Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JPH0513518A - Wafer prober - Google Patents

Wafer prober

Info

Publication number
JPH0513518A
JPH0513518A JP16124091A JP16124091A JPH0513518A JP H0513518 A JPH0513518 A JP H0513518A JP 16124091 A JP16124091 A JP 16124091A JP 16124091 A JP16124091 A JP 16124091A JP H0513518 A JPH0513518 A JP H0513518A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
image
probe needle
section
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP16124091A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2897465B2 (en
Inventor
Hitoshi Kai
仁志 甲斐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP16124091A priority Critical patent/JP2897465B2/en
Publication of JPH0513518A publication Critical patent/JPH0513518A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2897465B2 publication Critical patent/JP2897465B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To efficiently adjust the position of a semiconductor chip with high accuracy by processing the output video signal of an image pickup device and calculating the positional coordinates of the images of a probe needle and the semiconductor chip in the output video signals, and then, converting the difference between both positional coordinates into the moving amount of a stage in an orthogonal coordinate system. CONSTITUTION:A stage 2 is moved to a position below a probe card 1 after a wafer 8 has been placed on and fixed to the stage 2. Then a reflecting mirror section 5 is moved to a position between a probe needle 11 and the electrode pad 81 of the wafer 8 and their images are taken with a camera 4. The coordinates of the tip of the needle 11 in the video is calculated by means of the picture processing section 71 of an electronic circuit section 7 which processes the output video signal of the camera 4. Then the lower-side video is folded upward at the center line and, when the center coordinates of the pad 81 do not coincide with those of the tip of the needle 11, distance information of the position error is sent to a control section 74. The section 74 moves the stage until the positional error becomes zero by outputting a command to a stage driving section 72.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はウェーハプローバに関
し、特にプローブ針の自動的位置決め手段を備えるウェ
ーハプローバに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer prober, and more particularly to a wafer prober having automatic probe needle positioning means.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のウェーハプローバは、図4に示す
ように、プローブカード1に固定されたプローブ針11
の先端と、ステージ2に載置された被試験ウェーハであ
るウェーハ8上の電極パッド81との位置を合わせるた
めに、作業者がライト6により照明された顕微鏡9の図
5に示すような画像を観察しながら次のように位置調整
を行なっていた。
2. Description of the Related Art A conventional wafer prober has a probe needle 11 fixed to a probe card 1 as shown in FIG.
The image of the microscope 9 illuminated by the operator with the light 6 as shown in FIG. 5 by the operator in order to align the position of the tip of the with the electrode pad 81 on the wafer 8 which is the wafer under test placed on the stage 2. While observing, the position was adjusted as follows.

【0003】まず、ステージ2を上昇させてプローブ針
11と電極パッド81を接触させる。このとき、全ての
プローブ針11の先端がそれぞれ電極パッド81の中央
と一致しているかどうかを確認し、そうでないときに
は、ステージ2を下降してこれを前後左右に移動し、所
定の一致状態が得られるまで繰返し位置調整を行なって
いた。このときの位置調整時のステージ2の移動量を補
正値として記録しておき、次の被試験ウェーハの試験時
には、この補正値を利用することにより一々作業者が位
置調整を実施しなくても済むようにはなっている。
First, the stage 2 is raised to bring the probe needle 11 into contact with the electrode pad 81. At this time, it is confirmed whether or not the tips of all the probe needles 11 are aligned with the center of the electrode pad 81. The position was adjusted repeatedly until it was obtained. The amount of movement of the stage 2 at the time of position adjustment at this time is recorded as a correction value, and at the time of the next test of the wafer under test, the correction value is used so that the operator does not have to perform position adjustment one by one. It's ready to go.

【0004】また、従来のウェーハプローバの別の例で
は、上記のように電極パッド81にプローブ針11を一
度接触させ、ステージごと別の位置に設置されたテレビ
ジョンカメラ(図示を省略)の下の視野内に移動する。
このとき、顕微鏡9の視野の中心とテレビジョンカメラ
の視野の中心とを一致するように、すなわち、両光学系
の光軸の位置関係を保持するようにステージの移動位置
を調整する。テレビジョンカメラで撮像した映像を表示
するモニタの画面上で、電極パッド81にプローブ針1
1が接触したことによる傷、すなわち、プローブ針接触
痕と、予め入力しておいたプローブ針11の先端の設定
位置の座標を示すマーカとを合致させるように、前述の
直接観察の場合と同様の要領で位置調整を行なう。この
ようにして、顕微鏡9の視野内のプローブ針接触痕の位
置と、テレビジョンカメラの視野内のプローブ針接触痕
の位置とを整合させることができるというものであっ
た。
Further, in another example of the conventional wafer prober, the probe needle 11 is once brought into contact with the electrode pad 81 as described above, and the stage is placed under a television camera (not shown) installed at a different position. Move into the field of view.
At this time, the moving position of the stage is adjusted so that the center of the visual field of the microscope 9 and the center of the visual field of the television camera coincide with each other, that is, the positional relationship between the optical axes of both optical systems is maintained. On the screen of the monitor displaying the image picked up by the television camera, the probe needle 1 is attached to the electrode pad 81.
The same as in the case of the direct observation described above so that the scratches caused by the contact of 1, i.e., the probe needle contact mark, and the marker indicating the coordinates of the setting position of the tip of the probe needle 11 input in advance are matched Adjust the position as described in. In this way, the position of the probe needle contact mark in the field of view of the microscope 9 and the position of the probe needle contact mark in the field of view of the television camera can be matched.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のウェー
ハプローバは、プローブ針と電極パッドとの位置調整を
プローブ針接触痕の顕微鏡による直接観察あるいはテレ
ビジョンモニタによる表示映像観察により作業者が手動
で行なっていたため、作業者の技量による位置調整精度
の変動が大きいという欠点があった。また、プローブ針
と電極パッドとの接触によるストレスにより、プローブ
針の磨耗や曲変形あるいは電極パッドの破損等が発生す
るという欠点があった。
In the conventional wafer prober described above, the operator manually adjusts the position of the probe needle and the electrode pad by directly observing the probe needle contact mark with a microscope or the display image on the television monitor. However, there is a drawback in that the positional adjustment accuracy varies greatly depending on the skill of the operator. In addition, there is a drawback that the probe needle is worn or bent and the electrode pad is damaged due to the stress caused by the contact between the probe needle and the electrode pad.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明のウェーハプロー
バは、半導体ウエーハ上に形成された半導体チップの電
極パッドに接触するプローブ針を有するプローブカード
を備え前記プローブ針を介して前記半導体チップの電気
的特性を試験するウェーハプローバにおいて、前記半導
体ウエーハを載置固定する第一のステージと、前記第一
のステージと同一直交座標系上を移動しかつ上下移動が
可能な第二のステージと、前記第二のステージに設置さ
れた撮像装置と、前記第二のステージに設置され前記プ
ローブカードの前記プローブ針の像である第一の像を前
記撮像装置の光軸方向に反射する第一の鏡面と前記第一
のステージ上の前記半導体チップの像である第二の像を
前記撮像装置の光軸方向に反射する第二の鏡面とを有す
る反射鏡装置と、前記撮像装置の出力映像信号を処理し
前記第一および第二の像の出力映像上のそれぞれの位置
座標である第一および第二の位置座標を算出し前記第一
および第二の位置座標の差を前記第一のステージの前記
直交座標系上の移動量に変換する画像処理装置とを備え
て構成されている。
A wafer prober of the present invention is provided with a probe card having a probe needle that comes into contact with an electrode pad of a semiconductor chip formed on a semiconductor wafer, and the electrical conductivity of the semiconductor chip is obtained through the probe needle. In a wafer prober for testing static characteristics, a first stage on which the semiconductor wafer is mounted and fixed, a second stage that can move on the same orthogonal coordinate system as the first stage and can move up and down, An imaging device installed on a second stage, and a first mirror surface that is installed on the second stage and reflects a first image, which is an image of the probe needle of the probe card, in the optical axis direction of the imaging device. And a reflecting mirror device having a second mirror surface that reflects a second image, which is an image of the semiconductor chip on the first stage, in the optical axis direction of the imaging device, Processing the output video signal of the imaging device to calculate the first and second position coordinates, which are the respective position coordinates on the output video of the first and second images, and calculate the first and second position coordinates. And an image processing device for converting the difference into a movement amount of the first stage on the orthogonal coordinate system.

【0007】[0007]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

【0008】図1は本発明のウェーハプローバの一実施
例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the wafer prober of the present invention.

【0009】本実施例のウェーハプローバは、図1に示
すように、プローブ針11を有するプローブカード1
と、被試験ウェーハを載置固定するステージ2と、ステ
ージ2と同一直交座標系上を移動しかつ上下移動が可能
なステージ3と、ステージ3上に設置したカメラ4と、
反射鏡部5と、ステージ3に設置されカメラ4の光軸方
向を照明するライト6と、電子回路部7と、電極パッド
81を有する被試験ウェーハであるウェーハ8とを備え
て構成されている。
As shown in FIG. 1, the wafer prober of this embodiment has a probe card 1 having probe needles 11.
A stage 2 for mounting and fixing a wafer under test, a stage 3 that can move on the same orthogonal coordinate system as the stage 2 and can move up and down, and a camera 4 installed on the stage 3.
The reflecting mirror unit 5, the light 6 installed on the stage 3 for illuminating the optical axis direction of the camera 4, the electronic circuit unit 7, and the wafer 8 as the wafer under test having the electrode pad 81 are configured. ..

【0010】反射鏡部5は、ステージ3上に設置され、
プローブ針11の像をカメラ4の光軸方向に反射する鏡
面51と、ステージ2上のウェーハの半導体チップの像
をカメラ4の光軸方向に反射する鏡面52とを有してい
る。
The reflecting mirror section 5 is installed on the stage 3,
It has a mirror surface 51 that reflects the image of the probe needle 11 in the optical axis direction of the camera 4, and a mirror surface 52 that reflects the image of the semiconductor chip of the wafer on the stage 2 in the optical axis direction of the camera 4.

【0011】図2は、電子回路部7の構成の一例を示す
ブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of the configuration of the electronic circuit section 7.

【0012】電子回路部7は、図2に示すように、画像
処理部71と、ステージ2,3をそれぞれ駆動するステ
ージ駆動部72,73と、制御部74とを備えて構成さ
れている。
As shown in FIG. 2, the electronic circuit section 7 comprises an image processing section 71, stage driving sections 72 and 73 for driving the stages 2 and 3, respectively, and a control section 74.

【0013】次に、本実施例の動作について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

【0014】まず、ステージ2はウェーハ8を載置固定
後、電子回路部7の制御部74の指令にもとずくステー
ジ駆動部72の駆動によりプローブカード1の下に移動
させられる。次に、ステージ3は制御部74の指令にも
とずくステージ駆動部73の駆動により、図1に示すよ
うに、反射鏡部5がプローブ針11とウェーハ8の電極
パッド81との丁度中間に位置するように移動する。こ
のとき、カメラ4の光軸abに対し、プローブ針11の
先端と、電極パッド81とが対称の位置関係をなすよう
に、すなわち、光軸abからの距離が等しくなるように
上下位置を調整する。このときのステージ3の図1に示
す基準面Rに対する停止位置H3は、予め次式の関係を
満たすように設定する。
First, after mounting and fixing the wafer 8 on the stage 2, the stage 2 is moved below the probe card 1 by the drive of the stage driving unit 72 according to a command from the control unit 74 of the electronic circuit unit 7. Next, the stage 3 is driven by the stage drive unit 73 in response to a command from the control unit 74, so that the reflecting mirror unit 5 is located at an intermediate position between the probe needle 11 and the electrode pad 81 of the wafer 8 as shown in FIG. Move to position. At this time, the vertical position is adjusted so that the tip of the probe needle 11 and the electrode pad 81 have a symmetrical positional relationship with the optical axis ab of the camera 4, that is, the distance from the optical axis ab is equal. To do. At this time, the stop position H3 of the stage 3 with respect to the reference plane R shown in FIG. 1 is set in advance so as to satisfy the relationship of the following equation.

【0015】H3={(H1−t1−t2)+(H2+
t3+t4)}/2 ここで、H1,H2はそれぞれ基準面Rからのプローブ
カード1の上面およびステージ2の上面までの距離、t
1はプローブカード1の厚さ、t2はプローブカード1
の下面からプローブ針11の先端までの距離、t3はウ
ェーハ8の厚さ、t4は電極パッドの厚さを示す。
H3 = {(H1-t1-t2) + (H2 +
t3 + t4)} / 2 where H1 and H2 are the distances from the reference plane R to the upper surface of the probe card 1 and the upper surface of the stage 2, respectively, and t
1 is the thickness of the probe card 1, t2 is the probe card 1
From the lower surface to the tip of the probe needle 11, t3 is the thickness of the wafer 8, and t4 is the thickness of the electrode pad.

【0016】以上の位置において、ライト6により照明
されカメラ4にて撮像された反射鏡部5の映像の一例を
図3に示す。中心線cdの上側の映像は反射鏡部5の鏡
面51によるプローブ針11の像であり、中心線cdの
下側の映像は鏡面52による電極パッド81の像であ
る。両方の鏡面51,52の被写体は、前述のように、
カメラ4の光軸abより当距離にあるので、当然、倍率
は等しく下側の映像を中心線cdで上に折返すと、従来
例の図5に示した顕微鏡9の視野の像と同様になる。
FIG. 3 shows an example of an image of the reflector section 5 illuminated by the light 6 and imaged by the camera 4 at the above positions. The image above the center line cd is the image of the probe needle 11 by the mirror surface 51 of the reflecting mirror portion 5, and the image below the center line cd is the image of the electrode pad 81 by the mirror surface 52. The subjects on both mirror surfaces 51 and 52 are, as described above,
Since it is at the same distance from the optical axis ab of the camera 4, naturally, when the lower image is folded back upward along the center line cd with the same magnification, the image of the field of view of the microscope 9 shown in FIG. Become.

【0017】本実施例では、映像中のプローブ針11の
先端の座標l,m,nをカメラ4からの出力映像信号を
処理する電子回路部7の画像処理部71により算出す
る。次に、下側の映像を中心線cdで上に折返し、電極
パッド81の中心と算出したプローブ針11の先端の座
標l,m,nとが一致するかどうかを点検する。もし、
一致していなければ、位置誤差の距離情報を制御部74
に送り、ステージ駆動部72に指令を出力してステージ
2を位置誤差が0となるように移動する。以上の処理に
よりプローブ針11の先端と、電極パッド81の中心と
の位置調整が非接触で自動的に行なうことができる。次
に、このときの移動量を補正値として制御部74に記憶
する。次の被試験ウェーハの試験時には、この補正値を
利用して位置調整を行なう。
In the present embodiment, the coordinates l, m, n of the tip of the probe needle 11 in the image are calculated by the image processing section 71 of the electronic circuit section 7 which processes the output image signal from the camera 4. Next, the lower image is folded back up along the center line cd, and it is checked whether the center of the electrode pad 81 and the calculated coordinates l, m, n of the tip of the probe needle 11 match. if,
If they do not match, the distance information of the position error is calculated by the control unit 74.
And outputs a command to the stage drive unit 72 to move the stage 2 so that the position error becomes zero. By the above processing, the position adjustment of the tip of the probe needle 11 and the center of the electrode pad 81 can be automatically performed without contact. Next, the movement amount at this time is stored in the control unit 74 as a correction value. During the next test of the wafer under test, this correction value is used to adjust the position.

【0018】以上の方法で位置調整を行なうには、カメ
ラ4や反射鏡部5等を設置しているステージ3とプロー
ブカード1との相対位置を試験開始前に予め確定してお
く必要がある。その方法の一例として、以下のように行
なう。プローブカード1を設置するヘッドプレートの下
面に、ステージ3の直交する駆動座標軸、たたえば、
X,Y軸に対応するマーカを付し、それらのマーカと画
像処理部71にて予め設定した基準線とを映像上でそれ
ぞれの軸で一致させることにより両者の相対位置を確定
することができる。
In order to adjust the position by the above method, it is necessary to determine the relative position between the probe card 1 and the stage 3 on which the camera 4 and the reflector 5 are installed before starting the test. .. As an example of the method, it is performed as follows. On the lower surface of the head plate on which the probe card 1 is installed, the drive coordinate axes orthogonal to the stage 3, for example,
Markers corresponding to the X and Y axes are attached, and these markers and a reference line preset by the image processing unit 71 are made to coincide on the respective axes on the image, so that the relative position of the two can be determined. ..

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のウェーハ
プローバは、半導体ウエーハを載置固定するステージと
同一直交座標系上を移動しかつ上下移動が可能なステー
ジに設置された撮像装置と、プローブ針の像と半導体チ
ップの像とをそれぞれ撮像装置の光軸方向に反射する2
つの鏡面を有する反射鏡装置と、撮像装置の出力映像信
号を処理しプローブ針および半導体チップの像の出力映
像上のそれぞれの位置座標を算出し両者の差をステージ
の直交座標系上の移動量に変換する画像処理装置とを備
えることにより、プローブ針と電極パッドとの位置調整
を画像信号処理により行なうため、作業者の技量に無関
係に高精度な位置調整を効率的に行なうことができると
いう効果がある。また、非接触の位置調整方法であるた
め、プローブ針の磨耗や曲変形あるいは電極パッドの破
損等を防止できるという効果がある。
As described above, the wafer prober of the present invention comprises an image pickup device installed on a stage that can move up and down on the same orthogonal coordinate system as the stage on which the semiconductor wafer is mounted and fixed, The image of the probe needle and the image of the semiconductor chip are respectively reflected in the optical axis direction of the image pickup device.
A mirror device with two mirror surfaces and the image signal output from the imaging device are processed to calculate the position coordinates of the probe needle and the image of the semiconductor chip on the output image, and the difference between the two is calculated as the amount of movement of the stage on the orthogonal coordinate system. By providing the image processing device for converting into, the position adjustment of the probe needle and the electrode pad is performed by the image signal processing, so that highly accurate position adjustment can be efficiently performed regardless of the skill of the operator. effective. Further, since it is a non-contact position adjusting method, there is an effect that it is possible to prevent wear and bending of the probe needle and damage to the electrode pad.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のウェーハプローバの一実施例の一部を
ブロックで示す構成概念図である。
FIG. 1 is a conceptual block diagram showing a part of an embodiment of a wafer prober of the present invention in blocks.

【図2】本実施例のウェーハプローバの電子回路部の一
例を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of an electronic circuit unit of the wafer prober of the present embodiment.

【図3】本実施例のカメラで撮像した反射鏡部の映像の
一例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of an image of a reflecting mirror section imaged by the camera of this embodiment.

【図4】従来のウェーハプローバの一例を示す構成概念
図である。
FIG. 4 is a structural conceptual diagram showing an example of a conventional wafer prober.

【図5】従来のウェーハプローバにおける顕微鏡で直接
観察する画像の一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of an image directly observed with a microscope in a conventional wafer prober.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プローブカード 2,3 ステージ 4 カメラ 5 反射鏡部 6 ライト 7 電子回路部 8 ウェーハ 9 顕微鏡 11 プローブ針 51,52 鏡面 71 画像処理部 72,73 ステージ駆動部 74 制御部 81 電極パッド 1 Probe Card 2, 3 Stage 4 Camera 5 Reflecting Mirror 6 Light 7 Electronic Circuit 8 Wafer 9 Microscope 11 Probe Needle 51, 52 Mirror Surface 71 Image Processing 72, 73 Stage Drive 74 Controller 81 Electrode Pad

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 半導体ウエーハ上に形成された半導体チ
ップの電極パッドに接触するプローブ針を有するプロー
ブカードを備え前記プローブ針を介して前記半導体チッ
プの電気的特性を試験するウェーハプローバにおいて、 前記半導体ウエーハを載置固定する第一のステージと、 前記第一のステージと同一直交座標系上を移動しかつ上
下移動が可能な第二のステージと、 前記第二のステージに設置された撮像装置と、 前記第二のステージに設置され前記プローブカードの前
記プローブ針の像である第一の像を前記撮像装置の光軸
方向に反射する第一の鏡面と前記第一のステージ上の前
記半導体チップの像である第二の像を前記撮像装置の光
軸方向に反射する第二の鏡面とを有する反射鏡装置と、 前記撮像装置の出力映像信号を処理し前記第一および第
二の像の出力映像上のそれぞれの位置座標である第一お
よび第二の位置座標を算出し前記第一および第二の位置
座標の差を前記第一のステージの前記直交座標系上の移
動量に変換する画像処理装置とを備えることを特徴とす
るウェーハプローバ。
Claim: What is claimed is: 1. A probe card having a probe needle that contacts an electrode pad of a semiconductor chip formed on a semiconductor wafer, the electrical characteristic of the semiconductor chip being tested through the probe needle. In the wafer prober, a first stage on which the semiconductor wafer is mounted and fixed, a second stage that can move up and down on the same orthogonal coordinate system as the first stage, and a second stage that can move up and down. An imaging device installed, a first mirror surface that reflects a first image, which is an image of the probe needle of the probe card installed on the second stage, in the optical axis direction of the imaging device, and the first A reflecting mirror device having a second mirror surface that reflects a second image, which is an image of the semiconductor chip on a stage, in the optical axis direction of the imaging device, and an output image of the imaging device The signal is processed to calculate first and second position coordinates, which are respective position coordinates on the output image of the first and second images, and the difference between the first and second position coordinates is calculated as the first An image processing device for converting the amount of movement of the stage on the orthogonal coordinate system.
JP16124091A 1991-07-02 1991-07-02 Wafer prober Expired - Lifetime JP2897465B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16124091A JP2897465B2 (en) 1991-07-02 1991-07-02 Wafer prober

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16124091A JP2897465B2 (en) 1991-07-02 1991-07-02 Wafer prober

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0513518A true JPH0513518A (en) 1993-01-22
JP2897465B2 JP2897465B2 (en) 1999-05-31

Family

ID=15731313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16124091A Expired - Lifetime JP2897465B2 (en) 1991-07-02 1991-07-02 Wafer prober

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2897465B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6917698B2 (en) 2000-11-09 2005-07-12 Tokyo Electron Limited Method for aligning two objects, method for detecting superimposing state of two objects, and apparatus for aligning two objects
JP2020183916A (en) * 2019-05-09 2020-11-12 株式会社昭和真空 Probing pin positioning device
CN115241110A (en) * 2022-08-15 2022-10-25 魅杰光电科技(上海)有限公司 Wafer motion control method and wafer motion control system

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6917698B2 (en) 2000-11-09 2005-07-12 Tokyo Electron Limited Method for aligning two objects, method for detecting superimposing state of two objects, and apparatus for aligning two objects
KR100786463B1 (en) * 2000-11-09 2007-12-17 동경 엘렉트론 주식회사 Method for aligning two objects, method for detecting superimposing state of two objects, and apparatus for aligning two objects
US7382914B2 (en) 2000-11-09 2008-06-03 Tokyo Electron Limited Method for aligning two objects, method for detecting superimposing state of two objects, and apparatus for aligning two objects
JP2020183916A (en) * 2019-05-09 2020-11-12 株式会社昭和真空 Probing pin positioning device
CN115241110A (en) * 2022-08-15 2022-10-25 魅杰光电科技(上海)有限公司 Wafer motion control method and wafer motion control system
CN115241110B (en) * 2022-08-15 2023-12-08 魅杰光电科技(上海)有限公司 Wafer motion control method and wafer motion control system

Also Published As

Publication number Publication date
JP2897465B2 (en) 1999-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5394100A (en) Probe system with automatic control of contact pressure and probe alignment
EP0413349B1 (en) Wire bonding inspecting apparatus
US5416592A (en) Probe apparatus for measuring electrical characteristics of objects
JPH07297242A (en) Probe method and the device
JP3173676B2 (en) Probe device
JP2897465B2 (en) Wafer prober
JPS6211105A (en) Optical measuring method and device thereof
JP2002057196A (en) Method and device for probe
JP3248136B1 (en) Probe method and probe device
JPH08327658A (en) Inspection equipment for substrate
US6128034A (en) High speed lead inspection system
JPH08213436A (en) Optical height detector and prober
JPH0194631A (en) Wafer prober
JP3202577B2 (en) Probe method
JP3254704B2 (en) Exposure apparatus and exposure method
JPH09126763A (en) Perpendicularity measuring method and perpendicularity measuring device
JP2906094B2 (en) Probe device
JP3282868B2 (en) Resolution inspection method
JP2004022871A (en) Manipulator type probe equipment and method for positioning probes pin thereof
JPH0536767A (en) Probe apparatus
JPH11295045A (en) Inspecting apparatus
JP2003315238A (en) Alignment method for measurement, cantilever and scanning probe microscope
TW504564B (en) Image processing method and device
US20170018068A1 (en) Probe device
JPS63204153A (en) Probe

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990209