Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP6690216B2 - データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents

データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6690216B2
JP6690216B2 JP2015241287A JP2015241287A JP6690216B2 JP 6690216 B2 JP6690216 B2 JP 6690216B2 JP 2015241287 A JP2015241287 A JP 2015241287A JP 2015241287 A JP2015241287 A JP 2015241287A JP 6690216 B2 JP6690216 B2 JP 6690216B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
data
layout
list
registered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015241287A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017108013A (ja
Inventor
健一 安井
健一 安井
原 重博
重博 原
信二 坂本
信二 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2015241287A priority Critical patent/JP6690216B2/ja
Priority to US15/342,296 priority patent/US10096452B2/en
Priority to TW105139483A priority patent/TWI639929B/zh
Priority to KR1020160167519A priority patent/KR101877431B1/ko
Publication of JP2017108013A publication Critical patent/JP2017108013A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6690216B2 publication Critical patent/JP6690216B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control
    • H01J37/3026Patterning strategy
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/706835Metrology information management or control
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3175Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31761Patterning strategy
    • H01J2237/31762Computer and memory organisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31761Patterning strategy
    • H01J2237/31764Dividing into sub-patterns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31776Shaped beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置に関する。
LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン(マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。)をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
電子ビーム描画装置の外部(外部装置)において、設計データ(CADデータ)に対し、描画装置に適した図形分割やフォーマット変換等の処理が行われ、描画装置用フォーマットに基づく描画データが作成される。この描画データは、描画装置に転送・入力され、フォーマット検査やショット密度の計算処理等の複数段の処理を含むデータ登録処理が行われる。
設計データ及び描画データは、チップ構成等の情報を含む複数のチップデータと、各チップの配置位置等の情報を含むレイアウトデータとを有する。チップデータは、複数のフレームに分割され、外部装置におけるデータ変換処理や、描画装置におけるデータ登録処理を、フレームを単位としたパイプライン処理とすることで、処理速度を向上させている。
従来、描画装置への描画データの登録(入力)はレイアウト単位で行われており、外部装置において全てのチップデータ及びレイアウトデータに対する処理が終了した後に、描画装置でのデータ登録処理が開始されていた。そのため、描画処理のTAT(Turn Around Time)を短縮することが困難であった。
特開2008−34439号公報 特開2009−271830号公報 特開2010−73854号公報 特開平5−90141号公報 特開2006−277727号公報 特開2013−190787号公報
本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、描画処理のTATを短縮することができるデータ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置を提供することを課題とする。
本発明の一態様によるデータ処理方法は、設計データから描画データを作成し、該描画データを荷電粒子ビーム描画装置に登録するデータ処理方法であって、前記設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータに対し、複数の変換処理を行って前記描画データを作成する工程と、前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータに対し、複数の前処理を行い、前記第2チップデータを荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程と、を有し、前記複数の変換処理、及び前記複数の前処理を、それぞれフレーム単位のパイプライン処理で行い、前記荷電粒子ビーム描画装置への前記描画データの登録を、チップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位で行うことを特徴とする。
本発明の一態様によるデータ処理方法は、前記荷電粒子ビーム描画装置に、前記描画データの全てのチップデータ及びレイアウトデータを登録した後、前記チップデータ及び前記レイアウトデータを用いた処理を含む整合性処理を行う。
本発明の一態様によるデータ処理プログラムは、外部装置が設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータに対し、複数の変換処理をパイプライン処理で行うことで作成された描画データを荷電粒子ビーム描画装置に登録するデータ処理プログラムであって、前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータに対し、複数の前処理をパイプライン処理で行い、前記第2チップデータを荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程をコンピュータに実行させ、前記荷電粒子ビーム描画装置への前記描画データの登録を、チップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位でコンピュータに行わせることを特徴とする。
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータに対して外部装置が複数の変換処理をパイプライン処理で行って作成された描画データが登録される荷電粒子ビーム描画装置であって、前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータに対し、複数の前処理をパイプライン処理で行い、前記第2チップデータを登録し、前記描画データの全てのチップデータ及びレイアウトデータを登録した後に、前記チップデータ及び前記レイアウトデータを用いた処理を含む整合性処理を行う前処理部と、前記前処理部により処理されたデータを用いて、荷電粒子ビームにより基板にパターンを描画する描画部と、を備え、前記描画データの登録を、チップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位で行うことを特徴とする。
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画方法は、設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータに対して外部装置が複数の変換処理をパイプライン処理で行って作成された描画データを用いる荷電粒子ビーム描画方法であって、前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータに対し、複数の前処理をパイプライン処理で行い、前記第2チップデータを荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程と、前記描画データの全てのチップデータ及びレイアウトデータを登録した後に、前記チップデータ及び前記レイアウトデータを用いた処理を含む整合性処理を行う工程と、前記整合性処理後のデータを用いて、荷電粒子ビームにより基板にパターンを描画する工程と、を備え、前記描画データの登録を、チップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位で行うことを特徴とする。
本発明によれば、描画処理のTATを短縮することができる。
本発明の実施形態における描画システムの構成図である。 データの階層構造を示す図である。 本実施形態によるデータ処理の一例を示す図である。 (a)(b)は登録済みチップリストの例を示す図である。 (a)(b)はレイアウト登録リストの例を示す図である。 (a)(b)は必要チップリストの例を示す図である。 比較例によるデータ処理の一例を示す図である。 登録チップリストの例を示す図である。 変形例によるデータ処理の一例を示す図である。 変形例によるデータ処理の一例を示す図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、実施の形態における描画システムの構成を示す概念図である。描画システムは、変換装置100と描画装置200とを備える。
描画装置200は、制御部210と描画部230とを備えている。描画装置200は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部230は、描画チャンバ(描画室)240a、電子鏡筒240b、XYステージ250、電子銃241、照明レンズ242、第1成形アパーチャ243、投影レンズ244、偏向器245、第2成形アパーチャ246、対物レンズ247、偏向器248を有している。XYステージ250上には、描画時には描画対象となるマスク基板270が配置される。
描画部230において、描画対象となるマスク基板270は描画チャンバ240aに収容され、描画チャンバ240aには光学鏡筒240bが連なっている。描画チャンバ240aは気密性を有する真空チャンバとして機能する。また、光学鏡筒240bは、描画チャンバ240aの上面に設けられており、光学系により電子ビームを成形及び偏向し、描画チャンバ240a内のマスク基板270に対して照射する。このとき、描画チャンバ240a及び光学鏡筒240bの両方の内部は減圧されて真空状態にされている。
描画チャンバ240a内には、マスク基板270を支持するステージ250が設けられている。このステージ250は水平面内で互いに直交するX軸方向とY軸方向(以下、単にX方向及びY方向という)に移動可能に形成されている。また、光学鏡筒240b内には、電子ビーム260を出射する電子銃などの出射部241と、その電子ビーム260を集光する照明レンズ242と、ビーム成形用の第1成形アパーチャ243と、投影用の投影レンズ244と、ビーム成形用の成形偏向器245と、ビーム成形用の第2成形アパーチャ246と、マスク基板270上にビーム焦点を結ぶ対物レンズ247と、マスク基板270に対するビームショット位置を制御するための偏向器248とが配置されている。
この描画部230では、電子ビーム260が出射部241から出射され、照明レンズ242により第1成形アパーチャ243に照射される。この第1成形アパーチャ243は例えば矩形状の開口を有している。これにより、電子ビーム260が第1成形アパーチャ243を通過すると、その電子ビームの断面形状は矩形状に成形され、投影レンズ244により第2成形アパーチャ246に投影される。なお、この投影位置は成形偏向器245により偏向可能であり、投影位置の変更により電子ビーム260の形状と寸法を制御することができる。その後、第2成形アパーチャ246を通過した電子ビーム260は、その焦点が対物レンズ247によりステージ250上のマスク基板270に合わされて照射される。このとき、ステージ250上のマスク基板270に対する電子ビーム260のショット位置は偏向器248により変更可能である。
制御部210は、制御計算機212、メモリ214、磁気ディスク装置等の記憶装置216、及び偏向制御部218を有している。制御計算機212は、前処理部220、ショットデータ生成部225、及び描画制御部226を有する。前処理部220は、入力・転送部221、フォーマット検査部222、ショット密度算出部223及び整合性処理部224を含む。
前処理部220、ショットデータ生成部225、及び描画制御部226といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。前処理部220、ショットデータ生成部225、及び描画制御部226に入出力されるデータや演算中のデータは、メモリ214にその都度格納される。記憶装置216は、ショットデータ生成部225により生成されるショットデータを格納する。
ショットデータ生成部225は、後述する方法により登録された描画データに規定される描画パターンをストライプ状(短冊状)の複数のストライプ領域(長手方向がX方向であり、短手方向がY方向である)に分割し、さらに、各ストライプ領域を行列状の多数のサブ領域に分割する。加えて、ショットデータ生成部225は、各サブ領域内の図形の形状や大きさ、位置などを決定し、さらに、図形を一回のショットで描画不可能である場合には、描画可能な複数の部分領域に分割し、ショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、照射位置、及びドーズ量(或いはドーズ変調量)といった情報が定義される。
描画制御部226は、パターンを描画する際、ステージ250をストライプ領域の長手方向(X方向)に移動させつつ、電子ビーム260を偏向器248により所定位置にショットして図形を描画する。その後、1つのストライプ領域の描画が完了すると、ステージ250をY方向にステップ移動させてから次のストライプ領域の描画を行い、これを繰り返してマスク基板270の描画領域の全体に電子ビーム260による描画を行う。描画制御部226は、ショットデータに基づく制御信号を偏向制御部218に出力し、成形偏向器245及び偏向器248による電子ビーム260の偏向を制御する。
変換装置100は、フラクチャリング処理部102及びフォーマット変換部104を有し、記憶装置110に格納されている設計データ(CADデータ)を処理してデータ変換を行い、描画データを作成する。作成された描画データは、記憶装置120に格納される。
設計データは、チップの配置位置等の情報を含むレイアウトデータ、及びレイアウトに含まれる複数のチップの各々についてのチップデータを有し、半導体集積回路の設計者などによって作成される。描画データは、描画装置200に入力可能なフォーマットのデータである。記憶装置110、120としては、例えば、磁気ディスク装置や半導体ディスク装置(フラッシュメモリ)などを用いることが可能である。
設計データは、通常、多数の微小なパターン(図形など)を含んでおり、そのデータ量は大きい。設計データをデータ変換して作成される描画データのデータ量はさらに大きい。そのため、データを階層化することによってデータ量の圧縮化が図られている。
図2は、データの階層構造の一例を示す図である。設計データでは、チップ上に複数のセルが配置され、各セルには、かかるセルを構成するパターンとなる図形が配置されている。描画データでは、図4に示すように、描画領域が、チップの層、チップ領域を例えばy方向に向かって短冊状に複数の仮想領域に分割したフレームの層、フレーム領域を所定の大きさの領域に分割したブロックの層、ブロックに含まれるセルの層、セルを構成するパターンとなる図形の層といった一連の複数の内部構成単位ごとに階層化されている。
設計データには、多角形図形など様々な形状のパターンが含まれており、変換装置100のフラクチャリング処理部102は、これらの図形を描画装置200に入力可能な複数種の台形に分割する。フォーマット変換部104は、設計データを、描画装置200に適応したフォーマットに変換する。
設計データの各チップデータは、フレーム単位に分割され、フレーム単位のデータファイルで構成されている。フラクチャリング処理部102による図形分割処理、及びフォーマット変換部104によるフォーマット変換処理はフレーム単位のパイプライン処理で行われる。変換装置100は、フレーム毎の描画データを生成する。
描画装置200の前処理部220の入力・転送部221は、記憶装置120から描画データファイルを入力(転送)する。フォーマット検査部222は、フォーマット検査として、例えば、フレーム毎にパリティチェックを行う。
ショット密度算出部223は、フレーム毎に、単位面積当り(又は描画中の単位時間当り)のショット数であるショット密度を算出する。入力・転送部221、フォーマット検査部222、及びショット密度算出部223の処理はフレーム単位のパイプライン処理で行われる。
整合性処理部224は、レイアウトデータ及びチップデータが揃わないとできない処理や、後述する整合性情報に基づくパラメータ変更チェック、チェックサム検査などの整合性処理を行う。レイアウトデータ及びチップデータが揃わないとできない処理は、例えば、マスクにチップが収まるか否かの判定処理である。レイアウトデータにはチップが配置される位置情報が含まれているが、チップサイズに関する情報はレイアウトデータでなくチップデータに含まれている。整合性処理部224は、レイアウトデータに含まれるチップの配置位置情報と、チップデータに含まれるチップサイズ情報とから、マスクにチップが収まるか否か判定する。
本実施形態では、描画装置200への描画データ(チップデータ)の登録をチップ単位で行う。すなわち、変換装置100において1チップ分の描画データが作成されると、この1チップ分の描画データの描画装置200への登録処理が行われる。
図3に、変換装置100及び描画装置200によるデータ処理の一例を示す。図3は、マスクに2つのチップC1、C2が含まれ、チップC1、C2のチップデータは3つのフレームF1〜F3に仮想分割されるものとする。例えば、図中「C1F1」は、チップC1のフレームF1に対応するチップデータを示す。
変換装置100は、チップC1のフレームF1、F2、F3、チップC2のフレームF1、F2、F3の順に、パイプライン処理となるように図形分割及びフォーマット変換を行う。
変換装置100においてチップC1のフレームF3についての処理が終了し、チップC1の描画データが作成されると(図3の時刻T1)、描画装置200の前処理部220がチップC1のフレームF1、F2、F3の順に、フレーム単位でパイプライン処理となるように、データ転送、フォーマット検査、及びショット密度計算を行う。
なお、描画装置200においてチップC1のチップデータを処理する際に必要なパラメータを記述したパラメータファイルが事前に準備され、描画装置200に登録されている。パラメータファイルには、例えば、面積計算用のメッシュサイズや、ショット数算出用の最大ショットサイズなどが含まれている。このパラメータファイルは、チップデータと共に描画装置200に入力してもよい。
チップC1のチップデータ及びパラメータファイルを描画装置200に登録する際、描画装置200に対しレイアウト名が指定(入力)される。指定されたレイアウト名は、描画装置200の記憶装置(図示略)における当該レイアウトに関するデータを格納するディレクトリの名称として使用される。登録されたチップデータやレイアウトデータはこのディレクトリに格納される。
チップC1のチップデータに対する、データ転送、フォーマット検査、及びショット密度計算の各処理が正常に終了すると、前処理部220は、整合性情報、及び図4(a)に示すような登録済みチップリストを作成し、このリストにチップC1のチップ情報を登録する。登録されるチップ情報には、チップ名や整合性情報ファイル名が含まれる。
ここで、整合性情報とは、前処理部220のパイプライン処理中に出力されたファイルのチェックサム情報や、パラメータファイルに記載されていた情報である。整合性情報は、整合性処理部224による整合性処理に用いられる。
変換装置100においてチップC2のフレームF3についての処理が終了し、チップC2の描画データが作成されると(図3の時刻T2)、描画装置200の前処理部220がチップC2のフレームF1、F2、F3の順に、パイプライン処理となるようにデータ転送(入力)、フォーマット検査、及びショット密度計算を行う。
チップC1と同様に、描画装置200においてチップC2のチップデータを処理する際に必要なパラメータを記述したパラメータファイルが事前に準備され、描画装置200に登録される。
チップC2のチップデータに対する、データ転送、フォーマット検査、及びショット密度計算の各処理が正常に終了すると、前処理部220は、整合性情報を作成すると共に、図4(b)に示すように、登録済みチップリストにチップC2のチップ情報を登録する。
変換装置100においてチップC2のフレームF3についての処理が終了すると、レイアウトデータに対するデータ処理が行われる。レイアウトデータは、変換装置100においてデータ処理されると(図3の時刻T3)、描画装置200にデータ登録される。
描画装置200は、図5(a)に示すようなレイアウト登録リストを有しており、レイアウトデータの登録に伴い、レイアウト名、及びチップ準備状態が記録される。チップ準備状態は、当該レイアウトに含まれる全てのチップのチップデータが登録されているか否かを示す。
前処理部220は、レイアウトデータの登録に伴い、図6(a)に示すような、当該レイアウトに含まれるチップをリスト化した必要チップリストを作成する。前処理部220は、図4(a)(b)に示す登録済みチップリストを参照して、各チップについて、チップデータの登録処理が完了しているか、又は未完了であるかを記録する。
図3に示す例では、チップC1、C2のチップデータの処理完了後にレイアウトデータが登録されるため、図6(a)に示すように、チップC1、C2共に登録処理「完了」と記録される。全てのチップ(チップC1、C2)のチップデータが登録されているため、図5(a)に示すように、レイアウト登録リストのチップ準備状態は登録完了を示す「Completed(2/2)」と記録される。
図3に示す例では、変換装置100及び描画装置200において、全てのチップデータの処理の後に、レイアウトデータの処理を行っていたが、レイアウトデータの処理は最後でなくてもよい。例えば、チップC1のチップデータの処理後、チップC2のチップデータの処理前に、レイアウトデータの処理を行ってもよい。
この場合、前処理部220におけるレイアウトデータの登録時、チップC1のチップデータの登録処理は完了しているが、チップC2のチップデータの登録処理は完了していない。そのため、図6(b)に示すように、必要チップリストには、チップC1は登録処理「完了」と記録され、チップC2は登録処理「未完了」と記録される。また、レイアウト登録リストのチップ準備状態は、図5(b)に示すように、全2チップ中1チップのみ登録が完了したことを示す「Not Completed(1/2)」と記録される。その後、前処理部220によるチップC2のチップデータの登録処理が完了すると、必要チップリストは、図6(b)に示すものから図6(a)に示すものに変わり、レイアウト登録リストは、図5(b)に示すものから図5(a)に示すものに変わる。
レイアウト登録リストのチップ準備状態が「Completed」となると、ユーザが当該レイアウトを選択できるように、描画装置200のジョブ画面(図示略)に当該レイアウト名が表示される。ユーザが当該レイアウトを選択し、ジョブ登録(描画開始指示)すると、整合性処理部224が、レイアウトデータ及びチップデータが揃わないとできない処理を行ったり、登録済みチップリストに記載された整合性情報ファイル名に対応する整合性情報に基づいて、パラメータ変更チェックやチェックサムの検査などを行ったりする。チェックサムの検査で違反がある場合は、前処理部220におけるパイプライン処理をチップ単位で再度行う。
整合性処理部224による整合性処理の後、描画部230によるマスク基板270への描画処理が行われる。
[比較例]
図7は、描画装置200への描画データ(チップデータ)の登録をレイアウト単位で行う場合のデータ処理の例を示す。図3に示す例と同様に、マスクに2つのチップC1、C2が含まれ、チップC1、C2のチップデータは3つのフレームF1〜F3に分割されるものとする。
まず、変換装置100は、チップC1のフレームF1、F2、F3、チップC2のフレームF1、F2、F3の順に、パイプライン処理となるように図形分割及びフォーマット変換を行う。そして、チップC2のフレームF3についての処理が終了すると、レイアウトデータに対するデータ処理が行われる。
変換装置100においてレイアウトデータがデータ処理されると、描画装置200へのデータ登録処理が開始され(図7の時刻T4)、描画装置200にレイアウトデータが登録される。レイアウトデータが登録されると(図7の時刻T5)、描画装置200は、チップC1のフレームF1、F2、F3、チップC2のフレームF1、F2、F3の順に、パイプライン処理となるように、データ転送、フォーマット検査、及びショット密度計算を行う。その後、描画部230によるマスク基板270への描画処理が行われる。この比較例では、描画装置200にレイアウトデータが先に登録されているため、上記実施形態のような整合性処理は行われない。
比較例によるデータ処理のように描画データ(チップデータ)の登録をレイアウト単位で行う場合、変換装置100で全てのデータに対する処理が完了してから、描画装置200へのデータ登録を開始する。そのため、描画処理のTAT(図7のTAT2)が長くなる。
一方、上記実施形態では、描画装置200への描画データの登録は、チップ単位で行われる。例えば、図3に示すように、チップC1のフレームF3についての処理が終了し、チップC1の描画データが作成されると、チップC1のチップデータの描画装置200への登録処理が行われる。そのため、描画処理のTAT(図3のTAT1)を、比較例におけるTAT(TAT2)よりも短縮することができる。
例えば、レイアウトに5つのチップが含まれ、各チップが200フレームに分割され、各フレーム処理時間が30秒、レイアウト処理時間が10分、描画部230による実描画時間が8時間、整合性処理に要する時間が30分とした場合、本実施形態のようにチップ単位で描画データを登録すると、TATは18.5時間となる。一方、比較例のようにレイアウト単位で描画データを登録すると、TATは25時間となる。本実施形態による手法は、比較例の手法よりも、TATを約25%短縮できる。
図8に示すような、描画装置200へチップデータを登録する複数のチップをまとめて記述した登録チップリストを準備し、描画装置200へのチップデータ登録時の入力としてこの登録チップリストを指定することで、複数のチップデータの登録を(自動的に)連続して行うようにしてもよい。
登録チップリストには、各チップのチップ名、チップデータ格納ディレクトリパス、パラメータファイルパスなどが記述される。また、登録チップリストに、チップのマスク上での配置座標、各チップの相対座標、チップマージ対象のチップなどを記載してもよい。
上記実施形態では、描画装置200に対し、チップ単位でチップデータを登録する例について説明したが、レイアウト単位よりも下位の単位であればよく、例えば複数のチップをまとめた仮想チップ単位や、チップ単位よりも下位のフレーム単位でもよい。
図9は、仮想チップ単位でチップデータを登録する場合の、変換装置100及び描画装置200によるデータ処理の一例を示す。図9の例では、マスクに4つのチップC1〜C4が含まれ、チップC1〜C4のチップデータは3つのフレームF1〜F3に分割され、2つのチップをまとめて仮想チップ単位とする。
変換装置100は、チップC1のフレームF1、F2、F3、チップC2のフレームF1、F2、F3、チップC3のフレームF1、F2、F3、チップC4のフレームF1、F2、F3の順に、パイプライン処理となるように図形分割及びフォーマット変換を行う。
変換装置100においてチップC2のフレームF3についての処理が終了し、チップC1及びC2の描画データが作成されると(図9の時刻T6)、描画装置200の前処理部220がチップC1のフレームF1、F2、F3、チップC2のフレームF1、F2、F3の順に、フレーム単位でパイプライン処理となるように、データ転送、フォーマット検査、及びショット密度計算を行う。
その後、変換装置100においてチップC4のフレームF3についての処理が終了し、チップC3及びC4の描画データが作成されると(図9の時刻T7)、描画装置200の前処理部220がチップC3のフレームF1、F2、F3、チップC4のフレームF1、F2、F3の順に、パイプライン処理となるように入力、フォーマット検査、及びショット密度計算を行う。
このような仮想チップ単位によるチップデータの登録によっても、上述した比較例のようにレイアウト単位でチップデータを登録する場合よりも、描画処理のTATを短縮することができる。
図10は、フレーム単位でチップデータを登録する場合の、変換装置100及び描画装置200によるデータ処理の一例を示す。図10に示す例は、マスクに2つのチップC1、C2が含まれ、チップC1、C2のチップデータは3つのフレームF1〜F3に分割されるものとする。
変換装置100は、チップC1のフレームF1、F2、F3、チップC2のフレームF1、F2、F3の順に、パイプライン処理となるように図形分割及びフォーマット変換を行う。
変換装置100においてチップC1のフレームF1についての処理が終了し、このフレームの描画データが作成されると(図10の時刻T8)、描画装置200の前処理部220がチップC1のフレームF1について、データ転送、フォーマット検査、及びショット密度計算を順に行う。
変換装置100においてチップC1のフレームF2についての処理が終了し、このフレームの描画データが作成されると(図10の時刻T9)、描画装置200の前処理部220がチップC1のフレームF2について、データ転送、フォーマット検査、及びショット密度計算を順に行う。前処理部220におけるデータ処理は、フレームF1、F2の順にパイプライン処理となるように行われる。以下、同様に、1つのフレームについて変換装置100の処理が終了すると、このフレームに対し、前処理部220が処理を行う。
このようなフレーム単位によるチップデータの登録によっても、上述した比較例のようにレイアウト単位でチップデータを登録する場合よりも、描画処理のTATを短縮することができる。
上記実施形態による描画装置は、可変成形型でなく、マルチビーム描画装置でもよい。上記実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明したが、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームでもよい。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
100 変換装置
102 フラクチャリング処理部
104 フォーマット変換部
200 描画装置
210 制御部
212 制御計算機
220 前処理部
221 入力・転送部
222 フォーマット検査部
223 ショット密度算出部
224 整合性処理部
225 ショットデータ生成部
226 描画制御部
230 描画部

Claims (4)

  1. 設計データから描画データを作成し、該描画データを荷電粒子ビーム描画装置に登録するデータ処理方法であって、
    前記設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータのそれぞれに対し、複数の変換処理を行って前記描画データを作成する工程と、
    前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータのそれぞれに対し、データ転送及びフォーマット検査を行って、前記第2チップデータを荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程と、
    前記データ転送及びフォーマット検査が行われたチップのチップ情報を登録済みチップリストに登録する工程と、
    前記登録済みチップリストへの前記チップ情報の登録後、前記荷電粒子ビーム描画装置へのレイアウトデータの登録に伴い、レイアウト登録リストにレイアウト名及びチップ準備状態を記録すると共に、レイアウトに含まれるチップをリスト化した必要チップリストを作成する工程と、
    前記登録済みチップリストを参照して、前記必要チップリストに、各チップに対応する描画データの登録処理が完了しているか否か記録する工程と、
    前記必要チップリストに記載されている全チップについて登録処理が完了していると記録されると、前記レイアウト登録リストのチップ準備状態を登録完了とし、前記チップデータ及び前記レイアウトデータを用いた処理を含む整合性処理を行う工程と、
    を有し、
    前記複数の変換処理、及び前記データ転送及びフォーマット検査を、それぞれフレーム単位のパイプライン処理で行い、
    前記荷電粒子ビーム描画装置への前記描画データの登録を、レイアウト単位より下位の単位であるチップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位で行うことを特徴とするデータ処理方法。
  2. 外部装置が設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータのそれぞれに対し、複数の変換処理をパイプライン処理で行うことで作成された描画データを荷電粒子ビーム描画装置に登録するデータ処理プログラムであって、
    前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータのそれぞれに対し、データ転送及びフォーマット検査をパイプライン処理で行って、前記第2チップデータを荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程と、
    前記データ転送及びフォーマット検査が行われたチップのチップ情報を登録済みチップリストに登録する工程と、
    前記登録済みチップリストへの前記チップ情報の登録後、前記荷電粒子ビーム描画装置へのレイアウトデータの登録に伴い、レイアウト登録リストにレイアウト名及びチップ準備状態を記録すると共に、レイアウトに含まれるチップをリスト化した必要チップリストを作成する工程と、
    前記登録済みチップリストを参照して、前記必要チップリストに、各チップに対応する描画データの登録処理が完了しているか否か記録する工程と、
    前記必要チップリストに記載されている全チップについて登録処理が完了していると記録されると、前記レイアウト登録リストのチップ準備状態を登録完了とし、前記チップデータ及び前記レイアウトデータを用いた処理を含む整合性処理を行う工程と、
    をコンピュータに実行させ、
    前記荷電粒子ビーム描画装置への前記描画データの登録を、レイアウト単位より下位の単位であるチップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位でコンピュータに行わせることを特徴とするデータ処理プログラム。
  3. 設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータのそれぞれに対して外部装置が複数の変換処理をパイプライン処理で行って作成された描画データが登録される荷電粒子ビーム描画装置であって、
    前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータのそれぞれに対し、データ転送及びフォーマット検査をパイプライン処理で行い、前記第2チップデータを登録し、前記データ転送及びフォーマット検査が行われたチップのチップ情報を登録済みチップリストに登録し、前記登録済みチップリストへの前記チップ情報の登録後、レイアウトデータの登録に伴い、レイアウト登録リストにレイアウト名及びチップ準備状態を記録すると共に、レイアウトに含まれるチップをリスト化した必要チップリストを作成し、前記登録済みチップリストを参照して、前記必要チップリストに、各チップに対応する描画データの登録処理が完了しているか否か記録し、前記必要チップリストに記載されている全チップについて登録処理が完了していると記録されると、前記レイアウト登録リストのチップ準備状態を登録完了とし、前記チップデータ及び前記レイアウトデータを用いた処理を含む整合性処理を行う前処理部と、
    前記前処理部により処理されたデータを用いて、荷電粒子ビームにより基板にパターンを描画する描画部と、
    を備え、
    前記描画データの登録を、レイアウト単位より下位の単位であるチップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位で行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
  4. 設計データの第1チップデータを分割した複数の第1フレームデータのそれぞれに対して外部装置が複数の変換処理をパイプライン処理で行って作成された描画データを用いる荷電粒子ビーム描画方法であって、
    前記描画データの第2チップデータを分割した複数の第2フレームデータのそれぞれに対し、データ転送及びフォーマット検査をパイプライン処理で行って、前記第2チップデータを荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程と、
    前記データ転送及びフォーマット検査が行われたチップのチップ情報を登録済みチップリストに登録する工程と、
    前記登録済みチップリストへの前記チップ情報の登録後、前記荷電粒子ビーム描画装置へのレイアウトデータの登録に伴い、レイアウト登録リストにレイアウト名及びチップ準備状態を記録すると共に、レイアウトに含まれるチップをリスト化した必要チップリストを作成する工程と、
    前記登録済みチップリストを参照して、前記必要チップリストに、各チップに対応する描画データの登録処理が完了しているか否か記録する工程と、
    前記必要チップリストに記載されている全チップについて登録処理が完了していると記録されると、前記チップデータ及び前記レイアウトデータを用いた処理を含む整合性処理を行う工程と、
    前記整合性処理後のデータを用いて、荷電粒子ビームにより基板にパターンを描画する工程と、
    を備え、
    前記描画データの登録を、レイアウト単位より下位の単位であるチップ単位、複数のチップをまとめた仮想チップ単位、又はフレーム単位で行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
JP2015241287A 2015-12-10 2015-12-10 データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 Active JP6690216B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015241287A JP6690216B2 (ja) 2015-12-10 2015-12-10 データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置
US15/342,296 US10096452B2 (en) 2015-12-10 2016-11-03 Data processing method, charged particle beam writing method, and charged particle beam writing apparatus
TW105139483A TWI639929B (zh) 2015-12-10 2016-11-30 Data processing method, charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing device
KR1020160167519A KR101877431B1 (ko) 2015-12-10 2016-12-09 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015241287A JP6690216B2 (ja) 2015-12-10 2015-12-10 データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017108013A JP2017108013A (ja) 2017-06-15
JP6690216B2 true JP6690216B2 (ja) 2020-04-28

Family

ID=59020762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015241287A Active JP6690216B2 (ja) 2015-12-10 2015-12-10 データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10096452B2 (ja)
JP (1) JP6690216B2 (ja)
KR (1) KR101877431B1 (ja)
TW (1) TWI639929B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6819475B2 (ja) * 2017-06-14 2021-01-27 株式会社ニューフレアテクノロジー データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4912487A (en) 1988-03-25 1990-03-27 Texas Instruments Incorporated Laser scanner using focusing acousto-optic device
JPH0574693A (ja) * 1991-09-18 1993-03-26 Toshiba Corp 荷電ビーム描画方法
JP3071899B2 (ja) * 1991-09-30 2000-07-31 株式会社東芝 荷電ビーム描画用データ作成装置
US6313476B1 (en) * 1998-12-14 2001-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged beam lithography system
US6812045B1 (en) * 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
JP2004363085A (ja) 2003-05-09 2004-12-24 Ebara Corp 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
JP2006277727A (ja) 2005-03-04 2006-10-12 Canon Inc レイアウト処理方法、情報処理装置及びコンピュータプログラム
JP2006318977A (ja) 2005-05-10 2006-11-24 Toshiba Corp 電子ビーム描画装置、描画方法、及び描画プログラム
JP4778777B2 (ja) * 2005-11-01 2011-09-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子線描画データの作成方法
JP4814716B2 (ja) * 2006-07-26 2011-11-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5148233B2 (ja) * 2007-09-27 2013-02-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画方法
JP2009271830A (ja) 2008-05-09 2009-11-19 Nuflare Technology Inc 描画データ分散処理方法およびマスク描画装置
JP5302606B2 (ja) * 2008-09-18 2013-10-02 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP5349880B2 (ja) * 2008-09-22 2013-11-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画方法
JP5414102B2 (ja) * 2009-05-18 2014-02-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ処理方法
JP5498106B2 (ja) * 2009-09-15 2014-05-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5547553B2 (ja) * 2010-05-26 2014-07-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法
US20130215146A1 (en) 2012-02-17 2013-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Image-drawing-data generation apparatus, method for generating image drawing data, and program

Also Published As

Publication number Publication date
KR101877431B1 (ko) 2018-07-11
TWI639929B (zh) 2018-11-01
TW201734867A (zh) 2017-10-01
US10096452B2 (en) 2018-10-09
US20170169994A1 (en) 2017-06-15
JP2017108013A (ja) 2017-06-15
KR20170069168A (ko) 2017-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5020745B2 (ja) 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5498105B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
US9006691B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method using a generated frame that surrounds a first data processing block
JP2011066036A (ja) 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5620725B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
TWI512409B (zh) Charge particle beam rendering device and charged particle beam rendering method
CN111913362B (zh) 带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置
JP6690216B2 (ja) データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5148233B2 (ja) 描画装置及び描画方法
JP5232429B2 (ja) 描画装置及び描画方法
JP6819475B2 (ja) データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム
JP6110685B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置、及びバッファメモリのデータ格納方法
KR20170083497A (ko) 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법
JP5357530B2 (ja) 描画用データの処理方法、描画方法、及び描画装置
JP6171062B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5586343B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2019068000A (ja) シミュレーション装置、荷電粒子ビーム描画システム、及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6148970B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180502

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190327

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190402

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190917

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200310

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200323

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6690216

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250