JPH0447963Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0447963Y2 JPH0447963Y2 JP1983124726U JP12472683U JPH0447963Y2 JP H0447963 Y2 JPH0447963 Y2 JP H0447963Y2 JP 1983124726 U JP1983124726 U JP 1983124726U JP 12472683 U JP12472683 U JP 12472683U JP H0447963 Y2 JPH0447963 Y2 JP H0447963Y2
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- JP
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- terminal
- substrate
- conductive substrate
- semiconductor
- shaped
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- Expired
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の属する技術分野〕
本考案は半導体基体の一面を導電性基板上に導
電的に固着し、その半導体基体の上面の電極と導
線によつて接続された少なくとも二つの端子と基
板に導電的に固着された一つの端子を基板面に対
して垂直方向に引き出す半導体装置に関する。
電的に固着し、その半導体基体の上面の電極と導
線によつて接続された少なくとも二つの端子と基
板に導電的に固着された一つの端子を基板面に対
して垂直方向に引き出す半導体装置に関する。
端子を有する半導体素子、例えばトランジスタ
をパツケージに収容するために第１図に示すよう
な構造をとることが行なわれている。すなわち、
トランジスタチツプ１を放熱板を兼ねる金属基板
２にろう付けし、チツプ１の上面のベース電極を
基板２にセラミツク板３を介して固定されたベー
ス端子４の上面とアルミニウム線５のボンデイン
グによつて接続する。またエミツタ電極は同様に
基板２にセラミツク板３を介して固定されたエミ
ツタ端子６の上面とＡ１線５のボンデイングによ
つて接続されている。一方コレクタは基板２に接
続されているので、コレクタ端子７はチツプ１の
あいている側方において基板２にろう付けされ、
ベース端子４、エミツタ端子６と共に直角に折り
曲げられ、図示しないがチツプ１を保護する封止
用樹脂より端部が露出して、外部回路との接続に
利用される。この場合コレクタ端子７の基板２と
の接着部は、接着強度の確保のため、ある程度の
長さｌを必要とし、基板２はその分だけ長くしな
ければならず、半導体装置の占有面積がそれだけ
大きくなる。
をパツケージに収容するために第１図に示すよう
な構造をとることが行なわれている。すなわち、
トランジスタチツプ１を放熱板を兼ねる金属基板
２にろう付けし、チツプ１の上面のベース電極を
基板２にセラミツク板３を介して固定されたベー
ス端子４の上面とアルミニウム線５のボンデイン
グによつて接続する。またエミツタ電極は同様に
基板２にセラミツク板３を介して固定されたエミ
ツタ端子６の上面とＡ１線５のボンデイングによ
つて接続されている。一方コレクタは基板２に接
続されているので、コレクタ端子７はチツプ１の
あいている側方において基板２にろう付けされ、
ベース端子４、エミツタ端子６と共に直角に折り
曲げられ、図示しないがチツプ１を保護する封止
用樹脂より端部が露出して、外部回路との接続に
利用される。この場合コレクタ端子７の基板２と
の接着部は、接着強度の確保のため、ある程度の
長さｌを必要とし、基板２はその分だけ長くしな
ければならず、半導体装置の占有面積がそれだけ
大きくなる。
本考案はこのような半導体装置の占有面積を小
さくする構造を提供することを目的とする。
さくする構造を提供することを目的とする。
〔考案の要点〕
本考案はこの目的を達成するために端子を立体
構造化したもので、半導体基体の一面が放熱板を
兼ねる導電性基板上に導電的に固着され、該半導
体基体の上面の電極と導線によつて接続されかつ
導電性基板とは絶縁された少なくとも二つの第
一、第三のＬ字状端子と、導電性基板に導電的に
固着される第二のＬ字状端子とがそれぞれＬ字状
の一端が前記導電性基板上に載置され、Ｌ字状の
他端が該導電性基板の基板面に対して垂直方向に
引き出されるものにおいて、導電性基板の一方向
の長さと等しい第二と第三の端子の一端が該導電
性基板上で半導体基体をはさんで平行に対向して
位置し、半導体基体の上面の電極と接続され一端
が第二の端子の一端より短い第一の端子が第二の
端子の上に絶縁物を介して積み重ねられ、かつ第
一の端子と第二の端子はそれらの一端の長手方向
の異なる端において他端が引き出され、前記絶縁
物が第一の端子の引き出される他端とは反対側の
一端の先端で露出していることを特徴とする。
構造化したもので、半導体基体の一面が放熱板を
兼ねる導電性基板上に導電的に固着され、該半導
体基体の上面の電極と導線によつて接続されかつ
導電性基板とは絶縁された少なくとも二つの第
一、第三のＬ字状端子と、導電性基板に導電的に
固着される第二のＬ字状端子とがそれぞれＬ字状
の一端が前記導電性基板上に載置され、Ｌ字状の
他端が該導電性基板の基板面に対して垂直方向に
引き出されるものにおいて、導電性基板の一方向
の長さと等しい第二と第三の端子の一端が該導電
性基板上で半導体基体をはさんで平行に対向して
位置し、半導体基体の上面の電極と接続され一端
が第二の端子の一端より短い第一の端子が第二の
端子の上に絶縁物を介して積み重ねられ、かつ第
一の端子と第二の端子はそれらの一端の長手方向
の異なる端において他端が引き出され、前記絶縁
物が第一の端子の引き出される他端とは反対側の
一端の先端で露出していることを特徴とする。
第２図に示す実施例においては、第１図と共通
の部分には同一の符号が付されている。第２図に
おいて、コレクタ端子７はベース端子４とチツプ
１を挟んで対向する基板２の縁部にろう付けされ
ている。エミツタ端子６はこのコレクタ端子７の
上に絶縁セラミツク板３を介して積層されてい
る。その場合絶縁板３の一方の端を若干露出させ
ておくことで沿面距離の増大が図れる。各端子
４，６，７の端部は第１図と同様に直角に曲げら
れて立上つているが、コレクタ端子の立上り部７
１はエミツタ端子６の立上り部６１と反対側に設
けられている。第２図ではこの立上り部７１はコ
レクタ端子７の長手方向に見た側方に設けられる
が、第３図の側面図が示すように長手方向の端に
エミツタ端子の立上り部６１と対向するように形
成してもよい。いずれの場合もエミツタ端子６と
エミツタ電極との間のＡ１線５による接続は、従
来と全く同じ装置、方法によつて可能である。
の部分には同一の符号が付されている。第２図に
おいて、コレクタ端子７はベース端子４とチツプ
１を挟んで対向する基板２の縁部にろう付けされ
ている。エミツタ端子６はこのコレクタ端子７の
上に絶縁セラミツク板３を介して積層されてい
る。その場合絶縁板３の一方の端を若干露出させ
ておくことで沿面距離の増大が図れる。各端子
４，６，７の端部は第１図と同様に直角に曲げら
れて立上つているが、コレクタ端子の立上り部７
１はエミツタ端子６の立上り部６１と反対側に設
けられている。第２図ではこの立上り部７１はコ
レクタ端子７の長手方向に見た側方に設けられる
が、第３図の側面図が示すように長手方向の端に
エミツタ端子の立上り部６１と対向するように形
成してもよい。いずれの場合もエミツタ端子６と
エミツタ電極との間のＡ１線５による接続は、従
来と全く同じ装置、方法によつて可能である。
このように構成することにより、基板２の一方
の長さは半導体チツプ１の長さより若干大きいだ
けでよく、第１図の場合にくらべてｌ寸法の分だ
け短くできる。
の長さは半導体チツプ１の長さより若干大きいだ
けでよく、第１図の場合にくらべてｌ寸法の分だ
け短くできる。
本考案は半導体基体の上面の電極と接続される
端子を基板に直接接続される端子の上に絶縁して
積み重ねることによつて半導体装置の半導体基体
支持基板の大きさ、すなわち半導体装置の占有面
積を小さくすることができるため、電子装置の小
形化に対して極めて大きな効果をもたらすもので
ある。本考案はサイリスタなどの他の３端子の半
導体装置、あるいはダーリントン接続トランジス
タなどの４端子半導体装置にも同様に有効に適用
できる。
端子を基板に直接接続される端子の上に絶縁して
積み重ねることによつて半導体装置の半導体基体
支持基板の大きさ、すなわち半導体装置の占有面
積を小さくすることができるため、電子装置の小
形化に対して極めて大きな効果をもたらすもので
ある。本考案はサイリスタなどの他の３端子の半
導体装置、あるいはダーリントン接続トランジス
タなどの４端子半導体装置にも同様に有効に適用
できる。
第１図は従来のパワートランジスタの一例のパ
ツケージ前の斜視図、第２図は本考案の一実施例
のパツケージ前の斜視図、第３図は別の実施例の
基板部の側面図である。 １……半導体チツプ、２……金属基板、３……
セラミツク板、４……ベース端子、５……アルミ
ニウム線、６……エミツタ端子、７……コレクタ
端子、６１，７１……端子立上り部。
ツケージ前の斜視図、第２図は本考案の一実施例
のパツケージ前の斜視図、第３図は別の実施例の
基板部の側面図である。 １……半導体チツプ、２……金属基板、３……
セラミツク板、４……ベース端子、５……アルミ
ニウム線、６……エミツタ端子、７……コレクタ
端子、６１，７１……端子立上り部。
Claims (1)
- 半導体基体の一面が放熱板を兼ねる導電性基板
上に導電的に固着され、該半導体基体の上面の電
極と導線によつて接続されかつ導電性基板とは絶
縁された少なくとも二つの第一、第三のＬ字状端
子と、導電性基板に導電的に固着される第二のＬ
字状端子とがそれぞれＬ字状の一端が前記導電性
基板上に載置され、Ｌ字状の他端が該導電性基板
の基板面に対して垂直方向に引き出されるものに
おいて、導電性基板の一方向の長さと等しい第二
と第三の端子の一端が該導電性基板上で半導体基
体をはさんで平行に対向して位置し、半導体基体
の上面の電極と接続され一端が第二の端子の一端
より短い第一の端子が第二の端子の上に絶縁物を
介して積み重ねられ、かつ第一の端子と第二の端
子はそれらの一端の長手方向の異なる端において
他端が引き出され、前記絶縁物が第一の端子の引
き出される他端とは反対側の一端の先端で露出し
ていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983124726U JPS6033441U (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983124726U JPS6033441U (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033441U JPS6033441U (ja) | 1985-03-07 |
| JPH0447963Y2 true JPH0447963Y2 (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=30284217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983124726U Granted JPS6033441U (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033441U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308265A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57111054A (en) * | 1980-12-27 | 1982-07-10 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5893361A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-08-11 JP JP1983124726U patent/JPS6033441U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57111054A (en) * | 1980-12-27 | 1982-07-10 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5893361A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6033441U (ja) | 1985-03-07 |
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