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JPS5928588A - 亜鉛―臭素二次電池 - Google Patents

亜鉛―臭素二次電池

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Publication number
JPS5928588A
JPS5928588A JP57137358A JP13735882A JPS5928588A JP S5928588 A JPS5928588 A JP S5928588A JP 57137358 A JP57137358 A JP 57137358A JP 13735882 A JP13735882 A JP 13735882A JP S5928588 A JPS5928588 A JP S5928588A
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JP
Japan
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zinc
inhibitor
dendrite
quaternary ammonium
ammonium salt
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JP57137358A
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Yasuo Ando
保雄 安藤
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Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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    • H01M10/365Zinc-halogen accumulators
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
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    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、亜鉛を活物質として用うる二次電池や、亜鉛
の電気メッキにおいて、亜鉛樹枝状結晶(デンドライト
)の生成を抑制し、亜鉛の平滑な電着面を得るための亜
鉛デンドライト抑制剤に関するものである。
第1図は、本発明に係る亜鉛デンドラ−f )抑制剤が
使用される亜鉛−ハロゲンW、 l’l’l液循環型二
次電池の基本構成図である。この電池は、単セル1を隔
膜(セパレータ)2Vr、よって仕切って、その両側に
陽極室3と陰極室4とを形成し、陽極室6内に陽極5を
配置し、陰極室4内に陰極(亜鉛電極)6を配置して構
成されている。陽極室6内には、陽極液貯蔵槽7から陽
極液(例えばZn13r2 +13r2)がポンプ9K
J1.つて循環し、また、陰極室4には、陰極液貯蔵槽
8から陰極液(例えばZn13r2)がポンプtoi、
r、つて循環している。なお、11.12はパルプで充
放電時に開かれる。
このような亜鉛[極を有する二次電池においては、充電
時、種々の原因VCよって陰極側に亜鉛が樹枝状結晶(
デンドライト)を以って析出、生成する。これは、次第
に生長し;第2図圧示すように隔膜2を破シ、対極と短
絡したシ、電極表面から脱落し、充電時の電流密度分布
を不均一とし、電池エネルギー効率を低下させるととも
に、電池カ命を短かくさせる原因となっている。また、
亜鉛を電析させるメッキにおいても、デンドライトの析
出は、亜鉛の平滑な電着面を得るうえで障害となってい
る。
それ故に、デンドライトの生成を抑制するために従来、
二次電池では電解液への界面活性剤、無機イオンの添加
等0n々の試みがなされている。また、メッキでは、多
くの場合シアン等を添加している。
1−かじながら、このような物質の添加は、面1薬品(
生、高電流密度、高電気量πおける電着亜鉛の平?)!
性に問題が多く、満足できるものでなかった。
ここにおいて、本発明は、デンドライトの析出を効果的
に抑制することのできる抑制剤を提供しようとするもの
である。
本発明に係る亜鉛デンドライト抑制剤は、鉛。
錫、カドミウム及び第4級アンモニウム塩を所定量含有
することを特徴としている。
第1表は、第4級アンモニウム塩を含有する亜鉛電解液
に、鉛(pb)、錫(Sn)、カドミウム(Cd)を所
定■添加し混合し、デンドライトの抑制効果を調べ1こ
実験結果である。なお、第4級アンモニラ1 + ■(瀧−N −R4 J(。
(D jtJt mをもっており、R11〜B、4はア
ルキル基、ベンジA’MIフェニル基等である。また、
この他に、複素環式4級アンモニウム塩であるモルホリ
ン。
ピベリジンコ、ピロリジン等も含む。この実験では、3
mat/を臭化亜鉛、Pi−J2.5.40 mh/c
d 、 8時間充電の結果である。
ここで、NY価Aは平滑、デンドライトIc t、、B
は凸凹あり、デンドライト微少、(シは微少デンドライ
ト冬瓜発生、Dはデンドライト多量をそれぞれ示してい
る。
以上の結果から、第4級アンモニウム塩と、鉛。
錫、カドミウムを適当量混合し、電解液に添加すること
によって、デンドライトの析出を効果的に抑制し、平滑
で、かつ金属光沢を有する亜鉛電着面が得られることが
認められた。
また、40 mA/cA 、 6時間の充放電ザイクル
デストを行なったところ、Pb 、 Sn 、Cdとも
各5×1叶’no17を添加の場合、20サイクルを超
える実験しτおいても亜鉛′fUt着面は平滑で、金属
光沢を有するものであつプこ。
Ifお、Pb、Sn、Cdを加えないものは、1す゛イ
クル目から微少のデンドライトを生じ、!極からの脱落
などで、3サイクル目で陰極、陽極間の短絡を牛じた。
したがって、この結果からも、 Pb、Sn、(支)の
添加が二次電池に対して特に有効であることがわかった
第2表1”1、i〕b 、 Sn 、Cd 各5xID
  mo//l、メチルエチルモルポリニウムブロマイ
ド111104μ添加で、電流密度を変化させた場合の
デンドライト抑制効果を調べた結果である。充電M、気
量は240mAl1/Jである。
第2表 この実験結果から、高電流密度でも十分デンドライト抑
制が行なえることが確認された。
第3表は、第4級アンモニウム塩、 Pb、Sn、Cd
のそれぞれの効果濃度な示しブこものである。
以上説明したよ+3に、本発明に係る抑制剤を使用する
ことによつ゛〔、高1π流密度においてもデンドライト
の析出を効果的に抑制することかでき、平滑で、金屑光
沢のある亜鉛電着面を得ることができる。また、この抑
制剤は、金属イオン及び第4級アンモニウム塩を含有す
るものであるため、分解等の可能四がない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る亜鉛デンドライト抑制剤が使用さ
れる亜鉛−)・ロゲンニ次電池の基本構成図、第2図は
デンドライト析出の様子′?i?説明するための説明図
である。 1・・・単セル、2・・・セパレータ、5,6・・・I
M、 極代ザ人 弁理士 木 村 三 朗 第1図 第    図 1、小1′1のノゼ示 %願IJ(457−137358号 2、発明の名称 亜鉛デンドライト抑制剤 3、  tIlill  を・1′ る と・11凸と
の閉1t  特 許  1申IηC1人ン’l   I
:+ (代?’、)(610)  株式会社 明電舎4、代用
1人 (発3>: l l  昭和57ず1”:11JI30
11)6.1山11の文、1象 図面 ?+IIf認1面 第2図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)亜鉛を電析させるための電解液に、鉛、錫。 カドミウム及び第4級アンモニウム塩を所定員混合し添
    加したことを特徴とする亜鉛デンドライト抑制剤。
  2. (2)濃度範囲が、鉛イオン1叶” mo1μ以上、錫
    イオン10−’ mal/1以上、カドミウムイオン0
    〜10”mal/l 、第4級ア2モニウム塩10−’
    mot/を以上のものを用いる特許請求の範囲第1項記
    載の亜鉛デンドライト抑制剤。
JP57137358A 1982-08-09 1982-08-09 亜鉛―臭素二次電池 Granted JPS5928588A (ja)

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JP57137358A JPS5928588A (ja) 1982-08-09 1982-08-09 亜鉛―臭素二次電池
CA000433534A CA1228325A (en) 1982-08-09 1983-07-29 Zinc dendrite inhibitor
DE8383304448T DE3369603D1 (en) 1982-08-09 1983-08-01 Zinc dendrite inhibitor
EP83304448A EP0101239B1 (en) 1982-08-09 1983-08-01 Zinc dendrite inhibitor
US06/521,373 US4479856A (en) 1982-08-09 1983-08-08 Zinc dendrite inhibitor

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JPH0441473B2 JPH0441473B2 (ja) 1992-07-08

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