JP7351177B2 - セラミック電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、リード端子付きのセラミック電子部品に関する。

回路基板などに実装される電子部品として、特許文献１に示すような、リード端子付きのセラミック電子部品が知られている。このセラミック電子部品においては、端子電極が形成してあるセラミック素体に、ハンダを用いて、リード端子を接合することが一般的である。具体的に、リード端子のハンダ付けは、特許文献１で開示されているように、セラミック素体を一対のリード端子で挟持し、その状態でハンダ浴に浸漬することで行う。

この際、リード端子と端子電極との間には、ハンダが濡れ広がることによりフィレットが形成される。このフィレットと接触しているセラミック素体の端部においては、ハンダの凝固時に収縮応力が発生することなどにより、素体内部にクラックが生じやすい。素体内部にクラックが存在すると、耐湿性や機械的強度などの電子部品としての特性が劣化するため、問題である。

特開昭６１－２３４５１９号公報

本発明は、上記の実情を鑑みてなされ、その目的は、セラミック素体に生じるクラックを低減したセラミック電子部品を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明の第１の観点に係るセラミック電子部品は、
端面と、側面と、を有するセラミック素体と、
前記セラミック素体の前記端面から前記側面の一部にかけて形成してある端子電極と、
接合部材により前記端子電極に接合してあるリード端子と、を有し、
前記リード端子は、
前記端子電極の端面側電極に対応して配置される電極対向部と、
前記電極対向部の下端から下へ延びる延長部と、
前記電極対向部と前記延長部との間に位置する段差面と、を有し、
前記電極対向部には、前記端子電極から離反する方向にへこむ凹部が形成してあり、
高さ方向（Ｚ軸方向）において、前記凹部の中央部分が、前記電極対向部の中央よりも下方に位置している。

また、本発明の第２の観点に係るセラミック電子部品は、
互いに対向する２つの端面と、２つの前記端面を連結する側面と、を有するセラミック素体と、
２つの前記端面に対応して形成してある一対の端子電極と、
一対の前記端子電極にそれぞれ接合してある第１リード端子と第２リード端子と、を有し、
前記第１リード端子と前記第２リード端子とは、それぞれ
前記端子電極の端面側電極に対応して配置される電極対向部と、
前記電極対向部の下端から下へ延びる延長部と、
前記電極対向部と前記延長部との間に位置する段差面と、を有し、
前記電極対向部には、前記端子電極から離反する方向にへこむ凹部が形成してあり、
高さ方向（Ｚ軸方向）において、前記凹部の中央部分が、前記電極対向部の中央よりも下方に位置している。

なお、上記において、高さ方向における凹部の中央部分とは、凹部と端面側電極との間隔が最も大きくなっている箇所である。また、凹部と端面側電極との間隔が最も大きくなっている箇所が延在して存在する場合（例えば図４Ｆのような場合）、凹部中央部分とは、間隔が最も広い箇所の高さ方向の中心位置を意味する。

本発明のセラミック電子部品では、上記のような構成を有することにより、セラミック素体の側面とリード端子との間に形成されるハンダなどの接合部材によるフィレットのサイズを、小さくすることができる。特に、セラミック素体の側面に対するフィレットの角度を、小さく（鋭角に）することができる。その結果、本発明のセラミック電子部品では、フィレットの影響で、セラミック素体の内部にクラックが発生することを抑制できる。

フィレットの角度を小さくできる理由は、たとえば、以下の事由が考えられる。本発明のセラミック電子部品では、リード端子と端子電極とが、ハンダなどの接合部材により接合してあるが、接合する際に、凹部と端子電極の端面との間に、ハンダが流れ、端子電極の側面とリード端子との間ではハンダが留まり難くなっている。すなわち、ハンダ凝固時に、端子電極の側面とリード端子との間に存在する溶融ハンダが、凹部側に引き寄せられる。その結果として、本発明のセラミック電子部品では、セラミック素体の側面とリード端子との間において、フィレットの角度が小さくなると考えられる。

また、本発明のセラミック電子部品では、リード端子に段差面が形成してあるため、セラミック素体を、リード端子の所定位置で仮保持した状態で接合が可能であり、ハンダ付けが容易である。すなわち、ハンダ付け時に、リード端子とセラミック素体との位置合わせが容易であり、本発明のセラミック電子部品は、量産に適する。

また、前記凹部は、前記電極対向部の上端側が前記端子電極に向けて折れ曲がることで形成してある。もしくは、前記電極対向部が、前記端子電極の前記端面側電極に向き合う対向面を有し、その前記対向面に前記凹部が形成してある。本発明において、凹部は、上記のような構成を取り得る。

本発明のセラミック電子部品では、高さ方向において、前記凹部の中央部分が、前記セラミック素体の前記側面よりも上方に位置することが好ましい。上記のような位置に凹部を形成することで、凹部にセラミック素体の角部がはまり込むことがなくなり、凹部側にハンダが流れやすくなる。その結果、フィレットの角度をより小さくすることができ、セラミック素体の内部にクラックが発生することを有効に抑制できる。

また、上記の場合において、前記凹部の高さ方向の下端が、前記セラミック素体の前記端面と前記側面とが成す外側角部より上方の近傍に位置することが好ましい。このように、凹部を、フィレットが形成される箇所の近傍に形成することで、端子電極の側面とリード端子との間に存在する溶融ハンダが、凹部側に引き寄せられ易くなる。その結果、本発明のセラミック電子部品では、フィレット角度をより小さくすることができ、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

また、前記セラミック素体の前記外側角部は、丸みを帯びており、
前記リード端子の前記対向面と前記段差面とが成す角には、丸みを帯びた内側角部が形成してあり、
前記内側角部の曲率半径は、前記外側角部の曲率半径よりも大きくすることが好ましい。

このようにリード端子の内側角部とセラミック素体の外側角部の形状を制御することで、ハンダ付け時に、溶融ハンダが凹部側に引き寄せられ易くなる。その結果、本発明のセラミック電子部品では、フィレット角度をより小さくすることができ、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

また、高さ方向における前記段差面から前記凹部の下端までの距離は、前記外側角部の曲率半径よりも長くすることが好ましい。このように凹部の形成位置を制御することで、ハンダ付け時に、溶融ハンダが凹部側に引き寄せられ易くなる。

さらに、本発明のセラミック電子部品では、好ましくは、前記凹部の高さ方向の長さ（Ｌ３）は、前記セラミック素体の第１軸方向の高さ（Ｌ０）に対して、１／８～１／２である。

また、好ましくは、前記凹部の深さ（Ｗ４）は、前記電極対向部の厚み（Ｗ２）に対して、３％～５０％である。

上記のように凹部のサイズを制御することで、ハンダ付け時に、溶融ハンダが凹部側に引き寄せられ易くなる。その結果、本発明のセラミック電子部品では、フィレット角度をより小さくすることができ、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

好ましくは、前記段差面と前記端子電極の側面電極との間の間隙（Ｌ４）は、前記電極対向部と前記端子電極の前記端面側電極との間の間隙（Ｗ３）よりも広い。なお、間隙の部分には、ハンダが介在している。このように間隙の幅を制御することで、ハンダ付け時に、溶融ハンダが凹部側に引き寄せられ易くなる。その結果、本発明のセラミック電子部品では、フィレット角度をより小さくすることができ、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

なお、本発明のセラミック電子部品において、リード端子の電極対向部および段差面は、リード端子の先端にプレスなどの加工を施すことにより一体的に形成することができる。この場合、厚み方向（Ｘ軸方向）において、前記電極対向部の厚み（Ｗ２）は、前記延長部の厚み（Ｗ１）よりも薄くなる。

好ましくは、前記リード端子の前記延長部は、前記段差面の下方から外側に向けて折れ曲がる曲折部を有する。このように曲折部を形成することで、セラミック素体の側面に対するフィレットの角度をより小さくすることができる。

また、好ましくは、前記接合部材は、ハンダであり、前記ハンダと接触する前記リード端子の表面には、銅および錫を含む合金層が形成してある。当該合金層を形成することで、リード端子のハンダと接触する部分において、表面のハンダ濡れ性が良好となる。その結果、本発明のセラミック電子部品では、フィレット角度をより小さくすることができ、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

なお、ハンダによるフィレットの角度は、好ましくは、４０度以下であり、より好ましくは３５度以下である。ハンダフィレットの角度を、上記の範囲に制御することで、セラミック素体に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

また、本発明の第２の観点においては、前記第１リード端子と前記第２リード端子とで、前記電極対向部の形状が異なっていても良い。

また、本発明の第２の観点においては、前記第１リード端子と前記セラミック素体の前側面との間の間隙が、前記第２リード端子と前記セラミック素体の前記側面との間の間隙よりも広くなっていても良い。

図１は、本発明の一実施形態に係るセラミック電子部品を示す簡略斜視図である。 図２Ａは、図１に示すII－II線に沿う断面図である。 図２Ｂは、本発明の他の実施形態に係るセラミック電子部品の断面図である。 図３Ａは、図２Ａの一部を拡大した要部断面図である。 図３Ｂは、図２Ｂの一部を拡大した要部断面図である。 図３Ｃは、図２Ａに示すセラミック電子部品の変形例を示す要部断面図である。 図４Ａは、本発明の一実施形態におけるリード端子の先端形状を示す、概略斜視図である。 図４Ｂは、リード端子の先端形状の変形例を示す、概略斜視図である。 図４Ｃは、リード端子の先端形状の変形例を示す、概略斜視図である。 図４Ｄは、リード端子の先端形状の変形例を示す、概略斜視図である。 図４Ｅは、リード端子の先端形状の変形例を示す、概略斜視図である。 図４Ｆは、リード端子の先端形状の変形例を示す、概略斜視図である。 図５は、本発明の他の実施形態に係るセラミック電子部品を示す簡略正面図である。 図６は、本発明の他の実施形態に係るセラミック電子部品を示す簡略正面図である。

以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明するが、本発明は下記の実施形態に限定されない。

第１実施形態
図１および図２Ａに示すように、本発明の一実施形態に係るリード端子付きセラミック電子部品２は、セラミック素体４と、一対のリード端子８とを有する。本実施形態では、セラミック電子部品の一例として、セラミック素体４が、積層セラミックコンデンサで構成してある場合について説明する。

図２Ａに示すように、セラミック素体４の全体と、リード端子８の一部とは、二点鎖線で示す外装２０で覆われている。外装２０の被覆範囲は、特に限定されないが、少なくとも、セラミック素体４の全体と、セラミック素体４とリード端子８との接合部分（すなわち後述するハンダ１０が存在する箇所）とを覆っていればよい。外装２０の材質は、絶縁性を有していればよく、特に制限されないが、ハロゲンフリーの絶縁樹脂であることが好ましく、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が例示される。

図１および図２Ａに示すセラミック素体４は、Ｘ軸方向で対向する２つの端面４ａと、２つの端面４ａを連結する４つの側面４ｂとを有する。本実施形態では、４つの側面４ｂのうち、Ｚ軸と垂直で、かつ、Ｚ軸方向の下方に位置する面を底面４ｂ１と記す。セラミック素体４の寸法は、特に限定されず、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。たとえば、セラミック素体４の寸法は、Ｘ軸方向の長さを０．６～６．５ ｍｍ、Ｙ軸方向の幅を０．３～５．０ｍｍ、Ｚ軸方向の高さ（図２Ａに示すＬ０）を０．２～３．５ｍｍとすることができる。なお、各図面において、Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは、相互に垂直である。

セラミック素体４の内部には、内部電極層１６，１８が、セラミック層１４を介して交互に積層してある。内部電極層１６は、セラミック素体４のＸ軸方向の一方の端面４ａに露出しており、内部電極層１８は、セラミック素体４の他方の端面４ａに露出している。

また、セラミック素体４のＸ軸方向の両端には、一対の端子電極６が形成してある。より具体的に、端子電極６は、セラミック素体４の端面４ａから側面４ｂの一部に回り込んで形成してあり、端面側電極６ａと、側面側電極６ｂとを有する。内部電極１６，１８は、露出した端面４ａにおいて、それぞれ、端面側電極６ａに電気的に接続してある。なお、一対の端子電極６は、互いに絶縁してあり、一対の端子電極６と、内部電極層１６，１８とで、コンデンサ回路を形成している。

本実施形態において、セラミック層１４は、誘電体組成物で構成してある。使用する誘電体組成物としては、特に限定されず、公知の材質を用いればよい。たとえば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ_３）などを主成分として用いることができる。また、これら主成分の他に、希土類の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物、遷移金属の酸化物、酸化マグネシウムなどを副成分として添加してもよい。なお、セラミック層１４の厚み、および積層数も、特に限定されず、一般的な厚みおよび積層数とすることができる。

内部電極層１６，１８は、導電性金属を主成分として含有する。使用する導電性金属は、特に限定されず、公知の材質を用いればよい。たとえば、ニッケル、銅、銀、金、パラジウム、または、これら金属のうち少なくとも１種を含む合金などが例示される。内部電極層１６，１８の厚みも、特に限定されず、一般的な厚みを採用できる。また、内部電極層１６，１８の積層数は、セラミック層１４の積層数に応じて決定される。

また、端子電極６についても、導電性金属を主成分として含有していればよく、材質は特に限定されない。端子電極６としては、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極６の厚みも特に限定されず、通常、１０～５０μｍ程度である。なお、端子電極６の表面には、ニッケル、銅、錫などから選ばれる少なくとも１種のめっき層が形成してあってもよい。端子電極６において、めっき層の１層当たりの厚みは、１～１０μｍであることが好ましく、めっき層は多層構造であってもよい。

本実施形態では、図２Ａに示すように、一対のリード端子８が、セラミック素体４の２つの端面４ａに対応して設けられている。各リード端子８は、Ｚ軸方向に沿って延在しており、それぞれ、電極対向部８ａと、延長部８ｂと、段差面８ｃとを有する。本実施形態において、リード端子８の各部位は、導電性線材を加工することで、一体的に形成してある。ただし、リード端子８は、導電性の金属板を加工して形成してもよい。

リード端子８を構成する導電性線材としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、銀（Ａｇ）などを含む金属線を用いることができる。特に、リード端子８は、銅を含むことが好ましい。より具体的には、芯材が純銅、もしくは銅を主成分として含む銅合金である銅系の金属線（以下、Ｃｕ線と呼ぶ）を用いることが好ましい。もしくは、表面に銅めっき層を形成した銅被覆鋼線（以下、ＣＰ線と呼ぶ）を用いることが好ましい。ＣＰ線の場合、芯材は、純鉄、もしくは鉄を主成分として含む鉄合金である。また、ＣＰ線を用いる場合、芯材の表面に形成してある銅めっき層の厚みは、５μｍ～１０μｍであることが好ましい。

なお、リード端子８を構成する導電性線材の線径は、セラミック素体４の寸法に応じて適宜決定される。たとえば、０．５ｍｍ～１．０ｍｍの線径とすることができ、好ましくは、０．５ｍｍ～０．６ｍｍである。

次に、リード端子８の各部位の形態について、詳細を説明する。図２Ａに示すように、リード端子８の先端側（Ｚ軸方向の上方側）は、電極対向部８ａとなっている。この電極対向部８ａは、端子電極６の端面側電極６ａと対向して配置してあり、ハンダ１０を介して、端面側電極６ａに接合してある。すなわち、電極対向部８ａは、端子電極６の端面側電極６ａに対して略平行である。

電極対向部８ａの長手方向（Ｚ軸方向）の長さＬ１は、セラミック素体４のＺ軸方向の高さＬ０に対して長くてもよいし、短くてもよい。ただし、好ましくは、電極対向部８ａの長さＬ１は、セラミック素体４の高さＬ０に対して０．９倍～１．１倍程度の範囲内であることが好ましい。このような長さとすることで、端子電極６とリード端子８との接合強度が向上する傾向となる。

また、電極対向部８ａのＹ軸方向の幅は、セラミック素体４のＹ軸方向の幅に対して、０．７倍～１．１倍程度の範囲であることが好ましい。電極対向部８ａの幅を上記の範囲内とすることで、端面側電極６ａと電極対向部８ａとの間に入り込むハンダ１０の介在量を、適切な範囲に制御することができる。

本実施形態において、上記の電極対向部８ａは、導電性線材の先端側のみを潰し加工することで形成してある。そのため、図３Ａおよび図４Ａに示すように、電極対向部８ａのＸ－Ｙ断面は、半円形状となり、電極対向部８ａは、全体として、半円柱状である。ただし、電極対向部８ａのＸ－Ｙ断面は、潰し加工により矩形状もしくは、楕円状でとなっても良い。

また、潰し加工により、電極対向部８ａの下端（すなわち電極対向部８ａと延長部８ｂとの間）には、段差面８ｃが形成される。そして、電極対向部８ａのＸ軸方向の厚み（Ｗ２）は、潰し加工が施されていない延長部８ｂの厚み（Ｗ１）よりも薄くなっている。具体的に、電極対向部８ａの厚みＷ２は、延長部８ｂの厚みＷ１に対して、１／２～７／１０程度であることが好ましい。なお、電極対向部８ａの厚みＷ２と、延長部８ｂの厚みＷ１とは、Ｘ軸方向における厚みの最大値を意味しており、本実施形態では、延長部の厚みＷ１が、延長部８ｂの直径と同義である。

さらに、電極対向部８ａは、潰し加工により形成された対向面８ａａを有し、組み立て後の状態（すなわち図２Ａ，３Ａに示す状態）では、この対向面８ａａが、セラミック素体４の端面４ａに向き合って配置される。

そして、図４Ａに示すように、対向面８ａａには、厚みが薄くなる方向に向けてへこむ凹部９が形成してある。厚みが薄くなる方向とは、端子電極６の端面側電極６ａから離反する方向を意味する。また、凹部９は、Ｙ軸と平行であり、Ｙ軸方向において、対向面８ａａの一方の側縁から他方の側縁にまで一連に延在している。

本実施形態では、凹部の少なくとも一方の端部が、電極対向部８ａの外側に開口していることが好ましい。実際に、図４Ａに示すリード端子８では、凹部９の両端が、電極対向部８ａの側縁において、電極対向部８ａの外側に開口している。この凹部９は、潰し加工時に、凸部を有する金型を使用することで、形成される。なお、上記において側縁とは、対向面８ａａにおけるＺ軸と平行な端縁である。

ここで、凹部９の形成位置および寸法を、図３Ａに基づいて説明する。なお、図３Ａは、セラミック電子部品２をＹ軸方向の略中央位置で切断した場合のＸ－Ｚ断面を示している。

本実施形態では、リード端子８において、凹部９が所定の位置に形成してある。具体的に、Ｚ軸方向において、凹部９の中央部分は、対向面８ａａの中央よりも下方に位置する。そして、対向面８ａａの中央よりも上方には、凹部９が形成されていない。なお、Ｚ軸（高さ）方向における凹部９の中央部分とは、凹部９と端面側電極６ａとの間隔が最も大きくなっている箇所である。また、Ｚ軸方向において、段差面８ｃから凹部９の下端までの距離をＬ２とすると、凹部９は、Ｌ２が０．１ｍｍ～０．２ｍｍとなる位置に形成してあることが好ましい。

また、Ｚ軸方向において、凹部９とセラミック素体４との位置関係は、所定の条件となることが好ましい。具体的に、凹部９の中央部分は、Ｚ軸方向において、セラミック素体４の端面４ａの中央より下方に位置し、底面４ｂ１よりは上方に位置することが好ましい。さらに、凹部９は、凹部９のＺ軸方向の下端が、セラミック素体４の外側角部４ｃの上方、かつ、近傍に位置するように形成してあることが好ましい。なお、上記のセラミック素体４の外側角部４ｃとは、図３Ａに示すＸ－Ｚ断面において、端面４ａと底面４ｂ１とが成す角を意味する。

また、本実施形態において、凹部９の寸法は、以下のように設定することが好ましい。凹部９のＺ軸方向の長さ（Ｌ３）は、好ましくは、セラミック素体４のＺ軸方向の高さＬ０に対して、１／８～１／２程度であり、より好ましくは、１／５～２／５程度、さらに好ましくは、１／４～２／５程度である。より具体的には、凹部９のＺ軸方向の長さ（Ｌ３）は、０．１６ｍｍ～０．３２ｍｍとすることができ、０．２ｍｍ～０．３２ｍｍとすることが好ましい。

さらに、凹部９のＸ軸方向の深さ（Ｗ４）は、好ましくは、電極対向部８ａの厚みＷ２に対して、３％～５０％程度であり、より好ましくは、１７％～５０％程度、さらに好ましくは、３４％～５０％程度である。より具体的には、凹部９のＸ軸方向の深さ（Ｗ４）は、０．０５ｍｍ～０．１５ｍｍとすることができ、０．１ｍｍ～０．１５ｍｍとすることが好ましい。

次に、リード端子８の電極対向部８ａ以外の部位について説明する。リード端子８は、電極対向部８ａのＺ軸下方側において、Ｚ軸方向に沿って延びる延長部８ｂを有する。前述したように、電極対向部８ａは、潰し加工することで形成されるため、電極対向部８ａと延長部８ｂとの間には、段差面８ｃが形成されている。また、延長部８ｂのＸ－Ｙ断面は、潰し加工が施されていないため、円形状となっている。

リード端子８の延長部８ｂは、図２Ａに示すように、上方側支持部８ｂａと，下方側支持部８ｂｂと、脚部８ｂｃとで構成されており、延長部８ｂにおける各部位は、一体的に連続している。上方側支持部８ｂａは、段差面８ｃから下方に向かって、Ｚ軸と略平行に伸びている。一方、下方側支持部８ｂｂは、一対のリード端子８がＸ軸方向で離間する方向に折れ曲がっている。この上方側支持部８ｂａ，下方側支持部８ｂｂは、基板実装後の状態で、電子部品本体を基板上で支持する役割を担う。なお、特に、下方側支持部８ｂｂは、セラミック電子部品２の基板実装時に、立付け高さを規制するキンクとして作用する。

脚部８ｂｃは、下方側支持部８ｂｂのＺ軸方向の下端側に一体的に形成してあり、Ｚ軸と略平行に、直線状に延びている。脚部８ｂｃは、プリント基板やフレキシブル基板などの基板に接続され、基板実装部を構成する。セラミック電子部品２の基板への実装方法は、特に限定されないが、たとえば、ハンダや溶接、カシメなどの実装技術を適用できる。

次に、リード端子８とセラミック素体４との接合状態を、図３Ａに基づいて説明する。リード端子８は、セラミック素体４の端子電極６にハンダ１０により接合してある。ハンダ１０の材質は、特に限定されないが、たとえば、錫－アンチモン系、錫－銀－銅系、錫－銅系、錫－ビスマス系の鉛フリーハンダを用いることができる。

図３Ａに示すように、本実施形態では、ハンダ１０が、端面側電極６ａと電極対向部８ａとの間、および、側面側電極６ｂと段差面８ｃとの間に介在している。そして、側面側電極６ｂとリード端子８との間には、ハンダによるフィレット１０ａが形成してある。すなわち、リード端子８は、電極対向部８ａ、段差面８ｃ、および、上方側支持部８ｂａの一部において、ハンダ１０と接触している。

図３Ａに示すように、電極対向部８ａと端面側電極６ａとの接合部において、凹部９と端面側電極６ａとの間の間隙は、他の箇所よりも幅が広くなっている。

本実施形態では、凹部９と端面側電極６ａとの間でハンダ１０が溜まることで、ハンダ１０によるフィレット１０ａの角度θが小さくなる。ここで、フィレット１０ａの角度θとは、図３Ａに示すＸ－Ｚ断面において、セラミック素体４の底面４ｂ１と、フィレット１０ａの外縁部１０ａｂとがなす角のことを意味する。なお、図３Ａに示すＸ－Ｚ断面は、リード端子８のＹ軸方向の略中央でセラミック電子部品２を切断した断面である。

通常、セラミック素体のフィレット近傍では、ハンダの凝固時の収縮応力によりクラックが発生しやすくなる。また、ハンダ凝固後においても、フィレットには内部応力が蓄積されているため、リード端子に外力が加わると、セラミック素体のフィレット近傍にクラックが発生しやすくなる。本実施形態では、フィレット１０ａの角度θを小さく（鋭角に）することができるため、セラミック素体４のフィレット１０の近傍でクラックが発生することを有効に抑制することができる。

フィレット１０ａの角度θを小さくできる理由は、たとえば、以下の事由が考えられる。本実施形態では、凹部９の中央部分が対向面８ａａの中央よりも下方に形成してあるため、リード端子８と端子電極６とをハンダ付けをする際に、凹部９と端面側電極６ａとの間に、ハンダが流れ、側面側電極６ｂと上方側支持部８ｂａとの間ではハンダが留まり難くなっている。すなわち、ハンダ凝固時に、底面４ｂ１とリード端子８との間（すなわちフィレット１０ａの箇所）に存在する溶融ハンダが、凹部９側に引き寄せられる。その結果として、本実施形態では、セラミック素体４の底面４ｂ１とリード端子８との間において、フィレット１０ａの角度θが小さくなると考えられる。

なお、凹部９の形成位置や寸法を前述した範囲に制御することで、上記の作用効果をより高めることができ、フィレット１０ａの角度θがさらに小さくなる。たとえば、凹部９を、Ｚ軸方向において、セラミック素体４の底面４ｂ１よりも上方に形成することで、凹部９に外側角部４ｃがはまり込むことがなく、凹部９と端面側電極６ａとの間に、ハンダ１０が引き寄せられ易くなる。そして、凹部９は、Ｚ軸方向において、セラミック素体４の外側角部４ｃよりも上方で、かつ、外側角部４ｃの近傍に形成してあることが好ましい。つまり、フィレット１０ａが形成される位置に近い場所に、凹部９を形成することで、フィレット１０ａの箇所に存在する溶融ハンダが、凹部９側に引き寄せられ易くなる。その結果として、フィレット１０ａの角度θがさらに小さくなる。

また、本実施形態では、段差面８ｃと側面側電極６ｂとの間の間隙（Ｌ４）は、電極対向部８ａと端面側電極６ａとの間の間隙（Ｗ３）よりも広くなっている。なお、上記において間隙とは、ハンダが介在している箇所を意味する。このように間隙の幅を制御することで、ハンダ付け時に、溶融ハンダが凹部９側に引き寄せられ易くなる。その結果、本実施形態のセラミック電子部品２では、フィレット１０ａの角度θをより小さくすることができ、セラミック素体４の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

本実施形態において、凹部９の少なくとも一方の端部は、電極対向部８ａの外側に開口していることが好ましい。さらに、凹部９の両端が、電極対向部８ａの側縁において、電極対向部８ａの外側に開口していることがより好ましい。このように、凹部９を電極対向部８ａの外側に開口させることで、ハンダ付け時に、凹部９側に流動した溶融ハンダが、さらに電極対向部８ａの外周側にも流れるようになる。その結果、フィレット１０の角度θをさらに小さくできると共に、リード端子８とセラミック素体４との接合強度がより強固になる。

図３Ａに示すように、Ｘ－Ｚ断面において、外側角部４ｃは、丸みを帯びている。同様に、リード端子８の対向面８ａａと段差面８ｃとが成す内側角部８ｄも、丸みを帯びている。本実施形態において、リード端子８の内側角部８ｄの曲率半径は、セラミック素体４の外側角部４ｃの曲率半径よりも大きいことが好ましい。このように構成することで、ハンダ付け時に、溶融ハンダが凹部９側に引き寄せられ易くなる。その結果として、フィレット１０ａの角度θがさらに小さくなる。

さらに、図３Ａに示すＸ－Ｚ断面において、段差面８ｃから凹部９の下端までの距離Ｌ２と、外側角部４ｃの曲率半径とを比較すると、Ｌ２のほうが、外側角部４ｃの曲率半径よりも長くなっていることが好ましい。このように構成することで、ハンダ付け時に、溶融ハンダが凹部９側に引き寄せられ易くなる。その結果として、フィレット１０ａの角度θがさらに小さくなる。

なお、図３Ａでは図示していないが、ハンダ１０と接触しているリード端子８の表面には、被覆層が形成してあることが好ましい。この被覆層は、リード端子の芯材よりもハンダ濡れ性の良い成分で構成してあることが好ましく、具体的には、銅および錫を含む合金層、より具体的には、Ｃｕ_６Ｓｎ_５を含む合金層であることが好ましい。

被覆層の厚みは、ある程度のばらつきを有するが、０．５μｍ～１０μｍ程度とすることができ、好ましくは、１．０μｍ～７．０μｍであり、より好ましくは、１．０μｍ～３．０μｍである。なお、被覆層の厚みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等による断面観察により測定でき、被覆層を構成する成分は、電子プローブマイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）や、電子線回折等の手法により確認することができる。

フィレット１０ａの角度θは、リード端子８や端子電極６の表面状態などによっても変化するが、本実施形態では、フィレット１０ａの角度θが、５度以上、４０度未満であることが好ましく、３５度未満であることがより好ましい。フィレット１０ａの角度θを上記の範囲に制御することで、セラミック素体４に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

なお、フィレット１０ａの角度θの測定は、ＳＥＭもしくは光学顕微鏡により図３Ａに示すＸ－Ｚ断面の断面写真を撮影し、その断面写真を画像解析することで測定する。この際、観察用の試料は、Ｘ－Ｚ断面が、リード端子８のＹ軸方向の略中央位置となるように、セラミック電子部品２を切断し、鏡面研磨することで得る。

続いて、セラミック電子部品２の製造方法の一例について、以下に説明する。

まず、セラミック素体４として、コンデンサチップを準備する。コンデンサチップは、公知の方法により製造すれば良い。たとえば、ドクターブレード法やスクリーン印刷等の手法により、電極パターンが形成されたグリーンシートを積層し、積層体を得る。その後、得られた積層体を加圧・焼成することで、コンデンサチップが得られる。

次に、準備したコンデンサチップに対して、一対の端子電極６を形成する。端子電極６の形成方法は、特に限定されないが、たとえば、コンデンサチップを、電極用の導電性ペーストに浸漬し、その後、焼き付け処理を施すことで形成できる。得られた焼き付け電極の表面には、適宜、めっき処理を施しても良い。例えば、端子電極６は、Ｃｕ焼付層／Ｎｉめっき層／Ｓｎめっき層の複数層構造とすることができる。

次に、リード端子８の製造方法について説明する。リード端子８の製造では、まず、導電性線材を準備する。本実施形態において、準備する導電性線材としては、表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線、もしくは、Ｃｕめっき層の表面にさらに錫めっき層が形成してあるＣＰ線を用いることが好ましい。ここで、Ｃｕ線もしくはＣＰ線の表面に形成してある錫めっき層は、錫が９０ｍｏｌ％以上含まれていることが好ましく、厚みが、１μｍ～１０μｍであることが好ましい。

ただし、導電性線材の表面は、錫めっき層に代えて、銀めっき層や、金めっき層、パラジウムめっき層、銅－錫めっき層などを形成しても良い。さらに、金めっき層もしくはパラジウムめっき層を形成する場合には、下地にニッケルめっき層が形成してあっても良い。

準備した導電性線材は、所定の長さに切断し、その後、全体としてＵ字形状となるように曲げ加工を施す。次に、Ｕ字形状の導電性線材を、キャリアテープに張り付けて固定する。この際、導電性線材は、Ｕ字形状の両端がキャリアテープから飛び出すようにして固定される。

このように、導電性線材をキャリアテープに張り付けた状態で、導電性線材の先端を、図4Ａに示す形状に加工する。具体的には、まず、導電性線材の両端に折り曲げ加工を施し、上方側支持部８ｂａ，下方側支持部８ｂｂを形成する。その後、導電性線材の先端を潰し加工（プレス加工）し、電極対向部８ａを形成する。なお、折り曲げ加工と潰し加工とは、順序が逆であっても良い。量産時においては、キャリアテープ上に複数の導電性線材を張り付けて、上記の先端加工を同時に行えばよい。

次に、上記のような手順で作製したセラミック素体４とリード端子８とを接合し、リード端子付きのセラミック電子部品２を得る。たとえば、リード端子８の表面（特にハンダと接触する部分）にハンダ濡れ性の良い銅および錫を含む合金層を形成する場合は、以下に示す手順で、セラミック素体４にリード端子８を接合する。

まず、キャリアテープに張り付けてあるリード端子８の先端部のみをハンダ浴に浸漬し、リード端子８の表面に銅および錫を含む合金層を形成する（リード端子８の浸漬工程）。

上記の浸漬工程において、使用するハンダ浴の種類は、後述するセラミック素体４のハンダ付け工程で使用するハンダ浴と同じで良いが、異なっていても良い。また、使用するハンダ浴の温度は、ハンダの組成によっても異なるが、たとえば、錫－アンチモン系のハンダの場合、２７０℃～３２０℃とすることができる。特に、浸漬工程におけるハンダ浴の温度は、後述するハンダ付け工程におけるハンダ浴の温度に対して、０．９～１．１倍程度とすることが好ましい。

また、浸漬工程におけるハンダ浴への浸漬時間は、後述するハンダ付け工程での浸漬時間に対して、１０～６０倍程度と長くすることが好ましく、より具体的には、１０秒～６０秒程度とすることが好ましい。

なお、上記の浸漬工程において、ハンダ浴に浸漬した箇所では、導電性線材の表面に形成してある錫めっき層が、ハンダ浴に溶解され、銅および錫を含む合金層が生成する。ハンダ浴に浸漬していないリード端子８の脚部８ｂｃ、下方側支持部８ｂｂ、上方側支持部８ｂａの一部では、表面に錫めっき層が残った状態となる。

上記の浸漬工程を行った後、一対のリード端子８の電極対向部８ａの間に、端子電極６を形成したセラミック素体４を配置し、一対の電極対向部８ａでセラミック素体４を挟持することで、セラミック素体４を仮固定する。

次に、セラミック素体４を仮固定したリード端子８の先端部分を、ハンダ浴に浸漬し、端子電極６とリード端子８とをハンダ付けする（ハンダ付け工程）。このハンダ付け工程において、ハンダ浴への浸漬時間は、０．５秒～２程度であり、特に、０．８秒～１．５秒程度と短くすることが好ましい。ハンダ付け工程での浸漬時間を上記の範囲内とすることで、セラミック素体４への熱影響を最小限に抑制することができる。

ハンダ付け工程の後には、セラミック素体４を接合したリード端子８の先端部分を、液状の絶縁性樹脂の浴槽に浸漬する。この際、少なくとも、セラミック素体４およびリード端子８のハンダ接合部分が、絶縁性樹脂の浴槽に浸るように浸漬する。その後、使用する絶縁性樹脂の種類に応じて適宜熱処理を加えることで、セラミック素体４およびリード端子８の一部を覆うように外装２０が形成される。

なお、上述した一連の接合工程は、リード端子８をキャリアテープに張り付けて固定した状態で行えばよい。外装２０を形成した後、一対のリード脚部８ｄの連結部分（すなわち、Ｕ字形状の円弧部分）を切断し、キャリアテープからリード端子８を取り外すことで、図１に示すセラミック電子部品２が得られる。

本実施形態では、リード端子８に段差面８ｃが形成してあるため、セラミック素体４を、リード端子８の所定位置で安定的に仮保持した状態で接合が可能であり、ハンダ付けが容易である。すなわち、ハンダ付け時に、リード端子８とセラミック素体４との位置合わせが容易であり、本発明のセラミック電子部品は、量産に適する。

なお、図３Ａにおいて、段差面８ｃは、Ｘ軸に平行な平面として示してあるが、図３Ｃに示すような傾斜面８ｃ１であっても良く、曲面であっても良い。図３Ｃに示す傾斜面８ｃ１は、内側角部８ｄの丸みに沿って傾斜している。

第２実施形態
以下、図２Ｂおよび図３Ｂに基づいて、本発明の第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態における第１実施形態と共通の構成に関しては、説明を省略し、同じ符号を使用する。

図２Ｂおよび図３Ｂに示すように、第２実施形態においても、リード端子８の電極対向部８ａは、第１実施形態と同様の形状を有し、対向面８ａａに凹部９が形成してある。そのため、第２実施形態でも、第１実施形態と同様の作用効果が得られる。

ただし、第２実施形態では、上方側支持部が、Ｘ軸方向の外側に向かって折り曲がり、曲折部８ｂａ１となっている。Ｘ軸方向の外側とは、一対のリード端子が互いに離反する方向である。このように、リード端子８に曲折部８ｂａ１を形成することで、フィレット１０ａの角度θは、さらに小さくなる。その結果、セラミック素体４に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

具体的に、図３Ｂに示すＸ－Ｚ断面において、曲折部８ｂａ１の曲げ角度θａは、Ｚ軸に対して、－１０度以上、３５度以下とすることができるが、より好ましくは、５度以上、３５度以下である。角度θａが大きいほど、フィレット１０ａの角度θは、小さくなる傾向となる。なお、上記した曲折部８ｂａ１の曲げ角度θａは、段差面８ｃ下端近傍で、実現されていれば良い。すなわち、曲折部８ｂａ１は、Ｚ軸の下方に向かうにつれ、徐々にＺ軸と平行となるように、湾曲した形状であっても良い。

第３実施形態
第３実施形態では、リード端子８の先端形状（特に、電極対向部８ａ）の変形例を、図４Ｂ～図４Ｆに基づいて、説明する。なお、第３実施形態における第１実施形態と共通の構成に関しては、説明を省略し、同じ符号を使用する。

図４Ｂに示すリード端子８１では、対向面８ａａに、Ｙ軸に平行な凹部９ａと、Ｚ軸に平行な凹部９ｂとが形成してある。凹部９ａは、Ｙ軸方向において、対向面８ａａの一方の側縁から他方の側縁にまで一連に延在している。一方、凹部９ｂは、電極対向部８ａの下端、すなわち、段差面８ｃの上方から、凹部９ａまでの間に延在しており、凹部９ａと凹部９ｂとは、連通している。なお、凹部９ａと凹部９ｂとは、いずれも、Ｚ軸方向において、対向面８ａａの中央よりも下方に位置している。

図４Ｂに示すように２つの凹部９ａ，９ｂを形成することで、ハンダ接合時に、側面側電極６ｂとリード端子８１との間（すなわちフィレット１０ａの箇所）に存在する溶融ハンダが、凹部９ａ側に引き寄せられ易くなる。すなわち、ハンダ接合時に、凹部９ｂが、ハンダが流れる経路として機能する。その結果、図４Ｂに示すリード端子８１を有するセラミック電子部品２では、フィレット１０ａの角度θがさらに小さくなり、セラミック素体４に生じるクラックをより有効に抑制することができる。

次に、図４Ｃに示すリード端子８２について説明する。リード端子８２では、対向面８ａａに、複数の凹部９ｃが形成してある。凹部９ｃは、半球状であり、そのＺ軸方向の直径は、対向面８ａａのＹ軸方向の幅に対して、１／５～１／２程度であることが好ましく、具体的には、０．１ｍｍ～０．２５ｍｍであることが好ましい。さらに、凹部９ｃのＸ軸方向の深さは、電極対向部８ａの厚みに対して、１５％～５０％程度であることが好ましい。なお、凹部９ｃの形状は、半球状に限定されず、円柱状、円錐状、角柱状、角錐状のいずれであっても良い。

また、凹部９ｃの形成個数は、特に制限されず、対向面８ａａの中央よりも下方に、少なくとも１つの凹部９ｃが存在していればよい。対向面８ａａの中央よりも下方に、凹部９ｃが存在すれば、当該凹部９ｃと端面側電極６ａとの間に、ハンダが流れ、フィレット１０ａの角度θを小さくすることができる。なお、リード端子８２では、対向面８ａａの中央より上方においても、凹部９ｃが形成してあるが、中央よりも上方には、必ずしも凹部９ｃを形成する必要はない。

図４Ｃに示すようなリード端子８２の先端形状は、潰し加工時に使用する金型の押圧面に、複数の凸部を設けることで、形成し得る。リード端子８２の先端形状の場合、導電性線材に金型を押し当てる際に、線材と金型の位置ズレに苦慮する必要がなく、製造が容易である。

次に、図４Ｄに示すリード端子８３について説明する。リード端子８３では、電極対向部８ａが、屈曲している。具体的には、電極対向部８ａの上端側が、端面側電極６ａに向かって傾斜しており、電極対向部８ａの下端側が、段差面８ｃから端面側電極６ａと離反する方向に傾斜している。

そして、リード端子８３の電極対向部８ａは、端面側電極６ａと向かい合う２つの傾斜面８ａａ１，８ａａ２を有している。傾斜面８ａａ１は、電極対向部８ａの上端側に位置し、傾斜面８ａａ２は、電極対向部８ａの下端側に位置する。傾斜面８ａａ１と傾斜面８ａａ２とでは、上端側に位置する傾斜面８ａａ１の面積のほうが大きくなっている。図４Ｄに示すような形状は、潰し加工時の金型形状を工夫することで実現できる。もしくは、導電性線材の先端を潰し加工した後、曲げ加工を加えても良い。

リード端子８３では、２つの傾斜面８ａａ１，８ａａ２により凹部９ｄが構成されている。特に、２つの傾斜面８ａａ１，８ａａ２の成す角が凹部９ｄの中央部分となる。リード端子８３においても、ハンダ接合時に、この凹部９ｄと端面側電極６ａとの間にハンダが流れやすくなる。また、リード端子８３においても、凹部９ｄの中央部分は、電極対向部８ａの中央よりも下方に位置する。そのため、ハンダ接合時において、側面側電極６ｂとリード端子８３との間に存在する溶融ハンダが、凹部９ｄ側に引き寄せられ易くなっている。

また、凹部９ｄの場合でも、電極対向部８ａの外側（側縁側）に凹部９ｄが開口している状態となる。

なお、２つの傾斜面８ａａ１，８ａａ２が成す角の角度は、９０度～１５０度とすることが好ましい。また、リード端子８３を使用した場合、リード端子８３と端子電極６との間には、通常の端子よりも広い空間が形成され、ハンダ１０の介在量が多くなる。すなわちハンダ接合部の幅は、広くなる。この場合には、リード端子８３と端子電極６とがより強固に接合され、接合強度が向上する。

次に、図４Ｅに示すリード端子８４について説明する。リード端子８４でも、前述したリード端子８３と同様に、電極対向部８ａが屈曲している。そして、２つの傾斜面８ａａ１，８ａａ２により凹部９ｄが構成されている。リード端子８４でも、２つの傾斜面８ａａ１，８ａａ２の成す角が凹部９ｄの中央部分となり、凹部９ｄの中央部分は、電極対向部８ａの中央よりも下方に位置する。

特に、リード端子８４では、傾斜面８ａａ１，８ａａ２に、それぞれ、Ｙ軸方向に延在する凹部９ｅが形成してある。このリード端子８４を使用した場合であっても、ハンダ付け時に、電極対向部８ａと端面側電極６ａとの間にハンダが引き寄せられ易く、フィレット１０ａの角度θを小さくすることができる。

続いて、図４Ｆに示すリード端子８５について説明する。リード端子８５では、電極対向部８ａの上端側が、端面側電極６ａに向かって屈曲しており、電極対向部８ａの下端側は、Ｚ軸に対して略平行となっている。そのため、リード端子８５の電極対向部８ａは、傾斜面８ａａ１と、端面側電極６ａと略平行な面８ａａ３とを有する。Ｚ軸方向において、傾斜面８ａａ１が上方に位置し、面８ａａ３が下方に位置する。リード端子８５でも、傾斜面８ａａ１と面８ａａ３とで凹部９ｆが構成されており、この場合、凹部９ｆの中央部分とは、面８ａａ３の中心位置を意味する。

リード端子８５を使用した場合であっても、面８ａａ３と端面側電極６ａとの間にハンダが引き寄せられ、フィレット１０ａの角度θを小さくすることができる。

第４実施形態
以下、図５および図６に基づいて、本発明の第４実施形態について説明する。なお、第４実施形態における第１～３実施形態と共通の構成に関しては、説明を省略し、同じ符号を使用する。

第１実施形態でも述べたように、セラミック電子部品２では、セラミック素体４の端子電極６に、一対のリード端子８が接合してある。この一対のリード端子は、先端形状（すなわち電極対向部８ａの形状）が互いに異なるように構成しても良い。第４実施形態では、先端形状が互いに異なる２つのリード端子で、セラミック電子部品を構成する場合について、一例を示す。

図５は、ハンダ付け前に、セラミック素体４を一対のリード端子で仮固定した態を示している。Ｘ軸方向の右側に位置する端子電極６１には、図４Ｄに示すリード端子８３が接合され、反対側の端子電極６２には、図４Ｆに示すリード端子８５が接合される。リード端子８４と８５との組み合わせの場合、セラミック素体４は、３点支持で固定された状態となる。すなわち、仮固定の状態において、セラミック素体４は、リード端子８３の上端と、リード端子８３の段差面８ｃと、リード端子８５の上端との３点で支持されている。

このようにセラミック素体４を３点支持で仮固定した場合、セラミック素体４は、より安定な状態で２つのリード端子８３，８５で固定され、搬送時などにセラミック素体の位置がずれることを防止できる。その結果、リード端子８３，８５とセラミック素体４の端子電極６１，６２とが強固に接合され、電子部品としての信頼性が向上する。

また、第４実施形態では、セラミック素体４の底面４ｄ１と、リード端子８３の段差面８ｃとの間に間隙５０ａが存在し、セラミック素体４の底面４ｄ１と、リード端子８４の段差面８ｃとの間に、間隙５０ｂが存在する。この間隙５０ａと、間隙５０ｂとで、幅を比較すると、間隙５０ｂのほうが広くなっている。このように、一方の間隙５０ｂを他方の間隙５０ａに比べて広くすることで、セラミック素体４に生じるクラックがより有効に抑制される。

なお、上述したような３点支持での固定は、図６に示すように、先端形状が同一のリード端子８６を使用した場合でも実現可能である。図６の場合でも、底面４ｂ１とリード端子８６との間の間隙５０ｃ，５０ｄは、一方の間隙５０ｄのほうが、他方の間隙５０ｃに比べて広くなっている。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば、上述した実施形態では、セラミック素体４が積層セラミックコンデンサである場合について説明したが、セラミック電子部品は、コンデンサ以外に、バリスタ、圧電素子、フィルタ、チップビーズ、インダクタ、サーミスタなどであっても良い。これら電子部品の場合は、セラミック層１４を、圧電体セラミックや、半導体セラミック、磁性体セラミックなどで構成すればよい。

また、上述した実施形態では、リード端子は、Ｘ－Ｙ断面において半円形状を有していたが、たとえば、矩形状や楕円状であっても良い。つまり、電極対向部８ａの対向面８ａａの反対側においても、潰し加工面が形成されていても良い。そして、図６に示すように、対向面８ａａの反対側の面にも、凹部が形成されていても良い。

さらに、キンクとして作用する下方側支持部８ｂｂは、図１，図２Ａにおいて、一対のリード端子８がＸ軸上で離反する方向に折り曲がっているが、Ｘ軸上で近接する方向に折り曲がっていても良く、Ｓ字状の曲線形状を有していても良い。

（実施例１）
実施例１では、図４Ａに示す先端形状を有するリード端子８を使用して、積層セラミックコンデンサを２０個作製し、各サンプルのフィレット１０ａの角度θとクラック発生率とを評価した。

具体的に、実施例１では、リード端子８として、表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線、または、表面に錫めっき層が形成してあるＣＰ線を用いた。そして、第１実施形態で示す製造方法で評価サンプルを作製した。すなわち、実施例１のリード端子８は、ハンダ付け前に先端側のみをハンダ浴に浸漬（浸漬工程）しており、ハンダと接触するリード端子８の表面には、銅および錫を含む合金層が形成してある。また、作製したコンデンサチップの寸法は、長さ１．６ｍｍ×幅０．８ｍｍ×高さ０．８ｍｍとした。

（フィレット１０ａの角度θの測定）
フィレット１０ａの角度θの測定は、ＳＥＭ断面写真を画像解析することで行った。ＳＥＭ観察用の試料は、リード端子８のＹ軸方向の中央において、サンプルのＸ－Ｚ断面を切断し、その断面を鏡面研磨することで得た。

（クラック評価）
また、上記のＳＥＭ観察時に、セラミック素体４の内部（特にセラミック素体４のフィレット１０の近傍）にクラックが存在するか否かを調査した。当該クラックの調査は、２０個の電子部品サンプルについて、それぞれ２箇所で行い（すなわち計４０箇所を調査）、クラックが発生していた割合をクラック発生率として算出した。

上記の評価の結果、実施例１では、Ｃｕ線を用いた場合、フィレット角度θが平均で２２．６度であり、クラック発生率が０％であった。また、ＣＰ線を用いた場合でも、フィレット角度θは、平均で２２．６度であり、クラック発生率は、０％であった。

（実施例２）
実施例２では、実施例１と同様に、リード端子８の先端を図４Ａに示す形状に加工して、積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。ただし、実施例２では、浸漬工程を実施しておらず、リード端端子８の表面には、銅および錫を含む合金層が形成されていない。

実施例２についても、実施例１と同様の評価を行ったところ、Ｃｕ線を用いた場合、フィレット角度θは、平均で３０．７度であり、クラック発生率は、７．５％であった。また、ＣＰ線を用いた場合には、フィレット角度θが、平均で２９．４度であり、クラック発生率が、２．５％であった。

（比較例）
比較例として、電極対向部８ａに凹部が何ら形成されていないリード端子を用いて、積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。なお、比較例サンプルの作製においては、浸漬工程を実施しておらず、リード端子の表面に銅および錫を含む合金層は形成されていない。上記以外の条件は実施例１と共通している。

比較例では、Ｃｕ線を使用した場合、フィレット角度θが平均で７３．０度であり、クラック発生率が４０.０％であった。また、ＣＰ線を使用した場合、フィレット角度θが平均で６０．９度であり、クラック発生率が４７．５％であった。

上記の実施例１，２および比較例の結果から、実施形態で示したように、電極対向部８ａの対向部８ａに凹部を形成することで、フィレット角度θが小さくなり、セラミック素体４の内部に生じるクラックを抑制できることが確認できた。

２ … セラミック電子部品
４ … セラミック素体
４ａ … 端面
４ｂ … 側面
４ｂ１ … 底面
４ｃ … 外側角部
６ … 端子電極
６ａ … 端面側電極
６ｂ … 側面側電極
８ … リード端子
８ａ … 電極対向部
８ａａ … 対向面
８ｂ … 延長部
８ｂａ … 上方側支持部
８ｂｂ … 下方側支持部（キンク）
８ｂｃ … 脚部（基板実装部）
８ｃ … 段差面
８ｄ … 内側角部
９，９ａ～９ｆ… 凹部
１０ … ハンダ
１０ａ … フィレット
１０ａｂ… フィレットの外縁部
２０ … 外装
８０ … 導電性線材

Claims (17)

1. 端面と、側面と、を有するセラミック素体と、
   前記セラミック素体の前記端面から前記側面の一部にかけて形成してある端子電極と、
   接合部材により前記端子電極に接合してあるリード端子と、を有するセラミック電子部品であって、
   前記リード端子は、
   前記端子電極の端面側電極に対応して配置される電極対向部と、
   前記電極対向部の下端から下へ延びる延長部と、
   前記電極対向部と前記延長部との間に位置する段差面と、を有し、
   前記電極対向部には、前記端子電極から離反する方向にへこむ凹部が形成してあり、
   高さ方向において、前記凹部の中央部分が、前記電極対向部の中央よりも下方に位置し、
   前記電極対向部は、前記端子電極の前記端面側電極に向き合う対向面を有し、前記対向面に前記凹部が形成してあり、
   高さ方向において、前記凹部の中央部分が、前記セラミック素体の前記側面のうち底面よりも上方に位置してあり、
   前記凹部の高さ方向の下端が、前記セラミック素体の前記端面と前記底面とが成す外側角部より上方の近傍に位置し、
   前記セラミック素体の前記外側角部は、丸みを帯びており、
   前記リード端子の前記対向面と前記段差面とが成す角には、丸みを帯びた内側角部が形成してあり、
   前記内側角部の曲率半径は、前記外側角部の曲率半径よりも大きいセラミック電子部品。
2. 前記凹部は、前記電極対向部の上端側が前記端子電極に向けて折れ曲がることで形成してある請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記セラミック素体の前記外側角部は、丸みを帯びており、
   高さ方向における前記段差面から前記凹部の下端までの距離は、前記外側角部の曲率半径よりも長い請求項１に記載のセラミック電子部品。
4. 前記凹部の高さ方向の長さは、前記セラミック素体の高さに対して、１／８～１／２である請求項１～３のいずれかに記載のセラミック電子部品。
5. 前記凹部の深さは、前記電極対向部の厚みに対して、３％～５０％である請求項１～４のいずれかに記載のセラミック電子部品。
6. 前記段差面と前記端子電極の側面側電極との間の間隙は、前記電極対向部と前記端子電極の前記端面側電極との間の間隙よりも広い請求項１～５のいずれかに記載のセラミック電子部品。
7. 厚み方向において、前記電極対向部の厚みは、前記延長部の厚みよりも薄い請求項１～６のいずれかに記載のセラミック電子部品。
8. 前記リード端子の前記延長部は、前記段差面の下方から外側に向けて折れ曲がる曲折部を有する請求項１～７のいずれかに記載のセラミック電子部品。
9. 前記接合部材は、ハンダであり、
   前記ハンダと接触する前記リード端子の表面には、銅および錫を含む合金層が形成してある請求項１～８のいずれかに記載のセラミック電子部品。
10. 前記セラミック素体の前記側面と前記リード端子との間には、前記接合部材としてのハンダによるフィレットが形成してあり、
    前記フィレットの角度が、４０度以下である請求項１～９のいずれかに記載のセラミック電子部品。
11. 互いに対向する２つの端面と、２つの前記端面を連結する側面と、を有するセラミック素体と、
    ２つの前記端面に対応して形成してある一対の端子電極と
    一対の前記端子電極にそれぞれ接合してある第１リード端子と第２リード端子と、を有し、
    前記第１リード端子と前記第２リード端子とは、それぞれ
    前記端子電極の端面側電極に対応して配置される電極対向部と、
    前記電極対向部の下端から下へ延びる延長部と、
    前記電極対向部と前記延長部との間に位置する段差面と、を有し、
    それぞれの前記電極対向部には、前記端子電極から離反する方向にへこむ凹部が形成してあり、
    高さ方向において、前記凹部の中央部分が、前記電極対向部の中央よりも下方に位置するセラミック電子部品であって、
    前記第１リード端子と前記第２リード端子とで、前記電極対向部の形状が異なるセラミック電子部品。
12. 前記第１リード端子と前記セラミック素体の前記側面のうち底面との間の間隙は、前記第２リード端子と前記セラミック素体の前記底面との間の間隙よりも広い請求項１１に記載のセラミック電子部品。
13. 端面と、側面と、を有するセラミック素体と、
    前記セラミック素体の前記端面から前記側面の一部にかけて形成してある端子電極と、
    接合部材により前記端子電極に接合してあるリード端子と、を有するセラミック電子部品であって、前記リード端子は、
    前記端子電極の端面側電極に対応して配置される電極対向部と、
    前記電極対向部の下端から下へ延びる延長部と、
    前記電極対向部と前記延長部との間に位置する段差面と、を有し、
    前記電極対向部には、前記端子電極から離反する方向にへこむ凹部が形成してあり、
    高さ方向において、前記凹部の中央部分が、前記電極対向部の中央よりも下方に位置し、
    前記電極対向部は、前記端子電極の前記端面側電極に向き合う対向面を有し、前記対向面に前記凹部が形成してあり、
    高さ方向において、前記凹部の中央部分が、前記セラミック素体の前記側面のうち底面よりも上方に位置してあり、
    前記凹部の高さ方向の下端が、前記セラミック素体の前記端面と前記底面とが成す外側角部より上方の近傍に位置し、
    前記セラミック素体の前記外側角部は、丸みを帯びており、
    高さ方向における前記段差面から前記凹部の下端までの距離は、前記外側角部の曲率半径よりも長いセラミック電子部品。
14. 端面と、側面と、を有するセラミック素体と、
    前記セラミック素体の前記端面から前記側面の一部にかけて形成してある端子電極と、
    接合部材により前記端子電極に接合してあるリード端子と、を有し、
    前記リード端子は、
    前記端子電極の端面側電極に対応して配置される電極対向部と、
    前記電極対向部の下端から下へ延びる延長部と、
    前記電極対向部と前記延長部との間に位置する段差面と、を有し、
    前記電極対向部には、前記端子電極から離反する方向にへこむ凹部が形成してあり、
    高さ方向において、前記凹部の中央部分が、前記電極対向部の中央よりも下方に位置するセラミック電子部品であって、
    前記電極対向部は、前記端子電極の前記端面側電極に向き合う対向面を有し、前記対向面に前記凹部が形成してあり、
    前記段差面と前記端子電極の側面側電極との間の間隙は、前記電極対向部と前記端子電極の前記端面側電極との間の間隙よりも広いセラミック電子部品。
15. 互いに対向する２つの端面と、２つの前記端面を連結する側面と、を有するセラミック素体と、
    ２つの前記端面に対応して形成してある一対の端子電極と
    一対の前記端子電極にそれぞれ接合してある第１リード端子と第２リード端子と、を有するセラミック電子部品であって、
    前記第１リード端子と前記第２リード端子とは、それぞれ
    前記端子電極の端面側電極に対応して配置される電極対向部と、
    前記電極対向部の下端から下へ延びる延長部と、
    前記電極対向部と前記延長部との間に位置する段差面と、を有し、
    それぞれの前記電極対向部には、前記端子電極から離反する方向にへこむ凹部が形成してあり、
    高さ方向において、前記凹部の中央部分が、前記電極対向部の中央よりも下方に位置し、
    前記第１リード端子と前記セラミック素体の前記側面のうち底面との間の間隙は、前記第２リード端子と前記セラミック素体の前記底面との間の間隙よりも広いセラミック電子部品。
16. 端面と、側面と、を有するセラミック素体と、
    前記セラミック素体の前記端面から前記側面の一部にかけて形成してある端子電極と、
    接合部材により前記端子電極に接合してある導電性線材であるリード端子と、を有するセラミック電子部品であって、
    前記リード端子は、
    前記端子電極の端面側電極に対応して配置される電極対向部と、
    前記電極対向部の下端から下へ延びる延長部と、
    前記電極対向部と前記延長部との間に位置する段差面と、を有し、
    前記電極対向部には、前記端子電極から離反する方向にへこむ凹部が形成してあり、
    高さ方向において、前記凹部の中央部分が、前記電極対向部の中央よりも下方に位置し、
    前記凹部は、前記電極対向部の上端側が前記端子電極に向けて折れ曲がることで形成してあるセラミック電子部品。
17. 前記接合部材が、前記端面側電極と前記電極対向部との間、および、前記端子電極の側面側電極と前記段差面との間において、連続して介在してある請求項１６に記載のセラミック電子部品。