Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JPH11284296A - 配線基板 - Google Patents

配線基板

Info

Publication number
JPH11284296A
JPH11284296A JP24091098A JP24091098A JPH11284296A JP H11284296 A JPH11284296 A JP H11284296A JP 24091098 A JP24091098 A JP 24091098A JP 24091098 A JP24091098 A JP 24091098A JP H11284296 A JPH11284296 A JP H11284296A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring layer
weight
wiring board
parts
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24091098A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoji Furukubo
洋二 古久保
Hideto Yonekura
秀人 米倉
Tetsuya Kimura
哲也 木村
Kenichi Nagae
謙一 永江
Masaya Kokubu
正也 國分
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP24091098A priority Critical patent/JPH11284296A/ja
Publication of JPH11284296A publication Critical patent/JPH11284296A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】銅配線層とガラスセラミックスからなる絶縁基
板を同時焼成しても、配線層の導体抵抗を上昇させるこ
となく、しかも配線層とガラスセラミックスとの濡れ性
を向上せしめ接着強度の高い配線基板を提供する。 【解決手段】ガラスセラミックスからなる絶縁基板2の
表面及び/または内部にCuを主成分とするメタライズ
配線層3を被着形成してなる配線基板1において、メタ
ライズ配線層3がCu100重量部に対して、Niおよ
び/またはFeをNiOあるいはFeO換算で1〜10
重量部、さらにアルカリ金属、アルカリ土類金属含有化
合物のうちの少なくとも1種を酸化物換算で0.1〜3
重量部の割合で含有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスセラミック
スからなる単板又は積層構造の配線基板に、該基板と同
時焼成して形成されたCuを主成分とするメタライズ配
線層を形成してなる配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、配線基板においては、高周波回路
の対応性、高密度化、高速化が要求され、アルミナ系セ
ラミック材料に比較して低い誘電率が得られ、配線層の
低抵抗化が可能な低温焼成配線基板が一層注目されてい
る。この低温焼成配線基板は、ガラスセラミックスから
なる絶縁基板に、該基板と同時焼成して形成された銅、
金、銀などの低抵抗金属を主体とするメタライズ配線層
を施した配線基板が知られている。このような配線基板
は、ガラスセラミック組成物からなるシート状成形体に
上記低抵抗金属粉末を含む導体ペーストを印刷した後、
800〜1000℃で同時に焼成して作製される。
【0003】また、この低温焼成配線基板は、配線層の
低抵抗化、絶縁基板の低誘電率、低誘電損失化によっ
て、半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ
等の配線基板、携帯電話やパーソナルハンディホンシス
テム、各種衛星通信用に使用される高周波用多層配線基
板などのあらゆる分野への応用が進められている。
【0004】低温焼成配線基板に用いる低抵抗の配線層
としては、金系ではコスト的に高く、銀系ではマイグレ
ーションが発生する等の問題から用途などが限定される
のに対して、銅系材料では焼成処理を窒素雰囲気で行う
必要があるものの、配線基板の高密度化、配線基板中の
回路の高周波化の要求に充分応えることが出来ることか
ら銅系材料が配線層を形成するための材料の主流となっ
ている。
【0005】ガラスセラミックスからなる絶縁基板の表
面及び/または内部にCuを主成分とするメタライズ配
線層を形成する具体的方法としては、ガラスセラミック
原料粉末、有機バインダーに溶剤を添加して調製したス
ラリーをドクターブレード法などによってシート状に形
成し、得られたグリーンシートに貫通孔を打ち抜き加工
し、該貫通孔にCuを主成分とする導体ペーストを充填
し手ビアホール導体を形成し、同時にグリーンシート上
にCuを主成分とする導体ペーストを配線パターン状に
スクリーン印刷法などで印刷形成し、配線パターンやビ
アホール導体が形成されたグリーンシートを複数枚加圧
積層し、800〜1000℃で焼成することにより作製
されている。
【0006】また、前記Cuを主成分とする導体ペース
トは、ガラスセラミックスとの濡れ性が充分でなく、形
成された配線導体とガラスセラミック磁器との接着強度
が低く、ピンあるいはボール付け用のパッド部等、高い
接着強度を要求される部分では熱的、機械的な応力が加
わると剥離しやすいという問題があるため、接着強度を
改善するために、Cuを主成分とする導体ペーストにN
iを添加することが特開平6−104567号にて提案
されている。また、同様にCuを主成分とする導体ペー
ストにFeOを添加しアルミナ等セラミック基板との接
着強度を高める手法も特開昭63−131405号にて
提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Cuを
主成分とする導体に対して特開平6−104567号お
よび特開昭63−131405号にて提案されるよう
な、助剤的成分としてNiやFeを添加した組成物をガ
ラスセラミックスのメタライズ配線層として用いると、
ガラスセラミックスとの接着強度の向上はできるもの
の、焼成時にCuとNi、Feが合金化し配線層の導体
抵抗が上昇してしまうという課題があった。
【0008】本発明は、前記課題を解消せんとしてなさ
れたもので、その目的は、Niおよび/またはFeを含
有する銅配線層とガラスセラミックスからなる絶縁基板
を同時焼成しても、配線層の導体抵抗を上昇させること
なく、しかも配線層とガラスセラミックスとの濡れ性を
向上せしめ接着強度の高い配線基板を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題に対して検討を重ねた結果、ガラスセラミックスから
なる絶縁基板に対して形成するCuを主成分とするメタ
ライズ配線層中に、Niおよび/またはFeの金属また
は酸化物(Ni、NiO、Fe、FeO、Fe2 3
とともに、所定量のアルカリ金属、アルカリ土類金属含
有化合物のうちの少なくとも1種を含有せしめることに
より、メタライズ配線層中のCuとNiおよび/または
Feの合金化を阻害し、配線層の導体抵抗を上昇させる
ことなく、しかも配線層とガラスセラミックスとの濡れ
性を良好にし接着強度を大きくできることを知見した。
【0010】即ち、本発明の配線基板は、ガラスセラミ
ックスからなる絶縁基板の表面及び/または内部にCu
を主成分とするメタライズ配線層を被着形成してなる配
線基板において、前記メタライズ配線層がCu100重
量部に対して、Niおよび/またはFeをNiOあるい
はFeO換算で1〜10重量部、さらにアルカリ金属、
アルカリ土類金属含有化合物のうちの少なくとも1種を
酸化物換算で0.1〜3重量部の割合で含有することを
特徴とするものである。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の配線基板の一実施
態様について図面に基づいて説明する。なお、説明では
複数のガラスセラミック絶縁層からなる多層配線基板を
用いて説明する。
【0012】本発明の配線基板1によれば、絶縁基板2
は、複数のガラスセラミック絶縁層2a〜2dを積層し
た積層体から構成され、その絶縁層2a〜2d間および
絶縁基板2表面には、厚みが5〜25μm程度のCuを
主成分とするメタライズ配線層3が被着形成されてい
る。また、絶縁基板2内には、絶縁層2a〜2dの厚み
方向を貫くように形成された直径が80〜200μm程
度のビアホール導体4が形成され、メタライズ配線層3
と電気的に接続している。
【0013】絶縁基板2は、少なくともSiO2 を含有
するガラス、あるいはSiO2 を含有するガラスとフィ
ラーとの複合材料からなるガラスセラミックスからな
る。具体的には、用いられるガラス成分としては、少な
くともSiO2 を含む複数の金属酸化物から構成される
非晶質ガラスあるいは焼成後にコージェライト、ムライ
ト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイ
ト、ウィレマイト、ドロマイト、リチウムシリケートや
その置換誘導体の結晶を析出する結晶化ガラス等によっ
て構成される。強度を向上させる上では結晶化ガラスが
望ましい。
【0014】ガラスを構成する成分としては、SiO2
以外にLi2 O、K2 O、Na2 Oなどのアルカリ金属
酸化物、CaO、MgOなどのアルカリ土類金属酸化
物、Al2 3 、P2 5 、ZnO、B2 3 、PbO
を含有するホウ珪酸ガラスなどが例示できる。また、ガ
ラスに対してフィラー成分を添加することによって強度
の向上や焼成温度の制御を行うことができる。具体的な
フィラー成分としては、クオーツ、クリストバライト、
石英、コランダム(α−アルミナ)、ムライト、コージ
ェライト、フォルステライトなどが例示できる。ガラス
成分とフィラー成分とは、ガラス成分が30〜70重量
部、フィラー成分が70〜30重量部からなることが適
切である。
【0015】メタライズ配線層3は、Cuを主成分とす
るものであるが、本発明によればCu100重量部に対
して、Niおよび/またはFeをNiOあるいはFeO
換算で1〜10重量部、かつアルカリ金属、アルカリ土
類金属含有化合物のうちの少なくとも1種を酸化物換算
で0.1〜3重量部の割合で含有することが大きな特徴
である。
【0016】Niおよび/またはFeは、メタライズ金
属層3中において、金属(Ni、Fe)、NiとFeと
の合金または酸化物(NiO、FeO、Fe2 3 )の
形態で存在することが望ましい。
【0017】また、Niおよび/またはFeを上記の比
率にしたのは1重量部未満の場合、メタライズ配線層か
らガラスセラミック基板へのNiおよび/またはFeの
拡散量が少なくなり、メタライズ配線層とガラスセラミ
ック基板の接着強度が弱くなるためであり、逆に10重
量部を超える場合、CuとNiおよび/またはFeの合
金化が進み導体抵抗が大きくなるためである。Niおよ
び/またはFe量は、特に3〜7重量部が望ましい。
【0018】さらに、アルカリ金属またはアルカリ土類
金属含有化合物としては、具体的には、Li、Na、
K、Mg、Ca、Ba、Srの酸化物あるいは他の化合
物との複合材料、例えばシリケート、フォルステライ
ト、エンスタタイト、コージェライト、スピネル、アノ
ーサイト等が例示できるが、これらの中でも特にアルカ
リ土類含有化合物、さらにはMg含有化合物が望まし
い。
【0019】また、アルカリ金属、アルカリ土類金属含
有化合物の量を上記の割合にしたのは0.1重量部未満
の場合、CuとNiおよび/またはFeの合金化が進
み、その結果メタライズ配線層の導体抵抗が大きくなる
ためであり、また3重量部を超える場合、Cu自体の焼
結を阻害しメタライズ配線層とガラスセラミック基板の
接着強度が低下するとともに、導体抵抗が増大するため
である。アルカリ金属、アルカリ土類金属含有化合物の
量は0.5〜1.5重量部が特に望ましい。
【0020】また、多層配線基板の表面のメタライズ配
線層3は、ICチップなどの各種電子部品5を搭載する
ためのパッドとして、あるいはシールド用導体膜とし
て、さらには、外部回路と接続するための電極パッドと
しても用いられ、各種電子部品5が配線層3に半田や導
電性接着剤などを介して接合される。またビアホール導
体4は、上記のメタライズ配線層3と同様な成分からな
る導体が充填されていることが望ましい。なお、図示し
ていないが、必要に応じて、配線基板の表面には、更
に、珪化タンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜
や配線保護膜などを形成しても構わない。
【0021】また、本発明における表面のメタライズ配
線層の表面には、半田ぬれ性向上のために、Ni、Au
などの金属からなるメッキ層などを適宜形成してもよ
い。
【0022】次に、本発明の配線基板を作製する方法に
ついて説明する。まず、上述したようなガラス成分、又
はガラス成分とフィラーとを混合してガラスセラミック
ス組成物を調製し、その混合物に有機バインダーなどを
加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法など
によりシート状に成形してグリーンシートを作製する。
【0023】次に、このグリーンシートの表面に導体ペ
ーストを印刷する。用いる導体ペースト中の主成分とな
るCu成分としては、Cu単体、酸化銅(Cu2 O)あ
るいはその混合物が用いられ、それらは、いずれも平均
粒径が0.5〜10μm、好ましくは3〜5μmの球状
粉末であることが望ましい。これはメタライズ配線層の
焼結挙動をガラスセラミック基板の焼結挙動を近似させ
るとともに、印刷精度の向上をはかるためである。な
お、酸化銅は窒素雰囲気で焼成されることにより実質的
にCuに還元される。
【0024】本発明によれば、この導体ペースト中にC
u100重量部に対して、Niおよび/またはFeをN
iOあるいはFeO換算で1〜10重量部、特に3〜7
重量部、さらにアルカリ金属、アルカリ土類金属含有化
合物のうちの少なくとも1種を酸化物換算で0.1〜3
重量部、特に0.5〜1.5重量部の割合で配合する。
Niおよび/またはFeの金属(Ni、Fe)、Niと
Feとの合金または酸化物(NiO、FeO、Fe2
3 )およびアルカリ金属またはアルカリ土類金属含有化
合物はいずれも平均粒径が0.1〜2μmの粉末として
添加することが望ましい。また導体ペースト中には無機
物成分以外に、アクリル樹脂などからなる有機バインダ
ーと、α−テルピネオール、ジブチルフタレート、ブチ
ルカルビトールなどの有機溶剤とを均質混合して形成さ
れる。有機バインダーは無機物成分100重量部に対し
て1〜10重量部、有機溶剤成分は5〜30重量部の割
合で混合されることが望ましい。
【0025】次に、前記ガラスセラミックグリーンシー
ト上に、上述の導体ペーストを用いてスクリーン印刷法
などにより配線パターン状に印刷する。また、ビアホー
ル導体を形成するには、グリーンシートにレーザーやマ
イクロドリル、パンチングなどにより直径50〜200
μmの貫通孔を形成し、その内部に上述の導体ペースト
を充填する。そして、配線パターンやビアホール導体が
形成されたグリーンシートを積層圧着して積層体を形成
する。
【0026】その後、この積層体を400〜800℃の
窒素雰囲気中あるいは水蒸気含有窒素雰囲気中で加熱処
理してグリーンシート内やペースト中の有機成分を分解
除去した後、800〜1000℃の窒素雰囲気中あるい
は水蒸気含有窒素雰囲気中で同時焼成することによりメ
タライズ配線層及びビアホール導体を具備する多層配線
基板を作製することができる。
【0027】また、本発明の配線基板によれば、配線基
板構造が積層構造であっても、内部のメタライズ配線層
のみを絶縁基板と同時に焼成処理し、表面のメタライズ
配線層をすでに焼成された配線基板表面に、内部配線層
と同様、CuとNiおよび/またはFeからなる導体ペ
ーストを焼き付け処理して形成しても構わない。その場
合、焼き付け処理は、窒素雰囲気中で600〜1000
℃の温度で処理することができる。
【0028】
【実施例】(実施例1)重量比率で74%SiO2 −1
4%Li2 O−4%Al2 3 −2%P2 5−2%K
2 O−2%ZnO−2%Na2 O(屈伏点480℃)の
組成のガラス40体積%に対してフィラー成分としてS
iO2 を30体積%、フォルステライトを30体積%混
合した絶縁基板用のグリーンシートに、分子量3×10
5 のアクリル系バインダーと可塑剤、分散剤、溶剤を加
えて混合してスラリーを調製し、かかるスラリーをドク
ターブレード法により厚さ平均200μmのグリーンシ
ートに成形した。
【0029】次に、平均粒径が4μmのCu粉末あるい
はCu粉末とCu2 O粉末との混合粉末のCu換算10
0重量部に対して、平均粒径が1μmのNi粉末、Ni
O粉末、平均粒径が1μmのMgCO3 粉末をNiO換
算およびMgO換算でそれぞれ表1に示す割合で秤量
し、これら無機物成分100重量部に対して有機バイン
ダーとしてアクリル樹脂を2重量部、有機溶剤としてα
−テルピネオールを15重量部添加混練し、導体ペース
トを調製した。
【0030】かくして得られた導体ペーストを前記ガラ
スセラミックグリーンシート上に接着強度を評価するサ
ンプルとして、焼成後の形状が2mm角、厚さ約15μ
mとなる銅配線用パターン状にスクリーン印刷し、その
下部にグリーンシート4枚を加圧積層した。同時に導体
抵抗を評価するサンプルとして焼成後の形状が幅100
μm、長さ50mm厚さ15μmとなる配線パターンを
形成し、その下部にグリーンシート4枚を加圧積層し
た。
【0031】次いで、この未焼成状態の配線パターンが
形成された積層体を、有機バインダーなどの有機成分を
分解除去するために、水蒸気含有窒素雰囲気中で700
℃の温度で3時間保持して脱脂した後、窒素雰囲気中で
950℃に昇温して1時間保持し配線基板を作製した。
【0032】得られた配線基板のうち、2mm角の銅配
線層に厚さ1μmのNiメッキを行い、その上に厚さ
0.1μmのAuメッキを施した後、直径0.8mmの
錫メッキ銅線を該メッキ被覆層上に基板と平行に半田付
けし、該錫メッキ銅線を基板に対して垂直方向に曲げ、
該錫メッキ導線を10mm/minの引っ張り速度で垂
直方向に引っ張り、銅配線層が破断したときの最大荷重
を銅配線層の接着強度として評価した。なお、良否の判
断としては、最大荷重が2kg/2mm□を超える場合
を良品とした。
【0033】次に、銅配線層の導体抵抗の評価について
は、幅100μm、長さ50mmの銅配線層の抵抗をデ
ジタルマルチメーターにて測定し、銅配線層の実際の
幅、長さを光学顕微鏡にて測定した後、断面を金属顕微
鏡により測定し、得られた結果から抵抗率を算出した。
なお、良否の判断としては、抵抗率が6μΩ・cm以下
を良品とした。
【0034】
【表1】
【0035】表1から明らかなように、試料No.1、
2のようにNiの含有量が1重量部未満の場合、メタラ
イズ配線層中のCuとガラスセラミック基板との濡れ性
が低下し接着強度が低下し、試料No.8のようにNi
の含有量が10重量部を超えるとCuとNiの合金化が
進み導体抵抗が上昇した。また、試料No.9のように
MgOの含有量が0.1重量部未満の場合、CuとNi
の合金化が進み導体抵抗が上昇し、試料No.15のよ
うにMgOの含有量が3重量部を超えるとCuの焼結を
阻害し接着強度が低下し、更に導体抵抗も上昇した。
【0036】しかるに、本発明の試料No.3〜7、1
0〜14、16〜19ではいずれも良好な2kg/2m
m□以上の接着強度を示し、かつ6μΩ・cm以下の低
い導体抵抗率を保持している。
【0037】(実施例2)実施例1における導体ペース
ト中のNi粉末、NiO粉末に代えて、Fe粉末、Fe
O粉末、Fe2 3 粉末を用いて表2に示す割合(Fe
O換算量)で配合する以外は、実施例1と同様の方法に
より配線基板を作製し、同様の評価を行った。結果は、
表2に示した。
【0038】
【表2】
【0039】表2から明らかなように、試料No.2
0、21のようにFeの含有量が1重量部未満の場合、
メタライズ配線層中のCuとガラスセラミック基板との
濡れ性が低下し接着強度が低下し、試料No.27のよ
うにFeの含有量が10重量部を超えるとCuとFeの
合金化が進み導体抵抗が上昇した。また、試料No.2
8のようにMgOの含有量が0.1重量部未満の場合、
CuとFeの合金化が進み導体抵抗が上昇し、試料No.
34のようにMgOの含有量が3重量部を超えるとCu
の焼結を阻害し接着強度が低下し、更に導体抵抗も上昇
した。
【0040】しかるに、本発明の試料No.22〜26、
29〜33、35〜39ではいずれも良好な2kg/2
mm□以上の接着強度を示し、かつ6μΩ・cm以下の
低い導体抵抗率を保持している。
【0041】(実施例3)実施例1における導体ペース
ト中のNi粉末を表3に示す割合(NiO換算)で加え
る以外は、実施例1と同様の方法により配線基板を作製
し、同様の評価を行った。結果は、表3に示した。
【0042】
【表3】
【0043】表3から明らかなように、試料No.44
のようにNiおよびFeの合計の含有量が10重量部を
超えるとCuとNiおよびFeの合金化が進み導体抵抗
が上昇した。また、試料No.43のようにMgOの含
有量が0.1重量部未満の場合、CuとNiおよびFe
の合金化が進み導体抵抗が上昇した。さらに、試料N
o.45のようにMgOの含有量が3重量部を越える場
合、Cuの焼結体を阻害し、接着強度が低下し、さらに
導体抵抗が上昇した。しかるに、本発明の試料No.4
0〜42ではいずれも良好な2kg/2mm□以上の接
着強度を示し、かつ6μΩ・cm以下の低い導体抵抗率
を保持している。
【0044】(実施例4)実施例1における導体ペース
ト中のNi粉末、Fe粉末を表4に示す割合(それぞれ
NiO換算、FeO換算)で加え、またMgOを表4に
示すアルカリ金属、アルカリ土類金属含有化合物に代え
る以外は、実施例1と同様の方法により配線基板を作製
し、同様の評価を行った。結果は、表4に示した。
【0045】
【表4】
【0046】表4から明らかなように、試料No.46
のようにNiおよびFeの含有量が1重量部未満の場
合、メタライズ配線層中のCuとガラスセラミック基板
との濡れ性が低下し接着強度が低下した。また、試料N
o.47のようにLi2 Oの含有量が0.1重量部未満
の場合、CuとNiの合金化が進み導体抵抗が上昇し、
試料No.51のようにLi2 Oの含有量が3重量部を
超えるとCuの焼結を阻害し接着強度が低下し、更に導
体抵抗も上昇した。
【0047】しかるに、本発明の試料No.48〜5
0、52〜62ではいずれも良好な2kg/2mm□以
上の接着強度を示し、かつ6μΩ・cm以下の低い導体
抵抗率を保持している。
【0048】なお、上述の実施例では、基板構造が積層
体で説明したが、単状のガラスセラミックシート上に上
述のCuを主成分とするメタライズペーストを用いて、
所定の配線パターンを形成し、グリーンシートと所定の
配線パターンを一体的に焼成した配線基板でも構わな
い。
【0049】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明の配線基
板は,銅メタライズ配線層中にNiおよび/またはFe
とともにアルカリ金属、アルカリ土類金属含有化合物の
うちの少なくとも1種を含有せしめることにより、ガラ
スセラミック基板との濡れ性を良好にし、接着強度を高
め、なおかつCuとNiおよび/またはFeの合金化を
抑制することができ導体抵抗の低い配線基板を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の配線基板の概略断面図である。
【符号の説明】
1 配線基板 2 絶縁基板 3 メタライズ配線層 4 ビアホール導体 5 電子部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永江 謙一 鹿児島県国分市山下町1番4号 京セラ株 式会社総合研究所内 (72)発明者 國分 正也 鹿児島県国分市山下町1番4号 京セラ株 式会社総合研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ガラスセラミックスからなる絶縁基板の表
    面及び/または内部にCuを主成分とするメタライズ配
    線層を被着形成してなる配線基板において、前記メタラ
    イズ配線層がCu100重量部に対して、Niおよび/
    またはFeをNiOあるいはFeO換算で1〜10重量
    部、さらにアルカリ金属、アルカリ土類金属含有化合物
    のうちの少なくとも1種を酸化物換算で0.1〜3重量
    部の割合で含有することを特徴とする配線基板。
JP24091098A 1998-01-29 1998-08-26 配線基板 Pending JPH11284296A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24091098A JPH11284296A (ja) 1998-01-29 1998-08-26 配線基板

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1705598 1998-01-29
JP10-17055 1998-01-29
JP24091098A JPH11284296A (ja) 1998-01-29 1998-08-26 配線基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11284296A true JPH11284296A (ja) 1999-10-15

Family

ID=26353512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24091098A Pending JPH11284296A (ja) 1998-01-29 1998-08-26 配線基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11284296A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198622A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Kyocera Corp メタライズ組成物及びそれを用いた配線基板並びにその製造方法
JP2004055557A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 銅ペーストとそれを用いた配線基板及び配線基板の製造方法
JP2004055559A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 銅ペーストとそれを用いた配線基板
JP2004055558A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 銅ペースト及びそれを用いた配線基板
US7291789B2 (en) 2002-07-17 2007-11-06 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Copper paste and wiring board using the same
JP2015050133A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 旭硝子株式会社 導電性ペーストおよび導電膜付き基材

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198622A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Kyocera Corp メタライズ組成物及びそれを用いた配線基板並びにその製造方法
JP2004055557A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 銅ペーストとそれを用いた配線基板及び配線基板の製造方法
JP2004055559A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 銅ペーストとそれを用いた配線基板
JP2004055558A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 銅ペースト及びそれを用いた配線基板
US7291789B2 (en) 2002-07-17 2007-11-06 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Copper paste and wiring board using the same
JP4544837B2 (ja) * 2002-07-17 2010-09-15 日本特殊陶業株式会社 セラミック配線基板用銅ペースト、セラミック配線基板及びセラミック配線基板の製造方法
JP4544838B2 (ja) * 2002-07-17 2010-09-15 日本特殊陶業株式会社 ビア導体用銅ペーストとそれを用いたセラミック配線基板
JP2015050133A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 旭硝子株式会社 導電性ペーストおよび導電膜付き基材

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3793560B2 (ja) 低温焼成磁器およびその製造方法
JP2007273914A (ja) 配線基板および配線基板の製造方法
JP3517062B2 (ja) 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板
JPH11284296A (ja) 配線基板
JP3785903B2 (ja) 多層基板及びその製造方法
JP3538549B2 (ja) 配線基板およびその製造方法
JP4646362B2 (ja) 導体組成物およびこれを用いた配線基板
JP2002043758A (ja) 多層基板及びその製造方法
JP4549029B2 (ja) ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板
JP2003277852A (ja) 銅メタライズ組成物およびセラミック配線基板
JP2002193691A (ja) 低誘電率セラミック焼結体及びその製造方法、並びにそれを用いた配線基板
JPH11186727A (ja) 配線基板およびその製造方法
JP3643264B2 (ja) 導体ペーストおよびこれを用いた配線基板
JP3865967B2 (ja) 磁器およびそれを用いた配線基板
JP4703207B2 (ja) 配線基板
JP2002084051A (ja) 銅メタライズ組成物、低温焼結セラミック配線基板、及びその製造方法
JP4540297B2 (ja) 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びに配線基板
JPH0737420A (ja) 導体ペースト組成物及びそれを用いた回路基板
JP4632472B2 (ja) 銅導体組成物及びこれを用いた配線基板
JP4762564B2 (ja) 導体組成物及びこれを用いた配線基板とその製造方法
JP3905991B2 (ja) ガラスセラミック配線基板
JP5132387B2 (ja) 多層配線基板およびその製造方法
JP3652184B2 (ja) 導体ペースト、ガラスセラミック配線基板並びにその製法
JP3426920B2 (ja) 配線基板
JP2005015284A (ja) 低温焼成磁器およびその製造方法、並びに配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050412