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JPH0355738A - 電子源及びそれを用いた画像表示装置 - Google Patents

電子源及びそれを用いた画像表示装置

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JPH0355738A
JPH0355738A JP2075764A JP7576490A JPH0355738A JP H0355738 A JPH0355738 A JP H0355738A JP 2075764 A JP2075764 A JP 2075764A JP 7576490 A JP7576490 A JP 7576490A JP H0355738 A JPH0355738 A JP H0355738A
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electron
electrode
emitting device
surface electrode
insulating layer
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Kiyoshi Takimoto
瀧本　清
Yoshiharu Yanagisawa
芳浩 柳沢
Yuuko Morikawa
森川　有子
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子放出素子及びこれを用いた装置に関し、
特に一対の電極間に絶縁層が扶持された構造を有する電
子放出素子及びそれを用いた画像表示装置，描画装置に
関する。
［従来の技術］ 第６図及び第７図は、ＭＩＭ　　（金属／絶縁層／金属
）型電子放出素子の一般的な構成を示す模式図である。
かかるＭＩＭ型の電子放出素子は、同図に示すように、
電極ｌ上に薄い絶縁層２を介して薄い表面電極３が積層
形成された構造を有している。以下、電子が放出される
側の電極をとくに、表面電極と呼ぶことにする。そして
、表面電極３に用いられた金属の仕事関数φ，より大き
な電圧Ｖを電極１及び表面電極３間に印加することによ
って、絶縁層２をトンネルした電子のうち真空準位より
大きなエネルギーを有するものが表面電極３表面から放
出される。
このような素子で高い電子放出効率を得るには、トンネ
ルした電子のエネルギー、及びその数を増す等のために
、絶縁層２を薄くし、また表面電極３中での敗乱等によ
るエネルギー減少を防ぐために、第７図に示す如く、表
面電極３をできる限り薄く形成することが望ましく、更
に表面電極３には仕事関数φ．の低い金属材料を用いる
ことが望ましい（特開昭６３−１２４３２７号及び特開
昭６３−１４１２３４号）。
しかしながら、膜厚が極めて薄い場合、金属は一般に島
状構造をとり易く、こうした金属薄膜を形成することは
、非常に困難である。更に表面電極３として金属薄膜が
形成できた場合でも、抵抗が大きくなり、とくに仕事関
数が低い金属材料では比抵抗が高いため、表面電極３内
での電圧降下が無視できず、電子放出素子に均一かつ有
効な電界が印加されないおそれがある。また、かかる電
圧降下による表面電極３内での電力損失は、発熱による
素子破損を惹き起こすおそれがある。したがって、表面
電極３を薄く形成するのには限界があり、その結果、電
子放出効率の向上にも限界を生じていた。
また、表面電極３を薄くしていくと、電子放出効率はあ
る程度まで向上するものの、反面表面電極３から放出さ
れる電子ビームの断面形状が悪くなるとともに、該電子
ビームによる蛍光輝度も不均一となるという新たな問題
を生じてしまう。
即ち、表面電極３の直上に電子ビームの照射によって蛍
光を呈する蛍光体を配置した際、上記の如く表面電極３
を薄くしていくにつれて、蛍光体面に形成される蛍光ス
ポットは、表面電極３の電極形状を反映せず、不用な広
がりを有し、また、輝度も不均一で蛍光ムラを呈してし
まう。
更に、このような電子ビームの断面形状の悪化や蛍光輝
度の不均一化（輝度むら）は、とりわけ、かかるＭＩＭ
型電子放出素子を、画像表示装置或いは描画装置の電子
源として用いた際には、画像の解像度の低下，輝度の低
下，輝度むらの発生等の問題を生じてしまう。
［発明が解決しようとする課題］ 以上述べたような従来技術の問題点に鑑み、本発明の目
的とするところは、 ■．表面電極内での電圧降下が無視できる程度の低い抵
抗を確保し、かつ電子放出効率を向上させた電子放出素
子、 ■．電子放出効率の向上と、電子ビームの断面形状及び
輝度ムラの改善とを同時に満足し得る電子放出素子、 ■．上記電子放出素子を用い、画像の解像性及び輝度に
優れた画像表示装置及び描画装置、等を提供することに
ある。
［課題を解決するための手段及び作用］すなわち、本発
明の構成上の特徴とするところは、第１に、基板上に電
極が設けられ、該電極上に絶縁層が積層され、更に、該
絶縁層上に開口部を有する第２の電極が積層され前記絶
縁層が露出された構造を有し、電極間に電圧を印加する
ことにより、第２の電極の開口部から電子を放出する電
子放出素子、 第２に、前記第１に記載の電極の開口部について、その
幅を１００　４ｍ以下に限定した点、又は、その開口部
を複数個設けた点を各々特徴とする電子放出素子、 第３に、前記第１に記載の絶縁層について、かかる層を
有機化合物の単分子膜又は該単分子膜を累積した累積膜
により構成した点、あるいは、さらに前記単分子膜又は
累積膜をラングミュアーブロジェット法（ＬＢ法）によ
り形成した点を各々特徴とする電子放出素子、 第４に、前述のような電子放出素子を複数個設け、その
上方に該電子放出素子から放出される電子ビームを変調
する変調電極を設け、さらにその上方に該変調された電
子ビームの照射により画像を形成する画像形成部材を設
けた画像表示装置、 第５に、前述のような電子放出素子と、該電子放出素子
から放出される電子ビームを変調する変調手段とを有し
た描画装置、 としている点にある。
以下、本発明の構成及び作用について詳述する。
先ず、本発明の電子放出素子については、第１図に示す
ように、基板５上に一対の電極ｌ及び表面電極３と、該
電極間に扶持された絶縁層２が設けられており、更に表
面電極３には開口部４が設けられている。
すなわち、表面電極に開口部を設け、絶縁層を露出させ
ていることを特徴とする。
これにより、本発明の素子は表面電極を特に薄く形成す
る必要がなく、このため、表面電極の製膜が容易になる
。更に表面電極の抵抗を低く保つことができるため、表
面電極での電圧降下が無視でき、素子に有効な電界を加
えることができるとともに、発熱による素子破損を避け
ることができる。一方、絶縁層をトンネルして、表面電
極の開口部すなわち絶縁層の露出部に至った電子は、金
属中での散乱によってエネルギーを失うことなく、素子
外に放出される。
また、表面電極の開口部を多数設けることにより、放出
電流を増加させることができ、また、微小な開口部を多
数設けることによって、絶縁層内の電界の乱れを無視す
ることができるため、素子には均一でかつ有効な電界が
印加され、放出効率が向上する。
また、表面電極３を薄く形成（第７図）した場合に生じ
るような電子ビームの断面形状の悪化及び電子ビームに
よる蛍光輝度の不均一化という問題を生じず、電子放出
効率を向上することができる。
ここで、絶縁層内の電界を考えると、表面電極開口部縁
辺近傍でのみ均一性が保持され、開口部中心付近で最小
となるため、中心部からの放出電子量は少なくなる傾向
を有する。したがって、開口部の大きさは電界の均一性
を保つために、できるだけ微小であることが好ましく、
開口部縁辺ができるだけ多数存在することが好ましい。
開口部の大きさ（幅：第１図のＷ）は対向した縁辺間の
距離で１００μｍ以下が好ましく、特にｌ　Ｏｇｍ以下
が好ましい。更に現在の加工精度の範囲で微細化するこ
とが好ましい。また開口部の素子面内での数も、多い程
放出電子量が多くなるため、電極抵抗を膜厚の厚い電極
とする等の方法で低く保てる範囲内で多くの開口部を設
けることが望ましい。このため開口部の面積の素子面積
との比として５０％以下が好ましく、より好ましくは２
０％以下であることが望ましい． 次に、本発明の素子に係る絶縁層２として、有機絶縁膜
を用いた場合について具体例を述べる。
有機薄膜絶縁層の形成に関しては、蒸着や分子線エビタ
キシー、電解重合等の適用も可能である。しかしポテン
シャル障壁を電子がトンネルできる長さは非常に短いた
め、有機絶縁層は超薄膜であること、即ちその膜厚が数
Å〜数百人の範囲、好ましくは２００人以下、更に好ま
しくは１００人以下であり５人以上である。更に、かか
る絶縁性薄膜面内及び膜厚方向の均質性の有無は、素子
特性及びその安定性に著しい影響を与えるので注意を要
する。
本発明の好ましい具体例における絶縁性薄膜の最適成膜
法としてＬＢ法を挙げることができる。
ＬＢ法は、分子内に親水性部位と疎水性部位とを有する
構造に於いて両者のバランス（両親媒性のバランス）が
適度に保たれている時、分子は水面上で親水基を下に向
けて単分子の層になることを利用して単分子膜又はその
累積膜を形成する方法である。
このＬＢ法によれば、１分子中に疎水性部位と親水性部
位とを有する有機化合物の単分子膜、又はその累積膜を
任意の電極上乃至は任意の電極を含む任意の基板上に容
易に形成することができ、分子長オーダーの膜厚を有し
、かつ大面積に亘って均一，均質な有機超薄膜を安定に
供給することができる。
次に、かかるＬＢ膜を扶持する電極材料としては、高い
伝導性を有するものであれば良く、例えばＡｕ，　Ｐｔ
，　Ａｇ，　Ｐｄ，　Ａｌｌ，　Ｉｎ，　Ｓｎ，　Ｐｂ
等の金属やこれらの合金、さらにはグラファイトやシリ
サイド、またさらにはＩＴＯ等の導電性酸化物を始めと
して数多くの材料が挙げられ、これらの本発明への適用
が考えられる。
かかる材料を用いた電極形成法としても従来公知の薄膜
技術で充分である。但し、ここで注意を要するのは、特
に、耐熱性，耐溶剤性を有しないＬＢ膜の場合、既に形
成したＬＢ膜上に更に電極を形成する際、ＬＢ膜に損傷
を与えない様に、例えば高？ｍ　（　＞　１００℃）を
要する製造あるいは、処理工程を避けることが望ましい
。
また、電極１．３及び絶縁層２が積層された薄膜を支持
する基板５については、金属，ガラス，セラミックス，
プラスチックス材料等いずれの材料でもよい。またその
形状は任意の形状でよく、平板状であるのが好ましいが
、平板に何ら限定されない。即ち前記成膜法においては
、基板の表面が、いかなる形状であってもその形状通り
に膜を形威しつる利点を有するからである。
さて、以上述べた本発明の電子放出素子は、その有する
利点から、とりわけ高解像性，高輝度が所望される画像
表示装置又は描画装置の電子源として好適に用いること
ができる。
以下に、本発明の電子放出素子を用いた画像表示装置に
ついて説明する。
第４図（ａ）　，　（ｂ）において、本発明を適用した
平板型画像表示装置の一実施形態を説明する。第４図（
ａ）は、表示パネルの構造を示す為の一部切欠きの斜視
図であり、第４図（ｂ）は、第４図　（ａ）に示す素子
の拡大図を示したものである。
以下、本装置の構成及び動作を順を追って説明する。
第４図（ａ）は表示パネルの構造を示しており、図中、
ＶＣはガラス製の真空容器で、その一部であるＦＰは表
示面側のフェースプレートを示している。フェースプレ
ートＦＰの内面には、例えばＩＴＯを材料とする透明電
極が形成され、さらにその内則には、赤，緑．青の蛍光
体（画像形成部材）がモザイク状に塗り分けられ、ＣＲ
Ｔの分野では公知のメタルバック処理が施されている。
（透明電極，蛍光体．メタルバックは図示せず。）また
、前記透明電極は、加速電圧を印加する為に端子ＥＶを
通じて、真空容器外と電気的に接続されている。
また、Ｓは前記真空容器ＶＣの底面に固定されたガラス
基板で、その上面には本発明の電子放出素子がＮ個×β
列にわたり配列形成されている。該電子放出群は、列毎
に電気的に並列接続されており、各列の正極側配線２５
（負極側配線２６）は、端子ｏｐｌ　〜［ｌｐＩ！（端
子Ｄｍ．〜ＤｍＩ！）によって真空容器外と電気的に接
続されている。
また、基板Ｓとフェースブレー｝−ＦＰの中間には、ス
トライブ状のグリッド電極（変調電極）　ＧＲが設けら
れている。かかるグリッド電極（変調電極）ＧＲは、前
記素子列と直交してＮ本設けられており、各電極には、
電子ビームを透過させる為の空孔Ｇｈが設けられている
。空孔Ｇｈは、第４図（ａ）に示すように各電子放出素
子に対応して１個づつ設けてもよいし、あるいは微小な
孔をメッシュ状に多数設けてもよい。また、各グリッド
電極（変調電極）　ＧＲは、端子６１〜Ｇ．によって真
空容器外と電気的に接続されている。
本表示パネルでは、４個の電子放出素子列と、Ｎ個のグ
リッド電極（変調電極〉列により、ＸＹマトリクスが構
成されている。電子放出列を一列づつ順次駆動（走査）
するのと同期してグノッド電極（変調電極）に情報信号
に応じて画像１ライン分の変調信号を同時に印加するこ
とにより、各電子ビームの蛍光体への照射を制１卸し、
画像を１ラインづつ表示していくものである。
以上述べた画像表示装置は、先述した本発明の電子放出
素子の有する利点に起因して、とりわけ高解像性，輝度
むらがなく、高輝度の表示画像が得られる画像表示装置
となる。
次に、本発明の電子放出素子を用いた描画装置について
説明する。
第５図は、描画装置の一実施形態の概略構成図である。
３ｌは本発明の電子放出素子であり、この電子放出素子
３ｌから放出された電子ビーム（図中の点線）により、
ステージ３５上に設けられたウエハー４２に描画する。
電子ビームは所望画像の情報信号に応じて変調、即ち電
子ビームのＯＮ／ＯＦＦ制御が行われるが、かかる変調
手段は、単に素子の駆動をＯＮ／ＯＦＦ制御する電子源
駆動装置３２であっても良いが、それ以外に第５図中４
１で示される、すなわち連続放出している電子ビームを
大きく偏向させ、ウエハー４２に到達しないようにする
プランキング電極であっても良い。本態様の描画装置は
、以上のように本発明の電子放出素子及び変調手段を必
須の構成要件として具備するものである。また、電子源
を構成する電子放出素子がマルチ化されていない場合に
は、電子ビームを情報信号に応じて偏向する偏向電極３
９が必要である。また、偏向電極３９による電子ビーム
の偏向幅に制約が生じる場合には、さらに、情報信号に
応じてステージ３５を微動させる為のステージ微動機構
３７，ステージ位置決め機構３８及びこれら機構（３７
．３８）と偏向電極３９及びプランキング電極４ｌとを
同期させる為の制御機構４０を設けることが好ましい。
更には、放出される電子ビームのウエハー４２上での収
束性を向上させるために、電子ビーム経路の両側に収束
レンズ（電磁レンズ３３及び電磁レンズ駆動装置３４）
を配置することが好ましい。また、第５図中の３６は防
震架台であり、描画中の微振動による描画精度の低下を
防止する為のものである。
以上述べた描画装置は、先述した本発明の電子放出素子
の有する利点に起因して、とりわけ高解像性，高精度の
描画パターンが得られる描画装置となる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例により詳細な説明を行う。
丈１０糺土 本実施例では、本発明に係る電子放出素子を作製した。
先ず、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の飽和蒸気
中に一昼夜放置して疎水処理したガラス基板（コーニン
グ社製＃７０５９）土に下引き層としてＣｒを真空蒸着
法により厚さ５００人堆積させ、更にＡｕを同ｔ去によ
り蒸着（膜厚ｌ０００人）し、幅１　ｍｍのストライブ
状の下地電極を形成した。かかる基板を担体としてＬＢ
法によりポリイミドの単分子膜形成法の詳細を記す。
ポリアミック酸（分子量約２０万）を濃度ｌ×ｌＯ−３
％（ｗｔ／ｗｔ）で溶かしたジメチルアセトアミド溶液
を純水，水温２０℃の水相上に展開し、水面上に単分子
膜を形成した。この単分子膜の表面圧を２５ｓＮ／ｍま
で高め、更にこれを一定に保ちながら前記基板を水面に
横切る方向に５　ａｍ／ｓｈｉｎで浸漬，引き上げを行
い、Ｙ型累積膜の形成を行った。
かかる操作を繰り返すことにより１２，　１８，　２４
，３０，　３６．　４０層の６種類の累積膜を形成した
。更にこれらの膜を３００℃でＩＯ分加熱を行うことに
よりポリイミドにした。
このようにして得られた膜面上全面に、Ａ２（膜厚１５
００人）を基板温度を室温以下に保持しながら真空蒸着
した。次にネガ型レジストを塗布した後、第２図（ａ）
に示す表面電極パターンを焼き付け、現像したのち、公
知のウエットエッチングによりＡｊ）をエッチングした
。次いでレジストを剥離して、第２図（ｂ）に示す様な
表面電極を有するＭＩＭ型素子を形成した。表面電極と
下地電極が交叉した部分の大きさは１　ｍｍＸ　１　ａ
ｒｍである。また開口部の幅（第１図中：Ｗ）はＩ　Ｏ
ｐｍで、開口部のピッチは５０ＩＬｓ＋である。
以上の様にして作製した素子を２　Ｘ　１０−’ｔｏｒ
ｒ以下の真空下におき、上下電極間に電圧を印加するこ
とにより、電子放出が観測された。電子放出効率は最大
Ｉ　Ｘ　１０−”程度が得られた。絶縁層の累積層数が
増すと、同じ放出電流を得るためにより高い電圧を要し
た。素子の直上に配置した蛍光板により電子放出パター
ンを観測すると、表面電極の形状に一致した蛍光パター
ンが得られた。更に蛍光の均一性も良好であった。
尚、ポリイミドー層当りの膜厚はエリプソメトリー法に
より約３，６人と求められた。
次に、表面電極と下地電極の交叉した部分の大きさがｌ
　＋ｎｏ＋Ｘ　ｌ　ｍｍで、開口部の幅が１００　４ｍ
，開口部のピッチが２００μｍとした以外は、上記と同
様の素子を作製し、同様な測定を試みた。
上下電極には比較的高い電圧の印加を要したが、電子放
出効率は最大３　Ｘ　１０−３程度が得られた。素子直
上に配置した蛍光板で観察した電子放出パターンは、表
面電極の形状と同じものが得られ、蛍光の均一性も良好
であった。
及思貝ス 本実施例では、表面電極のパターンとして、第３図（ａ
）もしくは（ｂ）に示すものを用いた他は、実施例１と
同様にして素子を形成した。第３図（ａ）の開口部の大
きさはｌＯμｍＸ　１０μｍであり、第３図（ｂ）では
直径１　５ｐｍであった。また開口部のピッチはいずれ
の場合も５０−ｍである。
かかる素子の電子放出を実施例ｌ同様観測したところ、
電子放出パターンは表面電極の形状に一致しており、更
に実施例ｌに比べ拡がりが小さくなった。蛍光の均一性
は両者とも良好であったが、同図（ａ）に示す素子の場
合、開口部のコーナー付近で僅かに強い蛍光がみられた
。
以上述べてきた実施例１．２中では絶縁層の形成にＬＢ
法を使用してきたが、極めて薄く均一な絶縁性の有機薄
膜が形成できる成膜法であれば１８法に限らず使用可能
である。具体的には真空蒸着法や電解重合法、ＣｖＤ法
等が挙げられ、使用可能な有機材料の範囲が広がる。
更に絶縁層２は有機材料に限らず、無機材料で形成させ
てもよい。
電極の形成に関しても既に述べている様に、有機薄膜層
上に均一な薄膜を形成しうる成膜法であれば使用可能で
あり、真空蒸着法やスバツタ法に限られるものではない
。
更に基板材料やその形状も本発明は何ら限定するもので
はない。
比』虹例 実施例１と同じ素子面積（　ｌ　ｍｍｘ　１　ｍｍ）で
開口部を設けない素子を作製し、実施例ｌと同様の測定
を行った。尚、表面電極の膜厚は２００人とした。この
際、蛍光板で観察した電子放出パターンは、表面電極と
一致した形状を示した。また、蛍光の均一性も良好であ
ったが、放出効率は最大でもｉ　ｘ　ｉｏ−３を超えな
かった。
また、表面電極の膜厚を１５０人として形成した素子の
場合、電子放出パターンは表面電極の形状に一致してい
たが、蛍光にむらが生じ、電子放出効率は２００人の場
合と変わらなかった。
一方、表面電極の膜厚を１００人とすると、電子放出効
率が５　Ｘ　１０−’以下に減少するとともに、電子放
出パターンも表面電極の形状に一致しなくなり、さらに
蛍光むらが顕著となった。このことは、膜厚１００人と
して形成した八２では、島状構造をとりはじめ均一な表
面電極を形成していないことによる。
叉１目糺旦 本実施例では、実施例２で作製した第３図（ｂ）タイプ
の素子を用いて第４図に示すような画像表示装置を作製
した。
先ず、電子放出素子を１００個（第４図（ａ）中Ｎの値
）並列に配置して素子ラインを形成し、これを１００列
（第４図（ａ）中Ｃの値）ガラス基板上に設けた。次に
、かかる素子の電子放出面からｌＯμｍの位置に絶縁支
持体を介して変調用グリッド電極を設けた。かかるグリ
ッド電極は、前記素子ラインに直交する方向に１００本
配列し、各素子毎に０．４＋ｎ＋＋＋　Ｘ０．４　ｍｍ
の電子通過孔を設けた。そして、さらにその上方素子の
電子放出面から５ｍｍの位置に、蛍光体，透明電極，ガ
ラス板の三層構造から成る厚さ４ｍ＋ｏのフェースプレ
ートを設け、全体が密封された真空容器（　２　Ｘ　１
０−’ｔｏｒｒ程度）となるように構成した。
かかる装置において、素子電極間に８Ｖの電圧を印加し
たところ、蛍光体面に各々の素子に対応した高輝度でか
つむらのない蛍光パターンを得ることができた。
もちろん、グリッド電極と素子ラインとによりＸＹマト
リックス駆動により、表示画像を制御することが可能で
あった。
大圭目牝Ａ 本実施例では、実施例２で作製した第３図（ｂＪタイプ
の素子を一個用いて、第５図に示すような描画装置を作
製した。
ここで、電子放出素子３１表面からステージ３５上のウ
ェハー４２までの距離は約４００ｍｍであり、これを基
準長とする真空容器（　２　Ｘ　１０−’ｔｏｒｒ程度
）を構成し、内部に図示するようにプランキング電極４
ｌと偏向電極３９を各々設け、また、電磁レンズ３３を
３段設けた。
その他、図示するように電子源駆動装置３２，電磁レン
ズ駆動装置３４，ステージ３５の調整機構３７，３８及
び制御機構４０等を具備した構成とした。
かかる装置において、素子に約８Ｖの電圧を印加し、か
つ、ステージを移動させることによって、ウエハー４２
上に高精度の描画パターンを形成することができた。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明の電子放出素子及び
これを用いた画像表示装置．描画装置によれば、 ■．表面電極を特に薄く形成する必要がなく、素子に有
効な電圧を均一に印加できるとともに、発熱による素子
の破損を避けることが可能となり、更に電子は表面電極
の開口部から取り出すことができるため、電子放出効率
を高めることができた。
■．また、絶縁層をＬＢ法により形成することにより、
分子オーダーの膜厚制御が容易に実現でき、又、制御性
が優れているため、素子を形成する時の再現性が高く、
生産性に富む。
■．また、表面電極を薄くしていくことにより生じる電
子ビームの断面形状の悪化や蛍光輝度の不均一化を招く
ことなく、電子放出効率を向上することができた。
■．以上のような電子放出素子を用いて、画像表示装置
あるいは描画装置を構成することで、とりわけ高解像性
，輝度むらのない高輝度の画像及び描画パターンを得る
ことができた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による電子放出素子の一実施例の概略的
断面図である。 第２図（ａ）　，　（ｂ）は、それぞれ本発明による電
子放出素子の表面電極のパターン電極形状、及び電子孜
出素子の平面図である。 第３図（ａ）　，　（ｂ）は、いずれも本発明による電
子放出素子の表面電極パターンである。 第４図（ａ）　，　（ｂ）は、本発明の電子放出素子を
用いた画像表示装置の概略図である。 第５図は、本発明の電子放出素子を用いた描画装置の概
略図である。 第６図及び第７図は、従来のＭＩＭ型電子放出素子の一
般的な構成を示す模式図である。 ｌ・・・電極（下地電極）２・・・絶縁層３・・・表面
電極　　　　４・・・開口部５・・・基板　　　　　　
２５・・・正極側配線２６・・・負極側配線　　　３ｌ
・・・電子放出素子３２・・・電子源駆動装置　３３・
・・電磁レンス３４・・・電磁レンズ駆動装置　　　３
５・・・ステージ３６・・・防振架台　　　　３７・・
・ステージ微動機構３８・・・ステージ位置決め機構　
３９・・・偏向電極４０・・・制御機構　　　　４１・
・・プランキング電極４２・・・ウェハー

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板上に電極が設けられ、該電極上に絶縁層が積
    層され、更に、該絶縁層上に開口部を有する第２の電極
    が積層され前記絶縁層が露出された構造を有し、電極間
    に電圧を印加することにより、第２の電極の開口部から
    電子を放出することを特徴とする電子放出素子。
  2. （２）前記第２の電極の開口部の幅が、１００μｍ以下
    であることを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
  3. （３）前記第２の電極の開口部が、複数形成されている
    ことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
  4. （４）前記絶縁層の厚さが、５Å〜１００Åであること
    を特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
  5. （５）前記絶縁層が、有機化合物の単分子膜又は該単分
    子膜を累積した累積膜であることを特徴とする請求項１
    記載の電子放出素子。
  6. （６）前記絶縁層が、ラングミュアーブロジェット法（
    ＬＢ法）により形成された有機化合物の単分子膜又は該
    単分子膜を累積した累積膜であることを特徴とする請求
    項１記載の電子放出素子。
  7. （７）請求項１〜４いずれかに記載の電子放出素子を複
    数個設け、その上方に該電子放出素子から放出される電
    子ビームを変調する変調電極を設け、さらにその上方に
    該変調された電子ビームの照射により画像を形成する画
    像形成部材を設けた構成を特徴とする画像表示装置。
  8. （８）請求項１〜４いずれかに記載の電子放出素子と、
    該電子放出素子から放出される電子ビームを変調する変
    調手段とを有した構成を特徴とする描画装置。
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