JPS61214205A - ヨ−ク型磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
ヨ−ク型磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61214205A JPS61214205A JP60056322A JP5632285A JPS61214205A JP S61214205 A JPS61214205 A JP S61214205A JP 60056322 A JP60056322 A JP 60056322A JP 5632285 A JP5632285 A JP 5632285A JP S61214205 A JPS61214205 A JP S61214205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- yoke
- magnetic flux
- bias
- hard
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッドの改良に関
する。
する。
本発明は、一端く形成された作動ギャップ及び一部に切
除部が形成された磁気ヨークを含む志気回路の切除部を
磁気的に連結する如く磁気抵抗効果感磁部が設けられ、
磁気抵抗効果感磁部への通電又は磁気抵抗効果感磁部及
びバイアス導体への通電によって発生する第１の磁束に
よって、磁気抵抗効果感磁部に第１のバイアス磁界を与
えるようにしたヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関
し、第２の磁束を発生して、磁気抵抗効果感磁部に第２
の／？イアス磁界を与えると共に、第１の磁束のうち磁
気ヨークを通る磁束を相殺する磁束を磁気ヨークに通す
硬磁性体を設けることにより。
除部が形成された磁気ヨークを含む志気回路の切除部を
磁気的に連結する如く磁気抵抗効果感磁部が設けられ、
磁気抵抗効果感磁部への通電又は磁気抵抗効果感磁部及
びバイアス導体への通電によって発生する第１の磁束に
よって、磁気抵抗効果感磁部に第１のバイアス磁界を与
えるようにしたヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関
し、第２の磁束を発生して、磁気抵抗効果感磁部に第２
の／？イアス磁界を与えると共に、第１の磁束のうち磁
気ヨークを通る磁束を相殺する磁束を磁気ヨークに通す
硬磁性体を設けることにより。
実質的に磁気ヨークにバイアス磁束が殆んど通らないよ
うにし、これＫよシ感度の増大、安定化、バラツキの低
減及びパルクハウゼンノイスの低減を図るようにし九も
のである。
うにし、これＫよシ感度の増大、安定化、バラツキの低
減及びパルクハウゼンノイスの低減を図るようにし九も
のである。
以下に、第６図を参照して、従来のヨーク型磁気抵抗効
果型磁気ヘッドについて説明する。
果型磁気ヘッドについて説明する。
例えば磁性フェライトのＮ１−Ｚｎ系フェライト。
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト等より成る磁性基体（１）上Ｋ
、この磁性基体（１）が導電性を有する場合には、これ
の上に８１０等の絶縁層（２）を介して、後述する磁気
抵抗効果感磁部（以下部感磁部と略称する）に／４イア
ス磁界を与える帯状のＣｕ等の導電膜よ構成るバイアス
導体（３）が被着される。この／４イアス導体（３）上
に、５ｔｏ２等の絶縁層（４） ′を介して例えば、Ｎ
１−Ｆ＠系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金等の磁気抵抗
効果を有する磁性薄膜が幅ｗＭ１を本って被着されて成
る飄感磁部（５）が配される。そして、この磁性薄膜の
部感磁部（５）上に薄い８１０２等の絶縁層（６）を介
して、各一端が跨り、バイアス導体（３）及び風感磁部
（５）を横切る方向に延長して夫々磁気回路の一部を構
成する磁気ヨーク（８）となる、例えばＭｏ−々−マロ
イより成る一対の磁性層（７ａ）及び（７ｂ）が被着さ
れる。磁性基体（１）上には、８１０□等の非磁性の絶
縁性保護層（９）を介して、ガラス等の保護基板（７）
が接合される。一方の磁性層（７息）と磁性基体（１）
の前方端との間には、所要の厚さを有する非磁性ギヤラ
グスペーサ層（絶縁層（２）の一部）αηが介在されて
前方の作動ギャツｆ、が形成される。そして、この磁気
ギャップｇが外部に臨むように、磁性基体（１）、ギャ
ップスペーサ層α力、磁性層（７ｍ） 、保護層（９）
及び保護基板（至）の前方面が研摩されて磁気記録媒体
との対接面（２）が形成される。
、この磁性基体（１）が導電性を有する場合には、これ
の上に８１０等の絶縁層（２）を介して、後述する磁気
抵抗効果感磁部（以下部感磁部と略称する）に／４イア
ス磁界を与える帯状のＣｕ等の導電膜よ構成るバイアス
導体（３）が被着される。この／４イアス導体（３）上
に、５ｔｏ２等の絶縁層（４） ′を介して例えば、Ｎ
１−Ｆ＠系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金等の磁気抵抗
効果を有する磁性薄膜が幅ｗＭ１を本って被着されて成
る飄感磁部（５）が配される。そして、この磁性薄膜の
部感磁部（５）上に薄い８１０２等の絶縁層（６）を介
して、各一端が跨り、バイアス導体（３）及び風感磁部
（５）を横切る方向に延長して夫々磁気回路の一部を構
成する磁気ヨーク（８）となる、例えばＭｏ−々−マロ
イより成る一対の磁性層（７ａ）及び（７ｂ）が被着さ
れる。磁性基体（１）上には、８１０□等の非磁性の絶
縁性保護層（９）を介して、ガラス等の保護基板（７）
が接合される。一方の磁性層（７息）と磁性基体（１）
の前方端との間には、所要の厚さを有する非磁性ギヤラ
グスペーサ層（絶縁層（２）の一部）αηが介在されて
前方の作動ギャツｆ、が形成される。そして、この磁気
ギャップｇが外部に臨むように、磁性基体（１）、ギャ
ップスペーサ層α力、磁性層（７ｍ） 、保護層（９）
及び保護基板（至）の前方面が研摩されて磁気記録媒体
との対接面（２）が形成される。
また、磁気ヨーク（８）の、作動ギャップｇを構成する
磁性層（７ａ）の後方端と、他方の磁性層（７ｂ）の前
方端とは、夫々風感磁部（５）上に絶縁層（６）を介し
て跨るように形成され、その両端間にはｇｗをもって離
間する切除部（至）が形成される。両磁性層（７＆）及
び（７ｂ）の後方端及び前方端は１ＭＲ感磁部（５）の
両側に夫々絶縁層（６）の介在によって電気的には絶縁
される本、磁気的には結合するようになされ、即ち磁気
ヨーク（８）の切除部（２）間が線素子（５）によって
磁気的に連結されて、磁性基体（１）−作動ギャツｆ、
−磁性層（η−独感磁部（５）−磁性層（８）−磁性基
体（１）の閉磁路を形成する磁気回路が形成される。
磁性層（７ａ）の後方端と、他方の磁性層（７ｂ）の前
方端とは、夫々風感磁部（５）上に絶縁層（６）を介し
て跨るように形成され、その両端間にはｇｗをもって離
間する切除部（至）が形成される。両磁性層（７＆）及
び（７ｂ）の後方端及び前方端は１ＭＲ感磁部（５）の
両側に夫々絶縁層（６）の介在によって電気的には絶縁
される本、磁気的には結合するようになされ、即ち磁気
ヨーク（８）の切除部（２）間が線素子（５）によって
磁気的に連結されて、磁性基体（１）−作動ギャツｆ、
−磁性層（η−独感磁部（５）−磁性層（８）−磁性基
体（１）の閉磁路を形成する磁気回路が形成される。
このようなヨーク型ＭＲ型磁気ヘッドにおいては、バイ
アス導体（３）にバイアス用電流を通電することによっ
て匹感磁部（５）に所要のバイアス磁界を与えて、線形
な再生出力を得るようにしている。
アス導体（３）にバイアス用電流を通電することによっ
て匹感磁部（５）に所要のバイアス磁界を与えて、線形
な再生出力を得るようにしている。
このように、バイアス導体にバイアス用電流（直流電流
）を流して皿感磁部にバイアス磁界（直流磁界）を与え
ると、バイアス導体の周囲に発生する磁束（匹感磁部（
５）の通電による磁束も含む）は第６図ＫＭＦ’、とし
て示すように、ＭＲ感磁部のみならず、磁気ヨークをも
通るため、磁気ヨークの透磁高が低下して感度（特に最
大感度）が低下し九り、パラついたりすると共に、バル
クハウゼンノイズが発生し易くなる。
）を流して皿感磁部にバイアス磁界（直流磁界）を与え
ると、バイアス導体の周囲に発生する磁束（匹感磁部（
５）の通電による磁束も含む）は第６図ＫＭＦ’、とし
て示すように、ＭＲ感磁部のみならず、磁気ヨークをも
通るため、磁気ヨークの透磁高が低下して感度（特に最
大感度）が低下し九り、パラついたりすると共に、バル
クハウゼンノイズが発生し易くなる。
このことは、バイアス導体を設けない場合にも、穆度の
差こそあれ、同様な間聴が生じる。これは廊感磁部ヘセ
ンス電流を流すことによってその周囲に発生する磁束に
よって、ＭＲ感磁部自体に磁気バイアスが与えられるが
、この磁束の一部が磁気ヨークをも通るからである。
差こそあれ、同様な間聴が生じる。これは廊感磁部ヘセ
ンス電流を流すことによってその周囲に発生する磁束に
よって、ＭＲ感磁部自体に磁気バイアスが与えられるが
、この磁束の一部が磁気ヨークをも通るからである。
かかる点に鑑み本発明は、実質的に磁気ヨークにバイア
ス磁束が通らないようにして、ヨーク型磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの感度の増大、安定化、バラツキの低減及び
バルクハウゼンノイズの低減を図ろうとするものである
。
ス磁束が通らないようにして、ヨーク型磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの感度の増大、安定化、バラツキの低減及び
バルクハウゼンノイズの低減を図ろうとするものである
。
Ｃ問題点を解決する念めの手段〕
本発明は、一端に形成された作動ギャップｇ及び一部に
切除部αｊが形成された磁気ヨーク（８）ヲ含む磁気回
路の切除部（至）を磁気的に連結する如く磁気抵抗効果
感磁部（５）が設けられ、磁気抵抗効果感磁部（５）へ
の通電又は磁気抵抗効果感磁部（５）及びバイアス導体
（３）への通電によって発生する第１の磁束によって、
磁気抵抗効果感磁部（５）に第１のバイアス磁界を与え
るようにしたヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於い
て、第２の磁束を発生して、磁気抵抗効果感磁部（５）
に第２のバイアス磁界を与見ると共に、第１の磁束のう
ち磁気ヨーク（８）を通る磁束を相殺する磁束を磁気ヨ
ーク（８）に通す硬磁性体α４を設は九ことを特徴とす
るものである。
切除部αｊが形成された磁気ヨーク（８）ヲ含む磁気回
路の切除部（至）を磁気的に連結する如く磁気抵抗効果
感磁部（５）が設けられ、磁気抵抗効果感磁部（５）へ
の通電又は磁気抵抗効果感磁部（５）及びバイアス導体
（３）への通電によって発生する第１の磁束によって、
磁気抵抗効果感磁部（５）に第１のバイアス磁界を与え
るようにしたヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於い
て、第２の磁束を発生して、磁気抵抗効果感磁部（５）
に第２のバイアス磁界を与見ると共に、第１の磁束のう
ち磁気ヨーク（８）を通る磁束を相殺する磁束を磁気ヨ
ーク（８）に通す硬磁性体α４を設は九ことを特徴とす
るものである。
かかる本発明によれば、磁気ヨーク（８）を通るバイア
ス磁束が硬磁性体α４から発生する磁束によって相殺さ
れ、磁気ヨーク（８）には実質的にバイアス磁束は殆ん
ど通らないことになる。
ス磁束が硬磁性体α４から発生する磁束によって相殺さ
れ、磁気ヨーク（８）には実質的にバイアス磁束は殆ん
ど通らないことになる。
第１図を参照して本発明によるヨーク型ＭＲ型磁気ヘッ
ドの一例を説明するが、第１図において第６図と対応す
る部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
ドの一例を説明するが、第１図において第６図と対応す
る部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この例においては、バイアス導体（３）上にこれの上に
形成される絶縁層（４）を介して薄膜状の硬磁性体α４
を皿感磁部（５）の直下で、且つこれに近接し。
形成される絶縁層（４）を介して薄膜状の硬磁性体α４
を皿感磁部（５）の直下で、且つこれに近接し。
飄感磁部（５）によって覆われるように設ける。この硬
磁性体α４は、高抗磁力ではないが外部磁界によって磁
化が反転することのない椙度の抗磁力Ｈｅ。
磁性体α４は、高抗磁力ではないが外部磁界によって磁
化が反転することのない椙度の抗磁力Ｈｅ。
例えばＨｅ≦２０（０・）のＮ１−ｃｏ合金等を用い得
る。そして、この硬磁性体０４からの磁束ＭＦ２が、そ
の面方向に沿い、且つ磁性基体（１）−磁気ギャップｇ
−磁性層（７）−風感磁部（５）−磁′性層（８）−磁
性基体（１）の閉磁路を形成する磁気回路を通電、磁束
ＫＦ２と。
る。そして、この硬磁性体０４からの磁束ＭＦ２が、そ
の面方向に沿い、且つ磁性基体（１）−磁気ギャップｇ
−磁性層（７）−風感磁部（５）−磁′性層（８）−磁
性基体（１）の閉磁路を形成する磁気回路を通電、磁束
ＫＦ２と。
バイアス導体（３）及び独感磁部（５）への通電により
発生する磁束Ｗ、との、ＭＲ感磁部（５） ’＆−通る
各磁束は加算され、磁気ヨーク（８）を通る各磁束は相
殺されるように、硬磁性体α４が着磁されて、永久磁石
とされる。その他の構成は第６図と同様である。
発生する磁束Ｗ、との、ＭＲ感磁部（５） ’＆−通る
各磁束は加算され、磁気ヨーク（８）を通る各磁束は相
殺されるように、硬磁性体α４が着磁されて、永久磁石
とされる。その他の構成は第６図と同様である。
次に、バイアス導体（３）に流す電流及び硬磁性体α４
の幅の最適値の算出について述べる。第２図は飄感磁部
（５）及び硬磁性体α４の［を等しく（例えば９μｍ）
し、永久磁石としての硬磁性体（厚さが３００１ ）α
４から発生した磁束の分布状態を示す１第３図を参照す
るに、第２図のように風感磁部（５）及び硬磁性体α４
の幅を９μｍと等しくしておき、硬磁性体α４の厚さを
変えた場合に於ける磁気ヨーク（８）の磁性層（７ａ）
中の磁束密度（、ｆウス）及び匹感磁部（５）内の最大
磁化量（−ｍｕ ／ａｒｔ’ ）を夫々有限要素法で算
出して得た直線ａと、バイアス導体（３３Ｋ流すバイア
ス電流（独感磁部（５）に流れるセンス電流を例えば０
．５倍してバイアス導体（３）に流す電流に換算した電
流も加算的に含む）を変化させた場合に於ける。磁気ヨ
ーク（８）の磁性層（７＆）中の磁束密度（、ｆウス）
及び風感磁部（５）内の最大磁化量（ｅｍｕ／ｉ）を夫
々有限要素法で算出して得た直線すとを求める。一方、
ＭＲ感磁部（５）に於ける、十分な感度が得られる最
適磁化バイアス域は、ＭＲ感磁部（５）内の最大磁化量
が略３８０〜４９０（＠ｍｕ／ｃｒＩ？）の範囲にある
ときであるから、その範囲内の例えば４４０（ｅｍｕ／
ｉ）の点Ｐを風感磁部（５）の最大磁化量を示す横軸上
に設定し、原点、Ｐ点及び直線ａ、ｂにて平行四辺形を
作って、ベクトル合成を行なうと、硬磁性体α４の厚さ
が略２２７Ｘ、バイアス電流が略２．６ｍＡのとき、磁
気ヨーク（８）、の磁性層（７ａ）を磁束が殆んど通ら
ないようにすることができることが分る。
の幅の最適値の算出について述べる。第２図は飄感磁部
（５）及び硬磁性体α４の［を等しく（例えば９μｍ）
し、永久磁石としての硬磁性体（厚さが３００１ ）α
４から発生した磁束の分布状態を示す１第３図を参照す
るに、第２図のように風感磁部（５）及び硬磁性体α４
の幅を９μｍと等しくしておき、硬磁性体α４の厚さを
変えた場合に於ける磁気ヨーク（８）の磁性層（７ａ）
中の磁束密度（、ｆウス）及び匹感磁部（５）内の最大
磁化量（−ｍｕ ／ａｒｔ’ ）を夫々有限要素法で算
出して得た直線ａと、バイアス導体（３３Ｋ流すバイア
ス電流（独感磁部（５）に流れるセンス電流を例えば０
．５倍してバイアス導体（３）に流す電流に換算した電
流も加算的に含む）を変化させた場合に於ける。磁気ヨ
ーク（８）の磁性層（７＆）中の磁束密度（、ｆウス）
及び風感磁部（５）内の最大磁化量（ｅｍｕ／ｉ）を夫
々有限要素法で算出して得た直線すとを求める。一方、
ＭＲ感磁部（５）に於ける、十分な感度が得られる最
適磁化バイアス域は、ＭＲ感磁部（５）内の最大磁化量
が略３８０〜４９０（＠ｍｕ／ｃｒＩ？）の範囲にある
ときであるから、その範囲内の例えば４４０（ｅｍｕ／
ｉ）の点Ｐを風感磁部（５）の最大磁化量を示す横軸上
に設定し、原点、Ｐ点及び直線ａ、ｂにて平行四辺形を
作って、ベクトル合成を行なうと、硬磁性体α４の厚さ
が略２２７Ｘ、バイアス電流が略２．６ｍＡのとき、磁
気ヨーク（８）、の磁性層（７ａ）を磁束が殆んど通ら
ないようにすることができることが分る。
第４図は飄感磁部（５）の幅を９μｍ、硬磁性体α４０
幅を１１μｍと異ならしめた場合に於ける。永久磁石と
しての硬磁性体（厚さが３００Ｘ）α４から発生した磁
束の分布状態を示す。第５図を参照するに、第４図に示
すように、匹感磁部（５）の幅を９μｍ、硬磁性体α４
の幅ｙ！ｒ：１１μｍと異ならしめておき、第３図と同
様な直線ａ、ｂを求める。そして１例えば４４０（・ｍ
ｕ／ｃｍ’）の点Ｐを独感磁部（５）の最大磁化量の横
軸上に設定し、原点、Ｐ点及び直線ａ、ｔ）にイ平行四
辺形を作って、ベクトル合成を行なうと、硬磁性体α４
の厚さが略２８０Ｘ、バイアス電流が略４２ｍＡのとき
、磁気ヨーク（８）の磁性層（７ａ） を磁束が殆んど
通らないようにすることができることが分る。
幅を１１μｍと異ならしめた場合に於ける。永久磁石と
しての硬磁性体（厚さが３００Ｘ）α４から発生した磁
束の分布状態を示す。第５図を参照するに、第４図に示
すように、匹感磁部（５）の幅を９μｍ、硬磁性体α４
の幅ｙ！ｒ：１１μｍと異ならしめておき、第３図と同
様な直線ａ、ｂを求める。そして１例えば４４０（・ｍ
ｕ／ｃｍ’）の点Ｐを独感磁部（５）の最大磁化量の横
軸上に設定し、原点、Ｐ点及び直線ａ、ｔ）にイ平行四
辺形を作って、ベクトル合成を行なうと、硬磁性体α４
の厚さが略２８０Ｘ、バイアス電流が略４２ｍＡのとき
、磁気ヨーク（８）の磁性層（７ａ） を磁束が殆んど
通らないようにすることができることが分る。
尚、第１図の実施例に於いて、バイアス導体（３）を省
略することもできる。
略することもできる。
上述せる本発明によれば、実贋的に磁束が磁気ヨークを
通らないようにすることができ、感度が高く、安定で、
バラツキが少なく、しかもバルクハウゼンノイズの少な
いヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得ることができ
る。
通らないようにすることができ、感度が高く、安定で、
バラツキが少なく、しかもバルクハウゼンノイズの少な
いヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得ることができ
る。
第１図は本発明によるヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの一実施例の断面図、第２図及び第４図は夫々硬磁性
体による磁束分布を示す分布曲線図、第３図及び第５図
は夫々磁気特性曲線図、第６図は従来のヨーク型磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの一例を示す断面図である。 （１）は磁性基体、（３）はバイアス導体、（５）は磁
気抵抗効果感磁部、（８）は磁気ヨーク、ｇは作動ギャ
ップ、（至）は切除部、α◆は硬磁性体（永久磁石）で
ある。 ５扶慨フ季・ト生曲線口 第３図
ドの一実施例の断面図、第２図及び第４図は夫々硬磁性
体による磁束分布を示す分布曲線図、第３図及び第５図
は夫々磁気特性曲線図、第６図は従来のヨーク型磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの一例を示す断面図である。 （１）は磁性基体、（３）はバイアス導体、（５）は磁
気抵抗効果感磁部、（８）は磁気ヨーク、ｇは作動ギャ
ップ、（至）は切除部、α◆は硬磁性体（永久磁石）で
ある。 ５扶慨フ季・ト生曲線口 第３図
Claims (1)
- 一端に形成された作動ギヤツプ及び一部に切除部が形成
された磁気ヨークを含む磁気回路の上記切除部を磁気的
に連結する如く磁気抵抗効果感磁部が設けられ、上記磁
気抵抗効果感磁部への通電又は該磁気抵抗効果感磁部及
びバイアス導体への通電によつて発生する第１の磁束に
よつて、上記磁気抵抗効果感磁部に第１のバイアス磁界
を与えるようにしたヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッド
に於いて、第２の磁束を発生して、上記磁気抵抗効果感
磁部に第２のバイアス磁界を与えると共に、上記第１の
磁束のうち上記磁気ヨークを通る磁束を相殺する磁束を
該磁気ヨークに通す硬磁性体を設けたことを特徴とする
ヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60056322A JPS61214205A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | ヨ−ク型磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US06/841,259 US4734644A (en) | 1985-03-20 | 1986-03-19 | Flux cancelling yoke type magnetic transducer head |
| CA000504548A CA1258904A (en) | 1985-03-20 | 1986-03-19 | Yoke type magnetic transducer head utilizing a magnetoresistance effect |
| DE8686103693T DE3681830D1 (de) | 1985-03-20 | 1986-03-19 | Magnetischer wandlerkopf mit joch und nutzung eines magnetwiderstandseffekts. |
| EP86103693A EP0204902B1 (en) | 1985-03-20 | 1986-03-19 | Yoke type magnetic transducer head utilizing a magnetoresistance effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60056322A JPS61214205A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | ヨ−ク型磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214205A true JPS61214205A (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=13023931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60056322A Pending JPS61214205A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | ヨ−ク型磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4734644A (ja) |
| EP (1) | EP0204902B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61214205A (ja) |
| CA (1) | CA1258904A (ja) |
| DE (1) | DE3681830D1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5159511A (en) * | 1987-04-01 | 1992-10-27 | Digital Equipment Corporation | Biasing conductor for MR head |
| US5111352A (en) * | 1987-07-29 | 1992-05-05 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic head with reduced flux leakage |
| US5119025A (en) * | 1990-07-26 | 1992-06-02 | Eastman Kodak Company | High-sensitivity magnetorresistive magnetometer having laminated flux collectors defining an open-loop flux-conducting path |
| US5808843A (en) * | 1991-05-31 | 1998-09-15 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistance effect reproduction head |
| US5266786A (en) * | 1991-10-01 | 1993-11-30 | Ncr Corporation | Magnetoresistive head for reading magnetic ink characters |
| JPH06139525A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型ヘッド用再生装置 |
| US5532584A (en) * | 1993-08-31 | 1996-07-02 | Eastman Kodak Company | MR sensor including calibration circuit wherein signals are averaged for determining a correction factor and pole pieces are shaped to reduce field in gap therebetween |
| US5644228A (en) * | 1993-08-31 | 1997-07-01 | Eastman Kodak Company | Permanent magnet assembly with MR and DC compensating bias |
| JP2780916B2 (ja) * | 1993-12-08 | 1998-07-30 | 富士通株式会社 | 垂直磁気記録用磁気ヘッド |
| FR2713782B1 (fr) * | 1993-12-14 | 1996-01-05 | Thomson Csf | Capteur magnétique à effet magnéto-résistif. |
| US5648031A (en) * | 1994-07-28 | 1997-07-15 | Custom Plastics Molding, Inc. | Method of forming antislip surfaces on thermoformed products |
| JP2694806B2 (ja) * | 1994-08-29 | 1997-12-24 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
| US5608593A (en) * | 1995-03-09 | 1997-03-04 | Quantum Peripherals Colorado, Inc. | Shaped spin valve type magnetoresistive transducer and method for fabricating the same incorporating domain stabilization technique |
| DE19520172A1 (de) * | 1995-06-01 | 1996-12-05 | Siemens Ag | Magnetisierungseinrichtung für ein magnetoresistives Dünnschicht-Sensorelement mit einem Biasschichtteil |
| US5942341A (en) * | 1995-10-15 | 1999-08-24 | Nec Corporation | Magnetoresistive element |
| JP3188232B2 (ja) * | 1997-12-09 | 2001-07-16 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JP3180785B2 (ja) * | 1998-11-27 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | ヨーク型磁気抵抗効果ヘッド、ヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドおよび磁気記憶装置 |
| JP2002074623A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Toshiba Corp | 水平ヨーク型磁気ヘッドおよび磁気記録装置ならびに磁気再生装置 |
| JP4956993B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2012-06-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 記録媒体検知システム |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613513A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head and its manufacture |
| JPS56165923A (en) * | 1980-05-24 | 1981-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| CA1209260A (en) * | 1982-10-29 | 1986-08-05 | Tetsuo Sekiya | Magnetic transducer head using magnetroresistance effect |
| JPS60157712A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US4663684A (en) * | 1984-01-27 | 1987-05-05 | Hitachi, Ltd. | Magnetic transducer using magnetoresistance effect |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60056322A patent/JPS61214205A/ja active Pending
-
1986
- 1986-03-19 US US06/841,259 patent/US4734644A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-19 DE DE8686103693T patent/DE3681830D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-19 EP EP86103693A patent/EP0204902B1/en not_active Expired
- 1986-03-19 CA CA000504548A patent/CA1258904A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3681830D1 (de) | 1991-11-14 |
| EP0204902B1 (en) | 1991-10-09 |
| CA1258904A (en) | 1989-08-29 |
| EP0204902A2 (en) | 1986-12-17 |
| US4734644A (en) | 1988-03-29 |
| EP0204902A3 (en) | 1988-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61214205A (ja) | ヨ−ク型磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS6286520A (ja) | ツイン・トラツク用磁気ヘツド | |
| JPH04121808A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| JPH07192227A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS5977618A (ja) | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド | |
| JPS61222012A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| US6219213B1 (en) | Magnetic head with magnetic tunnel element in which induced magnetic field changes relative angle of magnetization which affects tunnel current | |
| JPS58220241A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| US4928188A (en) | Magnetoresistive element sandwiched between a sal ferrite substrateand a cover containing an easy axis biasing magnet | |
| JPS6258411A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS60157712A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH11110720A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2507710B2 (ja) | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド | |
| JPH048847B2 (ja) | ||
| JPS6047222A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS626421A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH026490Y2 (ja) | ||
| JPS61264772A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP2596010B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH09115112A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに磁気ヘッド | |
| JPS61237218A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス付与方法 | |
| JPH0572642B2 (ja) | ||
| JPS6171407A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH06195647A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |