Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JPH0677181A - 化合物半導体の微細構造形成方法 - Google Patents

化合物半導体の微細構造形成方法

Info

Publication number
JPH0677181A
JPH0677181A JP4226882A JP22688292A JPH0677181A JP H0677181 A JPH0677181 A JP H0677181A JP 4226882 A JP4226882 A JP 4226882A JP 22688292 A JP22688292 A JP 22688292A JP H0677181 A JPH0677181 A JP H0677181A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
compound semiconductor
etching mask
mask
oxide film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4226882A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Wakabayashi
信一 若林
Hitomaro Togo
仁麿 東郷
Yukio Toyoda
幸雄 豊田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP4226882A priority Critical patent/JPH0677181A/ja
Priority to US08/002,973 priority patent/US5376225A/en
Publication of JPH0677181A publication Critical patent/JPH0677181A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H01L29/66469—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H01L29/20—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
    • Y10S438/947—Subphotolithographic processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/962—Quantum dots and lines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 制御性，均一性，加工性にすぐれた量子井戸
構造を有する化合物半導体の微細構造の形成方法を提供
する。 【構成】 量子井戸構造上にエッチンングマスク層を形
成しエッチングすべき化合物半導体を露出させる。特定
の入射角度を有するような方向性をもつ粒子線によりエ
ッチングすることで，エッチング断面の片側は基板に対
して垂直となる。引き続き矩型状のエッチングマスクを
形成し，その矩型状のエッチングマスクに対してはじめ
のエッチング工程とは逆方向から特定の入射角度を有す
る方向性をもつ粒子線によりをエッチングする。これに
により，もう一方の断面も基板に対して垂直となり，制
御性よく，かつ高密度に量子細線等の微細構造を形成す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信，光情報処理等の
分野で用いられる半導体レーザをはじめとする化合物半
導体デバイスにおける化合物半導体の微細構造の形成方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光情報処理や光通信，光計測等で用いら
れる光デバイス，電子デバイスや光電子集積回路におい
ては，素子の微細化，高機能化のために，たとえば発光
素子である半導体レーザの活性層へ量子細線や量子箱構
造といった超微細加工を施した構造を導入することによ
り素子特性の向上を図ることができる。微細パターンマ
スクを用いて量子井戸構造をエッチングすることで量子
細線を形成する方法のうち，ドライエッチングを用いる
ものは，高い加工制御性，高いアスペクト比が得られる
ことから有効な手段の一つである。
【０００３】図４は従来のＧａＡｓ系量子細線のドライ
エッチングを用いた形成方法のプロセスの概略図を示す
ものであり，以下の工程で微細構造のひとつである量子
細線が形成される。
【０００４】ＧａＡｓ基板４１にＧａＡｓバッファ層４
２，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層４３，ＧａＡｓ／Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子井戸層４４，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａ
ｓ障壁層４５を順次結晶成長させた量子井戸構造をもつ
ウェハーにマスク層となるシリコン酸化膜４６堆積さ
せ，電子ビームリソグラフィー等によるレジストパター
ン４７を形成する（ａ）。
【０００５】弗酸系のエッチャントでシリコン酸化膜４
６をエッチングし，レジストパターン４７を転写する
（ｂ）。
【０００６】シリコン酸化膜４６をエッチングマスクと
して塩素プラズマ４８でＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層４
３，ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子井戸層４４
が順次エッチングされる（ｃ）。
【０００７】さらにエッチングが進行し，エッチングマ
スク幅に応じたＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子
細線４８が形成される。最後にエッチングマスクを除去
する（ｄ）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記の
ようなドライエッチングを用いた形成方法におけるプロ
セス構成ではエッチング断面を垂直にエッチングするこ
とが困難で，断面が台形形状となり，均一な細線幅を持
つ多重量子細線が得られないという問題点を有してい
た。多重量子細線の作製においては個々の量子細線幅の
均一性が直接素子特性に影響し，不均一性は特にデバイ
スの作製時において不利となる。高密度で均一性の高い
エッチングを得るためにはアスペクト比の大きいドライ
エッチングを用いる方法でも垂直断面を得ることは困難
である。
【０００９】本発明はかかる点に鑑み，量子細線等の化
合物半導体の微細構造を制御性よく，均一に形成する方
法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は，単一量子井戸
構造または多重量子井戸構造を有する化合物半導体上に
エッチングマスクを形成する工程と，前記化合物半導体
とエッチングマスクとを特定の入射角度を有する方向性
をもつ粒子線によりエッチングする工程と，引き続き矩
型状のエッチングマスクを形成する工程と，その矩型状
のエッチングマスクに対して第一のエッチング工程とは
逆方向から特定の入射角度を有する方向性をもつ粒子線
により前記化合物半導体とエッチングマスクとをエッチ
ングする工程とを備えたことを特徴とする化合物半導体
の微細構造形成方法ある。
【００１１】また，方向性をもつ粒子線によりエッチン
グする工程が反応性イオンビームエッチング法を用いる
ことを特徴とする請求項１記載の化合物半導体の微細構
造形成方法である。
【００１２】また，はじめのエッチング工程で形成され
た化合物半導体の線幅よりも線幅の大きい第２のエッチ
ングマスクを用いることを特徴とする請求項１記載の化
合物半導体の微細構造形成方法である。
【００１３】また，エッチング工程の際，試料を法線方
向を中心軸として回転させることを特徴とする請求項１
記載の化合物半導体の微細構造形成方法である。
【００１４】
【作用】本発明は前記した構成により，化合物半導体の
微細構造をドライエッチングを用いて形成する手段とし
て，量子井戸構造上にエッチンングマスク層を堆積さ
せ，あらかじめ形成した微細パターンをマスク層に転写
させ，エッチングすべき化合物半導体を露出させる。特
定の入射角度を有するような方向性をもつ粒子線により
エッチングすることで，まず細線の片側を形成するが，
この時細線断面の片側は基板に対して垂直となる。引き
続き矩型状のエッチングマスクを形成し，その矩型状の
エッチングマスクに対してはじめのエッチング工程とは
逆方向から特定の入射角度を有する方向性をもつ粒子線
によりをエッチングすることにより，もう一方の細線断
面も基板に対して垂直となり，制御性よく，かつ高密度
に量子細線等の微細構造を形成することができる。
【００１５】もう一つの発明は，１回目のエッチングに
引き続き，矩型状のエッチングマスクを形成する際，そ
の矩型状のエッチングマスクの幅を化合物半導体の線幅
よりも大きく形成し第２のエッチングマスクとするもの
である。その矩型状のエッチングマスクに対してはじめ
のエッチング工程とは逆方向から特定の入射角度を有す
る方向性をもつ粒子線によりをエッチングする際，ひさ
し部分により１回めのエッチングで形成された垂直断面
部分はエッチングされず，もう一方の断面のみが基板に
対して垂直となる。このようなエッチングマスクを使用
すれば高密度に細線構造を制御性よく形成することがで
きる。
【００１６】さらにもう一つの発明は，ドット状のエッ
チングマスクを形成し試料の法線方向を中心軸として回
転させながら，特定の入射角度を有するような方向性を
もつ粒子線によりエッチングすることで，エッチング側
面を基板に対して垂直とさせることができる。すなわ
ち，一度のエッチングプロセスで量子箱構造を形成する
ことができる。
【００１７】
【実施例】（実施例１）図１は本発明の第１の実施例に
おける化合物半導体の微細構造のひとつである量子細線
の形成方法の工程図を示すものである。図１において，
１１は量子細線構造が形成されるＧａＡｓ基板，１２は
ＧａＡｓバッファ層，１３はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁
層，１４はＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子井戸
層，１５はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層，１６は上記結晶
構造上に形成されたエッチングマスクとなるシリコン酸
化膜，１７斜め入射される塩素イオンビーム，１８は２
回目のエッチングマスクとなるシリコン酸化膜，１９は
反対方向から入射する塩素イオンビーム，２０は形成さ
れたＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子細線であ
る。
【００１８】以上のように構成されたこの実施例の微細
構造形成方法の工程において，以下その形成方法を工程
図（ａ）から（ｅ）に従って説明する。
【００１９】ＧａＡｓ基板１１上にＧａＡｓバッファ層
１２，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層１３，ＧａＡｓ／Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子井戸層１４，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａ
ｓ障壁層１５を連続的に結晶成長させる。ストライプパ
ターンのあるシリコン酸化膜１６を形成する。ストライ
プパターンは結晶方位（１１０）方向になるように描画
する（ａ）。
【００２０】塩素を用いた反応性イオンビームエッチン
グによりシリコン酸化膜をエッチングマスクとして，Ａ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層，ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａ
ｓ多重量子井戸層，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層を順次エ
ッチングする。この時，イオンビーム１７を基板の法線
方向から３０度傾けて入射させる。シリコン酸化膜はド
ライエッチング時のエッチング速度が小さくマスクとし
て十分作用する。シリコン酸化膜と化合物半導体結晶と
のエッチング速度の違いとエッチングマスクの後退効果
によってエッチング溝のうち片側は基板に垂直な断面が
得られる（ｂ）。
【００２１】次にエッチングマスク１６を除去したの
ち，矩型状のシリコン酸化膜マスク１８を形成する
（ｃ）。
【００２２】マスクに対してはじめのエッチング工程と
は逆方向から，塩素イオンビーム１９を基板の法線方向
から同じく３０度傾けて入射させる。シリコン酸化膜と
化合物半導体結晶とのエッチング速度の違いとエッチン
グマスクの後退効果によってエッチング溝のうち片側は
基板に垂直な断面が得られる（ｄ）。
【００２３】シリコン酸化膜マスクを除去し，両断面が
基板に垂直なＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子細
線２０が得られる（ｄ）。
【００２４】斜め入射の反応性イオンビームエッチング
を用いることで，従来例に示されるような断面が台形形
状に比べて，正確に垂直な側面が得られる。多重量子井
戸を用いて，制御性よく縦方向に線幅の揃った量子細線
等の微細構造を形成することができる。
【００２５】なお，実施例においては，ＧａＡｓ／Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ系の化合物半導体を用いたが，ＩｎＰ系
その他の化合物半導体結晶を用いることも可能である。
また，マスクパターンを格子状に形成することにより，
量子細線だけでなく量子箱のような微細パターンの形成
も可能となることは言うまでもない。
【００２６】（実施例２）図２は本発明の第２の実施例
における化合物半導体の微細構造のひとつである量子細
線の形成方法の工程図を示すものである。図２におい
て，２１は量子細線構造が形成されるＧａＡｓ基板，２
２はＧａＡｓバッファ層，２３はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障
壁層，２４はＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子井
戸層，２５はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層，２６は上記結
晶構造上に形成されたエッチングマスクとなるシリコン
酸化膜，２７は斜め入射される塩素イオンビーム，２８
は２回目のエッチングマスクとなるシリコン酸化膜，２
９は反対方向から入射する塩素イオンビーム，３０は形
成されたＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子細線で
ある。
【００２７】以上のように構成されたこの実施例の微細
構造形成方法の工程において，以下その形成方法を工程
図（ａ）から（ｅ）に従って説明する。
【００２８】ＧａＡｓ基板２１上にＧａＡｓバッファ層
２２，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層２３，ＧａＡｓ／Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子井戸層２４，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａ
ｓ障壁層２５を連続的に結晶成長させる。ストライプパ
ターンのあるシリコン酸化膜２６を形成する。ストライ
プパターンは結晶方位（１１０）方向になるように描画
する（ａ）。
【００２９】塩素を用いた反応性イオンビームエッチン
グによりシリコン酸化膜をエッチングマスクとして，Ａ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層，ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａ
ｓ多重量子井戸層，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層を順次エ
ッチングする。この時，イオンビーム１７を基板の法線
方向から３０度傾けて入射させる。シリコン酸化膜はド
ライエッチング時のエッチング速度が小さくマスクとし
て十分作用する。シリコン酸化膜と化合物半導体結晶と
のエッチング速度の違いとエッチングマスクの後退効果
によってエッチング溝のうち片側は基板に垂直な断面が
得られる（ｂ）。
【００３０】次にエッチングマスク２６を除去したの
ち，矩型状のシリコン酸化膜マスク２８を形成する。矩
型状のエッチングマスク２８を形成する際，まず，エッ
チングされた溝の部分をレジストで埋め込み平坦化す
る。マスクの幅を化合物半導体の線幅よりも大きく形成
し第２のエッチングマスクとする。最後にレジストを除
去する（ｃ）。
【００３１】マスクに対してはじめのエッチング工程と
は逆方向から，塩素イオンビーム２９を基板の法線方向
から同じく３０度傾けて入射させる。エッチングされる
時，ひさし部分により１回めのエッチングで形成された
垂直断面部分はエッチングされず，もう一方の断面のみ
が基板に対して垂直となる。シリコン酸化膜と化合物半
導体結晶とのエッチング速度の違いとエッチングマスク
の後退効果によってエッチング溝のうち片側は基板に垂
直な断面が得られる（ｄ）。
【００３２】シリコン酸化膜マスクを除去し，両断面が
基板に垂直なＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子細
線３０が得られる（ｅ）。
【００３３】斜め入射のドライエッチングを用いること
で，従来例に示されるような断面が台形形状に比べて，
正確に垂直な側面が得られる。さらに，ひさし形状のエ
ッチングマスクを用いて，第１の実施例よりも面内に高
密度な量子細線を形成することができる。
【００３４】なお，実施例においては，ＧａＡｓ／Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ系の化合物半導体を用いたが，ＩｎＰ系
その他の化合物半導体結晶を用いることも可能である。
また，マスクパターンを格子状に形成することにより，
量子細線だけでなく量子箱のような微細パターンの形成
も可能となることは言うまでもない。
【００３５】（実施例３）図３は本発明の第３の実施例
における化合物半導体の微細構造のひとつである量子箱
の形成方法の工程図を示すものである。図３において，
３１は量子細線構造が形成されるＧａＡｓ基板，３２は
ＧａＡｓバッファ層，３３はＡｌ0.3Ｇａ0 .7Ａｓ障壁
層，３４はＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子井戸
層，３５はＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層，３６は上記結晶
構造上に形成された円柱形状のシリコン酸化膜マスク，
３７は塩素イオンビーム，３８は形成されたＧａＡｓ／
Ａｌ0. 3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子箱である。
【００３６】以上のように構成されたこの実施例の微細
構造形成方法の工程において，以下その形成方法を工程
図（ａ）から（ｄ）に従って説明する。
【００３７】上図は上方から見た図，下図は断面図であ
る。ＧａＡｓ基板３１上にＧａＡｓバッファ層３２，Ａ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層３３，ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ
0.7Ａｓ多重量子井戸層３４，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁
層３５を連続的に結晶成長させる。次にマスクとなるシ
リコン酸化膜３６をを形成する。パターンは円形の形状
とする（ａ）。
【００３８】塩素を用いた反応性イオンビームエッチン
グによりシリコン酸化膜をエッチングマスクとして，Ａ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層，ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａ
ｓ多重量子井戸層，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層を順次エ
ッチングする。この時，試料を図に示す法線を中心に回
転させながら，イオンビーム３７を基板の法線方向から
３０度傾けて入射させる。シリコン酸化膜はドライエッ
チング時のエッチング速度が小さくマスクとして十分作
用する。シリコン酸化膜と化合物半導体結晶とのエッチ
ング速度の違いとエッチングマスクの後退効果によって
エッチング溝のうち片側は基板に垂直な断面が得られ
る。すなわち，円柱形状が得られる（ｂ），（ｃ）。
【００３９】シリコン酸化膜マスクを除去し，両断面が
基板に垂直なＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子細
線３８が得られる（ｅ）。
【００４０】斜め入射のドライエッチングと基板回転を
用いることで，従来例に示されるような断面が台形形状
に比べて，正確に垂直な側面が一度のエッチングプロセ
スで形成できる。
【００４１】なお，実施例においては，ＧａＡｓ／Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ系の化合物半導体を用いたが，ＩｎＰ系
その他の化合物半導体結晶を用いることも可能である。
また，マスクパターン一つだけ用いたが，パターンを２
次元アレイ状に形成することにより，多数の量子箱のよ
うな微細パターンの形成も可能となることは言うまでも
ない。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
量子細線等の化合物半導体微細構造を均一性や制御性が
よく，かつ高密度に形成する方法を提供することがで
き，その実用的効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例における化合物半導体の
微細構造形成方法の工程図
【図２】本発明の第２の実施例における化合物半導体の
微細構造形成方法の工程図
【図３】本発明の第３の実施例における化合物半導体の
微細構造形成方法の工程図
【図４】従来の化合物半導体基板上への微細構造形成方
法のプロセスの概略図
【符号の説明】
１１ ＧａＡｓ基板 １２ ＧａＡｓバッファ層 １３ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 １４ ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子井戸層 １５ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 １６ シリコン酸化膜 １７ 塩素イオンビーム（斜め入射） １８ シリコン酸化膜 １９ 塩素イオンビーム（斜め入射） ２０ ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子細線 ２１ ＧａＡｓ基板 ２２ ＧａＡｓバッファ層 ２３ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ２４ ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子井戸層 ２５ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ２６ シリコン酸化膜 ２７ 塩素イオンビーム（斜め入射） ２８ シリコン酸化膜 ２９ 塩素イオンビーム（斜め入射） ３０ ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子細線 ３１ ＧａＡｓ基板 ３２ ＧａＡｓバッファ層 ３３ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ３４ ＧａＡｓ量子井戸層 ３５ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ３６ シリコン酸化膜 ３７ 塩素イオンビーム（斜め入射） ３８ ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ多重量子箱 ４１ ＧａＡｓ基板 ４２ ＧａＡｓバッファ層 ４３ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ４４ ＧａＡｓ量子井戸層 ４５ Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障壁層 ４６ シリコン酸化膜 ４７ レジストパターン ４８ 塩素プラズマ ４９ ＧａＡｓ量子細線

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】単一量子井戸構造もしくは多重量子井戸構
    造を有する化合物半導体上にエッチングマスクを形成す
    る工程と，前記化合物半導体とエッチングマスクとを特
    定の入射角度を有する方向性をもつ粒子線によりエッチ
    ングする工程と，引き続き矩型状のエッチングマスクを
    形成する工程と，その矩型状のエッチングマスクに対し
    て第一のエッチング工程とは逆方向から特定の入射角度
    を有する方向性をもつ粒子線により前記化合物半導体と
    エッチングマスクとをエッチングする工程とを備えたこ
    とを特徴とする化合物半導体の微細構造形成方法。
  2. 【請求項２】方向性をもつ粒子線によりエッチングする
    工程が反応性イオンビームエッチング法であることを特
    徴とする請求項１記載の化合物半導体の微細構造形成方
    法。
  3. 【請求項３】第１のエッチング工程で形成された化合物
    半導体の線幅よりも線幅の大きい第２のエッチングマス
    クを用いることを特徴とする請求項１記載の化合物半導
    体の微細構造形成方法。
  4. 【請求項４】ドット状のエッチングマスクを形成する工
    程と，試料の法線方向を中心軸として回転させながらエ
    ッチングすることを特徴とする請求項１記載の化合物半
    導体の微細構造形成方法。
JP4226882A 1992-08-26 1992-08-26 化合物半導体の微細構造形成方法 Pending JPH0677181A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4226882A JPH0677181A (ja) 1992-08-26 1992-08-26 化合物半導体の微細構造形成方法
US08/002,973 US5376225A (en) 1992-08-26 1993-01-11 Method of forming fine structure on compound semiconductor with inclined ion beam etching

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4226882A JPH0677181A (ja) 1992-08-26 1992-08-26 化合物半導体の微細構造形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0677181A true JPH0677181A (ja) 1994-03-18

Family

ID=16852060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4226882A Pending JPH0677181A (ja) 1992-08-26 1992-08-26 化合物半導体の微細構造形成方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5376225A (ja)
JP (1) JPH0677181A (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3540047B2 (ja) * 1995-03-31 2004-07-07 株式会社島津製作所 微細パターン作成方法
US5668018A (en) * 1995-06-07 1997-09-16 International Business Machines Corporation Method for defining a region on a wall of a semiconductor structure
KR100223325B1 (ko) * 1995-12-15 1999-10-15 김영환 반도체 장치의 미세패턴 제조방법
US6139647A (en) * 1995-12-21 2000-10-31 International Business Machines Corporation Selective removal of vertical portions of a film
US5767017A (en) * 1995-12-21 1998-06-16 International Business Machines Corporation Selective removal of vertical portions of a film
JPH09312378A (ja) * 1996-03-19 1997-12-02 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6238582B1 (en) * 1999-03-30 2001-05-29 Veeco Instruments, Inc. Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method
DE10115912A1 (de) * 2001-03-30 2002-10-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und Verwendung einer Ionenstrahlanlage zur Durchführung des Verfahrens
JP2003101069A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Nagoya Industrial Science Research Inst Ｉｉｉ族窒化物量子ドットおよびその製造方法
US9780366B2 (en) 2013-08-29 2017-10-03 Stmicroelectronics (Tours) Sas Silicon microstructuring method and microbattery
KR101943553B1 (ko) 2014-11-25 2019-04-18 삼성전자주식회사 좌우 대칭의 이온 빔을 이용한 패턴 형성 방법, 이를 이용한 자기 기억 소자의 제조방법, 및 좌우 대칭의 이온 빔을 발생시키는 이온 빔 장비
CN107414289B (zh) * 2017-07-27 2019-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种激光剥离方法及激光剥离系统
US11119405B2 (en) * 2018-10-12 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Techniques for forming angled structures

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5275341A (en) * 1975-12-19 1977-06-24 Rikagaku Kenkyusho Method of producing echelette grating
FR2562339B1 (fr) * 1984-04-03 1986-06-20 Bouadma Noureddine Procede de realisation d'un miroir de laser a semi-conducteur, par usinage ionique
GB8413170D0 (en) * 1984-05-23 1984-06-27 British Telecomm Production of semiconductor devices
JP2650930B2 (ja) * 1987-11-24 1997-09-10 株式会社日立製作所 超格子構作の素子製作方法
US4851368A (en) * 1987-12-04 1989-07-25 Cornell Research Foundation, Inc. Method of making travelling wave semi-conductor laser
US5035770A (en) * 1989-05-01 1991-07-30 Hewlett-Packard Company Methods of making surface relief gratings

Also Published As

Publication number Publication date
US5376225A (en) 1994-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6555896B2 (en) Etch stop for use in etching of silicon oxide
JPH0677181A (ja) 化合物半導体の微細構造形成方法
JPH05121320A (ja) 半導体量子箱装置及びその製造方法
JPH0677205A (ja) 化合物半導体の微細構造形成方法
JPH0677180A (ja) 細線状エッチングマスクの製造方法
JP3393637B2 (ja) 半導体エッチング方法および半導体レーザ装置
CN116156998B (zh) 超导约瑟夫森结及其制备方法
US20020081825A1 (en) Method for reproducibly forming a predetermined quantum dot structure and device produced using same
JP2624450B2 (ja) 量子細線構造の製造方法
CN111370995B (zh) 表面光栅半导体激光器及其制作方法
US20200075348A1 (en) Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using
JPH06275908A (ja) 化合物半導体の微細構造形成方法
CN116156999B (zh) 约瑟夫森结及其制备方法
JPH02192753A (ja) 化合物半導体基板の分割方法
KR100318272B1 (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
JP2899542B2 (ja) 転写マスクの製造方法
JPH07135194A (ja) ドライエッチング用マスクの形成方法
KR0141254B1 (ko) 반도체 레이저장치의 제조방법
JP2534304B2 (ja) Ｒｉｂｅによるエッチドミラ―の形成方法
JPH05291237A (ja) 化合物半導体の微細構造形成方法
JPH05217995A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0239551A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05343514A (ja) 第１材料層に狭い溝を形成する方法
CN116156999A (zh) 约瑟夫森结及其制备方法
JPH06132217A (ja) 半導体装置の製造方法