JP6690216B2 - データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6690216B2 JP6690216B2 JP2015241287A JP2015241287A JP6690216B2 JP 6690216 B2 JP6690216 B2 JP 6690216B2 JP 2015241287 A JP2015241287 A JP 2015241287A JP 2015241287 A JP2015241287 A JP 2015241287A JP 6690216 B2 JP6690216 B2 JP 6690216B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- data
- layout
- list
- registered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 82
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 39
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 79
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 72
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 46
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 33
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 22
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 20
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 11
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 17
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 16
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 101000969630 Homo sapiens Monocarboxylate transporter 10 Proteins 0.000 description 1
- 102100021425 Monocarboxylate transporter 10 Human genes 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3175—Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31762—Computer and memory organisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
図7は、描画装置200への描画データ(チップデータ)の登録をレイアウト単位で行う場合のデータ処理の例を示す。図3に示す例と同様に、マスクに2つのチップC1、C2が含まれ、チップC1、C2のチップデータは3つのフレームF1〜F3に分割されるものとする。
102 フラクチャリング処理部
104 フォーマット変換部
200 描画装置
210 制御部
212 制御計算機
220 前処理部
221 入力・転送部
222 フォーマット検査部
223 ショット密度算出部
224 整合性処理部
225 ショットデータ生成部
226 描画制御部
230 描画部
Claims (4)
- 設計データから描画データを作成し、該描画データを荷電粒子ビーム描画装置に登録するデータ処理方法であって、
前記設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータのそれぞれに対し、複数の変換処理を行って前記描画データを作成する工程と、
前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータのそれぞれに対し、データ転送及びフォーマット検査を行って、前記第2チップデータを荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程と、
前記データ転送及びフォーマット検査が行われたチップのチップ情報を登録済みチップリストに登録する工程と、
前記登録済みチップリストへの前記チップ情報の登録後、前記荷電粒子ビーム描画装置へのレイアウトデータの登録に伴い、レイアウト登録リストにレイアウト名及びチップ準備状態を記録すると共に、レイアウトに含まれるチップをリスト化した必要チップリストを作成する工程と、
前記登録済みチップリストを参照して、前記必要チップリストに、各チップに対応する描画データの登録処理が完了しているか否か記録する工程と、
前記必要チップリストに記載されている全チップについて登録処理が完了していると記録されると、前記レイアウト登録リストのチップ準備状態を登録完了とし、前記チップデータ及び前記レイアウトデータを用いた処理を含む整合性処理を行う工程と、
を有し、
前記複数の変換処理、及び前記データ転送及びフォーマット検査を、それぞれフレーム単位のパイプライン処理で行い、
前記荷電粒子ビーム描画装置への前記描画データの登録を、レイアウト単位より下位の単位であるチップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位で行うことを特徴とするデータ処理方法。 - 外部装置が設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータのそれぞれに対し、複数の変換処理をパイプライン処理で行うことで作成された描画データを荷電粒子ビーム描画装置に登録するデータ処理プログラムであって、
前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータのそれぞれに対し、データ転送及びフォーマット検査をパイプライン処理で行って、前記第2チップデータを荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程と、
前記データ転送及びフォーマット検査が行われたチップのチップ情報を登録済みチップリストに登録する工程と、
前記登録済みチップリストへの前記チップ情報の登録後、前記荷電粒子ビーム描画装置へのレイアウトデータの登録に伴い、レイアウト登録リストにレイアウト名及びチップ準備状態を記録すると共に、レイアウトに含まれるチップをリスト化した必要チップリストを作成する工程と、
前記登録済みチップリストを参照して、前記必要チップリストに、各チップに対応する描画データの登録処理が完了しているか否か記録する工程と、
前記必要チップリストに記載されている全チップについて登録処理が完了していると記録されると、前記レイアウト登録リストのチップ準備状態を登録完了とし、前記チップデータ及び前記レイアウトデータを用いた処理を含む整合性処理を行う工程と、
をコンピュータに実行させ、
前記荷電粒子ビーム描画装置への前記描画データの登録を、レイアウト単位より下位の単位であるチップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位でコンピュータに行わせることを特徴とするデータ処理プログラム。 - 設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータのそれぞれに対して外部装置が複数の変換処理をパイプライン処理で行って作成された描画データが登録される荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータのそれぞれに対し、データ転送及びフォーマット検査をパイプライン処理で行い、前記第2チップデータを登録し、前記データ転送及びフォーマット検査が行われたチップのチップ情報を登録済みチップリストに登録し、前記登録済みチップリストへの前記チップ情報の登録後、レイアウトデータの登録に伴い、レイアウト登録リストにレイアウト名及びチップ準備状態を記録すると共に、レイアウトに含まれるチップをリスト化した必要チップリストを作成し、前記登録済みチップリストを参照して、前記必要チップリストに、各チップに対応する描画データの登録処理が完了しているか否か記録し、前記必要チップリストに記載されている全チップについて登録処理が完了していると記録されると、前記レイアウト登録リストのチップ準備状態を登録完了とし、前記チップデータ及び前記レイアウトデータを用いた処理を含む整合性処理を行う前処理部と、
前記前処理部により処理されたデータを用いて、荷電粒子ビームにより基板にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記描画データの登録を、レイアウト単位より下位の単位であるチップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位で行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータのそれぞれに対して外部装置が複数の変換処理をパイプライン処理で行って作成された描画データを用いる荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータのそれぞれに対し、データ転送及びフォーマット検査をパイプライン処理で行って、前記第2チップデータを荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程と、
前記データ転送及びフォーマット検査が行われたチップのチップ情報を登録済みチップリストに登録する工程と、
前記登録済みチップリストへの前記チップ情報の登録後、前記荷電粒子ビーム描画装置へのレイアウトデータの登録に伴い、レイアウト登録リストにレイアウト名及びチップ準備状態を記録すると共に、レイアウトに含まれるチップをリスト化した必要チップリストを作成する工程と、
前記登録済みチップリストを参照して、前記必要チップリストに、各チップに対応する描画データの登録処理が完了しているか否か記録する工程と、
前記必要チップリストに記載されている全チップについて登録処理が完了していると記録されると、前記チップデータ及び前記レイアウトデータを用いた処理を含む整合性処理を行う工程と、
前記整合性処理後のデータを用いて、荷電粒子ビームにより基板にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記描画データの登録を、レイアウト単位より下位の単位であるチップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位で行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015241287A JP6690216B2 (ja) | 2015-12-10 | 2015-12-10 | データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 |
US15/342,296 US10096452B2 (en) | 2015-12-10 | 2016-11-03 | Data processing method, charged particle beam writing method, and charged particle beam writing apparatus |
TW105139483A TWI639929B (zh) | 2015-12-10 | 2016-11-30 | Data processing method, charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing device |
KR1020160167519A KR101877431B1 (ko) | 2015-12-10 | 2016-12-09 | 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015241287A JP6690216B2 (ja) | 2015-12-10 | 2015-12-10 | データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017108013A JP2017108013A (ja) | 2017-06-15 |
JP6690216B2 true JP6690216B2 (ja) | 2020-04-28 |
Family
ID=59020762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015241287A Active JP6690216B2 (ja) | 2015-12-10 | 2015-12-10 | データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10096452B2 (ja) |
JP (1) | JP6690216B2 (ja) |
KR (1) | KR101877431B1 (ja) |
TW (1) | TWI639929B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6819475B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2021-01-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4912487A (en) | 1988-03-25 | 1990-03-27 | Texas Instruments Incorporated | Laser scanner using focusing acousto-optic device |
JPH0574693A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法 |
JP3071899B2 (ja) * | 1991-09-30 | 2000-07-31 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画用データ作成装置 |
US6313476B1 (en) * | 1998-12-14 | 2001-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam lithography system |
US6812045B1 (en) * | 2000-09-20 | 2004-11-02 | Kla-Tencor, Inc. | Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation |
JP2004363085A (ja) | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
JP2006277727A (ja) | 2005-03-04 | 2006-10-12 | Canon Inc | レイアウト処理方法、情報処理装置及びコンピュータプログラム |
JP2006318977A (ja) | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画装置、描画方法、及び描画プログラム |
JP4778777B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2011-09-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子線描画データの作成方法 |
JP4814716B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2011-11-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5148233B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-02-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画方法 |
JP2009271830A (ja) | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Nuflare Technology Inc | 描画データ分散処理方法およびマスク描画装置 |
JP5302606B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2013-10-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5349880B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-11-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画方法 |
JP5414102B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2014-02-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ処理方法 |
JP5498106B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-05-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5547553B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2014-07-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法 |
US20130215146A1 (en) | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Image-drawing-data generation apparatus, method for generating image drawing data, and program |
-
2015
- 2015-12-10 JP JP2015241287A patent/JP6690216B2/ja active Active
-
2016
- 2016-11-03 US US15/342,296 patent/US10096452B2/en active Active
- 2016-11-30 TW TW105139483A patent/TWI639929B/zh active
- 2016-12-09 KR KR1020160167519A patent/KR101877431B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101877431B1 (ko) | 2018-07-11 |
TWI639929B (zh) | 2018-11-01 |
TW201734867A (zh) | 2017-10-01 |
US10096452B2 (en) | 2018-10-09 |
US20170169994A1 (en) | 2017-06-15 |
JP2017108013A (ja) | 2017-06-15 |
KR20170069168A (ko) | 2017-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5020745B2 (ja) | 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP5498105B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
US9006691B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method using a generated frame that surrounds a first data processing block | |
JP2011066036A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP5620725B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
TWI512409B (zh) | Charge particle beam rendering device and charged particle beam rendering method | |
CN111913362B (zh) | 带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置 | |
JP6690216B2 (ja) | データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP5148233B2 (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
JP5232429B2 (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
JP6819475B2 (ja) | データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム | |
JP6110685B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置、及びバッファメモリのデータ格納方法 | |
KR20170083497A (ko) | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 | |
JP5357530B2 (ja) | 描画用データの処理方法、描画方法、及び描画装置 | |
JP6171062B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5586343B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2019068000A (ja) | シミュレーション装置、荷電粒子ビーム描画システム、及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6148970B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180502 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190917 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200310 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6690216 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |