JP6905498B2 - 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法に関する。

近年、青色光を出力する発光ダイオードやレーザダイオード等の窒化物半導体発光素子が実用化されており、発光出力を向上させた窒化物半導体発光素子の開発が進められている（特許文献１参照。）。

特許文献１に記載の窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、トリガ層と、Ｖピット拡大層と、発光層を形成する多重量子井戸層と、ｐ型窒化物半導体層とがこの順で設けられて構成された窒化物半導体発光素子であって、前記多重量子井戸層には、Ｖピットが形成されており、前記トリガ層は、前記ｎ型窒化物半導体層の上面を構成する材料とは異なる格子定数を有する窒化物半導体材料からなり、前記Ｖピット拡大層は、前記ｎ型窒化物半導体層の上面を構成する材料とは実質的に同一の格子定数を有する窒化物半導体材料からなり、５ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の厚みを有している。

ところで、非特許文献１には、多重量子井戸層におけるＶピットの作用が記載されている。具体的には、非特許文献１には、多重量子井戸層内にＶピットがあると、Ｖピットの斜面における量子井戸幅が狭くなるため、量子準位のエネルギーが大きくなるなどの効果により、実効的なバンドギャップが大きくなり、量子井戸における電子・ホールがＶピット内部に到達することが妨げられ、結果として多重量子井戸層内における非発光再結合が抑制されることが記載されている。特許文献１に記載の窒化物半導体発光素子は、この多重量子井戸層におけるＶピットの作用に関わる技術思想に基づいてなされた発明に係るものである。

特許第５８８１３９３号公報

A. Hangleiter, F. Hitzel, C. Netzel, D. Fuhrmann, U. Rossow, G. Ade, and P. Hinze, "Suppression of Nonradiative Recombination by V-Shaped Pits in GaInN/GaN Quantum Wells Produces a Large Increase in the Light Emission Efficiency", Physical Review Letters 95, 127402 (2005)

特許文献１に記載の窒化物半導体発光素子では、トリガ層としてのｎ型窒化物半導体層の他に、Ｖピット拡大層としての窒化物半導体材料を含む層をさらに形成する必要があり、窒化物半導体発光素子を形成する工程が多くなるとともに、製造コストの上昇を招いていた。

そこで、本発明は、Ｖピットを形成することにより発光出力を向上させつつ、トリガ拡大層を不要とすることにより製造コストを低減することができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決することを目的として、ｎ型ＡｌＧａＮによって形成されたｎ型クラッド層と、ＡｌＧａＮによって形成された障壁層を前記ｎ型クラッド層側に有する多重量子井戸層と、を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｎ型クラッド層及び前記障壁層の間に位置する、Ｓｉを含んで形成されたトリガ層をさらに備え、前記ｎ型クラッド層及び前記多重量子井戸層は、複数の、前記ｎ型クラッド層中の転位を始端とするＶピットが形成されており、前記トリガ層は、一つの層からなるとともに、前記ｎ型クラッド層と前記障壁層との双方に接しており、前記トリガ層における前記Ｓｉの濃度は、前記ｎ型クラッド層中の前記転位の密度の５．０×１０^９〜５．０×１０^１０倍である、窒化物半導体発光素子を提供する。また、本発明は、基板上にｎ型ＡｌＧａＮを有するｎ型クラッド層を形成する工程と、ＡｌＧａＮを有する障壁層を前記ｎ型クラッド層側に有する多重量子井戸層を形成する工程と、前記ｎ型クラッド層と前記障壁層との双方に接するよう、Ｓｉが含まれた一つの層からなるトリガ層を形成する工程とを備え、前記トリガ層を形成する工程は、前記トリガ層のＳｉ濃度が前記ｎ型クラッド層中の転位の密度の５．０×１０^９〜５．０×１０^１０倍となるように前記Ｓｉの供給量を調整しながら形成する、窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。

本発明によれば、Ｖピットを形成することにより発光出力を向上させつつ、トリガ拡大層を不要とすることにより製造コストを低減することができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することができる。

図１は、本発明の実施の形態に係る窒化物半導体発光素子の構成を概略的に示す断面図である。 図２は、Ｖピットを示す画像であり、（ａ）は、Ｖピットが形成された窒化物半導体発光素子の縦断面を示す画像であり、（ｂ）は、（ａ）の一部を拡大して示すＶピットの拡大画像である。 図３は、実施例及び比較例の発光波長と発光出力との関係を示す図である。 図４は、図３に示す実施例及び比較例の順方向に供給される電流及び発光出力のデータを示す表である。

［実施の形態］
本発明の実施の形態について、図１から図４を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。また、各図面における各構成要素の寸法比は、必ずしも実際の窒化物半導体発光素子の寸法比と一致するものではない。

図１は、本発明の実施の形態に係る窒化物半導体発光素子の構成を概略的に示す断面図である。窒化物半導体発光素子１（以下、単に「発光素子１」ともいう。）は、紫外領域の波長の光を発する発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）である。本実施の形態では、特に、中心波長が２５０ｎｍ〜３５０ｎｍの深紫外光を発する発光素子１を例に挙げて説明する。

図１に示すように、発光素子１は、基板１０と、バッファ層２０と、ｎ型クラッド層３０と、トリガ層４０と、多重量子井戸層５０と、電子ブロック層６０と、ｐ型クラッド層７０と、ｐ型コンタクト層８０と、ｎ側電極９０と、ｐ側電極９２とを含んで構成されている。

発光素子１を構成する半導体には、例えば、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）にて表されるIII族窒化物半導体を用いることができる。また、これらのIII族元素の一部は、インジウム（Ｉｎ）、ホウ素（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置き換えても良く、また、Ｎの一部をリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置き換えても良い。

基板１０は、発光素子１が発する深紫外光に対して透光性を有している。基板１０は、例えば、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）を含むサファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）基板である。基板１０には、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）基板の他に、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板や、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）基板を用いてもよい。

バッファ層２０は、基板１０上に形成されている。バッファ層２０は、ＡｌＮ層２２と、ＡｌＮ層２２上に形成されるアンドープのｕ−Ａｌ_ｐＧａ_１−ｐＮ層２４（０≦ｐ≦１）を含んで構成されている。また、基板１０及びバッファ層２０は、下地構造部２を構成する。なお、ｕ−Ａｌ_ｐＧａ_１−ｐＮ層２４は、必ずしも設けなくてもよい。

ｎ型クラッド層３０は、下地構造部２上に形成されている。ｎ型クラッド層３０は、ｎ型のＡｌＧａＮ（以下、単に「ｎ型ＡｌＧａＮ」ともいう。）により形成された層であり、例えば、ｎ型の不純物としてシリコン（Ｓｉ）がドープされたＡｌ_ｑＧａ_１−ｑＮ層（０≦ｑ≦１）である。なお、ｎ型の不純物としては、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、炭素（Ｃ）等を用いてもよい。ｎ型クラッド層３０は、１μｍ〜３μｍ程度の厚さを有し、例えば、２μｍ程度の厚さを有している。ｎ型クラッド層３０は、単層でもよく、多層構造でもよい。

トリガ層４０は、ｎ型クラッド層３０上に形成されている。トリガ層４０は、後述する多重量子井戸層５０に形成されるＶピット１００（図２（ａ）参照）を発生させる役割を担う層である。トリガ層４０は、１〜１００ｎｍ程度の厚さを有し、例えば、２５ｎｍ程度の厚さを有している。

トリガ層４０は、シリコン（Ｓｉ）を含んで形成される層である。トリガ層４０のＳｉの濃度は、ｎ型クラッド層３０内に生じる転位等の欠陥の密度に応じて適宜調整される。一例として、ｎ型クラッド層３０に１．０×１０^９個／ｃｍ^３の転位が存在する場合、トリガ層４０のＳｉの濃度は、例えば、５．０×１０^１８ｃｍ^−３〜５．０×１０^１９ｃｍ^−３である。

発光層を形成する多重量子井戸層５０は、トリガ層４０上に形成されている。多重量子井戸層５０は、Ａｌ_ｒＧａ_１−ｒＮを含んで構成される多重量子井戸層のｎ型クラッド層３０側の障壁層５２ａを含む３層の障壁層５２ａ，５２ｂ，５２ｃとＡｌ_ｓＧａ_１−ｓＮを含んで構成される３層の井戸層５４ａ，５４ｂ，５４ｃ（０≦ｒ≦１、０≦ｓ≦１、ｒ＞ｓ）とを交互に積層したものである。多重量子井戸層５０は、波長３５０ｎｍ以下の深紫外光を出力するためにバンドギャップが３．４ｅＶ以上となるように構成される。なお、本実施の形態では、多重量子井戸層５０に３つの障壁層５２ａ，５２ｂ，５２ｃ及び井戸層５４ａ，５４ｂ，５４ｃを設けたが、層の数は３つに限定されるものではなく、２つでもよく、４つ以上でもよい。

次に、図２を参照して、Ｖピット１００について説明する。図２は、Ｖピット１００を示す画像であり、（ａ）は、Ｖピット１００が形成された窒化物半導体発光素子の縦断面を示す画像であり、（ｂ）は、（ａ）の一部（図２（ａ）の円枠部分）を拡大して示すＶピット１００の拡大画像である。なお、図２に示す画像は、いずれもＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）観察画像である。

図２（ａ）に示すように、多重量子井戸層５０には、複数のＶピット１００が形成されている。Ｖピット１００とは、例えば、成長中に生じ得る結晶のズレ等により発生する結晶欠陥の一種である。これら複数のＶピット１００は、トリガ層４０を設けたことにより、ｎ型クラッド層３０に存在する転位等の欠陥から発生する。図２（ｂ）に示すように、Ｖピット１００は、発光素子１の厚み方向に複数の障壁層５２ａ，５２ｂ，５２ｃ及び井戸層５４ａ，５４ｂ，５４ｃを介して伸び、頂点１００ａがｎ型クラッド層３０側（図示下側）を向くように配置された略逆円錐形の形状を有している（図２（ｂ）点線参照）。

換言すれば、Ｖピット１００の縦断面は、図２（ｂ）に示すように、電子ブロック層６０側（図示上側）に向かって開く略Ｖ字型の形状を有し、横断面は、略円形状を有している。ここで、縦断面とは、発光素子１の厚み方向に平行な断面をいい、横断面とは、発光素子１の厚み方向に垂直な断面をいう。なお、Ｖピット１００の形状は、略円錐形に限られるものではなく、六角錐形状、多角錐形状、楕円錐形状、円柱状、多角柱状等でもよい。

Ｖピット１００の頂点１００ａは、ｎ型クラッド層３０中の転位から発生し、Ｖピット１００の底面１００ｂは、多重量子井戸層５０内で終端する。好ましくは、Ｖピット１００の底面１００ｂの直径は、１００ｎｍ以下である。なお、Ｖピット１００の底面１００ｂが円形状を有していない場合、Ｖピット１００の直径とは、Ｖピット１００の底面１００ｂの形状を、例えば、外接円等で円形に近似したときの直径をいう。また、Ｖピット１００は、１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の厚さを有し、例えば、２０ｎｍ程度の厚さを有する。ここで、Ｖピットの厚さとは、Ｖピット１００の縦断面における発光素子１の厚み方向の長さをいう。

電子ブロック層６０は、多重量子井戸層５０上に形成されている。電子ブロック層６０は、ｐ型のＡｌＧａＮ（以下、単に「ｐ型ＡｌＧａＮ」ともいう。）により形成された層である。電子ブロック層６０は、１ｎｍ〜１０ｎｍ程度の厚さを有している。なお、電子ブロック層６０は、ＡｌＮにより形成された層を含んでもよい。また、電子ブロック層６０は、必ずしもｐ型の半導体層に限られず、アンドープの半導体層でもよい。

ｐ型クラッド層７０は、電子ブロック層６０上に形成されている。ｐ型クラッド層７０は、ｐ型ＡｌＧａＮにより形成される層であり、例えば、ｐ型の不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）がドープされたＡｌ_ｔＧａ_１−ｔＮクラッド層（０≦ｔ≦１）である。なお、ｐ型の不純物としては、亜鉛（Ｚｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）等を用いてもよい。ｐ型クラッド層７０は、３００ｎｍ〜７００ｎｍ程度の厚さを有し、例えば、４００ｎｍ〜６００ｎｍ程度の厚さを有する。

ｐ型コンタクト層８０は、ｐ型クラッド層７０上に形成されている。ｐ型コンタクト層８０は、例えば、Ｍｇ等の不純物が高濃度にドープされたｐ型のＧａＮ層である。

ｎ側電極９０は、ｎ型クラッド層３０の一部の領域上に形成されている。ｎ側電極９０は、例えば、ｎ型クラッド層３０の上に順にチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／Ｔｉ／金（Ａｕ）が順に積層された多層膜で形成される。

ｐ側電極９２は、ｐ型コンタクト層８０の上に形成されている。ｐ側電極９２は、例えば、ｐ型コンタクト層８０の上に順に積層されるニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の多層膜で形成される。

次に、発光素子１の製造方法について説明する。基板１０上にバッファ層２０を形成する。具体的には、基板１０上に、ＡｌＮ層２２と、アンドープのｕ−Ａｌ_１−ｐＧａ_ｐＮ層２４を高温成長させる。次に、バッファ層２０上にｎ型クラッド層３０を高温成長させる。

次に、高温ｎ型クラッド層３０内に含まれる転位等の欠陥密度に応じてＳｉのドープ量を適宜調整しながら、ｎ型クラッド層３０上にトリガ層４０を高温成長させる。例えば、Ｓｉの濃度が上述の５．０×１０^１８ｃｍ^−３〜５．０×１０^１９ｃｍ^−３になるように、Ｓｉのドープ量を調整する。次に、トリガ層４０上に、多重量子井戸層５０、電子ブロック層６０、及びｐ型クラッド層７０を順に高温成長させる。

ｎ型クラッド層３０、トリガ層４０、多重量子井戸層５０、電子ブロック層６０、及びｐ型クラッド層７０は、有機金属化学気相成長法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシ法（Molecular Beam Epitaxy：ＭＢＥ）、ハライド気相エピタキシ法（Halide Vapor Phase Epitaxy：ＮＶＰＥ）等の周知のエピタキシャル成長法を用いて形成することができる。

次に、ｐ型クラッド層７０の上にマスクを形成し、マスクが形成されていない露出領域のトリガ層４０、多重量子井戸層５０、電子ブロック層６０、及びｐ型クラッド層７０を除去する。トリガ層４０、多重量子井戸層５０、電子ブロック層６０、及びｐ型クラッド層７０の除去は、例えば、プラズマエッチングにより行うことができる。ｎ型クラッド層３０の露出面３０ａ（図１参照）上にｎ側電極９０を形成し、マスクを除去したｐ型コンタクト層８０上にｐ側電極９２を形成する。ｎ側電極９０及びｐ側電極９２は、例えば、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法などの周知の方法により形成することができる。以上により、図１に示す発光素子１が形成される。

（実施例）
上述したように、トリガ層４０は、ｎ型クラッド層３０の転位等の欠陥密度に応じたドープ量のＳｉを含んでいる。このトリガ層４０は、前記ｎ型クラウド層３０と前記ｎ型クラッド層３０側の最外層にＡｌＧａＮによって形成された障壁層５２ａを有する多重量子井戸層５０との間に配置されている。この構成により、前記ｎ型クラッド層３０の転位等の欠陥を始端とし、前記多重量子井戸層５０の複数の障壁層５２ａ，５２ｂ，５２ｃと井戸層５４ａ，５４ｂ，５４ｃとを介して伸びる略逆円錐状の前記欠陥密度に応じた複数のＶピット１００が、前記多重量子井戸層５０の、例えば、前記電子ブロック層６０側（前記ｎ型クラッド層３０と反対側）の最外層のＡｌＧａＮによって形成された井戸層５４ｃを終端として形成される。この複数のＶピット１００が発光素子１の発光出力を向上することを確認した。

次に、発光出力を向上することを確認した実験について図３を参照して説明する。図３は、実施例及び比較例の順方向に供給される電流と発光出力との関係を示す図である。図３の横軸は、発光素子１に印加する電流（ｍＡ）を示し、縦軸は、発光出力（任意単位）を示す。記号Ａは、実施例の場合を示し、記号Ｂは、比較例の場合を示している。図４は、図３に示す実施例及び比較例の順方向に供給される電流及び発光出力のデータを示す表である。なお、比較例として、上述した発光素子１からトリガ層４０を除いた構成を有する発光素子を用いた。

図３及び図４に示すように、実施例では、約２０ｍＡの電流を印加したとき、おおよそ１７００の発光出力が得られ、約６０ｍＡの電流を印加したとき、およそ５０００の発光出力が得られ、１００ｍＡの電流を印加したとき、およそ７８００の発光出力が得られ、１５０ｍＡの電流を印加したとき、およそ１１０００の発光出力が得られた。これらに対し、比較例では、約２０ｍＡの電流を印加したとき、おおよそ１３００の発光出力が得られ、約６０ｍＡの電流を印加したとき、およそ３５００の発光出力が得られ、１００ｍＡの電流を印加したとき、およそ５０００の発光出力が得られ、１５０ｍＡの電流を印加したとき、およそ７４００の発光出力が得られた。

以上をまとめると、実施例の発光出力は、２０ｍＡの電流を印加したとき、比較例の発光出力の約１．３１倍となり、６０ｍＡの電流を印加したとき、比較例の発光出力の約１．４３倍となり、１００ｍＡの電流を印加したとき、比較例の発光出力の約１．５６倍となり、１５０ｍＡの電流を印加したとき、実施例の発光出力は、比較例の発光出力の約１．４９倍となった。以上のように、実施例の発光出力は、印加した電流の範囲においては、少なくとも２０％以上向上している。これらの結果から、本発明により、発光素子１の発光出力が上昇することが明らかになった。

（実施の形態の作用及び効果）
以上説明したように、本発明の実施の形態に係る発光素子１は、ｎ型クラッド層３０
と多重量子井戸層のｎ型クラッド層３０側の障壁層５２ａとの間に、Ｖピット１００を発生させるトリガ層４０を備えている。また、このトリガ層４０におけるＳｉの濃度は、ｎ型クラッド層中の転位の密度の５．０×１０^９〜５．０×１０^１０倍に調整されている。このようにして、特許文献１に記載されているようなトリガ層４０の他にトリガ拡大層を設けることなくＶピッドを形成することができる。このため、Ｖピットを形成することにより発光出力を向上させつつ、トリガ拡大層を不要とすることにより製造コストを低減することができる。

（実施形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

［１］ｎ型ＡｌＧａＮによって形成されたｎ型クラッド層（３０）と、ＡｌＧａＮによって形成された障壁層（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ）を前記ｎ型クラッド層（３０）側に有する多重量子井戸層と、を含む窒化物半導体発光素子（１）であって、前記ｎ型クラッド層（３０）及び前記障壁層（５２ａ）の間に位置する、Ｓｉを含んで形成されたトリガ層（４０）をさらに備え、前記ｎ型クラッド層（３０）及び前記多重量子井戸層は、複数の、前記ｎ型クラッド層（３０）中の転位を始端とするＶピット（１００）が形成されており、前記トリガ層（４０）における前記Ｓｉの濃度は、前記ｎ型クラッド層（３０）中の前記転位の密度の５．０×１０^９〜５．０×１０^１０倍である、窒化物半導体発光素子（１）。
［２］前記トリガ層は、前記障壁層に接している、前記［１］に記載の窒化物半導体発光素子（１）。
［３］前記Ｖピット（１００）は、前記窒化物半導体発光素子（１）の厚み方向に伸びる略逆円錐状の形状を有する、前記［１］又は［２］に記載の窒化物半導体発光素子（１）。
［４］略逆円錐状の形状を有する前記Ｖピット（１００）の頂点（１００ａ）は、前記ｎ型クラッド層（３０）中の前記転位から発生し、前記Ｖピット（１００）の底面（１００ｂ）は、前記多重量子井戸層（５０）内で終端する、前記［３］に記載の窒化物半導体発光素子（１）。
［５］前記Ｖピット（１００）は、前記多重量子井戸層（５０）の前記ｎ型クラッド層（３０）と反対側の最外層のＡｌＧａＮによって形成された井戸層（５４ｃ）を終端として形成されている、前記［４］に記載の窒化物半導体発光素子（１）。
［６］前記トリガ層（４０）の前記Ｓｉの濃度は、５．０×１０^１８ｃｍ^−３〜５．０×１０^１９ｃｍ^−３である、前記［１］から［５］のいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子（１）。
［７］基板（１０）上にｎ型ＡｌＧａＮを有するｎ型クラッド層（３０）を形成する工程と、ＡｌＧａＮを有する障壁層（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ）を前記ｎ型クラッド層（３０）側に有する多重量子井戸層を形成する工程と、前記ｎ型クラッド層（３０）及び前記障壁層（５２ａ）の間に位置する、Ｓｉを含んで形成されたトリガ層（４０）を形成する工程とを備え、前記トリガ層（４０）を形成する工程は、前記トリガ層（４０）のＳｉ濃度が前記ｎ型クラッド層（３０）中の転位の密度の５．０×１０^９〜５．０×１０^１０倍となるように前記Ｓｉの供給量を調整しながら形成することを特徴とする、窒化物半導体発光素子（１）の製造方法。

１…窒化物半導体発光素子（発光素子）
２…下地構造部
１０…基板
２０…バッファ層
２２…ＡｌＮ層
２４…ｕ−Ａｌ_ｐＧａ_１−ｐＮ層
３０…ｎ型クラッド層
３０ａ…露出面
４０…トリガ層
５０…多重量子井戸層
５２，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ…障壁層
５４，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ…井戸層
６０…電子ブロック層
７０…ｐ型クラッド層
８０…ｐ型コンタクト層
９０…ｎ側電極
９２…ｐ側電極
１００…Ｖピット
１００ａ…頂点
１００ｂ…底面

Claims (6)

1. ｎ型ＡｌＧａＮによって形成されたｎ型クラッド層と、
   ＡｌＧａＮによって形成された障壁層を前記ｎ型クラッド層側に有する多重量子井戸層と、を含む窒化物半導体発光素子であって、
   前記ｎ型クラッド層及び前記障壁層の間に位置する、Ｓｉを含んで形成されたトリガ層をさらに備え、
   前記ｎ型クラッド層及び前記多重量子井戸層は、複数の、前記ｎ型クラッド層中の転位を始端とするＶピットが形成されており、
   前記トリガ層は、一つの層からなるとともに、前記ｎ型クラッド層と前記障壁層との双方に接しており、
   前記トリガ層における前記Ｓｉの濃度は、前記ｎ型クラッド層中の前記転位の密度の５．０×１０^９〜５．０×１０^１０倍である、
   窒化物半導体発光素子。
2. 前記Ｖピットは、前記窒化物半導体発光素子の厚み方向に伸びる略逆円錐状の形状を有する、
   請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
3. 略逆円錐状の形状を有する前記Ｖピットの頂点は、前記ｎ型クラッド層中の前記転位から発生し、前記Ｖピットの底面は、前記多重量子井戸層内で終端する、
   請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
4. 前記Ｖピットは、前記多重量子井戸層の前記ｎ型クラッド層と反対側の最外層のＡｌＧａＮによって形成された井戸層を終端として形成されている、
   請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
5. 前記トリガ層の前記Ｓｉの濃度は、５．０×１０^１８ｃｍ^−３〜５．０×１０^１９ｃｍ^−３である、
   請求項１から４のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
6. 基板上にｎ型ＡｌＧａＮを有するｎ型クラッド層を形成する工程と、
   ＡｌＧａＮを有する障壁層を前記ｎ型クラッド層側に有する多重量子井戸層を形成する工程と、
   前記ｎ型クラッド層と前記障壁層との双方に接するよう、Ｓｉが含まれた一つの層からなるトリガ層を形成する工程とを備え、
   前記トリガ層を形成する工程は、前記トリガ層のＳｉ濃度が前記ｎ型クラッド層中の転位の密度の５．０×１０^９〜５．０×１０^１０倍となるように前記Ｓｉの供給量を調整しながら形成する、
   窒化物半導体発光素子の製造方法。

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