JPWO2015198960A1

JPWO2015198960A1 - 液晶表示素子及びその製造方法

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Publication number: JPWO2015198960A1
Application number: JP2016529511A
Authority: JP
Inventors: 小川　真治; 真治小川; 芳典岩下; 根岸　真; 真根岸
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Priority date: 2014-06-25
Filing date: 2015-06-18
Publication date: 2017-04-20
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Abstract

誘電率異方性、粘度、ネマチック相上限温度、回転粘度（γ１）等の液晶表示素子としての諸特性及び液晶表示素子の焼き付き特性を悪化させることなく、製造時の滴下痕が発生し難い液晶表示素子及びその製造方法を提供する。本発明の液晶表示素子は第一基板と第二基板を有する一組の基板と、前記基板の間に挟持された液晶組成物層とを有し、前記第一の基板と前記第二の基板の少なくとも一方に電極を有しており、前記第一の基板と前記第二の基板の少なくとも一方に、前記液晶組成物層中の液晶分子の配向方向を制御する配向膜を有し、該配向膜は、反応性基を有する重合性化合物の重合体を含み、前記液晶組成物層を構成する液晶組成物が、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有するものである。

Description

本発明は、液晶ＴＶ等の構成部材として有用な液晶表示素子及びその製造方法に関する。

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものとして、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた垂直配向型（バーチカル・アライメント；ＶＡ）やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等が挙げられる。これらの液晶表示素子に用いられる液晶組成物は、水分、空気、熱、光などの外的要因に対して安定であること、また、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、低粘性であり、かつ駆動電圧が低いことが求められる。さらに、液晶組成物は、個々の液晶表示素子に対して、誘電率異方性（Δε）や屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、数種類から数十種類の化合物から構成されている。

ＶＡ型ディスプレイでは、Δεが負の液晶組成物が用いられており、液晶ＴＶ等に広く用いられている。一方、全ての駆動方式において、低電圧駆動、高速応答、広い動作温度範囲が求められている。すなわち、Δεの絶対値が大きく、粘度（η）が小さく、高いネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が要求されている。また、Δｎとセルギャップ（ｄ）との積であるΔｎ×ｄの設定から、液晶組成物のΔｎをセルギャップに合わせて適当な範囲に調節する必要がある。加えて、液晶表示素子をテレビ等へ応用する場合、高速応答性が重視されるため、回転粘度（γ_１）の小さい液晶組成物が要求される。

一方、ＶＡ型ディスプレイの視野角特性を改善するために、基板上に突起構造物を設けることにより、画素中の液晶分子の配向方向を複数に分割するＭＶＡ（マルチドメイン・バーチカル・アライメント）型の液晶表示素子が広く用いられるに至った。ＭＶＡ型液晶表示素子は、視野角特性の点では優れるものの、基板上の突起構造物の近傍と離れた部位とでは、液晶分子の応答速度が異なり、突起構造物から離れた応答速度の遅い液晶分子の影響から、全体としての応答速度が不十分である問題があり、突起構造物に起因する透過率の低下の問題があった。この問題を解決するために、通常のＭＶＡ型液晶表示素子とは異なり、セル中に非透過性の突起構造物を設けることなく、分割した画素内で均一なプレチルト角を付与する方法として、ＰＳＡ液晶表示素子（ｐｏｌｙｍｅｒｓｕｓｔａｉｎｅｄａｌｉｇｎｍｅｎｔ：ポリマー維持配向、ＰＳ液晶表示素子（ｐｏｌｙｍｅｒｓｔａｂｉｌｉｓｅｄ：ポリマー安定化）を含む。）が開発されている。ＰＳＡ液晶表示素子は、少量の反応性モノマーを液晶組成物に添加し、その液晶組成物を液晶セルに導入後、電極間に電圧を印加しながら、活性エネルギー線の照射により、液晶組成物中の反応性モノマーを重合させることにより製造されるものである。そのため、分割画素中において適切なプレチルト角を付与することができ、結果として、透過率向上によるコントラストの向上及び均一なプレチルト角の付与による高速応答性を達成できる（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、ＰＳＡ液晶表示素子においては、液晶組成物中に反応性モノマーを添加する必要があり、高い電圧保持率が要求されるアクティブマトリクス液晶表示素子においては、問題が多く、焼き付き等の表示不良が発生する問題もあった。

ＰＳＡ液晶表示素子の欠点を改良し、液晶組成物中に液晶材料以外の異物を混入することなく、液晶分子に均一なプレチルト角を付与する方法として、反応性モノマーを配向膜材料中に混入し、液晶組成物を液晶セルに導入後、電極間に電圧を印加しながら、活性エネルギー線の照射により、配向膜中の反応性モノマーを重合させる方式が開発されている（例えば、特許文献２、３及び４参照）。

一方、液晶表示素子の大画面化に伴って、液晶表示素子の製造方法も大きな変化を遂げている。すなわち、従来の真空注入法は、大型のパネルを製造する場合、製造プロセスに多大な時間を要することから、大型パネルの製造においては、ＯＤＦ（ｏｎｅ−ｄｒｏｐ−ｆｉｌｌ）方式による製造方法が主流となってきている（例えば、特許文献５参照）。この方式は、真空注入法と比較して、注入時間を短縮できることから、液晶表示素子の製造方法の主流となっている。しかし、液晶組成物を滴下した滴下痕が、液晶表示素子作製後にも、滴下した形状に液晶表示素子に残る現象が新たな問題となってきている。なお、滴下痕とは、黒表示した場合に液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象と定義する。特に、前述した配向膜材料中に反応性モノマーを添加して液晶分子にプレチルト角を付与する方式においては、液晶組成物の基板への滴下時には異物である反応性モノマーが配向膜中に存在していることから、滴下痕の問題が発生し易い。また、一般的に滴下痕の発生は液晶材料の選択により発生することも多く、その原因は明らかではない。

滴下痕の抑制方法としては、液晶組成物中に混合した重合性化合物が重合して、液晶組成物層中にポリマー層を形成することにより、配向制御膜との関係で発生する滴下痕を抑制する方法が開示されている（例えば、特許文献６参照）。しかしながら、この方法においては、ＰＳＡ方式等と同様に、液晶組成物中に添加した反応性モノマーに起因する表示の焼き付きの問題があり、滴下痕の抑制についてもその効果は不十分であり、液晶表示素子としての基本的な特性を維持しつつ、焼き付きや滴下痕の発生し難い液晶表示素子の開発が求められていた。

そこで、我々は特許第０５２９９５９５号公報（特許文献７）にて、垂直配向膜中に反応性モノマーを含有させ、液晶組成物を液晶セルに導入後、電極間に電圧を印加しながら、活性エネルギー線の照射により、配向膜中の反応性モノマーを重合させる方式において、特定の液晶組成物を組み合わせる液晶表示素子を提案した。この液晶表示素子により、誘電率異方性、粘度、ネマチック相上限温度、回転粘度（γ_１）等の液晶表示素子としての諸特性及び液晶表示素子の焼き付き特性を悪化させることなく、製造時の滴下痕が発生し難い液晶表示素子及びその製造方法を提供することに可能になった。

特開２００２−３５７８３０号公報特開２０１０−１０７５３６号公報米国特許出願公開第２０１１／２６１２９５号明細書特開２０１１−２２７２８４号公報特開平６−２３５９２５号公報特開２００６−５８７５５号公報特許０５２９９５９５号公報

しかし、液晶表示素子においてプレチルト角を付与すべく、配向膜中の反応性モノマーの重合度を高めるためには、高強度のＵＶを照射するか、或いは、より長時間のＵＶを照射することが有効であるが、一方でＵＶ照射による液晶組成物中の液晶材料の劣化が促進されてしまうという問題が生じていた。

そこで、本発明は、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を重合させる際に液晶材料の劣化を抑制できる液晶表示素子、及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者等は、上記課題を解決するために、種々の液晶組成物を検討した結果、特定の液晶化合物を含むことにより、前記課題を解決できることを見出し、本願発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、第一基板と第二基板を有する一組の基板と、前記基板の間に挟持された液晶組成物層とを有し、前記第一の基板と前記第二の基板の少なくとも一方に電極を有しており、前記第一の基板と前記第二の基板の少なくとも一方に、前記液晶組成物層中の液晶分子の配向方向を制御する配向膜を有し、該配向膜は、反応性基を有する重合性化合物の重合体を含み、前記液晶組成物層を構成する液晶組成物が、下記一般式（Ｉ）

（式中、Ｘ^１〜Ｘ^４はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、
Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、
環Ｂ及び環Ｃはそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表すが、該１，４−フェニレン基中に存在する１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていても良く、該１，４−シクロヘキシレン基中に存在する１個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されていても良い。）で表される化合物を含有する液晶表示素子である。

また、本発明は、第一の基板と第二の基板の少なくとも一方に、反応性基を有する重合性化合物及び垂直配向材料を含有する配向材料を塗布し、加熱することにより配向膜を形成した後、少なくとも一方に電極を有する前記第一の基板と前記第二の基板により液晶組成物を挟持し、前記電極に、電圧を印加した状態で活性エネルギー線を照射することにより、前記配向膜中の重合性化合物を重合し、
前記液晶組成物が、下記一般式（Ｉ）

（式中、Ｘ^１〜Ｘ^４はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、
Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、
環Ｂ及び環Ｃはそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表すが、該１，４−フェニレン基中に存在する１個以上の水素原子はフッ素原子に置換されていても良く、該１，４−シクロヘキシレン基中に存在する１つ以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されていても良い。）で表される化合物を含有する液晶表示素子の製造方法である。

本発明の液晶表示素子は、低強度且つ短時間のＵＶ照射で配向膜中の反応性モノマーを重合可能であり、液晶組成物中の液晶材料の劣化を抑制できるので、液晶ＴＶ、モニター等の表示素子として有効に用いることができる。

本発明の液晶表示素子の一実施形態を示す概略斜視図である。本発明の液晶表示素子に用いられるスリット電極（櫛形電極）の一例を示す概略平面図である。本発明の液晶表示素子におけるプレチルト角の定義を示す図である。

本発明の液晶表示素子及びその製造方法の実施の形態について説明する。

なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
［液晶表示素子］
本発明の液晶表示素子は、一対の基板の間に挟持された液晶組成物層を有する液晶表示素子であって、液晶組成物層に電圧を印加し、液晶組成物層中の液晶分子をフレデリクス転移させることにより、光学的なスイッチとして働かせる原理に基づくものであり、この点では周知慣用技術を用いることができる。

二つの基板は、液晶分子をフレデリクス転移するための電極を有する、通常の垂直配向液晶表示素子では、一般的に、二つの基板間に垂直に電荷を印加する方式が採用される。この場合、一方の電極は共通電極となり、もう一方の電極は画素電極となる。以下に、この方式の最も典型的な実施形態を示す。

図１は、本発明の液晶表示素子の一実施形態を示す概略斜視図である。

本実施形態の液晶表示素子１０は、第一の基板１１と、第二の基板１２と、第一の基板１１と第二の基板１２の間に挟持された液晶組成物層１３と、第一の基板１１における液晶組成物層１３と対向する面上に設けられた共通電極１４と、第二の基板１２における液晶組成物層１３と対向する面上に設けられた画素電極１５と、共通電極１４における液晶組成物層１３と対向する面上に設けられた垂直配向膜１６と、画素電極１５における液晶組成物層１３と対向する面上に設けられた垂直配向膜１７と、第一の基板１１と共通電極１４の間に設けられたカラーフィルター１８とから概略構成されている。

第一の基板１１と、第二の基板１２としては、ガラス基板又はプラスチック基板が用いられる。

プラスチック基板としては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、環状オレフィン樹脂等の樹脂からなる基板が用いられる。

共通電極１４は、通常、インジウム添加酸化スズ（ＩＴＯ）等の透明性を有する材料から構成される。

画素電極１５は、通常、インジウム添加酸化スズ（ＩＴＯ）等の透明性を有する材料から構成される。

画素電極１５は、第二の基板１２にマトリクス状に配設されている。画素電極１５は、ＴＦＴスイッチング素子に代表されるアクティブ素子のドレイン電極により制御され、そのＴＦＴスイッチング素子は、アドレス信号線であるゲート線及びデータ線であるソース線をマトリクス状に有している。なお、ここでは、ＴＦＴスイッチング素子の構成を図示していない。

視野角特性を向上させるために画素内の液晶分子の倒れる方向をいくつかの領域に分割する画素分割を行う場合、各画素内において、ストライプ状やＶ字状のパターンを有するスリット（電極の形成されない部分）を有する画素電極を設けていてもよい。

図２は、画素内を４つの領域に分割する場合のスリット電極（櫛形電極）の典型的な形態を示す概略平面図である。このスリット電極は、画素の中央から４方向に櫛歯状にスリットを有することにより、電圧無印加時に基板に対して略垂直配向している各画素内の液晶分子は、電圧の印加に伴って４つの異なった方向に液晶分子のダイレクターを向けて、水平配向に近づいていく。その結果、画素内の液晶の配向方位を複数に分割できるので極めて広い視野角特性を有する。

画素分割するための方法としては、前記画素電極にスリットを設ける方法の他に、画素内に線状突起等の構造物を設ける方法、画素電極や共通電極以外の電極を設ける方法等が用いられる。これらの方法により、液晶分子の配向方向を分割することもできるが、透過率、製造の容易さから、スリット電極を用いる構成が好ましい。スリットを設けた画素電極は、電圧無印加時には液晶分子に対して駆動力を有さないことから、液晶分子にプレチルト角を付与することはできない。しかし、本発明において用いられる配向膜材料を併用することにより、プレチルト角を付与することができるとともに、画素分割したスリット電極と組み合わせることにより、画素分割による広視野角を達成することができる。

本発明において、プレチルト角を有するとは、電圧無印加状態において、基板面（第一の基板１１および第二の基板１２における液晶組成物層１３と隣接する面）に対して垂直方向と液晶分子のダイレクターが僅かに異なっている状態を言う。

本発明の液晶表示素子は、垂直配向（ＶＡ）型液晶表示素子であるので、電圧無印加時に液晶分子のダイレクターは基板面に対して略垂直配向しているものである。液晶分子を垂直配向させるためには、一般的に垂直配向膜が用いられる。垂直配向膜を形成する材料（垂直配向膜材料）としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリシロキサン等が用いられるが、これらのなかでもポリイミドが好ましい。

垂直配向膜材料は、メソゲン性部位を含んでいてもよいが、後述する重合性化合物とは異なり、メソゲン性部位を含まないことが好ましい。垂直配向膜材料がメソゲン性部位を含むと、電圧の印加を繰り返すことにより、分子配列が乱れることに起因する焼き付き等が発生することがある。

垂直配向膜がポリイミドからなる場合には、テトラカルボン酸二無水物およびジイソシアネートの混合物、ポリアミック酸、ポリイミドを溶剤に溶解又は分散させたポリイミド溶液を用いることが好ましく、この場合、ポリイミド溶液中におけるポリイミドの含有量は、１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上５質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。

一方、ポリシロキサン系の垂直配向膜を用いる場合には、アルコキシ基を有するケイ素化合物、アルコール誘導体及びシュウ酸誘導体を所定の配合量比で混合して加熱することにより製造したポリシロキサンを溶解させた、ポリシロキサン溶液を用いることができる。

本発明の液晶表示素子において、ポリイミド等により形成される前記垂直配向膜は、反応性基を有する重合性化合物の重合により形成される重合体を含むものである。この重合性化合物は、液晶分子のプレチルト角を固定する機能を付与するものである。すなわち、スリット電極等を用いて、画素内の液晶分子のダイレクターを電圧印加時に異なった方向にチルトさせることが可能となる。しかし、スリット電極を用いた構成においても、電圧無印加時に、液晶分子は基板面に対してほとんど垂直配向しており、プレチルト角は発生しない。

上述のＰＳＡ方式の場合、電極間に電圧を印加し、液晶分子を僅かにチルトさせた状態で、紫外線等を照射し、液晶組成物中の反応性モノマーを重合させることにより、適切なプレチルト角を付与している。

本発明の液晶表示素子においても、ＰＳＡ方式と同様に、電極間に電圧を印加し、液晶分子を僅かにチルトさせた状態で、紫外線等を照射し、プレチルト角を付与するが、ＰＳＡ方式とは異なり、液晶組成物中に重合性化合物を含有していない。本発明にあっては、前記ポリイミド等の垂直配向膜材料に反応性基を有する重合性化合物をあらかじめ含有させ、液晶組成物を基板間に挟持した後、電圧を印加しながら、重合性化合物を硬化させることにより、プレチルト角を付与するものであり、ＰＳＡ方式とは重合性化合物の相分離を利用しない点で本質的に異なる。

本発明において、略垂直とは、垂直配向している液晶分子のダイレクターが垂直方向からやや倒れてプレチルト角を付与した状態を意味する。プレチルト角が完全な垂直配向の場合を９０°、ホモジニアス配向（基板面に水平に配向）の場合を０°とすると、略垂直とは、８９．５〜８５°であることが好ましく、８９．５〜８７°であることがより好ましい。

反応性基を有する重合性化合物の重合体を含む垂直配向膜は、垂直配向膜材料に混合した重合性化合物の効果により形成されるものである。従って、垂直配向膜と重合性化合物は複雑に絡み合って、一種のポリマーアロイを形成しているものと推定されるが、その正確な構造を示すことはできない。
（反応性基を有する重合性化合物）
反応性基を有する重合性化合物はメソゲン性部位を含んでいても、含んでいなくてもよい。また、反応性基を有する重合性化合物の重合体は耐久性の観点から、架橋構造を有していることが好ましく、耐久性の観点から、反応性基を有する重合性化合物はニ官能又は三官能等の二つ以上の反応性基を有する重合性化合物が好ましい。

反応性基を有する重合性化合物において、反応性基は光による重合性を有する置換基が好ましい。特に、垂直配向膜が熱重合により生成するときに、垂直配向膜材料の熱重合の際に、反応性基を有する重合性化合物の反応を抑制できるので、反応性基は光による重合性を有する置換基が特に好ましい。

反応性基を有する重合性化合物として具体的には、下記一般式（Ｖ）

（式中、Ｘ^７及びＸ^８はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｘ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、ＸはＯ、ＯＣＯＯ、又はＣＯＯを表し、ＸはＵ中に存在する芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基、炭素原子数３〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルケニレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基又は多価アルケニレン基中のアルケニレン基は酸素原子が隣接しない範囲で−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＦ_２−により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）、又は環状置換基により置換されていてもよく、ｋは１〜５の整数を表す。）で表される重合性化合物が好ましい。

上記一般式（Ｖ）において、Ｘ^７及びＸ^８はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表すが、反応速度を重視する場合には水素原子が好ましく、反応残留量を低減することを重視する場合にはメチル基が好ましい。

上記一般式（Ｖ）において、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｘ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、ＸはＯ、ＯＣＯＯ、又はＣＯＯを表し、ＸはＵ中に存在する芳香環に結合するものとする。）を表すが、炭素鎖があまり長くないことが好ましく、単結合又は炭素原子数１〜５のアルキレン基が好ましく、単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基がより好ましい。また、Ｓｐ^１及びＳｐ^２が−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表す場合も、ｓは１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、Ｓｐ^１及びＳｐ^２の少なくとも一方が、単結合であることがより好ましく、いずれも単結合であることが特に好ましい。

上記一般式（Ｖ）において、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基炭素原子数３〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルケニレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＦ_２−により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）、又は環状置換基により置換されていてもよく、２つ以上の環状置換基により置換されていることが好ましい。

上記一般式（Ｖ）において、Ｕは具体的には、以下の式（Ｖａ−１）から式（Ｖａ−６）を表すことが好ましく、式（Ｖａ−１）、式（Ｖａ−２）、式（Ｖａ−６）を表すことがより好ましく、式（Ｖａ−１）を表すことが特に好ましい。

（式中、両端はＳｐ^１又はＳｐ^２に結合するものとし（上記はｋ＝１の場合）、ｋが２〜５の整数である場合、連結基数は対応して増加する。Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３はそれぞれ独立して、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−又は単結合を表し、式中の全ての芳香環は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていてもよい。）
上記Ｕにおいて、Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３はそれぞれ独立して、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合がより好ましく、単結合が特に好ましい。

Ｕが上記環構造を有する場合、前記Ｓｐ^１及びＳｐ^２は少なくとも一方が単結合を表すことが好ましく、両方共に単結合であることも好ましい。

上記一般式（Ｖ）において、ｋは１〜５の整数を表すが、ｋが１の２官能化合物、又はｋが２の３官能化合物であることが好ましく、２官能化合物であることがより好ましい。

上記一般式（Ｖ）で表される化合物は、具体的には、以下の一般式（Ｖａ−１−１）〜（Ｖａ−６−５２）で表される化合物が好ましい。

また、上記式（Ｖａ−１−１）〜式（Ｖａ−６−５２）で表される化合物の中でも、式（Ｖａ−１−１）〜式（Ｖａ−２−１１）で表される化合物が好ましく、式（Ｖａ−１−１）〜式（Ｖａ−１−１３）で表される化合物がより好ましい。
（液晶組成物）
本発明における液晶組成物には、一般式（Ｉ）

（式中、Ｘ^１〜Ｘ^４はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、
Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、
環Ｂ及び環Ｃはそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表すが、該１，４−フェニレン基中に存在する１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていても良く、該１，４−シクロヘキシレン基中に存在する１つ以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されていても良い。）で表される化合物を含有することを特徴とする。

上記一般式（Ｉ）において、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、
炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、
炭素原子数２〜５のアルキル基、炭素原子数２〜４のアルケニル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭素原子数２〜４のアルケニルオキシ基を表すことがより好ましく、
炭素原子数２〜５のアルキル基、炭素原子数２〜４のアルケニル基を表すことが特に好ましい。

Ｒ^１及び／又はＲ^２がアルキル基を表す場合においては、炭素原子数１、３又は５のアルキル基が特に好ましい。Ｒ^１及び／又はＲ^２がアルケニル基を表す場合においては以下の構造が好ましい。

（上記式（ｉ）〜（ｉｖ）中、＊は環構造への結合部位を示す。）
このうち、式（ｉｉ）および式（ｉｖ）で表される構造が好ましく、式（ｉｉ）で表される構造がより好ましい。

上記一般式（Ｉ）において、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（Ｉ）において、Ｘ^１〜Ｘ^４はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基であり、水素原子またはハロゲン原子が好ましい。当該ハロゲン原子としてはフッ素原子が好ましい。

上記一般式（Ｉ）において、環Ｂ及び環Ｃはそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表し、該１，４−フェニレン基中に存在する１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていても良く、該１，４−シクロヘキシレン基中に存在する１つ以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されていても良いが、それぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表すことが好ましい。

本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物は、一般式（Ｉ−ａ）〜一般式（Ｉ−ｃ）からなる群から選択される少なくとも１つで表される化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｃ）中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｘ^１〜Ｘ^６はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基を表す。）
一般式（Ｉ−ａ）〜一般式（Ｉ−ｃ）で表される化合物のうち、一般式（Ｉ−ａ）及び／又は一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物を用いることがより好ましい。

本発明に係る一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物は、一般式（Ｉ−ａ−１）〜一般式（Ｉ−ａ−６）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることがより好ましい。

（上記一般式（Ｉ−ａ−１）〜（Ｉ−ａ−６）中、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
上記本発明に係る一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物の好ましい例としては、以下の式（Ｉ−ａ−７）〜式（Ｉ−ａ−３２）が挙げられる。

また、上記式（Ｉ−ａ−７）〜式（Ｉ−ａ−３２）の中でも、上記式（Ｉ−ａ−７）〜式（Ｉ−ａ−１８）が好ましく、上記式（Ｉ−ａ−７）〜式（Ｉ−ａ−１０）、上記式（Ｉ−ａ−１６）〜式（Ｉ−ａ−１８）特に好ましい。

本発明に係る一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物は、一般式（Ｉ−ｂ−１）、一般式（Ｉ−ｂ−２）および一般式（Ｉ−ｂ−３）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることがより好ましい。

（上記一般式（Ｉ−ｂ−１）〜（Ｉ−ｂ−３）中、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
上記本発明に係る一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物の好ましい例としては、以下の式（Ｉ−ｂ−４）〜式（Ｉ−ｂ−１３）が挙げられる。

本発明に係る一般式（Ｉ−ｃ）で表される化合物は、一般式（Ｉ−ｃ−１）〜一般式（Ｉ−ｃ−３）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることがより好ましい。

（上記一般式（Ｉ−ｃ−１）〜（Ｉ−ｃ−３）中、Ｒ^３およびＲ^４はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
上記本発明に係る一般式（Ｉ−ｃ）で表される化合物の好ましい例としては、以下の式（Ｉ−ｃ−４）〜式（Ｉ−ｃ−１７）が挙げられる。

本発明の液晶組成物における一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量は、当該液晶組成物の使用態様・使用目的だけでなく他の成分との関係で適宜選択されるものであるため、当該液晶組成物に含まれる一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量の好適範囲は実施形態によってそれぞれ別個独立していることが好ましいが、４環構造を有する一般式（Ｉ）で表される化合物を２〜１８質量％使用した場合に、配向膜中の反応性モノマーを重合するために照射された光を当該化合物が増感することにより、低強度且つ短時間のＵＶ照射で配向膜中の反応性モノマーの重合が可能となり、液晶材料の劣化を抑制できる液晶表示素子を提供することができる。より具体的には、一般式（Ｉ）で表される化合物を液晶組成物中に、３〜１５質量％含有することがより好ましく、４〜１０質量％含有することがさらに好ましく、４〜８質量％含有することが最も好ましい。

本発明に係る液晶組成物は、下記一般式（Ｘ）

(式中Ｒ^Ｘ１及びＲ^Ｘ２はお互い独立して炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシ基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個のメチレン基又は隣接していない２個以上のメチレン基は−Ｏ−又は−Ｓ−に置換されていても良く、またこれらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、
ｕ及びｖはお互い独立して、０又は１を表すが、ｕ＋ｖは１以下であり、
Ｍ^Ｘ１、Ｍ^Ｘ２及びＭ^Ｘ３はお互い独立して、
（ａ）トランス−１，４−シクロへキシレン基(この基中に存在する１個のメチレン基又は隣接していない２個以上のメチレン基は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい)、
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）又は基（ｂ）に含まれる水素原子はそれぞれシアノ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｌ^Ｘ１、Ｌ^Ｘ２及びＬ^Ｘ３はお互い独立して単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｘ^Ｘ１及びＸ^Ｘ２はお互い独立してトリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はフッ素原子を表すが、Ｘ^Ｘ２及びＸ^Ｘ１の何れか一つはフッ素原子を表す）で表される群より選ばれる１種または２種類以上の化合物を含有する。

Ｒ^Ｘ１及びＲ^Ｘ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

表示素子の応答速度の改善を重視する場合はアルケニル基が好ましく、電圧保持率等の信頼性を重視する場合にはアルキル基が好ましい。アルケニル基としては次に記載する式（Ａｌｋｅｎｙｌ−１）〜式（Ａｌｋｅｎｙｌ−４）

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
で表される構造が好ましいが、本願発明の液晶組成物が反応性モノマーを含有する場合は、式（Ａｌｋｅｎｙｌ−２）及び式（Ａｌｋｅｎｙｌ−４）で表される構造が好ましく、式（Ａｌｋｅｎｙｌ−２）で表される構造がより好ましい。

一般式（Ｘ）で表される化合物は液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には硫黄原子、窒素原子、エステル基、シアノ基及び塩素原子をその分子内に有さないことが好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて１種または２種以上用いる。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｘ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

さらに、好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％である。また、本発明の別の実施形態では８５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では４５％である。さらに、本発明の別の実施形態では３５％である。さらに、本発明の別の実施形態では２５％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｘ）で表される化合物の含有量は、液晶組成物中に、３０〜９８質量％含有することがより好ましく、４０〜８０質量％含有することがさらに好ましく、５０〜７０質量％含有することが最も好ましい。なお、駆動電圧を重視する場合には、７０〜９８質量％含有することが好ましい。

さらに、一般式（Ｘ）で表される化合物は一般式（ＸＩ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｘ１は一般式（Ｘ）におけるＲ^Ｘ１と同じ意味を表し、Ｍ^Ｘ１は一般式（Ｘ）におけるＭ^Ｘ１と同じ意味を表し、Ｒ^Ｘ２は一般式（Ｘ）におけるＲ^Ｘ２と同じ意味を表す。）
一般式（ＸＩ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

さらに、好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％である。また、本発明の別の実施形態では８５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では４５％である。さらに、本発明の別の実施形態では３５％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では２８％である。さらに、本発明の別の実施形態では２７％である。さらに、本発明の別の実施形態では２５％である。

一般式（ＸＩ）で表される化合物を含有する場合には、液晶組成物中に、１０〜６０質量％含有することが好ましく、１２〜４５質量％含有することがより好ましく、１５〜３５質量％含有することが更に好ましい。

一般式（ＸＩ）において、Ｒ^Ｘ１は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

一般式（ＸＩ）において、Ｒ^Ｘ２は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜４のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基又は炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましい。

表示素子の応答速度の改善を重視する場合はアルケニル基が好ましく、電圧保持率等の信頼性を重視する場合にはアルキル基が好ましい。

一般式（ＸＩ）で表される化合物は１種または２種以上用いることが好ましい。一般式（ＸＩ）で表される化合物を２種以上使用する場合にはＲ^Ｘ１が炭素原子数が３〜５のアルキル基を表し、Ｒ^Ｘ２が炭素原子数が２〜４のアルコキシ基を表す一般式（ＸＩ）の化合物を組み合わせて使用することが好ましく、他の一般式（ＸＩ）で表される化合物と組み合わせて使用する場合、Ｒ^Ｘ１が炭素原子数が３〜５のアルキル基を表し、Ｒ^Ｘ２が炭素原子数が２〜４のアルコキシ基を表す一般式（ＸＩ）の化合物の含有量が、一般式（ＸＩ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。
一般式（ＸＩ）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＸＩ−ａ）及び／または一般式（ＸＩ−ｂ）

（式中Ｒ^Ｘ１１、Ｒ^Ｘ２１、Ｒ^Ｘ１２及びＲ^Ｘ２２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基を表す。）で表される群から選ばれる化合物であることが好ましい。
Ｒ^Ｘ２１、Ｒ^Ｘ１２及びＲ^Ｘ２２がアルケニル基の場合は、炭素原子数は４〜５であることが好ましい。Ｒ^Ｘ１１はアルキル基又はアルケニル基であることが好ましく、アルキル基が更に好ましく、Ｒ^Ｘ２１及びＲ^Ｘ２２はアルキル基又はアルコキシ基が好ましく、Δεの絶対値を大きくする場合にはアルコキシ基又はアルケニルオキシ基であることが好ましく、アルコキシ基が更に好ましく、Ｒ^Ｘ１２はアルキル基又はアルケニル基が好ましく、アルキル基が更に好ましい。

一般式（ＸＩ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＸＩ−１−１）〜式（ＸＩ−２−４）

で表される化合物が好ましいが、式（ＸＩ−１−１）〜式（ＸＩ−１−４）、式（ＸＩ−２−１）及び式（ＸＩ−２−２）で表される化合物がより好ましく、式（ＸＩ−１−１）、式（ＸＩ−１−３）、式（ＸＩ−２−１）及び式（ＸＩ−２−２）で表される化合物が更に好ましく、式（ＸＩ−１−１）、式（ＸＩ−１−３）及び式（ＸＩ−２−１）で表される化合物が特に好ましく、より具体的に述べると本願発明の液晶組成物に要求される屈折率異方性Δｎの値が比較的低い場合（概ね０．１００未満）は式（ＸＩ−１−１）及び式（ＸＩ−１−３）で表される化合物が最も好ましく、要求される屈折率異方性Δｎの値が比較的高い場合（概ね０．１００以上）は式（ＸＩ−２−１）で表される化合物が最も好ましい。
一般式（ＸＩ）で表される化合物がアルケニル基を有する場合、具体的には次に記載する式（ＸＩ−１−１０）〜式（ＸＩ−２−１１）

（式中、Ｒ^Ｘ２２は一般式（ＸＩ−２）におけるＲ^Ｘ２２と同じ意味を表す。）
で表される群から選ばれる化合物であること好ましい。

さらに、一般式（Ｘ）で表される化合物は、一般式（ＸＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｘ１は一般式（Ｘ）におけるＲ^Ｘ１と同じ意味を表し、Ｍ^Ｘ２は一般式（Ｘ）におけるＭ^Ｘ２と同じ意味を表し、Ｒ^Ｘ２は一般式（Ｘ）におけるＲ^Ｘ２と同じ意味を表す。）
一般式（ＸＩＩ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

一般式（ＸＩＩ）で表される化合物を含有する場合の、液晶組成物中に、２０〜７０質量％含有することが好ましく、２１〜６５質量％含有することがより好ましく、２２〜６０質量％含有することが更に好ましく、２５〜４０質量％含有することが特に好ましい。

一般式（ＸＩＩ）で表される化合物は１種または２種以上用いることが好ましい。

一般式（ＸＩＩ）において、Ｒ^Ｘ１は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基を表すことが更に好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基を表すことが特に好ましく、直鎖であることが好ましい。

一般式（ＸＩＩ）において、Ｒ^Ｘ２は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましいが、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表すことが更に好ましく、炭素原子数２又は３のアルコキシ基を表すことが特に好ましく直鎖であることが好ましい。

一般式（ＸＩＩ）で表される化合物は更に一般式（ＸＩＩ−１）及び一般式（ＸＩＩ−２）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^Ｘ１は一般式（Ｘ）におけるＲ^Ｘ１と同じ意味を表し、Ｒ^Ｘ２は一般式（Ｘ）におけるＲ^Ｘ２と同じ意味を表す。）
一般式（ＸＩＩ−１）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＸＩＩ−１−１）〜（ＸＩＩ−１−６）

で表される化合物が好ましいが、式（ＸＩＩ−１−１）〜式（ＸＩＩ−１−４）で表される化合物がより好ましく、式（ＸＩＩ−１−１）〜式（ＸＩＩ−１−３）で表される化合物が更に好ましく、式（ＸＩＩ−１−１）及び式（ＸＩＩ−１−３）で表される化合物が特に好ましい。

一般式（ＸＩＩ−１）で表される化合物がアルケニル基を有する場合には、具体的には次に記載する式（ＸＩＩ−１−１０）〜（ＸＩＩ−１−１４）

（式中、Ｒ^Ｘ２は一般式（Ｘ）におけるＲ^Ｘ２と同じ意味を表す。）で表される化合物が好ましい。

一般式（ＸＩＩ−２）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＸＩＩ−２−１）〜（ＸＩＩ−２−６）

で表される化合物が好ましいが、式（ＸＩＩ−２−１）〜式（ＸＩＩ−２−４）で表される化合物がより好ましく、式（ＸＩＩ−２−１）〜式（ＸＩＩ−２−３）で表される化合物が更に好ましく、式（ＸＩＩ−２−１）及び式（ＸＩＩ−２−３）で表される化合物が特に好ましい。

一般式（ＸＩＩ−２）で表される化合物がアルケニル基を有する場合には、具体的には次に記載する式（ＸＩＩ−２−１０）〜（ＸＩＩ−２−１４）

さらに、一般式（Ｘ）で表される化合物は、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｘ１は一般式（Ｘ）におけるＲ^Ｘ１と同じ意味を表し、Ｒ^Ｘ２は一般式（Ｘ）におけるＲ^Ｘ２と同じ意味を表し、Ｘ^３１〜Ｘ^３６は水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘ^３１及びＸ^３２の組み合わせ、Ｘ^３３及びＸ^３４の組み合わせ、Ｘ^３５及びＸ^３６の組み合わせ、のうち少なくとも１組の組み合わせがともにフッ素原子である。）
一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、５〜３０質量％含有することが好ましく、１０〜２７質量％含有することがより好ましく、１５〜２５質量％含有することが特に好ましい。

一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物は１種または２種以上用いることが好ましい。

一般式（ＸＩＩＩ）において、Ｒ^Ｘ１及びＲ^Ｘ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましいが、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基を表すことが更に好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基を表すことが特に好ましく、R¹及びR²の炭素原子数はそれぞれ異なることが最も好ましく、直鎖であることが好ましい。

一般式（ＸＩＩＩ）においてＸ^３１〜Ｘ^３６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すことが好ましいが、２〜５個がフッ素原子を表すことが好ましく、２〜４個がフッ素原子を表すことがより好ましく、２〜３個がフッ素原子を表すことがより好ましく、２個がフッ素原子を表すことが更に好ましい。

この場合において、フッ素原子が２つの場合は、Ｘ^３３〜Ｘ^３６のいずれか２つがフッ素原子を表すことが好ましく、Ｘ^３３及びＸ^３４の組み合わせがともにフッ素原子を表す、又はＸ^３５及びＸ^３６の組み合わせがともにフッ素原子を表すことが好ましく、Ｘ^３３及びＸ^３４の組み合わせがともにフッ素原子を表すことが更に好ましい。フッ素原子が３つ以上の場合は、少なくともＸ^３３及びＸ^３４の組み合わせがともにフッ素原子を表す、又は少なくともＸ^３５及びＸ^３６の組み合わせがともにフッ素原子を表すことが好ましく、少なくともＸ^３３及びＸ^３４の組み合わせがともにフッ素原子を表すことが更に好ましい。

一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物は次に記載する一般式（ＸＩＩＩ−１）〜（ＸＩＩＩ−５）

（式中、Ｒ^Ｘ１は一般式（Ｘ）におけるＲ^Ｘ１と同じ意味を表し、Ｒ^Ｘ２は一般式（Ｘ）におけるＲ^Ｘ２と同じ意味を表す。）で表される化合物が好ましいが、一般式（ＸＩＩＩ−１）及び（ＸＩＩＩ−２）で表される化合物が好ましく、一般式（ＸＩＩＩ−１）で表される化合物が更に好ましい。

一般式（ＸＩＩＩ−１）で表される化合物は、具体的には式（ＸＩＩＩ−１−１）〜式（ＸＩＩＩ−１−１６）で表される化合物であることが好ましい。

上記化合物のうち、式（ＸＩＩＩ−１−１）〜式（ＸＩＩＩ−１−６）で表される化合物が好ましく、式（ＸＩＩＩ−１−１）、式（ＸＩＩＩ−１−２）及び式（ＸＩＩＩ−１−４）で表される化合物が好ましく、式（ＸＩＩＩ−１−２）及び式（ＸＩＩＩ−１−４）で表される化合物が好ましい。

一般式（ＸＩＩＩ）におけるＲ^Ｘ１及びＲ^Ｘ２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましく、Ｒ^Ｘ１及びＲ^Ｘ２が共にアルキル基である場合には、それぞれの炭素原子数は異なっている方が好ましい。

更に詳述すると、Ｒ^Ｘ１がプロピル基を表しＲ^Ｘ２がエチル基を表す化合物又はＲ^Ｘ１がブチル基を表しＲ^Ｘ２がエチル基を表す化合物が好ましい。

本発明に係る液晶組成物は、下記一般式（Ｌ）

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＯＬは０、又は１を表し、
Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２及びＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｌ^Ｌ１及びＬ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、
ただし、一般式（Ｘ）で表される化合物を除く。）で表される群より選ばれる１種または２種類以上の化合物を含有する。

Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物は液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には塩素原子をその分子内に有さないことが好ましい。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性または揮発性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、液晶組成物中に、２〜６０質量％含有することがより好ましく、１５〜５０質量％含有することがさらに好ましく、２５〜４５質量％含有することが最も好ましい。

本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は、一般式（Ｌ−Ｉ）から一般式（Ｌ−Ｖ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ⁹¹からＲ^9aはそれぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシ基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表す。）
一般式（Ｌ−Ｉ）から一般式（Ｌ−Ｖ）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有する場合、１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましく、１種〜５種含有することが特に好ましく、２種以上の化合物を含有することも好ましい。

Ｒ⁹¹からＲ^9aはそれぞれ独立しては炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から５のアルコキシ基を表すことがより好ましく、アルケニル基としては次に記載する式（Ａｌｋｅｎｙｌ−１）〜式（Ａｌｋｅｎｙｌ−４）

又、Ｒ⁹¹及びＲ⁹²は同一でも異なっていても良いが、異なった置換基を表すことが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−Ｉ）で表される化合物は、一般式（Ｌ−Ｉ−ａ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１３およびＲ^１４はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。また、本発明の別の実施形態では３種類以上である。
本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−Ｉ−ａ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

一般式（Ｌ−１−ａ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

一般式（Ｌ−Ｉ−ａ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、２〜６０質量％含有することがより好ましく、１５〜５０質量％含有することがさらに好ましく、２５〜４５質量％含有することが最も好ましい。

式（Ｌ−Ｉ−ａ）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

式（Ｌ−Ｉ−ａ−１）、式（Ｌ−Ｉ−ａ−２）および式（Ｌ−Ｉ−ａ−３）で表される化合物であることが好ましい。粘度が小さく高速応答の液晶表示素子を作製したいときは式（Ｉ−ａ−３）を多めに使用することが好ましいが、Ｔｎｉが高く高温でも安定的な表示が可能な液晶表示素子を作製したいときは、式（Ｌ−Ｉ−ａ−１）〜式（Ｌ−Ｉ−ａ−２）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−Ｉ）で表される化合物は一般式（Ｌ−Ｉ−ｂ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^１２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜５のアルコキシ基を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。また、本発明の別の実施形態では３種類以上である。

一般式（Ｌ−Ｉ−ｂ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

一般式（Ｌ−Ｉ−ｂ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、２〜６０質量％含有することがより好ましく、１５〜５０質量％含有することがさらに好ましく、２５〜４５質量％含有することが最も好ましい。

式（Ｌ−Ｉ−ｂ）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

式（Ｌ−Ｉ−ｂ−２）または式（Ｌ−Ｉ−ｂ−３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−Ｉ−ｂ−３）で表される化合物であることが特に好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−Ｉ）で表される化合物は、一般式（Ｌ−Ｉ−ｃ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１３は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ^１５は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。また、本発明の別の実施形態では３種類以上である。

一般式（Ｌ−Ｉ−ｃ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

一般式（Ｌ−Ｉ−ｃ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、２〜６０質量％含有することがより好ましく、１５〜５０質量％含有することがさらに好ましく、２５〜４５質量％含有することが最も好ましい。

低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

式（Ｌ−Ｉ−ｃ）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

式（Ｉ−ｃ−２）、式（Ｉ−ｃ−５）または式（Ｉ−ｃ−９）で表される化合物であることが好ましい。

本願発明の液晶組成物は、更に、一般式（Ｌ−Ｉ）で表される化合物と類似した構造を有する式（Ｌ−Ｉ−ｄ−１）で表される化合物を含有することもできる。

低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて式（Ｌ−Ｉ−ｄ−１）であらわされる化合物の含有量を調整することが好ましく、当該化合物を含有する場合、この化合物を本発明の液晶組成物の総量に対して２質量％以上含有することが好ましく、５質量％以上含有することがさら好ましく、１０質量％以上含有することがさらに好ましく、２６質量％以上含有することが更に好ましく、１５質量％以上含有することが特に好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−Ｉ）で表される化合物は一般式（Ｌ−Ｉ−ｅ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１６およびＲ^１７はそれぞれ独立して炭素原子数２〜５のアルケニル基を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、１種類から３種類以上組み合わせることが好ましい。一般式（Ｌ−Ｉ−ｅ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。また、本発明の別の実施形態では３種類以上である。

一般式（Ｌ−Ｉ−ｅ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

一般式（Ｌ−Ｉ−ｅ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、２〜６０質量％含有することがより好ましく、１５〜５０質量％含有することがさらに好ましく、２５〜４５質量％含有することが最も好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−Ｉ−ｅ）で表される化合物は、式（Ｌ−Ｉ−ｅ−１）から式（Ｌ−Ｉ−ｅ−１０）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−Ｉ−ｅ−１）、式（Ｌ−Ｉ−ｅ−２）および式（Ｌ−Ｉ−ｅ−５）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−ＩＩ）で表される化合物は一般式（Ｌ−ＩＩ−ａ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｒ^１２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。

一般式（Ｌ−ＩＩ−ａ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−ＩＩ−ａ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、２〜６０質量％含有することがより好ましく、１５〜５０質量％含有することがさらに好ましく、２５〜４５質量％含有することが最も好ましい。

低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
式（Ｌ−ＩＩ−ａ）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

式（Ｌ−ＩＩ−ａ−２）、式（Ｌ−ＩＩ−ａ−６）または式（Ｌ−ＩＩ−ａ−９）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、本発明の液晶組成物は、一般式（Ｌ−ＩＩ）で表される化合物と類似した構造を有する一般式（Ｌ−ＩＩ−ｂ）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有しても良い。

（式中、Ｒ^１１およびＲ^１２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^１２はそれぞれ独立してフッ素原子または塩素原子を表す。）
一般式（Ｌ−ＩＩ−ｂ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

一般式（Ｌ−ＩＩ−ｂ）で表される化合物を、液晶組成物中に、０〜２０質量％含有することが好ましく、０〜５質量％含有することがより好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−ＩＩ−ｂ）で表される化合物は、式（Ｌ−ＩＩ−ｂ−１））で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−ＩＩＩ）で表される化合物は一般式（Ｌ−ＩＩＩ−ａ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１１およびＲ^１２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類以上である。

一般式（Ｌ−ＩＩＩ−ａ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−ＩＩＩ−ａ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、３〜２５質量％含有することがより好ましく、４〜２０質量％含有することがさらに好ましく、５〜１５質量％含有することが最も好ましい。

高い複屈折率を得る場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

式（Ｌ−ＩＩＩ−ａ）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

式（Ｌ−ＩＩＩ−ａ−２）、式（Ｌ−ＩＩＩ−ａ−４）〜式（Ｌ−ＩＩＩ−ａ−７）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−ＩＩＩ−ａ−５）〜式（Ｌ−ＩＩＩ−ａ−７）で表される化合物であることが好ましく。

さらに、一般式（Ｌ−ＩＩＩ）で表される化合物と類似した構造を有する一般式（Ｌ−ＩＩＩ−ｂ）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有することができる。

（式中、Ｒ^１１およびＲ^１２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^１１およびＸ^１２はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｘ^１１またはＸ^１２のどちらか一方はフッ素原子である。）
本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−ＩＩＩ−ｂ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、３〜２５質量％含有することがより好ましく、４〜２０質量％含有することがさらに好ましく、５〜１５質量％含有することが最も好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−ＩＩＩ−ｂ）で表される化合物は、式（Ｌ−ＩＩＩ−ｂ−１）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−ＩＶ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｌ−ＩＶ−ａ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^２５は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ^２４は炭素原子数１〜５のアルキル基表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類以上である。

一般式（Ｌ−ＩＶ−ａ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−ＩＶ−ａ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、３〜２５質量％含有することがより好ましく、４〜２０質量％含有することがさらに好ましく、５〜１５質量％含有することが最も好ましい。

式（Ｌ−ＩＶ−ａ）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

式（Ｌ−ＩＶ−ａ−２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−ＩＶ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｌ−ＩＶ−ｂ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^２５は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ^２６は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、これらの化合物の中から１種〜３種類含有することが好ましい。

一般式（Ｌ−ＩＶ−ｂ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−ＩＶ−ｂ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、３〜２５質量％含有することがより好ましく、４〜２０質量％含有することがさらに好ましく、５〜１５質量％含有することが最も好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−ＩＶ−ｂ）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−ＩＶ−ｂ−１）から式（Ｌ−ＩＶ−ｂ−４）で表される化合物であることも好ましく、その中でも式（Ｌ−ＩＶ−ｂ−３）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−ＩＶ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｌ−ＩＶ−ｃ）で表される化合物群から選ばれる化合物であっても良い。

（Ｒ^２３は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^２４は炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類以上である。

一般式（Ｌ−ＩＶ−ｃ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−ＩＶ−ｃ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、３〜２５質量％含有することがより好ましく、４〜２０質量％含有することがさらに好ましく、５〜１５質量％含有することが最も好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−ＩＶ−ｃ）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−ＩＶ−ｃ−１）から式（ＩＶ−ｃ−３）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−Ｖ）で表される化合物は、一般式（Ｌ−Ｖ−ａ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^３１およびＲ^３２はそれぞれ独立して炭素原子数２〜５のアルケニル基をまたは炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
一般式（Ｌ−Ｖ−ａ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−Ｖ−ａ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、３〜２５質量％含有することがより好ましく、４〜２０質量％含有することがさらに好ましく、５〜１５質量％含有することが最も好ましい。
式（Ｌ−Ｖ−ａ）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−Ｖ）で表される化合物は、一般式（Ｌ−Ｖ−ｂ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^３３は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
一般式（Ｌ−Ｖ−ｂ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−Ｖ−ｂ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、３〜２５質量％含有することがより好ましく、４〜２０質量％含有することがさらに好ましく、５〜１５質量％含有することが最も好ましい。

一般式（Ｌ−Ｖ−ｂ）で表される化合物は、たとえば式（Ｌ−Ｖ−ｂ−１）または式（Ｌ−Ｖ−ｂ−２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−Ｖ）で表される化合物は、一般式（Ｌ−Ｖ−ｃ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^３１は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ^３４は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
一般式（Ｌ−Ｖ−ｃ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−Ｖ−ｃ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、３〜２５質量％含有することがより好ましく、４〜２０質量％含有することがさらに好ましく、５〜１５質量％含有することが最も好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−Ｖ−ｃ）で表される化合物は、たとえば式（Ｌ−Ｖ−ｃ−１）から式（Ｌ−Ｖ−ｃ−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、特に式（Ｌ−Ｖ−ｃ−３）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｌ−ＶＩ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^２１およびＲ^２２はそれぞれ独立して炭素原子数２〜５のアルケニル基をまたは炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
一般式（ＶＩ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて調整することが好ましい。

一般式（Ｌ−ＶＩ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−ＶＩ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、３〜２５質量％含有することがより好ましく、４〜２０質量％含有することがさらに好ましく、５〜１５質量％含有することが最も好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−ＶＩ）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−ＶＩ−１）及び式（Ｌ−ＶＩ−２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｌ−ＶＩＩ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^２１およびＲ^２２はそれぞれ独立して炭素原子数２〜５のアルケニル基、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
これらの化合物のうち１種類だけを含有していても２種類以上含有していても良いが、求められる性能に応じて適宜組み合わせることが好ましい。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、これらの化合物の中から１種〜２種類含有することが好ましく、１種〜３種類含有することが特に好ましい。

一般式（Ｌ−ＶＩＩ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−ＶＩＩ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、３〜２５質量％含有することがより好ましく、４〜２０質量％含有することがさらに好ましく、５〜１５質量％含有することが最も好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−ＶＩＩ）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−ＶＩＩ−１）から式（Ｌ−ＶＩＩ−５）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−ＶＩＩ−２）または／および式（Ｌ−ＶＩＩ−５）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は、一般式（Ｌ−ＶＩＩＩ）で表される群より選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ａ^５１およびＡ^５２はそれぞれ独立して１,４-シクロヘキシレン基または１,４-フェニレン基を表し、Ｑ^５は単結合または−ＣＯＯ−を表し、Ｘ^５１およびＸ^５２はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表す。Ｘ^５１およびＸ^５２は同時にフッ素原子であることは無い。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。さらに、本発明の別の実施形態では３種類である。さらに、本発明の別の実施形態では４種類である。

一般式（Ｌ−ＶＩＩＩ）で表される化合物を含有する場合の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１％である。あるいは本発明の別の実施形態では５％である。あるいは本発明の別の実施形態では１０％である。また、本発明の別の実施形態では１１％である。また、本発明の別の実施形態では１４％である。また、本発明の別の実施形態では２０％である。さらに、本発明の別の実施形態では３０％である。さらに、本発明の別の実施形態では４０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５０％である。さらに、本発明の別の実施形態では５５％である。さらに、本発明の別の実施形態では６０％である。さらに、本発明の別の実施形態では６５％である。さらに、本発明の別の実施形態では７０％である。さらに、本発明の別の実施形態では７５％である。さらに、本発明の別の実施形態では８０％である。

本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−ＶＩＩＩ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物中に、３〜２５質量％含有することがより好ましく、４〜２０質量％含有することがさらに好ましく、５〜１５質量％含有することが最も好ましい。

本発明における液晶組成物は、上記一般式（Ｉ）、一般式（Ｘ）、及び一般式（Ｌ）で表される化合物の合計含有量は、液晶組成物全体に対して、８０〜１００質量％が好ましく、９０〜１００質量％がより好ましく、９５〜１００質量％が特に好ましい。

本発明に係る液晶組成物における添加剤（酸化防止剤、ＵＶ吸収剤など）は１００ｐｐｍ〜１質量％であることが好ましい。

本発明における液晶組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）を幅広い範囲で使用することができるものであるが、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）は６０〜１２０℃であることが好ましく、７０〜１００℃であることがより好ましく、７０〜８５℃であることが特に好ましい。

本発明における液晶組成物の誘電率異方性Δεは、２５℃において、−２．０〜−６．０であることが好ましく、−２．５〜−５．０であることがより好ましく、−２．５〜−３．５であることが特に好ましい。

本発明における液晶組成物の屈折率異方性Δｎは、２５℃において、０．０８〜０．１３であることが好ましいが、０．０９〜０．１２であることがより好ましい。さらに詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合、本発明における液晶組成物の屈折率異方性は、２５℃において、０．１０〜０．１２であることが好ましく、更に詳述すると、薄いセルギャップ（セルギャップ３．４μｍ以下）に対応する場合は約０．９から約０．１２程度であることが好ましく、厚いセルギャップ（セルギャップ３．５μｍ以上）に対応する場合は約０．０８から約０．１程度であることが好ましい。

本発明に係る液晶組成物の回転粘度（γ_１）の上限値は、１５０（ｍＰａ・ｓ）以下が好ましく、１３０（ｍＰａ・ｓ）以下がより好ましく、１２０（ｍＰａ・ｓ）以下が特に好ましい。一方、当該回転粘度（γ_１）の下限値は、２０（ｍＰａ・ｓ）以上が好ましく、３０（ｍＰａ・ｓ）以上がより好ましく、４０（ｍＰａ・ｓ）以上が更に好ましく、５０（ｍＰａ・ｓ）以上がより更に好ましく、６０（ｍＰａ・ｓ）以上がさらにより好ましく、７０（ｍＰａ・ｓ）以上が特に好ましい。

本発明に係る液晶組成物では、回転粘度と屈折率異方性の関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。

（上記数式中、γ_１は回転粘度を表し、Δｎは屈折率異方性を表す。）
Ｚは、１３０００以下が好ましく、１２０００以下がより好ましく、１１０００以下が特に好ましい。

本発明に係る液晶組成物は、アクティブマトリクス表示素子に使用する場合においては、１０^１１（Ω・ｍ）以上の比抵抗を有することが必要であり、１０^１２（Ω・ｍ）が好ましく、１０^１３（Ω・ｍ）以上がより好ましい。

本発明に係る液晶組成物はネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ＮＩ）を幅広い範囲で使用することができるものであるが、当該相転移温度（Ｔ_ＮＩ）は、６０〜１２０℃であることが好ましく、７０〜１１０℃がより好ましく、７５〜１００℃が特に好ましい。
［液晶表示素子の製造方法］
次に、図１を参照して、本発明の液晶表示素子の製造方法を説明する。

第一の基板１１の共通電極１４が形成された面及び第二の基板１２の画素電極１５が形成された面に、反応性基を有する重合性化合物及び垂直配向材料を含有する配向材料を塗布し、加熱することにより垂直配向膜１６，１７を形成する。

ここでは、まず、第１の高分子化合物となる高分子化合物前駆体（重合性化合物）と、上記一般式（Ｖ）で表される化合物等の重合性化合物、あるいは、光重合性および光架橋性を有する化合物とを含む配向材料を調製する。

第１の高分子化合物がポリイミドの場合には、高分子化合物前駆体としては、例えば、テトラカルボン酸二無水物およびジイソシアネートの混合物や、ポリアミック酸や、ポリイミドを溶剤に溶解あるいは分散させたポリイミド溶液等が挙げられる。このポリイミド溶液中におけるポリイミドの含有量は、１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上５質量％以下であることがより好ましい。

また、第１の高分子化合物がポリシロキサンの場合には、高分子化合物前駆体としては、例えば、アルコキシ基を有するケイ素化合物、ハロゲン化アルコキシ基を有するケイ素化合物、アルコールおよびシュウ酸を所定の配合量比で混合して加熱することによりポリシロキサンを合成し、それを溶剤に溶解させたポリシロキサン溶液などが挙げられる。

なお、配向材料には、必要に応じて、光架橋性を有する化合物、光重合開始剤、溶剤などを添加してもよい。

配向材料の調整後、この配向材料を、第一の基板１１および第二の基板１２のそれぞれに、共通電極１４、並びに、画素電極１５およびそのスリット部（図示略）を覆うように塗布あるいは印刷した後、加熱などの処理をする。これにより、塗布あるいは印刷された配向材料に含まれる高分子化合物前駆体が、重合および硬化して第１の高分子化合物となり、第１の高分子化合物と重合性化合物とが混在した垂直配向膜１６，１７が形成される。

ここで、加熱処理する場合、その温度は、８０℃以上が好ましく、１５０〜２００℃がより好ましい。

なお、第１の高分子化合物を含む配向制御部は、この段階において形成される。この後、必要に応じて、ラビングなどの処理を施してもよい。

次に、第一の基板１１と第二の基板１２とを重ね合わせ、それらの間に、液晶分子を含む液晶組成物層１３を封止する。

具体的には、第一の基板１１と第二の基板１２のいずれか一方における、垂直配向膜１６，１７が形成されている面に対して、セルギャップを確保するためのスペーサ突起物、例えば、プラスチックビーズ等を散布すると共に、例えば、スクリーン印刷法によりエポキシ接着剤等を用いて、シール部を印刷する。

この後、第一の基板１１と第二の基板１２とを、垂直配向膜１６，１７を対向させるように、スペーサ突起物およびシール部を介して貼り合わせ、液晶分子を含む液晶組成物を注入する。

その後、加熱するなどして、シール部を硬化することにより、液晶組成物を、第一の基板１１と第二の基板１２との間に封止する。

次に、共通電極１４と画素電極１５との間に、電圧印加手段を用いて、電圧を印加する。電圧は、例えば、５〜３０（Ｖ）の大きさで印加する。前記印加は、第一の基板と第二の基板に略垂直に電荷を印加する場合もある。これにより、第一の基板１１における液晶組成物層１３と隣接する面（液晶組成物層１３と対向する面）、および、第二の基板１２におけるにおける液晶組成物層１３と隣接する面（液晶組成物層１３と対向する面）に対して所定の角度をなす方向の電場が生じ、液晶分子１９が、第一の基板１１と第二の基板１２の法線方向から所定方向に傾いて配向することとなる。このとき、液晶分子１９の傾斜角は、後述の工程で液晶分子１９に付与されるプレチルトθと概ね等しくなる。従って、電圧の大きさを適宜調節することにより、液晶分子１９のプレチルトθの大きさを制御することが可能である（図３参照）。

さらに、電圧を印加した状態のまま、紫外光ＵＶを、例えば、第一の基板１１の外側から液晶組成物層１３に照射することにより、垂直配向膜１６，１７中の重合性化合物を重合させ、第２の高分子化合物を生成する。

この場合、照射する紫外光ＵＶの強度は一定であっても、一定でなくてもよく、照射強度を変化させる際の各々の強度における照射時間も任意であるが、２段階以上の照射工程を採用する場合には、２段階目以降の照射工程の照射強度は１段階目の照射強度よりも弱い強度を選択することが好ましく、２段階目以降の総照射時間は１段階目の照射時間よりも長くかつ照射総エネルギー量が大きことが好ましい。また、照射強度を不連続に変化させる場合には、全照射工程時間の前半部分の平均照射光強度が後半部分の平均照射強度よりも強いことが望ましく、照射開始直後の強度が最も強いことがより望ましく、照射時間の経過と共にある一定値まで常に照射強度が減少し続けることがさらに好ましい。その場合の紫外線ＵＶ強度は２ｍＷ／ｃｍ^−２〜１００ｍＷ／ｃｍ^−２であることが好ましいが、多段階照射の場合の１段階目、または不連続に照射強度変化させる場合の全照射工程中の最高照射強度は１０ｍＷ／ｃｍ^−２〜１００ｍＷ／ｃｍ^−２であること、かつ多段階照射の場合の２段階目以降、または不連続に照射強度を変化させる場合の最低照射強度は２ｍＷ／ｃｍ^−２〜５０ｍＷ／ｃｍ^−２であることがより好ましい。また、照射総エネルギー量は１Ｊ〜３００Ｊであることが好ましいが、照射の影響により液晶組成物中の液晶化合物の分解を抑制するために、最小限の照射総エネルギー量に留める必要がある。

この場合、印加電圧は交流であっても直流であってもよい。

その結果、垂直配向膜１６，１７の配向制御部と固着した、第２の高分子化合物を含む配向規制部（図示略）が形成される。この配向規制部は、非駆動状態において、液晶組成物層１３における垂直配向膜１６，１７との界面近傍に位置する液晶分子１９にプレチルトθを付与する機能を有する。なお、ここでは、紫外光ＵＶを、第一の基板１１の外側から照射したが、第二の基板１２の外側から照射してもよく、第一の基板１１および第二の基板１２の双方の基板の外側から照射してもよい。

このように、本発明の液晶表示素子では、液晶組成物層１３において、液晶分子１９が、所定のプレチルトθを有している。これにより、プレチルト処理が全く施されていない液晶表示素子およびそれを備えた液晶表示装置と比較して、駆動電圧に対する応答速度を大幅に向上させることができる。

本発明の液晶表示素子において、垂直配向膜１６，１７を構成する高分子化合物前駆体としては、感光性でないポリイミド前駆体が好ましい。

上記反応性基を有する重合性化合物、特に上記一般式（Ｖ）で表される化合物の、前記高分子化合物前駆体中における含有量は、０．５〜４質量％であることが好ましく、１〜２質量％であることがより好ましい。

以下、実施例及び比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は「質量％」を意味する。

以下の実施例及び比較例において、Ｔｎｉ、Δｎ、Δε、η、γ_１をそれぞれ下記の通り定義する。
Ｔ_ｎｉ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ：２５℃における屈折率異方性
Δε ：２５℃における誘電率異方性
η ：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ_１：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ)
ＵＶ照射前電圧保持率（初期ＶＨＲ）：周波数６Ｈｚ，印加電圧５Ｖの条件下で３４３Ｋにおける電圧保持率（％）
ＵＶ照射後ＶＨＲ：以下の実施例・比較例の条件で作成した液晶表示素子の液晶組成物層中のＵＶ照射後の液晶組成物を上述のＶＨＲ測定方法と同条件で測定した。

以下の実施例及び比較例において、下記の方法により、液晶表示素子の焼き付き、滴下痕を評価した。
（焼き付き）
液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを１０００時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。
◎：残像無し
○：残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
△：残像有り許容できないレベル
×：残像有りかなり劣悪
（滴下痕）
液晶表示装置の滴下痕の評価は、全面黒表示した場合における白く浮かび上がる滴下痕を目視にて以下の４段階評価で行った。
◎：残像無し
○：残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
△：残像有り許容できないレベル
×：残像有りかなり劣悪
なお、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いた。
（側鎖）
−ｎ −ＣｎＨ２ｎ＋１炭素原子数ｎの直鎖状アルキル基
−Ｏｎ −ＯＣｎＨ２ｎ＋１炭素原子数ｎの直鎖状アルコキシ基
−Ｖ −Ｃ＝ＣＨ２ビニル基
−Ｖｎ −Ｃ＝Ｃ−ＣｎＨ２ｎ＋１炭素原子数（ｎ＋１）の１−アルケン
（連結基）
Ｄ −Ｃ＝Ｃ−
Ｔ −Ｃ≡Ｃ−
（環構造）

（実施例１）
透明な共通電極からなる透明電極層及びカラーフィルター層を具備した第一の基板（共通電極基板）と、アクティブ素子により駆動される透明画素電極を有する画素電極層を具備した第二の基板（画素電極基板）とを作製した。

画素電極基板において、各画素電極としては、液晶分子の配向を分割するため、画素電極に電極を有さないスリットが存在するように、ＩＴＯをエッチングしたものを用いた。

共通電極基板及び画素電極基板のそれぞれに、ポリイミド前駆体及び反応性基を有する重合性化合物を含む垂直配向膜材料をスピンコート法により塗布し、その塗布膜を２００℃で加熱することにより、垂直配向膜材料中のポリイミド前駆体を硬化させ、各基板の表面に１００ｎｍの垂直配向膜を形成した。この段階において、その垂直配向膜において、反応性基を有する重合性化合物は硬化していない。

垂直配向膜形成材料としては、ポリイミド前駆体を３％含有するポリイミド溶液（商品名：ＪＡＬＳ２１３１−Ｒ６、ＪＳＲ社製）に、以下の式（Ｖａ−１−１）で表される反応性基を有する重合性化合物を３％含有する溶液を用いた。

垂直配向膜を形成した共通電極基板及び画素電極基板に、以下に示す化学式で表される化合物を含有する液晶組成物を挟持した後、シール材を硬化させて、液晶組成物層を形成した。この際、厚さ４μｍのスペーサを用いて、液晶組成物層の厚さを４μｍとした。

得られた液晶表示素子に、矩形の交流電場を印加した状態で紫外線を照射し、前記反応性基を有する重合性化合物を硬化させた。照射装置としては、ウシオ電機社製ＵＩＳ−Ｓ２５１１ＲＺと共に、紫外線ランプとして、ウシオ電機社製ＵＳＨ−２５０ＢＹを用いて、２０ｍＷで３００秒、液晶表示素子に紫外線を照射し、実施例１の液晶表示素子を得た。この工程により、反応性基を有する重合性化合物の重合体を含む垂直配向膜が形成され、液晶組成物層中の液晶分子にプレチルト角が付与される。

ここで、プレチルト角は、図３に示すように定義される。完全な垂直配向をしている場合、プレチルト角（θ）は９０°となり、プレチルト角が付与された場合、プレチルト角（θ）は９０°より小さくなる。

実施例１の液晶表示素子は、図２に示すような画素電極のスリットに従って、４つの区画において異なった方向にプレチルト角を有し、前記重合性化合物の硬化後、交流電場を切った状態でもプレチルト角が維持された。維持されたプレチルト角は８７．１°であった。

実施例１の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、以下の表に示す。この結果、実施例１の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られない。これは、液晶組成物中に一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しているため、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を重合させる際のＵＶ照射総エネルギー量を低く抑えることができるため、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できるためと考察される。

（比較例１）
以下の表に示す化合物を含有する液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例１の液晶表示素子を得た。

得られた液晶表示素子に、矩形の交流電場を印加した状態で紫外線を照射し、前記配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化させた。照射装置としては、ウシオ電機社製ＵＩＳ−Ｓ２５１１ＲＺと共に、紫外線ランプとして、ウシオ電機社製ＵＳＨ−２５０ＢＹを用いて、２０ｍＷで６００秒、液晶表示素子に紫外線を照射し、比較例１の液晶表示素子を得た。なお、実施例１と同一条件（２０ｍＷで３００秒）で液晶表示素子に紫外線を照射し、プレチルト角の付与を行ったが、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物の硬化が不十分であり、安定的にプレチルト角が付与されていなかったため、プレチルト角の維持をするには２０ｍＷで６００秒の照射を要し、最終的に維持されたプレチルト角は８７°であった。

比較例１の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を以下の表に示す。この結果、比較例１の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しておらず、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化するためのＵＶ照射総エネルギー量が大きくなった結果、ＶＨＲの低下が見られ、液晶組成物中の液晶化合物の分解による物性低下が確認された。

（実施例２）
垂直配向膜形成材料として、ポリイミド前駆体を３％含有するポリイミド溶液（商品名：ＪＡＬＳ２１３１−Ｒ６、ＪＳＲ社製）に、以下の式（Ｖａ−１−１６）で表される反応性基を有する重合性化合物を３％含有する溶液を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例２の液晶表示素子を得た。

得られた液晶表示素子に、実施例１と同様に、照射装置として、ウシオ電機社製ＵＩＳ−Ｓ２５１１ＲＺと共に、紫外線ランプとして、ウシオ電機社製ＵＳＨ−２５０ＢＹを用いて、矩形の交流電場を印加した状態で紫外線を照射した。液晶組成物層中の液晶分子にプレチルト角を付与するために必要な、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物の硬化は、２０ｍＷで３００秒の紫外線照射により達成することが可能であった（維持されたプレチルト角：８７．１°）。

実施例２の液晶表示素子に用いられた液晶組成物のＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を以下の表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。

（実施例３）
垂直配向膜形成材料として、ポリイミド前駆体を３％含有するポリイミド溶液（商品名：ＪＡＬＳ２１３１−Ｒ６、ＪＳＲ社製）に、以下の式（Ｖａ−１−１６）で表される反応性基を有する重合性化合物を３％含有する溶液を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例３の液晶表示素子を得た。

実施例３の液晶表示素子に用いられた液晶組成物のＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、以下の表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。

（実施例４）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例４の液晶表示素子を得た。

得られた液晶表示素子に、実施例１と同様に、照射装置として、ウシオ電機社製ＵＩＳ−Ｓ２５１１ＲＺと共に、紫外線ランプとして、ウシオ電機社製ＵＳＨ−２５０ＢＹを用いて、矩形の交流電場を印加した状態で紫外線を照射した。液晶組成物層中の液晶分子にプレチルト角を付与するために必要な、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物の硬化は、２０ｍＷで３００秒の紫外線照射により達成することが可能であった。

実施例４の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。
（比較例２）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例２の液晶表示素子を得た。

得られた液晶表示素子に、実施例１と同様に、照射装置として、ウシオ電機社製ＵＩＳ−Ｓ２５１１ＲＺと共に、紫外線ランプとして、ウシオ電機社製ＵＳＨ−２５０ＢＹを用いて、矩形の交流電場を印加した状態で紫外線を照射した。液晶組成物層中の液晶分子にプレチルト角を付与するために必要な、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物の硬化は、２０ｍＷで６００秒の紫外線照射により達成することが可能であった。

比較例２の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、比較例２の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しておらず、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化するためのＵＶ照射総エネルギー量が大きくなった結果、ＶＨＲの低下が見られ、液晶組成物中の液晶化合物の分解による物性低下が確認された。
（実施例５）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例５の液晶表示素子を得た。

得られた液晶表示素子に、実施例１と同様に、照射装置として、ウシオ電機社製ＵＩＳ−Ｓ２５１１ＲＺと共に、紫外線ランプとして、ウシオ電機社製ＵＳＨ−２５０ＢＹを用いて、矩形の交流電場を印加した状態で紫外線を照射した。液晶組成物層中の液晶分子にプレチルト角を付与するために必要な、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物の硬化は、２０ｍＷで３００秒の紫外線照射により達成することが可能であった（維持されたプレチルト角：８７．２°）。

実施例５の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。
（比較例３）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例３の液晶表示素子を得た。

比較例３の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、比較例３の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しておらず、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化するためのＵＶ照射総エネルギー量が大きくなった結果、ＶＨＲの低下が見られ、液晶組成物中の液晶化合物の分解による物性低下が確認された。
（実施例６）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例６の液晶表示素子を得た。

得られた液晶表示素子に、実施例１と同様に、照射装置として、ウシオ電機社製ＵＩＳ−Ｓ２５１１ＲＺと共に、紫外線ランプとして、ウシオ電機社製ＵＳＨ−２５０ＢＹを用いて、矩形の交流電場を印加した状態で紫外線を照射した。液晶組成物層中の液晶分子にプレチルト角を付与するために必要な、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物の硬化は、２０ｍＷで２９０秒の紫外線照射により達成することが可能であった。

実施例６の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。
（比較例４）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例４の液晶表示素子を得た。

比較例４の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、比較例４の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しておらず、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化するためのＵＶ照射総エネルギー量が大きくなった結果、ＶＨＲの低下が見られ、液晶組成物中の液晶化合物の分解による物性低下が確認された。
（実施例７）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例７の液晶表示素子を得た。

実施例７の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。
（比較例５）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例５の液晶表示素子を得た。

比較例５の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、比較例５の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しておらず、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化するためのＵＶ照射総エネルギー量が大きくなった結果、ＶＨＲの低下が見られ、液晶組成物中の液晶化合物の分解による物性低下が確認された。
（実施例８）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例８の液晶表示素子を得た。

実施例８の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。
（比較例６）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例６の液晶表示素子を得た。

比較例６の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、比較例６の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しておらず、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化するためのＵＶ照射総エネルギー量が大きくなった結果、ＶＨＲの低下が見られ、液晶組成物中の液晶化合物の分解による物性低下が確認された。
（実施例９）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例９の液晶表示素子を得た。

実施例９の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。
（比較例７）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例７の液晶表示素子を得た。

比較例７の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、比較例７の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しておらず、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化するためのＵＶ照射総エネルギー量が大きくなった結果、ＶＨＲの低下が見られ、液晶組成物中の液晶化合物の分解による物性低下が確認された。
（実施例１０）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１０の液晶表示素子を得た。

実施例１０の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。
（比較例８）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例８の液晶表示素子を得た。

比較例８の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、比較例８の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しておらず、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化するためのＵＶ照射総エネルギー量が大きくなった結果、ＶＨＲの低下が見られ、液晶組成物中の液晶化合物の分解による物性低下が確認された。
（実施例１１）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１１の液晶表示素子を得た。

得られた液晶表示素子に、実施例１と同様に、照射装置として、ウシオ電機社製ＵＩＳ−Ｓ２５１１ＲＺと共に、紫外線ランプとして、ウシオ電機社製ＵＳＨ−２５０ＢＹを用いて、矩形の交流電場を印加した状態で紫外線を照射した。液晶組成物層中の液晶分子にプレチルト角を付与するために必要な、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物の硬化は、２０ｍＷで３１０秒の紫外線照射により達成することが可能であった。

実施例１１の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。
（比較例９）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例９の液晶表示素子を得た。

比較例９の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、比較例９の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しておらず、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化するためのＵＶ照射総エネルギー量が大きくなった結果、ＶＨＲの低下が見られ、液晶組成物中の液晶化合物の分解による物性低下が確認された。
（実施例１２）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１２の液晶表示素子を得た。

実施例１２の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。
（比較例１０）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例１０の液晶表示素子を得た。

比較例１０の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、比較例１０の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しておらず、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化するためのＵＶ照射総エネルギー量が大きくなった結果、ＶＨＲの低下が見られ、液晶組成物中の液晶化合物の分解による物性低下が確認された。
（実施例１３）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１３の液晶表示素子を得た。

実施例１３の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、ＵＶ照射前後において、ＶＨＲの大きな低下は見られず、液晶組成物を構成する液晶化合物の分解を抑制できているものと考察される。
（比較例１１）
以下の表に示す組成からなる液晶組成物を調製し、その液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例１１の液晶表示素子を得た。

比較例１１の液晶表示素子に用いられた液晶組成物の各物性、ＵＶ照射前後のＶＨＲ及び、得られた液晶表示素子の滴下痕評価、焼き付き評価を、合わせて上記表に示す。この結果、比較例１１の液晶表示素子に用いられた液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しておらず、配向膜中の反応性基を有する重合性化合物を硬化するためのＵＶ照射総エネルギー量が大きくなった結果、ＶＨＲの低下が見られ、液晶組成物中の液晶化合物の分解による物性低下が確認された。

１０・・・液晶表示素子、１１・・・第一の基板、１２・・・第二の基板、１３・・・液晶組成物層、１４・・・共通電極、１５・・・画素電極、１６・・・垂直配向膜、１７・・・垂直配向膜、１８・・・カラーフィルター、１９・・・液晶分子。

Claims

第一基板と第二基板を有する一組の基板と、前記基板の間に挟持された液晶組成物層とを有し、前記第一の基板と前記第二の基板の少なくとも一方に電極を有しており、前記第一の基板と前記第二の基板の少なくとも一方に、前記液晶組成物層中の液晶分子の配向方向を制御する配向膜を有し、該配向膜は、反応性基を有する重合性化合物の重合体を含み、前記液晶組成物層を構成する液晶組成物が、下記一般式（Ｉ）

（式中、Ｘ^１〜Ｘ^４はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、
Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、
環Ｂ及び環Ｃはそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表すが、該１，４−フェニレン基中に存在する１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていても良く、該１，４−シクロヘキシレン基中に存在する１個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されていても良い。）で表される化合物を含有する液晶表示素子。
複数の画素を有し、該画素中にプレチルト角が異なる２以上の領域を有する請求項１に記載の液晶表示素子。
前記配向膜が、ポリイミド構造を含む請求項１または請求項２に記載の液晶表示素子。
前記第一の基板が共通電極を有し、第二の基板が画素電極を有する請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
前記共通電極と前記画素電極間に、前記第一の基板と前記第二の基板に略垂直に電荷を印加し、前記液晶組成物層中の液晶分子を制御する前記配向膜を有する請求項４に記載の液晶表示素子。
前記第一の基板及び前記第二の基板における前記液晶組成物層と隣接する面に前記配向膜を有し、前記第一の基板にカラーフィルター層を有する請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
前記画素電極が、画素の中央から４方向に櫛歯状にスリットを有し、前記液晶組成物層中の液晶分子が異なった方向に配向する４つの領域を有する請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
前記液晶組成物層が、滴下法により形成された請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
前記液晶組成物が、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を２〜１８質量％含有する請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
前記重合性化合物が、下記一般式（Ｖ）

（式中、Ｘ^７及びＸ^８はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｘ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、ＸはＯ、ＯＣＯＯ、又はＣＯＯを表し、ＸはＵ中に存在する芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基、炭素原子数３〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルケニレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基又は多価アルケニレン基中のアルケニレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＦ_２−により置換されていてもよい。）、環状置換基により置換されていてもよく、ｋは１〜５の整数を表す。）で表される重合性化合物を含有する請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
前記液晶組成物が、下記一般式（Ｘ）

(式中Ｒ^Ｘ１及びＲ^Ｘ２はお互い独立して炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシ基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個のメチレン基又は隣接していない２個以上のメチレン基は−Ｏ−又は−Ｓ−に置換されていても良く、またこれらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、
ｕ及びｖはお互い独立して、０又は１を表すが、ｕ＋ｖは１以下であり、
Ｍ^Ｘ１、Ｍ^Ｘ２及びＭ^Ｘ３はお互い独立して、
（ａ）トランス−１，４−シクロへキシレン基(この基中に存在する１個のメチレン基又は隣接していない２個以上のメチレン基は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい)、
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）又は基（ｂ）に含まれる水素原子はそれぞれシアノ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｌ^Ｘ１、Ｌ^Ｘ２及びＬ^Ｘ３はお互い独立して単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＦ₂Ｏ−，−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｘ^Ｘ１及びＸ^Ｘ２はお互い独立してトリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はフッ素原子を表すが、Ｘ^Ｘ２及びＸ^Ｘ１の何れか一つはフッ素原子を表す）で表される化合物を含有する請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
前記液晶組成物が、下記一般式（Ｌ）

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＯＬは０、又は１を表し、
Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２及びＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｌ^Ｌ１及びＬ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、
ただし、一般式（Ｘ）で表される化合物を除く。）で表される化合物を含有する請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
第一の基板と第二の基板の少なくとも一方に、反応性基を有する重合性化合物及び垂直配向材料を含有する配向材料を塗布し、加熱することにより配向膜を形成した後、少なくとも一方に電極を有する前記第一の基板と前記第二の基板により液晶組成物を挟持し、前記電極に、電圧を印加した状態で活性エネルギー線を照射することにより、前記配向膜中の重合性化合物を重合し、
前記液晶組成物が、下記一般式（Ｉ）

（式中、Ｘ^１〜Ｘ^４はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、
Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、
環Ｂ及び環Ｃはそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表すが、該１，４−フェニレン基中に存在する１個以上の水素原子はフッ素原子に置換されていても良く、該１，４−シクロヘキシレン基中に存在する１つ以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されていても良い。）で表される化合物を含有する液晶表示素子の製造方法。
前記活性エネルギー線が紫外線であり、その強度が２ｍＷ／ｃｍ^−２〜１００ｍＷ／ｃｍ^−２であり、照射総エネルギー量が１Ｊ〜３００Ｊである請求項１３に記載の液晶表示素子の製造方法。
前記液晶組成物が、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を２〜１８質量％含有する請求項１３又は請求項１４に記載の液晶表示素子の製造方法。