JP7109924B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関する。

特許文献１には、一対の透光性基板の間に配置され、所定の屈折率異方性を有するとともに、透光性基板に設けられた電極によって生じる電場に対する応答性が異なる複数の光変調素子を備える光変調層と、光変調層の側面から光変調層に所定の色の光を入射する光源と、を有している表示装置が記載されている。この光変調層は、電場が生じていないときは光源から入射した入射光を透過し、電場が生じているときは入射光を散乱して透光性基板に射出する。

特開２０１６－８５４５２号公報

特許文献１に記載されている表示装置では、内部にある金属層において内部散乱が起こり、透過率が下がる可能性がある。

本発明の目的は、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認可能であって、透過率の低下を抑制できる表示装置を提供することにある。

一態様に係る表示装置は、第１透光性基板と、前記第１透光性基板と対向して配置される第２透光性基板と、前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、前記第１透光性基板及び前記第２透光性基板のうち少なくとも１つの外側表面に、前記第１透光性基板又は前記第２透光性基板からの光を反射し、前記第１透光性基板又は前記第２透光性基板の外側からの光を吸収する多層膜と、を含む。

図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。 図２は、図１の表示装置を表すブロック図である。 図３は、フィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。 図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。 図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。 図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。 図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。 図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。 図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。 図１０は、画素を示す平面図である。 図１１は、図１０のＸＶ－ＸＶ’の断面図である。 図１２は、発光部からの入射光を説明する図である。 図１３は、比較例１の表示装置において、内部にある金属層に起因する内部散乱を模式的に説明するための説明図である。 図１４は、比較例２の表示装置において、内部にある金属層に起因する内部散乱を模式的に説明するための説明図である。 図１５は、本実施形態の表示装置において、内部にある金属層に起因する内部散乱を模式的に説明するための説明図である。 図１６Ａは、本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。 図１６Ｂは、本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。 図１６Ｃは、本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。 図１６Ｄは、本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。 図１６Ｅは、本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。 図１７は、本実施形態の変形例１に係る表示装置の断面の一例を示す断面図である。 図１８は、本実施形態の変形例２に係る表示装置の断面の一例を示す断面図である。 図１９Ａは、本実施形態の変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。 図１９Ｂは、本実施形態の変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。 図１９Ｃは、本実施形態の変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。 図１９Ｄは、本実施形態の変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。 図１９Ｅは、本実施形態の変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。 図２０は、本実施形態の変形例３に係る表示装置の平面を示す平面図である。 図２１は、本実施形態の変形例４に係る多層膜を説明するための断面図である。 図２２は、本実施形態の変形例５に係る表示装置の平面を示す平面図である。 図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ’の断面図である。 図２４は、本実施形態の変形例６に係る表示装置の平面を示す平面図である。 図２５は、図２４のＸＸＶ－ＸＸＶ’の断面図である。 図２６は、図２４のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ’の断面図である。

発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。図２は、図１の表示装置を表すブロック図である。図３は、フィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。

図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２と、サイド光源装置３と、後述する表示制御部５（図２参照）の一部を構成する駆動回路４と、外光設定部９３とを有する。ここで、表示パネル２の平面の一方向がＰＸ方向とされ、ＰＸ方向と直交する方向がＰＹ方向とされ、ＰＸ－ＰＹ平面に直交する方向がＰＺ方向とされている。

表示パネル２は、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、液晶層５０（図５参照）とを備えている。第２透光性基板２０は、第１透光性基板１０の表面に垂直な方向（図１に示すＰＺ方向）に対向して配置される。液晶層５０（図５参照）は、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、封止部１９とで、後述する高分子分散型液晶が封止されている。

図１に示すように、表示パネル２において、封止部１９の内側が、表示領域となる。表示領域には、複数の画素Ｐｉｘがマトリクス状に配置されている。なお、本開示において、行とは、一方向に配列されるｍ個の画素Ｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるｎ個の画素Ｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ｍとｎとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。また、複数の走査線１２が行毎に配線され、複数の信号線１３が列毎に配線されている。

図１に示すように、第２透光性基板２０の外側表面に多層膜７を備えている。多層膜７は、第１方向からの光を反射し、第１方向とは異なる第２方向からの光を吸収する。例えば、第２透光性基板２０内を伝播して多層膜７に到達する光は、多層膜７において第２透光性基板２０内へ反射され、第２透光性基板２０の外側から伝播して多層膜７に到達する外光６９は、多層膜７に吸収される。本実施形態において、多層膜７は、複数の走査線１２及び複数の信号線１３に平面視で重畳する位置に配置されている。このため、多層膜７は、平面視で格子状である。

サイド光源装置３は、発光部３１を備えている。図２に示すように、光源制御部３２と、発光部３１及び光源制御部３２が配置される光源基板３３と、駆動回路４とは、表示制御部５を構成する。光源基板３３がフレキシブル基板であり、光源基板３３が光源制御部３２と駆動回路４とを電気的に接続する配線としても機能する（図２参照）。発光部３１と、光源制御部３２とは、光源基板３３内の配線で電気的に接続されている。

例えば、外光設定部９３は可視光センサであり、可視光センサが例えば、外部光源Ｑの外光６９を検出し、外光６９に応じた外光情報の信号ＥＬＶとして生成する。外光設定部９３は生成した外光情報の信号ＥＬＶを駆動回路４へ伝送する。外光設定部９３は、第１透光性基板１０の表面に固定されている。外光設定部９３は、表示パネル２の周囲の外光６９を検出できれば、固定される位置は問わない。

図１に示すように、駆動回路４は、第１透光性基板１０の表面に固定されている。図２に示すように、駆動回路４は、解析部４１、画素制御部４２、ゲート駆動部４３、ソース駆動部４４及び共通電位駆動部４５を備えている。第１透光性基板１０は、第２透光性基板２０よりもＸＹ平面の面積が大きく、第２透光性基板２０から露出した第１透光性基板１０の張り出し部分に、駆動回路４が設けられる。

解析部４１には、外部の上位制御部９の画像出力部９１から、フレキシブル基板９２を介して、入力信号（ＲＧＢ信号など）ＶＳが入力される。

解析部４１は、入力信号解析部４１１と、外光解析部４１２と、記憶部４１３と、信号調整部４１４とを備える。入力信号解析部４１１は、外部から入力された入力信号ＶＳに基づいて第１画素入力信号ＶＣＳと光源制御信号ＬＣＳとを生成する。光源制御信号ＬＣＳは、例えば、全ての画素Ｐｉｘへの入力階調値に応じて設定される発光部３１の光量の情報を含む信号である。例えば、暗い画像が表示される場合、発光部３１の光量は小さく設定される。明るい画像が表示される場合、発光部３１の光量は大きく設定される。

第１画素入力信号ＶＣＳは、映像信号ＶＳに基づいて、表示パネル２の各画素Ｐｉｘにどのような階調値を与えるかを定める信号である。言い換えると、第１画素入力信号ＶＣＳは、各画素Ｐｉｘの階調値に関する階調情報を含む信号である。画素制御部４２は、第１画素入力信号ＶＣＳの入力階調値にガンマ補正及び伸張処理などの補正処理を加えることによって出力階調値を設定する。

外光解析部４１２には、上述した外光設定部９３からの外光情報の信号ＥＬＶが入力される。外光解析部４１２は、記憶部４１３に記憶されている設定値に基づいて、外光情報の信号ＥＬＶに応じた調整信号ＬＡＳを生成する。

信号調整部４１４は、調整信号ＬＡＳに応じた光源制御信号ＬＣＳを光源制御信号ＬＣＳＡとして生成して光源制御部３２へ送出し、調整信号ＬＡＳに応じた第１画素入力信号ＶＣＳから第２画素入力信号ＶＣＳＡを送出する。

そして、画素制御部４２は、第２画素入力信号ＶＣＳＡに基づいて水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとを生成する。本実施形態では、フィールドシーケンシャル方式で駆動されるので、水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとが発光部３１が発光可能な色毎に生成される。

ゲート駆動部４３は水平駆動信号ＨＤＳに基づいて１垂直走査期間内に表示パネル２の走査線１２を順次選択する。走査線１２の選択の順番は任意である。

ソース駆動部４４は垂直駆動信号ＶＤＳに基づいて１水平走査期間内に表示パネル２の各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号を供給する。

本実施形態において、表示パネル２はアクティブマトリクス型パネルである。このため、平面視でＰＸ方向及びＰＹ方向に延在する信号（ソース）線１３及び走査（ゲート）線１２を有し、信号線１３と走査線１２との立体交差部にスイッチング素子Ｔｒを有する。

スイッチング素子Ｔｒとして薄膜トランジスタが用いられる。薄膜トランジスタの例としては、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを用いてもよい。スイッチング素子Ｔｒとして、シングルゲート薄膜トランジスタを例示するが、ダブルゲートトランジスタでもよい。スイッチング素子Ｔｒのソース電極及びドレイン電極のうち一方は信号線１３に接続され、ゲート電極は走査線１２に接続され、ソース電極及びドレイン電極のうち他方は液晶の容量ＬＣの一端に接続されている。液晶の容量ＬＣは、一端がスイッチング素子Ｔｒに画素電極１６を介して接続され、他端が共通電極２２を介してコモン電位ＣＯＭに接続されている。コモン電位ＣＯＭは、共通電位駆動部４５より供給される。

発光部３１は、第１色（例えば、赤色）の発光体３４Ｒと、第２色（例えば、緑色）の発光体３４Ｇと、第３色（例えば、青色）の発光体３４Ｂを備えている。光源制御部３２は、光源制御信号ＬＣＳＡに基づいて、第１色の発光体３４Ｒ、第２色の発光体３４Ｇ及び第３色の発光体３４Ｂのそれぞれを時分割で発光する。このように、第１色の発光体３４Ｒ、第２色の発光体３４Ｇ及び第３色の発光体３４Ｂは、いわゆるフィールドシーケンシャル方式で駆動される。

図３に示すように、第１サブフレーム（第１所定時間）ＲＯＮにおいて、第１色の発光体３４Ｒが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。このとき表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第１色のみ点灯している。

次に、第２サブフレーム（第２所定時間）ＧＯＮにおいて、第２色の発光体３４Ｇが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。このとき表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第２色のみ点灯している。

さらに、第３サブフレーム（第３所定時間）ＢＯＮにおいて、第３色の発光体３４Ｂが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。このとき表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第３色のみ点灯している。

人間の眼には、時間的な分解能の制限があり、残像が発生するので、１フレーム（１Ｆ）の期間に３色の合成された画像が認識される。フィールドシーケンシャル方式では、カラーフィルタを不要とすることができ、カラーフィルタでの吸収ロスが低減するので、高い透過率が実現できる。カラーフィルタ方式では、第１色、第２色、第３色毎に画素Ｐｉｘを分割したサブピクセルで一画素を作るのに対し、フィールドシーケンシャル方式では、このようなサブピクセル分割をしなくてもよいので、解像度を高めることが容易となる。

図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。図５は、図６のＶ－Ｖ’断面である。図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。

１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、階調信号に応じて画素電極１６への印加電圧が変わる。画素電極１６への印加電圧が変わると、画素電極１６と、共通電極２２との間の電圧が変化する。そして、図４に示すように、画素電極１６への印加電圧に応じて、画素Ｐｉｘ毎の液晶層５０の散乱状態が制御され、画素Ｐｉｘ内の散乱割合が変化する。

図５及び図６に示すように、第１透光性基板１０は、第１主面１０Ａ、第２主面１０Ｂ、第１側面１０Ｃ、第２側面１０Ｄ、第３側面１０Ｅ及び第４側面１０Ｆを備える。第１主面１０Ａと第２主面１０Ｂとは、平行な平面である。また、第１側面１０Ｃと第２側面１０Ｄとは、平行な平面である。第３側面１０Ｅと第４側面１０Ｆとは、平行な平面である。

図５及び図６に示すように、第２透光性基板２０は、第１主面２０Ａ、第２主面２０Ｂ、第１側面２０Ｃ、第２側面２０Ｄ、第３側面２０Ｅ及び第４側面２０Ｆを備える。第１主面２０Ａと第２主面２０Ｂとは、平行な平面である。第１側面２０Ｃと第２側面２０Ｄとは、平行な平面である。第３側面２０Ｅと第４側面２０Ｆとは、平行な平面である。

図５及び図６に示すように、第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃに対向するように、発光部３１が設けられている。図５に示すように、発光部３１は、第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃへ光源光Ｌを照射する。発光部３１と対向する第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃは、光入射面となる。発光部３１と光入射面との間には、空間Ｇが設けられている。空間Ｇは、空気層となっている。

図５に示すように、発光部３１から照射された光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第１側面２０Ｃから遠ざかる方向に伝播する。第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから空気層へ光源光Ｌが向かうと、屈折率の大きな媒質から屈折率の小さな媒質へ進むことになるので、光源光Ｌが第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａへ入射する入射角が臨界角よりも大きければ、光源光Ｌが第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで全反射する。

図５に示すように、第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の内部を伝播した光源光Ｌは、散乱状態となっている液晶がある画素Ｐｉｘで散乱され、散乱光の入射角が臨界角よりも小さな角度となって、放射光６８、６８Ａが第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから外部に放射される。第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから外部に放射された放射光６８、６８Ａは、観察者に観察される。以下、図７から図９を用いて、散乱状態となっている高分子分散型液晶と、非散乱状態の高分子分散型液晶とについて説明する。

図７に示すように、第１透光性基板１０には、第１配向膜５５が設けられている。第２透光性基板２０には、第２配向膜５６が設けられている。第１配向膜５５及び第２配向膜５６は、例えば、垂直配向膜である。

高分子のモノマー中に液晶を分散させた溶液が第１透光性基板１０と第２透光性基板２０との間に封入されている。次に、モノマー及び液晶を第１配向膜５５及び第２配向膜５６によって配向させた状態で、紫外線又は熱によってモノマーを重合させ、バルク５１を形成する。これにより、網目状に形成された高分子のネットワークの隙間に液晶が分散されたリバースモードの高分子分散型の液晶を有する液晶層５０が形成される。

このように、液晶層５０は、高分子によって形成されたバルク５１と、バルク５１内に分散された複数の微粒子５２と、を有する。微粒子５２は、液晶によって形成されている。バルク５１及び微粒子５２は、それぞれ光学異方性を有している。

微粒子５２に含まれる液晶の配向は、画素電極１６と共通電極２２との間の電圧差によって制御される。共通電極２２とした場合、画素電極１６への印加電圧により、液晶の配向が変化する。液晶の配向が変化することにより、画素Ｐｉｘを通過する光の散乱の度合いが変化する。

例えば、図８に示すように、画素電極１６と共通電極２２との間に電圧が印加されていない状態では、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに等しい。微粒子５２の光軸Ａｘ２は、液晶層５０のＰＺ方向と平行である。バルク５１の光軸Ａｘ１は、電圧の有無にかかわらず、液晶層５０のＰＺ方向と平行である。

バルク５１と微粒子５２の常光屈折率は互いに等しい。画素電極１６と共通電極２２との間に電圧が印加されていない状態では、あらゆる方向においてバルク５１と微粒子５２との間の屈折率差がゼロになる。液晶層５０は、光源光Ｌを散乱しない非散乱状態となる。光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、発光部３１から遠ざかる方向に伝播する。液晶層５０が光源光Ｌを散乱しない非散乱状態であると、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａから第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。

図９に示すように、電圧が印加された画素電極１６と共通電極２２との間では、微粒子５２の光軸Ａｘ２は、画素電極１６と共通電極２２との間に発生する電界によって傾くことになる。バルク５１の光軸Ａｘ１は、電界によって変化しないため、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに異なる。電圧が印加された画素電極１６がある画素Ｐｉｘにおいて、光源光Ｌが散乱される。上述したように散乱された光源光Ｌの一部が第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから外部に放射された光は、観察者に観察される。

電圧が印加されていない画素電極１６がある画素Ｐｉｘでは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａから第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。そして、本実施形態の表示装置１は、画像出力部９１から入力信号ＶＳが入力されると、画像が表示される画素Ｐｉｘの画素電極１６に電圧が印加され、入力信号ＶＳに基づく画像が背景とともに視認される。

電圧が印加された画素電極１６がある画素Ｐｉｘにおいて光源光Ｌが散乱されて外部に放射された光によって表示された画像は、背景に重なり、表示されることになる。換言すると、本実施形態の表示装置１は、放射光６８又は放射光６８Ａと、背景との組み合わせにより、画像を背景に重ね合わせて表示する。なお、表示パネル２への外光６９の入射があると、外光６９も印加電圧に応じて画素Ｐｉｘ内で散乱して、上述した放射光６８として放射される。

図１０は、画素を示す平面図である。図１１は、図１０のＸＶ－ＸＶ’の断面図である。図１、図２及び図１０に示すように、第１透光性基板１０には、複数の信号線１３と複数の走査線１２とが平面視において格子状に設けられている。隣り合う走査線１２と隣り合う信号線１３とで囲まれる領域が、画素Ｐｉｘである。画素Ｐｉｘには、画素電極１６とスイッチング素子Ｔｒとが設けられている。本実施形態において、スイッチング素子Ｔｒは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子Ｔｒは、走査線１２と電気的に接続されているゲート電極１２Ｇと平面視において重畳する半導体層１５を有する。

走査線１２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線であり、信号線１３は、アルミニウム等の金属又は合金の配線である。

半導体層１５は、平面視において、ゲート電極１２Ｇからはみ出さないように設けられている。これにより、ゲート電極１２Ｇ側から半導体層１５に向かう光源光Ｌが反射され、半導体層１５に光リークが生じにくくなる。

図１０に示すように、信号線１３と電気的に接続するソース電極１３Ｓは、平面視において、半導体層１５の一端部と重畳している。

図１０に示すように、平面視において、半導体層１５の中央部を挟んでソース電極１３Ｓと隣り合う位置には、ドレイン電極１４Ｄが設けられている。ドレイン電極１４Ｄは、平面視において、半導体層１５の他端部と重畳している。ソース電極１３Ｓ及びドレイン電極１４Ｄと重畳しない部分は、スイッチング素子Ｔｒのチャネルとして機能する。図１１に示すように、ドレイン電極１４Ｄと接続される導電性配線１４は、スルーホールＳＨで画素電極１６と電気的に接続されている。

図１１に示すように、第１透光性基板１０は、例えばガラスで形成された第１基材１１を有している。第１基材１１は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第１基材１１上には、絶縁層１７がある。絶縁層１７は、第１絶縁層１７ａ、第２絶縁層１７ｂ及び第３絶縁層１７ｃを有している。第１基材１１上には、第１絶縁層１７ａが設けられ、第１絶縁層１７ａ上に走査線１２及びゲート電極１２Ｇが設けられる。また、走査線１２を覆って第２絶縁層１７ｂが設けられている。第１絶縁層１７ａ、第２絶縁層１７ｂは、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁部材によって形成されている。

第２絶縁層１７ｂ上には、半導体層１５が積層されている。半導体層１５は、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコン又は酸化物半導体によって形成されていてもよい。

第２絶縁層１７ｂ上には、半導体層１５の一部を覆うソース電極１３Ｓ及び信号線１３と、半導体層１５の一部を覆うドレイン電極１４Ｄと、導電性配線１４とが設けられている。ドレイン電極１４Ｄは、信号線１３と同じ材料で形成されている。半導体層１５、信号線１３及びドレイン電極１４Ｄ上には、第３絶縁層１７ｃが設けられている。第３絶縁層１７ｃは、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁部材によって形成されている。

第３絶縁層１７ｃ上には、画素電極１６が設けられている。画素電極１６は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透光性導電部材によって形成されている。画素電極１６は、第３絶縁層１７ｃに設けられたコンタクトホールを介して導電性配線１４及びドレイン電極１４Ｄと電気的に接続されている。画素電極１６の上には、第１配向膜５５が設けられている。

第２透光性基板２０は、例えばガラスで形成された第２基材２１を有している。第２基材２１は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第２基材２１には、共通電極２２が設けられている。共通電極２２は、ＩＴＯなどの透光性導電部材によって形成されている。共通電極２２の表面には、第２配向膜５６が設けられている。

図１２は、発光部からの入射光を説明する図である。発光部３１からの光は、第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃへ角度θ０で入射すると、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａへ角度ｉ１で入射する。角度ｉ１が臨界角よりも大きければ、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａにおいて角度ｉ２で全反射された光源光Ｌが、第２透光性基板２０内を伝播していくことになる。図１２に示す発光部３１と第１側面２０Ｃ（光入射面）との間に、空間Ｇが設けられているので、角度ｉ１が臨界角よりも小さくなる角度θＮの光源光ＬＮが第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃへ導光されない。

図１１に示すように、多層膜７は、第２透光性基板２０側から順に、反射層７１と、光吸収層７２とが積層されている。反射層７１は、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａにある。このように、本実施形態の多層膜７は、走査線１２、信号線１３、スイッチング素子Ｔｒとは、異なる層に配置されている。

図１１に示す反射層７１は、第２透光性基板２０内を伝播して反射層７１に到達する光を、第２透光性基板２０内へ反射する。光吸収層７２は、第２透光性基板２０の外側から伝播して多層膜７に到達する光を吸収する。反射層７１は、例えば、クロム又はクロム合金である。光吸収層７２は、反射層７１よりも黒く、例えば、酸化クロムである。

図１０において、二点鎖線は、重畳する多層膜７の占める部分を示している。図１０に示すように、本実施形態の多層膜７において、ＰＸ方向の幅７Ｗ１が、走査線１２のＰＸ方向の幅よりも広い。また、本実施形態の多層膜７において、ＰＹ方向の幅７Ｗ２が、信号線１３のＰＹ方向の幅よりも広い。また、本実施形態の多層膜７は、スイッチング素子Ｔｒが占める面積を覆う。以上により、また、本実施形態の多層膜７は、平面視で、走査線１２、信号線１３、スイッチング素子Ｔｒに重畳し、かつ走査線１２、信号線１３、スイッチング素子Ｔｒを覆う。

図１３は、比較例１の表示装置において、内部にある金属層に起因する内部散乱を模式的に説明するための説明図である。図１４は、比較例２の表示装置において、内部にある金属層に起因する内部散乱を模式的に説明するための説明図である。図１５は、本実施形態の表示装置において、内部にある金属層に起因する内部散乱を模式的に説明するための説明図である。図１５は、図１０のＸＶ－ＸＶ’の位置における、第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の断面を模式的に説明する断面図でもある。

図１３、図１４及び図１５において、以下、本実施形態の多層膜７の作用について、図１３に示す比較例１及び図１４に示す比較例２と対比しながら、説明する。なお、図１３、図１４及び図１５において、内部にある金属層は、信号線１３を用いて説明する。内部にある金属層は、走査線１２、ソース電極１３Ｓ、ドレイン電極１４Ｄ又はゲート電極１２Ｇであっても以下に示す作用は同様である。図１３、図１４及び図１５において、光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、上述した光源光Ｌ及び表示パネル２への外光６９の入射に基づいた光である。

図１３に示す比較例の表示装置は、本実施形態の多層膜７を有していない。図１３に示すように、上述した画素Ｐｉｘの透光領域ＴＡと、信号線１３などの上述した金属層がある配線領域ＰＡとがある。図１３に示すように、上述した光源光Ｌ（図１２参照）のうち、光Ｌ１が配線領域ＰＡの信号線１３に到達すると、信号線１３は、金属光沢を有しているので、散乱光ＳＬを生じる。散乱光ＳＬの一部は、第２透光性基板２０と空気層との界面において入射角が臨界角よりも小さな角度となって、漏れ光ＬＬが第１主面２０Ａから外部に放射される。

漏れ光ＬＬを抑制するため、図１４に示す比較例２の表示装置は、信号線１３と平面視で重畳する位置であって、第２基材２１の液晶層５０側に、光を遮蔽する遮蔽層７９を備える。図１４に示すように、上述した光源光Ｌ（図１２参照）のうち、光Ｌ１が配線領域ＰＡの信号線１３に到達すると、信号線１３は、金属光沢を有しているので、散乱光ＳＬを生じる。ここで、遮蔽層７９は、第２透光性基板２０と空気層との界面において入射角が臨界角よりも小さな角度となる散乱光ＳＬを抑制する。しかしながら、遮蔽層７９は、第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の内部を伝播した光源光Ｌ（図１２参照）のうち、光Ｌ３をも遮蔽してしまう。このため、非散乱状態の透光領域ＴＡに隣接する配線領域ＰＡにおいて導光する光が減少してしまう可能性がある。その結果、第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の内部を伝播する光の光量が全体的に減少してしまう可能性がある。第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の内部を伝播する光の光量を補うため、サイド光源装置３の出力を上げてもよいが、表示装置の消費電力が上がってしまう。

これに対して、図１５に示す本実施形態の多層膜７は、散乱光ＳＬを第２透光性基板２０の内部へ反射することができる。また、多層膜７は、光Ｌ３も反射層７１で反射できるので、第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の内部を伝播する光の光量の減少を抑制することができる。その結果、本実施形態の表示装置は、消費電力を低くすることができる。

また、多層膜７が反射層７１を有していても、第２透光性基板２０の外側から伝播して多層膜７に到達する外光６９は、光吸収層７２に吸収される。このため、外光６９が多層膜７で反射する反射光が抑制される。

図１６Ａから図１６Ｅは、本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。

＜封着工程＞
図１６Ａに示すように、まず、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、が貼り合わされる。

＜多層膜の成膜工程＞
次に、封着された第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０に対して、一面にまず、クロムの単層をスパッタリングにより成膜する。次に、図１６Ｂに示すように、成膜されたクロム単層の表面に酸化クロムをスパッタリングにより成膜し、多層膜７を成膜する。

成膜された酸化クロムは、黒色のため、上述した光吸収層７２になる。上述した工程によれば、金属光沢を有するクロムが第２透光性基板２０側に残る。金属光沢を有するクロムが反射層７１になる。

本実施形態において、反射層７１は、純クロムであるが、クロムを含んでいればよく、クロム合金であってもよい。

＜リソグラフィー工程＞
次に、多層膜７の上に、レジストを塗布し、塗布したレジストにパターン露光を行う。パターン露光したレジストを現像することで、図１６Ｃに示すように、パターンが付与されたレジスト層９９が多層膜７の上に残る。

＜エッチング工程＞
次に、図１６Ｄに示すように、レジスト層９９が付着していない部分の多層膜７がエッチングされる。

＜レジスト除去工程＞
次に、図１６Ｅに示すように、エッチング後のレジスト層９９が除去される。その後、適宜適切な大きさに切断されるダイシング工程があってもよい。

第２透光性基板２０に、多層膜７が形成されている例を説明したが、第２透光性基板２０の代わりに第１透光性基板１０の主面１０Ａに、多層膜７が形成されていても同様である。

以上説明したように、本実施形態の表示装置１は、第１透光性基板１０と、第１透光性基板１０と対向して配置される第２透光性基板２０と、第１透光性基板１０と第２透光性基板２０との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層５０と、多層膜７とを含む。多層膜７は、第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０のうち少なくとも１つの外側表面にある。そして、多層膜７は、第１透光性基板１０又は第２透光性基板２０からの光を反射し、第１透光性基板１０又は第２透光性基板２０の外側からの光を吸収する。

第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の内部には、信号線１３、走査線１２、スイッチング素子Ｔｒなどの金属層による散乱光ＳＬが生じる。散乱光ＳＬは、上述した外光６９の影響でも生じる。本実施形態の表示装置１は、散乱光ＳＬが生じても多層膜７で反射され、散乱光ＳＬが第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の外へ漏れにくい。散乱光ＳＬが第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の外へ漏れると、透過率の低下が生じ、表示装置１が白く見えることができる。これに対し、本実施形態の表示装置１は、非表示状態において、透過率の低下を抑制できるので、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景をより視認できる。

散乱光ＳＬは、光源光Ｌでも生じる。表示状態において、信号線１３、走査線１２、スイッチング素子Ｔｒなどの金属層で、散乱光ＳＬが生じても多層膜７で反射され、散乱光ＳＬが第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の外へ漏れにくい。その結果、本実施形態の表示装置１は、表示状態において、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景をより視認できるので、この背景とともに表示画像を観察者が視認できる。

本実施形態において、多層膜７は、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａにある例を説明したが、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａにはなく、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａにあっても、同様の作用効果を奏する。

（変形例１）
図１７は、本実施形態の変形例１に係る表示装置の断面の一例を示す断面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１７に示すように、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ及び多層膜７は、透光性を有する保護層７９で覆われている。保護層７９には、例えば、アクリルを主剤とした有機膜や酸化シリコン膜、窒化シリコン膜などの無機膜が用いられる。保護層７９は、多層膜７の損傷を抑制することができる。

（変形例２）
図１８は、本実施形態の変形例２に係る表示装置の断面の一例を示す断面図である。上述した本実施形態及び変形例で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１８に示すように、本実施形態の変形例２に係る表示装置１は、第１透光性基板１０の外側表面に多層膜７を備えている。図１８に示すように、多層膜７は、第１透光性基板１０側から順に、反射層７１と、光吸収層７２とが積層されている。反射層７１は、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａにある。第１透光性基板１０内を伝播して多層膜７に到達する光は、多層膜７において第１透光性基板１０内へ反射され、第１透光性基板１０の外側から伝播して多層膜７に到達する外光は、多層膜７に吸収される。本実施形態において、多層膜７は、複数の走査線１２及び複数の信号線１３（図１参照）に平面視で重畳する位置に配置されている。このため、多層膜７は、平面視で格子状である。

図１９Ａから図１９Ｅは、本実施形態の変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。本実施形態の変形例２に係る表示装置の製造方法においても、上述した封着工程、多層膜の成膜工程、リソグラフィー工程、エッチング工程及びレジスト除去工程を順に処理し、図１９Ｅの表示装置を得る。

＜保護層の成膜工程＞
次に、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ及び多層膜７の上に、保護層９８を成膜する。なお、この状態で、製造を終了すると、上述した本実施形態の変形例１に係る表示装置１ができる。本実施形態の変形例２においては、保護層９８がレジストである。保護層９８は、以降の工程により、多層膜７が損傷することを抑制する。

＜多層膜の成膜工程＞
次に、第１透光性基板１０に対して、クロムの単層をスパッタリングにより成膜する。次に、図１９Ｂに示すように、成膜されたクロム単層の表面に酸化クロムをスパッタリングにより成膜し、多層膜７を成膜する。

成膜された酸化クロムは、黒色のため、上述した光吸収層７２になる。上述した工程によれば、金属光沢を有するクロムが第１透光性基板１０側に残る。金属光沢を有するクロムが反射層７１になる。

＜リソグラフィー工程＞
次に、多層膜７の上に、レジストを塗布し、塗布したレジストにパターン露光を行う。パターン露光したレジストを現像することで、図１９Ｃに示すように、パターンが付与されたレジスト層９９が多層膜７の上に残る。

＜エッチング工程＞
次に、図１９Ｄに示すように、レジスト層９９が付着していない部分の多層膜７がエッチングされる。

＜レジスト除去工程＞
次に、図１９Ｅに示すように、エッチング後のレジスト層９９及び保護層９８が除去される。その後、適宜適切な大きさに切断されるダイシング工程があってもよい。

本実施形態の変形例１のように、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ及び多層膜７は、透光性を有する保護層で覆われるようにしてもよい。

（変形例３）
図２０は、本実施形態の変形例３に係る表示装置の平面を示す平面図である。上述した本実施形態及び変形例で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

本実施形態の変形例３において、多層膜７は、格子状ではなく、線状である。図２０に示す領域Ｐ１と領域Ｐ２とは、発光部３１からの距離が異なるため、面内の光量が異なる。発光部３１は、ＰＹ方向に発光する。多層膜７は、発光部３１が発光するＰＹ方向に対し交差する方向に延びる。これにより、多層膜７、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、光源光が伝播するので、領域Ｐ１と領域Ｐ２との面内の光量差が小さくなる。

（変形例４）
図２１は、本実施形態の変形例４に係る多層膜を説明するための断面図である。上述した本実施形態及び変形例で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

本実施形態の変形例４において、多層膜７は、第２透光性基板２０側から順に、反射層７１と、光吸収層７２とが積層されている。反射層７１の縁部７１ｅは、光吸収層７２に覆われている。本実施形態の変形例４において、反射層７１を成膜した後、別の材料で反射層７１の縁部７１ｅを覆うように、光吸収層７２を成膜する。

この構造により、反射層７１の縁部７１ｅにおいて、外光が反射されにくくなる。その結果、観察者は、多層膜７が視認しにくくなり、多層膜７が不可視化される。

反射層７１は、クロムよりも光の反射率の高いアルミニウム又はアルミニウム合金である。反射層７１は、銀又は銀合金であってもよい。光吸収層７２は、反射層７１よりも光を吸収する樹脂又は酸化クロムである。光吸収層７２は、酸化チタンであってもよい。

（変形例５）
図２２は、本実施形態の変形例５に係る表示装置の平面を示す平面図である。図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ’の断面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図２２のＶ－Ｖ’の断面は、図５に示す本実施形態の表示装置と同じであるので、重複する説明は省略する。

図２２及び図２３に示すように、第２透光性基板２０の第４側面２０Ｆに対向するように、発光部３１が設けられている。図２３に示すように、発光部３１は、第２透光性基板２０の第４側面２０Ｆへ光源光Ｌを照射する。発光部３１と対向する第２透光性基板２０の第４側面２０Ｆは、光入射面となる。発光部３１と光入射面との間には、空間Ｇが設けられている。空間Ｇは、空気層となっている。

図２３に示すように、発光部３１から照射された光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第４側面２０Ｆから遠ざかる方向に伝播する。

本実施形態の変形例５に係る表示装置１は、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、液晶層５０と、発光部３１と、を含む。２つの発光部３１は、第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃ及び第４側面２０Ｆに対向してそれぞれ配置されている。２つの発光部３１から出射されて表示パネル２内で伝播する面内の光の光量が増える。そして、表示パネル２内で伝播する面内の光の均一性も向上する。図６に示す領域Ｐ１と領域Ｐ２とは、発光部３１からの距離が異なるため、面内の光量が異なる。これに対して、本実施形態の変形例５に係る表示装置１においては、交差する２方向から光が伝播するので、面内の光量差が小さくなる。

（変形例６）
図２４は、本実施形態の変形例６に係る表示装置の平面を示す平面図である。図２５は、図２４のＸＸＶ－ＸＸＶ’の断面図である。図２６は、図２４のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ’の断面図である。上述した本実施形態及び変形例で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図２４及び図２５に示すように、第２透光性基板２０の第２側面２０Ｄに対向するように、発光部３１が設けられている。図２５に示すように、発光部３１は、第２透光性基板２０の第２側面２０Ｄへ光源光Ｌを照射する。発光部３１と対向する第２透光性基板２０の第２側面２０Ｄは、光入射面となる。発光部３１と光入射面との間には、空間Ｇが設けられている。空間Ｇは、空気層となっている。

図２５に示すように、発光部３１から照射された光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第２側面２０Ｄから遠ざかる方向に伝播する。

図２４及び図２６に示すように、第２透光性基板２０の第３側面２０Ｅに対向するように、発光部３１が設けられている。図２６に示すように、発光部３１は、第２透光性基板２０の第３側面２０Ｅへ光源光Ｌを照射する。発光部３１と対向する第２透光性基板２０の第３側面２０Ｅは、光入射面となる。発光部３１と光入射面との間には、空間Ｇが設けられている。空間Ｇは、空気層となっている。

図２６に示すように、発光部３１から照射された光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第３側面２０Ｅから遠ざかる方向に伝播する。

本実施形態の変形例６に係る表示装置１は、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、液晶層５０と、発光部３１と、を含む。２つの発光部３１は、第２透光性基板２０の第２側面２０Ｄ及び第３側面２０Ｅに対向してそれぞれ配置されている。２つの発光部３１から出射されて表示パネル２内で伝播する面内の光の光量が増える。そして、表示パネル２内で伝播する面内の光の均一性も向上する。図６に示す領域Ｐ１と領域Ｐ２とは、発光部３１からの距離が異なるため、面内の光量が異なる。これに対して、本実施形態の変形例６に係る表示装置１においては、交差する２方向から光が伝播するので、面内の光量差が小さくなる。

また、本実施形態の変形例６に係る表示装置１は、本実施形態と同様に、バックライト装置又は反射板が第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ側にない。このため、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａから第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。

以上、実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。上述した発明を基にして当業者が適宜設計変更して実施しうる全ての発明も、本開示の要旨を包含する限り、本開示の技術的範囲に属する。

例えば、表示パネル２は、スイッチング素子を有しないパッシブマトリクス型パネルであってもよい。パッシブマトリクスパネル型パネルには、平面視でＰＸ方向に延在する第１電極及びＰＹ方向に延在する第２電極及び第１電極又は第２電極に電気的に接続された配線を有する。第１電極、第２電極及び配線は、例えばＩＴＯなどで形成される。例えば、上述した第１電極を有した第１透光性基板１０と、第２電極を有した第２透光性基板２０とが液晶層５０を挟んで、互いに対向されるように配置される。

また、第１配向膜５５及び第２配向膜５６が垂直配向膜である例について述べたが、第１配向膜５５及び第２配向膜５６はそれぞれ水平配向膜であってもよい。第１配向膜５５及び第２配向膜５６は、モノマーを高分子化する際に、モノマーを所定の方向に配向させる機能を有していればよい。これにより、モノマーは、所定の方向に配向した状態で高分子化したポリマーとなる。第１配向膜５５及び第２配向膜５６が水平配向膜の場合は、画素電極１６と共通電極２２との間に電圧が印加されていない状態で、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに等しく、ＰＺ方向と直交する方向となる。当該ＰＸ方向と垂直な方向とは、平面視で第１透光性基板１０の辺に沿ったＰＸ方向又はＰＹ方向に該当する。

１ 表示装置
２ 表示パネル
３ サイド光源装置
４ 駆動回路
７ 多層膜
９ 上位制御部
１０Ａ 第１主面
１０Ｂ 第２主面
１０Ｃ 第１側面
１０Ｄ 第２側面
１０Ｅ 第３側面
１０Ｆ 第４側面
１０ 第１透光性基板
１２ 走査線
１２Ｇ ゲート電極
１３Ｓ ソース電極
１３ 信号線
１４Ｄ ドレイン電極
１４ 導電性配線
１５ 半導体層
１６ 画素電極
１９ 封止部
２０ 第２透光性基板
２０Ａ 第１主面
２０Ｂ 第２主面
２０Ｃ 第１側面
２０Ｄ 第２側面
２０Ｅ 第３側面
２０Ｆ 第４側面
２２ 共通電極
３１ 発光部
３２ 光源制御部
３３ 光源基板
３４Ｒ 発光体
３４Ｇ 発光体
３４Ｂ 発光体
４１ 解析部
４２ 画素制御部
４３ ゲート駆動部
４４ ソース駆動部
４５ 共通電位駆動部
５０ 液晶層
５１ バルク
５２ 微粒子
５５ 第１配向膜
５６ 第２配向膜
７１ 反射層
７２ 光吸収層
９１ 画像出力部
９２ フレキシブル基板
９３ 外光設定部

Claims (9)

1. 第１主面及び前記第１主面と平行な平面である第２主面を備える第１透光性基板と、
   前記第１透光性基板と対向して配置され、第１主面及び前記第１主面と平行な平面である第２主面を備える第２透光性基板と、
   前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間に高分子分散型液晶を有する液晶層と、
   前記第１透光性基板及び前記第２透光性基板のうち少なくとも１つの外側表面に、前記第１透光性基板又は前記第２透光性基板からの光を反射し、前記第１透光性基板又は前記第２透光性基板の外側からの光を吸収する多層膜と、を含み、
   前記高分子分散型液晶が非散乱状態である場合、前記第１透光性基板の第１主面から前記第２透光性基板の第１主面側の背景が視認され、又は前記第２透光性基板の第１主面から前記第１透光性基板の第１主面側の背景が視認される、表示装置。
2. 前記多層膜は、反射層と、光吸収層とを有する請求項１に記載の表示装置。
3. 前記反射層が前記第２透光性基板の第１主面にある、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記反射層が前記第１透光性基板の第１主面にある、請求項２又は３に記載の表示装置。
5. 前記反射層は、クロムを含み、前記光吸収層は、酸化クロムである、請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記反射層は、アルミニウムを含み、前記光吸収層は、樹脂又は酸化クロムである、請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記反射層の縁部は、前記光吸収層に覆われている、請求項２から６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第１透光性基板には、複数の信号線と、前記信号線と平面視で立体交差する複数の走査線と、前記信号線と前記走査線とが立体交差する立体交差部にスイッチング素子とがあり、
   前記多層膜は、平面視で、前記信号線、前記走査線又はスイッチング素子のいずれかに重畳している、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記第１透光性基板には、複数の信号線と、前記信号線と平面視で立体交差する複数の走査線と、があり、
   前記多層膜は、平面視で前記信号線及び前記走査線に重畳し、格子状である請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。

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