JP6505693B2 - ナノ構造及びナノ構造化物品の作製方法 - Google Patents
ナノ構造及びナノ構造化物品の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6505693B2 JP6505693B2 JP2016529853A JP2016529853A JP6505693B2 JP 6505693 B2 JP6505693 B2 JP 6505693B2 JP 2016529853 A JP2016529853 A JP 2016529853A JP 2016529853 A JP2016529853 A JP 2016529853A JP 6505693 B2 JP6505693 B2 JP 6505693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plasma
- film
- electrode
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 79
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 41
- -1 metal oxide compounds Chemical class 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical class CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical class C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 65
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 23
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 18
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 17
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 14
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 14
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 8
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004812 Fluorinated ethylene propylene Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 229920009441 perflouroethylene propylene Polymers 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 6
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 4
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 4
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 4
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N octafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229960004065 perflutren Drugs 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-2,2,4-trimethylhexane Chemical compound O=C=NCCC(C)CC(C)(C)CN=C=O ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC(=O)C=C KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N ethene;1,1,2,2-tetrafluoroethene Chemical group C=C.FC(F)=C(F)F QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N hexafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)F WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGFXOWRDDHCDTE-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene oxide Chemical compound FC(F)(F)C1(F)OC1(F)F PGFXOWRDDHCDTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- WRAQQYDMVSCOTE-UHFFFAOYSA-N phenyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC1=CC=CC=C1 WRAQQYDMVSCOTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- CNLVUQQHXLTOTC-UHFFFAOYSA-N (2,4,6-tribromophenyl) prop-2-enoate Chemical compound BrC1=CC(Br)=C(OC(=O)C=C)C(Br)=C1 CNLVUQQHXLTOTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBVVBUBADASQPL-UHFFFAOYSA-N (2,4-dichlorophenyl) prop-2-enoate Chemical compound ClC1=CC=C(OC(=O)C=C)C(Cl)=C1 CBVVBUBADASQPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URRGZAZOTZMROA-UHFFFAOYSA-N (2-butylphenyl) prop-2-enoate Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1OC(=O)C=C URRGZAZOTZMROA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- KLFRPGNCEJNEKU-FDGPNNRMSA-L (z)-4-oxopent-2-en-2-olate;platinum(2+) Chemical compound [Pt+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O KLFRPGNCEJNEKU-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICKFOGODAXJVSQ-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tribromo-2-ethenylbenzene Chemical compound BrC1=CC(Br)=C(C=C)C(Br)=C1 ICKFOGODAXJVSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXFONIGDXLPYOB-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trichloro-2-ethenylbenzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=C(C=C)C(Cl)=C1 TXFONIGDXLPYOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UULPGUKSBAXNJN-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-phenoxybenzene Chemical compound C1=CC(C=C)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 UULPGUKSBAXNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CISIJYCKDJSTMX-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloroethenylbenzene Chemical compound ClC(Cl)=CC1=CC=CC=C1 CISIJYCKDJSTMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMBJXYFIMKHOQE-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6-tribromophenoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound BrC1=CC(Br)=C(OCCOC(=O)C=C)C(Br)=C1 AMBJXYFIMKHOQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCC(CO)(CO)CO GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVINYQDSSQUKO-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC1=CC=CC=C1 RZVINYQDSSQUKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHOOUTWPJJQGSK-UHFFFAOYSA-N 2-phenylsulfanylethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCSC1=CC=CC=C1 RHOOUTWPJJQGSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 3,3',5,5'-tetrabromobisphenol A Chemical compound C=1C(Br)=C(O)C(Br)=CC=1C(C)(C)C1=CC(Br)=C(O)C(Br)=C1 VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- CBGSUANKNSADFQ-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)OC(C=C)=S Chemical compound C1(=CC=CC=C1)OC(C=C)=S CBGSUANKNSADFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 1
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 1
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229920009638 Tetrafluoroethylene-Hexafluoropropylene-Vinylidenefluoride Copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N [2-[2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)butoxymethyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)butyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CC)COCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000845 anti-microbial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- ZKXWKVVCCTZOLD-UHFFFAOYSA-N copper;4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Cu].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O ZKXWKVVCCTZOLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- IDLFZVILOHSSID-OVLDLUHVSA-N corticotropin Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](CCSC)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC=1NC=NC=1)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC(O)=CC=1)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(O)=O)NC(=O)[C@@H](N)CO)C1=CC=C(O)C=C1 IDLFZVILOHSSID-OVLDLUHVSA-N 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012377 drug delivery Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920006129 ethylene fluorinated ethylene propylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylprop-2-enamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C=C OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088644 n,n-dimethylacrylamide Drugs 0.000 description 1
- YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylprop-2-enamide Chemical compound CN(C)C(=O)C=C YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N n-propan-2-ylprop-2-enamide Chemical compound CC(C)NC(=O)C=C QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFHJDMUEHUHAJW-UHFFFAOYSA-N n-tert-butylprop-2-enamide Chemical compound CC(C)(C)NC(=O)C=C XFHJDMUEHUHAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- WEGDVNIPLOLRJC-UHFFFAOYSA-M sodium;naphthalene-1-carboxylate Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1 WEGDVNIPLOLRJC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005809 transesterification reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- SQBBHCOIQXKPHL-UHFFFAOYSA-N tributylalumane Chemical compound CCCC[Al](CCCC)CCCC SQBBHCOIQXKPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIILXFBHQILWPS-UHFFFAOYSA-N tributyltin Chemical compound CCCC[Sn](CCCC)CCCC PIILXFBHQILWPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004072 triols Chemical class 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
- C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0128—Processes for removing material
- B81C2201/013—Etching
- B81C2201/0132—Dry etching, i.e. plasma etching, barrel etching, reactive ion etching [RIE], sputter etching or ion milling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/60—Details of absorbing elements characterised by the structure or construction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3341—Reactive etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
A.ナノ構造の作製方法であって、
基材を準備することと、
プラズマ形態になったときに基材上に層を堆積することができる第1のガス種を、プラズマ形態になったときに基材をエッチングすることができる第2のガス種と混合し、それによってガス混合物を形成することと、
ガス混合物をプラズマ形態にすることと、
基材の表面をプラズマに曝すことと、を含み、表面がエッチングされ、かつ層が実質的同時にエッチングされた表面の少なくとも一部分の上に堆積され、それによってナノ構造が形成される、方法。
B.基材が、(コ)ポリマー材料、無機材料、合金、固溶体、及びこれらの組み合わせを含む、実施形態Aによるナノ構造の作製方法。
C.(コ)ポリマー材料が、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(エチレンテレフタレート)、ポリカーボネート、セルロース、トリアセテート、ポリアミド、ポリイミド、フルオロポリマー、ポリオレフィン、シロキサン(コ)ポリマー、環状オレフィン(コ)ポリマー、又はポリウレタン、及びこれらの組み合わせから選択される(コ)ポリマーを含む、実施形態Bによるナノ構造の作製方法。
D.(コ)ポリマーが、ポリテトラフルオロエチレンフルオロポリマーであり、基材の表面が、プラズマへの露出後に実質的に無色である、実施形態Cによるナノ構造の作製方法。
E.基材が、透明な(コ)ポリマーを含む、実施形態Cによるナノ構造の作製方法。
F.第1のガス種が、有機ケイ素化合物、金属アルキル化合物、金属イソプロポキシド化合物、金属酸化物化合物、金属アセチルアセトネート化合物、金属ハライド化合物、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、実施形態AからEのいずれかによるナノ構造の作製方法。
G.有機ケイ素化合物が、テトラメチルシラン、トリメチルシラン、ヘキサメチルジシロキサン、オルトケイ酸テトラエチル、又は多面体オリゴマーシルセスキオキサン、及びこれらの組み合わせを含む、実施形態Fによるナノ構造の作製方法。
H.第2のガス種が、酸素、フルオロカーボン、三フッ化窒素、六フッ化硫黄、塩素、塩酸、メタン、及びこれらの組み合わせを含む、実施形態AからGのいずれかによるナノ構造の作製方法。
I.フルオロカーボンが、テトラフルオロメタン、パーフルオロプロパン、及びこれらの組み合わせから選択される、実施形態Hによるナノ構造の作製方法。
J.ガス混合物がアルゴンを更に含む、実施形態AからIのいずれかによるナノ構造の作製方法。
K.ナノ構造が約400ナノメートル未満の寸法を有する、実施形態AからJのいずれかによるナノ構造の作製方法。
L.ナノ構造が約40ナノメートル未満の寸法を有する、実施形態Kによるナノ構造の作製方法。
M.実質的に連続的に行われる、実施形態AからLのいずれかによるナノ構造の作製方法。
N.方法実施形態AからMのいずれかによる方法から作製される物品。
O.3%未満の反射率及び0.5%未満のヘーズ デルタを有する、実施形態Nによる物品。
P.2%未満の反射率及び0.5%未満のヘーズ デルタを有する、実施形態Oによる物品。
Q.1%未満の反射率及び0.5%未満のヘーズ デルタを有する、実施形態Pによる物品。
R.エッチングされた表面が、2:1超のアスペクト比を有する少なくとも1つのナノ構造を有する、実施形態N、O、P、又はQのいずれか1つによる物品。
S.エッチングされた表面が、15:1超のアスペクト比を有する少なくとも1つのナノ構造を有する、実施形態Rによる物品。
T.堆積した種が、エッチングされた表面の実質的に全体にわたって存在する、実施形態N、O、P、Q、R、又はSのいずれか1つによる物品。
U.堆積した種の濃度が、露出した表面からの深さに従って連続的に変化する、実施形態N、O、P、Q、R、S又はTのいずれか1つによる物品。
V.露出した表面が、シラノール基を含む、実施形態N、O、P、Q、R、S、T、又はUのいずれか1つによる物品。
W.露出した表面に接着した感圧性接着剤の層を更に含む、実施形態N、O、P、Q、R、S、T、U、又はVのいずれか1つによる物品。
X.感圧性接着剤及び基材が、紫外線安定である、実施形態Wによる物品。
Y.露出した表面が、少なくとも1つの次元においてランダムであるパターンを有する、実施形態N、O、P、Q、R、S、T、U、V、W、又はXのいずれか1つによる物品。
Z.露出した表面が、3つの直交する次元においてランダムであるパターンを有する、実施形態Yによる物品。
AA.基材がフルオロポリマーであり、かつ方法が多層積層体を形成するように、ナノ構造をフィルム又はフィルム形成材料と接触させることを更に含む、実施形態Aによるナノ構造の作製方法。
AB.多層積層体の形成方法であって、
少なくとも1つの第1の表面を有するフルオロポリマーフィルムを提供することと、
その1つの第1の表面上にナノ構造を形成することと、
多層積層体を形成するように、そのナノ構造をフィルム又はフィルム形成材料と接触させることと、を含む、方法。
AC.フィルムとナノ構造との間の接着剤強度が、そのフィルムの凝集強度よりも大きい、実施形態ABによる多層積層体の形成方法。
AD.実施形態AB及びACのいずれか1つによる方法から作製される物品。
説明及び特許請求の範囲の全体を通して特定の用語が使用されており、大部分は周知であるが、いくらか説明を必要とする場合がある。本明細書に使用される場合、
数値又は形状への言及に関する用語「約」又は「おおよそ」は、数値又は特性若しくは特徴の+/−5パーセントを意味するが、明示的に、数値又は特性若しくは特徴の+/−5パーセント以内の任意の狭い範囲及び正確な数値もまた含むことを理解されたい。例えば、「約」100℃の温度は、95℃〜105℃の温度を示すが、明示的に任意の更に狭い範囲の温度又は例えば100℃ちょうどの温度を含むその範囲の単一の温度でさえも含む。
用語「ナノスケール」は、1マイクロメートル(1,000ナノメートル)以下、例えば、約1ナノメートル(nm)と約1,000nmとの間、更に好ましくは約1nmと500nmとの間、もっとも好ましくは約5nmと300nmとの間の特徴長さ、幅、又は高さを有する特徴部又は構造を示す。
用語「ナノ構造」又は「ナノ構造化」は、少なくとも1つのナノスケール特徴部又は構造、及び好ましくは複数のナノスケール特徴部又は構造を有する物品を示し、
用語「プラズマ」は、電子、イオン、中性分子、及びフリーラジカルを含有する物質が、部分的にイオン化されたガス又は流体状態であることを指す。
BYK Gardinerカラーガイドスフィア(color guide sphere)を使用して、プラズマ処理表面の反射率(平均反射%又は%R)を測定した。各フィルムの1つの試料は、Yamato Black Vinyl Tape #200−38(Woodhaven,MIのYamato International Corporation)から入手)を試料の裏側に貼り付けることによって調製された。両面からの透過率及び反射率が既定である透明なガラススライドを使用して、ブラックテープからの%反射率を確定した。このブラックテープは、ブラックテープと試料との間に捕らえられた気泡がないことを確実にするためにロールを用いて試料の裏側へ積層された。積分球検出器によって前面の合計反射率(正反射及び拡散)を測定するために、テープのない側を開口部に対するように、試料を装置内に配置した。10°の入射角で反射率(%R)を測定し、400〜700nmの範囲の波長に関するブラックテープの反射率(%R)を引き算することによって平均反射率(%R)を計算した。
ヘイズ及び透過率の測定は、BYK Haze Delta−Gard Plus(BYK Gardiner(Columbia,MD)製)を用いて、ASTM D1003 & D1004に従って実施した。
3−1耐候性試験
接着したフィルムを備えた試験パネルを、ASTM G155、Cycle 1毎の下記の条件に露出させた。持続時間2000時間、キセノンアーク灯、0.35W/m2/nm、340nmで、キセノンアーク光を63℃ブラックパネル温度での(並びに非制御の空気温中で)の102分と、キセノンアーク光及び脱イオン水スプレーの組み合わせの18分との交互サイクル。
接着したフィルムを備えた試験パネルを、ASTM G154、Cycle 2毎の下記の条件に露出させた。持続時間2000時間、紫外線B−313蛍光紫外線灯、0.71W/m2/nm、310nmで、紫外線照射の60℃ブラックパネル温度での4時間と、50℃ブラックパネル温度での結露での4時間との交互サイクル。
押出した厚さ50マイクロメートルのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)フィルムの巻物を、St.のエマルションPTFE樹脂DYNEON TF−2071」の微粉末と、「ISOPAR M」としてExxon Mobil、Irving、TXから市販されている押出し潤滑剤とを、潤滑剤の推奨重量パーセントに従って混合することによって形成した。これらの成分をペーストになるまで混合し、このペーストを押出してフィルムにした。このフィルムを、一連のカレンダロールを使用して、所定のフィルム厚へ圧延した。所定のサイズにしたフィルムを、次いで潤滑剤を除去する抽出機に通した。最後に、未焼成フィルムを、高温のオーブン内で焼結プロセスに通してフィルムを融解し、最終的な厚さにもっていった。
厚さ125マイクロメートルのポリエチレンフタレート(PET)フィルムの巻物をチャンバー内に搭載し、フィルム巻きつけたフィルムをドラム電極の周囲に巻き付け、ドラムの反対側上の巻取りロールに固定した。巻き出し及び巻取り張力は3ポンド(13.3N)に維持した。チャンバーのドアを閉鎖し、チャンバーを基準圧5×10−4トール(0.067Pa)までポンプで排気した。第1のガス種は、下記表1に概説するとおり、3つの異なる流量で供給したヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)蒸気であり、第2のガス種は、500sccmの流量で供給した酸素であった。露出中の圧力は、約10ミリトール(1.33N/m2)で、プラズマを6000ワットの電力でオンにした。
「IPI TAC」(「IPI TAC」の商品名の下、Island Pyrochemical Industries Corp、Mineola、NYから入手)として市販されている、厚さ80マイクロメートルのセルローストリアセテートフィルムとして市販されているフィルムの巻物を、チャンバー内に搭載し、フィルムをドラム電極の周囲に巻き付け、ドラムの反対側上の巻取りロールに固定した。巻き出し及び巻取り張力は3ポンド(13.3N)に維持した。チャンバーのドアを閉鎖し、チャンバーを基準圧5×10−4トール(0.067Pa)までポンプで排気した。
「UPILEX−12.5S」としてUbe Industries、Tokyo、Japanから市販されている、厚さ12.5マイクロメートルのポリイミドフィルムとして市販されているポリイミドフィルムの巻物を、チャンバー内に搭載し、フィルムをドラム電極の周囲に巻き付け、ドラムの反対側上の巻取りロールに固定した。巻き出し及び巻取り張力は3ポンド(13.3N)に維持した。チャンバーのドアを閉鎖し、チャンバーを基準圧5×10−4トール(0.067Pa)までポンプで排気した。第4のガス種は、下記表1に概説するとおり、3つの異なる流量で供給したヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)蒸気であり、第2のガス種は、500sccmの流量で供給した酸素であった。露出中の圧力は、約10ミリトール(1.33N/m2)で、プラズマを6000ワットの電力でオンにした。フィルムを、下記表4に概説するとおり、種々のライン速度で進行させた。光学的透過率(%透過率)、ヘイズ(%ヘイズ)、及び反射率(%反射率)を、それぞれプロセス条件で測定した。表4に結果を示す。完全に非処理のユーピレックスフィルムの形成における対照もまた提示する。
上記に記載されるとおり、ユーピレックスポリイミドフィルムの巻物を、チャンバー内に搭載し、テープをドラム電極の周囲に巻き付け、ドラムの反対側上の巻取りロールに固定した。巻き出し及び巻取り張力は3ポンド(13.3N)に維持した。チャンバーのドアを閉鎖し、チャンバーを基準圧5×10−4トール(0.067Pa)までポンプで排気した。
押し出して100マイクロメートルの厚さにした、「FEP−6322Z」として3M−Dyneon、Saint Paul、MNから市販されているフッ素化エチレンプロピレン(FEP)のシート試料を、PETキャリアフィルムに付着させた。そのPETフィルムをチャンバー内でドラム電極の周囲に巻きつけて装着し、ドラムの反対側上の巻取りロールに固定した。巻き出し及び巻取り張力は3ポンド(13.3N)に維持した。チャンバーのドアを閉鎖し、チャンバーを基準圧5×10−4トール(0.067Pa)までポンプで排気した。第1のガス種は、40sccmの流量で供給されたテトラメチルシランガスであり、第2のガス種は、500sccmの流量で供給された酸素であった。露出中の圧力は、約10ミリトール(1.33N/m2)で、テープを6ft/分(1.83m/分)の速度で進行している間、プラズマを6000ワットの電力でオンにした。
ナノ構造化FEPフィルムへの平均接着力63.53+−1.48oz/in(6.925+−0.161N/cm)
エッチングしていない対照FEPフィルムへの平均接着力28.44+−0.77oz/in(3.100+−0.084N/cm)
ET 6235 Zフィルムとして、3M Dyneon、St.Paul、MNにより市販されている押出し厚さ100マイクロメートルのエチレンテトラフルオロエチレン(ETFE)のロールを、チャンバー内に搭載し、フィルムをドラム電極の周囲に巻き付け、ドラムの反対側上の巻取りロールに固定した。巻き出し及び巻取り張力は3ポンド(13.3N)に維持された。チャンバーのドアを閉鎖し、チャンバーを基準圧5×10−4トール(0.067Pa)までポンプで排気した。第1のガス種は、40sccmの流量で供給されたテトラメチルシランガスであり、第2のガス種は、500sccmの流量で供給された酸素であった。露出中の圧力は、約7.5ミリトール(0.910N/m2)で、テープを6ft/分(1.9m/分)の速度で進行している間、プラズマを6000ワットの電力でオンにした。
Claims (2)
- ナノ構造の作製方法であって、
基材を準備することと、
プラズマ形態になったときに前記基材の上に層を堆積することができる第1のガス種と、プラズマ形態になったときに前記基材をエッチングすることができる第2のガス種とを混合し、それによってガス混合物を形成することと、
前記ガス混合物をプラズマ形態にすることと、
前記基材の表面を前記プラズマに曝すことと、を含み、前記表面がエッチングされ、かつ層が実質的同時にエッチングされた表面の少なくとも一部分の上に堆積され、それによってナノ構造が形成される、方法。 - 前記第1のガス種が、有機ケイ素化合物、金属アルキル化合物、金属イソプロポキシド化合物、金属酸化物化合物、金属アセチルアセトネート化合物、金属ハライド化合物、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項1に記載のナノ構造の作製方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361858670P | 2013-07-26 | 2013-07-26 | |
US61/858,670 | 2013-07-26 | ||
US201361867733P | 2013-08-20 | 2013-08-20 | |
US61/867,733 | 2013-08-20 | ||
US201462018761P | 2014-06-30 | 2014-06-30 | |
US62/018,761 | 2014-06-30 | ||
PCT/US2014/047782 WO2015013387A1 (en) | 2013-07-26 | 2014-07-23 | Method of making a nanostructure and nanostructured articles |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016532576A JP2016532576A (ja) | 2016-10-20 |
JP2016532576A5 JP2016532576A5 (ja) | 2017-08-17 |
JP6505693B2 true JP6505693B2 (ja) | 2019-04-24 |
Family
ID=52393807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016529853A Active JP6505693B2 (ja) | 2013-07-26 | 2014-07-23 | ナノ構造及びナノ構造化物品の作製方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10119190B2 (ja) |
EP (1) | EP3024777B1 (ja) |
JP (1) | JP6505693B2 (ja) |
KR (2) | KR20160037961A (ja) |
CN (1) | CN105431376B (ja) |
BR (1) | BR112016001710A2 (ja) |
SG (2) | SG11201600606TA (ja) |
WO (1) | WO2015013387A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106132630B (zh) | 2014-04-03 | 2019-11-26 | 3M创新有限公司 | 抛光垫和系统以及制造和使用此类抛光垫和系统的方法 |
US12060505B2 (en) | 2015-02-27 | 2024-08-13 | 3M Innovative Properties Company | Double coated tape |
WO2017004231A1 (en) | 2015-06-29 | 2017-01-05 | 3M Innovative Properties Company | Anti-microbial articles and methods of using same |
TWI769988B (zh) | 2015-10-07 | 2022-07-11 | 美商3M新設資產公司 | 拋光墊與系統及其製造與使用方法 |
US10617784B2 (en) | 2015-11-13 | 2020-04-14 | 3M Innovative Properties Company | Anti-microbial articles and methods of using same |
EP3373985B1 (en) * | 2015-11-13 | 2021-03-17 | 3M Innovative Properties Company | Anti-microbial articles and methods of using same |
EP3455319A4 (en) * | 2016-05-13 | 2019-12-25 | 3M Innovative Properties Company | HEAT-RESISTANT PROTECTIVE FILM BASED ON SILOXANE |
CN106542494B (zh) * | 2016-09-26 | 2017-12-26 | 西北工业大学 | 一种用于制备多层不等高微纳结构的方法 |
CN106549074A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-03-29 | 上海空间电源研究所 | 一种用于临近空间环境的薄硅太阳电池组件及其制备方法 |
CN110603146A (zh) * | 2017-05-10 | 2019-12-20 | 3M创新有限公司 | 含氟聚合物制品和相关方法 |
WO2019130198A1 (en) | 2017-12-29 | 2019-07-04 | 3M Innovative Properties Company | Anti-reflective surface structures |
US12038592B2 (en) | 2018-01-05 | 2024-07-16 | 3M Innovative Properties Company | Stray light absorbing film |
EP3759190A1 (en) | 2018-02-28 | 2021-01-06 | 3M Innovative Properties Company | Adhesives comprising polymerized units of secondary hexyl (meth)acrylates |
US12099222B2 (en) | 2018-08-23 | 2024-09-24 | 3M Innovative Properties Company | Photochromic articles |
US20210292570A1 (en) | 2018-08-31 | 2021-09-23 | 3M Innovative Properties Company | Articles including nanostructured surfaces and interpenetrating layers, and methods of making same |
WO2020225717A1 (en) | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 3M Innovative Properties Company | Nanostructured article |
JP6611113B1 (ja) * | 2019-06-11 | 2019-11-27 | ナルックス株式会社 | 表面に微細凹凸構造を備えたプラスチック素子の製造方法 |
CN110329985B (zh) * | 2019-06-18 | 2022-02-15 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种金刚石表面复杂结构及其制备方法 |
WO2021152479A1 (en) * | 2020-01-29 | 2021-08-05 | 3M Innovative Properties Company | Nanostructured article |
WO2022090901A1 (en) | 2020-10-30 | 2022-05-05 | 3M Innovative Properties Company | Ultraviolet c (uv-c) light reflector including fluoropolymer films |
EP4284176A1 (en) | 2021-01-28 | 2023-12-06 | 3M Innovative Properties Company | Antimicrobial compositions and articles and related methods |
CN114171641B (zh) * | 2021-11-30 | 2024-05-31 | 北京燕东微电子科技有限公司 | 氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4340276A (en) | 1978-11-01 | 1982-07-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of producing a microstructured surface and the article produced thereby |
DK152140B (da) | 1979-02-16 | 1988-02-01 | Kuesters Eduard Maschf | Fremgangsmaade og apparat til moenstring af en fremfoert varebane |
GB2064987B (en) | 1979-11-14 | 1983-11-30 | Toray Industries | Process for producing transparent shaped article having enhanced anti-reflective effect |
JPS6294955A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-01 | Nec Corp | 素子分離方法 |
US5888594A (en) | 1996-11-05 | 1999-03-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for depositing a carbon-rich coating on a moving substrate |
US6534409B1 (en) | 1996-12-04 | 2003-03-18 | Micron Technology, Inc. | Silicon oxide co-deposition/etching process |
US6593247B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low k films using an oxidizing plasma |
US6582823B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-06-24 | North Carolina State University | Wear-resistant polymeric articles and methods of making the same |
JP2004500481A (ja) * | 1999-06-03 | 2004-01-08 | ザ ペン ステイト リサーチ ファンデーション | 堆積薄膜ボイド・柱状体網目構造物 |
CN1160186C (zh) * | 1999-06-03 | 2004-08-04 | 宾夕法尼亚州研究基金会 | 纳米尺度的组合物、复合结构、其制造和应用 |
JP3691689B2 (ja) * | 1999-08-03 | 2005-09-07 | 住友精密工業株式会社 | エッチング表面の親水性化方法 |
US6391788B1 (en) * | 2000-02-25 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Two etchant etch method |
US6919119B2 (en) | 2000-05-30 | 2005-07-19 | The Penn State Research Foundation | Electronic and opto-electronic devices fabricated from nanostructured high surface to volume ratio thin films |
WO2002025714A1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Infineon Technologies Sc300 Gmbh & Co. Kg | A process for dry-etching a semiconductor wafer surface |
US7956525B2 (en) * | 2003-05-16 | 2011-06-07 | Nanomix, Inc. | Flexible nanostructure electronic devices |
US6726979B2 (en) | 2002-02-26 | 2004-04-27 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Protective glazing laminate |
US7074723B2 (en) * | 2002-08-02 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma etching a deeply recessed feature in a substrate using a plasma source gas modulated etchant system |
DE10241708B4 (de) | 2002-09-09 | 2005-09-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Reduzierung der Grenzflächenreflexion von Kunststoffsubstraten sowie derart modifiziertes Substrat und dessen Verwendung |
JP4987716B2 (ja) | 2004-08-18 | 2012-07-25 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 水素化シリコンオキシカーバイド(H:SiOC)でコーティングされた基板およびその製造方法 |
CN100593015C (zh) * | 2005-12-09 | 2010-03-03 | 中国科学院物理研究所 | 一种表面纳米锥阵列及其制作方法 |
DE102006017716A1 (de) | 2006-04-15 | 2007-10-18 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Vorrichtung zur Messung biomedizinischer Daten eines Probanden und Verfahren zur Stimulation des Probanden mit in Echtzeit verarbeiteten Daten |
JP5788807B2 (ja) * | 2008-12-30 | 2015-10-07 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ナノ構造化表面を製造する方法 |
US8634146B2 (en) * | 2010-05-03 | 2014-01-21 | 3M Innovative Properties Company | Method of making a nanostructure |
CN102653390A (zh) * | 2012-04-18 | 2012-09-05 | 北京大学 | 使用混合气体刻蚀制备纳米森林结构的方法 |
-
2014
- 2014-07-23 CN CN201480042006.3A patent/CN105431376B/zh active Active
- 2014-07-23 JP JP2016529853A patent/JP6505693B2/ja active Active
- 2014-07-23 SG SG11201600606TA patent/SG11201600606TA/en unknown
- 2014-07-23 BR BR112016001710A patent/BR112016001710A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2014-07-23 WO PCT/US2014/047782 patent/WO2015013387A1/en active Application Filing
- 2014-07-23 SG SG10201704677QA patent/SG10201704677QA/en unknown
- 2014-07-23 KR KR1020167004660A patent/KR20160037961A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-07-23 EP EP14829850.8A patent/EP3024777B1/en active Active
- 2014-07-23 KR KR1020217039500A patent/KR20210151999A/ko not_active Application Discontinuation
-
2016
- 2016-11-17 US US15/354,086 patent/US10119190B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016532576A (ja) | 2016-10-20 |
BR112016001710A2 (pt) | 2017-08-01 |
US20170067150A1 (en) | 2017-03-09 |
EP3024777B1 (en) | 2024-05-15 |
CN105431376B (zh) | 2018-08-31 |
US10119190B2 (en) | 2018-11-06 |
WO2015013387A1 (en) | 2015-01-29 |
KR20210151999A (ko) | 2021-12-14 |
SG10201704677QA (en) | 2017-07-28 |
EP3024777A1 (en) | 2016-06-01 |
EP3024777A4 (en) | 2017-01-11 |
KR20160037961A (ko) | 2016-04-06 |
SG11201600606TA (en) | 2016-02-26 |
CN105431376A (zh) | 2016-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6505693B2 (ja) | ナノ構造及びナノ構造化物品の作製方法 | |
US10134566B2 (en) | Method of making a nanostructure and nanostructured articles | |
JP5438245B2 (ja) | ナノ構造の作製方法 | |
EP2379443B1 (en) | Nanostructured articles and methods of making nanostructured articles | |
EP3115334B1 (en) | Method for making nanostructured surfaces using a microstructured surface and a nanoscale mask | |
TWI575249B (zh) | 抗反射物件及其製作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20170329 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170710 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181030 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6505693 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |