JPH05258977A - 平面形トランス - Google Patents
平面形トランスInfo
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- JPH05258977A JPH05258977A JP4054057A JP5405792A JPH05258977A JP H05258977 A JPH05258977 A JP H05258977A JP 4054057 A JP4054057 A JP 4054057A JP 5405792 A JP5405792 A JP 5405792A JP H05258977 A JPH05258977 A JP H05258977A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 隣接した螺旋状のコイル導体間の浮遊容量を
低減して、高周波特性を改善すること。 【構成】 下部の第１の磁性体層３上に、一次コイル導
体１と二次コイル導体２とを絶縁体層５を介して螺旋状
に積層して、その上に絶縁体層５を介して第２の磁性体
層４を配置し、且つ一次コイル導体１の導体層の厚みｄ
を、二次コイル導体２の導体層Ｄの厚みに比較して薄く
形成した構成。
低減して、高周波特性を改善すること。 【構成】 下部の第１の磁性体層３上に、一次コイル導
体１と二次コイル導体２とを絶縁体層５を介して螺旋状
に積層して、その上に絶縁体層５を介して第２の磁性体
層４を配置し、且つ一次コイル導体１の導体層の厚みｄ
を、二次コイル導体２の導体層Ｄの厚みに比較して薄く
形成した構成。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波帯域で使用され
る平面形トランスに関するものである。
る平面形トランスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に使用されている平面形トランスの
従来例を図５に示しており、図に於ける（Ａ）及び
（Ｂ）は夫々平面図及び断面図である。図に於いて、下
部の第１の磁性体層３上に、一次コイル導体１と二次コ
イル導体２とを絶縁体層５を介して螺旋状に積層して、
その上に絶縁体層６を介して第２の磁性体層４を配置し
た構成を有している。
従来例を図５に示しており、図に於ける（Ａ）及び
（Ｂ）は夫々平面図及び断面図である。図に於いて、下
部の第１の磁性体層３上に、一次コイル導体１と二次コ
イル導体２とを絶縁体層５を介して螺旋状に積層して、
その上に絶縁体層６を介して第２の磁性体層４を配置し
た構成を有している。
【０００３】又一次コイル導体１の巻数は２ターンと
し、二次コイル導体２の巻数は１ターンとすると、巻数
比は２：１となる。この図に於いて、第１の磁性体層
３、一次コイル導体１、二次コイル導体２及び第２の磁
性体層４は、相互に近接して配置されているので、一次
コイル導体１と二次コイル導体２との結合係数は、略々
１と見做してもよく、一次コイル導体１及び二次コイル
導体２のインダクタンス値を、夫々Ｌ1 及びＬ2 、トラ
ンスの電圧変成比をｘとすると、巻数比ｎは、ｎ＝√
（Ｌ1 ／Ｌ2 ）＝ｘの関係式が成立する。なお、図中７
は基盤である。
し、二次コイル導体２の巻数は１ターンとすると、巻数
比は２：１となる。この図に於いて、第１の磁性体層
３、一次コイル導体１、二次コイル導体２及び第２の磁
性体層４は、相互に近接して配置されているので、一次
コイル導体１と二次コイル導体２との結合係数は、略々
１と見做してもよく、一次コイル導体１及び二次コイル
導体２のインダクタンス値を、夫々Ｌ1 及びＬ2 、トラ
ンスの電圧変成比をｘとすると、巻数比ｎは、ｎ＝√
（Ｌ1 ／Ｌ2 ）＝ｘの関係式が成立する。なお、図中７
は基盤である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の平
面形トランスでは、一次コイル導体１と二次コイル導体
２とを螺旋状に積層した構成を有しているために、隣接
した螺旋状のコイル導体間に浮遊容量が分布することに
なり、この浮遊容量に起因して高周波特性が悪化すると
いう問題点がある。
面形トランスでは、一次コイル導体１と二次コイル導体
２とを螺旋状に積層した構成を有しているために、隣接
した螺旋状のコイル導体間に浮遊容量が分布することに
なり、この浮遊容量に起因して高周波特性が悪化すると
いう問題点がある。
【０００５】このような問題点に鑑み、本発明に係る平
面形トランスは、隣接した螺旋状のコイル導体間の浮遊
容量を低減して、高周波特性を改善することを目的とす
る。
面形トランスは、隣接した螺旋状のコイル導体間の浮遊
容量を低減して、高周波特性を改善することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る平面形トランスは、第１の磁性体層上
に、巻数比ｎ：１（ｎは１以上の実数）を有する一次コ
イル導体と二次コイル導体とを絶縁体層を介して螺旋状
に積層するのであるが、請求項１の発明では、一次コイ
ル導体の導体層の厚みを、二次コイル導体の導体層の厚
みに比較して薄く形成し、請求項２の発明では、一次コ
イル導体と第１の磁性体層との間隔を、二次コイル導体
と第２の磁性体層との間隔に比較して小さくし、請求項
３の発明では、第１の磁性体層の透磁率を、第２の磁性
体層の透磁率に比較して大きな値とし、請求項４の発明
では、第１の磁性体層の体積を、第２の磁性体層の体積
に比較して大きくし、請求項５の発明では、第１の磁性
体層の厚みを、第２の磁性体層の厚みに比較して大きく
し、請求項６の発明では、第１の磁性体層の幅を、第２
の磁性体層の幅に比較して大きくするのである。
に、本発明に係る平面形トランスは、第１の磁性体層上
に、巻数比ｎ：１（ｎは１以上の実数）を有する一次コ
イル導体と二次コイル導体とを絶縁体層を介して螺旋状
に積層するのであるが、請求項１の発明では、一次コイ
ル導体の導体層の厚みを、二次コイル導体の導体層の厚
みに比較して薄く形成し、請求項２の発明では、一次コ
イル導体と第１の磁性体層との間隔を、二次コイル導体
と第２の磁性体層との間隔に比較して小さくし、請求項
３の発明では、第１の磁性体層の透磁率を、第２の磁性
体層の透磁率に比較して大きな値とし、請求項４の発明
では、第１の磁性体層の体積を、第２の磁性体層の体積
に比較して大きくし、請求項５の発明では、第１の磁性
体層の厚みを、第２の磁性体層の厚みに比較して大きく
し、請求項６の発明では、第１の磁性体層の幅を、第２
の磁性体層の幅に比較して大きくするのである。
【０００７】
【作用】本発明に係る平面形トランスの作用について述
べる。コイル導体層の厚み、コイル導体と磁性体層との
間隔、磁性体層の透磁率、磁性体層の体積、厚み及び幅
に重点を置くことにより、一次コイル導体と二次コイル
導体との巻数比がｎ：１（ｎは１以上の実数）の場合
に、一次コイル導体の螺旋状の隣接導体層の総長を短く
して、隣接導体層間に分布する浮遊容量を低減し、従っ
て高周波帯域で使用する場合の高周波特性を改善するの
である。
べる。コイル導体層の厚み、コイル導体と磁性体層との
間隔、磁性体層の透磁率、磁性体層の体積、厚み及び幅
に重点を置くことにより、一次コイル導体と二次コイル
導体との巻数比がｎ：１（ｎは１以上の実数）の場合
に、一次コイル導体の螺旋状の隣接導体層の総長を短く
して、隣接導体層間に分布する浮遊容量を低減し、従っ
て高周波帯域で使用する場合の高周波特性を改善するの
である。
【０００８】
【実施例】以下図面を参照しながら本発明に係る平面形
トランスの実施例を具体的に説明する。図１は本発明に
係る平面形トランスの請求項１の発明の実施例を示して
おり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。この平
面形トランスは、下部の第１の磁性体層３上に、巻数比
ｎ：１（ｎは１以上の実数）を有する一次コイル導体１
と二次コイル導体２とを絶縁体層５を介して螺旋状に積
層して、その上に絶縁体層６を介して第２の磁性体層４
を配置した構成を有している。そして一次コイル導体１
の導体層の厚みｄを、二次コイル導体２の導体層の厚み
Ｄに比較して薄く形成しており、そのために第１の磁性
体層３は磁化され易くなるが、第２の磁性体層４は磁化
され難くなる。
トランスの実施例を具体的に説明する。図１は本発明に
係る平面形トランスの請求項１の発明の実施例を示して
おり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。この平
面形トランスは、下部の第１の磁性体層３上に、巻数比
ｎ：１（ｎは１以上の実数）を有する一次コイル導体１
と二次コイル導体２とを絶縁体層５を介して螺旋状に積
層して、その上に絶縁体層６を介して第２の磁性体層４
を配置した構成を有している。そして一次コイル導体１
の導体層の厚みｄを、二次コイル導体２の導体層の厚み
Ｄに比較して薄く形成しており、そのために第１の磁性
体層３は磁化され易くなるが、第２の磁性体層４は磁化
され難くなる。
【０００９】一次側と二次側との巻数比は１．７５：１
であるが、電圧変成比を略々２とすることができる。従
って従来の平面形トランスの巻数比２：１の場合に比較
すると、一次コイル導体１の螺旋状の隣接導体層の総長
が短くなっており、隣接導体層に分布する浮遊容量を低
減することができる。電圧変成比ｘと巻線比ｎとの関係
式は、√（Ｌ1 ／Ｌ2 ）＝ｘ＞ｎとなる。従って一次コ
イル導体１の導体層の厚みｄを、二次コイル導体２の導
体層Ｄの厚みが等しい場合と同一の電圧変成比ｘを得る
ために必要な巻線比ｎを小さくすることができ、一次コ
イル導体１の螺旋状の隣接導体層の総長を短くして、隣
接導体層間に分布する浮遊容量を低減することができ
る。
であるが、電圧変成比を略々２とすることができる。従
って従来の平面形トランスの巻数比２：１の場合に比較
すると、一次コイル導体１の螺旋状の隣接導体層の総長
が短くなっており、隣接導体層に分布する浮遊容量を低
減することができる。電圧変成比ｘと巻線比ｎとの関係
式は、√（Ｌ1 ／Ｌ2 ）＝ｘ＞ｎとなる。従って一次コ
イル導体１の導体層の厚みｄを、二次コイル導体２の導
体層Ｄの厚みが等しい場合と同一の電圧変成比ｘを得る
ために必要な巻線比ｎを小さくすることができ、一次コ
イル導体１の螺旋状の隣接導体層の総長を短くして、隣
接導体層間に分布する浮遊容量を低減することができ
る。
【００１０】図２は本発明に係る平面形トランスの請求
項２の発明の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は断面図である。この平面形トランスは、図１に
示した第１実施例と同様に、下部の第１の磁性体層３上
に、一次コイル導体１と二次コイル導体２とを絶縁体層
５を介して螺旋状に積層して、その上に絶縁体層６を介
して第２の磁性体層４を配置した構成を有している。そ
して一次コイル導体１と第１の磁性体層３との間隔ｇ
を、二次コイル導体２と第２の磁性体層４との間隔Ｇに
比較して小さくしており、そのために第１の磁性体層３
は磁化され易くなるが、第２の磁性体層４は磁化され難
くなる。
項２の発明の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は断面図である。この平面形トランスは、図１に
示した第１実施例と同様に、下部の第１の磁性体層３上
に、一次コイル導体１と二次コイル導体２とを絶縁体層
５を介して螺旋状に積層して、その上に絶縁体層６を介
して第２の磁性体層４を配置した構成を有している。そ
して一次コイル導体１と第１の磁性体層３との間隔ｇ
を、二次コイル導体２と第２の磁性体層４との間隔Ｇに
比較して小さくしており、そのために第１の磁性体層３
は磁化され易くなるが、第２の磁性体層４は磁化され難
くなる。
【００１１】一次側と二次側との巻数比は１．７５：１
であるが、電圧変成比を略々２とすることができる。従
って従来の平面形トランスの巻数比２：１の場合に比較
すると、一次コイル導体１同志で螺旋状の隣接導体層の
総長が短くなっており、隣接導体層に分布する浮遊容量
を低減できる。電圧変成比ｘと巻線比ｎとの関係式は、
√（Ｌ1 ／Ｌ2 ）＝ｘ＞ｎとなる。従って一次コイル導
体１と第１の磁性体層３との間隔ｇが、二次コイル導体
２と第２の磁性体層４との間隔Ｇと等しい場合と同一の
電圧変成比ｘを得るために必要な巻線比ｎを小さくする
ことができ、一次コイル導体１の螺旋状の隣接導体層の
総長を短くして、隣接導体層間に分布する浮遊容量を低
減することができる。
であるが、電圧変成比を略々２とすることができる。従
って従来の平面形トランスの巻数比２：１の場合に比較
すると、一次コイル導体１同志で螺旋状の隣接導体層の
総長が短くなっており、隣接導体層に分布する浮遊容量
を低減できる。電圧変成比ｘと巻線比ｎとの関係式は、
√（Ｌ1 ／Ｌ2 ）＝ｘ＞ｎとなる。従って一次コイル導
体１と第１の磁性体層３との間隔ｇが、二次コイル導体
２と第２の磁性体層４との間隔Ｇと等しい場合と同一の
電圧変成比ｘを得るために必要な巻線比ｎを小さくする
ことができ、一次コイル導体１の螺旋状の隣接導体層の
総長を短くして、隣接導体層間に分布する浮遊容量を低
減することができる。
【００１２】図３は本発明に係る平面形トランスの請求
項３の発明の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は断面図である。この平面形トランスは、図１に
示した第１実施例と同様に、下部の第１の磁性体層３上
に、一次コイル導体１と二次コイル導体２とを絶縁体層
５を介して螺旋状に積層して、その上に絶縁体層６を介
して第２の磁性体層４を配置した構成を有している。そ
して第１の磁性体層３の透磁率を、第２の磁性体層４の
透磁率に比較して大きな値としており、そのために第１
の磁性体層３は磁化され易くなるが、第２の磁性体層４
は磁化され難くなる。
項３の発明の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は断面図である。この平面形トランスは、図１に
示した第１実施例と同様に、下部の第１の磁性体層３上
に、一次コイル導体１と二次コイル導体２とを絶縁体層
５を介して螺旋状に積層して、その上に絶縁体層６を介
して第２の磁性体層４を配置した構成を有している。そ
して第１の磁性体層３の透磁率を、第２の磁性体層４の
透磁率に比較して大きな値としており、そのために第１
の磁性体層３は磁化され易くなるが、第２の磁性体層４
は磁化され難くなる。
【００１３】一次側と二次側との巻数比は１．７５：１
であるが、電圧変成比を略々２とすることができる。従
って従来の平面形トランスの巻数比２：１の場合に比較
すると、一次コイル導体１同志で螺旋状の隣接導体層の
総長が短くなっており、隣接導体層に分布する浮遊容量
を低減できる。電圧変成比ｘと巻線比ｎとの関係式は、
√（Ｌ1 ／Ｌ2 ）＝ｘ＞ｎとなる。従って第１の磁性体
層３の透磁率が、第２の磁性体層４の透磁率と等しい場
合と同一の電圧変成比ｘを得るために必要な巻線比ｎを
小さくすることができ、一次コイル導体１の螺旋状の隣
接導体層の総長を短くして、隣接導体層間に分布する浮
遊容量を低減することができる。
であるが、電圧変成比を略々２とすることができる。従
って従来の平面形トランスの巻数比２：１の場合に比較
すると、一次コイル導体１同志で螺旋状の隣接導体層の
総長が短くなっており、隣接導体層に分布する浮遊容量
を低減できる。電圧変成比ｘと巻線比ｎとの関係式は、
√（Ｌ1 ／Ｌ2 ）＝ｘ＞ｎとなる。従って第１の磁性体
層３の透磁率が、第２の磁性体層４の透磁率と等しい場
合と同一の電圧変成比ｘを得るために必要な巻線比ｎを
小さくすることができ、一次コイル導体１の螺旋状の隣
接導体層の総長を短くして、隣接導体層間に分布する浮
遊容量を低減することができる。
【００１４】図４は本発明に係る平面形トランスの請求
項４、請求項５及び請求項６の発明の実施例を示してお
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。この平面
形トランスは、図１に示した第１実施例と同様に、下部
の第１の磁性体層３上に、巻数比ｎ：１（ｎは１以上の
実数）を有する一次コイル導体１と二次コイル導体２と
を絶縁体層５を介して螺旋状に積層して、その上に絶縁
体層６を介して第２の磁性体層４を配置した構成を有し
ている。そして第１の磁性体層３の体積Ｖ、厚みＫ及び
幅Ｈを、第２の磁性体層４の体積ｖ厚みｋ及び幅ｈに比
較して大きくしており、そのために一次コイル導体１の
インダクタンス値Ｌ1 と、二次コイル導体２のインダク
タンス値Ｌ2 との比は増大し、一次側と二次側との巻数
比は１．７５：１であるが、電圧変成比は略々２とする
ことができる。従って従来の平面形トランスの巻数比
２：１の場合に比較すると、一次コイル導体１同志で螺
旋状の隣接導体層の総長が短くなっており、隣接導体層
に分布する浮遊容量を低減できる。
項４、請求項５及び請求項６の発明の実施例を示してお
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。この平面
形トランスは、図１に示した第１実施例と同様に、下部
の第１の磁性体層３上に、巻数比ｎ：１（ｎは１以上の
実数）を有する一次コイル導体１と二次コイル導体２と
を絶縁体層５を介して螺旋状に積層して、その上に絶縁
体層６を介して第２の磁性体層４を配置した構成を有し
ている。そして第１の磁性体層３の体積Ｖ、厚みＫ及び
幅Ｈを、第２の磁性体層４の体積ｖ厚みｋ及び幅ｈに比
較して大きくしており、そのために一次コイル導体１の
インダクタンス値Ｌ1 と、二次コイル導体２のインダク
タンス値Ｌ2 との比は増大し、一次側と二次側との巻数
比は１．７５：１であるが、電圧変成比は略々２とする
ことができる。従って従来の平面形トランスの巻数比
２：１の場合に比較すると、一次コイル導体１同志で螺
旋状の隣接導体層の総長が短くなっており、隣接導体層
に分布する浮遊容量を低減できる。
【００１５】電圧変成比ｘと巻線比ｎとの関係式は、√
（Ｌ1 ／Ｌ2 ）＝ｘ＞ｎとなる。従って第１の磁性体層
３の体積Ｖ、厚みＫ及び幅Ｈと、第２の磁性体層４の体
積ｖ、厚みｋ及び幅ｈが等しい場合と同一の電圧変成比
ｘを得るために必要な巻線比ｎを小さくすることがで
き、一次コイル導体１の螺旋状の隣接導体層の総長を短
くして、隣接導体層間に分布する浮遊容量を低減するこ
とができる。
（Ｌ1 ／Ｌ2 ）＝ｘ＞ｎとなる。従って第１の磁性体層
３の体積Ｖ、厚みＫ及び幅Ｈと、第２の磁性体層４の体
積ｖ、厚みｋ及び幅ｈが等しい場合と同一の電圧変成比
ｘを得るために必要な巻線比ｎを小さくすることがで
き、一次コイル導体１の螺旋状の隣接導体層の総長を短
くして、隣接導体層間に分布する浮遊容量を低減するこ
とができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明に係る平面形トランスは、前記の
ように構成したから、コイル導体層の厚み、コイル導体
層と磁性体層の間隔、磁性体層の透磁率、磁性体層の体
積、厚み及び幅が等しい場合と同一の電圧変成比を得る
ために必要な巻線比を小さくすることができ、一次コイ
ル導体の螺旋状の隣接導体層の総長を短くして、隣接導
体層間に分布する浮遊容量を低減することができて良好
な高周波特性を得ることができる特長がある。
ように構成したから、コイル導体層の厚み、コイル導体
層と磁性体層の間隔、磁性体層の透磁率、磁性体層の体
積、厚み及び幅が等しい場合と同一の電圧変成比を得る
ために必要な巻線比を小さくすることができ、一次コイ
ル導体の螺旋状の隣接導体層の総長を短くして、隣接導
体層間に分布する浮遊容量を低減することができて良好
な高周波特性を得ることができる特長がある。
【図１】本発明に係る平面形トランスの請求項１の発明
の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図。
の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図。
【図２】本発明に係る平面形トランスの請求項２の発明
の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図。
の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図。
【図３】本発明に係る平面形トランスの請求項３の発明
の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図。
の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図。
【図４】本発明に係る平面形トランスの請求項４の発明
の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図。
の実施例を示しており、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図。
【図５】従来のこの種の平面形トランスの一例を示して
おり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図。
おり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図。
１ 一次導体コイル ２ 二次導体コイル ３ 第１の磁性体層 ４ 第２の磁性体層 ５ 絶縁体層 ６ 絶縁体層 ｄ 一次導体コイル層の厚み Ｄ 二次導体コイル層の厚み
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年４月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【作用】本発明に係る平面形トランスの作用について述
べる。コイル導体層の厚み、コイル導体と磁性体層との
間隔、磁性体層の透磁率、磁性体層の体積、厚み及び幅
に重点を置くことにより、電圧変成比ｘを得るのに必要
な巻線比ｎを、ｘ＞ｎとなるようにし、一次コイル導体
の螺旋状の隣接導体層の総長を短くして、隣接導体層間
に分布する浮遊容量を低減し、従って高周波帯域で使用
する場合の高周波特性を改善するのである。
べる。コイル導体層の厚み、コイル導体と磁性体層との
間隔、磁性体層の透磁率、磁性体層の体積、厚み及び幅
に重点を置くことにより、電圧変成比ｘを得るのに必要
な巻線比ｎを、ｘ＞ｎとなるようにし、一次コイル導体
の螺旋状の隣接導体層の総長を短くして、隣接導体層間
に分布する浮遊容量を低減し、従って高周波帯域で使用
する場合の高周波特性を改善するのである。
Claims (6)
- 【請求項１】 第１の磁性体層上に、巻数比ｎ：１（ｎ
は１以上の実数）を有する一次コイル導体と二次コイル
導体とを絶縁体層を介して螺旋状に積層し、その上に絶
縁体層を介して第２の磁性体層を配置し、且つ一次コイ
ル導体の導体層の厚みを、二次コイル導体の導体層の厚
みに比較して薄く形成することを特徴とする平面形トラ
ンス。 - 【請求項２】 第１の磁性体層上に、巻数比ｎ：１（ｎ
は１以上の実数）を有する一次コイル導体と二次コイル
導体とを絶縁体層を介して螺旋状に積層し、一次コイル
導体と第１の磁性体層との間隔を、二次コイル導体と第
２の磁性体層との間隔に比較して小さくすることを特徴
とする平面形トランス。 - 【請求項３】 第１の磁性体層上に、巻数比ｎ：１（ｎ
は１以上の実数）を有する一次コイル導体と二次コイル
導体とを絶縁体層を介して螺旋状に積層し、第１の磁性
体層の透磁率を、第２の磁性体層の透磁率に比較して大
きな値とすることを特徴とする平面形トランス。 - 【請求項４】 第１の磁性体層上に、巻数比ｎ：１（ｎ
は１以上の実数）を有する一次コイル導体と二次コイル
導体とを絶縁体層を介して螺旋状に積層し、第１の磁性
体層の体積を、第２の磁性体層の体積に比較して大きく
することを特徴とする平面形トランス。 - 【請求項５】 第１の磁性体層上に、巻数比ｎ：１（ｎ
は１以上の実数）を有する一次コイル導体と二次コイル
導体とを絶縁体層を介して螺旋状に積層し、第１の磁性
体層の厚みを、第２の磁性体層の厚みに比較して大きく
することを特徴とする平面形トランス。 - 【請求項６】 第１の磁性体層上に、巻数比ｎ：１（ｎ
は１以上の実数）を有する一次コイル導体と二次コイル
導体とを絶縁体層を介して螺旋状に積層し、第１の磁性
体層の幅を、第２の磁性体層の幅に比較して大きくする
ことを特徴とする平面形トランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4054057A JPH05258977A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 平面形トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4054057A JPH05258977A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 平面形トランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258977A true JPH05258977A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12959988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4054057A Withdrawn JPH05258977A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 平面形トランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258977A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005528819A (ja) * | 2002-02-22 | 2005-09-22 | アリゾナ ボード オブ リージェンツ | 無線およびワイヤレスのアプリケーションのためのオンチップ変圧器を使ったフィルタの集積化 |
| WO2008090995A1 (ja) * | 2007-01-24 | 2008-07-31 | Nec Corporation | インダクタ |
| US7504907B2 (en) | 2005-05-20 | 2009-03-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer directional coupler |
| DE102017204018A1 (de) | 2016-06-06 | 2017-12-07 | Omron Automotive Electronics Co., Ltd. | Transformator |
| CN113066645A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-07-02 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 非对称式螺旋状电感 |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP4054057A patent/JPH05258977A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005528819A (ja) * | 2002-02-22 | 2005-09-22 | アリゾナ ボード オブ リージェンツ | 無線およびワイヤレスのアプリケーションのためのオンチップ変圧器を使ったフィルタの集積化 |
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| JPWO2008090995A1 (ja) * | 2007-01-24 | 2010-05-20 | 日本電気株式会社 | インダクタ |
| US8143986B2 (en) | 2007-01-24 | 2012-03-27 | Renesas Electronics Corporation | Inductor |
| US8487734B2 (en) | 2007-01-24 | 2013-07-16 | Renesas Electronics Corporation | Inductor |
| DE102017204018A1 (de) | 2016-06-06 | 2017-12-07 | Omron Automotive Electronics Co., Ltd. | Transformator |
| US20170352470A1 (en) * | 2016-06-06 | 2017-12-07 | Omron Automotive Electronics Co., Ltd. | Transformer |
| CN113066645A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-07-02 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 非对称式螺旋状电感 |
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