JPH07307549A - 薄膜配線パターンの形成方法および薄膜配線基板の製造方法 - Google Patents
薄膜配線パターンの形成方法および薄膜配線基板の製造方法Info
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- JPH07307549A JPH07307549A JP9745494A JP9745494A JPH07307549A JP H07307549 A JPH07307549 A JP H07307549A JP 9745494 A JP9745494 A JP 9745494A JP 9745494 A JP9745494 A JP 9745494A JP H07307549 A JPH07307549 A JP H07307549A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線幅が厚さ方向に亘って一様かつ高精度
で、信頼性の高い薄膜配線として機能する薄膜配線パタ
ーンを形成し得る方法、および薄膜配線基板の製造方法
の提供を目的とする。 【構成】 薄膜配線パターンの形成方法は、基板の主面
に異種の金属薄膜を多層的に被着，形成する工程と、前
記多層的な金属薄膜面に所定パターン形成用のレジスト
マスクを形成する工程と、前記レジストマスクの形成で
露出する金属薄膜を、それぞれ対応するエッチング液に
より順次選択的にエッチングして１次的な薄膜配線パタ
ーンを形成する工程と、前記１次的な薄膜配線パターン
形成時とは逆な順序で対応するエッチング液によってエ
ッチング処理して、１次的な薄膜配線パターンの側壁面
側を整形・調整する工程と、前記レジストマスクを除去
する工程とを具備して成ることを特徴とし、また薄膜配
線基板の製造方法は、前記薄膜配線パターンの形成方法
を応用したものである。
で、信頼性の高い薄膜配線として機能する薄膜配線パタ
ーンを形成し得る方法、および薄膜配線基板の製造方法
の提供を目的とする。 【構成】 薄膜配線パターンの形成方法は、基板の主面
に異種の金属薄膜を多層的に被着，形成する工程と、前
記多層的な金属薄膜面に所定パターン形成用のレジスト
マスクを形成する工程と、前記レジストマスクの形成で
露出する金属薄膜を、それぞれ対応するエッチング液に
より順次選択的にエッチングして１次的な薄膜配線パタ
ーンを形成する工程と、前記１次的な薄膜配線パターン
形成時とは逆な順序で対応するエッチング液によってエ
ッチング処理して、１次的な薄膜配線パターンの側壁面
側を整形・調整する工程と、前記レジストマスクを除去
する工程とを具備して成ることを特徴とし、また薄膜配
線基板の製造方法は、前記薄膜配線パターンの形成方法
を応用したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マルチ・チップ・モジ
ュール（ＭＣＭ）用などに適する薄膜配線パターンの形
成方法、およびこの薄膜配線パターンの形成法を利用す
る薄膜配線基板の製造方法に関する。
ュール（ＭＣＭ）用などに適する薄膜配線パターンの形
成方法、およびこの薄膜配線パターンの形成法を利用す
る薄膜配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】いわゆるマルチ・チップ・モジュールな
どの構成には、導電性の金属配線層および絶縁体層を交
互に積層した薄膜多層配線部を備えた配線基板（薄膜多
層配線基板）が使用されている。そして、この種の薄膜
多層配線基板は、一般的に次のようにして製造されてい
る。図２ (a)， (b)， (c)， (d)および (e)は、従来の
薄膜配線形成の実施態様を模式的に示したものである。
どの構成には、導電性の金属配線層および絶縁体層を交
互に積層した薄膜多層配線部を備えた配線基板（薄膜多
層配線基板）が使用されている。そして、この種の薄膜
多層配線基板は、一般的に次のようにして製造されてい
る。図２ (a)， (b)， (c)， (d)および (e)は、従来の
薄膜配線形成の実施態様を模式的に示したものである。
【０００３】先ず、図２ (a)に要部を断面的に示すよう
に、たとえばセラミックス板などのベース基板１主面
に、たとえばCu，Ni，Auなどを真空蒸着法やスパッター
リングすることによって、導電性の金属薄膜2a，2b，2c
を積層（多層）的に被着・形成する。次いで、図２ (b)
に要部を断面的に示すごとく、前記金属薄膜2a，2b，2c
から成る金属膜２面上に、所望する配線パターンに対応
して、エッチングレジストマスク３を設ける。フォトレ
ジストを金属膜２面上に塗布し、選択的な露光および現
像処理を施してレジストマスキングを行う。
に、たとえばセラミックス板などのベース基板１主面
に、たとえばCu，Ni，Auなどを真空蒸着法やスパッター
リングすることによって、導電性の金属薄膜2a，2b，2c
を積層（多層）的に被着・形成する。次いで、図２ (b)
に要部を断面的に示すごとく、前記金属薄膜2a，2b，2c
から成る金属膜２面上に、所望する配線パターンに対応
して、エッチングレジストマスク３を設ける。フォトレ
ジストを金属膜２面上に塗布し、選択的な露光および現
像処理を施してレジストマスキングを行う。
【０００４】その後、前記金属薄膜2a，2b，2cについ
て、それぞれ対応したエッチング液を用い順次ウエット
エッチング処理を施す。たとえば、ヨウ素−ヨウ素カリ
ウム系の混合液をエッチング液とし、図２ (c)に要部を
断面的に示すごとく、先ずAu薄膜2cの露出部分を選択的
にエッチング除去する。引き続いて、たとえば塩酸−メ
チルアルコール−硫酸銅系の混合液をエッチング液と
し、前記パターンニングされたAu薄膜2c′などをレジス
トマスクとして、新たに露出したNi薄膜2bを選択的にエ
ッチング除去する。さらに、たとえば過硫酸アンモニウ
ム水溶液をエッチング液とし、図２ (d)に要部を断面的
に示すごとく、前記パターンニングされたNi薄膜2b′な
どをレジストマスクとして、露出したCu薄膜2aを選択的
にエッチング除去する。
て、それぞれ対応したエッチング液を用い順次ウエット
エッチング処理を施す。たとえば、ヨウ素−ヨウ素カリ
ウム系の混合液をエッチング液とし、図２ (c)に要部を
断面的に示すごとく、先ずAu薄膜2cの露出部分を選択的
にエッチング除去する。引き続いて、たとえば塩酸−メ
チルアルコール−硫酸銅系の混合液をエッチング液と
し、前記パターンニングされたAu薄膜2c′などをレジス
トマスクとして、新たに露出したNi薄膜2bを選択的にエ
ッチング除去する。さらに、たとえば過硫酸アンモニウ
ム水溶液をエッチング液とし、図２ (d)に要部を断面的
に示すごとく、前記パターンニングされたNi薄膜2b′な
どをレジストマスクとして、露出したCu薄膜2aを選択的
にエッチング除去する。
【０００５】このようにして、金属膜２を形成する多層
的な金属薄膜2c，2b，2aを、対応するエッチング液で順
次選択的なエッチングを行って、所要のパターニング
（パターン形成）した後、前記レジストマスク３を剥離
ないし溶解により除去し、図２(e)に要部を断面的に示
すような構成の薄膜配線２′もしくはこのような薄膜配
線２′を備えた薄膜配線基板が得られる。なお、薄膜配
線２′を多層的に積層配置した構成を採る場合は、前記
薄膜配線２′面に、たとえばポリイミド樹脂系の絶縁体
層を設け、この絶縁体層上に、前記に準じた薄膜配線
２′の形成および絶縁体層の形成を繰り返せばよい。
的な金属薄膜2c，2b，2aを、対応するエッチング液で順
次選択的なエッチングを行って、所要のパターニング
（パターン形成）した後、前記レジストマスク３を剥離
ないし溶解により除去し、図２(e)に要部を断面的に示
すような構成の薄膜配線２′もしくはこのような薄膜配
線２′を備えた薄膜配線基板が得られる。なお、薄膜配
線２′を多層的に積層配置した構成を採る場合は、前記
薄膜配線２′面に、たとえばポリイミド樹脂系の絶縁体
層を設け、この絶縁体層上に、前記に準じた薄膜配線
２′の形成および絶縁体層の形成を繰り返せばよい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の薄
膜配線パターン形成方法の場合は、次のような不都合な
問題がある。すなわち、異種金属を多層的（複数層）に
積層して成る金属膜２について、順次、それぞれ対応す
るエッチング液を用い選択的なエッチング処理を施し、
所要の配線パターニングを行なった場合、各金属薄膜パ
ターン2a′，2b′，2c′は、いわゆる等方エッチング性
によって、厚さ方向のエッチングだけでなく、その膜厚
分のサイドエッチングが起こる（図２(e) 参照）。換言
すると、前記異種の金属を多層的（複数層）に積層して
成る金属膜２につき、所要の選択エッチング処理を施し
て形成した配線パターン2a′，2b′，2c′は、配線パタ
ーン幅が金属薄膜パターン2a′，2b′，2c′の順に階段
状に低減して逆ピラミッド型、もしくは両側面に庇が出
た形状を呈している。
膜配線パターン形成方法の場合は、次のような不都合な
問題がある。すなわち、異種金属を多層的（複数層）に
積層して成る金属膜２について、順次、それぞれ対応す
るエッチング液を用い選択的なエッチング処理を施し、
所要の配線パターニングを行なった場合、各金属薄膜パ
ターン2a′，2b′，2c′は、いわゆる等方エッチング性
によって、厚さ方向のエッチングだけでなく、その膜厚
分のサイドエッチングが起こる（図２(e) 参照）。換言
すると、前記異種の金属を多層的（複数層）に積層して
成る金属膜２につき、所要の選択エッチング処理を施し
て形成した配線パターン2a′，2b′，2c′は、配線パタ
ーン幅が金属薄膜パターン2a′，2b′，2c′の順に階段
状に低減して逆ピラミッド型、もしくは両側面に庇が出
た形状を呈している。
【０００７】このため、前記薄膜配線２′を多層的に積
層・配置し、多層薄膜配線を構成する場合、薄膜配線
２′層間を絶縁するたとえばポリイミド樹脂層を、スピ
ンコート法などで形成する際、前記薄膜配線２′の側面
凹部（庇部の下面部）に空気が残存し易く、空気が残っ
たままの状態でポリイミド樹脂層を硬化させると、絶縁
体層に気泡が発生する。そして、前記絶縁体層での気泡
発生は、絶縁不良を招来し易いばかりでなく、熱による
気泡の膨脹などによって薄膜配線２′の断線を起こすこ
ともある。また、薄膜配線２′の最上層を成す金属薄膜
パターン2c′は、最も突出し両幅方向が浮いた形態を呈
しているため、たとえば半導体チップをアッセンブリす
る過程などで、外的な衝撃などで容易に変形もしくは分
離を起こしたりして、薄膜配線２′間の短絡などを起こ
す可能性もあり、信頼性が損なわれるという問題があ
る。
層・配置し、多層薄膜配線を構成する場合、薄膜配線
２′層間を絶縁するたとえばポリイミド樹脂層を、スピ
ンコート法などで形成する際、前記薄膜配線２′の側面
凹部（庇部の下面部）に空気が残存し易く、空気が残っ
たままの状態でポリイミド樹脂層を硬化させると、絶縁
体層に気泡が発生する。そして、前記絶縁体層での気泡
発生は、絶縁不良を招来し易いばかりでなく、熱による
気泡の膨脹などによって薄膜配線２′の断線を起こすこ
ともある。また、薄膜配線２′の最上層を成す金属薄膜
パターン2c′は、最も突出し両幅方向が浮いた形態を呈
しているため、たとえば半導体チップをアッセンブリす
る過程などで、外的な衝撃などで容易に変形もしくは分
離を起こしたりして、薄膜配線２′間の短絡などを起こ
す可能性もあり、信頼性が損なわれるという問題があ
る。
【０００８】本発明は、上記事情に対処してなされたも
ので、配線幅が厚さ方向に亘って一様かつ高精度で、信
頼性の高い薄膜配線として機能する薄膜配線パターンを
形成し得る方法、および薄膜配線基板の製造方法の提供
を目的とする。
ので、配線幅が厚さ方向に亘って一様かつ高精度で、信
頼性の高い薄膜配線として機能する薄膜配線パターンを
形成し得る方法、および薄膜配線基板の製造方法の提供
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜配線パ
ターンの形成方法は、基板の主面に異種の金属薄膜を多
層的に被着，形成する工程と、前記多層的な金属薄膜面
に所定パターン形成用のレジストマスクを形成する工程
と、前記レジストマスクの形成で露出する金属薄膜を、
それぞれ対応するエッチング液により順次選択的にエッ
チングして１次的な薄膜配線パターンを形成する工程
と、前記１次的な薄膜配線パターン形成時とは逆な順序
で対応するエッチング液によってエッチング処理して、
１次的な薄膜配線パターンの側壁面側を整形・調整する
工程と、前記レジストマスクを除去する工程とを具備し
て成ることを特徴とする。
ターンの形成方法は、基板の主面に異種の金属薄膜を多
層的に被着，形成する工程と、前記多層的な金属薄膜面
に所定パターン形成用のレジストマスクを形成する工程
と、前記レジストマスクの形成で露出する金属薄膜を、
それぞれ対応するエッチング液により順次選択的にエッ
チングして１次的な薄膜配線パターンを形成する工程
と、前記１次的な薄膜配線パターン形成時とは逆な順序
で対応するエッチング液によってエッチング処理して、
１次的な薄膜配線パターンの側壁面側を整形・調整する
工程と、前記レジストマスクを除去する工程とを具備し
て成ることを特徴とする。
【００１０】本発明に係る薄膜配線基板の製造方法は、
基板の主面に異種の金属薄膜を多層的に被着，形成する
工程と、前記多層的な金属薄膜面に所定パターン形成用
のレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマス
クの形成で露出する多層的な金属薄膜を、それぞれ対応
するエッチング液により順次選択的にエッチングし１次
的な薄膜配線パターンを形成する工程と、前記１次的な
薄膜配線パターン形成時とは逆な順序で対応するエッチ
ング液によってエッチング処理して、１次的な薄膜配線
パターンの側壁面側を整形・調整する工程と、前記レジ
ストマスクを除去する工程とを具備して成ることを特徴
とする。
基板の主面に異種の金属薄膜を多層的に被着，形成する
工程と、前記多層的な金属薄膜面に所定パターン形成用
のレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマス
クの形成で露出する多層的な金属薄膜を、それぞれ対応
するエッチング液により順次選択的にエッチングし１次
的な薄膜配線パターンを形成する工程と、前記１次的な
薄膜配線パターン形成時とは逆な順序で対応するエッチ
ング液によってエッチング処理して、１次的な薄膜配線
パターンの側壁面側を整形・調整する工程と、前記レジ
ストマスクを除去する工程とを具備して成ることを特徴
とする。
【００１１】本発明において、多層的な薄膜金属層とし
ては、たとえばCu−Ni層，Cu−Au層，Ni−Au層，Ti−Cu
−Ni層，Ti−Cu−Ni−Au層，Cu−Al層などを例示し得
る。また、Ti層，Cu層，Ni層，Au層，Al層などにそれぞ
れ対応するエッチング液としては、 Al層：混酸（酢
酸を主成分として硝酸およびリン酸を含む） Au層：ヨウ素−ヨウ素カリウム系の混合液 Ni層：塩酸−メチルアルコール−硫酸銅系の混合液 Cu層：過硫酸アンモニウム水溶液 Ti層：過酸化水素水−アンモニウム−エチレンジアミン
四酢酸系の混合液 などを例示し得る。
ては、たとえばCu−Ni層，Cu−Au層，Ni−Au層，Ti−Cu
−Ni層，Ti−Cu−Ni−Au層，Cu−Al層などを例示し得
る。また、Ti層，Cu層，Ni層，Au層，Al層などにそれぞ
れ対応するエッチング液としては、 Al層：混酸（酢
酸を主成分として硝酸およびリン酸を含む） Au層：ヨウ素−ヨウ素カリウム系の混合液 Ni層：塩酸−メチルアルコール−硫酸銅系の混合液 Cu層：過硫酸アンモニウム水溶液 Ti層：過酸化水素水−アンモニウム−エチレンジアミン
四酢酸系の混合液 などを例示し得る。
【００１２】上記において、薄膜配線パターンを形成す
る基板は、たとえばセラミックス系基板，表面に絶縁体
層を形成・具備した金属板、あるいは少なくとも一層の
薄膜配線層を内蔵しているものであってもよい。
る基板は、たとえばセラミックス系基板，表面に絶縁体
層を形成・具備した金属板、あるいは少なくとも一層の
薄膜配線層を内蔵しているものであってもよい。
【００１３】
【作用】本発明に係る薄膜配線パターンの形成方法で
は、多層的に積層された異種の金属薄膜に対する選択的
なエッチング処理に当たり、金属薄膜の材質に対応して
適正なエッチング液に順次切り替え、最上面側から最下
面側へとエッチング処理を進めた後、次段で、逆に最下
面側から最上面側へとエッチング処理を進める方式を採
る。そして、これらのエッチングは等方性であるため、
最上面側から最下面側へのエッチング処理過程で、上面
側の金属薄膜がそれぞれ幅を低減して庇部を形成する
が、最下面側から最上面側へのエッチング処理過程で
は、前記庇部が厚さ方向のエッチングおよびサイドエッ
チングを受けて容易に除去されるので、積層型金属膜の
幅が一様化される。つまり、積層された各金属薄膜は、
一定の幅に整形された信頼性の高い配線パターンが形成
されることになる。
は、多層的に積層された異種の金属薄膜に対する選択的
なエッチング処理に当たり、金属薄膜の材質に対応して
適正なエッチング液に順次切り替え、最上面側から最下
面側へとエッチング処理を進めた後、次段で、逆に最下
面側から最上面側へとエッチング処理を進める方式を採
る。そして、これらのエッチングは等方性であるため、
最上面側から最下面側へのエッチング処理過程で、上面
側の金属薄膜がそれぞれ幅を低減して庇部を形成する
が、最下面側から最上面側へのエッチング処理過程で
は、前記庇部が厚さ方向のエッチングおよびサイドエッ
チングを受けて容易に除去されるので、積層型金属膜の
幅が一様化される。つまり、積層された各金属薄膜は、
一定の幅に整形された信頼性の高い配線パターンが形成
されることになる。
【００１４】また、本発明に係る薄膜配線基板の製造方
法は、前記薄膜配線パターンの形成方法を利用して、所
要の薄膜配線を形成するため、配線パターン間の短絡な
ど発生する恐れもなく、また配線層間の絶縁なども十分
かつ確実に確保された信頼性の高い薄膜配線基板を歩留
まりよく製造することが可能となる。
法は、前記薄膜配線パターンの形成方法を利用して、所
要の薄膜配線を形成するため、配線パターン間の短絡な
ど発生する恐れもなく、また配線層間の絶縁なども十分
かつ確実に確保された信頼性の高い薄膜配線基板を歩留
まりよく製造することが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下、図１ (a)， (b)， (c)， (d)および
(e)を参照して、本発明の実施例を説明する。
(e)を参照して、本発明の実施例を説明する。
【００１６】図１ (a)， (b)， (c)， (d)および (e)
は、本発明の実施態様例を模式的に示す断面図である。
先ず、図１ (a)に示すごとく、たとえばセラミックス板
などのベース基板４主面に、蒸着もしくはスパッターに
よって複数種の金属層から成る金属薄膜５、たとえば厚
さ50〜 100nmのTi層5a，厚さ 1〜 3μm のCu層5b，厚さ
1〜 1.2μm のNi層5cを順次着膜（成膜）した。次い
で、前記金属膜５面上に、たとえば粘度30〜150 CPのフ
ォトレジストを、たとえば1500〜2500 rpmでスピンコー
トし、ホットプレートにて90〜 120℃でベークして厚さ
1〜 5μm のフォトレジスト層を設けた。その後、露光
装置によって所定のマスクを介し、たとえば波長 365nm
の光線を 500〜1000mJ／cm2 のエネルギーで露光してか
ら、たとえばパドル現像を30〜60 sec× 2回行って、所
定のエッチングレジストマスク６を設けた。
は、本発明の実施態様例を模式的に示す断面図である。
先ず、図１ (a)に示すごとく、たとえばセラミックス板
などのベース基板４主面に、蒸着もしくはスパッターに
よって複数種の金属層から成る金属薄膜５、たとえば厚
さ50〜 100nmのTi層5a，厚さ 1〜 3μm のCu層5b，厚さ
1〜 1.2μm のNi層5cを順次着膜（成膜）した。次い
で、前記金属膜５面上に、たとえば粘度30〜150 CPのフ
ォトレジストを、たとえば1500〜2500 rpmでスピンコー
トし、ホットプレートにて90〜 120℃でベークして厚さ
1〜 5μm のフォトレジスト層を設けた。その後、露光
装置によって所定のマスクを介し、たとえば波長 365nm
の光線を 500〜1000mJ／cm2 のエネルギーで露光してか
ら、たとえばパドル現像を30〜60 sec× 2回行って、所
定のエッチングレジストマスク６を設けた。
【００１７】次いで、前記レジストマスキングした最上
層のNi層5cについて、たとえば塩酸−メチルアルコール
−硫酸銅系の混合液をエッチング液とし、90〜 180 sec
エッチング処理した。この塩酸−メチルアルコール−硫
酸銅系の混合液でのエッチング処理により、Ni層5cの露
出領域を選択的にエッチング除去し、Ni層5cをパターニ
ングした後、たとえば過硫酸アンモニウム15〜30％水溶
液をエッチング液とし、 240〜 480 secエッチング処理
を行った。この過硫酸アンモニウム水溶液でのエッチン
グ処理により、Cu層5bの露出領域を選択的にエッチング
除去し、Cu層5bをパターニングした。引き続いて、たと
えば過酸化水素−アンモニア−エチレンジアミン四酢酸
系の混合液をエッチング液とし、90〜 180 secエッチン
グ処理した。この過酸化水素−アンモニア−エチレンジ
アミン四酢酸系の混合液でのエッチング処理により、Ti
層5aの露出領域を選択的にエッチング除去し、Ti層5aを
パターニングして、金属層５の１次パターニングを行っ
た。図１ (b)は、前記１次パターニングしたとき、各薄
膜金属層5a′，5b′，5c′が形成するパターンの断面状
態を模式的に示したものである。図１ (b)から分かるよ
うに、各薄膜金属層5a，5b，5cが形成するパターン幅
は、上層側から下層側に順次低減する逆ピラミッド型の
形態を採っていた。
層のNi層5cについて、たとえば塩酸−メチルアルコール
−硫酸銅系の混合液をエッチング液とし、90〜 180 sec
エッチング処理した。この塩酸−メチルアルコール−硫
酸銅系の混合液でのエッチング処理により、Ni層5cの露
出領域を選択的にエッチング除去し、Ni層5cをパターニ
ングした後、たとえば過硫酸アンモニウム15〜30％水溶
液をエッチング液とし、 240〜 480 secエッチング処理
を行った。この過硫酸アンモニウム水溶液でのエッチン
グ処理により、Cu層5bの露出領域を選択的にエッチング
除去し、Cu層5bをパターニングした。引き続いて、たと
えば過酸化水素−アンモニア−エチレンジアミン四酢酸
系の混合液をエッチング液とし、90〜 180 secエッチン
グ処理した。この過酸化水素−アンモニア−エチレンジ
アミン四酢酸系の混合液でのエッチング処理により、Ti
層5aの露出領域を選択的にエッチング除去し、Ti層5aを
パターニングして、金属層５の１次パターニングを行っ
た。図１ (b)は、前記１次パターニングしたとき、各薄
膜金属層5a′，5b′，5c′が形成するパターンの断面状
態を模式的に示したものである。図１ (b)から分かるよ
うに、各薄膜金属層5a，5b，5cが形成するパターン幅
は、上層側から下層側に順次低減する逆ピラミッド型の
形態を採っていた。
【００１８】次に、前記１次パターニングした各薄膜金
属層5a′，5b′，5c′につき、最下層のパターニングし
たTi層5a′をレジストマスクとし、過硫酸アンモニウム
15〜30％水溶液でのエッチング処理により、Cu層5b′の
露出領域（庇部）を選択的にエッチング除去し、図１
(c)に断面的に示すごとく、Cu層5b′をTi層5a′幅と同
じ幅にパターニング調整を行った。その後、前記パター
ン幅を調整したCu層5b′およびレジストパターン６をエ
ッチングレジストマスクとし、塩酸−メチルアルコール
−硫酸銅系の混合液でのエッチング処理により、Ni層5
c′の露出領域（庇部）を選択的にエッチング除去し、
図１ (d)に断面的に示すごとく、Ni層5c′をTi層5a′お
よびCu層5b′の幅と同じ幅にパターニング調整した。つ
まり、前記１次パターニング後、再度、逆順序のエッチ
ング処理を行うことによって、側面が平滑な薄膜配線
５′が形成される。
属層5a′，5b′，5c′につき、最下層のパターニングし
たTi層5a′をレジストマスクとし、過硫酸アンモニウム
15〜30％水溶液でのエッチング処理により、Cu層5b′の
露出領域（庇部）を選択的にエッチング除去し、図１
(c)に断面的に示すごとく、Cu層5b′をTi層5a′幅と同
じ幅にパターニング調整を行った。その後、前記パター
ン幅を調整したCu層5b′およびレジストパターン６をエ
ッチングレジストマスクとし、塩酸−メチルアルコール
−硫酸銅系の混合液でのエッチング処理により、Ni層5
c′の露出領域（庇部）を選択的にエッチング除去し、
図１ (d)に断面的に示すごとく、Ni層5c′をTi層5a′お
よびCu層5b′の幅と同じ幅にパターニング調整した。つ
まり、前記１次パターニング後、再度、逆順序のエッチ
ング処理を行うことによって、側面が平滑な薄膜配線
５′が形成される。
【００１９】前記により、薄膜金属層5a，5b，5cを積層
して構成した金属層５を、選択的なエッチングによって
所要のパターニングを行った後、たとえばアセトン中に
60 180 sec程度浸漬して、前記フォトレジストマスク６
を溶解，剥離により除去する。この一連の工程によっ
て、図１ (d)に断面的に示すごとく、同一幅の薄膜金属
層5a′，5b′，5c′積層体から成る薄膜配線５′が得ら
れる。
して構成した金属層５を、選択的なエッチングによって
所要のパターニングを行った後、たとえばアセトン中に
60 180 sec程度浸漬して、前記フォトレジストマスク６
を溶解，剥離により除去する。この一連の工程によっ
て、図１ (d)に断面的に示すごとく、同一幅の薄膜金属
層5a′，5b′，5c′積層体から成る薄膜配線５′が得ら
れる。
【００２０】さらに、前記薄膜配線５′パターンの形成
法を応用する薄膜配線基板の製造方法は、次のように行
われる。すなわち、上記によって所定の薄膜配線５′パ
ターンを形成した後、その薄膜配線５′パターン形成面
に、たとえばポリイミド樹脂などをスピンコート法など
で塗布し、乾燥・硬化させて層間絶縁体層を形成する。
そして、この層間絶縁体層面上に、前記薄膜配線５′パ
ターンの形成方法に準じて、図１ (a)〜 (e)に示したよ
うな工程を適宜繰り返すことにより、所要の多層薄膜配
線基板を形成し得る。なお、この多層薄膜配線基板の製
造工程においては、層間絶縁体層を貫通する接続部によ
って所要の薄膜配線５′パターン層間の電気的な接続を
行う。
法を応用する薄膜配線基板の製造方法は、次のように行
われる。すなわち、上記によって所定の薄膜配線５′パ
ターンを形成した後、その薄膜配線５′パターン形成面
に、たとえばポリイミド樹脂などをスピンコート法など
で塗布し、乾燥・硬化させて層間絶縁体層を形成する。
そして、この層間絶縁体層面上に、前記薄膜配線５′パ
ターンの形成方法に準じて、図１ (a)〜 (e)に示したよ
うな工程を適宜繰り返すことにより、所要の多層薄膜配
線基板を形成し得る。なお、この多層薄膜配線基板の製
造工程においては、層間絶縁体層を貫通する接続部によ
って所要の薄膜配線５′パターン層間の電気的な接続を
行う。
【００２１】上記では、ベース基板がセラミックス板、
金属薄膜がTi薄膜，Cu薄膜，Ni薄膜から成る三層の場合
を例示したがが、これらに限定されないことは勿論であ
る。すなわち、ベース基板としては、たとえばアルミナ
などのセラミックス系に限らず、ガラス系，窒化アルミ
系，窒化ケイ素系、あるいはポリイミド樹脂フイルム，
ポリイミド−ガラスクロス系などの耐熱樹脂系でもよ
い。また、金属薄膜の組み合わせも、たとえばAl薄膜−
Ni薄膜，Al薄膜−Ni薄膜−Au薄膜，Ti薄膜−Ni薄膜−Au
薄膜，Ti薄膜−Cu薄膜−Ni薄膜−Au薄膜などでもよい。
さらに、エッチングマスクは、フォトレジストドライフ
イルムや紫外線照射硬化型の樹脂を素材としてもよく、
エッチング液も、前記金属薄膜の材質に対応して、前記
の塩酸−硫酸銅−メタノール系混合液…Ni用…，過酸化
アンモニウム水溶液…Cu用…，過酸化水素−アンモニア
−エチレンジアミン四酢酸…Ti用…、の他にたとえば混
酸（酢酸を主成分として硝酸およびリン酸を含む）…Al
用…，ヨウ素−ヨウ化カリウム系水溶液…Au用…などが
選ばれ、また、レジストマスクの溶解，剥離液も、アセ
トンの他たとえばジエチレングリコール−モノブチルエ
ーテルを主成分とする剥離液なども使用し得る。
金属薄膜がTi薄膜，Cu薄膜，Ni薄膜から成る三層の場合
を例示したがが、これらに限定されないことは勿論であ
る。すなわち、ベース基板としては、たとえばアルミナ
などのセラミックス系に限らず、ガラス系，窒化アルミ
系，窒化ケイ素系、あるいはポリイミド樹脂フイルム，
ポリイミド−ガラスクロス系などの耐熱樹脂系でもよ
い。また、金属薄膜の組み合わせも、たとえばAl薄膜−
Ni薄膜，Al薄膜−Ni薄膜−Au薄膜，Ti薄膜−Ni薄膜−Au
薄膜，Ti薄膜−Cu薄膜−Ni薄膜−Au薄膜などでもよい。
さらに、エッチングマスクは、フォトレジストドライフ
イルムや紫外線照射硬化型の樹脂を素材としてもよく、
エッチング液も、前記金属薄膜の材質に対応して、前記
の塩酸−硫酸銅−メタノール系混合液…Ni用…，過酸化
アンモニウム水溶液…Cu用…，過酸化水素−アンモニア
−エチレンジアミン四酢酸…Ti用…、の他にたとえば混
酸（酢酸を主成分として硝酸およびリン酸を含む）…Al
用…，ヨウ素−ヨウ化カリウム系水溶液…Au用…などが
選ばれ、また、レジストマスクの溶解，剥離液も、アセ
トンの他たとえばジエチレングリコール−モノブチルエ
ーテルを主成分とする剥離液なども使用し得る。
【００２２】
【発明の効果】上記説明から分かるように、本発明に係
る薄膜配線パターンの形成方法によれば、狭ピッチもし
くは配線幅の狭い場合でも、いわゆるウエット方式の選
択的なエッチング処理を精度よく行うことが可能とな
る。つまり、薄膜配線パターンを形成するとき、いわゆ
るサイドエッチング最終的に調整されるので、所定の狭
ピッチでも、また配線幅の狭い薄膜配線パターンでも、
断面は常に所定の方形や長方形に調整された形態を採る
ことになる。したがって、所要の薄膜配線パターンを容
易に、かつ高精度に形成し得ることになり、たとえば絶
縁樹脂をスピンコート法などにより塗布・焼き付けて層
間絶縁層など形成する場合、ボイドなど残らない緻密な
絶縁層の形成が可能となるばかりでなく、逆ピラミット
経常に起因する外的な衝撃などに伴う破損や短絡発生な
ども回避し得ることになる。また、この薄膜配線パター
ン形成方法の利用によって、特性的に信頼性の高い薄膜
配線基板を歩留まりよく得られることになる。
る薄膜配線パターンの形成方法によれば、狭ピッチもし
くは配線幅の狭い場合でも、いわゆるウエット方式の選
択的なエッチング処理を精度よく行うことが可能とな
る。つまり、薄膜配線パターンを形成するとき、いわゆ
るサイドエッチング最終的に調整されるので、所定の狭
ピッチでも、また配線幅の狭い薄膜配線パターンでも、
断面は常に所定の方形や長方形に調整された形態を採る
ことになる。したがって、所要の薄膜配線パターンを容
易に、かつ高精度に形成し得ることになり、たとえば絶
縁樹脂をスピンコート法などにより塗布・焼き付けて層
間絶縁層など形成する場合、ボイドなど残らない緻密な
絶縁層の形成が可能となるばかりでなく、逆ピラミット
経常に起因する外的な衝撃などに伴う破損や短絡発生な
ども回避し得ることになる。また、この薄膜配線パター
ン形成方法の利用によって、特性的に信頼性の高い薄膜
配線基板を歩留まりよく得られることになる。
【図１】本発明に係る薄膜配線パターンの形成方法の実
施態様例を模式的に示すもので、 (a)は金属薄膜積層し
た金属膜面にレジストマスクを設けた状態を示す断面
図、 (b)は金属薄膜を選択エッチング処理した１次パタ
ーニング後の状態を示す断面図、 (c)は１次パターニン
グ後、中間の金属薄膜を再度選択エッチング処理した状
態を示す断面図、 (d)は１次パターニング後、上層の金
属薄膜を再度選択エッチング処理した状態を示す断面
図、 (e)はレジストマスクを除去した後の状態を示す断
面図。
施態様例を模式的に示すもので、 (a)は金属薄膜積層し
た金属膜面にレジストマスクを設けた状態を示す断面
図、 (b)は金属薄膜を選択エッチング処理した１次パタ
ーニング後の状態を示す断面図、 (c)は１次パターニン
グ後、中間の金属薄膜を再度選択エッチング処理した状
態を示す断面図、 (d)は１次パターニング後、上層の金
属薄膜を再度選択エッチング処理した状態を示す断面
図、 (e)はレジストマスクを除去した後の状態を示す断
面図。
【図２】従来の薄膜配線パターンの形成方法の実施態様
を模式的に示すもので、 (a)はベース基板面に金属薄膜
を多層的に設けた状態を示す断面図、 (b)は金属膜面に
レジストマスクを設けた状態を示す断面図、 (c)は上層
の金属薄膜を選択エッチング処理したときの状態を示す
断面図、 (d)は中間層および下層の金属薄膜を選択エッ
チング処理したときの状態を示す断面図、 (d)はレジス
トマスクを除去した後の状態を示す断面図。
を模式的に示すもので、 (a)はベース基板面に金属薄膜
を多層的に設けた状態を示す断面図、 (b)は金属膜面に
レジストマスクを設けた状態を示す断面図、 (c)は上層
の金属薄膜を選択エッチング処理したときの状態を示す
断面図、 (d)は中間層および下層の金属薄膜を選択エッ
チング処理したときの状態を示す断面図、 (d)はレジス
トマスクを除去した後の状態を示す断面図。
１，４…ベース基板 ２，５…金属膜 2a，5b…Cu
薄膜 2b，5c…Ni薄膜 2c…Au薄膜 ２′，５′
…薄膜配線 2a′，5b′…Cu薄膜パターン 2b′，5c′…Ni薄膜パターン 2c′…Au薄膜パターン
３，６…エッチングレジストマスク 5a…Ti薄膜
5a′…Ti薄膜パターン
薄膜 2b，5c…Ni薄膜 2c…Au薄膜 ２′，５′
…薄膜配線 2a′，5b′…Cu薄膜パターン 2b′，5c′…Ni薄膜パターン 2c′…Au薄膜パターン
３，６…エッチングレジストマスク 5a…Ti薄膜
5a′…Ti薄膜パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の主面に異種の金属薄膜を多層的に
被着，形成する工程と、 前記多層的な金属薄膜面に所定パターン形成用のレジス
トマスクを形成する工程と、 前記レジストマスクの形成で露出する金属薄膜を、それ
ぞれ対応するエッチング液により順次選択的にエッチン
グして１次的な薄膜配線パターンを形成する工程と、 前記１次的な薄膜配線パターン形成時とは逆な順序で対
応するエッチング液によってエッチング処理して、１次
的な薄膜配線パターンの側壁面側を整形・調整する工程
と、 前記レジストマスクを除去する工程とを具備して成るこ
とを特徴とする薄膜配線パターンの形成方法。 - 【請求項２】 基板の主面に異種の金属薄膜を多層的に
被着，形成する工程と、 前記多層的な金属薄膜面に所定パターン形成用のレジス
トマスクを形成する工程と、 前記レジストマスクの形成で露出する多層的な金属薄膜
を、それぞれ対応するエッチング液により順次選択的に
エッチングし１次的な薄膜配線パターンを形成する工程
と、 前記１次的な薄膜配線パターン形成時とは逆な順序で対
応するエッチング液によってエッチング処理して、１次
的な薄膜配線パターンの側壁面側を整形・調整する工程
と、 前記レジストマスクを除去する工程とを具備して成るこ
とを特徴とする薄膜配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9745494A JPH07307549A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | 薄膜配線パターンの形成方法および薄膜配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9745494A JPH07307549A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | 薄膜配線パターンの形成方法および薄膜配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307549A true JPH07307549A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=14192761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9745494A Withdrawn JPH07307549A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | 薄膜配線パターンの形成方法および薄膜配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07307549A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002252231A (ja) * | 1998-05-29 | 2002-09-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ形成方法 |
| WO2005100638A1 (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Mitsubishi Chemical Corporation | エッチング方法及びエッチング液 |
| JP2005328041A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-11-24 | Mitsubishi Chemicals Corp | エッチング方法及びエッチング液 |
| JP2006156746A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Toppan Printing Co Ltd | 抵抗体内蔵配線基板及びその製造方法 |
| JP2007116149A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | General Electric Co <Ge> | 電子相互接続及びその製作方法 |
| JP2009049369A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キャパシタ内蔵型の印刷回路基板及びその製造方法 |
| JP2017224642A (ja) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| JPWO2020241820A1 (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 |
-
1994
- 1994-05-11 JP JP9745494A patent/JPH07307549A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002252231A (ja) * | 1998-05-29 | 2002-09-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ形成方法 |
| WO2005100638A1 (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Mitsubishi Chemical Corporation | エッチング方法及びエッチング液 |
| JP2005328041A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-11-24 | Mitsubishi Chemicals Corp | エッチング方法及びエッチング液 |
| JP2006156746A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Toppan Printing Co Ltd | 抵抗体内蔵配線基板及びその製造方法 |
| JP4552624B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-09-29 | 凸版印刷株式会社 | 抵抗体内蔵配線基板及びその製造方法 |
| JP2007116149A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | General Electric Co <Ge> | 電子相互接続及びその製作方法 |
| JP2009049369A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キャパシタ内蔵型の印刷回路基板及びその製造方法 |
| JP2017224642A (ja) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| JPWO2020241820A1 (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | ||
| WO2020241820A1 (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社村田製作所 | 配線電極 |
| US11985903B2 (en) | 2019-05-30 | 2024-05-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wiring electrode |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010731 |