JPWO2011114806A1 - 積層セラミック電子部品 - Google Patents
積層セラミック電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2011114806A1 JPWO2011114806A1 JP2012505561A JP2012505561A JPWO2011114806A1 JP WO2011114806 A1 JPWO2011114806 A1 JP WO2011114806A1 JP 2012505561 A JP2012505561 A JP 2012505561A JP 2012505561 A JP2012505561 A JP 2012505561A JP WO2011114806 A1 JPWO2011114806 A1 JP WO2011114806A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer ceramic
- electronic component
- ceramic
- ceramic electronic
- multilayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical group [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead-based oxides
- H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/871—Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
機械的特性および内部電極の耐蝕性に優れ、かつ、セラミック材料設計の自由度が高く低コストかつ低不良率にて様々な特性を有する積層セラミック電子部品を提供する。積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成される複数のAl/Ti合金を主成分とする内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記Al/Ti合金のAl/Ti比が91/9以上である。
Description
本発明は、積層セラミックコンデンサに代表される積層セラミック電子部品に関し、特に、Al合金を主成分とする内部電極を備えるものに関する。
図1を参照して、まず、この発明に係る積層セラミック電子部品を、積層セラミックコンデンサ1を例にとり説明する。
積層セラミックコンデンサ1は、積層された複数の誘電体セラミック層3間の特定の界面に沿って形成される複数の内部電極4および5とをもって構成される、積層体2を備えている。
積層体2の外表面上の互いに異なる位置には、第1および第2の外部電極6および7が形成される。図1に示した積層セラミックコンデンサ1では、第1および第2の外部電極6および7は、積層体2の互いに対向する各端面上に形成される。内部電極4および5は、第1の外部電極6に電気的に接続される複数の第1の内部電極4と第2の外部電極7に電気的に接続される複数の第2の内部電極5とがあり、これら第1および第2の内部電極4および5は、積層方向に関して交互に配置されている。
積層セラミック電子部品の内部電極には、様々な金属元素が考えられるが、コスト削減を目的とするため、卑金属が多く検討されている。
ただし卑金属はセラミックとの共焼結時に非常に酸化されやすいため、焼成時の雰囲気を還元雰囲気とし、温度条件および酸素分圧を精密に制御する必要があった。結果として、材料設計に大きな制約が生じた。加えて、共焼成に伴う不均一な応力に起因するデラミネーション等の問題が懸念された。
また、卑金属単体の内部電極を用いた場合では、焼成後のセラミック積層体が仮に高温高湿の環境にさらされたとき、内部電極の耐蝕性が問題となった。
たとえば、特許文献1には、卑金属合金を内部電極材料として用いている積層セラミック電子部品が開示されている。具体的には、Ni/Al合金およびTi/Al合金である。
しかしながら、特許文献1における積層セラミック電子部品においては、焼成雰囲気が窒素雰囲気であるため、セラミック材料の再酸化処理が必要となり、工程が煩雑となった。
さらに、特許文献1における積層セラミック電子部品においては、焼成工程の降温時の収縮挙動の影響から大きな応力がかかり、デラミネーションが生じやすいという問題があった。
そこで、本発明の目的は、卑金属合金からなる内部電極を有する積層セラミック電子部品において、デラミネーションなどの機械的不具合が抑制されており、かつ、大気中においても焼成可能な積層セラミック電子部品を提供することにある。
すなわち本発明は、積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成される複数のAl/Ti合金を主成分とする内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記Al/Ti合金のAl/Ti比が91/9以上であることを特徴とする。
本発明によれば、内部電極からセラミック層にかかる応力が小さいため、デラミネーション発生の抑えられた積層セラミック電子部品を得ることができる。また、内部電極のAlに対し一定量のTiが含有されることで、内部電極の耐蝕性が高まり、高湿の環境においても信頼性の高い積層セラミック電子部品を得ることができる。
また、本発明の積層セラミック電子部品は、卑金属の内部電極でありながら大気中にて焼成可能であるため、セラミック材料設計の自由度が高まる。よって、様々な特性を有する積層セラミック電子部品を得ることができる。
本発明の積層セラミック電子部品は、その内部電極の主成分がAl/Ti合金である。このAl/Ti比が91/9以上である場合、セラミック層と内部電極との間の応力集中が緩和され、デラミネーション不良が効果的に抑えられる。
また、本発明の積層セラミック電子部品を、酸素分圧が1×10-4MPa以上(大気中を含む)とした場合、内部電極の表層部、すなわちセラミック層と接する箇所が、Al2O3を主成分とする層で構成されることがある。これは、主として、Al内部電極の表面が酸化したことに因るものである。このAl2O3層が、Al内部電極の電極切れを防ぎ、Al内部電極の導電率を良好に保つ。また、このAl2O3層は、Al内部電極層を平滑にする効果がある。これらの効果を発現するには、Al2O3層の厚みは内部電極の厚みの0.25%以上であることが好ましい。
また、Al2O3層の厚みが内部電極の厚みの10%超となると、内部電極層の総厚の20%がAl2O3で構成されることとなり、上記の導電率向上の効果が薄まる。よって、Al2O3層の厚みは内部電極の厚みの10%以下であることが好ましい。
次に、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法について、積層セラミックコンデンサを例にとり説明する。
まず、セラミック原料が用意される。このセラミック原料は、溶媒中にて必要に応じて有機バインダ成分と混合され、セラミックスラリーとされる。このセラミックスラリーをシート成形することにより、セラミックグリーンシートが得られる。
次に、Al/Ti合金を主成分とする内部電極がセラミックグリーンシート上に形成される。これにはいくつかの方法があり、Al/Ti合金粉と有機ビヒクルとを含む導電ペーストを所望のパターンにスクリーン印刷する方法が簡便である。その他にも、金属箔を転写する方法や、真空薄膜形成法によりマスキングしながらAl/Ti膜を形成する方法もある。
このようにして、セラミックグリーンシートと内部電極層とが多数層重ねられ、圧着されることにより、焼成前の生の積層体が得られる。
この生の積層体は、焼成炉において、所定の雰囲気・温度にて焼成される。たとえば、焼成時の酸素分圧を1×10-4MPa以上とし、焼成温度を600℃以上とした場合、内部電極の表面の酸化が進み、適度な厚みを有するAl2O3層が形成されることがある。また、たとえば、焼成温度を1000℃以下とすると、内部電極の電極切れが効果的に防がれやすい。酸素分圧に関しては、工程の簡便さを考慮すると、大気圧が最も好ましい。
また、焼成工程における、室温〜TOP温度までの昇温速度を100℃/分以上とすると、セラミック材料組成等の種々の変化があっても、より確実に内部電極の表層にAl2O3層が形成されやすい。
なお、Alの融点は約660℃であるが、本発明の製造方法によれば、660℃以上の温度でもセラミックと共焼成可能となる。これはAl内部電極の表層部に形成されたAl2O3層に因るものと考えられる。このため、使用するセラミックの材料組成設計にも大きな自由度が生じ、様々なアプリケーションに応用可能となる。
なお、本発明の積層セラミック電子部品におけるセラミック組成は特に限定されるものではない。チタン酸バリウム系(Ca、Sr、Zr等で置換されたものも含む)、チタン酸鉛系またはチタン酸ジルコン酸鉛系、アルミナ系ガラスセラミック、フェライト、遷移元素酸化物系半導体セラミック、など、本発明の目的を損なわない範囲で様々な材料を適用可能である。
また、本発明の積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、積層型圧電素子、積層サーミスタ素子、積層チップコイル、セラミック多層基板など様々な電子部品に適用可能である。
本実施例は、内部電極におけるAl/Ti比を変化させ、それがデラミネーションに与える影響をみたものである。セラミック材料としては3種類の組成のものを用意した。
まず、第1のセラミック材料として、BaTiO3、Bi2O3、CuO、の粉末を用意した。これらの粉末を表1の「材料1」に記載の組成比を満足するよう混合し、第1のセラミック原料を得た。
同様にして、第2のセラミック材料として、(Pb0.88Bi0.12)((Ni1/2Nb1/2)0.15Ti0.45Zr0.40)O3の粉末を用意した。これを第2のセラミック原料とした。
同様にして、第3のセラミック材料として、BaTiO3、Bi2O3、SiO2、の粉末を用意した。これらの粉末を表1の「材料3」に記載の組成比を満足するよう混合し、第3のセラミック原料を得た。
これらのセラミック原料それぞれに、エタノール系の有機溶剤およびポリビニルブチラール系バインダを加え、ボールミルで湿式混合し、セラミックスラリーを得た。このセラミックスラリーをシート成形し、セラミックグリーンシートを得た。
一方で、Al/Ti比を、表1に記載のように、99.9/0.1〜90/10の範囲で変化させたAl/Ti合金粉を用意した。この合金粉に、アセテート系有機溶剤およびセルロース系バインダを混合し、それぞれAl/Tiペーストを得た。
次に、前記3種のセラミックグリーンシート上に、Al/Ti比を99.9/0.1〜90/10の範囲で変化させたAl/Tiペーストを、それぞれにスクリーン印刷により塗布し、Al/Tiペースト層を形成した。このAl/Tiペースト塗布後のセラミックグリーンシートを、Al/Tiペースト層の引き出されている側が互い違いになるように積層し、圧着し、生の積層体を得た。
この生の積層体を大気中にて270℃にて加熱し、バインダを除去した。この後、100℃/分の昇温速度にて昇温し、大気中にて表2に示す焼成温度にて1分間焼成した。得られた積層体の両端面にBaO-SiO2-BaO系ガラスフリットを含有するAgペーストを塗布し、大気中にて600℃で焼き付け、これを内部電極と接続する外部電極とした。
以上のようにして得られた積層セラミック電子部品は、長さ2.0mm、幅1.0mm厚さ1.0mmであり、セラミック層の一層あたりの厚みは15μm、内部電極層の一層あたりの厚みは5μm、静電容量に寄与する有効層数は30であった。また、1層あたりの内部電極の対向する部分の面積は、1.7×10-6m2であった。
得られた試料について、静電容量および誘電損失(tanδ)を計測したところ、積層セラミック電子部品として成り立っており、内部電極の導電性に問題ないことがわかった。また、Al/Ti合金の内部電極の表面には薄いAl2O3酸化膜が形成されているとともに、内部電極の平滑性および連続性は良好であった。
次に、得られた試料30個について、超音波探傷にてデラミネーションの有無を観察した。デラミネーションが少しでもみられた試料を不良とし、その個数を表1に示した。
表1の結果より、上述の3種のセラミック材料を用いた積層セラミックコンデンサにおいて、その内部電極のAl/Ti比が99.9/0.1〜91/9を満たす試料においては、デラミネーションの不良個数がゼロとなった。一方でAl/Ti比が91/9未満である試料については、デラミネーション不良が発生した。
本発明の積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサ、積層圧電素子、積層サーミスタ、積層チップコイル、セラミック多層基板などに応用が可能である。
Claims (3)
- 積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成される複数のAl/Ti合金を主成分とする内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、
前記Al/Ti合金のAl/Ti比が91/9以上であることを特徴とする、積層セラミック電子部品。 - 前記セラミック層の主成分がチタン酸バリウム系ペロブスカイト化合物であり、前記積層セラミック電子部品が積層セラミックコンデンサである、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記セラミック層の主成分が、チタン酸ジルコン酸鉛系のペロブスカイト化合物であり、前記積層セラミック電子部品が積層型圧電素子である、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012505561A JP5527402B2 (ja) | 2010-03-16 | 2011-02-07 | 積層セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010059507 | 2010-03-16 | ||
JP2010059507 | 2010-03-16 | ||
JP2012505561A JP5527402B2 (ja) | 2010-03-16 | 2011-02-07 | 積層セラミック電子部品 |
PCT/JP2011/052525 WO2011114806A1 (ja) | 2010-03-16 | 2011-02-07 | 積層セラミック電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011114806A1 true JPWO2011114806A1 (ja) | 2013-06-27 |
JP5527402B2 JP5527402B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=44648913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012505561A Active JP5527402B2 (ja) | 2010-03-16 | 2011-02-07 | 積層セラミック電子部品 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8885321B2 (ja) |
JP (1) | JP5527402B2 (ja) |
WO (1) | WO2011114806A1 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04312908A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-11-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JPH0684608A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック素子 |
JP3305272B2 (ja) * | 1998-12-18 | 2002-07-22 | 三星電機株式会社 | 誘電体磁器材料 |
JP2003105468A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 端子用アルミニウム合金材料および前記材料からなる端子 |
JP2005039179A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP5186739B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2013-04-24 | 日立電線株式会社 | 導電用アルミニウム合金配線材料及びそれを用いた配線材 |
JP5293971B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2013-09-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法 |
-
2011
- 2011-02-07 WO PCT/JP2011/052525 patent/WO2011114806A1/ja active Application Filing
- 2011-02-07 JP JP2012505561A patent/JP5527402B2/ja active Active
-
2012
- 2012-09-06 US US13/604,996 patent/US8885321B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5527402B2 (ja) | 2014-06-18 |
WO2011114806A1 (ja) | 2011-09-22 |
US20120326562A1 (en) | 2012-12-27 |
US8885321B2 (en) | 2014-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5293971B2 (ja) | 積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2014220324A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP5527404B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2015053526A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
US9443654B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component and method for manufacturing multilayer ceramic electronic component | |
JP5527405B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP5527403B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP5527400B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP5527401B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2010212503A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP5527402B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2018182107A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP5429393B2 (ja) | 積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2014183187A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2014146654A (ja) | 積層型電子部品 | |
JPH03116916A (ja) | 積層型電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5527402 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |