류가흐르는 상태가 되었을 때, 퓨즈의 용단으로 통전 경로를 차단하였다. 이 퓨즈는 잘 알려진 바와 같이, 퓨즈선 부재를 보호하기 위해서, 예컨대 사고 전류가 큰 부하 전원 라인에서는, 도 16에 도시된 것과 같은 통형 퓨즈(101)의 구성을 채용하고, 또한 사고 전류가 작은 전자 기기 등의 보호용으로는 도 17에 도시된 것과 같은 관형 퓨즈(102)의 구성을 채용한다. 그러나, 이들 퓨즈에는, 다음과 같은 문제점이 있다.

(1) 통형 퓨즈(101)는 구조가 복잡하고 제조 난이도가 높고 고가이기 때문에, 부하 전원 라인에서의 과부하 보호에 있어서, 비용이 크게 상승한다.

(2) 통형 퓨즈(101) 및 관형 퓨즈(102)는 모두 퓨즈 홀더를 사용하게 되기 때문에 기기에 내장하는 경우, 전유 스페이스가 커진다.

그래서, 이러한 문제점을 안고 있는 퓨즈를 대신하는 과전류 차단 구조에 대한 검토 및 실험을 반복 실시하고, 새로운 과전류 차단 구조를 제안하기에 이르렀다. 이 새로운 과전류 차단 구조는 금, 동 및 알루미늄 등의 양도체를 상대적으로 고저항인 것으로서 취급할 수 있도록 한, 예컨대 미세한 금선 및 동선 등과 같이 과전류로 발열하는 도전선 부재를 심 부재로서 사용하여, 이 도전선 부재의 주위를 수지로 피복한 구성으로 한 것이다. 이 때문에, 통전 경로의 용량 확보(경로 주변에의 방열)와, 도전선 부재에 의해 접속되는 한 쌍의 도전체(예컨대 단자)의 고정을 달성할 수 있다. 또한, 취급의 용이함, 내(耐)환경성, 주변 부품과의 절연성의 관점에서 유리하게 된다.

그렇지만, 도전선 부재의 주위를 수지로 피복한 구성으로 한 경우에 있어서는, 도전선 부재가 과전류로 용단 상태에 이르는 과정에서 도전선 부재 주위의 수지의 탄화가 진행하여, 이 탄화 부분이 바이패스 전류 경로(탄화 경로)로 되는 것에 유의해야만 한다. 즉, 도전선 부재가 과전류로 용단되더라도, 탄화 부분의 바이패스 전류 경로가 잔존하여, 부하에 과전류를 계속해서 공급하게 된다. 이 때문에, 종래에는 도전선 부재의 주위를 수지로 피복한 구성으로 한 경우, 실용성이 결여된다고 하는 문제가 있었다.

본 발명은 상기한 문제점에 착안하여 행해진 것으로서, 도전선 부재의 주위를 수지로 피복한 구성에 있어서, 과전류가 흐르는 통전 경로를 응답성이 양호하게 확실히 차단할 수 있는 실용적인 과전류 차단 구조의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제1 실시 형태의 구성을 나타내는 모식적 사시도.

도 2의 (a) 및 도 2의 (b)는 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제1 실시 형태의 구성에 변형을 가한 제1 실시예의 구성 설명도.

도 3은 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제1 실시 형태의 구성에 변형을 가한 제1 실시예의 변형예의 구성 설명도.

도 4의 (a) 및 도 4의 (b)는 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제1 실시 형태의 구성에 변형을 가한 제2 실시예의 구성 설명도.

도 5의 (a) 및 도 5의 (b)는 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제1 실시 형태의 구성에 변형을 가한 제3 실시예의 구성 설명도.

도 6의 (a) 및 도 6의 (b)는 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제1 실시 형태의 구성에 변형을 가한 제4 실시예의 구성 설명도.

도 7은 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제1 실시 형태의 구성에 변형을 가한 제4 실시예의 변형예의 구성 설명도.

도 8은 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제2 실시 형태의 구성을 나타내는 모식적 사시도.

도 9는 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제2 실시 형태의 구성을 얻는 제조 공정 설명도.

도 10은 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제3 실시 형태의 구성을 나타내는 모식적 사시도.

도 11은 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제3 실시 형태의 구성을 얻는 제조 공정 설명도.

도 12의 (a) 및 도 12의 (b)는 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제4 실시 형태의 구성 설명도.

도 13은 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제5 실시 형태의 구성을 나타내는 모식적 사시도.

도 14는 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제6 실시 형태의 구성을 나타내는 모식적 사시도.

도 15는 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제7 실시 형태의 구성을 나타내는 모식적 사시도.

도 16은 종래의 통형 퓨즈의 일례를 나타내는 사시도.

도 17은 종래의 관형 퓨즈의 일례를 나타내는 사시도.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

1, 1A, 1B: 전극편

2, 2A, 2B: 전극편

3, 3a∼3c: 도체 와이어

3A: 도전선 부재

4: 수지층

5, 5a∼5e: 얇은 두께의 피복층

6: 오목부

7∼11: 홈

12, 13: 리드 프레임

14: 온도 감열 물질

15: 물리력 감지 물질

본 발명의 과전류 차단 구조의 제조 방법은 통전 경로상의 과전류 차단 예정 위치에 간극을 개재하여 한 쌍의 전극편을 갖는 리드 프레임을 준비하는 전극편 형성 공정과, 리드 프레임상의 간극을 개재하여 존재하는 한 쌍의 전극편 사이에 선 직경이 가는 도체 와이어를 와이어 본딩법에 의해 접속하는 와이어 본딩 공정과, 와이어 본딩된 도체 와이어의 주위를 수지 봉지하는 동시에, 성형 기술에 의해 도체 와이어의 경로 부근의 수지층을 우묵하게 들어가게 하여 얇은 두께의 피복층을 형성하는 수지 몰드 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 방법에 의해 제조된 전류 차단 구조는 한 쌍의 도전체 사이에 접속한 도전 와이어가 과전류에 의해 발열하여 온도 상승하는 동시에, 수지층도 발열하여 온도가 상승할 때, 수지층의 온도 상승이 얇은 두께의 피복층 형성 부분에 집중된다. 이 때문에, 수지층의 두꺼운 부분보다도 얇은 두께의 피복층 형성 부분에 있어서, 수지의 탄화 과정에서 다량의 가스가 발생한다. 바꿔말하면, 수지층의 두꺼운 부분에서의 가스의 압력 상승보다도 얇은 두께의 피복층 형성 부분에서의 가스의 압력 상승이 급격하게 된다.

따라서, 도전선 부재에 과전류가 흐르는 것에 기인하여 도전선 부재 주위에 수지의 탄화에 의한 탄화 경로가 형성되는 과정에서, 수지층의 두꺼운 부분에서는, 가스압이 가스 파열의 한계압이 되기 위해서는 제법 먼 상태에 있을 때에, 얇은 두께의 피복층의 형성 부분에서는 가스 파열의 한계압에 도달하고, 소규모로 가스 파열한다. 이에 따라, 얇은 두께의 피복층의 형성 부분에서는 도전선 부재가 과전류로 용단하는가 아닌가에 관계없이, 순간적으로 탄화 경로와 함께 단층에 균열이 발생하도록 파괴되게 된다. 그 결과, 한 쌍의 도전체 사이의 통전 경로를 흐르는 부하 전류 등이 과전류가 되었을 때, 수지층의 두꺼운 부분의 비파괴 상태에서 얇은 두께의 피복층의 형성 부분의 통전 경로를 응답성이 양호하게 확실히 차단할 수 있다. 또한, 얇은 두께의 피복층의 두께 조정을 함으로써, 통전 경로의 차단 시기를 미세 조정하기 하여 설계 자유도를 얻을 수 있을 것이다. 또한, 본 제조 방법에 따르면, 일반적인 전자 부품 제조 공정을 그대로 유용할 수 있기 때문에, 각별한 비용 상승을 발생시키지 않는다.

바람직한 실시 형태에서는 수지 몰드 공정가 트랜스퍼 몰드 기술을 사용하여행해진다. 이와 같은 구성에 따르면, 인젝션 몰드(injection mold)의 경우와 같이, 주입 수지의 압력에 의해, 도체 와이어의 위치가 벗어나는 일이 없다.

바람직한 실시 형태에서는 수지 몰드 공정에 있어서, 케이스의 윤곽이 동시에 형성된다. 이와 같은 구성에 따르면, 전류 차단 구조의 제조와 케이스 윤곽의 제조를 동시에 실현함으로써, 공정수의 저감에 의해 각별한 비용 상승을 발생시키지 않는다.

이하, 본 발명이 바람직한 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1의 모식적 사시도는 본 발명에 관련된 과전류 차단 구조의 제1 실시 형태의 구성을 나타낸다. 동일 도면에 있어서, 1 및 2는 각각 한 쌍의 도전체로서 기능하는 단자 구조의 각 전극편이고, 3은, 예컨대 금, 동 및 알루미늄 등과 같이 도전율이높은 금속으로 이루어지는 미세한 선 직경의 도체 와이어이며, 상대적으로 고저항이 되어 과전류로 발열하도록 한 것이다. 또, 본 실시 형태에서는 금선으로 한 경우는 50 미크론의 선 직경의 것을, 알루미늄 선으로 한 경우는 300 미크론의 선 직경의 것을 적용하였다. 또한, 4는 수지층이고, 5는 얇은 두께의 피복층이다.

본 실시 형태의 과전류 차단 구조는 한 쌍의 전극편(1, 2) 사이에, 과전류로 발열하는 도체 와이어(3)를 와이어 본딩으로 접속하고, 다음에 성형 금형을 사용하는 트랜스퍼 몰드로 도체 와이어(3)의 주위를, 예컨대 에폭시 수지 등의 성형 수지로 봉지된 상태로 피복함으로써 수지층(4)을 형성한다. 그리고, 수지층(4)을 형성할 때, 동시에 도체 와이어(3)의 경로 부근을 원형으로 우묵하게 들어가게 하여 얇은 두께의 피복층(5)을 형성한 것이다. 또, 얇은 두께의 피복층(5)을 형성하기 위한 구덩이 깊이는, 도체 와이어(3)가 노출되지 않는 깊이로, 구체적으로는, 얇은 두께의 피복층(5)의 표면에서 도체 와이어(3)의 정상부까지의 치수가 0.5 mm 정도의 두께가 되도록 정한다.

또한, 한 쌍의 전극편(1, 2)으로는, 재질이나 질량의 크기를 선택하여, 도체 저항을 내리고, 또한 열용량을 올린 것을 사용하며, 한 쌍의 전극편(1, 2) 사이에 과전류가 흐를 때에 도체 와이어(3)에 발열이 집중되도록 하고 있기 때문에, 그 때에 도체 와이어(3)가 응답성이 양호하게 발열되게 된다.

이와 같이, 과전류가 흘렀을 때에 발열이 집중하는 도체 와이어(3)의 경로부근을 원형으로 우묵하게 들어가게 하여 얇은 두께의 피복층(5)을 형성한 구성을 채용함으로써, 한 쌍의 전극 단자편(1, 2) 사이에 접속한 도체 와이어(3)가 과전류에 의해 발열하여 온도 상승할 때, 이 온도 상승에 의한 수지층(4)의 발열이 얇은 두께의 피복층(5)에 집중한다. 이 때, 수지층(4) 중 특히 얇은 두께의 피복층(5)의 형성 부분에서 수지의 탄화 과정으로 다량의 가스가 발생한다.

따라서, 도체 와이어(3)에 과전류가 흐르는 것에 기인하여 도체 와이어(3) 주위에 수지의 탄화에 의한 탄화 경로가 형성되는 과정에서, 수지층(4)의 두꺼운 부분에서는, 가스압이 가스 파열의 한계압이 되기에는 제법 먼 상태에 있을 때에, 얇은 두께의 피복층(5)의 형성 부분에서는, 가스 파열의 한계압에 도달하여, 소규모로 가스 파열한다. 이에 따라, 얇은 두께의 피복층(5)의 형성 부분에서는, 도전선 부재가 과전류로 용단하는지 아닌지에 관계없이, 순간적으로 탄화 경로와 함께단층에 균열이 생기도록 파괴되게 된다. 그 결과, 한 쌍의 도전체 사이의 통전 경로를 흐르는 부하 전류 등이 과전류가 되었을 때, 수지층(4)의 두꺼운 부분의 비파괴 상태로 얇은 두께의 피복층(5)의 형성 부분의 통전 경로를 응답성이 양호하게 확실히 차단할 수 있다. 또한, 이하 열거하는 것과 같은 이점이 생긴다.

(1) 얇은 두께의 피복층(5)의 두께 조정을 행함으로써, 통전 경로의 차단 시기를 미세 조정하기 위한 설계 자유도를 얻을 수 있다.

(2) 과전류로 발열하는 도전선 부재를 접속 배치하기 위한 설계 자유도를 얻을 수 있다.

(3) 취급의 용이함, 내환경성, 주변 부품과의 절연성의 관점에서 유리하여진다.

(4) 얇은 두께의 피복층(5)을 포함하는 수지층(4)은 도전체 사이에 접속한 도전선 부재를 성형 금형을 사용하는 트랜스퍼 몰드로 형성하기 때문에, 생산 공정이 간략화되고, 또한 일반적인 반도체 팩키지품 생산 라인을 유용하여 제조할 수 있기 때문에, 과전류 차단 구조를 제작하는 생산 능력의 향상 및 비용 저감을 꾀할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 구성에 있어서, 얇은 두께의 피복층(5)의 형상을 도 2 내지 도 7에 도시하는 각 실시예와 같이 여러 가지 변형하면, 과전류에 의한 도체 와이어(3)의 발열로 얇은 두께의 피복층(5)의 형성 부분이 파괴하는 응답성이 촉진된다.

도 2의 (a)의 상면도 및 도 2의 (b)의 단면도에 도시된 실시예는, 도체 와이어(3)의 본딩 형상에 따라 외면을 만곡시킨 얇은 두께의 피복층(5a)이 수지층(4)에 형성되어 있다. 이 경우, 과전류 통전시에 도체 와이어(3)에 교차하는 방향으로 균열이 진행하기 쉬워, 얇은 두께의 피복층(5a)의 형성 부분을 파괴하는 응답성이 촉진된다.

도 3의 단면도에 도시된 실시예는, 도 2에 도시된 실시예의 변형예로서, 얇은 두께의 피복층(5a)이 형성된 위치의 바닥면에 도체 와이어(3)의 수지 피복의 두께를 얇게 하는 오목부(6)가 형성되어 있다. 이 경우, 과전류 통전시에 도체 와이어(3)에 교차하는 방향으로 더욱 균열이 진행하기 쉬워, 얇은 두께의 피복층(5a)의 형성 부분을 파괴하는 응답성이 촉진된다.

도 4의 (a)의 상면도 및 도 4의 (b)의 단면도에 도시된 실시예는 도체 와이어(3)의 선상을 따른 방향의 홈(7)과, 이것에 교차하는 방향의 홈(8)을 각각 갖는 외면 형상의 얇은 두께의 피복층(5b)이 수지층(4)에 형성되어 있다. 이 경우, 과전류 통전시에 홈(7, 8)이 구조상의 약점이 되어 균열이 진행하기 쉬워, 얇은 두께의 피복층(5b)의 형성 부분을 파괴하는 응답성이 촉진된다.

도 5의 (a)의 상면도 및 도 5의 (b)의 단면도에 도시된 실시예는, 도체 와이어(3)의 선상의 중앙점을 중심으로 하여 원형으로 가공된 홈(9)을 갖는 외면 형상의 얇은 두께의 피복층(5c)이 수지층(4)에 형성되어 있다. 이 경우, 과전류 통전시에 홈(9)이 구조상의 약점이 되어 균열이 진행하기 쉬워, 얇은 두께의 피복층(5b)의 형성 부분을 파괴하는 응답성이 촉진된다.

도 6의 (a)의 상면도 및 도 6의 (b)의 단면도에 도시된 실시예는, 도체 와이어(3)의 선상의 중앙점을 교차하는 방향으로 가공된 홈(10)을 갖는 외면 형상의 얇은 두께의 피복층(5d)이 수지층(4)에 형성되어 있다. 이 경우, 과전류 통전시에 홈(10)이 구조상의 약점이 되어 균열이 진행하기 쉬워, 얇은 두께의 피복층(5d)의 형성 부분을 파괴하는 응답성이 촉진된다. 또, 도 7의 상면도에 도시된 바와 같이, 도체 와이어(3)의 선상을 따르는 방향으로 가공된 홈(11)을 형성하고, 얇은 두께의 피복층(5e)의 파괴가 촉진되도록 하더라도 좋다.

도 8의 모식적 사시도에, 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제2 실시 형태의 구성을 나타낸다. 이 실시예에서는, 동일 도면에 도시된 것과 같이, 한 쌍의 도전체로서 SMD 사양의 각 전극편(1A, 2A)을 사용하여, 이 한 쌍의 전극편(1A, 2A) 사이에 도체 와이어(3)를 와이어 본딩으로 접속한 후, 수지 봉지함으로써 상기 제1 실시 형태에 준하여 기능되는 과전류 차단 구조를 구성하고 있다.

이 실시 형태의 과전류 차단 구조이더라도, 수지층(4)을 형성할 때, 동시에 도체 와이어(3)의 경로 부근에 얇은 두께의 피복층(5)을 형성한 것이기 때문에, 한 쌍의 전극 단자편(1A, 2A) 사이에 접속한 도체 와이어(3)가 과전류로 용단하는지 아닌지에 관계없이, 도체 와이어(3)에 과전류가 흐르는 것에 기인하여 다량으로 발생하는 가스에 의해, 순간적으로 얇은 두께의 피복층(5)의 형성 부분이 탄화 경로와 함께 단층에 균열이 생기도록 파괴되게 된다. 따라서, 상기 제1 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다. 또한, 표면 실장 기술을 이용하여 도체 패턴상에, 용이하게 실장할 수 있다.

또한, 이 실시 형태의 과전류 차단 구조를 제조하는 경우, 도 9에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(12)을 대상으로 하여, 제조 라인의 상류측에서 그 하류측으로 배열하여 설치된 전극편 형성 공정(1), 와이어 본딩 공정(2) 및 수지 몰드 공정(3)을 순차 실시하고 수지 몰드 공정(3)의 종료후, 프레임 커트를 실시하여 도 8에 도시된 과전류 차단 구조를 얻는다.

도 10의 사시도에, 본 발명에 따른 과전류 차단 구조의 제3 실시예의 구성을 나타낸다. 이 실시예에서는, 동일 도면에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 도전체로서, 한 쪽이 적절하게 선정된 길이 분만큼 도전체를 인출한 단자 구조의 전극편(1B)이고, 다른 쪽이 단자 없는 전극편(2B)인 각 전극편(1B, 2B)을 사용하고, 이 한 쌍의 전극편(1B, 2B) 사이에 도체 와이어(3)를 와이어 본딩으로 접속한 후, 수지 봉지함으로써 상기 제1 실시 형태에 준하여 기능되는 과전류 차단 구조를 구성하고 있다.

이 실시 형태의 과전류 차단 구조이더라도, 수지층(4)을 형성할 때, 동시에 도체 와이어(3)의 경로 부근에 얇은 두께의 피복층(5)을 형성한 것이기 때문에, 한 쌍의 전극편(1B, 2B) 사이에 접속한 도체 와이어(3)가 과전류로 용단하는지 아닌지에 관계없이, 도체 와이어(3)에 과전류가 흐르는 것에 기인하여 다량으로 발생되는 가스에 의해 순간적으로 얇은 두께의 피복층(5)의 형성 부분이 탄화 경로와 함께 단층에 균열이 생기도록 파괴되게 된다. 따라서, 상기 제1 실시예와 동일한 효과가 얻어진다.

또, 이 실시예의 과전류 차단 구조를 제조하는 경우, 도 11에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(13)을 대상으로 하여, 제조 라인의 상류측에서 그 하류측으로 나란히 설치된 전극편 형성 공정(1), 단자 구조 가공 공정(2), 와이어 본딩공정(3) 및 수지 몰드 공정(4)을 순차 실시하고, 수지 몰드 공정(4)의 종료후, 프레임 커트를 실시하여 도 10의 과전류 차단 구조를 완성한다.

상기한 각 실시예의 과전류 차단 구조는, 도전체 사이를 와이어 본딩 특유의 곡선을 그리는 도체 와이어(3)로 접속하였지만, 도 12의 (a)의 상면도 및 도 12의 (b)의 단면도에 도시된 제4 실시예의 과전류 차단 구조에서는, 한 쌍의 전극편(1, 2) 사이를 직선적 형상의 도전선 부재(3A)로 접속한 후, 수지 봉지함으로써 상기 제1 실시예에 준한 과전류 차단 구조를 구성하고 있다. 또, 도전선 부재(3A)에는, 상기 도체 와이어(3)와 동일한 형상의 선 부재나, 도체박 등을 적용할 수 있다.

이 실시예의 과전류 차단 구조이더라도, 수지층(4)을 형성할 때, 동시에 도전선 부재(3A)의 경로 부근에 얇은 두께의 피복층(5)을 형성한 것이기 때문에, 한 쌍의 전극편(1, 2) 사이에 접속한 도전선 부재(3A)가 과전류로 용단하는지 아닌지에 관계없이, 도전선 부재(3A)에 과전류가 흐르는 것에 기인하여 다량으로 발생되는 가스에 의해, 순간적으로 얇은 두께의 피복층(5)의 형성 부분이 탄화 경로와 함께 단층에 균열이 생기도록 파괴되게 된다. 따라서, 상기 제1 실시 형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 직선적 형상의 도전선 부재(3A)를 이용하기 때문에 구조 전체를 더욱 컴팩트하게 구성할 수 있다.

또한, 도 13에 도시된 제5 실시 형태의 과전류 차단 구조와 같이, 한 쌍의 전극편(1, 2) 사이에 복수개의 도체 와이어(3a∼3c)를 접속함으로써, 과전류가 통전되었을 때에 생기는 열원을 확대시켜, 파괴 개시점을 확대시킬 수 있다. 또, 이 경우는, 도체 와이어의 선 직경을 접속 개수분에 반비례시켜 가늘게 함으로써 대처할 수 있다.

또한, 도 14에 도시된 제6 실시 형태의 과전류 차단 구조와 같이, 얇은 두께의 피복층(5)의 외면에, 서멀(thermal) 테이프 등의 온도 감열 물질(14)을 점착한 구성으로 할 수 있다. 이 구성에서는, 얇은 두께의 피복층(5)의 형성 부분의 발열 파괴를 외측으로부터의 시각으로는 식별할 수 없는 경우에, 온도 감열 물질(14)의 온도 감지에 의한 색조 등의 변화로, 그 파괴가 발생한 것을 알릴 수 있다. 또, 온도 감열 물질을 매립 구성으로 할 수도 있다.

또한, 도 15에 도시된 제7 실시 형태의 과전류 차단 구조와 같이, 얇은 두께의 피복층(5)의 외면에, 물리력 감응지 등의 물리력 감지 물질(15)을 점착한 구성으로 할 수 있다. 이 구성에서는, 얇은 두께의 피복층(5)의 형성 부분의 발열 파괴를 외측으로부터 시각으로는 식별할 수 없는 경우에, 물리력 감지 물질(15)의 물리력 감지에 의한 색조 등의 변화로, 그 파괴가 발생한 것을 알릴 수 있다. 또, 물리력 감지 물질을 매립 구성으로 할 수 있다.

본 발명에 따른 과전류 차단 구조는, 이상 설명하였던 것과 같은 각 실시예의 구성이므로, 회로 부품으로서 사용할 수 있는 동시에, 본 발명에 따른 과전류 차단 구조가 삽입 접속된 통전 경로에 과전류가 흘렀을 때, 그 통전 경로를 응답성이 양호하게 확실히 차단할 수 있다.

이상의 설명으로부터 분명하듯이, 본 발명에 따르면, 도전선 부재의 주위를 수지로 피복한 구성에 있어서, 과전류가 흐르는 통전 경로를 응답성이 양호하게 확실히 차단할 수 있는 실용적인 과전류 차단 구조의 제조 방법을 제공할 수 있다.

Claims (3)

1. 통전 경로상의 과전류 차단 예정 위치에 간극을 개재하여 한 쌍의 전극편을 갖는 리드 프레임을 준비하는 전극편 형성 공정과;

   상기 리드 프레임상의 간극을 개재하여 존재하는 한 쌍의 전극편 사이에 선의 직경이 가는 도체 와이어를 와이어 본딩법에 의해 접속하는 와이어 본딩 공정과;

   상기 와이어 본딩된 도체 와이어의 주위를 수지로 봉지(封止)함과 동시에, 성형 기술에 의해 도체 와이어의 경로 부근의 수지층을 우묵하게 들어가게 하여 얇은 두께의 피복층을 성형하는 수지 몰드 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 과전류 차단 구조의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 수지 몰드 공정은 트랜스퍼 몰드 기술을 사용하여 행해지는 것인 과전류 차단 구조의 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 수지 몰드 공정에서 케이스의 윤곽이 동시에 형성되는 것인 과전류 차단 구조의 제조 방법.