JPH028473B2 - - Google Patents
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- JPH028473B2 JPH028473B2 JP60154409A JP15440985A JPH028473B2 JP H028473 B2 JPH028473 B2 JP H028473B2 JP 60154409 A JP60154409 A JP 60154409A JP 15440985 A JP15440985 A JP 15440985A JP H028473 B2 JPH028473 B2 JP H028473B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflecting mirror
- ultraviolet
- printed circuit
- ultraviolet laser
- mask
- Prior art date
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、紫外線レーザーからの紫外線を透光
性のフイルム等に形成された回路パターンのマス
クを介してプリント基板等の上に塗布された紫外
線硬化型レジストに照射し、マスクに形成されて
いる回路パターンを焼付ける露光装置等における
紫外線レーザー照射方法に関するもので、微細な
画像を形成する必要のある分野で利用するもので
ある。
性のフイルム等に形成された回路パターンのマス
クを介してプリント基板等の上に塗布された紫外
線硬化型レジストに照射し、マスクに形成されて
いる回路パターンを焼付ける露光装置等における
紫外線レーザー照射方法に関するもので、微細な
画像を形成する必要のある分野で利用するもので
ある。
従来の技術
プリント基板製造等においては、回路パターン
が微細化の傾向にあり、露光装置の解像力を上げ
る必要がある。マスクに形成された微細な回路パ
ターンを紫外線硬化型のエツチングレジストある
いはソルダーレジスト等のレジストを塗布したプ
リント基板に露光して焼付けるためには、解像力
の点から平行光が必要なので、従来は点光源に近
い超高圧放電灯と光学系とを組合せて疑似平行光
をつくる照射方法が提案されている。
が微細化の傾向にあり、露光装置の解像力を上げ
る必要がある。マスクに形成された微細な回路パ
ターンを紫外線硬化型のエツチングレジストある
いはソルダーレジスト等のレジストを塗布したプ
リント基板に露光して焼付けるためには、解像力
の点から平行光が必要なので、従来は点光源に近
い超高圧放電灯と光学系とを組合せて疑似平行光
をつくる照射方法が提案されている。
第2図は従来のこの種の露光装置の照射方法の
一例を示したものである。図において、6は超高
圧水銀灯などの超高圧放電灯、7は楕円面鏡、8
は第一次反射鏡、9はインテグレーター、10は
第二次反射鏡、11は回路パターンが形成されて
いるマスク、12はレジストが塗布されているプ
リント基板である。超高圧放電灯6からの紫外線
の光は、楕円面鏡7を介して第一次反射鏡8に集
光され、その光がほぼ90度向きを変えて反射さ
れ、インテグレーター9を透過して第二次反射鏡
10に照射される。第二次反射鏡10はプリント
基板12に対してほぼ45度の傾斜を持たせて設置
されており、第二次反射鏡10で反射された光は
マスク11を介してプリント基板12の全面に照
射され、マスク11の回路パターンがプリント基
板12の上に塗布されたレジストに焼付けられ
る。第一次反射鏡8には超高圧放電灯6からの熱
線を吸収させるためにコールドミラーを使用す
る。インテグレーター9は紫外線の透過率をよく
するため石英製の小さな凸レンズを組合せて構成
してある。
一例を示したものである。図において、6は超高
圧水銀灯などの超高圧放電灯、7は楕円面鏡、8
は第一次反射鏡、9はインテグレーター、10は
第二次反射鏡、11は回路パターンが形成されて
いるマスク、12はレジストが塗布されているプ
リント基板である。超高圧放電灯6からの紫外線
の光は、楕円面鏡7を介して第一次反射鏡8に集
光され、その光がほぼ90度向きを変えて反射さ
れ、インテグレーター9を透過して第二次反射鏡
10に照射される。第二次反射鏡10はプリント
基板12に対してほぼ45度の傾斜を持たせて設置
されており、第二次反射鏡10で反射された光は
マスク11を介してプリント基板12の全面に照
射され、マスク11の回路パターンがプリント基
板12の上に塗布されたレジストに焼付けられ
る。第一次反射鏡8には超高圧放電灯6からの熱
線を吸収させるためにコールドミラーを使用す
る。インテグレーター9は紫外線の透過率をよく
するため石英製の小さな凸レンズを組合せて構成
してある。
発明が解決しようとする問題点
プリント基板等の被照射物の焼付けのための露
光時間は被照射物の紫外線強度の最小値のところ
で決まるので、出来るだけ高い値で均一に照射す
ることが必要である。しかるに上記したような従
来の方式では、インテグレーター部や最終段の反
射鏡を工夫して均斉度を改善しているが、インテ
グレーター部を出た紫外線は拡がりがあるので、
どうしても紫外線強度の分布は中心部が端部より
高くなる。均斉度をよりよくするため、光路長を
長くしたり、あるいは被照射物の大きさに対して
照射面積を大きくするなどの方法もあるが、いづ
れも紫外線強度が低下し、露光時間が長くなると
いう問題があつた。また平行度の改善対策とし
て、最終段の反射鏡を放物面鏡にするなどの方法
があるが、放物面鏡の仕上げが不完全であると、
部分的に平行度が悪くなり、プリント基板等の製
品の品質に影響するという問題が生じる。また良
質の放物面鏡にすると、価格が非常に高くなるな
どの問題が生じる。さらに平行度についても光路
長を長くすると改善できるが、均斉度の場合と同
様に紫外線強度が低下し、露光時間が長くなると
いう問題が生じる。
光時間は被照射物の紫外線強度の最小値のところ
で決まるので、出来るだけ高い値で均一に照射す
ることが必要である。しかるに上記したような従
来の方式では、インテグレーター部や最終段の反
射鏡を工夫して均斉度を改善しているが、インテ
グレーター部を出た紫外線は拡がりがあるので、
どうしても紫外線強度の分布は中心部が端部より
高くなる。均斉度をよりよくするため、光路長を
長くしたり、あるいは被照射物の大きさに対して
照射面積を大きくするなどの方法もあるが、いづ
れも紫外線強度が低下し、露光時間が長くなると
いう問題があつた。また平行度の改善対策とし
て、最終段の反射鏡を放物面鏡にするなどの方法
があるが、放物面鏡の仕上げが不完全であると、
部分的に平行度が悪くなり、プリント基板等の製
品の品質に影響するという問題が生じる。また良
質の放物面鏡にすると、価格が非常に高くなるな
どの問題が生じる。さらに平行度についても光路
長を長くすると改善できるが、均斉度の場合と同
様に紫外線強度が低下し、露光時間が長くなると
いう問題が生じる。
本発明は上記したような問題点を解消した露光
装置における紫外線の照射方法を提供するもので
ある。
装置における紫外線の照射方法を提供するもので
ある。
問題点を解決するための手段
即ち、本発明は、光源として平行光源である紫
外線レーザーを使用し、且つ良質の平行度を得る
ために、紫外線レーザーからの紫外線を回転する
多面体反射鏡等でスキヤニングするのではなく、
対向した2枚の反射鏡を直角的位置関係でそれぞ
れ移動させることにより、固定したプリント基板
等の被照射物に紫外線レーザーからの紫外線を有
効に照射するようにして、紫外線レーザーからの
高平行度の紫外線を被照射物に均一に照射できる
ようにしたものである。
外線レーザーを使用し、且つ良質の平行度を得る
ために、紫外線レーザーからの紫外線を回転する
多面体反射鏡等でスキヤニングするのではなく、
対向した2枚の反射鏡を直角的位置関係でそれぞ
れ移動させることにより、固定したプリント基板
等の被照射物に紫外線レーザーからの紫外線を有
効に照射するようにして、紫外線レーザーからの
高平行度の紫外線を被照射物に均一に照射できる
ようにしたものである。
作 用
紫外線レーザーからの紫外線のスポツト径より
大きい面積の第一次反射鏡で紫外線レーザーから
の紫外線を受け、その紫外線を被照射面に水平に
90度向きを変えて反射させる。次にこの第一次反
射鏡で反射された紫外線を、第一次反射鏡と同一
面上で、被照射物に対して45度の角度に傾斜させ
て第一次反射鏡に対向して配置され、且つ幅が紫
外線のスポツト径よりも大きく、長さが被照射物
より長い長方形の第二次反射鏡で受け、垂直方向
に90度向きを変えて反射させることにより、、紫
外線レーザーからの紫外線を被照射物に照射す
る。さらに第一次反射鏡を紫外線レーザーからの
入射光軸と同一方向に連続的に前後移動させ、か
つ第二次反射鏡を第一次反射鏡からの反射光の光
軸方向に移動させることにより、即ち、第一次反
射鏡と第二次反射鏡とを直角的位置関係でそれぞ
れ移動させることにより、固定された被照射物の
全面に紫外線レーザーから発振された平行度の高
い紫外線を均一に照射することができる。
大きい面積の第一次反射鏡で紫外線レーザーから
の紫外線を受け、その紫外線を被照射面に水平に
90度向きを変えて反射させる。次にこの第一次反
射鏡で反射された紫外線を、第一次反射鏡と同一
面上で、被照射物に対して45度の角度に傾斜させ
て第一次反射鏡に対向して配置され、且つ幅が紫
外線のスポツト径よりも大きく、長さが被照射物
より長い長方形の第二次反射鏡で受け、垂直方向
に90度向きを変えて反射させることにより、、紫
外線レーザーからの紫外線を被照射物に照射す
る。さらに第一次反射鏡を紫外線レーザーからの
入射光軸と同一方向に連続的に前後移動させ、か
つ第二次反射鏡を第一次反射鏡からの反射光の光
軸方向に移動させることにより、即ち、第一次反
射鏡と第二次反射鏡とを直角的位置関係でそれぞ
れ移動させることにより、固定された被照射物の
全面に紫外線レーザーから発振された平行度の高
い紫外線を均一に照射することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第1図に基いて説明
する。
する。
図において、1は紫外線レーザー、2は紫外線
レーザーからの入射光を90度向きを変えて水平に
反射させる第一次反射鏡、3は第一次反射鏡2か
らの反射光を垂直方向に90度向きを変えて反射さ
せる第二次反射鏡、4はプリント基板用の回路を
描いたマスク、5はレジストを塗布したプリント
基板である。第一次反射鏡2と第二次反射鏡3と
はマスク4の上方に配置されていて、第一次反射
鏡2は紫外線レーザー1からの入射光Cに対して
45度の傾斜を持たせて設置され、入射光Cと同一
方向であるA−A′方向に連続的に前後移動する。
第二次反射鏡3はマスク4に対して45度の傾斜を
持たせて設置され、第一次反射鏡2からの反射光
を垂直方向に90度向きを変えて反射させながら、
第一次反射鏡2からの反射光と同一方向であるB
−B′方向に移動する。第一次反射鏡2の大きさ
は紫外線レーザー1からの紫外線のスポツト径よ
り大きな形状とし、第二次反射鏡3の大きさは、
幅は紫外線のスポツト径より若干大きく、長さは
被照射物の幅より大きくした長方形とする。
レーザーからの入射光を90度向きを変えて水平に
反射させる第一次反射鏡、3は第一次反射鏡2か
らの反射光を垂直方向に90度向きを変えて反射さ
せる第二次反射鏡、4はプリント基板用の回路を
描いたマスク、5はレジストを塗布したプリント
基板である。第一次反射鏡2と第二次反射鏡3と
はマスク4の上方に配置されていて、第一次反射
鏡2は紫外線レーザー1からの入射光Cに対して
45度の傾斜を持たせて設置され、入射光Cと同一
方向であるA−A′方向に連続的に前後移動する。
第二次反射鏡3はマスク4に対して45度の傾斜を
持たせて設置され、第一次反射鏡2からの反射光
を垂直方向に90度向きを変えて反射させながら、
第一次反射鏡2からの反射光と同一方向であるB
−B′方向に移動する。第一次反射鏡2の大きさ
は紫外線レーザー1からの紫外線のスポツト径よ
り大きな形状とし、第二次反射鏡3の大きさは、
幅は紫外線のスポツト径より若干大きく、長さは
被照射物の幅より大きくした長方形とする。
かかる本発明実施例において、紫外線レーザー
1から出た紫外線Cは第一次反射鏡2で水平方向
に90度向きを変えて反射されて第二次反射鏡3に
照射され、さらに第二次反射鏡3で垂直下方向に
90度向きを変えて反射されて、マスク4を介して
プリント基板5にスポツト状で照射される。第一
次反射鏡2をAからA′方向に移動させることに
より、紫外線のスポツトはマスク4上をaから
a′方向に移動しながら帯状に照射していく。紫外
線のスポツトがa′方向の端部に達すると、第二次
反射鏡3を紫外線のスポツト径の大きさより若干
少ない幅でBからB′方向に移動させ、かつ第一
次反射鏡2をA′からA方向に移動させることに
より、マスク4上のスポツトはa′からa方向に移
動し、再び帯状に照射していく。この状態を繰り
返すことにより、スポツト部の帯はbからb′方向
に移動し、マスク4を介してプリント基板5にマ
スク4に描かれた回路のパターンを焼付けること
ができる。
1から出た紫外線Cは第一次反射鏡2で水平方向
に90度向きを変えて反射されて第二次反射鏡3に
照射され、さらに第二次反射鏡3で垂直下方向に
90度向きを変えて反射されて、マスク4を介して
プリント基板5にスポツト状で照射される。第一
次反射鏡2をAからA′方向に移動させることに
より、紫外線のスポツトはマスク4上をaから
a′方向に移動しながら帯状に照射していく。紫外
線のスポツトがa′方向の端部に達すると、第二次
反射鏡3を紫外線のスポツト径の大きさより若干
少ない幅でBからB′方向に移動させ、かつ第一
次反射鏡2をA′からA方向に移動させることに
より、マスク4上のスポツトはa′からa方向に移
動し、再び帯状に照射していく。この状態を繰り
返すことにより、スポツト部の帯はbからb′方向
に移動し、マスク4を介してプリント基板5にマ
スク4に描かれた回路のパターンを焼付けること
ができる。
また第一次反射鏡2と第二次反射鏡3の鏡面仕
上げを紫外線の波長に合つた仕上げにすることに
より、効率的に反射させることができる。またマ
スク4とレジストを塗布したプリント基板5とは
密着でも、非密着でも、紫外線レーザーは良質の
平行光であるので、高解像力の焼付けができる。
また同一構成のものをプリント基板5に対して
上、下に配置することにより両面露光もできる。
上げを紫外線の波長に合つた仕上げにすることに
より、効率的に反射させることができる。またマ
スク4とレジストを塗布したプリント基板5とは
密着でも、非密着でも、紫外線レーザーは良質の
平行光であるので、高解像力の焼付けができる。
また同一構成のものをプリント基板5に対して
上、下に配置することにより両面露光もできる。
なお、本発明の照射方法は、プリント基板への
回路パターンの焼付けの他、スクリーン印刷板、
エツチングなどの微細な画像形成にも応用できる
ものである。
回路パターンの焼付けの他、スクリーン印刷板、
エツチングなどの微細な画像形成にも応用できる
ものである。
発明の効果
以上述べたような本発明による紫外線レーザー
の照射方法を用いると、紫外線レーザーの特徴で
ある平行光線をそのまま利用でき、高度の平行光
が得られ、解像力が向上し、微細な回路のプリン
ト基板等の製造が容易になり、かつ被照射面に均
一な照射ができ、良質な画像が得られるととも
に、紫外線レーザーからの強力な紫外線により焼
付速度を早めることができ、露光時間の短縮がは
かれ、その実用的効果は大きい。
の照射方法を用いると、紫外線レーザーの特徴で
ある平行光線をそのまま利用でき、高度の平行光
が得られ、解像力が向上し、微細な回路のプリン
ト基板等の製造が容易になり、かつ被照射面に均
一な照射ができ、良質な画像が得られるととも
に、紫外線レーザーからの強力な紫外線により焼
付速度を早めることができ、露光時間の短縮がは
かれ、その実用的効果は大きい。
第1図は本発明紫外線レーザー照射方法の一実
施例を示す立体図、第2図は従来の照射方法の一
例を示す断面図である。 1……紫外線レーザー、2……第一次反射鏡、
3……第二次反射鏡、4……マスク、5……プリ
ント基板。
施例を示す立体図、第2図は従来の照射方法の一
例を示す断面図である。 1……紫外線レーザー、2……第一次反射鏡、
3……第二次反射鏡、4……マスク、5……プリ
ント基板。
Claims (1)
- 1 紫外線レーザーの紫外線を照射する露光装置
における紫外線レーザー照射方法において、対向
して配置した2枚の反射鏡を直角的関係で移動さ
せることにより、被照射物を移動させることな
く、均一に照射する紫外線レーザー照射方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60154409A JPS6214494A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 紫外線レ−ザ−照射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60154409A JPS6214494A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 紫外線レ−ザ−照射方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6214494A JPS6214494A (ja) | 1987-01-23 |
JPH028473B2 true JPH028473B2 (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=15583517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60154409A Granted JPS6214494A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 紫外線レ−ザ−照射方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6214494A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2501027Y2 (ja) * | 1993-01-26 | 1996-06-12 | 輝実 太田 | ゲ―トボ―ル通過確認装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0255330A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶用配向膜の製法 |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60154409A patent/JPS6214494A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2501027Y2 (ja) * | 1993-01-26 | 1996-06-12 | 輝実 太田 | ゲ―トボ―ル通過確認装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6214494A (ja) | 1987-01-23 |
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