JPH0293290A - フェライト溶解るつぼ - Google Patents
フェライト溶解るつぼInfo
- Publication number
- JPH0293290A JPH0293290A JP24702488A JP24702488A JPH0293290A JP H0293290 A JPH0293290 A JP H0293290A JP 24702488 A JP24702488 A JP 24702488A JP 24702488 A JP24702488 A JP 24702488A JP H0293290 A JPH0293290 A JP H0293290A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite
- single crystal
- crucible
- platinum
- molten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 55
- 238000002844 melting Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000008018 melting Effects 0.000 title claims abstract description 21
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 25
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（Ｍ業上の利用分野）
本発明は、フェライト溶解るつぼの改良に関する。
（従来の技術）
従来、フェライト単結晶を育成するには、第４図に示す
白金製の円筒状の単結晶育成るつぼ１にフェライト２を
入れ、るつぼ１全体を長時間（５０〜１００時間） １
６００〜１７００℃に保持して、フェライト２を溶解の
下車結晶に育成していた。しかしこの方法では白金がフ
ェライト２中に溶出し、図示の如くフェライト単結晶３
の中心部は白金粒４の分布が少なかったが、外周部には
白金粒４が多量に分布した。
白金製の円筒状の単結晶育成るつぼ１にフェライト２を
入れ、るつぼ１全体を長時間（５０〜１００時間） １
６００〜１７００℃に保持して、フェライト２を溶解の
下車結晶に育成していた。しかしこの方法では白金がフ
ェライト２中に溶出し、図示の如くフェライト単結晶３
の中心部は白金粒４の分布が少なかったが、外周部には
白金粒４が多量に分布した。
この為、第５図に示す如く白金製の小径円筒状のフェラ
イト溶解るつぼ５にてフェライト２を溶解し、溶融フェ
ライト２を直ちに単結晶育成るつぼ１に流下導入し、フ
ェライト単結晶３を育成していた。この方法では、フェ
ライト単結晶３の上部の狭い範囲で溶融状態にある。従
って、単結晶育成るつぼｌでの溶融時間が短いので、白
金粒４の混入が少ない。
イト溶解るつぼ５にてフェライト２を溶解し、溶融フェ
ライト２を直ちに単結晶育成るつぼ１に流下導入し、フ
ェライト単結晶３を育成していた。この方法では、フェ
ライト単結晶３の上部の狭い範囲で溶融状態にある。従
って、単結晶育成るつぼｌでの溶融時間が短いので、白
金粒４の混入が少ない。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上記第５図に示すフェライト単結晶の育成方
法では、フェライト溶解るつぼ５で溶融フェライト２中
に溶出した白金粒４が、単結晶育成るつぼｌでフェライ
ト単結晶３全体に分布し、純度の高いフェライト単結晶
が得られなかった。
法では、フェライト溶解るつぼ５で溶融フェライト２中
に溶出した白金粒４が、単結晶育成るつぼｌでフェライ
ト単結晶３全体に分布し、純度の高いフェライト単結晶
が得られなかった。
そこで本発明は、フェライト溶解るつぼの溶融フェライ
トを単結晶育成るつぼに流下した際、溶融フェライト中
の白金粒が溶融フェライトと共に流下せず、溶融フェラ
イトのみ流下するようにしたフェライト溶解るつぼを提
供しようとするものである。
トを単結晶育成るつぼに流下した際、溶融フェライト中
の白金粒が溶融フェライトと共に流下せず、溶融フェラ
イトのみ流下するようにしたフェライト溶解るつぼを提
供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するための本発明のフェライト溶解るつ
ぼは、白金製の円筒状のフェライト溶解るつぼに於いて
、該るつぼの底の中心部に管状のノズルを内外に突出し
て真直に設けたことを特徴とする。
ぼは、白金製の円筒状のフェライト溶解るつぼに於いて
、該るつぼの底の中心部に管状のノズルを内外に突出し
て真直に設けたことを特徴とする。
（作用）
上述の如く構成された本発明のフェライト溶解るつぼで
フェライトを溶解すると、その溶解されたフェライト中
には主として周りから白金が溶出し、その白金粒はフェ
ライトより比重が大きい為、るつぼの底に沈降堆積する
が、るつぼの底の中心部に管状ノズルを内外に突出して
真直に設けであるので、その管状のノズルからは白金粒
が流下せず、溶融フェライトのみ流下する。従って、単
結晶育成用るつぼでは、純度の高いフェライト単結晶を
得ることができる。
フェライトを溶解すると、その溶解されたフェライト中
には主として周りから白金が溶出し、その白金粒はフェ
ライトより比重が大きい為、るつぼの底に沈降堆積する
が、るつぼの底の中心部に管状ノズルを内外に突出して
真直に設けであるので、その管状のノズルからは白金粒
が流下せず、溶融フェライトのみ流下する。従って、単
結晶育成用るつぼでは、純度の高いフェライト単結晶を
得ることができる。
（実施例）
本発明のフェライト溶解るつぼの一実施例を第１図によ
って説明すると、内径４０ｍｍ５深さ １００＋ｎ＋ｎ
。
って説明すると、内径４０ｍｍ５深さ １００＋ｎ＋ｎ
。
肉厚０．５ｍｍの白金より成る円筒状のフェライト溶解
るつぼ６における平坦な底の中心部に、内径３ｍｍ１長
さＬｌｍｍ、肉厚Ｑ、５ｍｍの管状のノズル７を内方６
ｍｍ突出して真直に一体に設けである。
るつぼ６における平坦な底の中心部に、内径３ｍｍ１長
さＬｌｍｍ、肉厚Ｑ、５ｍｍの管状のノズル７を内方６
ｍｍ突出して真直に一体に設けである。
このように構成されたフェライト溶解るつぼ６にて第２
図に示す如くフェライト２を溶解すると、その溶解され
たフェライト２中には主として周壁から白金が溶出し、
その白金粒４はフェライト２より比重が大きい為、るつ
ぼ６の平坦な底に沈降堆積するが、るつぼ６の底の中心
部に管状のノズル７を内方に６市突出して真直に設けで
あるので、その管状のノズル７からは白金粒４が流下せ
ず、溶融フェライト２のみ流下して単結晶育成るつぼ１
に充填される。従って単結晶育成るつぼ１では純度の高
いフェライト単結晶が得られる。
図に示す如くフェライト２を溶解すると、その溶解され
たフェライト２中には主として周壁から白金が溶出し、
その白金粒４はフェライト２より比重が大きい為、るつ
ぼ６の平坦な底に沈降堆積するが、るつぼ６の底の中心
部に管状のノズル７を内方に６市突出して真直に設けで
あるので、その管状のノズル７からは白金粒４が流下せ
ず、溶融フェライト２のみ流下して単結晶育成るつぼ１
に充填される。従って単結晶育成るつぼ１では純度の高
いフェライト単結晶が得られる。
尚、上記実施例のフェライト溶解るつぼ６は、底が平坦
であるが、第３図ａに示す如くホッパー型でも良く、ま
た第３図すに示す如く円誰型であっても良いものである
。
であるが、第３図ａに示す如くホッパー型でも良く、ま
た第３図すに示す如く円誰型であっても良いものである
。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のフェライト溶解るつぼ
によれば、フェライトを溶解した際周壁から白金が溶出
し、その白金粒がるつぼの底に沈降堆積しても、るつぼ
の底の中心部に管状のノズルを内外に突出して真直に設
けであるので、この管状のノズルからは白金粒が流下せ
ず、溶融フェライトのみ流下して単結晶育成るつぼに充
填される結果、純度の高いフェライト単結晶を得ること
ができる。
によれば、フェライトを溶解した際周壁から白金が溶出
し、その白金粒がるつぼの底に沈降堆積しても、るつぼ
の底の中心部に管状のノズルを内外に突出して真直に設
けであるので、この管状のノズルからは白金粒が流下せ
ず、溶融フェライトのみ流下して単結晶育成るつぼに充
填される結果、純度の高いフェライト単結晶を得ること
ができる。
第１図は本発明のフェライト溶解るつぼの一実施例を示
す縦断面図、第２図は第１図のフェライト溶解るつぼの
使用状態を示す縦断面図、第３図ａＳｂは夫々本発明の
フェライト溶解るつぼの他の実施例を示す縦断面図、第
４図及び第５図は従来のフェライト単結晶の育成方法を
示す縦断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第１図 第２図 ７・・・背ル（Ｑ）又−２し 第 図 （ＣＩ） （ｂ） 第 図 第 図
す縦断面図、第２図は第１図のフェライト溶解るつぼの
使用状態を示す縦断面図、第３図ａＳｂは夫々本発明の
フェライト溶解るつぼの他の実施例を示す縦断面図、第
４図及び第５図は従来のフェライト単結晶の育成方法を
示す縦断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第１図 第２図 ７・・・背ル（Ｑ）又−２し 第 図 （ＣＩ） （ｂ） 第 図 第 図
Claims (1)
- １、白金製の円筒状のフェライト溶解るつぼに於いて、
該るつぼの底の中心部に、管状のノズルを内外に突出し
て真直に設けたことを特徴とするフェライト溶解るつぼ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24702488A JPH0293290A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | フェライト溶解るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24702488A JPH0293290A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | フェライト溶解るつぼ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0293290A true JPH0293290A (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=17157270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24702488A Pending JPH0293290A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | フェライト溶解るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0293290A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459638A (en) * | 1990-09-13 | 1995-10-17 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with heat radiating fin assembly and container for housing the same |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24702488A patent/JPH0293290A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459638A (en) * | 1990-09-13 | 1995-10-17 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with heat radiating fin assembly and container for housing the same |
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