JPS59141488A - 単結晶育成装置 - Google Patents
単結晶育成装置Info
- Publication number
- JPS59141488A JPS59141488A JP1643683A JP1643683A JPS59141488A JP S59141488 A JPS59141488 A JP S59141488A JP 1643683 A JP1643683 A JP 1643683A JP 1643683 A JP1643683 A JP 1643683A JP S59141488 A JPS59141488 A JP S59141488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- single crystal
- raw material
- furnace
- melted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
- C30B11/10—Solid or liquid components, e.g. Verneuil method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フェライトなどの学結晶を育成するだめの単
結晶育成装置に関するものである。
結晶育成装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来単結晶を育成する場合には、ブリッジマン法と称せ
られる方法が使用されている。このブリッジマン法は、
ある適当な温度勾配をもった電気炉内で、原料を収容し
溶融したるつぼを相対的に垂直方向に移動させ、徐々に
るつぼ先端部より固化させ単結晶化させるものであす１
．痔に大型の「（１結晶や組成偏析を小さく育成するた
めには、第１図のような育成方法が用いられている。す
なわち加熱炉８の炉心管９内のるつぼ１をヒＦ動装置２
で下から支え、組成偏析を小さくするだめに単結晶化し
た部分３の上部の一部分を溶融したまま、適当な組成を
有する原料固形物４を落下させて補充（７、溶融部分５
を一定歌ｖｃ１呆ちながら、るつぼ１を降下させて先端
方向より学結晶を育成するものである。しかし、この方
法は、原料を補充する。
られる方法が使用されている。このブリッジマン法は、
ある適当な温度勾配をもった電気炉内で、原料を収容し
溶融したるつぼを相対的に垂直方向に移動させ、徐々に
るつぼ先端部より固化させ単結晶化させるものであす１
．痔に大型の「（１結晶や組成偏析を小さく育成するた
めには、第１図のような育成方法が用いられている。す
なわち加熱炉８の炉心管９内のるつぼ１をヒＦ動装置２
で下から支え、組成偏析を小さくするだめに単結晶化し
た部分３の上部の一部分を溶融したまま、適当な組成を
有する原料固形物４を落下させて補充（７、溶融部分５
を一定歌ｖｃ１呆ちながら、るつぼ１を降下させて先端
方向より学結晶を育成するものである。しかし、この方
法は、原料を補充する。
ときに固形物４をるつぼ１内に入れ、原料固形物４を溶
解させねばならないために長い結晶育成時間を要してし
まう。父、」弱含によっては、まわりの熱を吸収するの
で炉内温度の低下をもたらし、以前より溶融していた原
料が固化して多結晶になったりし、単結晶化率の低下の
原因となっていた。
解させねばならないために長い結晶育成時間を要してし
まう。父、」弱含によっては、まわりの熱を吸収するの
で炉内温度の低下をもたらし、以前より溶融していた原
料が固化して多結晶になったりし、単結晶化率の低下の
原因となっていた。
発明の目的
本発明は、以北のような従来の問題点を解決しそれに使
用される電気炉の構造を簡単にでき、しかも良質の大型
の単結晶を効率よく速い速度で育成できる単結晶育成装
置を提供することを目的、とするものである。
用される電気炉の構造を簡単にでき、しかも良質の大型
の単結晶を効率よく速い速度で育成できる単結晶育成装
置を提供することを目的、とするものである。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するもので、手直方向に２つの
加熱手段を有（〜、第１の加熱手段で原料を溶融Ｉ〜、
第２の加熱手段内にるつぼを設け、耐記るつぼは第２の
加熱手段に対して相対的に移動可能と１−１前記第１の
加熱手段内で溶融した原料が前記るつぼ内に供給される
ようにしたものである。
加熱手段を有（〜、第１の加熱手段で原料を溶融Ｉ〜、
第２の加熱手段内にるつぼを設け、耐記るつぼは第２の
加熱手段に対して相対的に移動可能と１−１前記第１の
加熱手段内で溶融した原料が前記るつぼ内に供給される
ようにしたものである。
実施例の説明
以下に本光明の一実施例を説明する。第２図は本発明の
一実施例における単結晶育成装置の概略図である。フェ
ライトの原料固形物４を第１加熱炉７内にある受は皿６
に落とし、順次原本１を溶融する。溶融された原料は、
受は皿６の先端２ｍｍ〜５ ｍｍの穴から第２の加熱炉
８に設置、されているるつぼ１内に滴下され、−１−下
切装置面２によりるつぼ１内の溶融部分５を一定量ｖｃ
保ちながら７ ｍｍ／ｈ ｒ〜１０ｍｍ ／ｈ ｒ
の速い速度でＱ（結晶化させる。
一実施例における単結晶育成装置の概略図である。フェ
ライトの原料固形物４を第１加熱炉７内にある受は皿６
に落とし、順次原本１を溶融する。溶融された原料は、
受は皿６の先端２ｍｍ〜５ ｍｍの穴から第２の加熱炉
８に設置、されているるつぼ１内に滴下され、−１−下
切装置面２によりるつぼ１内の溶融部分５を一定量ｖｃ
保ちながら７ ｍｍ／ｈ ｒ〜１０ｍｍ ／ｈ ｒ
の速い速度でＱ（結晶化させる。
３は単結晶化さ゛れた部分、９は炉心管である。
これにより大型１の屯結晶が効率よくしかも溶融部分５
を狭くできるので組成偏析の少ない単結晶が得られる。
を狭くできるので組成偏析の少ない単結晶が得られる。
・
また、この育成用に使用される加熱炉の構成にしでも従
来の力ロ熱炉上にもう１つの加熱炉を取り付けるだけで
済むたあ、構造が簡単で安価に作製することができる１
、以上のように本実施例によれば、第１の加熱炉の原料
溶融部と第２の結晶育成用加熱炉部を設け、独立した溶
融部より原料が供給されることにより大型の単結晶を速
い育成速度で育成することが可能である。
来の力ロ熱炉上にもう１つの加熱炉を取り付けるだけで
済むたあ、構造が簡単で安価に作製することができる１
、以上のように本実施例によれば、第１の加熱炉の原料
溶融部と第２の結晶育成用加熱炉部を設け、独立した溶
融部より原料が供給されることにより大型の単結晶を速
い育成速度で育成することが可能である。
発明の詳細
な説明したように本発明は、専用の原料溶融部を有する
加熱炉と結晶育成専用の加熱炉部を有し、単結晶を育成
するもので本発明の方法を用いることにより、大型の単
結晶が従来に比へ原料溶融に時間をヴしないだめ結晶育
成速度を２倍以して速めることができ、溶融部分も狭く
して育成できるためブリッジマン法の欠点である組成偏
析も非常に小さくなる。更には、この単結晶育成に使＋
１１１される電気炉の構造に関しても簡単に安価にでき
るためできた単結晶素材の安価にもつながる。
加熱炉と結晶育成専用の加熱炉部を有し、単結晶を育成
するもので本発明の方法を用いることにより、大型の単
結晶が従来に比へ原料溶融に時間をヴしないだめ結晶育
成速度を２倍以して速めることができ、溶融部分も狭く
して育成できるためブリッジマン法の欠点である組成偏
析も非常に小さくなる。更には、この単結晶育成に使＋
１１１される電気炉の構造に関しても簡単に安価にでき
るためできた単結晶素材の安価にもつながる。
第１図は従来の大型の噴結晶を育成するブ’Ｊ ｙジマ
ン去を説明するだめの育成装置の概略１＠面図、第２図
は本発明の一実施例における単結晶育成装置の：断面図
である。 １ ・・るつぼ、２・・・」二Ｆ動装置、３ ・単結晶
化した部分、４・・・・原料固形物、５・ 原斗１溶融
ｔ＜１ｉ分、６・・・・受け＋１１１．７・ ・第１加
熱炉、８・・・・第２加熱炉、９・・・・炉心管。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｓ
〜−蔽 −ら懲
ン去を説明するだめの育成装置の概略１＠面図、第２図
は本発明の一実施例における単結晶育成装置の：断面図
である。 １ ・・るつぼ、２・・・」二Ｆ動装置、３ ・単結晶
化した部分、４・・・・原料固形物、５・ 原斗１溶融
ｔ＜１ｉ分、６・・・・受け＋１１１．７・ ・第１加
熱炉、８・・・・第２加熱炉、９・・・・炉心管。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｓ
〜−蔽 −ら懲
Claims (1)
- 垂直方向に２つの加熱手段を有し、第１の加熱手段で原
料を溶融し、第２の加熱手段内にるつぼを設け、前記る
つぼは第２の加熱手段に対して相対的に移動可能とし、
前記第１の加熱手段内で溶融した原料が前記るつぼ内に
供給されるようにしたことを特徴とする単結晶育成装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1643683A JPS59141488A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1643683A JPS59141488A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 単結晶育成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59141488A true JPS59141488A (ja) | 1984-08-14 |
Family
ID=11916178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1643683A Pending JPS59141488A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 単結晶育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59141488A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04110761U (ja) * | 1991-01-18 | 1992-09-25 | アルプス電気株式会社 | 単結晶製造装置 |
| JPH04317490A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-11-09 | Alps Electric Co Ltd | 単結晶製造装置 |
-
1983
- 1983-02-02 JP JP1643683A patent/JPS59141488A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04317490A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-11-09 | Alps Electric Co Ltd | 単結晶製造装置 |
| JPH04110761U (ja) * | 1991-01-18 | 1992-09-25 | アルプス電気株式会社 | 単結晶製造装置 |
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