JPH06214383A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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- JPH06214383A JPH06214383A JP2317393A JP2317393A JPH06214383A JP H06214383 A JPH06214383 A JP H06214383A JP 2317393 A JP2317393 A JP 2317393A JP 2317393 A JP2317393 A JP 2317393A JP H06214383 A JPH06214383 A JP H06214383A
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- Japan
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- alkali
- solvent
- soluble resin
- oxypropionate
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 (A)アルカリ可溶性樹脂と、(B)キノン
ジアジド基含有化合物とを、(C)ケトカルボン酸エス
テル類100重量部に対し、2‐オキシプロピオン酸ア
ルキル50〜400重量部を混合して得られた溶剤に溶
解させて成るポジ型レジスト組成物である。 【効果】 塗膜性に優れ、かつ安全性にも優れたポジ型
レジスト組成物であって、電子材料製造分野などにおい
て好適に用いられる。
ジアジド基含有化合物とを、(C)ケトカルボン酸エス
テル類100重量部に対し、2‐オキシプロピオン酸ア
ルキル50〜400重量部を混合して得られた溶剤に溶
解させて成るポジ型レジスト組成物である。 【効果】 塗膜性に優れ、かつ安全性にも優れたポジ型
レジスト組成物であって、電子材料製造分野などにおい
て好適に用いられる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なポジ型レジスト
組成物、さらに詳しくは、電子部品材料製造分野などに
おいて好適に用いられる塗膜性に優れ、かつ安全性にも
優れたポジ型レジスト組成物に関するものである。
組成物、さらに詳しくは、電子部品材料製造分野などに
おいて好適に用いられる塗膜性に優れ、かつ安全性にも
優れたポジ型レジスト組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子などの電子部
品材料の製造においては、基板上にパターンを形成させ
る方法としてホトリソグラフィーによるパターン転写方
法が用いられている。このホトリソグラフィーはシリコ
ンウエハーなどの基板上にレジストをスピンナーを用い
て塗布、乾燥し、次いでマスクを介して活性光線を照射
し、現像することでマスクパターンを基板上に転写した
のち、エッチングする方法である。このエッチング用の
マスクとして用いられるレジストには、初期はネガ型が
用いられてきたが、ネガ型レジストは現像液中での膨潤
による解像限界及びコンタクト露光におけるマスク損傷
の問題から、現在は解像性に優れたポジ型レジストが多
く用いられている。
品材料の製造においては、基板上にパターンを形成させ
る方法としてホトリソグラフィーによるパターン転写方
法が用いられている。このホトリソグラフィーはシリコ
ンウエハーなどの基板上にレジストをスピンナーを用い
て塗布、乾燥し、次いでマスクを介して活性光線を照射
し、現像することでマスクパターンを基板上に転写した
のち、エッチングする方法である。このエッチング用の
マスクとして用いられるレジストには、初期はネガ型が
用いられてきたが、ネガ型レジストは現像液中での膨潤
による解像限界及びコンタクト露光におけるマスク損傷
の問題から、現在は解像性に優れたポジ型レジストが多
く用いられている。
【0003】ところで、近年シリコンウエハーやガラス
基板が大型化しており、レジストを基板上に塗布するに
当って、塗膜の均一性が優れたものが望まれ、また表面
に凹凸を有する基板上に塗膜を形成する場合に凹部上に
形成される塗膜の膜厚と凸部上に形成される塗膜の膜厚
との膜厚差が小さいほど、解像性の優れたレジストパタ
ーンが形成できるため、塗膜の膜厚差の小さい、すなわ
ちステップカバレッジ性に優れたものが要求され、また
化学品の環境や人体に対する影響力が大きな問題となっ
ており、環境に悪影響を与えず、健康に対して害を与え
ないレジストが強く要望され、レジストの溶剤について
種々の検討が行われている。
基板が大型化しており、レジストを基板上に塗布するに
当って、塗膜の均一性が優れたものが望まれ、また表面
に凹凸を有する基板上に塗膜を形成する場合に凹部上に
形成される塗膜の膜厚と凸部上に形成される塗膜の膜厚
との膜厚差が小さいほど、解像性の優れたレジストパタ
ーンが形成できるため、塗膜の膜厚差の小さい、すなわ
ちステップカバレッジ性に優れたものが要求され、また
化学品の環境や人体に対する影響力が大きな問題となっ
ており、環境に悪影響を与えず、健康に対して害を与え
ないレジストが強く要望され、レジストの溶剤について
種々の検討が行われている。
【0004】従来、ポジ型レジストの溶剤としては多く
のものが知られており、例えばエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、シクロペンタノン(特開昭
59−155838号公報)、モノオキシモノカルボン
酸エステル類(特開昭62−123444号公報)、環
状ケトンとアルコールとの混合溶剤(米国特許第452
6856号明細書)、プロピレングリコールアルキルエ
ーテル(特開昭61−7837号公報)などが知られて
いるが、いずれの溶剤も均一性やステップカバレッジ性
が劣り、塗膜性が良好とはいえず、また環境や人体に悪
影響を与える溶剤もあり、実用性に劣るという欠点があ
った。
のものが知られており、例えばエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、シクロペンタノン(特開昭
59−155838号公報)、モノオキシモノカルボン
酸エステル類(特開昭62−123444号公報)、環
状ケトンとアルコールとの混合溶剤(米国特許第452
6856号明細書)、プロピレングリコールアルキルエ
ーテル(特開昭61−7837号公報)などが知られて
いるが、いずれの溶剤も均一性やステップカバレッジ性
が劣り、塗膜性が良好とはいえず、また環境や人体に悪
影響を与える溶剤もあり、実用性に劣るという欠点があ
った。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の溶剤を用いたポジ型レジスト組成物が有する問題
点を解決し、塗膜性が良好である上、環境や人体に対し
て悪影響を与えない安全性の高いポジ型レジスト組成物
を提供することを目的としてなされたものである。
従来の溶剤を用いたポジ型レジスト組成物が有する問題
点を解決し、塗膜性が良好である上、環境や人体に対し
て悪影響を与えない安全性の高いポジ型レジスト組成物
を提供することを目的としてなされたものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有するポジ型レジスト組成物を開発すべく
鋭意研究を重ねた結果、アルカリ可溶性樹脂とキノンジ
アジド基含有化合物とを、特定の化合物を所定の割合で
混合して得られた有機溶剤に溶解させて成る組成物が、
その目的に適合しうることを見出し、この知見に基づい
て本発明を完成するに至った。
ましい性質を有するポジ型レジスト組成物を開発すべく
鋭意研究を重ねた結果、アルカリ可溶性樹脂とキノンジ
アジド基含有化合物とを、特定の化合物を所定の割合で
混合して得られた有機溶剤に溶解させて成る組成物が、
その目的に適合しうることを見出し、この知見に基づい
て本発明を完成するに至った。
【0007】すなわち、本発明は、(A)アルカリ可溶
性樹脂と、(B)キノンジアジド基含有化合物とを、
(C)ケトカルボン酸エステル類100重量部に対し、
2‐オキシプロピオン酸アルキル50〜400重量部を
混合して得られた溶剤に溶解させて成るポジ型レジスト
組成物を提供するものである。
性樹脂と、(B)キノンジアジド基含有化合物とを、
(C)ケトカルボン酸エステル類100重量部に対し、
2‐オキシプロピオン酸アルキル50〜400重量部を
混合して得られた溶剤に溶解させて成るポジ型レジスト
組成物を提供するものである。
【0008】本発明組成物において、(A)成分として
用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラ
ック樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共
重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビニルフェ
ノール、ポリα‐メチルビニルフェノールなどが挙げら
れ、中でも特にアルカリ可溶性ノボラック樹脂が好まし
い。このアルカリ可溶性ノボラック樹脂については特に
制限はなく、従来ポジ型ホトレジスト組成物において被
膜形成用物質として慣用されているもの、例えばフェノ
ール、クレゾール、キシレノールなどの芳香族ヒドロキ
シ化合物とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類とを酸
性触媒の存在下に縮合させたものなどが用いられる。こ
のアルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、低分子領域
をカットした重量平均分子量が2000〜20000、
好ましくは5000〜15000の範囲のものが好適で
ある。
用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラ
ック樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共
重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビニルフェ
ノール、ポリα‐メチルビニルフェノールなどが挙げら
れ、中でも特にアルカリ可溶性ノボラック樹脂が好まし
い。このアルカリ可溶性ノボラック樹脂については特に
制限はなく、従来ポジ型ホトレジスト組成物において被
膜形成用物質として慣用されているもの、例えばフェノ
ール、クレゾール、キシレノールなどの芳香族ヒドロキ
シ化合物とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類とを酸
性触媒の存在下に縮合させたものなどが用いられる。こ
のアルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、低分子領域
をカットした重量平均分子量が2000〜20000、
好ましくは5000〜15000の範囲のものが好適で
ある。
【0009】本発明組成物においては、(B)成分の感
光性成分として、キノンジアジド基含有化合物が用いら
れる。このキノンジアジド基含有化合物としては、例え
ばオルトベンキノンジアジド、オルトナフトキノンジア
ジド、オルトアントラキノンジアジドなどのキノンジア
ジド類のスルホン酸と、フェノール性水酸基又はアミノ
基を有する化合物とを部分若しくは完全エステル化、あ
るいは部分若しくは完全アミド化したものなどが挙げら
れる。フェノール性水酸基又はアミノ基を有する化合物
としては、例えば2,3,4‐トリヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,2′,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾ
フェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン、没食子
酸アルキル、没食子酸アリール、フェノール、フェノー
ル樹脂、p‐メトキシフェノール、ジメチルフェノー
ル、ヒドロキノン、ポリヒドロキシジフェニルアルカ
ン、ポリヒドロキシジフェニルアルケン、ビスフェノー
ルA、α,α′α″‐トリス(4‐ヒドロキシフェニ
ル)‐1,3,5‐トリイソプロピルベンゼン、1‐
[1‐(4‐ヒドロキシフェニル)イソプロピル]‐4
‐[1,1‐ビス(4‐ヒドロキシフェニル)エチル]
ベンゼン、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン又はそ
のメチル置換体、ナフトール、ピロカテコール、ピロガ
ロール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロー
ル1,3‐ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部
残してエステル化又はエーテル化された没食子酸、アニ
リン、p‐アミノジフェニルアミンなどが挙げられる。
特に好ましいキノンジアジド基含有化合物は、ポリヒド
ロキシベンゾフェノンとナフトキノン‐1,2‐ジアジ
ド‐5‐スルホン酸又はナフトキノン‐1,2‐ジアジ
ド‐4‐スルホン酸との完全エステル化物や部分エステ
ル化物であり、特に平均エステル化度が70モル%以上
のものが好ましい。
光性成分として、キノンジアジド基含有化合物が用いら
れる。このキノンジアジド基含有化合物としては、例え
ばオルトベンキノンジアジド、オルトナフトキノンジア
ジド、オルトアントラキノンジアジドなどのキノンジア
ジド類のスルホン酸と、フェノール性水酸基又はアミノ
基を有する化合物とを部分若しくは完全エステル化、あ
るいは部分若しくは完全アミド化したものなどが挙げら
れる。フェノール性水酸基又はアミノ基を有する化合物
としては、例えば2,3,4‐トリヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,2′,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾ
フェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン、没食子
酸アルキル、没食子酸アリール、フェノール、フェノー
ル樹脂、p‐メトキシフェノール、ジメチルフェノー
ル、ヒドロキノン、ポリヒドロキシジフェニルアルカ
ン、ポリヒドロキシジフェニルアルケン、ビスフェノー
ルA、α,α′α″‐トリス(4‐ヒドロキシフェニ
ル)‐1,3,5‐トリイソプロピルベンゼン、1‐
[1‐(4‐ヒドロキシフェニル)イソプロピル]‐4
‐[1,1‐ビス(4‐ヒドロキシフェニル)エチル]
ベンゼン、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン又はそ
のメチル置換体、ナフトール、ピロカテコール、ピロガ
ロール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロー
ル1,3‐ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部
残してエステル化又はエーテル化された没食子酸、アニ
リン、p‐アミノジフェニルアミンなどが挙げられる。
特に好ましいキノンジアジド基含有化合物は、ポリヒド
ロキシベンゾフェノンとナフトキノン‐1,2‐ジアジ
ド‐5‐スルホン酸又はナフトキノン‐1,2‐ジアジ
ド‐4‐スルホン酸との完全エステル化物や部分エステ
ル化物であり、特に平均エステル化度が70モル%以上
のものが好ましい。
【0010】本発明組成物においては、該感光性成分と
して、前記のキノンジアジド基含有化合物を1種含有し
てもよいし、2種以上含有してもよい。
して、前記のキノンジアジド基含有化合物を1種含有し
てもよいし、2種以上含有してもよい。
【0011】このキノンジアジド基含有化合物は、例え
ば前記ポリヒドロキシベンゾフェノンを、ナフトキノン
‐1,2‐ジアジド‐5‐スルホニルクロリド又はナフ
トキノン‐1,2‐ジアジド‐4‐スルホニルクロリド
とをジオキサンなどの適当な溶媒中において、トリエタ
ノールアミン、炭酸アルカリや炭酸水素アルカリなどの
アルカリの存在下に縮合させ、完全エステル化又は部分
エステル化することにより製造することができる。
ば前記ポリヒドロキシベンゾフェノンを、ナフトキノン
‐1,2‐ジアジド‐5‐スルホニルクロリド又はナフ
トキノン‐1,2‐ジアジド‐4‐スルホニルクロリド
とをジオキサンなどの適当な溶媒中において、トリエタ
ノールアミン、炭酸アルカリや炭酸水素アルカリなどの
アルカリの存在下に縮合させ、完全エステル化又は部分
エステル化することにより製造することができる。
【0012】本発明組成物において、(C)成分として
用いられる有機溶剤としては、ケトカルボン酸エステル
類と2‐オキシプロピオン酸アルキルとの混合溶剤が使
用され、その混合割合としては、ケトカルボン酸エステ
ル類100重量部に対し、2‐オキシプロピオン酸アル
キル50〜400重量部、好ましくは100〜300重
量部の範囲で用いられる。この混合割合を逸脱すると塗
膜性が悪くなり好ましくない。
用いられる有機溶剤としては、ケトカルボン酸エステル
類と2‐オキシプロピオン酸アルキルとの混合溶剤が使
用され、その混合割合としては、ケトカルボン酸エステ
ル類100重量部に対し、2‐オキシプロピオン酸アル
キル50〜400重量部、好ましくは100〜300重
量部の範囲で用いられる。この混合割合を逸脱すると塗
膜性が悪くなり好ましくない。
【0013】ここで、ケトカルボン酸エステル類として
は、例えばピルビン酸メチルやピルビン酸エチルのよう
なα‐ケトカルボン酸エステル、アセト酢酸メチルやア
セト酢酸エチルのようなβ‐ケトカルボン酸エステルな
どを挙げることができるが、特にピルビン酸エチルが好
ましく使用できる。
は、例えばピルビン酸メチルやピルビン酸エチルのよう
なα‐ケトカルボン酸エステル、アセト酢酸メチルやア
セト酢酸エチルのようなβ‐ケトカルボン酸エステルな
どを挙げることができるが、特にピルビン酸エチルが好
ましく使用できる。
【0014】また、2‐オキシプロピオン酸アルキルと
しては、例えば2‐オキシプロピオン酸メチル、2‐オ
キシプロピオン酸エチル、2‐オキシプロピオン酸プロ
ピルなどを挙げることができ、特に2‐オキシプロピオ
ン酸エチルが好ましく使用できる。
しては、例えば2‐オキシプロピオン酸メチル、2‐オ
キシプロピオン酸エチル、2‐オキシプロピオン酸プロ
ピルなどを挙げることができ、特に2‐オキシプロピオ
ン酸エチルが好ましく使用できる。
【0015】本発明組成物においては、前記(B)成分
のキノンジアジド基含有化合物は、(A)成分のアルカ
リ可溶性樹脂100重量部に対して、通常10〜40重
量部、好ましくは15〜30重量部の範囲で用いられ
る。このキノンジアジド基含有化合物が少なすぎると実
用的な断面形状を有するレジストパターンが得られにく
く、また多すぎると感度が著しく劣化する傾向が生じ好
ましくない。
のキノンジアジド基含有化合物は、(A)成分のアルカ
リ可溶性樹脂100重量部に対して、通常10〜40重
量部、好ましくは15〜30重量部の範囲で用いられ
る。このキノンジアジド基含有化合物が少なすぎると実
用的な断面形状を有するレジストパターンが得られにく
く、また多すぎると感度が著しく劣化する傾向が生じ好
ましくない。
【0016】本発明組成物は、さらに必要に応じて相容
性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良す
るための付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像して
得られるパターンをより一層可視的にするための着色
料、またより増感効果を向上させるための増感剤、コン
トラスト向上剤などの慣用されているものを添加配合さ
せることができる。
性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良す
るための付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像して
得られるパターンをより一層可視的にするための着色
料、またより増感効果を向上させるための増感剤、コン
トラスト向上剤などの慣用されているものを添加配合さ
せることができる。
【0017】本発明組成物は前記した混合有機溶剤に、
前記のアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合
物及び必要に応じて配合される添加成分をそれぞれ必要
量溶解し、溶液の形で用いるのが有利である。
前記のアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合
物及び必要に応じて配合される添加成分をそれぞれ必要
量溶解し、溶液の形で用いるのが有利である。
【0018】本発明組成物の好適な使用方法について1
例を示すと、まずシリコンウエハーのような基板上に、
アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物とを
前記した混合有機溶剤に溶解して得た溶液をスピンナ
ー、ロールコターなどで塗布し、乾燥して感光層を形成
させ、次いで紫外線を発光する光源、例えば低圧水銀
灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キセノンラ
ンプなどを用い所要のマスクパターンを介して露光する
か、縮小投影露光装置により露光するか、マスクパター
ンを介してエキシマレーザーやX線を照射するか、ある
いは電子線を走査しながら照射する。次に、これを現像
液、例えば1〜10重量%テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液に浸漬する
と、露光によって可溶化した部分が選択的に溶解除去さ
れて、マスクパターンに忠実な画像を得ることができ
る。
例を示すと、まずシリコンウエハーのような基板上に、
アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物とを
前記した混合有機溶剤に溶解して得た溶液をスピンナ
ー、ロールコターなどで塗布し、乾燥して感光層を形成
させ、次いで紫外線を発光する光源、例えば低圧水銀
灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キセノンラ
ンプなどを用い所要のマスクパターンを介して露光する
か、縮小投影露光装置により露光するか、マスクパター
ンを介してエキシマレーザーやX線を照射するか、ある
いは電子線を走査しながら照射する。次に、これを現像
液、例えば1〜10重量%テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液に浸漬する
と、露光によって可溶化した部分が選択的に溶解除去さ
れて、マスクパターンに忠実な画像を得ることができ
る。
【0019】このようなパターンは半導体加工にかぎら
ず、リソグラフィーを用いて加工する分野、例えばLC
D、TAB、PCB、ケミカルミーリング、印刷などに
も同様に優れた効果が得られる。特に本発明組成物は従
来の有機溶剤では均一性に優れた塗膜が得られなかっ
た、大型基板や角型基板への塗布において、極めて高い
塗膜を容易に得ることができるという実用的な効果を奏
する。
ず、リソグラフィーを用いて加工する分野、例えばLC
D、TAB、PCB、ケミカルミーリング、印刷などに
も同様に優れた効果が得られる。特に本発明組成物は従
来の有機溶剤では均一性に優れた塗膜が得られなかっ
た、大型基板や角型基板への塗布において、極めて高い
塗膜を容易に得ることができるという実用的な効果を奏
する。
【0020】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、その
調製溶剤としてケトカルボン酸エステル類と2‐オキシ
プロピオン酸アルキルとを特定の割合で混合して得られ
た溶剤を使用することにより、均一性及びステップカバ
レッジ性の極めて優れた塗布膜を形成することができ、
また該調製溶剤は環境や人体に対して悪影響を与えない
ため、実用上極めて有効なものである。
調製溶剤としてケトカルボン酸エステル類と2‐オキシ
プロピオン酸アルキルとを特定の割合で混合して得られ
た溶剤を使用することにより、均一性及びステップカバ
レッジ性の極めて優れた塗布膜を形成することができ、
また該調製溶剤は環境や人体に対して悪影響を与えない
ため、実用上極めて有効なものである。
【0021】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの例によって何ら制限され
るものではない。
説明するが、本発明はこれらの例によって何ら制限され
るものではない。
【0022】なお、各例における物性は次の方法によっ
て求められたものである。 (1)均一性 ポジ型レジスト組成物の塗布液を6インチシリコンウエ
ハー上にスピンナーにより3000rpm、20秒間塗
布し、90℃で90秒間ホットプレート上にて乾燥する
ことで塗布膜を形成し、その塗布膜の膜厚をウエハー全
面にわたって測定し、ウエハー上での膜厚のバラツキが
±20Å以下のものを○、±21〜±40Åのものを
△、±41Å以上のものを×として評価した。
て求められたものである。 (1)均一性 ポジ型レジスト組成物の塗布液を6インチシリコンウエ
ハー上にスピンナーにより3000rpm、20秒間塗
布し、90℃で90秒間ホットプレート上にて乾燥する
ことで塗布膜を形成し、その塗布膜の膜厚をウエハー全
面にわたって測定し、ウエハー上での膜厚のバラツキが
±20Å以下のものを○、±21〜±40Åのものを
△、±41Å以上のものを×として評価した。
【0023】(2)ステップカバレッジ性 ポジ型レジスト組成物の塗布液を、2.0μm幅のライ
ンアンドスペースで、膜厚0.5μmの酸化シリコン膜
パターンが形成された6インチシリコンウエハー上に、
酸化シリコン膜のパターンのないフラットな面での乾燥
膜厚が1.5μmになるようにスピンナーで塗布し、乾
燥することでウエハー全面に塗布膜を形成し、ライン部
分上に形成された塗布膜の膜厚と、スペース部分上に形
成された膜厚との差を測定し、その差が0.10μm以
下のものを○、0.11〜0.20μmのものを△、
0.21μm以上のものを×として評価した。
ンアンドスペースで、膜厚0.5μmの酸化シリコン膜
パターンが形成された6インチシリコンウエハー上に、
酸化シリコン膜のパターンのないフラットな面での乾燥
膜厚が1.5μmになるようにスピンナーで塗布し、乾
燥することでウエハー全面に塗布膜を形成し、ライン部
分上に形成された塗布膜の膜厚と、スペース部分上に形
成された膜厚との差を測定し、その差が0.10μm以
下のものを○、0.11〜0.20μmのものを△、
0.21μm以上のものを×として評価した。
【0024】実施例1 2,3,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン1
モルとナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐5‐スルホニ
ルクロリド3モルとのエステル化反応生成物2gとクレ
ゾールノボラック樹脂8gとを、ピルビン酸エチル15
gと2‐オキシプロピオン酸エチル35gとの混合溶剤
に溶解してポジ型レジスト組成物の塗布液を調製した。
この塗布液について物性を調べ、その結果を表1に示
す。
モルとナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐5‐スルホニ
ルクロリド3モルとのエステル化反応生成物2gとクレ
ゾールノボラック樹脂8gとを、ピルビン酸エチル15
gと2‐オキシプロピオン酸エチル35gとの混合溶剤
に溶解してポジ型レジスト組成物の塗布液を調製した。
この塗布液について物性を調べ、その結果を表1に示
す。
【0025】実施例2〜5、比較例1〜4 表1に示すようにピルビン酸エチルと2‐オキシプロピ
オン酸エチルの混合割合を代えた以外は、実施例1と同
様にしてポジ型レジスト組成物の塗布液を調製した。こ
の塗布液について物性を調べ、その結果を表1に示す。
オン酸エチルの混合割合を代えた以外は、実施例1と同
様にしてポジ型レジスト組成物の塗布液を調製した。こ
の塗布液について物性を調べ、その結果を表1に示す。
【0026】
【表1】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 (A)アルカリ可溶性樹脂と、(B)キ
ノンジアジド基含有化合物とを、(C)ケトカルボン酸
エステル類100重量部に対し、2‐オキシプロピオン
酸アルキル50〜400重量部を混合して得られた溶剤
に溶解させて成るポジ型レジスト組成物。 - 【請求項2】 ケトカルボン酸エステル類がピルビン酸
エチルである請求項1記載のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項3】 2‐オキシプロピオン酸アルキルが2‐
オキシプロピオン酸エチルである請求項1又は2記載の
ポジ型レジスト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2317393A JPH06214383A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2317393A JPH06214383A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06214383A true JPH06214383A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12103244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2317393A Pending JPH06214383A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06214383A (ja) |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP2317393A patent/JPH06214383A/ja active Pending
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