JPH05308003A - Method of manufacturing chip type thermistor - Google Patents
Method of manufacturing chip type thermistorInfo
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- JPH05308003A JPH05308003A JP4119513A JP11951392A JPH05308003A JP H05308003 A JPH05308003 A JP H05308003A JP 4119513 A JP4119513 A JP 4119513A JP 11951392 A JP11951392 A JP 11951392A JP H05308003 A JPH05308003 A JP H05308003A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、温度センサ、温度補償
に使用される回路基板等の表面実装用のチップ型サーミ
スタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip type thermistor for surface mounting such as a temperature sensor and a circuit board used for temperature compensation.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体素子を搭載した回路基板は、その
温度が高くなると半導体素子の機能が損なわれるので、
その温度を検知して温度が上がらないようにすることが
行われている。このような温度を検知したり、回路的に
温度をコントロールする温度補償用にチップ型サーミス
タが用いられている。2. Description of the Related Art In a circuit board on which a semiconductor element is mounted, the function of the semiconductor element is impaired when the temperature thereof rises.
The temperature is detected so that the temperature does not rise. A chip type thermistor is used for temperature compensation such as detecting such temperature or controlling the temperature in a circuit manner.
【0003】従来、回路基板の表面実装用チップ型サー
ミスタは、サーミスタ抵抗体材料の焼成体の両端に端子
電極を形成したもので、その製造方法としては、まず、
マンガン、ニッケル、コバルト等の酸化物を従来のセラ
ミックス製品を製造する場合と同様に配合して混合し、
ついで仮焼し、この仮焼物を粉砕する。このようにして
得られたサーミスタ抵抗体材料粉末に樹脂、溶剤等から
なるバインダー組成物を混合して粘稠なスラリーを調製
し、これを成形機により成形してサーミスタ抵抗体材料
のグリーンシートを作製する。このグリーンシートを一
定の寸法に切断し、焼成を行ない、サーミスタ抵抗体の
サーミスタ素地チップを得る。このチップの両端部を電
極材料ペーストに順次浸漬することによりこのペースト
を付着・乾燥させ、ついで焼付けを行って端子電極を形
成し、チップ型のサーミスタを完成する。Conventionally, a surface mounting chip type thermistor for a circuit board is one in which terminal electrodes are formed at both ends of a fired body of a thermistor resistor material.
Oxides of manganese, nickel, cobalt, etc. are blended and mixed in the same way as when manufacturing conventional ceramic products,
Then, it is calcined, and this calcined product is crushed. The thermistor resistor material powder thus obtained is mixed with a binder composition comprising a resin and a solvent to prepare a viscous slurry, which is molded by a molding machine to form a green sheet of the thermistor resistor material. Create. This green sheet is cut into a certain size and fired to obtain a thermistor base chip of a thermistor resistor. Both ends of this chip are sequentially dipped in an electrode material paste to adhere and dry this paste, and then baked to form terminal electrodes, thus completing a chip type thermistor.
【0004】このようなチップ型サーミスタをプリント
基板に表面実装するには、プリント基板のはんだ付けラ
ンドにはんだペーストを塗布してからチップ型サーミス
タの端子電極を載置し、加熱して塗布層のはんだを溶融
してはんだ付けするリフローはんだ付け、あるいはチッ
プ型サーミスタをプリント基板に接着剤で仮固定してお
いて噴流する溶融はんだにはんだ付けランドと端子電極
の接続部を接触させることによりはんだ付けするフロー
はんだ付けする。この際、端子電極をAgのみの被覆層
で形成すると、特にフローはんだ付けにおいて溶融はん
だにより端子電極が侵食される、いわゆるはんだ食われ
現象を起こし、サーミスタ素地チップの両端に形成され
た端子電極の最短距離を変化させ、チップ型サーミスタ
の抵抗値を変化させる。サーミスタ特性は、抵抗値及び
B定数(温度係数)で決められるので、この抵抗値が変
化しないようにすることが重要であり、そのために従
来、端子電極はAgにPdを添加した電極材料を含有す
る電極材料ペーストを用いて形成されている。最近、サ
ーミスタ抵抗値に高精度、高信頼性が求められるように
なり、これに伴ってチップ型サーミスタの端子電極のプ
リント基板におけるはんだ付けランドに対するはんだ付
け性を良くするために、端子電極の溶融はんだに対する
濡れ性の向上が望まれているが、Pdを多くするとこの
濡れ性が低下し、はんだ付着性が悪くなる。In order to surface-mount such a chip type thermistor on a printed circuit board, a solder paste is applied to a soldering land of the printed circuit board, and then a terminal electrode of the chip type thermistor is placed and heated to form a coating layer. Reflow soldering that melts and solders the solder, or soldering by temporarily fixing the chip type thermistor to the printed circuit board with an adhesive and jetting molten solder to the soldering land and connecting the terminal electrodes Yes Flow solder. At this time, if the terminal electrode is formed of a coating layer of only Ag, the so-called solder erosion phenomenon occurs in which the terminal electrode is eroded by the molten solder particularly in the flow soldering, and the terminal electrodes formed on both ends of the thermistor base chip are The shortest distance is changed to change the resistance value of the chip thermistor. Since the thermistor characteristics are determined by the resistance value and the B constant (temperature coefficient), it is important to prevent the resistance value from changing. Therefore, conventionally, the terminal electrode contains an electrode material in which Pd is added to Ag. It is formed by using an electrode material paste. Recently, the thermistor resistance value is required to be highly accurate and highly reliable.In order to improve the solderability of the terminal electrode of the chip type thermistor to the soldering land on the printed circuit board, the melting of the terminal electrode is required. It is desired to improve the wettability with respect to solder, but if Pd is increased, the wettability is lowered and the solder adhesion is deteriorated.
【0005】端子電極のはんだ付け性を良くし、かつは
んだ食われ現象を抑制するために、積層コンデンサのよ
うにニッケルメッキ、はんだメッキを端子電極に施す方
法がある。例えば、図2に示すように、上記のようにし
て製造した角型のサーミスタ素地チップ1をアルミナ
粉、水とともに攪拌する、いわゆる湿式バレル研磨を行
って角隅部及び稜線部分の角部を丸めた研磨サーミスタ
素地チップ2を形成し、製品となったときに欠けにくく
して抵抗値の変化がないようにする。ついでこのサーミ
スタ素地チップ2の両端部にAg−Pdの電極材料ペー
ストを浸漬法により付着させて乾燥させ、焼付けること
により電極材料焼付け膜3、3を形成し、これに上記の
ニッケルメッキ等によりメッキ膜4、4を形成する。し
かし、この方法は、メッキを行う際、マンガンを主成分
とするサーミスタ素地がメッキ液に侵食され、図に示す
ようにサーミスタ素地に波状の凹凸ができたり、電極材
料焼付け膜の端部にメッキ膜が延びて形成される、いわ
ゆるメッキ延びの現象が生じ、製造された個々のチップ
型サーミスタはその端子電極間の抵抗値のばらつきが大
きいという問題がある。In order to improve the solderability of the terminal electrodes and suppress the phenomenon of solder erosion, there is a method of applying nickel plating or solder plating to the terminal electrodes like a multilayer capacitor. For example, as shown in FIG. 2, the square thermistor substrate chip 1 manufactured as described above is stirred with alumina powder and water, so-called wet barrel polishing is performed to round the corners and the ridges. The polished thermistor base chip 2 is formed so as to prevent chipping when it becomes a product so that the resistance value does not change. Then, an electrode material paste of Ag-Pd is applied to both ends of the thermistor base chip 2 by a dipping method, dried, and baked to form electrode material baking films 3 and 3, which are plated with nickel as described above. The plating films 4 and 4 are formed. However, in this method, when the plating is performed, the thermistor substrate containing manganese as the main component is eroded by the plating solution, resulting in wavy unevenness on the thermistor substrate as shown in the figure, or plating on the edge of the electrode material baking film. There is a problem that a phenomenon of so-called plating extension, in which the film is extended and formed, occurs, and the manufactured individual chip type thermistors have large variations in resistance value between their terminal electrodes.
【0006】このメッキ液に対する影響をなくすととも
に、雰囲気の湿度によりサーミスタ素地が影響されるこ
とを防止するために、サーミスタ素地部分にガラス粉末
を含有する塗料を塗布し、加熱してガラス層を形成した
チップ型サーミスタも用いられている。例えば、図3に
示すようにサーミスタ素地チップ1にガラス層5を形成
し、その両端に上記と同様にAg−Pdの電極材料焼付
け膜6、6を形成し、さらにこれにニッケルメッキ等に
よりメッキ膜7、7を形成する。In order to eliminate the influence on the plating solution and prevent the thermistor substrate from being affected by the humidity of the atmosphere, a coating material containing glass powder is applied to the thermistor substrate portion and heated to form a glass layer. Chip-type thermistors are also used. For example, as shown in FIG. 3, a glass layer 5 is formed on the thermistor substrate chip 1, Ag-Pd electrode material baking films 6, 6 are formed on both ends thereof in the same manner as above, and further plated with nickel plating or the like. The films 7, 7 are formed.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このガ
ラス層を形成したチップ型サーミスタは、角隅部及び稜
線部分の角部が尖っており、しかもガラス層が脆いた
め、これをプリント基板に表面実装しようとすると、実
際の作業ラインではホッパーにその多数が収容され、1
個づづ取り出されてプリント基板に運ばれ、はんだ付け
されるので、ホッパーで他のものと一緒にされて擦れあ
ったとき、吸引チャックで取り出されてプリント基板に
置かれるとき等に角隅部や稜線部分が欠けることがあ
る。このように欠けると、サーミスタ素地が露出して空
気中の湿度の影響を受けたり、また、欠けた部分が端子
電極の一部であると、製品のチップ型サーミスタの抵抗
値が変化し、個々の製品毎に抵抗値が異なるという問題
を生じる。本発明の目的は、欠けないような形状のサー
ミスタ素地をガラス層で被覆したチップ型サーミスタを
提供することにある。However, in the chip type thermistor having the glass layer formed, the corners and the ridges are sharp, and the glass layer is fragile. In the actual work line, many of them are accommodated in hoppers and
Since they are individually taken out and carried to the printed circuit board and soldered, when they are rubbed together by other things in the hopper, when they are taken out by the suction chuck and placed on the printed circuit board, etc. The ridge may be missing. If it is chipped in this way, the thermistor substrate is exposed and affected by the humidity in the air.If the chipped part is part of the terminal electrode, the resistance value of the chip-type thermistor of the product changes and There is a problem that the resistance value is different for each product. An object of the present invention is to provide a chip-type thermistor in which a thermistor substrate having a shape that does not chip is covered with a glass layer.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、角部を丸めたサーミスタ素地チップを準
備する工程と、このサーミスタ素地チップの両端部に電
極材料焼付け膜を形成する電極材料焼付け膜形成工程
と、この電極材料焼付け膜形成工程で得られたチップの
表面にガラス被膜を形成する工程と、前記電極材料焼付
け膜上のガラス被膜を除去して電極材料焼付け膜を露出
する工程と、この電極材料焼付け膜上に金属メッキ層を
形成する工程を有するチップ型サーミスタの製造方を提
供するものである。In order to solve the above problems, the present invention provides a step of preparing a thermistor base chip with rounded corners, and forming an electrode material baking film on both ends of the thermistor base chip. Electrode material baking film forming step, step of forming a glass film on the surface of the chip obtained in this electrode material baking film forming step, and removing the glass film on the electrode material baking film to expose the electrode material baking film The present invention provides a method of manufacturing a chip type thermistor including a step of forming a metal plating layer on the electrode material baked film.
【0009】[0009]
【作用】角部を丸めたサーミスタ素地チップを準備し、
その両端に電極材料焼付け膜を形戒し、さらに全体にガ
ラス被膜を形成し、電極材料焼付け膜の上のガラス被膜
を除去して電極材料焼付け膜を露出させるので、サーミ
スタ素地部分はガラス被膜を形成した状態のままにで
き、この部分に影響を及ぼすことなく電極材料焼付け膜
上に金属メッキ層を形成することができる。[Function] Prepare a thermistor base chip with rounded corners,
Be careful of the electrode material baking film on both ends, further form a glass film on the whole, and remove the glass film on the electrode material baking film to expose the electrode material baking film. The formed state can be maintained, and the metal plating layer can be formed on the electrode material baking film without affecting this portion.
【0010】[0010]
【実施例】次に本発明の実施例を図1に基づいて説明す
る。 実施例1 通常のセラミック製品を製造する場合のように、マンガ
ン、ニッケル、コバルトの酸化物のサーミスタ抵抗体原
料を配合、混合、仮焼し、この仮焼したものを粉砕し、
サーミスタ抵抗体材料粉末を得る。サーミスタ抵抗体材
料粉末に樹脂、水等からなバインダー組成物を混合し、
この混合物を成形機により成形してサーミスタ抵抗体グ
リーンシートを作製する。このサーミスタ抵抗体グリー
ンシートを一定寸法に切断し、焼成し、図1に示すよう
に、JIS3216形状のNTCサーミスタ素地チップ
11を得る。EXAMPLE An example of the present invention will be described below with reference to FIG. Example 1 Manganese, nickel and cobalt oxide thermistor resistor raw materials were mixed, mixed and calcined as in the case of producing a normal ceramic product, and the calcined product was pulverized,
Obtain the thermistor resistor material powder. Mix the resin composition of the thermistor resistor material powder with a binder composition consisting of water,
This mixture is molded by a molding machine to produce a thermistor resistor green sheet. This thermistor resistor green sheet is cut into a certain size and fired to obtain a JISC3216-shaped NTC thermistor base chip 11, as shown in FIG.
【0011】このサーミスタ素地チップ11を平均粒径
30μmのアルミナ粉末、水とともに攪拌することによ
り湿式バレル研磨を行なって角隅部及び稜線部分等の角
部が丸くなったサーミスタ素地チップ12を得る。この
サーミスタ素地チップ12の両側端部にAg−Pdの粉
末、バインダー等からなる電極材料ペーストを浸漬によ
り付着させてから乾燥させ、850℃、10分焼付けを
行って両側端部に約20μmの厚さの電極材料焼付け膜
13、13を形成する。この際両側の電極材料焼付け膜
13、13の相対する端部の距離は、所定の抵抗値にな
るように決められる。なお、電極材料ペーストは、Ag
−Pd(7:3)粉末、バインダー樹脂としてニトロセ
ルロース、溶剤としてブチルカルビトールアセテートを
使用して調製された。This thermistor base chip 11 is agitated with alumina powder having an average particle size of 30 μm and water to perform wet barrel polishing to obtain a thermistor base chip 12 having rounded corners such as corners and ridges. An electrode material paste made of Ag-Pd powder, a binder, etc. is adhered to both end portions of this thermistor base chip 12 by dipping and then dried, and baked at 850 ° C. for 10 minutes to have a thickness of about 20 μm at both end portions. The electrode material baking films 13 and 13 are formed. At this time, the distance between the opposite ends of the electrode material baking films 13 on both sides is determined so as to have a predetermined resistance value. The electrode material paste is Ag
-Pd (7: 3) powder, prepared using nitrocellulose as the binder resin and butyl carbitol acetate as the solvent.
【0012】次に、得られたチップの表面全面にガラス
粉末、バインダー等からなるガラスペーストを浸漬法に
より付着させてから乾燥させ、800℃、10分間焼付
けを行って、チップ表面全面にわたって厚さ焼く10μ
mのガラス被膜を形成する。ガラスの組成としては、酸
化ケイ素、酸化ホウ素、酸化バリウム径のものが挙げら
れ、そのほかにLi、K、Na、Mg、Sr、Zn、C
d、Pb、Alなどのイオンを含むものが挙げられ、例
えばホウケイ酸鉛ガラスが好ましい。なお、ガラスペー
ストは、ガラス粉末、バインダー樹脂としてニトロセル
ロース、溶剤としてブチルカービトールアセテートを使
用して調整された。Next, a glass paste consisting of glass powder, a binder, etc. is adhered to the entire surface of the obtained chip by a dipping method, dried, and baked at 800 ° C. for 10 minutes to obtain a thickness over the entire surface of the chip. Bake 10μ
m to form a glass film. Examples of the glass composition include silicon oxide, boron oxide, and barium oxide particles, and in addition, Li, K, Na, Mg, Sr, Zn, C
Examples thereof include those containing ions such as d, Pb and Al, and for example, lead borosilicate glass is preferable. The glass paste was prepared using glass powder, nitrocellulose as a binder resin, and butyl carbitol acetate as a solvent.
【0013】このようにして得られたガラス層で被覆し
たチップを再度上記と同様にして湿式バレル研磨を行な
う。上記電極材料焼付け膜の厚さ分だけその上に設けら
れているガラス層が他の部分より突出しているので、こ
の突出している部分を研磨し、電極材料焼付け膜が露出
したところで研磨を止めると、サーミスタ素地部分はガ
ラス層で被覆された状態のままにすることができる。こ
の後、通常の方法によりニッケルメッキ、はんだメッキ
を施して金属メッキ層15、15を形成したチップ型サ
ーミスタップ16を得る。The chips coated with the glass layer thus obtained are again subjected to wet barrel polishing in the same manner as above. Since the glass layer provided thereon by the thickness of the electrode material baking film protrudes from other parts, polishing the protruding part and stopping the polishing when the electrode material baking film is exposed , The thermistor substrate part can remain covered with the glass layer. After that, nickel-plating and solder-plating are applied by a usual method to obtain the chip type thermist tap 16 on which the metal plating layers 15 and 15 are formed.
【0014】このようにして得られたチップ型サーミス
タ100個の外観検査ではメッキ延び、サーミスタ素地
の侵食などの異常は見られなかった。In the visual inspection of 100 chip-type thermistors thus obtained, the plating was extended and no abnormality such as corrosion of the thermistor substrate was observed.
【0015】比較例 実施例1において、ガラス層を設けなかった以外は同様
にしてチップ型サーミスタを作製し、その100個につ
いて外観検査を行ったところ、全部についてメッキ液に
よる侵食が見られた。Comparative Example In the same manner as in Example 1, except that the glass layer was not provided, chip type thermistors were manufactured in the same manner, and 100 pieces of the thermistors were inspected for appearance.
【0016】[0016]
【発明の効果】本発明によれば、角部を丸めたサーミス
タ素地チップを用いて電極材料焼付け膜及びガラス被膜
を形成したので、ガラス被膜は尖った角隅部や稜線部分
がなく、チップ型サーミスタを表面実装する作業時等に
おいてガラス被膜が欠けることも少ない。また、電極材
料焼付け膜はガラス被膜の上には形成されていないの
で、その上の金属メッキ層からなる端子電極も欠けるこ
とを少なくできる。このようにサーミスタ素地チップの
両端の電極材料焼付け膜を除いて他の部分をガラス被膜
で覆うことができると、メッキを行ってもサーミスタ素
地部分がメッキ液に侵食されることがないのみならず、
サーミスタ素地部分におけるメッキ延びもなくすことが
できる。また、メッキをした端子電極ははんだ食われ現
象が起きないようにできるので、フローはんだ付け方法
を使用したチップ型サーミスタを提供することができ、
その生産性を向上できるとともに、はんだ付け性が良い
こと及び上記のメッキを行う場合の障害がないことと併
せて高精度、高信頼性のチップ型サーミスタを提供する
ことができる。According to the present invention, since the electrode material baking film and the glass film are formed by using the thermistor base chip with rounded corners, the glass film has no sharp corners or ridges, and the chip type The glass coating is less likely to be chipped during the surface mounting of the thermistor. Further, since the electrode material baking film is not formed on the glass film, it is possible to reduce chipping of the terminal electrode formed of the metal plating layer thereon. In this way, if the other parts can be covered with the glass film except the electrode material baking film on both ends of the thermistor base chip, the thermistor base part will not be corroded by the plating solution even if plating is performed. ,
It is possible to eliminate the plating extension in the thermistor base portion. In addition, since the plated terminal electrode can prevent solder erosion from occurring, it is possible to provide a chip type thermistor using the flow soldering method,
It is possible to provide a highly accurate and highly reliable chip-type thermistor, which can improve its productivity, have good solderability, and have no obstacles when performing the above plating.
【図1】本発明の一実施例のチップ型サーミスタの製造
工程説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a manufacturing process of a chip type thermistor according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来のチップ型サーミスタの製造工程説明図で
ある。FIG. 2 is an explanatory view of a manufacturing process of a conventional chip type thermistor.
【図3】従来のチップ型サーミスタの他の製造工程脱明
図である。FIG. 3 is a view for explaining another manufacturing process of the conventional chip type thermistor.
11 サーミスタ素地チップ 12 角部を丸めたサーミスタ素地チップ 13 電極材料焼付け膜 14 ガラス被膜 15 金属メッキ層 16 チップ型サーミスタ 11 Thermistor base chip 12 Thermistor base chip with rounded corners 13 Electrode material baking film 14 Glass coating 15 Metal plating layer 16 Chip type thermistor
Claims (1)
備する工程と、このサーミスタ素地チップの両端部に電
極材料焼付け膜を形成する電極材料焼付け膜形成工程
と、この電極材料焼付け膜形成工程で得られたチップの
表面にガラス被膜を形成する工程と、前記電極材料焼付
け膜上のガラス被膜を除去して電極材料焼付け膜を露出
する工程と、この電極材料焼付け膜上に金属メッキ層を
形成する工程を有するチップ型サーミスタの製造方法。1. A step of preparing a thermistor base chip with rounded corners, an electrode material baking film forming step of forming electrode material baking films on both ends of the thermistor base chip, and an electrode material baking film forming step. Forming a glass film on the surface of the obtained chip; removing the glass film on the electrode material baking film to expose the electrode material baking film; and forming a metal plating layer on the electrode material baking film. A method of manufacturing a chip type thermistor including the steps of:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4119513A JPH05308003A (en) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | Method of manufacturing chip type thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP4119513A JPH05308003A (en) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | Method of manufacturing chip type thermistor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH05308003A true JPH05308003A (en) | 1993-11-19 |
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ID=14763133
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JP4119513A Pending JPH05308003A (en) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | Method of manufacturing chip type thermistor |
Country Status (1)
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JP (1) | JPH05308003A (en) |
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1992
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010710 |