JP6317269B2 - 定電圧生成回路 - Google Patents
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Description
図1は、定電圧生成回路1の第1実施形態を示す回路図である。第1実施形態の定電圧生成回路1は、ED型基準電圧源10と、電流供給トランジスタ20と、を有する。
図2は、定電圧生成回路1の第2実施形態を示す回路図である。第2実施形態は、先の第1実施形態(図1)とほぼ同様の構成であるが、ED基準電圧源10の構成要素として抵抗13及び14(抵抗値:R13及びR14)が追加されている点に差違を有する。
図3は、定電圧生成回路1の第3実施形態を示す回路図である。第3実施形態は、先の第2実施形態(図2)とほぼ同様であるが、NMOSFETの電流供給トランジスタ20に代えて、PMOSFET[P-channel type MOSFET]の電流供給トランジスタ30が採用されている点に差違を有する。
図4は、定電圧生成回路1の第4実施形態を示す回路図である。第4実施形態は、先の第3実施形態(図3)とほぼ同様であるが、デプレッション型のNMOSFET11とエンハンスメント型のNMOSFET12を用いたED型基準電圧源10に代えて、デプレッション型のPMOSFET41(第1トランジスタに相当)とエンハンスメント型のPMOSFET42(第2トランジスタに相当)を用いたED型基準電圧源40が採用されている点に差違を有する。
図5は、定電圧生成回路1の第5実施形態を示す回路図である。第5実施形態は、先の第4実施形態(図4)とほぼ同様の構成であるが、ED基準電圧源10の構成要素として抵抗43及び44(抵抗値:R43及びR44)が追加されている点に差違を有する。
図6は、定電圧生成回路1の第6実施形態を示す回路図である。第6実施形態は、先の第5実施形態(図5)とほぼ同様であるが、PMOSFETの電流供給トランジスタ30に代えて、NMOSFETの電流供給トランジスタ20が採用されている点に差がある。
図7は、電源装置100の一構成例を示すブロック図である。本構成例の電源装置100は、出力回路110と、制御回路120と、定電圧生成回路130と、を有する。
図8及び図9は、それぞれ、スマートフォンA及びタブレット端末Bの外観図である。スマートフォンA及びタブレット端末Bは、先述の電源装置100が搭載される電子機器の一具体例である。ただし、電源装置100の搭載対象については、何らこれに限定されるものではなく、例えば、その小型・軽薄化が要求される電子機器全般(ノートパソコンや携帯ゲーム機など)に広く適用することが可能である。
なお、本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
2 負荷
10 ED型基準電圧源
11 デプレッション型NMOSFET
12 エンハンスメント型NMOSFET
13、14 抵抗
20 電流供給トランジスタ(NMOSFET)
30 電流供給トランジスタ(PMOSFET)
40 ED型基準電圧源
41 デプレッション型PMOSFET
42 エンハンスメント型PMOSFET
43、44 抵抗
100 電源装置
110 出力回路
111 出力トランジスタ(PMOSFET)
112 同期整流トランジスタ(NMOSFET)
113 インダクタ
114 キャパシタ
115 ドライバ
120 制御回路
130 定電圧生成回路
A スマートフォン
B タブレット端末
Claims (10)
- 電源端と接地端との間に直列接続されたデプレッション型の第1トランジスタとエンハンスメント型の第2トランジスタを用いて所定の定電圧を生成するED型基準電圧源と、
ソースが前記定電圧の出力端に接続されてドレインが前記電源端または前記接地端に接続されてゲートが前記第1トランジスタと前記第2トランジスタとの接続ノードに接続された第3トランジスタと、
を有することを特徴とする定電圧生成回路。 - 前記第3トランジスタは、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタよりも大きい電流供給能力を備えていることを特徴とする請求項1に記載の定電圧生成回路。
- 前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタは、いずれもNチャネル型であることを特徴とする請求項2に記載の定電圧生成回路。
- 前記第1トランジスタは、ドレインが前記電源端に接続されてソース及びゲートがいずれも前記第2トランジスタのドレインに接続されており、前記第2トランジスタは、ソースが前記接地端に接続されてゲートが前記定電圧の出力端に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の定電圧生成回路。
- 前記ED型基準電圧源は、前記定電圧の出力端と前記第2トランジスタのゲートとの間に接続された第1抵抗と、前記接地端と前記第2トランジスタのゲートとの間に接続された第2抵抗と、をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の定電圧生成回路。
- 前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタは、いずれもPチャネル型であることを特徴とする請求項2に記載の定電圧生成回路。
- 前記第1トランジスタは、ドレインが前記接地端に接続されてソース及びゲートがいずれも前記第2トランジスタのドレインに接続されており、前記第2トランジスタは、ソースが前記電源端に接続されてゲートが前記定電圧の出力端に接続されていることを特徴とする請求項6に記載の定電圧生成回路。
- 前記ED型基準電圧源は、前記定電圧の出力端と前記第2トランジスタのゲートとの間に接続された第1抵抗と、前記電源端と前記第2トランジスタのゲートとの間に接続された第2抵抗と、をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の定電圧生成回路。
- 入力電圧から出力電圧を生成する出力回路と、
前記出力電圧が所望値となるように前記出力回路を制御する制御回路と、
前記制御回路に前記定電圧を供給する請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の定電圧生成回路と、
を有することを特徴とする電源装置。 - 請求項9に記載の電源装置を有することを特徴とする電子機器。
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