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JPH01137808A - 演算増幅回路 - Google Patents

演算増幅回路

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JPH01137808A
JPH01137808A JP62295326A JP29532687A JPH01137808A JP H01137808 A JPH01137808 A JP H01137808A JP 62295326 A JP62295326 A JP 62295326A JP 29532687 A JP29532687 A JP 29532687A JP H01137808 A JPH01137808 A JP H01137808A
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JP
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circuit
voltage
amplifier circuit
level shift
transistor
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Osamu Kobayashi
修 小林
Kunihiko Goto
邦彦 後藤
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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    • HELECTRICITY
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    • H03F1/307Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in push-pull amplifiers
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    • HELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 プッシュプル出力段を有する演算増幅回路に関し、 電源電圧変動による動作点の変動を防止した演算増幅回
路を提供することを目的とし、2入力の差に応じた出力
電圧を発生する差動増幅回路と、差動増幅回路の出力電
圧を所定電圧だけシフトして出力電圧を発生するレベル
シフト回路と、レベルシフト回路の出力電圧および差動
増幅回路の出力電圧に応じて動作するプッシュプル出力
回路と、電源電圧の変動に応じたバイアス電圧を発生し
てレベルシフト回路を制御し、電源電圧の変動があって
もレベルシフト回路の出力電圧を変化させないバイアス
回路とを具備するように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はプッシュプル出力段を有する演算増幅回路に関
する。
〔従来の技術〕
従来のプッシュプル出力段を有する演算増幅回路の一例
は第8図に示され、その詳細は第9図に示される。すな
わち、1は入力信号子IN、−INの差に応じた出力V
2を発生する差動増幅回路であって、Pチャネルトラン
ジスタT、、T2、NチャネルトランジスタT3 + 
74 、および定電流源■1を具備する。たとえば、+
 I N>−I Nであれば、電圧V1がハイレベル、
電圧■2がローレベルとなり、逆に、+IN<−INで
あれば、ML 圧V +がローレベル、電圧■2がハイ
レベルとなる。この場合、+IN、−INの振幅中心は
2つの電源電圧V 00 + V 93の中間電圧とな
るようにする。2は差動増幅回路1の出力電圧V、を所
定電圧だけシフトダウンさせるレベルシフト回路であっ
て、定電圧回路としてのNチャネルトランジスタT、お
よび定電流源■2を具備する。この場合、差動増幅回路
1の出力電圧V!とレベルシフト回路2の出力電圧■3
との差はトランジスタT。
のスレッシュホールド電圧トランジスタT、の特性(B
)、電流■2によって決まる大きさである。
3はプッシュプル出力回路であって、Pチャネルトラン
ジスタT、およびNチャネルトランジスタT?の直列回
路で構成される。Ccは負帰還の発振防止用の位相補償
キャパシタである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第8図、第9図の回路において、プッシュプル出力回路
3のトランジスタT6に流れる電流は、Voo  Vz
により決定され、トランジスタT7に流れる電流は、V
3  VSSにより決定される。この場合、電流■2が
一定であるので、Vz−V。
は一定である。ところで、 VDD  VSS= (Vt+o  Vz )+(Vz
  V3 ) + (V3  Vis) と表わせるので、VDfl  vssが大きく変動する
と、第2項は一定であるので、第1項(Vn++  V
z )、第3項(V3  VS2)が変動してプッシュ
プル出力回路3の動作点は大きく変動する。なお、実際
には、差動増幅回路1において、電源電圧■。、の変動
に電圧V、、V、の変動は追随するので、第3項(V:
l  Vss)が主に変動する。
従って、本発明の目的は、電源電圧変動による動作点の
変動を防止した演算増幅回路を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上述の問題点を解決するための手段は第1図に示される
。第1図において、差動増幅回路1は2入力+IN、−
INの差に応じた出力電圧■2を発生、レベルシフト回
路2は差動増幅回路lの出力電圧■2を所定電圧だけシ
フトして出力電圧■3を発生し、プッシュプル出力回路
3はレベルシフト回路J路2の出力電圧v3と差動増幅
回路lの出力電圧V、に応じて動作する。Vno 、 
Vss 、 OUTは電源電圧、出力端子である。ここ
で、バイアス回路4は電源電圧■ゎ。の変動に応じたバ
イアス電圧V、を発生してレベルシフト回路2を制御し
、電源電圧VOOの変動があってもレベルシフト回路2
の出力電圧を変化させない。すなわち、バイアス回路4
は電源電圧v0の変動に応じた変動を有するバイアス電
圧VIlによりレベルシフト回路2を制御する。
〔作 用〕
上述の手段によれば、電源電圧VIIOの変動はプッシ
ュプル出力回路3のトランジスタT7のゲースーソース
(V3  Vss)に影響せず、従って、電源電圧■、
が変動しても、トランジスタT7に流れる電流は変動し
ない。なお、トランジスタT6は差動増幅回路lの出力
電圧V2が電源電圧■。。
に追従しているので、電源電圧v0゜が変動しても、V
IID  V2は変動せず、従って、トランジスタT6
に流れる電流は変動しない。このように、プッシュプル
出力回路3の動作点は電源電圧vnoの変動によっては
変動しない。
〔実施例〕
第2図は本発明に係る演算増幅回路の第1の実施例を示
す回路図である。第2図においては、第9図のレベルシ
フト回路2の定電流源■2を可変電流源としてのNチャ
ネルトランジスタT、に置換し、このトランジスタTs
のゲート電位をバイアス回路4によって制御する。
バイアス回路4の構成要素のパラメータは差動増幅回路
lおよびレベルシフト回路2のパラメータと同様に構成
しである。すなわち、バイアス回路4は、差動増幅回路
1のPチャネルトランジスタT + 、 T 2に相当
するPチャネルトランジスタT1 ′、定電流gr、に
相当する定電流源(、/、レベルシフト回路2のNチャ
ネルトランジスタT、に相当するNチャネルトランジス
タT、′、NチャネルトランジスタTllに相当するN
チャネルトランジスタT、′および定電流源1./によ
り構成されている。
バイアス回路4の各構成要素は、電源電圧■。
がΔ■。。だけ変動してもレベルシフト回路2の出力電
圧V、の変動ΔV、が0となるように、決定される。こ
こで、トランジスタT、の相互コンダクタンスおよび電
流増幅率をg□、β8と表わし、電源電圧V0の変動Δ
■。に対し、各電圧V2rv31  v、’+ vll
の変動をΔV2+ ΔV3+Δ■2 ′、Δ■3とする
と、レベルシフト回路2のトランジスタT8の電流変化
はg、・ΔV、であり、従って、トランジスタT、、T
@について、lll5 となる。同様に、バイアス回路4のトランジスタTS’
+’r’s  ′について、 他方、トランジスタT:l、T4は飽和状態で動作し、
また、定電流源I、の存在のために、ΔV2=ΔVDn
            (3)であり、定電流源1.
/の存在のために、Δ■2 ′=ΔV(ID     
      (4)である。従って、(1)〜(4)式
により、ここで、電源電圧Vt111の変動ΔV0があ
っても、トランジスタT、のデース−ソース間電圧v3
−VSSの変動ΔVs(Vssは接地電位とすれば変動
なし)が生じないようにするには、(5)式からとすれ
ばよい。ところで、バイアス回路4の構成要素は、差動
増幅回路1、レベルシフト回路2の構成要素と平衡して
いる。従って、 1+  ’ : I+ /2=β1 ′:β2=β5 
′:β5 = (1,’ + Itll’)  : Itsただし
、■ア、′、■ア8はトランジスタT8 ′。
Taに流れるドレイン−ソース間電流である。従って、
(6)式は、 よって、(6)式は、 ところで、MOSトランジスタにおいては、一般に、  TD −β (VGs   Vth) =、/ffiコ「r7 ただし、■、はドレイン−ソース電流 VGSはゲート−ソース間電圧 ■いはスレッシュホールド電圧 の関係がある。ここで、トランジスタT s 、 T 
eは、ドレイン−ソース電流I、が同一、トランジスタ
’ra I ’rs  ’はVGSが同一であるので、
(7)式は、 となる。従って、たとえば、トランジスタTXのゲート
長、幅をLX、WXとすれば、L2=Lz  ’、  
Ls =Ls  ’、  Ls =Ls  ’としたと
きに、 とすることによりΔ■、=0とすることができる。
以上をまとめると、第3図に示すごとく、各電圧はΔV
DDに対して変化することになる。
第4図は本発明に係る演算増幅回路の第2の実施例を示
す回路図である。第4図においては、第2図のバイアス
回路4のトランジスタTs  ’を削除し、定電流源I
、を付加しである。第4図においても、第2図の実施例
と同様に、Δ■。。に対し、ΔV、=Oとなるように、
レベルシフト回路2の各素子Ts 、 Ta 、  I
 eを決定する。すなわち、この場合、バイアス回路4
においては、出力電圧V、の変動Δ■8は電源電圧VD
+、の変動Δnoに追随する。従って、 Δ■8=ΔvD+。
である。従って、トランジスタTS 、T、においては
、 となる。従って、Δ■、=0とするには、g+++s°
 gI118 よって、レベルシフト回路2において、β、・ Iア、
=β、・ Iア8=β5(Its  Ia)(9)式の
条件と、トランジスタT、に電流ITSを流したときの
電圧V、−V、の電位シフトが行われる条件からトラン
ジスタTs、Teおよび定電流源■8を決定できる。以
上の場合、第4図の各部の電圧は第5図に示すごと(変
化する。
第6図は本発明に係る演算増幅回路の第3の実施例を示
す回路図である。第6図においては、定電圧素子として
のNチャネルトランジスタT5の基板電位を可変として
トランジスタTSのスレッシュホールド電圧をバックバ
イアス効果により可変とする。つまり、通常、CMO5
回路であればNチャネルトランジスタはPウェル内に形
成されているので、当該Pウェルの電位を可変とするこ
とによりNチャネルトランジスタT、のスレッシュホー
ルド電圧を可変とすることができ、従って、電圧V、−
V、を可変とすることができる。
トランジスタT、の基板電位はバイアス回路4の出力電
圧v8によって制御される。トランジスタT1 ′、定
電流源■、Lは差動増幅回路1のトランジスタT、、T
、および定電流源■1に相当する。従って、 Is  ’ : Is /2=T+  ’ :T’zと
されている。また、トランジスタT5 ′、定電流源1
./はレベルシフト回路2のトランジスタTS、定電流
源■2に相当する。従って、Ts  ’ : Ts =
Iz ’ : 12となる。第6図において、電流電圧
VOOがΔVOOだけ変動すると、電圧v2.v2 ’
も追随して△VDDだけ変動する。また、電圧v、、v
、’も同様に変化しようとする。このとき、ΔVno>
0であれば、トランジスタT7 ’l T7の電流が増
加しようとする結果、トランジスタTs  ’ + T
sのバックバイアス電位V、が低下し、従って、トラン
ジスタT5 ’、T、のスレッシュホールド電圧が大き
くなり、従って、電圧V3 、 V3 ’の上昇が抑え
られる。同様に、ΔVoo<Oであれば、トランジスタ
T7’+Tyの電流が減少しようとする結果、トランジ
スタTS  ’I TSのハックバイアス電位VBが上
昇し、従って、トランジスタTs  ’ 、Tsのスレ
ッシュホールド電圧が小さくなり、従って、電圧V3 
、 V3  ’の下降が抑えられる。このようにして、
電源電圧VOOの変動ΔVDDがあっても、電圧V3の
変動Δ■、を0にすることが可能である。以上の場合、
各電圧はΔVDDに対して第7図に示すごとく変化する
ことになる。
上述の実施例においては、バイアス回路の1−ランジス
タ、定電流源は演算増幅回路の本体である差動増幅回路
、レベルシフト回路、プッシュプル出力回路と類似構成
で、バイアス条件が等しくなるように構成しであるので
、トランジスタのパラメータ変動に対しても動作点の安
定化が図れる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、電源電圧が変動し
ても動作点の安定化が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の基本構成を示す図、 第2図、第4図、第6図は本発明に係る演算増幅回路の
実施例を示す回路図、 第3図、第5図、第7図は、それぞれ第2図、第4図、
第6図の回路内の電圧波形の傾向を示す図、 第8図は従来の演算増幅回路を示す回路図、第9図は第
8図の詳細回路図である。 ■・・・差動増幅回路、 2・・・レベルシフト回路、 3・・・プッシュプル出力回路、 4・・・バイアス回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、2入力(+IN、−IN)の差に応じた出力電圧(
    V_2)を発生する差動増幅回路(1)と、該差動増幅
    回路の出力電圧(V_2)を所定電圧だけシフトして出
    力電圧(V_3)を発生するレベルシフト回路(2)と
    、 該レベルシフト回路の出力電圧(V_3)および前記差
    動増幅回路の出力電圧(V_2)に応じて動作するプッ
    シュプル出力回路(3)と、 電源電圧(V_D_D)の変動に応じたバイアス電圧(
    V_B)を発生して前記レベルシフト回路を制御し、該
    電源電圧の変動があっても該レベルシフト回路の出力電
    圧を変化させないバイアス回路(4)と、 を具備する演算増幅回路。 2、前記レベルシフト回路は、 前記差動増幅回路の出力電圧(V_2)を所定電圧だけ
    低下させるトランジスタ(T_5)と、該トランジスタ
    に接続された電流源(T_8)とを具備し、 前記バイアス回路は前記電源電圧(V_D_D)の変動
    に応じて前記電流源(T_8)の電流の変動を制御する 特許請求の範囲第1項に記載の演算増幅回路。 3、前記レベルシフト回路は、 前記差動増幅回路の出力電圧(V_2)を所定電圧だけ
    低下させるトランジスタ(T_5)と、該トランジスタ
    に接続された電流源(T_8)と、該電流源に並列接続
    された定電流源(I_8)とを具備し、 前記バイアス回路は前記電源電圧(V_D_D)の変動
    に応じて前記電流源(T_8)の電流の変動を制御する 特許請求の範囲第1項に記載の演算増幅回路。 4、前記レベルシフト回路は、 前記差動増幅回路の出力電圧(V_2)を所定電圧だけ
    低下させるトランジスタ(T_5)と、該トランジスタ
    に接続された定電流源(I_8)と を具備し、 前記バイアス回路は前記電源電圧(V_D_D)の変動
    に応じて前記トランジスタ(T_5)の基板電位の変動
    を制御して前記所定電圧の変動を前記電源電圧の変動に
    一致せしめる 特許請求の範囲第1項に記載の演算増幅回路。
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