JPH11110720A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH11110720A JPH11110720A JP9306305A JP30630597A JPH11110720A JP H11110720 A JPH11110720 A JP H11110720A JP 9306305 A JP9306305 A JP 9306305A JP 30630597 A JP30630597 A JP 30630597A JP H11110720 A JPH11110720 A JP H11110720A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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-
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- G11B5/4886—Disposition of heads relative to rotating disc
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、磁気抵抗効果型ヘッドに関し、特にスピンバ
ルブ型の磁気抵抗効果型ヘッドに関し、フリー強磁性膜
の磁化を制御する第３の強磁性膜に適した材料を提供す
ることを目的とし、磁化方向が固定された第１強磁性膜
と、磁化方向が前記第１強磁性膜の磁化方向と直行する
と共に、外部磁化を受けて自由に回転する第２強磁性膜
と、前記第１及び第２強磁性膜の間に設けられた第１非
磁性中間層と、前記第１または第２のいずれか一方の外
側に設けられた第３強磁性膜と、前記第１または第２の
いずれか一方と前記第３強磁性膜の間に設けられた第２
非磁性中間膜と、を備え、前記第３強磁性膜は、ＮｉＦ
ｅ，ＣｏＦｅ，ＦｅＮのいずれか一つを主成分とし、
Ｂ，Ｃｒ，Ｃｒ，Ｚｒの少なくと一つを添加する。
ルブ型の磁気抵抗効果型ヘッドに関し、フリー強磁性膜
の磁化を制御する第３の強磁性膜に適した材料を提供す
ることを目的とし、磁化方向が固定された第１強磁性膜
と、磁化方向が前記第１強磁性膜の磁化方向と直行する
と共に、外部磁化を受けて自由に回転する第２強磁性膜
と、前記第１及び第２強磁性膜の間に設けられた第１非
磁性中間層と、前記第１または第２のいずれか一方の外
側に設けられた第３強磁性膜と、前記第１または第２の
いずれか一方と前記第３強磁性膜の間に設けられた第２
非磁性中間膜と、を備え、前記第３強磁性膜は、ＮｉＦ
ｅ，ＣｏＦｅ，ＦｅＮのいずれか一つを主成分とし、
Ｂ，Ｃｒ，Ｃｒ，Ｚｒの少なくと一つを添加する。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘ
ッドに関し、特にスピンバルブ型の磁気抵抗効果型ヘッ
ドに関する。
ッドに関し、特にスピンバルブ型の磁気抵抗効果型ヘッ
ドに関する。
【従来の技術】スピンバルブ型の磁気抵抗効果型ヘッド
は、例えば、特開平２−６１５７２号（米国特許第４，
９４９，０３９号）に開示されている。第１強磁性層、
非磁性中間層、第２強磁性層が積層されてなるＭＲ層
は、第１及び第２強磁性層間の磁化方向の角度差に応じ
て、ＭＲ層の電気抵抗が変化する。実用的なスピンバル
ブ型は、一方の強磁性層の磁化方向が固定され、他方の
強磁性層の磁化方向が記録媒体の磁化方向に応じて自由
に回転するように構成される。強磁性層の磁化方向を固
定する際、強磁性体に直接結合する反強磁性層を設け、
反強磁性層の磁気的交換結合により、強磁性体の磁化方
向を固定することが提案されている。図１（ａ）は、従
来の磁気抵抗効果型ヘッドを示す要部斜視図であり、図
１（ｂ）は、各強磁性膜の磁化方向を示す図である。図
中、図示しない基板の上に、下部シールド膜１８ａ、図
示しない絶縁膜、フリー強磁性膜１４、非磁性中間膜１
３、ピン強磁性膜１２、反強磁性膜１１、一対の引出し
導体膜１７、図示しない絶縁膜、上部シールド膜１８ｂ
が順に形成される。ピン強磁性膜１２はＮｉＦｅ，３２
０Å、非磁性中間膜はＣｕ，３２Å、フリー強磁性膜１
４はＮｉＦｅ，４５Åである。図２（ａ）は、図１の磁
気抵抗効果型ヘッドの再生波形であり、図２（ｂ）は、
フリー強磁性膜の磁化の振れを示す。図２（ａ）中、横
軸は記録媒体の磁化反転位置からの距離であり、縦軸は
再生出力である。図中、正及び負の孤立波形の再生出力
が示してあり、その非対象性は−１９％である。図２
（ｂ）中、横軸はフリー強磁性膜の面内の位置を浮上面
からの高さで表し、縦軸はフリー強磁性膜の素子高さ方
向（ｚ軸）磁化成分であり、コア幅方向（ｙ軸）からの
磁化回転角ΘをｓｉｎΘで表したものである。図中、中
央の線は静的なバイアス状態を示し、両側の線はそれぞ
れ正または負の方向に磁化が振れたときの状態を示す。
ピン強磁性膜１２とフリー強磁性膜１４の磁化のなす角
度は、９０°であることが理想である。しかしが、実際
には、ピン強磁性膜１２との静磁的カップリングによ
り、フリー強磁性膜１４の磁化方向が、ピン強磁性膜１
２の磁化方向の反対方向に向かって回転する。これによ
り、非対称性が生じるのである。この非対称性を少なく
するため、ピン強磁性膜１２の磁化方向は、コア幅方向
に対して９０°でなく、８０°になっている。
は、例えば、特開平２−６１５７２号（米国特許第４，
９４９，０３９号）に開示されている。第１強磁性層、
非磁性中間層、第２強磁性層が積層されてなるＭＲ層
は、第１及び第２強磁性層間の磁化方向の角度差に応じ
て、ＭＲ層の電気抵抗が変化する。実用的なスピンバル
ブ型は、一方の強磁性層の磁化方向が固定され、他方の
強磁性層の磁化方向が記録媒体の磁化方向に応じて自由
に回転するように構成される。強磁性層の磁化方向を固
定する際、強磁性体に直接結合する反強磁性層を設け、
反強磁性層の磁気的交換結合により、強磁性体の磁化方
向を固定することが提案されている。図１（ａ）は、従
来の磁気抵抗効果型ヘッドを示す要部斜視図であり、図
１（ｂ）は、各強磁性膜の磁化方向を示す図である。図
中、図示しない基板の上に、下部シールド膜１８ａ、図
示しない絶縁膜、フリー強磁性膜１４、非磁性中間膜１
３、ピン強磁性膜１２、反強磁性膜１１、一対の引出し
導体膜１７、図示しない絶縁膜、上部シールド膜１８ｂ
が順に形成される。ピン強磁性膜１２はＮｉＦｅ，３２
０Å、非磁性中間膜はＣｕ，３２Å、フリー強磁性膜１
４はＮｉＦｅ，４５Åである。図２（ａ）は、図１の磁
気抵抗効果型ヘッドの再生波形であり、図２（ｂ）は、
フリー強磁性膜の磁化の振れを示す。図２（ａ）中、横
軸は記録媒体の磁化反転位置からの距離であり、縦軸は
再生出力である。図中、正及び負の孤立波形の再生出力
が示してあり、その非対象性は−１９％である。図２
（ｂ）中、横軸はフリー強磁性膜の面内の位置を浮上面
からの高さで表し、縦軸はフリー強磁性膜の素子高さ方
向（ｚ軸）磁化成分であり、コア幅方向（ｙ軸）からの
磁化回転角ΘをｓｉｎΘで表したものである。図中、中
央の線は静的なバイアス状態を示し、両側の線はそれぞ
れ正または負の方向に磁化が振れたときの状態を示す。
ピン強磁性膜１２とフリー強磁性膜１４の磁化のなす角
度は、９０°であることが理想である。しかしが、実際
には、ピン強磁性膜１２との静磁的カップリングによ
り、フリー強磁性膜１４の磁化方向が、ピン強磁性膜１
２の磁化方向の反対方向に向かって回転する。これによ
り、非対称性が生じるのである。この非対称性を少なく
するため、ピン強磁性膜１２の磁化方向は、コア幅方向
に対して９０°でなく、８０°になっている。
【発明が解決しようとする課題】磁気抵抗効果型ヘッド
の高感度化には、フリー強磁性膜１４の薄膜化が不可欠
である。しかし、フリー強磁性膜１４の薄膜化に伴い、
ピン強磁性膜１２の磁界によって、フリー強磁性膜１４
の磁化方向はコア幅方向から素子高さ方向に傾き、コア
幅方向に対して−５０°となっている。従って、下側に
余裕が少なく、バイアス特性が悪化している。この結
果、磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力が低下し、非対称
性が悪化するという問題がある。一方、この問題を解決
するため、特開平８−５５３１２号は、第３の強磁性膜
を設け、センス電流により第３の強磁性膜に発生する磁
界を、ピン強磁性膜の磁界を打ち消す方向とすることを
提案している。第３の強磁性体の材料としては、ＮｉＦ
ｅが提案されている。しかし、ＮｉＦｅは比抵抗が小さ
く、磁気抵抗効果に寄与しない第３の強磁性膜での電流
ロスが問題となる。また、この特開平８−５５３１２号
の膜構造は、基板より、第３の強磁性膜／フリー強磁性
膜／ピン強磁性膜であるか、或いは、フリー強磁性膜／
ピン強磁性膜／第３の強磁性膜である。しかし、フリー
強磁性膜の磁化制御の考慮すると、これらの膜構造は優
れていいない。本発明の目的は、フリー強磁性膜の磁化
を制御する第３の強磁性膜に適した材料を提供すること
である。本発明の他の目的は、フリー強磁性膜の磁化を
制御する第３の強磁性膜に適した膜配置を提供すること
である。
の高感度化には、フリー強磁性膜１４の薄膜化が不可欠
である。しかし、フリー強磁性膜１４の薄膜化に伴い、
ピン強磁性膜１２の磁界によって、フリー強磁性膜１４
の磁化方向はコア幅方向から素子高さ方向に傾き、コア
幅方向に対して−５０°となっている。従って、下側に
余裕が少なく、バイアス特性が悪化している。この結
果、磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力が低下し、非対称
性が悪化するという問題がある。一方、この問題を解決
するため、特開平８−５５３１２号は、第３の強磁性膜
を設け、センス電流により第３の強磁性膜に発生する磁
界を、ピン強磁性膜の磁界を打ち消す方向とすることを
提案している。第３の強磁性体の材料としては、ＮｉＦ
ｅが提案されている。しかし、ＮｉＦｅは比抵抗が小さ
く、磁気抵抗効果に寄与しない第３の強磁性膜での電流
ロスが問題となる。また、この特開平８−５５３１２号
の膜構造は、基板より、第３の強磁性膜／フリー強磁性
膜／ピン強磁性膜であるか、或いは、フリー強磁性膜／
ピン強磁性膜／第３の強磁性膜である。しかし、フリー
強磁性膜の磁化制御の考慮すると、これらの膜構造は優
れていいない。本発明の目的は、フリー強磁性膜の磁化
を制御する第３の強磁性膜に適した材料を提供すること
である。本発明の他の目的は、フリー強磁性膜の磁化を
制御する第３の強磁性膜に適した膜配置を提供すること
である。
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、磁化方向が固定された第１強磁性膜
と、磁化方向が前記第１強磁性膜の磁化方向と直行する
と共に、外部磁化を受けて自由に回転する第２強磁性膜
と、前記第１及び第２強磁性膜の間に設けられた第１非
磁性中間層と、前記第１または第２のいずれか一方の外
側に設けられた第３強磁性膜と、前記第１または第２の
いずれか一方と前記第３強磁性膜の間に設けられた第２
非磁性中間膜と、を備え、前記第３強磁性膜は、ＮｉＦ
ｅ，ＣｏＦｅ，ＦｅＮのいずれか一つを主成分とし、
Ｂ，Ｃｒ，Ｃｒ，Ｚｒの少なくと一つを添加する。前記
第３強磁性膜は、ＮｉＦｅＣｒであることが望ましい。
さらに、Ｃｒを１〜９．４ａｔ％添加することが望まし
い。一方、前記第３強磁性膜の厚さは、３０〜５０Åで
あることが望ましい。さらに、４０Å付近であることが
望ましい。また、前記第２非磁性中間膜は、１００μΩ
ｃｍ以上の比抵抗を有することが望ましく、さらに、Ｔ
ａであることが望ましい。一方、他の観点によれば、本
発明は、基板上に、反強磁性膜、前記反強磁性膜により
磁化方向がコア高さ方向に固定された第１強磁性膜、第
１非磁性中間膜、磁化方向がコア幅方向であると共に、
外部磁化をうけて自由に回転する第２強磁性膜、第２非
磁性中間膜、第３強磁性膜の順に積層されてなる磁気抵
抗効果型ヘッドである。前記第３強磁性膜は、軟磁性膜
であり、センス電流と協同して、前記第１強磁性膜の磁
化方向と逆向きに磁化される。さらに他の観点によれ
ば、本発明は、磁化方向がコア高さ方向に固定された硬
磁性膜と、磁化方向がコア幅方向であると共に、外部磁
化を受けて自由に回転する強磁性膜と、前記硬磁性膜と
前記強磁性膜の間に設けられた第１非磁性中間膜と、前
記硬磁性膜または前記強磁性膜のいずれか一方の外側に
設けられた軟磁性膜と、前記硬磁性膜または前記強磁性
膜のいすれか一方と前記軟磁性膜の間に設けられた第２
非磁性中間膜と、を備える。前記軟磁性膜は、センス電
流と協同して、前記硬磁性膜の磁化方向と逆向きに磁化
される。
ために、本発明は、磁化方向が固定された第１強磁性膜
と、磁化方向が前記第１強磁性膜の磁化方向と直行する
と共に、外部磁化を受けて自由に回転する第２強磁性膜
と、前記第１及び第２強磁性膜の間に設けられた第１非
磁性中間層と、前記第１または第２のいずれか一方の外
側に設けられた第３強磁性膜と、前記第１または第２の
いずれか一方と前記第３強磁性膜の間に設けられた第２
非磁性中間膜と、を備え、前記第３強磁性膜は、ＮｉＦ
ｅ，ＣｏＦｅ，ＦｅＮのいずれか一つを主成分とし、
Ｂ，Ｃｒ，Ｃｒ，Ｚｒの少なくと一つを添加する。前記
第３強磁性膜は、ＮｉＦｅＣｒであることが望ましい。
さらに、Ｃｒを１〜９．４ａｔ％添加することが望まし
い。一方、前記第３強磁性膜の厚さは、３０〜５０Åで
あることが望ましい。さらに、４０Å付近であることが
望ましい。また、前記第２非磁性中間膜は、１００μΩ
ｃｍ以上の比抵抗を有することが望ましく、さらに、Ｔ
ａであることが望ましい。一方、他の観点によれば、本
発明は、基板上に、反強磁性膜、前記反強磁性膜により
磁化方向がコア高さ方向に固定された第１強磁性膜、第
１非磁性中間膜、磁化方向がコア幅方向であると共に、
外部磁化をうけて自由に回転する第２強磁性膜、第２非
磁性中間膜、第３強磁性膜の順に積層されてなる磁気抵
抗効果型ヘッドである。前記第３強磁性膜は、軟磁性膜
であり、センス電流と協同して、前記第１強磁性膜の磁
化方向と逆向きに磁化される。さらに他の観点によれ
ば、本発明は、磁化方向がコア高さ方向に固定された硬
磁性膜と、磁化方向がコア幅方向であると共に、外部磁
化を受けて自由に回転する強磁性膜と、前記硬磁性膜と
前記強磁性膜の間に設けられた第１非磁性中間膜と、前
記硬磁性膜または前記強磁性膜のいずれか一方の外側に
設けられた軟磁性膜と、前記硬磁性膜または前記強磁性
膜のいすれか一方と前記軟磁性膜の間に設けられた第２
非磁性中間膜と、を備える。前記軟磁性膜は、センス電
流と協同して、前記硬磁性膜の磁化方向と逆向きに磁化
される。
【発明の実施の形態】図１（ａ）は、従来の磁気抵抗効
果型ヘッドを示す要部斜視図であり、図１（ｂ）は、各
強磁性膜の磁化方向を示す図である。図２（ａ）は、図
１の磁気抵抗効果型ヘッドの再生波形であり、図２
（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化の触れを示す。図３
（ａ）は、第１実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの斜
視図であり、図３（ｂ）は、磁気抵抗効果素子の膜構造
（材料及び厚さ）を示す。図４（ａ）は、ＮｉＦｅＣｒ
下地膜のＣｒ量と、飽和磁束密度Ｂｓの関係を示すグラ
フであり、図４（ｂ）は、Ｃｒ量と比抵抗ρの関係を示
すグラフであり、図４（ｃ）は、Ｃｒ量と、単位膜厚当
たりの抵抗変化率の関係を示すグラフである。図４
（ｃ）によれば、単位膜厚当たりの抵抗変化率は、Ｃｒ
量が１〜９．４ａｔ％の時良好である。図５は、センス
電流の大きさと、外部磁界が無い時のフリー層の角度の
関係を、ＮｉＦｅＣｒ層（バイアス制御層ＢＣＬ）の厚
さをパラメータとして示したグラフである。図６（ａ）
は、第２実施例の電気抵抗効果型ヘッドを示す要部斜視
図であり、図６（ｂ）は、各強磁性膜の磁化方向を示す
図である。図７（ａ）は、図６の磁気抵抗効果型ヘッド
の再生波形であり、図７（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁
化の触れを示す。図６（ａ）は本発明の磁気抵抗効果型
ヘッドの要部断面図である．矩型のＳＶ素子は，（１）
ＰｄＰｔＭｎ膜からなる反強磁性膜，（２）ＣｏＦｅＢ
膜からなる強磁性膜１，（３）Ｃｕ膜による非磁性中間
膜１，（４）ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅＢ積層膜からなる強磁
性膜２，（５）Ｔａ膜による非磁性中間膜２，（６）Ｎ
ｉＦｅＣｒ膜による軟磁性膜が電気的に接合することに
よって構成されている．（７）はＡｕあるいはＷ膜から
なる引き出し導体層，（８）−ａ，ｂはＮｉＦｅからな
る磁気シールドである．この場合，強磁性膜１（２）の
膜厚は２０Å，非磁性中間膜１（３）の膜厚は３２Å，
強磁性膜２（４）の膜厚は４５Å，非磁性中間膜２
（５）の膜厚は７５Å，軟磁性膜（６）の膜厚は４０Å
である．引き出し導体膜（７）は，ＳＶ素子の長手方向
に対して所定幅で切除されて素子両端で素子に接合して
いる．反強磁性層（１），強磁性膜１（２），非磁性中
間膜１（３），強磁性膜２（４），非磁性中間膜２
（５），軟磁性膜（６），引き出し導体層（７）は２つ
の磁気シールド（８）−ａ，ｂの間（再生ギャップに相
当）に配置されるが，非磁性絶縁層を介して磁気シール
ド（８）−ａ，ｂと電気的に絶縁されている．本発明の
磁気抵抗効果型ヘッドに，強磁性膜１の磁化方向とセン
ス電流磁界の方向が同方向となるようにセンス電流を流
した場合の、図６（ｂ）は外部磁界がない場合の各磁性
膜の磁化の向き，図７（ａ）は再生波形，再生出力，非
対称性，図７（ｂ）は媒体磁界印加に伴う強磁性膜２の
磁化の振れである．従来例と同様に，非対称性を改善す
るため，強磁性膜１の磁化方向はコア幅方向に対して８
０°となっている．このように，非磁性中間膜２，軟磁
性膜をさらに積層することによって，再生出力，非対称
性が改善する．これは，強磁性膜２の磁化方向はコア幅
方向に対して＋６度となり，従来よりも磁化方向が水平
に近くなるためである．また，図１０は非磁性中間膜２
の比抵抗が変化した場合の再生出力の変化を示したグラ
フである．信頼性良くデータを再生するためには，再生
出力が６００μＶｐｐ以上必要である．このため，非磁
性中間膜２の比抵抗は１００μΩｃｍ以上である必要が
ある．図８（ａ）は、第３実施例の磁気抵抗効果型ヘッ
ドを示す要部斜視図であり、図８（ｂ）は、各強磁性膜
の磁化方向を示す図である。図９（ａ）は、図８の磁気
抵抗効果型ヘッドの再生波形であり、図９（ｂ）は、フ
リー強磁性膜の磁化の触れを示す。図８（ａ）は本発明
の磁気抵抗効果型ヘッドの要部断面図である．矩形のＳ
Ｖ素子は，（２）α−Ｆｅ２Ｏ３／ＣｏＦｅＢ積層膜か
らなる硬磁性膜１，（３）Ｃｕ膜による非磁性中間膜
１，（４）ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅＢ積層膜からなる強磁性
膜２，（５）Ｔｉ膜による非磁性中間膜２，（６）Ｆｅ
Ｎ膜による軟磁性膜が電気的に接合することによって構
成されている．（７）はＡｕあるいはＷ膜からなる引き
出し導体層，（８）−ａ，ｂはＮｉＦｅからなる磁気シ
ールドである．この場合，硬磁性膜１（２）の膜厚は２
０Å，非磁性中間膜１（３）の膜厚は３２Å，強磁性膜
２（４）の膜厚は４５Å，非磁性中間膜２（５）の膜厚
は７５Å，軟磁性膜（６）の膜厚は２０Åである．引き
出し導体膜（７）は、ＳＶ素子の長手方向に対して所定
幅で切除されて素子両端で素子に接合している．硬磁性
膜１（２），非磁性中間膜１（３），強磁性膜２
（４），非磁性中間膜２（５），軟磁性膜（６），引き
出し導体層（７）は２つの磁気シールド（８）−ａ，ｂ
の間（再生ギャップに相当）に配置されるが，非磁性絶
縁層を介して磁気シールド（８）−ａ，ｂと電気的に絶
縁されている．本発明の磁気抵抗効果型ヘッドに，硬磁
性膜１の磁化方向とセンス電流磁界の方向が逆方向とな
るようにセンス電流を流した場合の，図８（ｂ）は外部
磁界がない場合の各磁性膜の磁化の向き，図９（ａ）は
再生波形，再生出力，非対称性，図９（ｂ）は媒体磁界
印加に伴う強磁性膜２の磁化の振れである．従来例と同
様に，非対称性を改善するため，硬磁性膜１の磁化方向
はコア幅方向に対して８０°となっている．このよう
に，非磁性中間膜２，軟磁性膜をさらに積層することに
よって，再生出力，非対称性が改善する．これは，強磁
性膜２の磁化方向はコア幅方向に対して＋４度となり，
従来よりも磁化方向が水平に近くなるためである．今回
の実施例では反強磁性膜に用いる反強磁性体としてＰｄ
ＰｔＭｎを用いたが，ＮｉＭｎ，ＮｉＯ，ＩｒＭｎ，Ｒ
ｈＭｎ，ＰｔＭｎ，ＣｒＭｎ等のそれ以外の反強磁性体
を用いてもよい．また，今回の実施例では強磁性膜１，
２はそれぞれ，ＣｏＦｅＢ膜，ＣｏＦｅＢ／ＮｉＦｅ積
層膜を用いたが，ＣｏＦｅＢ膜，ＣｏＦｅ膜，ＣｏＦｅ
／ＮｉＦｅ積層膜，Ｃｏ／ＮｉＦｅＣｒ膜といったＣｏ
系合金膜，Ｃｏ系合金／ＮｉＦｅ系合金積層膜のような
強磁性膜，強磁性積層膜を用いてもよい．また，今回の
実施例では軟磁性膜としてＮｉＦｅＣｒ，ＦｅＮを用い
たが，それ以外の軟磁性体，たとえば，ＮｉＦｅに添加
元素としてＴｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｌ，Ｉｒ等の１種または２種加えた
合金，あるいは，ＦｅＮに添加元素としてＴｉ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ａｌ，Ｉｒ等の１種または２種加えた合金を用いてもよ
い．また，今回の実施例では，非磁性中間膜２としてＴ
ｉ，Ｔａといった非磁性体を用いたが，それ以外にも，
ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等の非磁性体をもちいてもよい．
また，今回の実施例では，硬磁性膜１とてα−Ｆｅ３Ｏ
３／ＣｏＦｅＢ積層膜を用いたが，反強磁性体／強磁性
体の積層膜や，ＣｏＣｒといったそれ以外の硬磁性膜を
用いてもよい．また，今回の実施例では磁気抵抗効果素
子を「反強磁性膜／強磁性膜１／非磁性中間膜１／強磁
性膜２／非磁性中間膜２／軟磁性膜」または「軟磁性膜
／非磁性中間膜２／硬磁性膜１／非磁性中間膜１／強磁
性膜２」という順で積層したが，逆の積層である「軟磁
性膜／非磁性中間膜２／強磁性膜２／非磁性中間膜１／
強磁性膜１／反強磁性膜」，「強磁性膜２／非磁性中間
膜１／強磁性膜１／反強磁性膜／非磁性中間膜２／軟磁
性膜」，「軟磁性膜／非磁性中間膜２／強磁性膜２／非
磁性中間膜１／硬磁性膜」または「強磁性膜２／非磁性
中間膜１／硬磁性膜／非磁性中間膜２／軟磁性膜」とい
う構造にしてもよい．
果型ヘッドを示す要部斜視図であり、図１（ｂ）は、各
強磁性膜の磁化方向を示す図である。図２（ａ）は、図
１の磁気抵抗効果型ヘッドの再生波形であり、図２
（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化の触れを示す。図３
（ａ）は、第１実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの斜
視図であり、図３（ｂ）は、磁気抵抗効果素子の膜構造
（材料及び厚さ）を示す。図４（ａ）は、ＮｉＦｅＣｒ
下地膜のＣｒ量と、飽和磁束密度Ｂｓの関係を示すグラ
フであり、図４（ｂ）は、Ｃｒ量と比抵抗ρの関係を示
すグラフであり、図４（ｃ）は、Ｃｒ量と、単位膜厚当
たりの抵抗変化率の関係を示すグラフである。図４
（ｃ）によれば、単位膜厚当たりの抵抗変化率は、Ｃｒ
量が１〜９．４ａｔ％の時良好である。図５は、センス
電流の大きさと、外部磁界が無い時のフリー層の角度の
関係を、ＮｉＦｅＣｒ層（バイアス制御層ＢＣＬ）の厚
さをパラメータとして示したグラフである。図６（ａ）
は、第２実施例の電気抵抗効果型ヘッドを示す要部斜視
図であり、図６（ｂ）は、各強磁性膜の磁化方向を示す
図である。図７（ａ）は、図６の磁気抵抗効果型ヘッド
の再生波形であり、図７（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁
化の触れを示す。図６（ａ）は本発明の磁気抵抗効果型
ヘッドの要部断面図である．矩型のＳＶ素子は，（１）
ＰｄＰｔＭｎ膜からなる反強磁性膜，（２）ＣｏＦｅＢ
膜からなる強磁性膜１，（３）Ｃｕ膜による非磁性中間
膜１，（４）ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅＢ積層膜からなる強磁
性膜２，（５）Ｔａ膜による非磁性中間膜２，（６）Ｎ
ｉＦｅＣｒ膜による軟磁性膜が電気的に接合することに
よって構成されている．（７）はＡｕあるいはＷ膜から
なる引き出し導体層，（８）−ａ，ｂはＮｉＦｅからな
る磁気シールドである．この場合，強磁性膜１（２）の
膜厚は２０Å，非磁性中間膜１（３）の膜厚は３２Å，
強磁性膜２（４）の膜厚は４５Å，非磁性中間膜２
（５）の膜厚は７５Å，軟磁性膜（６）の膜厚は４０Å
である．引き出し導体膜（７）は，ＳＶ素子の長手方向
に対して所定幅で切除されて素子両端で素子に接合して
いる．反強磁性層（１），強磁性膜１（２），非磁性中
間膜１（３），強磁性膜２（４），非磁性中間膜２
（５），軟磁性膜（６），引き出し導体層（７）は２つ
の磁気シールド（８）−ａ，ｂの間（再生ギャップに相
当）に配置されるが，非磁性絶縁層を介して磁気シール
ド（８）−ａ，ｂと電気的に絶縁されている．本発明の
磁気抵抗効果型ヘッドに，強磁性膜１の磁化方向とセン
ス電流磁界の方向が同方向となるようにセンス電流を流
した場合の、図６（ｂ）は外部磁界がない場合の各磁性
膜の磁化の向き，図７（ａ）は再生波形，再生出力，非
対称性，図７（ｂ）は媒体磁界印加に伴う強磁性膜２の
磁化の振れである．従来例と同様に，非対称性を改善す
るため，強磁性膜１の磁化方向はコア幅方向に対して８
０°となっている．このように，非磁性中間膜２，軟磁
性膜をさらに積層することによって，再生出力，非対称
性が改善する．これは，強磁性膜２の磁化方向はコア幅
方向に対して＋６度となり，従来よりも磁化方向が水平
に近くなるためである．また，図１０は非磁性中間膜２
の比抵抗が変化した場合の再生出力の変化を示したグラ
フである．信頼性良くデータを再生するためには，再生
出力が６００μＶｐｐ以上必要である．このため，非磁
性中間膜２の比抵抗は１００μΩｃｍ以上である必要が
ある．図８（ａ）は、第３実施例の磁気抵抗効果型ヘッ
ドを示す要部斜視図であり、図８（ｂ）は、各強磁性膜
の磁化方向を示す図である。図９（ａ）は、図８の磁気
抵抗効果型ヘッドの再生波形であり、図９（ｂ）は、フ
リー強磁性膜の磁化の触れを示す。図８（ａ）は本発明
の磁気抵抗効果型ヘッドの要部断面図である．矩形のＳ
Ｖ素子は，（２）α−Ｆｅ２Ｏ３／ＣｏＦｅＢ積層膜か
らなる硬磁性膜１，（３）Ｃｕ膜による非磁性中間膜
１，（４）ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅＢ積層膜からなる強磁性
膜２，（５）Ｔｉ膜による非磁性中間膜２，（６）Ｆｅ
Ｎ膜による軟磁性膜が電気的に接合することによって構
成されている．（７）はＡｕあるいはＷ膜からなる引き
出し導体層，（８）−ａ，ｂはＮｉＦｅからなる磁気シ
ールドである．この場合，硬磁性膜１（２）の膜厚は２
０Å，非磁性中間膜１（３）の膜厚は３２Å，強磁性膜
２（４）の膜厚は４５Å，非磁性中間膜２（５）の膜厚
は７５Å，軟磁性膜（６）の膜厚は２０Åである．引き
出し導体膜（７）は、ＳＶ素子の長手方向に対して所定
幅で切除されて素子両端で素子に接合している．硬磁性
膜１（２），非磁性中間膜１（３），強磁性膜２
（４），非磁性中間膜２（５），軟磁性膜（６），引き
出し導体層（７）は２つの磁気シールド（８）−ａ，ｂ
の間（再生ギャップに相当）に配置されるが，非磁性絶
縁層を介して磁気シールド（８）−ａ，ｂと電気的に絶
縁されている．本発明の磁気抵抗効果型ヘッドに，硬磁
性膜１の磁化方向とセンス電流磁界の方向が逆方向とな
るようにセンス電流を流した場合の，図８（ｂ）は外部
磁界がない場合の各磁性膜の磁化の向き，図９（ａ）は
再生波形，再生出力，非対称性，図９（ｂ）は媒体磁界
印加に伴う強磁性膜２の磁化の振れである．従来例と同
様に，非対称性を改善するため，硬磁性膜１の磁化方向
はコア幅方向に対して８０°となっている．このよう
に，非磁性中間膜２，軟磁性膜をさらに積層することに
よって，再生出力，非対称性が改善する．これは，強磁
性膜２の磁化方向はコア幅方向に対して＋４度となり，
従来よりも磁化方向が水平に近くなるためである．今回
の実施例では反強磁性膜に用いる反強磁性体としてＰｄ
ＰｔＭｎを用いたが，ＮｉＭｎ，ＮｉＯ，ＩｒＭｎ，Ｒ
ｈＭｎ，ＰｔＭｎ，ＣｒＭｎ等のそれ以外の反強磁性体
を用いてもよい．また，今回の実施例では強磁性膜１，
２はそれぞれ，ＣｏＦｅＢ膜，ＣｏＦｅＢ／ＮｉＦｅ積
層膜を用いたが，ＣｏＦｅＢ膜，ＣｏＦｅ膜，ＣｏＦｅ
／ＮｉＦｅ積層膜，Ｃｏ／ＮｉＦｅＣｒ膜といったＣｏ
系合金膜，Ｃｏ系合金／ＮｉＦｅ系合金積層膜のような
強磁性膜，強磁性積層膜を用いてもよい．また，今回の
実施例では軟磁性膜としてＮｉＦｅＣｒ，ＦｅＮを用い
たが，それ以外の軟磁性体，たとえば，ＮｉＦｅに添加
元素としてＴｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｌ，Ｉｒ等の１種または２種加えた
合金，あるいは，ＦｅＮに添加元素としてＴｉ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ａｌ，Ｉｒ等の１種または２種加えた合金を用いてもよ
い．また，今回の実施例では，非磁性中間膜２としてＴ
ｉ，Ｔａといった非磁性体を用いたが，それ以外にも，
ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等の非磁性体をもちいてもよい．
また，今回の実施例では，硬磁性膜１とてα−Ｆｅ３Ｏ
３／ＣｏＦｅＢ積層膜を用いたが，反強磁性体／強磁性
体の積層膜や，ＣｏＣｒといったそれ以外の硬磁性膜を
用いてもよい．また，今回の実施例では磁気抵抗効果素
子を「反強磁性膜／強磁性膜１／非磁性中間膜１／強磁
性膜２／非磁性中間膜２／軟磁性膜」または「軟磁性膜
／非磁性中間膜２／硬磁性膜１／非磁性中間膜１／強磁
性膜２」という順で積層したが，逆の積層である「軟磁
性膜／非磁性中間膜２／強磁性膜２／非磁性中間膜１／
強磁性膜１／反強磁性膜」，「強磁性膜２／非磁性中間
膜１／強磁性膜１／反強磁性膜／非磁性中間膜２／軟磁
性膜」，「軟磁性膜／非磁性中間膜２／強磁性膜２／非
磁性中間膜１／硬磁性膜」または「強磁性膜２／非磁性
中間膜１／硬磁性膜／非磁性中間膜２／軟磁性膜」とい
う構造にしてもよい．
【発明の効果】本発明によれば，反強磁性膜に接合した
強磁性膜または硬磁性膜によって生じる磁界を打ち消す
ための軟性膜を磁気抵抗効果膜の近傍に設けることによ
って，磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力，非対称性を向
上することが可能になる．
強磁性膜または硬磁性膜によって生じる磁界を打ち消す
ための軟性膜を磁気抵抗効果膜の近傍に設けることによ
って，磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力，非対称性を向
上することが可能になる．
【図１】図１（ａ）は、従来の磁気抵抗効果型ヘッドを
示す要部斜視図であり、図１（ｂ）は、各強磁性膜の磁
化方向を示す図である。
示す要部斜視図であり、図１（ｂ）は、各強磁性膜の磁
化方向を示す図である。
【図２】図２（ａ）は、図１の磁気抵抗効果型ヘッドの
再生波形であり、図２（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
再生波形であり、図２（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
【図３】図３（ａ）は、第１実施例による磁気抵抗効果
型ヘッドの斜視図であり、図３（ｂ）は、磁気抵抗効果
素子の膜構造（材料及び厚さ）を示す。
型ヘッドの斜視図であり、図３（ｂ）は、磁気抵抗効果
素子の膜構造（材料及び厚さ）を示す。
【図４】図４（ａ）は、ＮｉＦｅＣｒ下地膜のＣｒ量
と、飽和磁束密度Ｂｓの関係を示すグラフであり、図４
（ｂ）は、Ｃｒ量と比抵抗ρの関係を示すグラフであ
り、図４（ｃ）は、Ｃｒ量と、単位膜厚当たりの抵抗変
化率の関係を示すグラフである。
と、飽和磁束密度Ｂｓの関係を示すグラフであり、図４
（ｂ）は、Ｃｒ量と比抵抗ρの関係を示すグラフであ
り、図４（ｃ）は、Ｃｒ量と、単位膜厚当たりの抵抗変
化率の関係を示すグラフである。
【図５】図５は、センス電流の大きさと、外部磁界が無
い時のフリー層の角度の関係を、ＮｉＦｅＣｒ層（バイ
アス制御層ＢＣＬ）の厚さをパラメータとして示したグ
ラフである。
い時のフリー層の角度の関係を、ＮｉＦｅＣｒ層（バイ
アス制御層ＢＣＬ）の厚さをパラメータとして示したグ
ラフである。
【図６】図６（ａ）は、第２実施例の磁気抵抗効果型ヘ
ッドを示す要部斜視図であり、図６（ｂ）は、各強磁性
膜の磁化方向を示す図である。
ッドを示す要部斜視図であり、図６（ｂ）は、各強磁性
膜の磁化方向を示す図である。
【図７】図７（ａ）は、図６の磁気抵抗効果型ヘッドの
再生波形であり、図７（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
再生波形であり、図７（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
【図８】図８（ａ）は、第３実施例の磁気抵抗効果型ヘ
ッドを示す要部斜視図であり、図８（ｂ）は、各強磁性
膜の磁化方向を示す図である。
ッドを示す要部斜視図であり、図８（ｂ）は、各強磁性
膜の磁化方向を示す図である。
【図９】図９（ａ）は、図８の磁気抵抗効果型ヘッドの
再生波形であり、図９（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
再生波形であり、図９（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は、従来の磁気抵抗効果型ヘッドを
示す要部斜視図であり、図１（ｂ）は、各強磁性膜の磁
化方向を示す図である。
示す要部斜視図であり、図１（ｂ）は、各強磁性膜の磁
化方向を示す図である。
【図２】図２（ａ）は、図１の磁気抵抗効果型ヘッドの
再生波形であり、図２（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
再生波形であり、図２（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
【図３】図３（ａ）は、第１実施例による磁気抵抗効果
型ヘッドの斜視図であり、図３（ｂ）は、磁気抵抗効果
素子の膜構造（材料及び厚さ）を示す。
型ヘッドの斜視図であり、図３（ｂ）は、磁気抵抗効果
素子の膜構造（材料及び厚さ）を示す。
【図４】図４（ａ）は、ＮｉＦｅＣｒ下地膜のＣｒ量
と、飽和磁束密度Ｂｓの関係を示すグラフであり、図４
（ｂ）は、Ｃｒ量と比抵抗ρの関係を示すグラフであ
り、図４（ｃ）は、Ｃｒ量と、単位膜厚当たりの抵抗変
化率の関係を示すグラフである。
と、飽和磁束密度Ｂｓの関係を示すグラフであり、図４
（ｂ）は、Ｃｒ量と比抵抗ρの関係を示すグラフであ
り、図４（ｃ）は、Ｃｒ量と、単位膜厚当たりの抵抗変
化率の関係を示すグラフである。
【図５】図５は、センス電流の大きさと、外部磁界が無
い時のフリー層の角度の関係を、ＮｉＦｅＣｒ層（バイ
アス制御層ＢＣＬ）の厚さをパラメータとして示したグ
ラフである。
い時のフリー層の角度の関係を、ＮｉＦｅＣｒ層（バイ
アス制御層ＢＣＬ）の厚さをパラメータとして示したグ
ラフである。
【図６】図６（ａ）は、第２実施例の磁気抵抗効果型ヘ
ッドを示す要部斜視図であり、図６（ｂ）は、各強磁性
膜の磁化方向を示す図である。
ッドを示す要部斜視図であり、図６（ｂ）は、各強磁性
膜の磁化方向を示す図である。
【図７】図７（ａ）は、図６の磁気抵抗効果型ヘッドの
再生波形であり、図７（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
再生波形であり、図７（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
【図８】図８（ａ）は、第３実施例の磁気抵抗効果型ヘ
ッドを示す要部斜視図であり、図８（ｂ）は、各強磁性
膜の磁化方向を示す図である。
ッドを示す要部斜視図であり、図８（ｂ）は、各強磁性
膜の磁化方向を示す図である。
【図９】図９（ａ）は、図８の磁気抵抗効果型ヘッドの
再生波形であり、図９（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
再生波形であり、図９（ｂ）は、フリー強磁性膜の磁化
の触れを示す。
【図１０】図１０は、図６の磁気抵抗効果型ヘッドの再
生出力と非磁性中間膜２の比抵抗の関係を示す図であ
る。
生出力と非磁性中間膜２の比抵抗の関係を示す図であ
る。
【符号の説明】 １ 反強磁性膜 ２ 強磁性膜１ ３ 非磁性中間膜１ ４ 強磁性膜２ ５ 非磁性中間膜２ ６ 軟磁性膜 ７ 引き出し導体 ８ａ，８ｂ 磁気シールド ９ 信号検出領域
Claims (18)
- 【請求項１】磁化方向が固定された第１強磁性膜と、 磁化方向が前記第１強磁性膜の磁化方向と直行すると共
に、外部磁化を受けて自由に回転する第２強磁性膜と、 前記第１及び第２強磁性膜の間に設けられた第１非磁性
中間層と、 前記第１または第２のいずれか一方の外側に設けられた
第３強磁性膜と、 前記第１または第２のいずれか一方と前記第３強磁性膜
の間に設けられた第２非磁性中間膜と、を備え、 前記第３強磁性膜は、ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，ＦｅＮのい
ずれか一つを主成分とし、Ｂ，Ｃｒ，Ｃｒ，Ｚｒの少な
くと一つを添加することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘ
ッド。 - 【請求項２】前記第３強磁性膜は、ＮｉＦｅＣｒである
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項３】前記第３強磁性膜は、Ｃｒを１〜９．４ａ
ｔ％添加することを特徴とする請求項２に記載の磁気抵
抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】前記第３強磁性膜の厚さは、３０〜５０Å
であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果
型ヘッド。 - 【請求項５】前記第３強磁性膜の厚さは、４０Å付近で
あることを特徴とする請求項４に記載の磁気抵抗効果型
ヘッド。 - 【請求項６】前記第２非磁性中間膜は、１００μΩｃｍ
以上の比抵抗を有することを特徴とする請求項１に記載
の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項７】前記第２比磁性中間膜は、Ｔａであること
を特徴とする請求項６に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項８】基板上に、反強磁性膜、前記反強磁性膜に
より磁化方向がコア高さ方向に固定された第１強磁性
膜、第１非磁性中間膜、磁化方向がコア幅方向であると
共に、外部磁化をうけて自由に回転する第２強磁性膜、
第２非磁性中間膜、第３強磁性膜の順に積層されてなる
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項９】前記第３強磁性膜は、軟磁性膜であり、セ
ンス電流と協同して、前記第１強磁性膜の磁化方向と逆
向きに磁化されることを特徴とする請求項８に記載の磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１０】磁化方向がコア高さ方向に固定された硬
磁性膜と、 磁化方向がコア幅方向であると共に、外部磁化を受けて
自由に回転する強磁性膜と、 前記硬磁性膜と前記強磁性膜の間に設けられた第１非磁
性中間膜と、 前記硬磁性膜または前記強磁性膜のいずれか一方の外側
に設けられた軟磁性膜と、 前記硬磁性膜または前記強磁性膜のいずれか一方と前記
軟磁性膜の間に設けられた第２非磁性中間膜と、 を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１１】前記軟磁性膜は、センス電流と協同し
て、前記硬磁性膜の磁化方向と逆向きに磁化されること
を特徴とする請求項１０に記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項１２】前記軟磁性膜は、ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，
ＦｅＮのいずれか一つを主成分とし、Ｂ，Ｃｒ，Ｃｒ，
Ｚｒの少なくと一つを添加したことを特徴とする請求項
９または１１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１３】前記軟磁性膜は、ＮｉＦｅＣｒであるこ
とを特徴とする請求項１２に記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項１４】前記軟磁性膜膜は、Ｃｒを１〜９．４ａ
ｔ％添加することを特徴とする請求項１３に記載の磁気
抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１５】前記軟磁性膜の厚さは、３０〜５０Åで
あることを特徴とする請求項１２に記載の磁気抵抗効果
型ヘッド。 - 【請求項１６】前記軟磁性膜の厚さは、４０Å付近であ
ることを特徴とする請求項１２に記載の磁気抵抗効果型
ヘッド。 - 【請求項１７】前記第２非磁性中間膜は、１００μΩｃ
ｍ以上の比抵抗を有することを特徴とする請求項１２に
記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１８】前記第２比磁性中間膜は、Ｔａであるこ
とを特徴とする請求項１７に記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9306305A JPH11110720A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| CN98119406A CN1213816A (zh) | 1997-10-01 | 1998-09-30 | 磁阻头 |
| KR1019980040877A KR19990036719A (ko) | 1997-10-01 | 1998-09-30 | 자기저항 효과형 헤드 |
| DE19844887A DE19844887A1 (de) | 1997-10-01 | 1998-09-30 | Magnetoresistiver Kopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9306305A JPH11110720A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11110720A true JPH11110720A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17955513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9306305A Pending JPH11110720A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6108177A (en) * | 1998-11-19 | 2000-08-22 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction structure with FeX ferromagnetic layers |
| KR100379981B1 (ko) * | 1999-12-06 | 2003-04-11 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 스핀밸브형 자기저항효과 소자 및 그것을 구비한박막자기헤드와 그들의 제조방법 |
| US6788501B2 (en) | 2002-09-24 | 2004-09-07 | International Business Machines Corporation | GMR read head having a pinned layer with an active portion oxidized to reduce the magnetic moment thereof |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1997
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1998
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- 1998-09-30 KR KR1019980040877A patent/KR19990036719A/ko active IP Right Grant
- 1998-09-30 DE DE19844887A patent/DE19844887A1/de not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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|---|---|
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| DE19844887A1 (de) | 1999-04-08 |
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