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JP6706783B2 - 撮像素子、撮像装置、カメラ、及び撮像方法 - Google Patents

撮像素子、撮像装置、カメラ、及び撮像方法 Download PDF

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Description

画像を撮像する撮像素子、撮像装置、カメラ、及び撮像方法に関する。
従来、画像を撮像する撮像素子が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2008−042180号公報 国際公開番号第WO2004/075538号
撮像素子には、多様な撮像効果を奏する撮像が望まれる。
そこで、本開示は、従来よりも多様な撮像効果を奏する撮像を実現し得る撮像素子、撮像装置、カメラ、及び撮像方法を提供することを目的とする。
本開示の一態様に係る撮像素子は、第1周期で繰り返される露光期間毎に、当該露光期間中に受光することで電荷を生成する光電変換部材と、前記光電変換部材によって生成された電荷を画素単位で集電する複数の画素回路と、前記複数の画素回路のそれぞれに蓄積されている電荷量を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する出力回路とを備え、前記読み出し回路は、前記第1周期と異なる第2周期で前記読み出しを繰り返し行い、前記露光期間は、前記第1周期の一部の期間であり、前記読み出しは、非破壊読み出しである
本開示の一態様に係る撮像素子は、第1周期で繰り返される露光期間毎に、当該露光期間中に受光することで電荷を生成する光電変換部材と、前記光電変換部材によって生成された電荷を画素単位で集電する複数の画素回路と、前記複数の画素回路のそれぞれに蓄積されている電荷量を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する出力回路とを備え、前記読み出し回路は、前記第1周期と異なる第2周期で前記読み出しを繰り返し行い、前記第1周期と、前記第2周期とは、互いに非同期の関係にある。
本開示の一態様に係る撮像装置は、上記撮像素子と、前記光電変換部材に印加される電圧を制御する第1制御部とを備え、前記第1制御部は、前記光電変換部材に、前記第1周期で繰り返し、前記露光期間に前記所定範囲の電圧が印加されるように前記制御を行う。
本開示の一態様に係るカメラは、上記撮像装置と、前記撮像素子に外部の光を集光するレンズとを備える。
本開示の一態様に係る撮像方法は、受光することで電荷を生成する光電変換部材と、前記光電変換部材によって生成された電荷を画素単位で集電する複数の画素回路と、前記複数の画素回路に蓄積されている電荷量を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する出力回路とを備える撮像素子の行う撮像方法であって、前記光電変換部材が、第1周期で繰り返される露光期間毎に、当該露光期間中に受光することで電荷を生成する光電変換ステップと、前記読み出し回路が、前記第1周期と異なる第2周期で前記読み出しを繰り返し行う読み出しステップとを含み、前記露光期間は、前記第1周期の一部の期間であり、前記読み出しは、非破壊読み出しである
本開示の一態様に係る撮像方法は、受光することで電荷を生成する光電変換部材と、前記光電変換部材によって生成された電荷を画素単位で集電する複数の画素回路と、前記複数の画素回路に蓄積されている電荷量を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する出力回路とを備える撮像素子が行う撮像方法であって、前記光電変換部材が、第1周期で繰り返される露光期間毎に、当該露光期間中に受光することで電荷を生成する光電変換ステップと、前記読み出し回路が、前記第1周期と異なる第2周期で前記読み出しを繰り返し行う読み出しステップとを含み、前記第1周期と、前記第2周期とは、互いに非同期の関係にある。
上記本開示に係る撮像素子、撮像装置、カメラ、及び撮像方法によると、従来よりも多様な撮像効果が得られる撮像を実現することが可能となる。
図1は、実施の形態に係るカメラの構成を示すブロック図である。 図2は、実施の形態に係る撮像素子の構成を示すブロック図である。 図3Aは、実施の形態に係る光電変換素子の平面図である。 図3Bは、実施の形態に係る光電変換素子の側面図である。 図4は、実施の形態に係る画素回路の構成を示すブロック図である。 図5は、実施の形態に係る第1制御部によって出力される露光開始信号と、実施の形態に係る撮像素子から出力される画像との関係を示すタイミング図である。 図6は、実施の形態に係るVFR撮像処理のフローチャートである。 図7は、従来の撮像装置がプルダウン処理を行う様子を示す模式図である。 図8Aは、変形例に係るデジタルスチルカメラの斜視図である。 図8Bは、変形例に係るビデオカメラの斜視図である。
以下、実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本開示を限定する主旨ではない。本開示は、請求の範囲だけによって限定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の独立請求項に記載されていない構成要素については、本開示の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。
(実施の形態)
ここでは、画像を撮像する撮像装置1について、図面を参照しながら説明する。
[1.構成]
図1は、実施の形態に係るカメラ200の構成を示すブロック図である。
カメラ200は、レンズ鏡筒230と、撮像装置1とを備えている。そして、レンズ鏡筒230は、光学系210と、レンズ駆動部220とを備えている。
光学系210は、撮像装置1の撮像素子10に外部の光を集光する1以上のレンズから構成されている。具体的には、光学系210は、ズームレンズ211、手振れ補正レンズ212、フォーカスレンズ213、絞り214により構成される。ズームレンズ211を光軸210Aに沿って移動させることにより、被写体像の拡大、縮小をすることができる。また、フォーカスレンズ213を光軸210Aに沿って移動させることにより被写体像のフォーカスを調整することができる。また、手振れ補正レンズ212は、光学系210の光軸210Aに垂直な面内で移動可能である。カメラ200のブレを打ち消す方向に手振れ補正レンズ212を移動することで、カメラ200のブレが撮像画像に与える影響を低減できる。また、絞り214は光軸210A上に位置する開口部214Aを有し、使用者の設定に応じて若しくは自動で開口部214Aの大きさを調整し、透過する光の量を調整する。
レンズ駆動部220は、ズームレンズ211を駆動するズームアクチュエータや、手振れ補正レンズ212を駆動する手ブレ補正アクチュエータや、フォーカスレンズ213を駆動するフォーカスアクチュエータや、絞り214を駆動する絞りアクチュエータを含む。そして、レンズ駆動部220は、上記のズームアクチュエータや、フォーカスアクチュエータや、手ブレ補正アクチュエータや、絞りアクチュエータを制御する。
撮像装置1は、撮像素子10と、第1制御部20と、第2制御部40と、制御部50と、画像処理部260と、メモリ270と、カードスロット290と、内部メモリ340と、操作部材310と、表示モニタ320とを含んで構成される。
撮像素子10は、画像を撮像する。
第1制御部20は、撮像素子10に含まれる光電変換部材111(後述)に印加される電圧を制御する。第1制御部20は、一例として、メモリ(図示されず。)に記憶されるプログラムをプロセッサ(図示されず。)が実行することによって実現される。
第2制御部40は、撮像素子10に含まれる読み出し回路130(後述)が行う読み出しのタイミングを制御する。第2制御部40は、一例として、メモリ(図示されず。)に記憶されるプログラムをプロセッサ(図示されず。)が実行することによって実現される。
画像処理部260は、撮像素子10で生成された画像データに対して各種処理を施し、表示モニタ320に表示するための画像データを生成したり、メモリカード300に格納するための画像データを生成したりする。例えば、画像処理部260は、撮像素子10で生成された画像データに対して、ガンマ補正、ホワイトバランス補正などの各種処理を行う。また、画像処理部260は、撮像素子10で生成された画像データを、H.264規格やMPEG2規格に準拠した圧縮形式等により圧縮する。画像処理部260は、一例として、メモリ(図示されず。)に記憶されるプログラムをプロセッサ(図示されず。)が実行することによって実現される。
制御部50は、カメラ200全体を制御する。制御部50は、一例として、内部メモリ340に記録されたプログラムを、一時的な記憶を行うメモリ270に展開し、制御部50内のプロセッサ(図示されず。)が実行することによって実現される。
メモリ270は、画像処理部360及び制御部50のワークメモリとしても機能する。メモリ270は、例えば、DRAM、SRAMなどで実現できる。
カードスロット390はメモリカード300を着脱可能に保持する。カードスロット290は機械的及び電気的にメモリカード300と接続可能である。メモリカード300は不揮発性フラッシュメモリや強誘電体メモリなどを内部に含み、画像処理部260で生成された画像ファイル等のデータを格納できる。
内部メモリ340は、不揮発性フラッシュメモリや強誘電体メモリなどで構成される。内部メモリ340は、カメラ200全体を制御するための制御プログラム等を記憶する。
操作部材310は使用者からの操作を受け付けるユーザーインターフェースの総称である。操作部材310は、例えば、使用者からの操作を受け付ける十字キーや決定釦等を含む。
表示モニタ320は、撮像素子10で生成された画像データが示す画像や、メモリカード300から読み出された画像データが示す画像を表示できる画面320Aを有する。また、表示モニタ320は、カメラ200の各種設定を行うための各種メニュー画面等も画面320Aに表示できる。表示モニタ320の画面320A上にはタッチパネル320Bが配置されている。タッチパネル320Bはユーザによりタッチされて各種タッチ操作を受け付けることができる。タッチパネル320Bに対するタッチ操作が示す指示は制御部50に通知され各種処理が行われる。
以下、撮像装置1を構成する上記構成要素のうち、撮像素子10と、第1制御部20と、第2制御部40とについて、図面を参照しながら、さらに詳細に説明する。
図2は、撮像素子10の構成を示すブロック図である。
同図に示されるように、撮像素子10は、光電変換素子110と、画素回路アレイ120と、読み出し回路130と、出力回路140と、行走査回路150(初期化回路)と、タイミング制御回路160と、電圧印加回路170とを含んで構成される。すなわち、撮像素子10は、光電変換素子110に含まれる光電変換部材111(後述)と、複数の画素回路21と、読み出し回路130と、出力回路140とを備える。
図3Aは、光電変換素子110の平面図であり、図3Bは、光電変換素子110の側面図である。
図3A、図3Bに示されるように、光電変換素子110は、薄膜状の光電変換部材111と、光電変換部材111の上面に密着する上部透明電極112と、光電変換部材111の下面に密着する、N行M列(N、Mは、1以上の整数。)の二次元アレイ状に配置されたN×M枚の下部画素電極113とを含んで構成される。
光電変換部材111は、0Vを含まない第1所定範囲の電圧が印加された状態において受光することで内部光電効果による電荷を生成し、0Vを含む第2所定範囲の電圧が印加された状態において受光しても内部光電効果による電荷を生成しない。
ここでは、光電変換部材111が、上記特性を有する有機薄膜であるとして説明する。すなわち、この実施の形態においては、撮像素子10が、有機薄膜を光電変換部材とする有機CMOSイメージセンサである場合の例となっている。
上部透明電極112は、光電変換部材111の上面の全体に、下面に対して0を含む電位差を生じさせる電圧を印加する、透明な電極である。
下部画素電極113は、光電変換部材111の下面の全体を覆うように、N行M列の二次元アレイ状に配置された電極である。
下部画素電極113は、光電変換部材111の上面に、下面に対して正の電位差を生じさせる電圧が印加されている場合において、光電変換部材111で電荷が生成されるときに、自身の近傍において生成される電荷のうち、正の電荷を集電する。
上記構成の光電変換素子110は、光電変換部材111の上面に、下面に対して、内部光電効果が生ずる範囲の正の電位差を生じさせる電圧が印加されている場合には、受光による内部光電効果によって生成される正の電荷を、下部画素電極113のそれぞれが集電する。これに対して、光電変換部材111の上面が、下面と略同電位である場合には、受光しても、内部光電効果による電荷が生成されず、従って、下部画素電極113のそれぞれが電荷を集電することはない。
以下、光電変換部材111の上面に、下面に対して、内部光電効果が生ずる範囲の正の電位差を生じさせる電圧が印加されている期間のことを露光期間と呼び、光電変換部材111の上面に、下面に対して、内部光電効果が生じない範囲の電圧(ここでは、下面と略同電位の電圧)が印加されている期間のことを遮光期間と呼ぶ。
再び、図2に戻って、撮像素子10の説明を続ける。
画素回路アレイ120は、N×M個の画素回路21が、N行M列の二次元アレイ状に配置されてなる半導体デバイスであって、光電変換素子110の下面側に、光電変換素子110に重ね合わされて配置される。
画素回路アレイ120において、各画素回路21は、撮像素子10を平面視した場合において、画素回路21それぞれの位置が、下部画素電極113それぞれの位置と、一対一に対応付けられて重なるように配置されている。
図4は、画素回路21の構成を示すブロック図である。
同図に示されるように、画素回路21は、リセットトランジスタ22と、増幅トランジスタ23と、選択トランジスタ24と、電荷蓄積ノード25とを含んで構成される。
電荷蓄積ノード25は、自身の属する画素回路21に対応する下部画素電極113と、リセットトランジスタ22のソースと、増幅トランジスタ23のゲートとに接続され、接続される下部画素電極113によって集電された正の電荷を蓄積する。
リセットトランジスタ22は、ゲートにリセット信号線51が接続され、ドレインにリセット電圧VRSTが供給され、ソースに電荷蓄積ノード25が接続される。
リセットトランジスタ22は、行走査回路150(後述)からリセット信号線51を介して配送されるリセット信号によってオンにされることで、電荷蓄積ノード25に蓄積された電荷の量をリセット(初期化)する。
増幅トランジスタ23は、ゲートに電荷蓄積ノード25が接続され、ドレインに電源電圧VDDが供給され、ソースに選択トランジスタ24のドレインが接続される。
増幅トランジスタ23のゲートには、電荷蓄積ノード25に蓄積される電荷に応じた電圧が印加される。
このため、増幅トランジスタ23は、選択トランジスタ24がオン状態の場合に、電荷蓄積ノード25に蓄積された電荷に応じた電流を流す電流源として機能する。
選択トランジスタ24は、ゲートに選択信号線52が接続され、ドレインに増幅トランジスタ23のソースが接続され、ソースに垂直信号線32が接続される。
選択トランジスタ24は、行走査回路150(後述)から選択信号線52を介して配送される選択信号によってオンにされることで、増幅トランジスタ23に流れる電流を垂直信号線32に出力する。
後述するように、垂直信号線32に出力される電流の電流量が、列読み出し回路31(後述)によって検知されることで、選択信号によってオンされた選択トランジスタ24を含む画素回路21の電荷蓄積ノード25に蓄積された電荷の量が読み出される。
画素回路21は、上記構成により、光電変換部材111によって生成された電荷を画素単位で集電する。そして、画素回路21は、電荷蓄積ノード25に蓄積された電荷の量が非破壊で読み出される。
再び、図2に戻って、撮像素子10の説明を続ける。
行走査回路150(初期化回路)は、下記蓄積電荷量リセット機能と下記読み出し画素回路選択機能とを有する。
蓄積電荷量リセット機能は、画素回路アレイ120において、読み出し回路130に最も遠い側の行(第1行)から、読み出し回路130に最も近い側の行(第N行)へと1行ずつ順に、所定時間t1間隔で、該当行に属する画素回路21それぞれにおける電荷蓄積ノード25に蓄積された正の電荷をリセットするためのリセット信号を、該当行に属する画素回路21それぞれに接続されるリセット信号線51を介して配送する機能である。
これにより、画素回路アレイ120に含まれる全ての画素回路21の電荷蓄積ノード25に蓄積された電荷のリセットは、第1行目から第N行目まで行単位で順に実行される。
後述するように、この行走査回路150(初期化回路)は、タイミング制御回路160に制御されることで、上記蓄積電荷量リセット機能を、第1周期で繰り返し実行する。すなわち、行走査回路150(初期化回路)は、複数の画素回路21に蓄積されている電荷量を、第1周期で繰り返し初期化する。
読み出し画素回路選択機能とは、画素回路アレイ120において、第1行から第N行へと1行ずつ順に、所定時間t1間隔で、該当行に属する画素回路21それぞれにおける選択トランジスタ24をオンにするための選択信号を、該当行に属する画素回路21それぞれに接続される選択信号線52を介して配送する機能である。
これにより、画素回路アレイ120に含まれる全ての画素回路21の電荷蓄積ノード25に蓄積された電荷量の読み出しは、第1行目から第N行目まで行単位で順に実行される。
後述するように、この行走査回路150(初期化回路)は、タイミング制御回路160に制御されることで、上記読み出し画素選択機能を、第1周期と異なる第2周期で繰り返し実行する。
読み出し回路130は、画素回路アレイ120を構成する画素回路21のそれぞれに蓄積されている電荷の量を読み出す。
読み出し回路130は、画素回路アレイ120のM個の列それぞれに対応するM個の列読み出し回路31を含んで構成される。
列読み出し回路31は、対応する列に属する画素回路21それぞれに接続される垂直信号線32を介して、選択信号によってオンとなっている選択トランジスタ24を含む画素回路21(この画素回路21のことを、「読み出し対象の画素回路21」とも呼ぶ。)の増幅トランジスタ23に流れる電流量を検知することで、読み出し対象の画素回路21の電荷蓄積ノード25に蓄積されている電荷の量を読み出して、読み出した電荷の量を示すKビット(Kは、正の整数、例えば8)のデジタル信号を、読み出し対象の画素回路21の画素値として出力する。
後述するように、この読み出し回路130は、タイミング制御回路160に制御されることで、上記読み出しを第1周期と異なる第2周期で繰り返し行う。
出力回路140は、読み出し回路130によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する。より具体的には、出力回路140は、列読み出し回路31から出力された画素値に基づく画像を生成し、生成した画像を外部に出力する。
電圧印加回路170は、光電変換部材111に電圧を印加する。より具体的には、電圧印加回路170は、上部透明電極112に印加する電圧を制御して、光電変換部材111の上面に、(1)下面に対して、内部光電効果が生ずる正の電位差を生じさせる所定の第1電圧を印加することで、その印加状態の期間、光電変換素子110を露光期間とし、(2)下面に対して、内部光電効果が生ずる正の電位差を生じさせない電位差(ここでは、下面と同電位)を生じさせる所定の第2電圧を印加することで、その印加状態の期間、光電変換素子110を遮光期間とする。
後述するように、この電圧印加回路170は、タイミング制御回路160に制御されることで、光電変換部材111に、第1周期で繰り返し、露光期間に第1電圧を印加する。
このため、光電変換部材111は、第1周期で繰り返される露光期間毎に、この露光期間中に受光することで電荷を生成する。
タイミング制御回路160は、行走査回路150の動作タイミングと、読み出し回路130の動作タイミングと、電圧印加回路170の動作タイミングとを制御する。すなわち、タイミング制御回路160は、行走査回路150による、蓄積電荷量リセット機能を実行するタイミングと、読み出し画素回路選択機能を実行するタイミングとを制御し、読み出し回路130による、選択信号によって選択された画素回路21の電荷蓄積ノード25に蓄積されている電荷の量を読み出すタイミングを制御し、電圧印加回路170による、光電変換素子110を露光期間とするタイミングと、光電変換素子110を遮光期間とするタイミングとを制御する。
再び、図1に戻って、撮像装置1の説明を続ける。
第1制御部20は、光電変換部材111に印加される電圧を制御する。より具体的には、第1制御部20は、周期を設定する第1設定部を有し、この第1設定部に設定される周期を第1周期として、光電変換部材111に、この第1周期で繰り返し、露光期間に第1所定範囲の電圧が印加されるように、撮像素子10に対して、第1周期毎に、露光尾開始信号を出力することで、上記制御を行う。
撮像装置1を利用するユーザは、操作部材310を操作して、第1設定部に所望の周期を第1周期として設定することができる。
図5は、第1制御部20によって出力される露光開始信号と、撮像素子10から出力される信号との関係を示すタイミング図である。
図5において(a)の部分は、第1制御部20によって出力される露光開始信号のタイミングを示す。
(a)の部分に示されるように、第1制御部20は、撮像素子10に対して、第1周期T1毎に、露光開始信号を出力する。
撮像素子10は、第1制御部20から出力された露光開始信号を受け取ると、タイミング制御回路160が、行走査回路150の動作タイミングと、電圧印加回路170の動作タイミングとを制御することで、(1)露光開始信号を受け取るタイミングで、行走査回路150に蓄積電荷量リセット機能を実行させ、(2)露光開始信号を受け取ってからΔt経過後から所定の露光期間Trが経過するまで、電圧印加回路170に、光電変換部材111に対して第1電圧を印加させる。
図5において、(b)の部分は、撮像素子10の状態を示す。
(b)の部分に示されるように、撮像素子10は、第1制御部20から出力された露光開始信号を受け取る毎に、(1)画素回路アレイ120に含まれる画素回路21に蓄積されている電荷量をリセット(初期化)する。そして、(2)リセット開始後Δtだけ経過した後から、予め定められた露光期間Trが経過するまでの期間、光電変換素子110を、露光状態とする。
このため、画素回路アレイ120に含まれる各画素回路21には、上記露光期間中において、光電変換部材111に生成された内部光電効果による電荷が集電されて蓄積される。
ここで、電圧印加回路170は、上記露光状態の期間以外の期間には、光電変換素子110が遮光状態となるように、光電変換部材111に対して第2電圧を印加する。
このため、画素回路アレイ120に含まれる各画素回路21には、上記露光期間以外において、光電変換部材111に生成された内部光電効果による電荷が集電されることはない。よって、露光期間が終了した後も、次にリセットが開始されるまでは、画素回路アレイ120に含まれる各画素回路21では、露光期間に蓄積された電荷量が維持され続ける。
再び、図1に戻って、撮像装置1の説明を続ける。
第2制御部40は、読み出し回路130が行う読み出しのタイミングを制御する。より具体的には、第2制御部40は、周期を設定する第2設定部を有し、この第2設定部に設定される周期を第2周期として、読み出し回路130に、この第2周期で繰り返し、画素回路アレイ120を構成する画素回路21のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを行わせるように、撮像素子10に対して、第2周期毎に、読み出し信号を出力することで、上記制御を行う。
撮像装置1を利用するユーザは、操作部材310を操作して、第2設定部に所望の周期を第2周期として設定することができる。ここで、このユーザは、第1周期と第2周期とを互いに独立に設定することができる。このため、撮像装置1では、ユーザによる設定に基づいて、第1周期と第2周期とを、互いに非同期の関係とすることができる。また、第2周期の始期は、第1周期に係わらず任意に設定することができる。
図5において、(c)の部分は、第2制御部40によって出力される読み出し信号のタイミングを示す。
(c)の部分に示されるように、第2制御部40は、撮像素子10に対して、第2周期T2毎に、読み出し信号を出力する。
撮像素子10は、第2制御部40から出力された読み出し信号を受け取ると、タイミング制御回路160が、行走査回路150の動作タイミングと、読み出し回路130の動作タイミングとを制御することで、読み出し信号を受け取るタイミングで、読み出し回路130に、画素回路アレイ120を構成する画素回路21のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを行わせる。
図において、(d)の部分は、撮像素子10の状態と、撮像素子10から出力される画像とを示す。
(d)の部分に示されるように、撮像素子10は、第2制御部40から出力された読み出し信号を受け取る毎に、(1)画素回路アレイ120を構成する画素回路21のそれぞれに蓄積されている電荷量を読み出す。そして、(2)読み出した電荷量に基づく画像を出力する。
画素回路アレイ120を構成する画素回路21のそれぞれから読み出される電荷量は、その読み出しが行われる以前における最後の露光期間において、各画素回路21に集電された電荷量となる。
このため、例えば、図5A〜図5Dに示される例では、j回目に出力される画像と、j+1回目に出力される画像とが、k回目の第1周期における第k露光において、各画素回路21に集電された電荷量に基づく画像となり、j+2回目に出力される画像と、j+3回目に出力される画像とが、k+1回目の第2周期における第k+1露光において、各画素回路21に集電された電荷量に基づく画像となる。
このように、撮像素子10は、第1周期毎に露光し、第2周期毎に各画素回路21に集電されている電荷量の読み出しを行う。
上記構成の撮像装置1が行う動作について、以下、図面を参照しながら説明する。
[2.動作]
撮像装置1は、その特徴的な動作として、VFR(Variable Frame Rate)撮像処理を行う。
VFR撮像処理は、撮像装置1を利用するユーザによって指定された第1周期(例えば、24fps)毎に露光する一方で、上記ユーザによって、第1周期とは独立に指定された第2周期(例えば、60fps)毎に、各画素回路21に集電されている電荷量を読み出して、読み出した電荷量に基づく画像を出力する処理である。
図6は、VFR撮像処理のフローチャートである。
このVFR撮像処理は、操作部材310によって、撮像装置1を利用するユーザからのVFR撮像処理を開始する旨の操作が受け付けられることで開始される。
VFR撮像処理が開始されると、操作部材310は、ユーザからの操作を受け付けることで、第1周期T1と、第2周期T2とを取得する(ステップS10)。
第1周期T1と第2周期T2とが取得されると、第1制御部20は、撮像素子10に対して、露光開始信号を出力する(ステップS20)。
露光開始信号が出力されると、撮像素子10は、その露光開始信号を受け取って、画素回路アレイ120に含まれる画素回路21に蓄積されている電荷量をリセット(初期化)する(ステップS30)。そして、撮像素子10は、リセット開始後Δtだけ経過した後から露光期間Trが経過するまでの期間、光電変換素子110を、露光状態とする(ステップS40)。このとき、露光期間Trが経過すると、光電変換部材111の上面に、下面に対して、内部光電効果が生じない範囲の電圧(ここでは、下面と略同電位の電圧)を印加し遮光を行う。
一方で、第1制御部20と第2制御部40とは、前回読み出し信号が出力されてから第2周期T2経過したか否か、又は、前回露光開始信号が出力されから第1周期T1経過したか否かを調べる。
前回読み出し信号が出力されてから第2周期T2経過すると(ステップS50:No〜ステップS60:Noの処理を繰り返した後ステップS50:Yes)、第2制御部40は、撮像素子10に対して、読み出し信号を出力する(ステップS70)。
読み出し信号が出力されると、撮像素子10は、その読み出し信号を受け取って、画素回路アレイ120を構成する画素回路21のそれぞれに蓄積されている電荷量を、非破壊で読み出す(ステップS80)。そして、撮像素子10は、読み出した電荷量に基づく画像を出力する(ステップS90)。
ステップS90の処理が終了すると、撮像装置1は、再びステップS50の処理に戻って、以降の処理を繰り返す。
ステップS60の処理において、前回露光開始信号が出力されてから第1周期T1が経過すると(ステップS50:No〜ステップS60:Noの処理を繰り返した後ステップS60:Yes)、撮像装置1は、再びステップS20の処理に戻って、以降の処理を繰り返す。
撮像装置1は、上記VFR撮像処理を行うことで、従来の撮像装置がプルダウン処理を行う際に必要となるプルダウン用メモリを用いることなく、撮像素子10が撮像する撮像フレームレートとは異なるフレームレートによるフレームデータの記録を行うことができる。
以下、従来の撮像装置が行うプルダウン処理において必要となるプルダウン用メモリが、撮像装置1が行うVFR撮像処理において不要になる仕組みについて説明する。
図7は、従来の撮像装置がプルダウン処理を行う様子を示す模式図である。ここでは、プルダウン処理の一具体例として、撮像素子によって24fspのフレームレートで撮像された第1フレームデータを、60fpsのフレームレートの第2フレームデータへと変換し、変換した第2フレームデータを、その60fpsのフレームレートで記憶媒体に記録する2−3プルダウン処理を例に挙げて説明する。
図7に示されるように、従来の撮像装置は、撮像素子から、24fpsのフレームレートで、第1フレームデータ(例えば、図中、「A」、「B」、「C」、「D」、「E」、「F」のフレームデータ)が出力される。そして、これら第1フレームデータを、出力順に、24fpsのフレームレートでプルダウン用メモリに書き込む。
その後、プルダウン用メモリから、60fpsのフレームレートで、プルダウン用メモリに書き込まれた順に、奇数番目に書き込まれたフレームデータ(例えば、図中「A」、「C」、「E」)を2回連続で重複して読み出し、偶数番目に書き込まれたフレームデータ(例えば、図中「B」、「D」、「F」)を3回連続で重複して読み出す。
このようにしてプルダウン用メモリから読み出される第2フレームデータは、60fpsのフレームレートを有するフレームデータとなる。
そして、この第2フレームデータを、60fpsのフレームレートで記憶媒体に記録する。
このように、従来の撮像装置では、2−3プルダウン処理を行う場合には、撮像素子から出力されるフレームデータを重複して読み出すためのプルダウン用メモリが必要となる。
同様に、従来の撮像装置では、撮像素子による撮像のフレームレートの方が、記憶媒体に記録するフレームレートよりも高い場合には、撮像素子から出力されるフレームデータを間引いて読み出すためのプルダウン用のメモリが必要となる。
これに対して、撮像装置1では、図5を用いて説明したように、VRF撮像処理を行うことで、撮像素子10から、撮像素子10の撮像のフレームレート(図5の第1周期T1に対応)とは独立のフレームレート(図5の第2周期T2に対応)で、フレームデータを読み出すことができる。
このため、撮像装置1は、従来の撮像装置がプルダウン処理を行う際に必要となる、データを重複して読み出す、又は間引いて読み出すためのプルダウン用メモリを用いることなく、撮像素子10が撮像する撮像フレームレートとは異なるフレームレートによるフレームデータの記録を行うことができる。
[3.効果等]
上述したように、撮像装置1は、撮像素子10が、画素回路21のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを、露光期間が繰り返される周期と異なる周期で行う。一方で、従来の撮像装置は、撮像素子が、画素回路のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを、露光期間が繰り返される周期と同じ周期で行う。
このため、撮像素子10、及び、撮像装置1によると、従来よりも多様な撮像効果を奏する撮像を実現することが可能となる。
(補足)
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態について説明した。しかしながら、本開示における技術は、これらに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略等を行った実施の形態にも適用可能である。
(1)実施の形態において、撮像装置1は、光電変換部材111が、第1所定範囲の電圧が印加された状態において受光することで内部光電効果による電荷を生成し、第2所定範囲の電圧が印加された状態において受光しても内部光電効果による電荷を生成しない機能を有する有機薄膜であるとして説明した。
しかしながら、光電変換部材111は、内部光電効果による電荷の生成の有無を、印加電圧によって制御することができる部材であれば、必ずしも上記有機薄膜に限定される必要はない。一例として、撮像装置1は、光電変換部材111が、PN接合面を有するダイオードである例等が考えられる。
(2)実施の形態において、撮像装置1は、第2周期が、撮像装置1を利用するユーザによって、所望の周期として設定されるとして説明した。
これに対して、別の一例として、第2周期が、1/60秒又は1/50秒で固定されている構成の例、又は、第2周期が、撮像装置1を利用するユーザによって、1/60秒と1/50秒との二者択一の周期として選択されて設定される構成の例等が考えられる。
他の一般的な撮像装置では、画素回路のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しの周期(本開示における第2周期に対応)は、1/60秒又は1/50秒に固定されている場合が多い。
このため、撮像素子10においても、第2周期を1/60秒又は1/50秒に限定することで、他の一般的な撮像装置で使用されるハードウェア部品、又はソフトウェアプログラム等を流用して使用することが容易になる。
(3)本実施の形態において、第1周期T1期間中に光電変換素子110が露光状態となる期間は、予め定められた露光期間Trであるとして説明した。
これに対して、例えば、第1周期T1期間中に光電変換素子110が露光状態となる期間を、撮像装置1を利用するユーザによって設定可能であるとしても構わない。
このような構成にすることで、さらに多様な撮像効果を奏する撮像を実現することが可能となる。
(4)本開示には、実施の形態における撮像装置1が内蔵された電子機器も含まれるのは言うまでもない。
このような電子機器は、例えば、図8Aに示されるデジタルスチルカメラや、図8Bに示されるビデオカメラとして実現される。
(5)実施の形態において、図1に示されるように、撮像装置1は、光学系210とは別体となる構成であるとして説明した。しかしながら、撮像装置1は、必ずしも光学系210と別体となる構成に限定されない。例えば、撮像装置1は、光学系210とレンズ駆動部220とを含む、レンズ付きカメラであっても構わない。
(6)撮像装置1における各構成要素(機能ブロック)は、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等の半導体装置により個別に1チップ化されてもよいし、一部又は全部を含むように1チップ化されてもよい。また、集積回路化の手法はLSIに限るものではなく、専用回路又は汎用プロセッサで実現してもよい。LSI製造後に、プログラムすることが可能なFPGA(Field Programmable Gate Array)や、LSI内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なリコンフィギュラブル・プロセッサを利用してもよい。更には、半導体技術の進歩又は派生する別技術によりLSIに置き換わる集積回路化の技術が登場すれば、その技術を用いて機能ブロックの集積化を行ってもよい。バイオ技術の適用等が可能性としてあり得る。
また、上記各種処理の全部又は一部は、電子回路等のハードウェアにより実現されても、ソフトウェアを用いて実現されてもよい。なお、ソフトウェアによる処理は、撮像装置1に含まれるプロセッサがメモリに記憶されたプログラムを実行することにより実現されるものである。また、そのプログラムを記録媒体に記録して頒布や流通させてもよい。例えば、頒布されたプログラムを、他のプロセッサを有する装置にインストールして、そのプログラムをそのプロセッサに実行させることで、その装置に、上記各処理を行わせることが可能となる。
また、上述した実施の形態で示した構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示の範囲に含まれる。
(7)本開示の一態様に係る撮像素子10は、第1周期で繰り返される露光期間毎に、当該露光期間中に受光することで電荷を生成する光電変換部材111と、光電変換部材111によって生成された電荷を画素単位で集電する複数の画素回路21と、複数の画素回路21のそれぞれに蓄積されている電荷量を読み出す読み出し回路130と、読み出し回路130によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する出力回路140とを備え、読み出し回路130は、前記第1周期と異なる第2周期で前記読み出しを繰り返し行う。
この撮像素子10は、画素回路21のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを、露光期間が繰り返される周期と異なる周期で行う。一方で、従来の撮像素子は、画素回路のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを、露光期間が繰り返される周期と同じ周期で行う。
このため、この撮像素子10によると、従来よりも多様な撮像効果を奏する撮像を実現することが可能となる。
また、例えば、露光期間は、第1周期の一部の期間であり、前記読み出しは、非破壊読み出しであるとしてもよい。
これにより、露光期間に生成された電荷の電荷量を、第1周期の期間中に複数回読み出すことが可能となる。
また、例えば、光電変換部材111は、所定範囲の電圧が印加された状態において受光することで内部光電効果による電荷を生成する有機薄膜であって、外部から、前記第1周期で繰り返し、前記露光期間に前記所定範囲の電圧が印加されることで、前記電荷の生成を行うとしてもよい。
これにより、撮像素子10の高集積化を実現することができる。
また、例えば、前記第1周期の方が、前記第2周期よりも長いとしてもよい。
これにより、各露光期間中に蓄積された電荷量を、少なくとも1回読み出すことが可能となる。
また、例えば、前記第2周期は、1/60秒又は1/50秒であるとしてもよい。
これにより、読み出しの周期が、他の一般的な撮像素子と同じになる。
また、例えば、前記第1周期と、前記第2周期とは、互いに非同期の関係にあるとしてもよい。
これにより、第1周期と第2周期とを、互いに独立したものとすることが可能となる。
また、例えば、さらに、複数の画素回路21に蓄積されている電荷量を、前記第1周期で繰り返し初期化する初期化回路(行走査回路)150を備え、初期化回路150は、前記露光期間に含まれないタイミングで、前記初期化を行うとしてもよい。
これにより、各露光期間中に蓄積された電荷量を、互いに独立したものとすることが可能となる。
本開示の一態様に係る撮像装置1は、撮像素子10と、光電変換部材111に印加される電圧を制御する第1制御部20とを備え、第1制御部20は、光電変換部材111に、前記第1周期で繰り返し、前記露光期間に前記所定範囲の電圧が印加されるように前記制御を行う。
この撮像装置1は、撮像素子10単体で、各画素回路21のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを、露光期間が繰り返されている期間と異なる周期で行う。一方で、従来の撮像装置は、撮像素子単体では、画素回路のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを、露光期間が繰り返される周期と同じ周期で行う。
このため、この撮像装置1によると、従来よりも多様な撮像効果を奏する撮像を実現することが可能となる。
また、例えば、さらに、読み出し回路130が行う前記読み出しのタイミングを制御する第2制御部40を備え、第2制御部40は、前記第2周期で前記読み出しが繰り返し行われるように、前記制御を行うとしてもよい。
これにより、この撮像装置1によると、撮像素子10に、第2周期で読み出しを行わせるように制御することが可能となる。
また、例えば、第1制御部20は、周期を設定する第1設定部を有し、当該第1設定部に設定される周期を前記第1周期として前記制御を行い、第2制御部40は、周期を設定する第2設定部を有し、当該第2設定部に設定される周期を前記第2周期として、前記制御を行うとしてもよい。
これにより、第1周期と第2周期とを、互いに独立に設定することが可能となる。
本開示の一態様に係るカメラ200は、撮像装置1と、撮像素子10に外部の光を集光するレンズとを備える。
このカメラ200は、撮像素子10単体で、各画素回路21のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを、露光期間が繰り返されている期間と異なる周期で行う。一方で、従来のカメラは、撮像素子単体では、画素回路のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを、露光期間が繰り返される周期と同じ周期で行う。
このため、このカメラ200によると、従来よりも多様な撮像効果を奏する撮像を実現することが可能となる。
本開示の一態様に係る撮像方法は、受光することで電荷を生成する光電変換部材111と、光電変換部材111によって生成された電荷を画素単位で集電する複数の画素回路21と、複数の画素回路21に蓄積されている電荷量を読み出す読み出し回路130と、読み出し回路130によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する出力回路140とを備える撮像素子10の行う撮像方法であって、光電変換部材111が、第1周期で繰り返される露光期間毎に、当該露光期間中に受光することで電荷を生成する光電変換ステップと、読み出し回路130が、前記第1周期と異なる第2周期で前記読み出しを繰り返し行う読み出しステップとを含む。
この撮像方法は、各画素回路21のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを、露光期間が繰り返されている期間と異なる周期で行う。一方で、従来の撮像方法は、画素回路のそれぞれに蓄積されている電荷量の読み出しを、露光期間が繰り返される周期と同じ周期で行う。
このため、この撮像方法によると、従来よりも多様な撮像効果を奏する撮像を実現することが可能となる。
本開示は、画像を撮像する撮像装置に広く利用可能である。
1 撮像装置
10 撮像素子
20 第1制御部
21 画素回路
40 第2制御部
110 光電変換素子
111 光電変換部材
112 上部透明電極
113 下部画素電極
120 画素回路アレイ
130 読み出し回路
140 出力回路
150 行走査回路(初期化回路)
160 タイミング制御回路
170 電圧印加回路
200 カメラ
211 ズームレンズ
212 手振れ補正レンズ
213 フォーカスレンズ

Claims (12)

  1. 第1周期で繰り返される露光期間毎に、当該露光期間中に受光することで電荷を生成する光電変換部材と、
    前記光電変換部材によって生成された電荷を画素単位で集電する複数の画素回路と、
    前記複数の画素回路のそれぞれに蓄積されている電荷量を読み出す読み出し回路と、
    前記読み出し回路によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する出力回路とを備え、
    前記読み出し回路は、前記第1周期と異なる第2周期で前記読み出しを繰り返し行い、
    前記露光期間は、前記第1周期の一部の期間であり、
    前記読み出しは、非破壊読み出しである
    撮像素子。
  2. 第1周期で繰り返される露光期間毎に、当該露光期間中に受光することで電荷を生成する光電変換部材と、
    前記光電変換部材によって生成された電荷を画素単位で集電する複数の画素回路と、
    前記複数の画素回路のそれぞれに蓄積されている電荷量を読み出す読み出し回路と、
    前記読み出し回路によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する出力回路とを備え、
    前記読み出し回路は、前記第1周期と異なる第2周期で前記読み出しを繰り返し行い、
    前記第1周期と、前記第2周期とは、互いに非同期の関係にある
    撮像素子。
  3. 前記光電変換部材は、所定範囲の電圧が印加された状態において受光することで内部光電効果による電荷を生成する有機薄膜であって、外部から、前記第1周期で繰り返し、前記露光期間に前記所定範囲の電圧が印加されることで、前記電荷の生成を行う
    請求項1又は2に記載の撮像素子。
  4. 前記第1周期の方が、前記第2周期よりも長い
    請求項1〜3のいずれか1項に記載の撮像素子。
  5. 前記第2周期は、1/60秒又は1/50秒である
    請求項1〜4のいずれか1項に記載の撮像素子。
  6. さらに、前記複数の画素回路に蓄積されている電荷量を、前記第1周期で繰り返し初期化する初期化回路を備え、
    前記初期化回路は、前記露光期間に含まれないタイミングで、前記初期化を行う
    請求項1〜5のいずれか1項に記載の撮像素子。
  7. 請求項3、または請求項3を引用する請求項4〜6のいずれか1項に記載の撮像素子と、
    前記光電変換部材に印加される電圧を制御する第1制御部とを備え、
    前記第1制御部は、前記光電変換部材に、前記第1周期で繰り返し、前記露光期間に前記所定範囲の電圧が印加されるように前記制御を行う
    撮像装置。
  8. さらに、前記読み出し回路が行う前記読み出しのタイミングを制御する第2制御部を備え、
    前記第2制御部は、前記第2周期で前記読み出しが繰り返し行われるように、前記制御を行う
    請求項7に記載の撮像装置。
  9. 前記第1制御部は、周期を設定する第1設定部を有し、当該第1設定部に設定される周期を前記第1周期として前記制御を行い、
    前記第2制御部は、周期を設定する第2設定部を有し、当該第2設定部に設定される周期を前記第2周期として、前記制御を行う
    請求項8に記載の撮像装置。
  10. 請求項7〜9のいずれか1項に記載の撮像装置と、
    前記撮像素子に外部の光を集光するレンズとを備える
    カメラ。
  11. 受光することで電荷を生成する光電変換部材と、前記光電変換部材によって生成された電荷を画素単位で集電する複数の画素回路と、前記複数の画素回路に蓄積されている電荷量を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する出力回路とを備える撮像素子が行う撮像方法であって、
    前記光電変換部材が、第1周期で繰り返される露光期間毎に、当該露光期間中に受光することで電荷を生成する光電変換ステップと、
    前記読み出し回路が、前記第1周期と異なる第2周期で前記読み出しを繰り返し行う読み出しステップとを含み、
    前記露光期間は、前記第1周期の一部の期間であり、
    前記読み出しは、非破壊読み出しである
    撮像方法。
  12. 受光することで電荷を生成する光電変換部材と、前記光電変換部材によって生成された電荷を画素単位で集電する複数の画素回路と、前記複数の画素回路に蓄積されている電荷量を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する出力回路とを備える撮像素子が行う撮像方法であって、
    前記光電変換部材が、第1周期で繰り返される露光期間毎に、当該露光期間中に受光することで電荷を生成する光電変換ステップと、
    前記読み出し回路が、前記第1周期と異なる第2周期で前記読み出しを繰り返し行う読
    み出しステップとを含み、
    前記第1周期と、前記第2周期とは、互いに非同期の関係にある
    撮像方法。
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