JP3277292B2 - Chip type thermistor and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、温度センサ、温度補償
に使用される回路基板等の表面実装用のチップ型サーミ
スタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip type thermistor for surface mounting such as a temperature sensor and a circuit board used for temperature compensation.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体素子を搭載した回路基板の温度が
高くなると、搭載された半導体素子が影響を受けて、回
路の電気的特性が変化してしまう。このため、回路によ
っては温度補償を行い、電気的特性が変化しないように
自動調整が行われる。このような温度補償回路用部品や
温度検出用センサ等として、チップ型サーミスタが用い
られている。2. Description of the Related Art When the temperature of a circuit board on which a semiconductor element is mounted rises, the mounted semiconductor element is affected, and the electrical characteristics of the circuit change. Therefore, depending on the circuit, temperature compensation is performed, and automatic adjustment is performed so that the electrical characteristics do not change. A chip-type thermistor is used as such a temperature compensating circuit component or a temperature detecting sensor.
【0003】従来、回路基板の表面実装用チップ型サー
ミスタは、サーミスタ抵抗体材料の焼成体の両端に端子
電極を形成したもので、その製造方法としては、まず、
マンガン、ニッケル、コバルト等の酸化物を従来のセラ
ミックス製品を製造する場合と同様に配合して混合し、
ついで仮焼し、この仮焼物を粉砕する。このようにして
得られたサーミスタ抵抗体材料粉末に樹脂、溶剤等から
なるバインダー組成物を混合して粘稠なスラリーを調製
し、これを成形機により成形してサーミスタ抵抗体材料
のグリーンシートを作製する。このグリーンシートを一
定の寸法に切断し、焼成を行ない、サーミスタ抵抗体の
サーミスタ素地チップを得る。このチップの両端部を電
極材料ペーストに順次浸漬することによりこのペースト
を付着させ、乾燥・焼付けを行って端子電極を形成し、
チップ型のサーミスタを完成する。Conventionally, a chip type thermistor for surface mounting of a circuit board has terminal electrodes formed on both ends of a fired body of a thermistor resistor material.
Mix and mix oxides of manganese, nickel, cobalt, etc. in the same way as in the case of manufacturing conventional ceramic products,
Then, it is calcined, and the calcined product is pulverized. The thus obtained thermistor resistor material powder is mixed with a binder composition comprising a resin, a solvent and the like to prepare a viscous slurry, which is molded by a molding machine to form a green sheet of the thermistor resistor material. Make it. The green sheet is cut into a predetermined size and fired to obtain a thermistor base chip of a thermistor resistor. Both ends of the chip are sequentially immersed in an electrode material paste to adhere the paste, and dried and baked to form terminal electrodes,
Complete a chip-type thermistor.
【0004】このようなチップ型サーミスタをプリント
基板に表面実装するには、プリント基板のはんだ付けラ
ンドにはんだペーストを塗布してからチップ型サーミス
タの端子電極を載置し、加熱して塗布層のはんだを溶融
してはんだ付けするリフローはんだ付け、あるいはチッ
プ型サーミスタをプリント基板に接着剤で仮固定してお
いて噴流する溶融はんだにはんだ付けランドと端子電極
の接続部を接触させることによりはんだ付けするフロー
はんだ付けする。この際、端子電極をAgのみの被覆層
で形成すると、特にフローはんだ付けにおいて溶融はん
だにより端子電極が侵される、いわゆるはんだ食われ現
象を起こし、サーミスタ素地チップの両端に形成された
端子電極の最短距離を変化させ、チップ型サーミスタの
抵抗値を変化させる。サーミスタ特性は、抵抗値及びB
定数(温度係数)で決められるので、この抵抗値が変化
しないようにすることが重要であり、そのために従来、
端子電極はAgにPdを添加した電極材料を含有する電
極材料ペーストを用いて形成されている。最近、サーミ
スタ抵抗値に高精度、高信頼性が求められるようにな
り、これに伴ってチップ型サーミスタの端子電極のプリ
ント基板におけるはんだ付けランドに対するはんだ付け
性を良くするために、端子電極の溶融はんだに対する濡
れ性の向上が望まれているが、Pdを多くするとこの濡
れ性が低下し、はんだ付着性が悪くなる。In order to mount such a chip-type thermistor on a printed circuit board, a solder paste is applied to the soldering lands of the printed circuit board, and then the terminal electrodes of the chip-type thermistor are placed and heated to form a coating layer. Reflow soldering, in which the solder is melted and soldered, or soldering, by temporarily fixing the chip-type thermistor to the printed circuit board with an adhesive, and then contacting the soldering land and the connection between the terminal electrodes with the jetted molten solder Flow soldering. At this time, if the terminal electrode is formed of a coating layer of Ag alone, the terminal electrode is eroded by the molten solder, particularly in flow soldering, so-called solder erosion occurs, and the shortest terminal electrode formed at both ends of the thermistor base chip is formed. The distance is changed to change the resistance value of the chip thermistor. The thermistor characteristics include resistance value and B
Since it is determined by a constant (temperature coefficient), it is important that this resistance value does not change.
The terminal electrode is formed using an electrode material paste containing an electrode material obtained by adding Pd to Ag. Recently, high accuracy and high reliability have been required for thermistor resistance value.Accordingly, in order to improve the solderability of the terminal electrode of the chip type thermistor to the soldering land on the printed circuit board, the melting of the terminal electrode has been required. It is desired to improve the wettability with respect to solder. However, when Pd is increased, the wettability decreases and the solder adhesion deteriorates.
【0005】端子電極のはんだ付け性を良くし、かつは
んだ食われ現象を抑制するために、積層コンデンサのよ
うにニッケルメッキ、はんだメッキを端子電極に施す方
法がある。例えば、図2に示すように、上記のようにし
て製造した角型のサーミスタチップ1をアルミナ粉、水
とともに攪拌する、いわゆる湿式バレル研磨を行って角
隅部及び稜線部分を丸くした研磨サーミスタチップ2を
形成し、製品となったときに欠けにくくして抵抗値の変
化がないようにし、ついでこのサーミスタチップ2の両
端部にAg─Pdの電極材料ペーストを浸漬法により付
着させて乾燥させ、焼付けることにより電極材料焼付け
膜3、3を形成し、これに上記のニッケルメッキ等によ
りメッキ膜4、4を形成する。しかし、この方法は、メ
ッキを行う際、マンガンを主成分とするサーミスタ素地
がメッキ液に侵食され、図に示すようにサーミスタ素地
に波状の凹凸ができたり、電極材料焼付け膜の端部にメ
ッキ膜が延びて形成される、いわゆるメッキ延びの現象
が生じ、製造された個々のチップ型サーミスタはその端
子電極間の抵抗値のばらつきが大きいという問題があ
る。[0005] In order to improve the solderability of the terminal electrode and to suppress the solder erosion phenomenon, there is a method of applying nickel plating or solder plating to the terminal electrode like a multilayer capacitor. For example, as shown in FIG. 2, the square thermistor chip 1 manufactured as described above is stirred with alumina powder and water, that is, a so-called wet barrel polishing is performed to round the corners and ridges of the polishing thermistor chip. 2 is formed, and it is hard to be chipped when it becomes a product so that the resistance value does not change. Then, an electrode material paste of Ag @ Pd is attached to both ends of the thermistor chip 2 by a dipping method and dried. The electrode material baking films 3 and 3 are formed by baking, and the plating films 4 and 4 are formed thereon by the nickel plating or the like. However, in this method, when performing plating, the thermistor base mainly composed of manganese is eroded by the plating solution, and as shown in the figure, wavy irregularities are formed on the thermistor base, or the end of the electrode material baking film is plated. The so-called plating elongation phenomenon occurs in which the film is extended, and the individual chip-type thermistor manufactured has a problem that the resistance value between the terminal electrodes varies greatly.
【0006】このメッキ液による影響をなくすととも
に、雰囲気によりサーミスタ素地が影響されることを防
止するために、サーミスタ素地部分にガラス粉末を含有
する塗料を塗布し、加熱してガラス被膜を形成したチッ
プ型サーミスタも用いられている。例えば、図3に示す
ようにサーミスタ素地チップ1にガラス被膜5を形成
し、その両端に上記と同様にAg─Pdの電極材料焼付
け膜6、6を形成し、さらにこれにニッケルメッキ等に
より金属メッキ層7、7を形成する。In order to eliminate the influence of the plating solution and to prevent the thermistor substrate from being affected by the atmosphere, a chip containing a glass powder is applied to the thermistor substrate and heated to form a glass coating. Type thermistors have also been used. For example, as shown in FIG. 3, a glass coating 5 is formed on the thermistor base chip 1, and electrode material baking films 6, 6 of Ag @ Pd are formed on both ends of the glass coating 5 in the same manner as described above. The plating layers 7 are formed.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このガ
ラス被膜を形成したチップ型サーミスタは、角隅部及び
稜線部分の角部が尖っていてしかもガラス被膜が脆いた
め、これをプリント基板に表面実装しようとすると、実
際の作業ラインではホッパーにその多数が収容され、1
個づづ取り出されてプリント基板に運ばれ、はんだ付け
されるので、ホッパーで他のものと一緒にされて擦れあ
ったとき、吸引チャックで取り出されてプリント基板に
置かれるとき等に角隅部や稜線部分が欠けることがあ
る。このように欠けると、サーミスタ素地が露出して空
気中の温度や湿度の影響を受けたり、また、欠けた部分
が端子電極の一部であると、製品のチップ型サーミスタ
の抵抗値が変化し、個々の製品毎に抵抗値が異なるとい
う問題を生じる。However, the chip type thermistor having the glass film formed thereon has sharp corners and ridges, and the glass film is brittle. Then, in the actual working line, many are stored in the hopper,
Each piece is taken out and carried to a printed circuit board and soldered.When it is rubbed together with other things with a hopper, it is taken out with a suction chuck and placed on a printed circuit board, etc. The ridge may be missing. If it is chipped in this way, the thermistor substrate will be exposed and will be affected by the temperature and humidity in the air.If the chipped part is part of the terminal electrode, the resistance of the chip thermistor of the product will change. This causes a problem that the resistance value differs for each product.
【0008】この問題を解決するために、本発明者ら
は、サーミスタ素地チップを研磨して角隅部や稜線部分
の角部を丸くし、この研磨したサーミスタ素地チップに
ガラス粉末を含有するガラスペーストを塗布し、加熱す
ることによりガラス被膜でサーミスタ素地チップを被覆
し、ついでこのチップの両端部に電極材料の焼付け膜を
形成し、さらにメッキを施すチップ型サーミスタの製造
方法において、電極材料の焼付け膜を形成する際に上記
ガラス粉末の作業点温度を選択することによりガラス被
膜を流動化できるようにして電極材料をそのガラ被膜内
に侵入させ、これによりサーミスタ素地チップと電極材
料焼付け膜とを接触させる方法を提案した。In order to solve this problem, the present inventors polished a thermistor base chip to round corners and ridges, and made the polished thermistor base chip contain glass powder. In a method of manufacturing a chip-type thermistor, a paste is applied, and the thermistor base chip is covered with a glass coating by heating, and then a baking film of an electrode material is formed on both ends of the chip, and further plated. By selecting the working point temperature of the above glass powder when forming the baked film, the glass film can be fluidized so that the electrode material penetrates into the glass film, and thereby the thermistor base chip, the electrode material baked film and A method of contacting was proposed.
【0009】しかしながら、この方法は電極材料塗膜を
流動化したガラス被膜内に侵入させてもその侵入度合を
各製品毎に一様にすることは難しいので、各製品毎に電
極材料焼付け膜とサーミスタ素地チップとの接触状態に
バラツキが生じ、製品の特性値である抵抗値のバラツキ
が大きくなり易いという問題を生じる。[0009] However, in this method, even if the electrode material coating is penetrated into the fluidized glass coating, it is difficult to make the degree of penetration uniform for each product. Variations occur in the state of contact with the thermistor base chip, causing a problem that the variation in the resistance value, which is the characteristic value of the product, tends to increase.
【0010】本発明の目的は、形成される端子電極の相
違によって抵抗値が影響されず、かつ欠けないような形
状のガラス被膜で被覆したチップ型サーミスタ及びその
製造方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a chip-type thermistor coated with a glass coating having a shape such that the resistance value is not affected by a difference in terminal electrodes formed and is not chipped, and a method of manufacturing the same.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、少なくとも一対の離間した内部電極を内
装するとともに角隅部及び稜線部分に丸みを有するサー
ミスタ素体と、このサーミスタ素体の外周面に被覆され
た尖った角隅部や稜線部分がないガラス被膜と、上記一
対の内部電極のいずれかの一端部を上記サーミスタ素体
の異なる外側面に導出してこれら外側面に上記ガラス被
膜のそのガラスの作業点温度より高い温度で熱処理した
電極材料焼付け膜を形成することにより電極材料と上記
ガラス被膜のガラスとを混在させて形成したそれぞれの
内部電極と接続した端子電極を有するチップ型サーミス
タを提供するものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a thermistor element having at least a pair of spaced-apart internal electrodes and having rounded corners and ridges, and a thermistor element. A glass coating that has no sharp corners or ridges coated on the outer peripheral surface of the body, and one end of the pair of internal electrodes is led out to different outer surfaces of the thermistor body to form these outer surfaces. The above glass cover
The membrane was heat treated at a temperature above its glass working point
An object of the present invention is to provide a chip-type thermistor having terminal electrodes connected to respective internal electrodes formed by mixing an electrode material and the glass of the glass film by forming an electrode material baked film .
【0012】また、本発明は、サーミスタ抵抗体グリー
ンシートに内部電極塗膜を形成した内部電極塗膜付グリ
ーンシートを積層する工程と、このグリーンシート積層
体を焼成する工程を経てサーミスタ素体チップを得る工
程と、このサーミスタ素体チップを研磨し角隅部及び稜
線部分に丸みを持たせる工程と、この研磨したサーミス
タ素体チップの全体に尖った角隅部や稜線部分がないガ
ラス被膜を形成する工程と、このガラス被膜を形成した
サーミスタ素体チップの両端部に電極材料を付着させる
工程と、前記ガラス被膜がそのガラスの作業点温度より
高い温度で処理されて流動化するその処理温度であって
かつ前記電極材料とガラスが混在状態になる処理温度で
熱処理することにより前記内部電極に導電接続された電
極材料焼付け膜を形成する工程と、この電極材料焼付け
膜上に金属メッキ層を形成する工程を有するチップ型サ
ーミスタの製造方法を提供するものである。Further, the present invention provides a thermistor element chip through a step of laminating a green sheet with an internal electrode coating formed by forming an internal electrode coating on a thermistor resistor green sheet and a step of firing this green sheet laminate. And grinding the thermistor body chip to make the corners and ridges round, and the gas thermistor body chip having no sharp corners and ridges throughout the polished thermistor body chip. /> forming a lath coating, a step of depositing an electrode material on both ends of the thermistor element chips forming the glass coating, the glass coating than the working point temperature of the glass
The processing temperature at which it is processed and fluidized at a high temperature,
And a step of forming a conductive electrode connected to the material baked film on the inner electrode by the electrode material and the glass is heat treated at a processing temperature at which the mixed state, the step of forming a metal plating layer on the electrode material baked film It is intended to provide a method for manufacturing a chip type thermistor having:
【0013】[0013]
【作用】チップ状サーミスタ抵抗体の層内に離間した少
なくとも一対の内部電極を内装することにより抵抗値は
これら内部電極間の距離により定まるから、これら内部
電極をチップ状サーミスタ抵抗体の外側面に導出しこの
外側面に端子電極を形成してそれぞれの内部電極と接続
することにより、この接続は導体同士の接続であるので
その接続状態により製品の特性値の抵抗値が影響を受け
ることが少ない。一方、サーミスタ素体を研磨して角隅
部及び稜線部分に丸みを持たせてからガラス被膜で被覆
し、その両端に電極材料焼付け膜を形成する際の焼付け
時に、ガラス被膜がそのガラスの作業点温度より高い温
度で熱処理されるので、そのガラス被膜が流動化し電極
材料とガラスとが混在し内部電極に導電接続された端子
電極が形成される。Since the resistance value is determined by the distance between the internal electrodes by providing at least a pair of internal electrodes separated in the layer of the chip-shaped thermistor resistor, these internal electrodes are attached to the outer surface of the chip-shaped thermistor resistor. By deriving and forming terminal electrodes on the outer surface and connecting to the respective internal electrodes, since this connection is a connection between conductors, the resistance of the characteristic value of the product is less affected by the connection state. . On the other hand, the thermistor body is polished to make the corners and ridges round, and then coated with a glass coating. At the time of baking when forming the electrode material baking film on both ends, the glass coating works on the glass. Temperature higher than point temperature
As a result, the glass film is fluidized, and the electrode material and the glass are mixed to form a terminal electrode conductively connected to the internal electrode.
【0014】[0014]
【実施例】次に本発明の実施例を図1に基づいて説明す
る。 実施例1 通常のセラミック製品を製造する場合のように、マンガ
ン、ニッケル、コバルトの酸化物のサーミスタ抵抗体原
料を配合、混合、仮焼し、この仮焼したものを粉砕し、
サーミスタ抵抗体材料粉末を得る。このサーミスタ抵抗
体材料粉末に樹脂、水等からなバインダー組成物を混合
し、この混合物を成形機により成形してサーミスタ抵抗
体グリーンシートを作製する。このサーミスタ抵抗体グ
リーンシートにAg─Pd、樹脂、溶剤等からなる電極
材料ペーストを塗布して内部電極塗膜付きグリーンシー
トを得る。これらの2枚を各内部電極塗膜がサーミスタ
抵抗体グリーンシートを介して対向するように重ね、さ
らにサーミスタ抵抗体グリーンシートを重ねて内部電極
塗膜を埋め込んでグリーンシート積層体を得る。このグ
リーンシート積層体を一定寸法に切断し、焼成し、図1
に示すように、内部電極10a、10bを有する3.2
mm×1.6mm×1.0mmの角チップ形状のサーミ
スタ素体チップ11を得る。このサーミスタ素体チップ
11を平均粒径30μmのアルミナ粉末、水とともに攪
拌することにより湿式バレル研磨を行なって角隅部及び
稜線部分が丸くなった研磨サーミスタ素体チップ12を
得る。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Example 1 As in the case of manufacturing a normal ceramic product, manganese, nickel and cobalt thermistor resistor raw materials were mixed, mixed and calcined, and the calcined product was pulverized.
A thermistor resistor material powder is obtained. A binder composition comprising a resin, water, and the like is mixed with the thermistor resistor material powder, and the mixture is molded by a molding machine to produce a thermistor resistor green sheet. An electrode material paste composed of Ag @ Pd, a resin, a solvent and the like is applied to the thermistor resistor green sheet to obtain a green sheet with an internal electrode coating film. These two sheets are overlapped so that the internal electrode coatings face each other with the thermistor resistor green sheets interposed therebetween, and the thermistor resistor green sheets are further stacked to embed the internal electrode coatings to obtain a green sheet laminate. This green sheet laminate was cut into a certain size, fired, and
As shown in 3.2, 3.2 having internal electrodes 10a and 10b
The thermistor body chip 11 having a square chip shape of mm × 1.6 mm × 1.0 mm is obtained. This thermistor element chip 11 is stirred with alumina powder having an average particle diameter of 30 μm and water to perform wet barrel polishing to obtain a polished thermistor element chip 12 having rounded corners and ridges.
【0011】作業点温度が400〜1000℃で後述の
電極材料焼付け膜の焼付け温度より低い作業点温度、例
えば700℃の作業点温度を有するガラスを含有するガ
ラスペーストに上記研磨サーミスタ素体チップ12を浸
漬法により付着させてから乾燥し、さらに800℃で1
0分間熱処理して約10μmのガラス被膜13を形成す
る。作業点温度というのは1万ポイズ単位の粘度になる
温度であり、具体的にこれに該当する材料としては岩城
硝子株式会社のカタログのIWFフリット品種、特性一
覧表に記載されている。軟化点温度では300〜800
℃が好ましい。組成的には酸化ケイ素、酸化ホウ素、酸
化バリウム系のものが挙げられ、そのほかにLi、K、
Na、Mg、Sr、Zn、Cd、Pb、Alなどのイオ
ンを含むものが挙げられ、例えばホウケイ酸鉛ガラスが
好ましい。なお、ガラスペーストはガラス粉末(作業点
温度700℃)、バインダー樹脂としてニトロセルロー
ス、溶剤としてブチルカルビトールアセテートを使用し
て調製した。The polishing thermistor element chip 12 is applied to a glass paste containing glass having a working point temperature of 400 to 1000 ° C. and a working point temperature lower than the baking temperature of the electrode material baking film described later, for example, 700 ° C. Is adhered by a dipping method, and then dried.
Heat treatment is performed for 0 minutes to form a glass coating 13 of about 10 μm. The working point temperature is a temperature at which the viscosity reaches 10,000 poise units. Specific materials corresponding to this temperature are described in the IWF frit varieties and characteristics list in the catalog of Iwaki Glass Co., Ltd. 300 to 800 at softening point temperature
C is preferred. In terms of composition, silicon oxide, boron oxide, and barium oxide-based ones can be mentioned.
Examples include those containing ions such as Na, Mg, Sr, Zn, Cd, Pb, and Al. For example, lead borosilicate glass is preferable. The glass paste was prepared using glass powder (working point temperature: 700 ° C.), nitrocellulose as a binder resin, and butyl carbitol acetate as a solvent.
【0012】ガラス層を形成した研磨サーミスタ素体チ
ップ12の両側端部にAg─Pdの粉末、バインダー等
からなる電極材料ペーストを浸漬により付着させてから
乾燥させ、850℃、10分焼付けを行なう。この焼付
け時にガラス層が流動化し、電極材料とガラスが混在し
た状熊になって両側端部に約20μmの厚さの焼付け電
極14、14が形成され、この電極は内部電極の端部に
接触し、両者は接続される。 なお、内部電極10a、
10b間の距離は所定の抵抗値になるように決められ
る。なお、電極材料ペーストはAg─Pd(7:3)粉
末、バインダー樹脂としてエチルセルロース、溶剤とし
てブチルカルビトールアセテートを使用して調製した。An electrode material paste composed of a powder of Ag @ Pd, a binder, or the like is adhered to both end portions of the polishing thermistor element chip 12 having the glass layer formed thereon by dipping, dried, and baked at 850 ° C. for 10 minutes. . At the time of this baking, the glass layer fluidizes and becomes a mixture of electrode material and glass, and baking electrodes 14 and 14 having a thickness of about 20 μm are formed at both ends, and the electrodes contact the ends of the internal electrodes. Then, both are connected. The internal electrodes 10a,
The distance between 10b is determined to have a predetermined resistance value. The electrode material paste was prepared using Ag @ Pd (7: 3) powder, ethyl cellulose as a binder resin, and butyl carbitol acetate as a solvent.
【0013】この後、通常の方法によりニッケルメッ
キ、はんだメッキを施して金属メッキ層15、15を形
成し、焼付け電極とメッキ膜を積層した端子電極を有す
るチップ型サーミスタチップ16を得る。Thereafter, nickel plating and solder plating are performed by a usual method to form metal plating layers 15 and 15, and a chip type thermistor chip 16 having terminal electrodes in which a baked electrode and a plating film are laminated is obtained.
【0014】このようにして得られたチップ型サーミス
タ100個の外観検査ではメッキ延び、サーミスタ素地
の侵食などの異常は見られなかった。In the appearance inspection of 100 chip type thermistors thus obtained, plating was elongated, and no abnormality such as erosion of the thermistor substrate was observed.
【0015】また、これらのチップ型サーミスタ100
個の25℃における抵抗値のばらつき3σ(100個の
抵抗値の標準偏差の3倍値)を求めた結果を表1に示
す。Further, these chip type thermistors 100
Table 1 shows the results of determining the variation 3σ (three times the standard deviation of 100 resistance values) of the resistance values at 25 ° C.
【0016】参考例 実施例1において、内部電極塗膜を形成しないサーミス
タ抵抗体グリーンシートを一定寸法に切断し、3.2m
m×1.6mm×1.0mmの角チップ形状のNTCサ
ーミスタ素地チップを得、これをサーミスタ素体の代わ
りに用いた以外は同様にチップ型サーミスタを作製し、
その100個について実施例1と同様に測定した結果を
表1に示す。REFERENCE EXAMPLE In Example 1, the thermistor resistor green sheet on which the internal electrode coating film was not formed was cut into a predetermined size, and was cut to 3.2 m.
A chip type thermistor was prepared in the same manner except that a square chip-shaped NTC thermistor base chip of mx 1.6 mm x 1.0 mm was obtained, and this was used instead of the thermistor body.
Table 1 shows the measurement results of the 100 samples in the same manner as in Example 1.
【0017】比較例 実施例1において、ガラス被膜を設けなかった以外は同
様にしてチップ型サーミスタを作製し、その100個に
ついて外観検査を行ったところ、全部についてメッキ液
による侵食が見られた。Comparative Example A chip-type thermistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that no glass coating was provided, and 100 of the thermistors were examined for appearance. As a result, erosion by the plating solution was observed for all of them.
【0018】[0018]
【発明の効果】本発明によれば、内部電極を内装すると
ともに角部を丸めたサーミスタ素体にガラス被膜を被覆
してからこのガラス被膜を流動化しつつ電極材料焼付け
膜を形成し、これにメッキ膜を施した端子電極を設けた
ので、内部電極と端子電極は接続されて内部電極間の距
離によって決まる抵抗値を所定の値にすることができ、
そのばらつきを少なくできる。また、チップ型サーミス
タの尖った角隅部や稜線部分の角部がなく、チップ型サ
ーミスタを表面実装する作業時等においてサーミスタ素
体の角部が欠けることも少ない。このようにサーミスタ
素体チップを両端の電極材料ガラス焼付け膜で覆い、そ
の他の部分をガラス層で覆うことができると、メッキを
行ってもサーミスタ素体部分がメッキ液に侵食されるこ
とがないのみならず、サーミスタ素体部分におけるメッ
キ延びもなくすことができる。また、メッキをした端子
電極ははんだ食われ現象が起きないようにできるので、
フローはんだ付け方法を使用したチップ型サーミスタを
提供することができ、その生産性を向上できるととも
に、はんだ付け性が良いこと及び上記のメッキを行う場
合の障害がないことと併せて高精度、高信頼性のチップ
型サーミスタを提供することができる。According to the present invention, a glass film is coated on a thermistor element having an internal electrode and rounded corners, and then the electrode film is baked while fluidizing the glass film. Since the terminal electrode provided with the plated film is provided, the internal electrode and the terminal electrode are connected, and the resistance value determined by the distance between the internal electrodes can be set to a predetermined value,
The variation can be reduced. Further, there is no sharp corner or ridge of the chip-type thermistor, and the corner of the thermistor body is less likely to be chipped at the time of surface mounting work of the chip-type thermistor. If the thermistor body chip is covered with the electrode material glass baking films at both ends and the other parts can be covered with the glass layer in this way, the plating does not erode the thermistor body part even when plating is performed. In addition, plating extension in the thermistor body can be prevented. Also, plated terminal electrodes can prevent solder erosion,
It is possible to provide a chip type thermistor using a flow soldering method, which can improve the productivity, as well as having good solderability and no obstruction in performing the above plating, as well as high accuracy and high precision. A reliable chip-type thermistor can be provided.
【図1】本発明の一実施例のチップ型サーミスタの製造
工程説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a manufacturing process of a chip type thermistor according to one embodiment of the present invention.
【図2】従来のチップ型サーミスタの製造工程説明図で
ある。FIG. 2 is an explanatory view of a manufacturing process of a conventional chip thermistor.
【図3】従来のチップ型サーミスタの他の製造工程説明
図である。FIG. 3 is an explanatory view of another manufacturing process of a conventional chip-type thermistor.
10a、10b 内部電極 11 サーミスタ素体チップ 12 研磨サーミスタ素体チップ 13 ガラス被膜 14 電極材料ガラス焼付け膜 15 金属メッキ層 16 チップ型サーミスタ 10a, 10b Internal electrode 11 Thermistor element chip 12 Polished thermistor element chip 13 Glass coating 14 Electrode material glass baking film 15 Metal plating layer 16 Chip type thermistor
【表1】 [Table 1]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−251210(JP,A) 特開 昭62−122103(JP,A) 特開 昭64−65825(JP,A) 実開 昭55−120102(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01C 7/02 - 7/22 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-5-251210 (JP, A) JP-A-62-122103 (JP, A) JP-A-64-65825 (JP, A) 120102 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01C 7/ 02-7/22
Claims (2)
装するとともに角隅部及び稜線部分に丸みを有するサー
ミスタ素体と、このサーミスタ素体の全体の外周面に被
覆された尖った角隅部や稜線部分がないガラス被膜と、
上記一対の内部電極のいずれかの一端部を上記サーミス
タ素体の異なる外側面に導出してこれら外側面に上記ガ
ラス被膜のそのガラスの作業点温度より高い温度で熱処
理した電極材料焼付け膜を形成することにより電極材料
と上記ガラス被膜のガラスとを混在させて形成したそれ
ぞれの内部電極と接続した端子電極を有するチップ型サ
ーミスタ。1. A thermistor element having at least a pair of spaced-apart internal electrodes and having rounded corners and ridges, and a sharp corner that is coated on the entire outer peripheral surface of the thermistor element. A glass coating without ridges ,
One end of one of the pair of internal electrodes is led to a different outer surface of the thermistor body, and the outer surface of the thermistor body is provided with the gas.
Heat treatment of the lath coating at a temperature higher than the glass working point temperature.
A chip-type thermistor having terminal electrodes connected to respective internal electrodes formed by mixing an electrode material and the glass of the glass film by forming a baked film of the electrode material.
電極塗膜を形成した内部電極塗膜付グリーンシートを積
層する工程と、このグリーンシート積層体を焼成する工
程を経てサーミスタ素体チップを得る工程と、このサー
ミスタ素体チップを研磨し角隅部及び稜線部分に丸みを
持たせる工程と、この研磨したサーミスタ素体チップの
全体に尖った角隅部や稜線部分がないガラス被膜を形成
する工程と、このガラス被膜を形成したサーミスタ素体
チップの両端部に電極材料を付着させる工程と、前記ガ
ラス被膜がそのガラスの作業点温度より高い温度で処理
されて流動化するその処理温度であってかつ前記電極材
料とガラスが混在状態になる処理温度で熱処理すること
により前記内部電極に導電接続された電極材料焼付け膜
を形成する工程と、この電極材料焼付け膜上に金属メッ
キ層を形成する工程を有するチップ型サーミスタの製造
方法。2. A step of laminating a green sheet with an internal electrode coating film in which an internal electrode coating film is formed on a thermistor resistor green sheet, and a step of obtaining a thermistor element chip through a step of firing the green sheet laminate. Grinding the thermistor body chip to have rounded corners and ridges; and forming a glass coating without sharp corners and ridges on the entire polished thermistor body chip. Depositing electrode material on both ends of the thermistor body chip with the glass coating formed thereon, and treating the glass coating at a temperature higher than the working point temperature of the glass.
Forming a conductive electrode connected to the material baked film on the inner electrode by is the a treatment temperature and the electrode material and the glass fluidized to a heat treatment at a processing temperature at which the mixed state, the electrode material A method for manufacturing a chip type thermistor, comprising a step of forming a metal plating layer on a baked film.
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JPH05283207A JPH05283207A (en) | 1993-10-29 |
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