JP2002043758A - 多層基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
く、はんだ付け性が良好で、しかも抗折強度の大きい多
層基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス含有絶縁層9が、焼成前のガラス
成分含有率が60体積%以下のガラス含有材料からなる
層を焼成することにより形成されており、かつ、焼成す
ることにより表面に偏析したガラス成分によって、電極
4がガラス含有絶縁層9の表面に結合された構成とす
る。また、焼成によりガラス成分を偏析させ、ガラス含
有絶縁層9の表面から深さ方向1μmの範囲におけるガ
ラス成分含有率を60〜90体積%にまで高める。
Description
の製造方法に関し、詳しくは、低温焼成が可能なガラス
含有材料を用いてなる多層基板及びその製造方法に関す
る。
い、より多くの半導体ICやその他の表面実装部品を回
路基板上に実装することが必要になっている。そして、
かかる要請に応えて、電極形成用の電極ペーストを塗布
したセラミックグリーンシートを積層し、焼成すること
により製造された種々のセラミック多層基板が開発さ
れ、広く実用されるに至っている。
材料(例えば、ガラス・セラミック系材料)を用いてな
る多層基板(低温焼成多層基板)が開発されている。
製造するにあたり、電極形成用の電極ペーストとして、
例えばAg粉末を導電成分とするAgペーストなどが広
く用いられている。しかしながら、高強度の基板を得る
ためにセラミックを高い割合で含有させた基板に、Ag
粉もしくはAg粉とケミカルボンド材と称される酸化物
で構成されているAgペーストを付与して同時焼成した
場合、セラミック層及び電極中のガラス成分の含有割合
が低いため、十分な電極固着強度を得ることが困難であ
るのが実情である。
Agペースト中にガラス成分を添加して、基板との濡れ
性を向上させることにより、電極の固着強度を向上させ
る方法も考えられるが、この方法の場合、ガラス成分が
電極表面に浮き上がって、電極のはんだ付け性を低下さ
せるという問題点がある。
あり、セラミック層(ガラス含有絶縁層)への電極の固
着強度が大きく、はんだ付け性が良好で、しかも抗折強
度の大きい多層基板及びその製造方法を提供することを
目的としている。
に、本願発明(請求項1)の多層基板は、表面に電極が
形成されたガラス含有絶縁層が、所定枚数積層された構
造を有する多層基板において、ガラス含有絶縁層が、焼
成前のガラス成分含有率が60体積%以下のガラス含有
材料からなる層を焼成することにより形成されており、
かつ、焼成することにより表面に偏析したガラス成分に
よって、電極がガラス含有絶縁層の表面に結合されてい
ることを特徴としている。
は、ガラス含有絶縁層の、焼成前のガラス成分含有率を
60体積%以下とし、焼成することにより表面に偏析し
たガラス成分によって、電極がガラス含有絶縁層の表面
に結合されるようにしているので、ガラス含有絶縁層中
のガラス成分含有率が高くなりすぎることによる抗折強
度の低下や、電極中のガラス成分含有率が高くなりすぎ
ることによるはんだ付け性の低下を招いたりすることな
く、電極固着強度を確保することが可能になる。なお、
「焼成前のガラス成分含有率が60体積%以下」である
とは、焼成後にガラス含有絶縁層となる材料(グリーン
シート)を構成する無機成分中のガラス成分含有率が6
0体積%以下であることを意味する概念である。
配設されたガラス含有絶縁層の表面から深さ方向1μm
の範囲におけるガラス成分含有率が60〜90体積%の
範囲にあることを特徴としている。
含有絶縁層の表面から深さ方向1μmの範囲におけるガ
ラス成分含有率を、60〜90体積%にまで高めること
により、ガラス含有絶縁層全体のガラス成分含有率を高
めなくても、電極固着強度を向上させることが可能にな
る。したがって、全体としてのガラス成分含有率が高く
なりすぎることを防止して、抗折強度を高く保つことが
できるようになり、本願発明を実効あらしめることが可
能になる。
含有絶縁層が、ガラス・セラミック系材料から形成され
ていることを特徴としている。
して、ガラスとその他の種々の絶縁材料を配合した材料
を用いることが可能であるが、種々の電気的特性、機械
的特性を実現しようとした場合、ガラスとセラミックを
含有するガラス・セラミック系材料を用いることが望ま
しく、その場合においても、上述のような本願発明の作
用が確実に奏され、特に有意義である。
が、Agを主たる導電成分とする電極であることを特徴
としている。
の材料を用いることが可能であるが、電極材料としてA
gを主たる導電成分とするものを用いるようにした場
合、低抵抗で、固着強度に優れた電極を形成することが
可能になり、本願発明をさらに実効あらしめることが可
能になる。
前記ガラス含有絶縁層が同時焼成されたものであること
を特徴としている。
ることも可能であるが、同時焼成することにより、ガラ
ス含有絶縁層への電極の固着強度を向上させることが可
能になるとともに、製造工程を簡略化することが可能に
なり、有意義である。
における、前記電極のガラス含有絶縁層への初期固着強
度が、平均で5N/mm2以上であることを特徴としてい
る。
層への初期固着強度を向上させることが可能であり、引
張り試験における、電極のガラス含有絶縁層への初期固
着強度を、平均で5N/mm2以上とすることができるよ
うになる。
200MPa以上であることを特徴としている。
械的強度が大幅に低下するほど、ガラス含有絶縁層中の
ガラス成分含有率が高くならないようにしているので、
実用上問題のない抗折強度、すなわち、200MPa以
上の抗折強度を実現することが可能になる。
絶縁層に含有されるガラス成分が、結晶化ガラスである
ことを特徴としている。
として、結晶化ガラスを含有させることにより、さらに
機械的強度の向上を図ることが可能になり、本願発明を
さらに実効あらしめることが可能になる。
製造方法は、表面に電極が形成されたガラス含有絶縁層
が、所定枚数積層された構造を有する多層基板の製造方
法であって、60体積%以下のガラス成分を含むグリー
ンシートの表面に電極形成用の電極ペーストを付与する
工程と、前記電極ペーストを付与したグリーンシートを
積層、圧着して、積層圧着体を形成する工程と、前記積
層圧着体を熱処理して、前記グリーンシート及び前記電
極ペーストを焼成するとともに、ガラス含有絶縁層の表
面に偏析するガラス成分により電極をガラス含有絶縁層
の表面に結合させる工程とを具備することを特徴として
いる。
法は、60体積%以下のガラス成分を含むグリーンシー
トの表面に電極形成用の電極ペーストを付与する工程
と、グリーンシートを積層、圧着して、積層圧着体を形
成する工程と、積層圧着体を熱処理して、グリーンシー
ト及び電極ペーストを焼成するとともに、ガラス含有絶
縁層の表面に偏析するガラス成分により電極をガラス含
有絶縁層の表面に結合させる工程を経て多層基板を製造
するようにしているので、電極固着強度及び抗折強度が
大きく、しかも、電極のはんだ付け性に優れた多層基板
を確実に製造することが可能になる。なお、電極ペース
トを付与したグリーンシートを積層、圧着して、積層圧
着体を形成する工程とは、グリーンシートに形成された
ビアホールを介して、各層の電極(電極ペースト)を接
続させる場合をも含む広い概念である。また、「60体
積%以下のガラス成分を含むグリーンシート」とは、グ
リーンシートを構成する無機成分中のガラス成分含有率
が60体積%以下であることを意味する概念である。
は、前記電極が配設されたガラス含有絶縁層の表面から
深さ方向1μmの範囲におけるガラス成分含有率が60
〜90体積%になるように、グリーンシート中のガラス
成分含有率、ガラス組成、ガラス作製条件、グリーンシ
ートの圧着条件、及び焼成条件の少なくとも一つを調整
することを特徴としている。
招かないように、60体積%以下のガラス成分を含むグ
リーンシートを用いる一方において、グリーンシート中
のガラス成分含有率、ガラス組成、ガラス作製条件、グ
リーンシートの圧着条件、及び焼成条件の少なくとも一
つを調整することにより、電極が配設されるべきガラス
含有絶縁層の表面から深さ方向1μmの範囲におけるガ
ラス成分含有率が60〜90体積%となるようにしてい
るので、ガラス含有絶縁層の表面のみガラス成分含有率
を高めて、電極固着強度を向上させることが可能になる
とともに、ガラス含有絶縁層全体としてのガラス成分含
有率が高くなりすぎることを防止して、抗折強度を高く
保つことが可能になり、本願発明を実効あらしめること
が可能になる。
は、前記60体積%以下のガラス成分を含むグリーンシ
ートが、ガラス・セラミック系材料を用いたグリーンシ
ートであることを特徴としている。
なるグリーンシートとして、ガラスとその他の種々の絶
縁材料を配合した材料からなるグリーンシートを用いる
ことが可能であるが、種々の電気的特性、機械的特性を
実現しようとした場合、ガラスとセラミックを含有する
ガラス・セラミック系材料からなるグリーンシートを用
いることが望ましく、その場合においても、上述のよう
な本願発明の作用が確実に奏される。
は、前記電極を形成するための電極ペーストとして、A
gを主たる導電成分とする電極ペーストを用いることを
特徴としている。
々の材料を用いることが可能であるが、電極ペーストと
して、Agを主たる導電成分とする電極ペーストを用い
て、電極を形成することにより、ガラス含有絶縁層への
固着強度が高く、しかも低抵抗の電極を備えた多層基板
を効率よく製造することが可能になる。
は、前記Agを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、ガラスを含まない電極ペーストを用いることを特徴
としている。
として、ガラスを含まない電極ペーストを用いることに
より、低抵抗で、はんだ付け性に優れた電極を形成する
ことが可能になり、本願発明をより実効あらしめること
ができる。
は、前記Agを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、Pb、Bi、Cr、Cu、Mn、Co、Znの少な
くとも1種を含有する電極ペーストを用いることを特徴
としている。
ストとして、Pb、Bi、Cr、Cu、Mn、Co、Z
nの少なくとも1種を含有する電極ペーストを用いるこ
とにより、さらなる電極固着強度の向上が期待できる。
は、前記グリーンシートとして、結晶化ガラスを含むグ
リーンシートを用いることを特徴としている。
有するグリーンシートを用いることにより、ガラス含有
絶縁層の機械的強度が大きく、ひいては、製品全体とし
ての機械的強度の大きい、信頼性の高い多層基板を製造
することが可能になり、本願発明をさらに実効あらしめ
ることが可能になる。
は、前記積層圧着体を焼成するにあたって、前記積層圧
着体の両面又は片面に、前記積層圧着体の焼成温度では
焼結しない無機系材料からなる拘束層を積層し、その状
態で焼成を行った後、前記拘束層を除去する方法(無収
縮工法)を適用することを特徴としている。
無収縮工法を適用することにより、平面方向の収縮がな
く、しかも、電極固着強度が大きく、かつ、抗折強度や
はんだ付け性にも優れた多層基板を製造することが可能
になり、このようにして製造される多層基板を用いるこ
とにより、実装部品が所望の位置に確実に実装されたハ
イブリッドICなどの電子部品を効率よく製造すること
が可能になる。
て、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。な
お、この実施形態では、図1に示すような多層基板を例
にとって説明する。
膜抵抗体6、チップ型コンデンサ7、及び半導体デバイ
ス8などが実装された構造を有する多層モジュール1に
向けられるものである。この多層基板2は、図1に示す
ように、ガラス含有絶縁層(絶縁体層)9と電極(内部
電極層)4が積層された多層構造を有しており、各層の
内部電極層4は、ガラス含有絶縁層(絶縁体層)9に設
けられたビアホール3によって電気的に接続されてい
る。
タ、コンデンサなどの受動素子を構成する電極、あるい
は、受動素子、グランド、内部の厚膜抵抗体6などを電
気的に接続する配線の役割を果たしている。
(表面導体層)5が形成されている。電極(表面導体
層)5は、多層基板2の上側の主面では、チップ型コン
デンサ7、半導体デバイス8などの実装部品と多層基板
2とを接続するためのランドとして、あるいは厚膜抵抗
体6を他の素子に接続するための配線として機能する。
また、多層基板2の下側の主面では、多層基板2(多層
モジュール1)をマザーボードなどに接続するための入
出力端子としての機能を果たしている。
いて説明する。 [多層基板用のグリーンシートの作製]まず、多層基板
の製造に用いたグリーンシートの作製方法について以下
に説明する。
B2O3からなるガラス粉末とアルミナ(Al2O3)
粉末を用意し、これらを表1に示すような比率で混合す
る。なお、ガラス粉末としては、上記のような結晶化ガ
ラス粉末以外のガラス粉末、例えば、B2O3−SiO
2系のガラス粉末を用いることも可能であり、また、A
l2O3粉末以外にも、ZrO2粉末、スピネル粉末な
どの他のセラミック粉末を用いることも可能である。
ラミック系原料粉末)に、有機バインダー及びトルエン
(溶媒)を添加、混合し、ボールミルにより十分に混練
して均一に分散させた後、減圧下で脱泡処理することに
より原料スラリーを調製する。なお、バインダー、溶
媒、可塑剤などの有機ビヒクルの構成成分や組成につい
ては、特に制約はなく、種々のものを用いることが可能
である。
ターブレードを用いたキャスティング法により、フィル
ム上にシート成形して、例えば、0.1mm厚のグリーン
シートを作製する。
後、フィルムから剥離し、これを所定の寸法に打ち抜い
て、多層基板製造用のグリーンシートを得る。
に、無収縮工法に用いるための、拘束層用のグリーンシ
ートの製造方法について説明する。なお、拘束層用のグ
リーンシートとは、上述の多層基板用のグリーンシート
の焼成工程では焼結しない無機系材料を主成分とするグ
リーンシートであり、多層基板を構成するグリーンシー
トの積層圧着体の両面又は片面に積層され、その状態で
焼成を行った後、除去されることになる層として機能す
るものである。
インダー及びトルエン(溶媒)を添加混合して、ボール
ミルにより十分に混練し、均一に分散させて減圧下で脱
泡処理することにより原料スラリーを調製する。なお、
バインダー、溶媒、可塑剤などの有機ビヒクルの構成成
分や組成については、特に制約はなく、種々のものを用
いることが可能である。
ターブレードを用いたキャスティング法により、フィル
ム上にシート成形して、例えば、0.1mm厚のグリーン
シートを作製する。
後、フィルムから剥離し、これを所定の寸法に打ち抜い
て、拘束層用のグリーンシートを得る。
方法について説明する。 まず、ガラス含有絶縁層(絶縁体層)用のグリーンシ
ートにビアホール用の孔を形成し、孔に導体ペーストや
導体粉を充填してビアホールを形成する。
クタ、キャパシタなどの受動素子を形成するための電極
(ランド)や所定の配線パターンなどを形成するための
電極ペースト(この実施形態ではAgを導電成分とする
電極ペースト)をスクリーン印刷などの方法によって所
定のパターンとなるように印刷、形成するとともに、必
要に応じて、厚膜抗体を形成するための抵抗体材料ペー
ストをスクリーン印刷などの方法によって印刷、形成す
る。なお、この実施形態では、電極ペーストとしてAg
を導電成分とする電極ペーストを用いているが、電極ペ
ーストの種類に特別の制約はなく、Ag/Pt粉末やA
g/Pd粉末などを導電成分とする電極ペーストなど、
種々の電極ペーストを用いることが可能である。
ぞれ所定枚数積層するとともに、その積層体の上下両面
側に、上述のようにして作製した拘束層用のグリーンシ
ートを所定枚数積層した後、圧着し、積層圧着体を形成
する。
て、適当な大きさに切断したり、あるいは分割溝を形成
したりした後、例えば、800〜1100℃程度の温度
条件で焼成する。その後、拘束層を除去することによ
り、図2に示すような多層基板2が得られる。なお、図
2において、図1と同一符号を付した部分は、図1と同
一の部分を示している。
サ7や半導体デバイス8などの実装部品を搭載すること
によって、図1に示すようなセラミック多層モジュール
1が得られる。上述の多層基板の製造方法によれば、ガ
ラス含有絶縁層への固着強度の大きい電極を備え、しか
も、抗折強度及びはんだ付け性に優れた多層基板を効率
よく製造することができる。
して作製した基板用のグリーンシートを複数枚積層する
とともに、その上下両面側から挟み込むように、拘束層
用のグリーンシートを複数枚積層し、圧着することによ
り積層圧着体を形成した後、400℃までは1.5℃/
minの速度で昇温し、400℃〜900℃までは5℃
/min〜60℃/minで昇温し、900℃で5mi
n〜60min保持の焼成条件で焼成を行った後、拘束
層を除去することにより、特性評価用の試料を得た。す
なわち、この実施形態では、上述のように焼成条件(4
00℃から900℃までの昇温速度、及び900℃での
保持時間)を調整することにより、ガラス含有絶縁層の
表面のガラス成分含有率を異ならせるようにした。
べるための試料としては、特に、図3に示すように、2
mm□の電極(ランド)11を形成した基板用のグリーン
シート12を表層に配置し、下層に電極(ランド)の形
成されていない基板用のグリーンシートを複数枚積層
し、圧着成形した後、成形体を上記と同様の焼成条件で
焼成することにより評価用の試料を作製した。
評価用の試料について、ガラス成分含有率、はんだ付け
性、電極固着強度、抗折強度などの特性を調べた。その
結果を表1に示す。
のは本願発明の範囲外のものである。表1の表面から1
μmのガラス成分含有率は、ガラス成分(Ca)単体と
Al 2O3単体の検量線をひくことにより、マッピング
分析にて求めた。
んだ(Sn−Pbはんだ)にディッピングすることによ
り評価した。電極固着強度は、はんだ付け性を評価した
2mm□ランドにL字型のリード線をSn−Pbはんだを
用いてはんだ付けした後、引張り試験を行い、破壊する
ときの値を電極固着強度とした。抗折強度は、短冊状の
試料について、3点曲げ試験を行って測定した。なお、
上記電極固着強度及び抗折強度の測定は、島津製オート
グラフを用いて行った。
基準は以下の通りである。 (はんだ付け性)はんだ付け性については、ランドのは
んだ濡れ面積がランド面積の95%以上の場合を良好
(○)、95%未満の場合を不良(×)として評価し
た。 (電極固着強度)また、電極固着強度については、ラン
ドにL字型のリード線をSn−Pbはんだを用いてはん
だ付けした後の引張り試験の破壊時の値が20N/2mm
□(5N/mm2)以上の場合を良好(○)、20N/2
mm□(5N/mm2)未満の場合を不良(×)として評価
した。 (抗折強度)また、抗折強度については、3点曲げ試験
の結果が200MPa以上の場合をを良好(○)、20
0MPa未満の場合を不良(×)として評価した。
形態にかかる試料については、はんだ付け性、電極固着
強度、及び抗折強度のいずれについても良好な結果が得
られている。すなわち、本願発明によれば、セラミック
スの含有割合が高く、機械的強度に優れたガラス含有絶
縁層の表面にガラスを偏析させることによって、固着強
度が大きく、はんだ付け性に優れた電極を備えた多層基
板を効率よく製造することが可能になる。
有絶縁層の、焼成前のガラス成分含有量が60体積%以
下の場合において、焼成後のガラス含有絶縁層の表面か
ら1μmのガラス成分含有率が60体積%未満になる
と、電極固着強度が低下する傾向が認められた。
ス成分含有量が60体積%以下で、かつ、焼成後のガラ
ス含有絶縁層の表面から1μmのガラス成分含有率が6
0体積%以上である場合にも、電極ペーストとして、ガ
ラス成分を含むものを用いた場合は、電極のはんだ付け
性が低下する傾向が認められた。したがって、電極ペー
ストとしてはガラス成分を含有しないものを用いること
が望ましい。
することにより、ガラス含有絶縁層の表面のガラス成分
含有率を異ならせるようにした場合を例にとって説明し
たが、ガラス組成やガラス作製条件、あるいはグリーン
シートの圧着条件などを調整することによっても、ガラ
ス含有絶縁層の表面のガラス成分含有率を制御すること
が可能である。
れるものではなく、ガラス含有絶縁層を構成する材料の
種類や組成、ガラス含有絶縁層中のガラス成分含有率、
ガラス含有絶縁層表面のガラス成分含有率、電極を構成
する導電成分の種類、具体的な焼成条件などに関し、発
明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を加える
ことが可能である。
多層基板は、ガラス含有絶縁層の、焼成前のガラス成分
含有率を60体積%以下とし、焼成することにより表面
に偏析したガラス成分によって、電極がガラス含有絶縁
層の表面に結合されるようにしているので、ガラス含有
絶縁層中のガラス成分含有率が高くなりすぎることによ
る抗折強度の低下や、電極中のガラス成分含有率が高く
なりすぎることによるはんだ付け性の低下を招いたりす
ることなく、電極固着強度を確保することが可能にな
る。
によりガラス成分を偏析させ、ガラス含有絶縁層の表面
から深さ方向1μmの範囲におけるガラス成分含有率
を、60〜90体積%にまで高めることにより、ガラス
含有絶縁層全体のガラス成分含有率を高めなくても、電
極固着強度を向上させることができるようになる。した
がって、全体としてのガラス成分含有率が高くなりすぎ
ることを防止して、抗折強度を高く保つことが可能にな
る。
縁層として、ガラスとその他の種々の絶縁材料を配合し
た材料を用いることが可能であるが、種々の電気的特
性、機械的特性を実現しようとした場合、請求項3のよ
うに、ガラスとセラミックを含有するガラス・セラミッ
ク系材料を用いることが望ましく、その場合において
も、上述のような本願発明の効果を得ることができる。
て種々の材料を用いることが可能であるが、請求項4の
ように、電極材料としてAgを主たる導電成分とするも
のを用いるようにした場合、低抵抗で、固着強度に優れ
た電極を形成することが可能になり、本願発明を実効あ
らしめることができる。
焼成することも可能であるが、請求項5の多層基板のよ
うに、同時焼成することにより、ガラス含有絶縁層への
電極の固着強度をさらに向上させることが可能になると
ともに、製造工程を簡略化することが可能になる。
有絶縁層への初期固着強度を向上させることが可能にな
り、請求項6の多層基板のように、引張り試験におけ
る、電極のガラス含有絶縁層への初期固着強度を、平均
で5N/mm2以上とすることができるようになる。
層の機械的強度が大幅に低下するほど、ガラス含有絶縁
層中のガラス成分含有率が高くならないようにしている
ので、請求項7の多層基板のように、実用上問題のない
抗折強度、すなわち、200MPa以上の抗折強度を実
現することが可能になる。
ス含有絶縁層に含有されるガラス成分として、結晶化ガ
ラスを含有させることにより、さらに機械的強度の向上
を図ることが可能になり、本願発明をさらに実効あらし
めることが可能になる。
製造方法は、60体積%以下のガラス成分を含むグリー
ンシートの表面に電極形成用の電極ペーストを付与する
工程と、グリーンシートを積層、圧着して、積層圧着体
を形成する工程と、積層圧着体を熱処理して、グリーン
シート及び電極ペーストを焼成するとともに、ガラス含
有絶縁層の表面に偏析するガラス成分により電極をガラ
ス含有絶縁層の表面に結合させる工程を経て多層基板を
製造するようにしているので、電極固着強度及び抗折強
度が大きく、しかも、電極のはんだ付け性に優れた多層
基板を確実に製造することができる。
の製造方法においては、機械的強度の低下を招かないよ
うに、60体積%以下のガラス成分を含むグリーンシー
トを用いる一方において、グリーンシート中のガラス成
分含有率、ガラス組成、ガラス作製条件、グリーンシー
トの圧着条件、及び焼成条件の少なくとも一つを調整す
ることにより、電極が配設されるべきガラス含有絶縁層
の表面から深さ方向1μmの範囲におけるガラス成分含
有率が60〜90体積%となるようにしているので、ガ
ラス含有絶縁層の表面のみガラス成分含有率を高めて、
電極固着強度を向上させることができるようになるとと
もに、ガラス含有絶縁層全体としてのガラス成分含有率
が高くなりすぎることを防止して、抗折強度を高く保つ
ことができるようになり、本願発明を実効あらしめるこ
とが可能になる。
縁層となるグリーンシートとして、ガラスとその他の種
々の絶縁材料を配合した材料からなるグリーンシートを
用いることが可能であるが、種々の電気的特性、機械的
特性を実現しようとした場合、請求項11のように、ガ
ラス・セラミック系材料からなるグリーンシートを用い
ることが望ましく、その場合においても、上述のような
本願発明の効果を得ることができる。
て、種々の材料を用いることが可能であるが、請求項1
2の多層基板の製造方法のように、電極ペーストとし
て、Agを主たる導電成分とする電極ペーストを用い
て、電極を形成することにより、電極のガラス含有絶縁
層への固着強度が高く、しかも低抵抗の電極を備えた多
層基板を効率よく製造することが可能になり、本願発明
をさらに実効あらしめることができる。
ように、Agを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、ガラスを含まない電極ペーストを用いることによ
り、はんだ付け性に優れた電極を形成することが可能に
なり、本願発明をより実効あらしめることができる。な
お、電極は、ガラス含有絶縁層の表面に偏析したガラス
成分によりガラス含有絶縁層に結合されるので、電極固
着強度は確保される。
ように、Agを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、Pb、Bi、Cr、Cu、Mn、Co、Znの少な
くとも1種を含有する電極ペーストを用いることによ
り、さらなる電極固着強度の向上が期待できる。
ように、グリーンシートとして、結晶化ガラスを含有す
るグリーンシートを用いるようにした場合、ガラス含有
絶縁層の機械的強度が大きく、ひいては、製品全体とし
ての機械的強度の大きい、信頼性の高い多層基板を製造
することが可能になり、本願発明をさらに実効あらしめ
ることが可能になる。
ように、積層圧着体を焼成するにあたって、無収縮工法
を適用することにより、平面方向の収縮がなく、しか
も、電極固着強度が大きく、かつ、抗折強度やはんだ付
け性にも優れた多層基板を製造することが可能になり、
このようにして製造される多層基板を用いることによ
り、実装部品が所望の位置に確実に実装されたハイブリ
ッドICなどの電子部品を効率よく製造することが可能
になる。
たセラミック多層モジュールの要部を示す断面図であ
る。
を示す断面図である。
す平面図である。
Claims (16)
- 【請求項1】表面に電極が形成されたガラス含有絶縁層
が、所定枚数積層された構造を有する多層基板におい
て、 ガラス含有絶縁層が、焼成前のガラス成分含有率が60
体積%以下のガラス含有材料からなる層を焼成すること
により形成されており、かつ、焼成することにより表面
に偏析したガラス成分によって、電極がガラス含有絶縁
層の表面に結合されていることを特徴とする多層基板。 - 【請求項2】前記電極が配設されたガラス含有絶縁層の
表面から深さ方向1μmの範囲におけるガラス成分含有
率が60〜90体積%の範囲にあることを特徴とする請
求項1記載の多層基板。 - 【請求項3】前記ガラス含有絶縁層が、ガラス・セラミ
ック系材料から形成されていることを特徴とする請求項
1又は2記載の多層基板。 - 【請求項4】前記電極が、Agを主たる導電成分とする
電極であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに
記載の多層基板。 - 【請求項5】前記電極と前記ガラス含有絶縁層が同時焼
成されたものであることを特徴とする請求項1〜4のい
ずれかに記載の多層基板。 - 【請求項6】引張り試験における、前記電極のガラス含
有絶縁層への初期固着強度が、平均で5N/mm2以上で
あることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の
多層基板。 - 【請求項7】抗折強度が200MPa以上であることを
特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の多層基板。 - 【請求項8】ガラス含有絶縁層に含有されるガラス成分
が、結晶化ガラスであることを特徴とする請求項1〜7
のいずれかに記載の多層基板。 - 【請求項9】表面に電極が形成されたガラス含有絶縁層
が、所定枚数積層された構造を有する多層基板の製造方
法であって、 60体積%以下のガラス成分を含むグリーンシートの表
面に電極形成用の電極ペーストを付与する工程と、 前記電極ペーストを付与したグリーンシートを積層、圧
着して、積層圧着体を形成する工程と、 前記積層圧着体を熱処理して、前記グリーンシート及び
前記電極ペーストを焼成するとともに、ガラス含有絶縁
層の表面に偏析するガラス成分により電極をガラス含有
絶縁層の表面に結合させる工程とを具備することを特徴
とする多層基板の製造方法。 - 【請求項10】前記電極が配設されたガラス含有絶縁層
の表面から深さ方向1μmの範囲におけるガラス成分含
有率が60〜90体積%になるように、グリーンシート
中のガラス成分含有率、ガラス組成、ガラス作製条件、
グリーンシートの圧着条件、及び焼成条件の少なくとも
一つを調整することを特徴とする請求項9記載の多層基
板の製造方法。 - 【請求項11】前記60体積%以下のガラス成分を含む
グリーンシートが、ガラス・セラミック系材料を用いた
グリーンシートであることを特徴とする請求項9又は1
0記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項12】前記電極を形成するための電極ペースト
として、Agを主たる導電成分とする電極ペーストを用
いることを特徴とする請求項9〜11のいずれかに記載
の多層基板の製造方法。 - 【請求項13】前記Agを主たる導電成分とする電極ペ
ーストとして、ガラスを含まない電極ペーストを用いる
ことを特徴とする請求項12記載の多層基板の製造方
法。 - 【請求項14】前記Agを主たる導電成分とする電極ペ
ーストとして、Pb、Bi、Cr、Cu、Mn、Co、
Znの少なくとも1種を含有する電極ペーストを用いる
ことを特徴とする請求項12又は13記載の多層基板の
製造方法。 - 【請求項15】前記グリーンシートとして、結晶化ガラ
スを含むグリーンシートを用いることを特徴とする請求
項9〜14のいずれかに記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項16】前記積層圧着体を焼成するにあたって、
前記積層圧着体の両面又は片面に、前記積層圧着体の焼
成温度では焼結しない無機系材料からなる拘束層を積層
し、その状態で焼成を行った後、前記拘束層を除去する
方法(無収縮工法)を適用することを特徴とする請求項
9〜15のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
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JP2000220186A JP3818030B2 (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 多層基板の製造方法 |
TW090115762A TW511442B (en) | 2000-07-21 | 2001-06-28 | Multilayered board and method for fabricating the same |
EP01116439.9A EP1178713B1 (en) | 2000-07-21 | 2001-07-06 | Multilayered board and method for fabricating the same |
US09/906,016 US6596382B2 (en) | 2000-07-21 | 2001-07-11 | Multilayered board and method for fabricating the same |
CNB011328258A CN1178566C (zh) | 2000-07-21 | 2001-07-17 | 多层板及其制造方法 |
KR10-2001-0043997A KR100439677B1 (ko) | 2000-07-21 | 2001-07-21 | 다층 기판 및 그의 제조방법 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007024615A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070060969A1 (en) * | 2005-09-15 | 2007-03-15 | Burdon Jeremy W | Implantable co-fired electrical feedthroughs |
WO2008020534A1 (fr) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Procédé de fabrication de corps en céramique moulés |
KR101105651B1 (ko) * | 2007-12-07 | 2012-01-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층형 전자 부품 |
US8178192B2 (en) * | 2008-03-06 | 2012-05-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic green sheet, ceramic green sheet laminate, production method of ceramic green sheet, and production method of ceramic green sheet laminate |
JP2011035170A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Olympus Corp | 多層積層回路 |
CN103477727B (zh) * | 2011-03-28 | 2016-08-31 | 株式会社村田制作所 | 玻璃陶瓷基板及其制造方法 |
WO2012137548A1 (ja) | 2011-04-04 | 2012-10-11 | 株式会社村田製作所 | チップ部品内蔵樹脂多層基板およびその製造方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4313900A (en) * | 1980-06-26 | 1982-02-02 | International Business Machines Corp. | Method of forming a ceramic article with a glassy surface |
US4406844A (en) * | 1981-10-19 | 1983-09-27 | International Business Machines Corporation | Fabrication of semiconductor modules with ceramic substrates and detection of residual glass |
US4752531A (en) * | 1985-03-25 | 1988-06-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
JPH0634452B2 (ja) * | 1985-08-05 | 1994-05-02 | 株式会社日立製作所 | セラミツクス回路基板 |
US4788046A (en) * | 1987-08-13 | 1988-11-29 | Ceramics Process Systems Corporation | Method for producing materials for co-sintering |
JPH0619926B2 (ja) * | 1987-11-11 | 1994-03-16 | 株式会社日立製作所 | 回路基板とその製法 |
JPH01232797A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-18 | Narumi China Corp | セラミック多層回路基板 |
JP2992958B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1999-12-20 | 太平洋セメント株式会社 | 低温焼成多層配線基板用導体ペースト |
JPH03102705A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-30 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
US5102720A (en) * | 1989-09-22 | 1992-04-07 | Cornell Research Foundation, Inc. | Co-fired multilayer ceramic tapes that exhibit constrained sintering |
US5070046A (en) * | 1989-10-19 | 1991-12-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric compositions |
US5085720A (en) * | 1990-01-18 | 1992-02-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for reducing shrinkage during firing of green ceramic bodies |
US5206190A (en) * | 1990-09-04 | 1993-04-27 | Aluminum Company Of America | Dielectric composition containing cordierite and glass |
US5316985A (en) * | 1991-12-09 | 1994-05-31 | Aluminum Company Of America | Suppression of crystal growth in low dielectric inorganic composition using ultrafine alumina |
JP2501740B2 (ja) * | 1992-12-09 | 1996-05-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 低温焼成セラミックス基板 |
JP3351043B2 (ja) * | 1993-09-10 | 2002-11-25 | 松下電器産業株式会社 | 多層セラミック基板の製造方法 |
JP3467872B2 (ja) * | 1994-12-02 | 2003-11-17 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板の製造方法 |
JPH09191063A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Hitachi Ltd | 回路基板、その製造方法、電子デバイス実装体およびグリーンシート |
JPH09199857A (ja) * | 1996-01-18 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | 回路基板、その製造方法、電子デバイス実装体、ペースト組成物およびグリーンシート |
JP3780386B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2006-05-31 | 株式会社村田製作所 | セラミック回路基板及びその製造方法 |
JPH11335162A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-07 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 |
US6338893B1 (en) * | 1998-10-28 | 2002-01-15 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Conductive paste and ceramic printed circuit substrate using the same |
US6174829B1 (en) * | 1999-01-07 | 2001-01-16 | Advanced Ceramic X Corp. | Ceramic dielectric compositions |
JP2008039439A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Shimadzu Corp | 二次元マッピング分析装置 |
-
2000
- 2000-07-21 JP JP2000220186A patent/JP3818030B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-06-28 TW TW090115762A patent/TW511442B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-06 EP EP01116439.9A patent/EP1178713B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-11 US US09/906,016 patent/US6596382B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-17 CN CNB011328258A patent/CN1178566C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-21 KR KR10-2001-0043997A patent/KR100439677B1/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007024615A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
JP4544067B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2010-09-15 | パナソニック株式会社 | 電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6596382B2 (en) | 2003-07-22 |
KR100439677B1 (ko) | 2004-07-12 |
EP1178713A3 (en) | 2005-01-26 |
JP3818030B2 (ja) | 2006-09-06 |
US20020029838A1 (en) | 2002-03-14 |
KR20020008786A (ko) | 2002-01-31 |
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