JPS6271907A - グレ−テイング光デバイス - Google Patents
グレ−テイング光デバイスInfo
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- JPS6271907A JPS6271907A JP21114285A JP21114285A JPS6271907A JP S6271907 A JPS6271907 A JP S6271907A JP 21114285 A JP21114285 A JP 21114285A JP 21114285 A JP21114285 A JP 21114285A JP S6271907 A JPS6271907 A JP S6271907A
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- Japan
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- grating
- antireflection film
- film
- antireflection
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/12107—Grating
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はグレーティング光デバイスに関゛シ、特に作製
時に複数の光束の干渉によりグレーティングパターンが
形成されるグレーティング光デバイスに関する。グレー
ティング光デバイスはたとえば光導波路を用いた光学機
器の光結合部として利用される。
時に複数の光束の干渉によりグレーティングパターンが
形成されるグレーティング光デバイスに関する。グレー
ティング光デバイスはたとえば光導波路を用いた光学機
器の光結合部として利用される。
従来、グレーティング光デバイスは一般に二光束干渉法
により作製されていた。
により作製されていた。
第８図は二光束干渉法によるグレーティング光デバイス
の作製の概略を示す模式的断面図である。
の作製の概略を示す模式的断面図である。
図において、５は光導波路基板であり、たとえばＬ ｓ
Ｎｂ Ｏｓからなる。４は該基板５の表面上に形成さ
れた光導波路層でちり、該層４は基板５の材料の表面か
らＴＩ拡散やプロトン交換を行うことにより形成される
。３は該光導波路層４の表面上に付与されたフォトレジ
スト層である。該層３の上方から異なる方向にて２つの
可干渉性の光束１．２を入射させてフォトレジスト層３
において所望のピッチの干渉縞パターンを形成せしめ、
所定の現像・定着処理によりレジスト層３をストライプ
状とし、これをマスクとしてエツチング分行い光導波路
層４にグレーティングを形成せしめる。
Ｎｂ Ｏｓからなる。４は該基板５の表面上に形成さ
れた光導波路層でちり、該層４は基板５の材料の表面か
らＴＩ拡散やプロトン交換を行うことにより形成される
。３は該光導波路層４の表面上に付与されたフォトレジ
スト層である。該層３の上方から異なる方向にて２つの
可干渉性の光束１．２を入射させてフォトレジスト層３
において所望のピッチの干渉縞パターンを形成せしめ、
所定の現像・定着処理によりレジスト層３をストライプ
状とし、これをマスクとしてエツチング分行い光導波路
層４にグレーティングを形成せしめる。
しかして、２つの光束１，２を照射する際には基板５内
に進行した光束の一部は該基板５の裏面８で反射して反
射光束６，７を生じ、該反射光束がフォトレジスト３に
到達して、入射光束１，２によシ形成される所望の干渉
縞パターンが乱されることになる。即ち、基板５として
代表的なＬＩＮｂＯ，を用いた場合、入射光束１，２の
入射角を４５’とすると裏面８における反射率は約２４
俤であり、該面からの反射光束６，７によるノイズはか
なυ大きい。
に進行した光束の一部は該基板５の裏面８で反射して反
射光束６，７を生じ、該反射光束がフォトレジスト３に
到達して、入射光束１，２によシ形成される所望の干渉
縞パターンが乱されることになる。即ち、基板５として
代表的なＬＩＮｂＯ，を用いた場合、入射光束１，２の
入射角を４５’とすると裏面８における反射率は約２４
俤であり、該面からの反射光束６，７によるノイズはか
なυ大きい。
この様な基板裏面の反射によるノイズを除去する手段と
して基板裏面を該基板と屈折率のほぼ等しいマツチング
オイル等で液浸する方法が考えられるが、この方法は装
置構成が複雑になったり、適当なマツチングオイルが存
在しない場合もある等の問題がある。
して基板裏面を該基板と屈折率のほぼ等しいマツチング
オイル等で液浸する方法が考えられるが、この方法は装
置構成が複雑になったり、適当なマツチングオイルが存
在しない場合もある等の問題がある。
また、基板裏面によるノイズを除去する手段として、該
裏面に反射防止膜を施す方法が考えられる。第９図はこ
の方法によるグレーティング光デバイス作製の概略を示
す模式的断面図であシ、第８図と同様の図である。ここ
では、基板５の裏面に反射防止膜９が形成される点のみ
上記第８図の場合と異なる。かくして、光束１，２は基
板５内に進行した後に大部分が反射防止膜９を透過する
光束１０．１１となる。
裏面に反射防止膜を施す方法が考えられる。第９図はこ
の方法によるグレーティング光デバイス作製の概略を示
す模式的断面図であシ、第８図と同様の図である。ここ
では、基板５の裏面に反射防止膜９が形成される点のみ
上記第８図の場合と異なる。かくして、光束１，２は基
板５内に進行した後に大部分が反射防止膜９を透過する
光束１０．１１となる。
ところで、上記の様々反射防止膜としては一般に光学特
性が良好な誇電体膜が用いられ、この様な膜は蒸着また
はスパッタ等によシ形成されるので、一度形成すると剥
離が困難であり、従ってグレーティング光デバイスが使
用される時にも該反射防止膜９はそのまま残される。
性が良好な誇電体膜が用いられ、この様な膜は蒸着また
はスパッタ等によシ形成されるので、一度形成すると剥
離が困難であり、従ってグレーティング光デバイスが使
用される時にも該反射防止膜９はそのまま残される。
第１０図及び第１１図は上記反射防止膜９を付して二光
束干渉法によシ作製されたグレーティング光デバイスの
模式的断面図である。第１０図は光導波路からの出力用
光結合部に利用された場合を示し、第１１図は光導波路
への入力用光結合部に利用された場合を示す。
束干渉法によシ作製されたグレーティング光デバイスの
模式的断面図である。第１０図は光導波路からの出力用
光結合部に利用された場合を示し、第１１図は光導波路
への入力用光結合部に利用された場合を示す。
第１０図において、光導波路層４を進行する導波光２１
はグレーティング２０により回折せしめられ、空気側へ
の回折光束２２及び基板側への回折光束２３となる。回
折光束２３は反射防止膜９によシ一部反射せしめられて
反射光束２４を生じ、残りは反射防止膜９を透過して出
力光束２５となる。ここで、反射防止膜９は一般に回折
光束２３に対し十分に反射防止条件を満足しないため反
射光２４０強度は０とはならない。
はグレーティング２０により回折せしめられ、空気側へ
の回折光束２２及び基板側への回折光束２３となる。回
折光束２３は反射防止膜９によシ一部反射せしめられて
反射光束２４を生じ、残りは反射防止膜９を透過して出
力光束２５となる。ここで、反射防止膜９は一般に回折
光束２３に対し十分に反射防止条件を満足しないため反
射光２４０強度は０とはならない。
第１１図において入力光束２６は反射防止膜９によシ一
部反射せしめられて反射光束２８を生じ、残りは反射防
止膜９を透過してグレーティング２０への入射光束とな
る。２９は結合導波光である。
部反射せしめられて反射光束２８を生じ、残りは反射防
止膜９を透過してグレーティング２０への入射光束とな
る。２９は結合導波光である。
ここでも、反射防と膜９は一般に入力光束２６に対し十
分に反射防止条件を満足しないため反射光束２８の強度
はＯとはならない。
分に反射防止条件を満足しないため反射光束２８の強度
はＯとはならない。
以上の様に、グレーティング光デバイスの作製時に基板
裏面に付される反射防止膜は該作製時における反射防止
条件を溝光す様に形成されるため、該グレーティング光
デバイスを異々る条件下で使用すると反射防止条件が一
般に異なるため反射防止が不十分となり、反射防止膜に
よる反射光束がデバイス性能の劣化（たとえば結合効率
の低下やＳ／Ｎの低下など）をもたらすという問題が生
ずることになる。
裏面に付される反射防止膜は該作製時における反射防止
条件を溝光す様に形成されるため、該グレーティング光
デバイスを異々る条件下で使用すると反射防止条件が一
般に異なるため反射防止が不十分となり、反射防止膜に
よる反射光束がデバイス性能の劣化（たとえば結合効率
の低下やＳ／Ｎの低下など）をもたらすという問題が生
ずることになる。
この様な問題を解決するため、グレーティング構造形成
の後に、使用時の反射防止条件を満たす様に更に補正膜
を付与することも可能であるが、これでは作製工程が繁
雑になる。
の後に、使用時の反射防止条件を満たす様に更に補正膜
を付与することも可能であるが、これでは作製工程が繁
雑になる。
本発明によれば、以上の如き従来技術の問題点を解決す
るものとして、基板裏面に反射防止膜が設けられてお９
、該反射防止膜がグレーティングパターン形成時の光照
射と使用時の光照射とに対しいづれも反射防止条件を満
足する様に設定されていることをｆＦ徴とする、グレー
ティング光デバイスが提供される。
るものとして、基板裏面に反射防止膜が設けられてお９
、該反射防止膜がグレーティングパターン形成時の光照
射と使用時の光照射とに対しいづれも反射防止条件を満
足する様に設定されていることをｆＦ徴とする、グレー
ティング光デバイスが提供される。
以下、図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。
する。
第１図は本発明のグレーティング光デバイスの第１の実
施例の作製の概略を示す模式的断面図である。本図にお
いて、上記第９図におけると同様の部材には同一の符号
が付されており、ここではこれらについての説明を省略
する。基板５の裏面には反射防止膜３０が形成されてい
る。基板５はｙ−カッ） ＬｉＮｂＯ３結晶からなり、
また反射防止膜３０は５ＩＯ２膜（屈折率１．４８）か
らなる。
施例の作製の概略を示す模式的断面図である。本図にお
いて、上記第９図におけると同様の部材には同一の符号
が付されており、ここではこれらについての説明を省略
する。基板５の裏面には反射防止膜３０が形成されてい
る。基板５はｙ−カッ） ＬｉＮｂＯ３結晶からなり、
また反射防止膜３０は５ＩＯ２膜（屈折率１．４８）か
らなる。
第２図及び第３図は上記反射防止膜３０を付して三光束
干渉法によシ作製されたグレーティング光デバイスの模
式的断面図であシ、第２図は光導波路からの出力用光結
合部に利用された場合を示し、第３図は光導波路への入
力用光結合部に利用された場合を示す。これらの図にお
いて、上記第１０図及び第１１図におけると同様の部材
には同一の符号が付されており、ここではこれらについ
ての説明を省略する。
干渉法によシ作製されたグレーティング光デバイスの模
式的断面図であシ、第２図は光導波路からの出力用光結
合部に利用された場合を示し、第３図は光導波路への入
力用光結合部に利用された場合を示す。これらの図にお
いて、上記第１０図及び第１１図におけると同様の部材
には同一の符号が付されており、ここではこれらについ
ての説明を省略する。
第１図に示される様に作製時の空気側での光の入射角（
出射角）をθＦとし、第２図及び第３図に示される様に
使用時の空気側での光の入射角（出射角）をｈとする。
出射角）をθＦとし、第２図及び第３図に示される様に
使用時の空気側での光の入射角（出射角）をｈとする。
第１図において、入射光束１，２としてアルゴンレーザ
（波長λＦ＝ ０．４８８μｍ）を用い入射角θｙを２
６°としたときの反射防止膜３ｏの膜厚ｄと反射率Ｒと
の関係は第４図の曲線Ａの様になる。該曲線Ａの極小値
をとる位置が作製時の反射防止条件である。
（波長λＦ＝ ０．４８８μｍ）を用い入射角θｙを２
６°としたときの反射防止膜３ｏの膜厚ｄと反射率Ｒと
の関係は第４図の曲線Ａの様になる。該曲線Ａの極小値
をとる位置が作製時の反射防止条件である。
上記の様な三光束干渉法により作製されたグレーティン
グパターンの周期Ａは次式で求められる。
グパターンの周期Ａは次式で求められる。
Δ＝λ２／２ｓ石θ２
ここで、λＦ＝ ０．４８８ ｔｔｍ 、θ２＝２６°
とすると７１＝０．５６μｍとなる。
とすると７１＝０．５６μｍとなる。
第２図及び第３図において、入出力光束２５゜２６とし
て半導体レーザ（波長λ、＝＝Ｑ、８３１μｍ）を用い
ると、上記のグレーティングパターン周期Ａ＝０．５６
μｍではθ８＝４５°となる。このときの反射防止膜３
０の膜厚ｄと反射率１尤との関係は第４図の曲線Ｂの様
になる。該曲線Ｂの極小値をとる位置が使用時の反射防
止条件である。
て半導体レーザ（波長λ、＝＝Ｑ、８３１μｍ）を用い
ると、上記のグレーティングパターン周期Ａ＝０．５６
μｍではθ８＝４５°となる。このときの反射防止膜３
０の膜厚ｄと反射率１尤との関係は第４図の曲線Ｂの様
になる。該曲線Ｂの極小値をとる位置が使用時の反射防
止条件である。
作製時と使用時の双方で反射防止条件が成り立つために
は曲ｍＡとＢとの極小値が一致するところを見出せばよ
く、膜厚ｄ＝１．１２μｍ近傍（矢印で示す）で２つの
曲線の極小値が一致しており、この値が求める値でちる
ことが分る。即ち、本実施例においては反射防止膜３０
の膜厚ｄは１．１２μｍとされ、従って、第１図、第２
図及び第３図に示される様に反射防止Ｍ３０による反射
光束は実質上生じない。
は曲ｍＡとＢとの極小値が一致するところを見出せばよ
く、膜厚ｄ＝１．１２μｍ近傍（矢印で示す）で２つの
曲線の極小値が一致しており、この値が求める値でちる
ことが分る。即ち、本実施例においては反射防止膜３０
の膜厚ｄは１．１２μｍとされ、従って、第１図、第２
図及び第３図に示される様に反射防止Ｍ３０による反射
光束は実質上生じない。
局、第４図のグラフにおいては、基板５の屈折率の波長
分散も考慮されているＣ ｎ ＝ ２．２５６１（λ＝
０．４８８μｍ ） ／ ｎ＝２．１７２９ （λ＝０
．８３１μｆｆ１）’）。
分散も考慮されているＣ ｎ ＝ ２．２５６１（λ＝
０．４８８μｍ ） ／ ｎ＝２．１７２９ （λ＝０
．８３１μｆｆ１）’）。
第５図（、）〜（ｆ）は本実施例グレーティング光デバ
イスの作製工程図である。
イスの作製工程図である。
先ず、Ｙ−カッ） ＬｉＮｂＯ３結晶基板５の両面を光
学研摩し〔第５図（、） ：ｌ 、次にＴ１拡散やプロ
トン交換等により光導波路層４を形成し〔第５図（ｂ〕
〕、次に蒸着またはスパッタにより上記の様な反射防止
条件を満たす膜厚ｄの反射防止膜３０を形成する〔第５
図（Ｃ）〕。尚、この反射防止膜３０の膜厚をできる限
り正確に設定するために実時間の膜厚測定を行うのが望
ましい。次に、光導波路層４上に可視域で感度を有する
マイクロポジット１３５０等の７オトレジスト３をスピ
ナー塗布（３５００ｒ ｐｍ ｔ１ｉ厚０．５μｍ ）
Ｌ、、上記の様なアルゴンレーザ１，２による二光束
干渉を行い〔第５図（ｄ）〕、現像・定着によシフオド
レジストをレリーフ状のグレーティングとする。続いて
、フォトレジストのグレーティングバター７をマスクと
してイオンビーム加工等のドライエツチング技術を用い
て光導波路層４０表面を加工し〔第５図（、） ） 、
更にフォトレジストを除去してレリーフ型のグレーティ
ング構造２０を有する光デバイスが得られる〔第５図（
ｆ）〕。
学研摩し〔第５図（、） ：ｌ 、次にＴ１拡散やプロ
トン交換等により光導波路層４を形成し〔第５図（ｂ〕
〕、次に蒸着またはスパッタにより上記の様な反射防止
条件を満たす膜厚ｄの反射防止膜３０を形成する〔第５
図（Ｃ）〕。尚、この反射防止膜３０の膜厚をできる限
り正確に設定するために実時間の膜厚測定を行うのが望
ましい。次に、光導波路層４上に可視域で感度を有する
マイクロポジット１３５０等の７オトレジスト３をスピ
ナー塗布（３５００ｒ ｐｍ ｔ１ｉ厚０．５μｍ ）
Ｌ、、上記の様なアルゴンレーザ１，２による二光束
干渉を行い〔第５図（ｄ）〕、現像・定着によシフオド
レジストをレリーフ状のグレーティングとする。続いて
、フォトレジストのグレーティングバター７をマスクと
してイオンビーム加工等のドライエツチング技術を用い
て光導波路層４０表面を加工し〔第５図（、） ） 、
更にフォトレジストを除去してレリーフ型のグレーティ
ング構造２０を有する光デバイスが得られる〔第５図（
ｆ）〕。
第６図は本発明の第２の実施例の作製の概略を示す模式
的断面図である。本図において、第１図におけると同様
の部材には同一の符号が付されておυ、ここではこれら
についての説明を省略する。
的断面図である。本図において、第１図におけると同様
の部材には同一の符号が付されておυ、ここではこれら
についての説明を省略する。
本実施例においては、基板５０表面に感光性材料４０が
比較的厚く塗布される。上記実施例におけると同様の三
光束干渉法を行うべく入射光束１゜２が入射せしめられ
る。入射光束１，２の入射角はθＦである。
比較的厚く塗布される。上記実施例におけると同様の三
光束干渉法を行うべく入射光束１゜２が入射せしめられ
る。入射光束１，２の入射角はθＦである。
第７図はかくして作製されたグレーティング光デバイス
の模式的断面図である。本図において、第２図における
と同様の部材には同一の符号が付されており、ここでは
これらについての説明を省略する。
の模式的断面図である。本図において、第２図における
と同様の部材には同一の符号が付されており、ここでは
これらについての説明を省略する。
第１図に示される様な三光束干渉法によ＃）露光され、
所定の現保・定着処理を受けた後に感光性材料４０は第
２図に示される様なグレーティング構造を有する層４１
となる。第２図において、４２は入射光束であり、４３
は透過光束であシ、４４はグレーティング構造によシブ
ラッグ回折せしめられた回折光束である。回折光束４４
の空気中への出射角はθ８である。
所定の現保・定着処理を受けた後に感光性材料４０は第
２図に示される様なグレーティング構造を有する層４１
となる。第２図において、４２は入射光束であり、４３
は透過光束であシ、４４はグレーティング構造によシブ
ラッグ回折せしめられた回折光束である。回折光束４４
の空気中への出射角はθ８である。
この様なブラッグ回折を行うグレーティング光デバイス
においても、一般にグレーティング形成時の光の波長及
び入射角θ、と使用時の光の波長及び入出射角θＲとは
一般に異なるため、上記第１の実施例におけると同様の
手法にて作製時及び使用時の双方において反射防止条件
を満足させる様に反射防止膜３０の膜厚を決定する。
においても、一般にグレーティング形成時の光の波長及
び入射角θ、と使用時の光の波長及び入出射角θＲとは
一般に異なるため、上記第１の実施例におけると同様の
手法にて作製時及び使用時の双方において反射防止条件
を満足させる様に反射防止膜３０の膜厚を決定する。
以上の如き本発明によれば、以下の様な効果が得られる
。
。
（１）作製時において基板裏面からの反射ノイズを低減
し極めて一様なグレーティング構造を得ることができる
。
し極めて一様なグレーティング構造を得ることができる
。
（２）使用時において基板裏面での反射を低減し高効率
の光結合を可能にする。
の光結合を可能にする。
（３）一度形成した反射防止膜は最後までデバイスの一
部として機能するためプロセスの簡略化に効果がありプ
ロセスの過程においては基板を保護するなどの効果があ
る。
部として機能するためプロセスの簡略化に効果がありプ
ロセスの過程においては基板を保護するなどの効果があ
る。
第１図は本発明デバイスの作製を示す模式的断面図であ
る。 第２図及び第３図は本発明デバイスの模式的断面図であ
る。 第４図は反射防止膜の膜厚と反射率との関係を示すグラ
フである。 第５図（、）〜（ｆ）は本発明デバイスの作製工程図で
ある。 第６図は本発明デバイスの作製を示す模式的断面図であ
る。 第７図は本発明デバイスの模式的断面図である。 第８図及び第９図は従来のグレーティング光デバイスの
作製を示す模式的断面図である。 第１０図及び第１１図は従来のグレーティング光デバイ
スの模式的断面図である。 ３：フォトレジスト層、４：光導波路層、５：基板、２
０：グレーティング、３０：反射防止膜。 代理人 弁理士 山 下 穣 子 弟１ 図 第２ ＠ 第３図 第６図 第７図 第８図
る。 第２図及び第３図は本発明デバイスの模式的断面図であ
る。 第４図は反射防止膜の膜厚と反射率との関係を示すグラ
フである。 第５図（、）〜（ｆ）は本発明デバイスの作製工程図で
ある。 第６図は本発明デバイスの作製を示す模式的断面図であ
る。 第７図は本発明デバイスの模式的断面図である。 第８図及び第９図は従来のグレーティング光デバイスの
作製を示す模式的断面図である。 第１０図及び第１１図は従来のグレーティング光デバイ
スの模式的断面図である。 ３：フォトレジスト層、４：光導波路層、５：基板、２
０：グレーティング、３０：反射防止膜。 代理人 弁理士 山 下 穣 子 弟１ 図 第２ ＠ 第３図 第６図 第７図 第８図
Claims (2)
- （１）感光性材料の光照射によりグレーティングパター
ンを形成せしめる工程を含んで作製され基板表面にグレ
ーティング構造を有するグレーティング光デバイスにお
いて、基板裏面に反射防止膜が設けられており、該反射
防止膜がグレーティングパターン形成時の光照射と使用
時の光照射とに対しいづれも反射防止条件を満足する様
に設定されていることを特徴とする、グレーティング光
デバイス。 - （２）基板表面に光導波路が形成されており、該光導波
路中にグレーティング構造を有する、特許請求の範囲第
１項のグレーティング光デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21114285A JPS6271907A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | グレ−テイング光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21114285A JPS6271907A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | グレ−テイング光デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271907A true JPS6271907A (ja) | 1987-04-02 |
Family
ID=16601075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21114285A Pending JPS6271907A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | グレ−テイング光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6271907A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149033A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子 |
| EP1070974A1 (fr) * | 1999-07-21 | 2001-01-24 | SA Highwave Optical Technologies | Procédé d'apodisation de réseau de Bragg photoinscrit |
| EP1070973A1 (fr) * | 1999-07-21 | 2001-01-24 | Highwave Optical Technologies S.A. | Guide optique permettant une photoinscription améliorée |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP21114285A patent/JPS6271907A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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