JP6352009B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置に関する。

たとえばトランジスタなどの半導体素子が樹脂パッケージによって封止された半導体装置が提案されている。特許文献１には、３つの電極を有する半導体素子とこれらの電極に導通する３つのリードと上記半導体素子および上記３つのリードの一部ずつを覆う樹脂パッケージを備える半導体装置が開示されている。上記３つの電極は、上記半導体素子の同一面に形成されている。上記３つのリードの１つには、上記半導体素子が接合されている。上記３つの電極は、３つのワイヤを介して上記３つのリードに各別に導通接続されている。上記樹脂パッケージは、上記半導体素子の全体、上記３つのワイヤのすべて、および上記３つのリードの一部ずつを覆っている。上記３つのリードのうち上記樹脂パッケージから突出する部分は、上記半導体装置を実装するための端子部となっている。

従来の半導体装置では、平面視において、半導体素子よりも、半導体素子を配置するリードの方が大きい。この大きいリードによって樹脂パッケージの大きさが決定される。そのため、大きなリードが半導体装置の小型化の妨げとなっている。

上記３つのワイヤは、一般的にループ形状を有する。このため、上記３つのワイヤを適切に覆うためには、上記樹脂パッケージは相応の高さを有する必要がある。これにより、上記半導体装置の高さが高くなってしまう。また、同時に、上記３つのワイヤを適切にボンディングするには、いわゆるファーストボンディング部とセカンドボンディング部との距離をある程度確保する必要がある。さらに、上記３つのリードの上記端子部は、上記樹脂パッケージから突出する。これらは、上記半導体装置の平面視寸法を大きくしてしまう。このように、上記半導体装置においては、小型化を図ることが困難であるという問題がある。

特開２０１２−１９０９３６号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化を図ることのできる半導体装置を提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によると、半導体素子と、前記半導体素子が配置された主リードと、前記半導体素子および前記主リードを覆う樹脂パッケージと、を備え、前記主リードは、前記樹脂パッケージから露出しており、前記半導体素子は、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記主リードに重ならない部分を有する、半導体装置が提供される。

好ましくは、前記主リードは、互いに反対側を向く主リード主面および主リード裏面を有し、前記主リード主面には、前記半導体素子が配置されており、前記主リード裏面は、前記樹脂パッケージから露出している。

好ましくは、前記主リードは、主全厚部および主ひさし部を含み、前記主全厚部は、前記主リード主面から前記主リード裏面にわたっている部分であり、前記主ひさし部は、前記半導体素子の厚さ方向に対して直角である方向に、前記主全厚部から突出している。

好ましくは、前記半導体素子は、全体にわたって、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記主全厚部に重なっている。

好ましくは、前記半導体素子に導通する第一副リードを更に備え、前記第一副リードは、前記主リードから離間しており、且つ、前記樹脂パッケージから露出している。

好ましくは、前記主ひさし部は、主前方部を有し、前記主前方部は、前記主全厚部から前記第一副リードに向かって突出している。

好ましくは、前記主ひさし部は、主側方部を有し、前記主側方部は、前記主前方部の突出する方向に対して直角である方向に、前記主全厚部から突出している。

好ましくは、前記主リードは、前記主側方部から突出する主側方連結部を含み、前記主側方連結部は、前記樹脂パッケージから露出する端面を有する。

好ましくは、前記主ひさし部は、主後方部を有し、前記主後方部は、前記主前方部が突出する方向とは反対方向に、前記主全厚部から突出している。

好ましくは、前記主リードは、前記主後方部から突出する主後方連結部を含み、前記主後方連結部は、前記樹脂パッケージから露出する端面を有する。

好ましくは、前記主全厚部は、全体にわたって、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記主ひさし部に囲まれている。

好ましくは、前記主ひさし部は、全体にわたって、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記半導体素子に重なっている。

好ましくは、前記主リードに形成され、前記半導体素子および前記主リードの間に介在している主表面めっき層を更に備える。

好ましくは、前記主表面めっき層は、前記主ひさし部の全体に重なる。

好ましくは、前記半導体素子に導通する第一副リードを更に備え、前記第一副リードは、前記主リードから離間しており、且つ、前記半導体素子の厚さ方向視において前記樹脂パッケージの外方に、前記樹脂パッケージから露出している。

好ましくは、前記第一副リードは、第一副全厚部および第一副ひさし部を含み、前記第一副リードは、互いに反対側を向く第一副リード主面および第一副リード裏面を有し、前記第一副リード裏面は、前記樹脂パッケージから露出しており、前記第一副全厚部は、前記第一副リード主面から前記第一副リード裏面にわたる部位であり、前記第一副ひさし部は、前記半導体素子の厚さ方向に対して直角である方向に、前記第一副全厚部から突出しており、且つ、前記第一副リード主面を構成している。

好ましくは、前記第一副ひさし部は、第一副前方部を有し、前記第一副前方部は、前記第一副全厚部から前記主リードに向かって突出している。

好ましくは、前記第一副全厚部は、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記樹脂パッケージの外方に向かって、前記樹脂パッケージから露出している。

好ましくは、前記第一副リードは、第一副延出部を含み、前記半導体素子の厚さ方向に対して直角である方向に、前記第一副全厚部から延出しており、且つ、前記第一副リード裏面を構成しており、前記第一副延出部は、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記樹脂パッケージの外方に向かって、前記樹脂パッケージから露出している。

好ましくは、前記第一副リードは、互いに反対側を向く第一副リード主面および第一副リード裏面を有し、前記第一副リード裏面は、前記樹脂パッケージから露出している。

好ましくは、前記樹脂パッケージは、前記第一副リード裏面の向く方向と同一方向を向く樹脂裏面を有し、前記樹脂裏面は、前記第一副リード裏面と面一となっている。

好ましくは、前記第一副リードは、前記第一副リード裏面につながる第一副リード端面を有し、前記第一副リード端面は、前記主リードの位置する側とは反対側を向いている。

好ましくは、前記第一副リード端面は、前記樹脂パッケージから露出している。

好ましくは、前記樹脂パッケージは、前記第一副リード端面の向く方向と同一方向を向く第一樹脂端面を有し、前記第一樹脂端面は、前記第一副リード端面と面一となっている。

好ましくは、前記第一副リードは、前記第一副リード裏面につながる第一副リード側面を有し、前記第一副リード側面は、前記第一副リード端面の向く方向と前記半導体素子の厚さ方向とのいずれに対しても直角である方向を向いている。

好ましくは、前記第一副リード側面は、前記樹脂パッケージから露出している。

好ましくは、前記樹脂パッケージは、前記第一副リード側面の向く方向と同一方向を向く第一樹脂側面を有し、前記第一副リード側面は、前記第一樹脂側面と面一となっている。

好ましくは、前記半導体素子に直接接続され、前記半導体素子および前記第一副リードを導通させる第一ワイヤを更に備える。

好ましくは、前記第一副リードおよび前記第一ワイヤの間に介在する第一副めっき層を更に備える。

好ましくは、前記半導体素子に導通する第二副リードを更に備え、前記第二副リードは、前記主リードおよび前記第一副リードから離間しており、且つ、前記半導体素子の厚さ方向視において前記樹脂パッケージの外方に、前記樹脂パッケージから露出している。

好ましくは、前記半導体素子に直接接続され、前記半導体素子および前記第二副リードを導通させる第二ワイヤを更に備える。

好ましくは、前記第二副リードおよび前記第二ワイヤの間に介在する第二副めっき層を更に備える。

好ましくは、前記半導体素子は、互いに積層された半導体層、半導体と金属との共晶層および前記裏面電極を構成する金属単体層を有しており、前記金属単体層が前記主リードに直接接合されている。

好ましくは、前記共晶層は、ＳｉとＡｕとの共晶からなる。

好ましくは、前記金属単体層は、前記共晶層よりも薄い。

好ましくは、第一ワイヤを更に備え、前記半導体素子は、前記第一ワイヤが接合された第一表面電極を含み、前記第一表面電極は、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記主全厚部に重なっている。

好ましくは、第二ワイヤを更に備え、前記半導体素子は、前記第二ワイヤが接合された第二表面電極を含み、前記第二表面電極は、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記主全厚部に重なっている。

好ましくは、第一ワイヤと、第二ワイヤと、を更に備え、前記半導体素子は、前記第一ワイヤが接合された第一表面電極と、前記第二ワイヤが接合された第二表面電極と、を含み、前記第一表面電極および前記第二表面電極の少なくともいずれかは、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記主全厚部に重なっている。

本発明の第２の側面によると、厚さ方向において互いに反対方向を向く表面および裏面、上記表面に形成された第１表面電極および第２表面電極、上記裏面に形成された裏面電極、を有する半導体素子と、上記裏面電極が導通接続されるダイパッド部および上記ダイパッド部とは反対側を向く主裏面端子部を有する主リードと、第１ワイヤを介して上記第１表面電極に接続される第１ワイヤボンディング部および上記第１ワイヤボンディング部とは反対側を向く第１副裏面端子部を有する第１副リードと、第２ワイヤを介して上記第２表面電極に接続される第２ワイヤボンディング部および上記第２ワイヤボンディング部とは反対側を向く第２副裏面端子部を有する第２副リードと、上記半導体素子と上記主リード、上記第１副リードおよび上記第２副リードの一部ずつとを覆うとともに、上記主裏面端子部、上記第１副裏面端子部および上記第２副裏面端子部を同じ側に露出させる樹脂パッケージと、を備えており、上記主リードは、上記ダイパッド部から上記主裏面端子部にわたる主全厚部と、この主全厚部の上記ダイパッド部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する主ひさし部と、を有しており、上記ダイパッド部および上記半導体素子は、厚さ方向視において上記主全厚部および上記主ひさし部の双方に重なり、上記第１表面電極および上記第２表面電極の少なくともいずれか、は上記主ひさし部に重なり、上記第１ワイヤは、上記第１ワイヤボンディング部に接合されたファーストボンディング部と、上記第１表面電極に対して第１バンプを介して接合されたセカンドボンディング部と、を有し、上記第２ワイヤは、上記第２ワイヤボンディング部に接合されたファーストボンディング部と、上記第２表面電極に対して第２バンプを介して接合されたセカンドボンディング部と、を有する、ことを特徴としている、半導体装置が提供される。

好ましくは、上記第１表面電極がゲート電極であり、上記第２表面電極がソース電極であり、上記裏面電極がドレイン電極であるとともに、上記半導体素子がトランジスタとして構成されており、上記第１表面電極が、上記第２表面電極よりも上記第１副リードおよび上記第２副リードに対して離間している。

好ましくは、上記第１表面電極は、厚さ方向視において上記主全厚部と重なり、上記第２表面電極は、厚さ方向視において上記主ひさし部に重なる。

好ましくは、上記第１表面電極は、厚さ方向視において上記主全厚部および上記主ひさし部の双方と重なる。

好ましくは、上記第１ワイヤの上記第１バンプおよび上記第１ワイヤの上記セカンドボンディング部は、厚さ方向視において上記主全厚部および上記主ひさし部の双方と重なる。

好ましくは、上記主ひさし部は、上記主全厚部から上記第１副リードおよび上記第２副リードに向かって突出する主前方部を有する。

好ましくは、上記主ひさし部は、上記主前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する主側方部を有する。

好ましくは、上記主リードは、上記主側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する主側方連結部を有する。

好ましくは、上記主ひさし部は、上記主前方部とは反対側に突出する主後方部を有する。

好ましくは、上記主リードは、上記主後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する主後方連結部を有する。

好ましくは、上記主全厚部のすべてが、上記主ひさし部に囲まれている。

好ましくは、上記ダイパッド部には、主表面めっき層が形成されている。

好ましくは、上記主表面めっき層は、上記主ひさし部のすべてに重なる。

好ましくは、上記第１副リードは、上記第１ワイヤボンディング部から上記第１副裏面端子部にわたる第１副全厚部と、この第１副全厚部の上記第１ワイヤボンディング部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する第１副ひさし部と、を有している。

好ましくは、上記第１副ひさし部は、上記第１副全厚部から上記主リードに向かって突出する第１副前方部を有する。

好ましくは、上記第１副ひさし部は、上記第１副前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する第１副側方部を有する。

好ましくは、上記第１副リードは、上記第１副側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第１副側方連結部を有する。

好ましくは、上記第１副ひさし部は、上記第１副前方部とは反対側に突出する第１副後方部を有する。

好ましくは、上記第１副リードは、上記第１副後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第１副後方連結部を有する。

好ましくは、上記第１副全厚部のすべてが、上記第１副ひさし部に囲まれている。

好ましくは、上記第１ワイヤボンディング部には、第１副表面めっき層が形成されている。

好ましくは、上記第１副表面めっき層は、上記第１副ひさし部のすべてに重なる。

好ましくは、上記第２副リードは、上記第２ワイヤボンディング部から上記第２副裏面端子部にわたる第２副全厚部と、この第２副全厚部の上記第２ワイヤボンディング部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する第２副ひさし部と、を有している。

好ましくは、上記第２副ひさし部は、上記第２副全厚部から上記主リードに向かって突出する第２副前方部を有する。

好ましくは、上記第２副ひさし部は、上記第２副前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する第２副側方部を有する。

好ましくは、上記第２副リードは、上記第２副側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第２副側方連結部を有する。

好ましくは、上記第２副ひさし部は、上記第２副前方部とは反対側に突出する第２副後方部を有する。

好ましくは、上記第２副リードは、上記第２副後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第２副後方連結部を有する。

好ましくは、上記第２副全厚部のすべてが、上記第２副ひさし部に囲まれている。

好ましくは、上記第２ワイヤボンディング部には、第２副表面めっき層が形成されている。

好ましくは、上記第２副表面めっき層は、上記第２副ひさし部のすべてに重なる。

好ましくは、上記半導体素子は、互いに積層された半導体層、半導体と金属との共晶層および上記裏面電極を構成する金属単体層を有しており、上記金属単体層が上記ダイパッド部に直接接合されている。

好ましくは、上記共晶層は、ＳｉとＡｕとの共晶からなる。

好ましくは、上記金属単体層は、上記共晶層よりも薄い。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。 図１に示した半導体装置の平面図である。 図１に示した半導体装置の底面図である。 図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。 図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。 図１に示した半導体装置の部分拡大断面図である。 図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図２のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。 図１に示した半導体装置のセカンドボンディング部を示す拡大画像である。 図１に示した半導体装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。 図１２に示した半導体装置の平面図である。 図１の半導体装置の半導体素子を示す要部拡大平面図である。 本発明の半導体装置の変形例の平面図である。 本発明の第３実施形態に基づく半導体装置の一例を示す斜視図である。 図１６の半導体装置を示す斜視図である。 図１６の半導体装置を示す平面図である。 図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う断面図である。 図１８のＸＸ−ＸＸ線に沿う断面図である。 図１６の半導体装置を示す要部拡大断面図である。 図１８のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１８のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１８のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１６の半導体装置の半導体素子を示す要部拡大平面図である。 図１６の半導体装置の製造工程の一例を示す断面図である。 図１６の半導体装置の製造工程の一例を示す断面図である。 図１６の半導体装置の製造工程の一例を示す断面図である。 図１６の半導体装置の製造工程の一例を示す断面図である。 図１６の半導体装置の製造工程の一例を示す断面図である。 図１６の半導体装置の製造工程の一例を示す断面図である。 図１６の半導体装置の製造工程の一例において形成されたセカンドボンディング部を示す拡大画像である。 図１６の半導体装置の製造工程の一例における切断工程を示す要部平面図である。 図１６の半導体装置を示すＸ線画像である。 本発明の第４実施形態に基づく半導体装置の一例を示す平面図である。

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

図１〜図１１を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。図２は、図１に示した半導体装置の平面図である。図３は、図１に示した半導体装置の底面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図１に示した半導体装置の部分拡大断面図である。図７は、図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図２のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図２のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。

本実施形態の半導体装置１０１は、半導体素子２００、主リード３００、第一副リード４００、第二副リード５００、第一ワイヤ６００、第二ワイヤ７００および樹脂パッケージ８００を備えている。図１、図２では、樹脂パッケージ８００を二点鎖線によって示している。半導体装置１０１は、いわゆる面実装が可能な比較的小型の半導体装置として構成されている。半導体装置１０１の大きさの一例を挙げると、ｘ方向寸法が０．４〜０．８ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．２〜０．６ｍｍ程度、厚さ方向ｚ寸法が０．３〜０．４ｍｍ程度である。

半導体素子２００は、本実施形態においては、いわゆるトランジスタとして構成されている。半導体素子２００は、表面２０１および裏面２０２を有しており、第一表面電極２１１、第二表面電極２１２および裏面電極２２０が形成されている。表面２０１および裏面２０２は、ｚ方向において互いに反対方向を向いている。半導体素子２００の大きさの一例を挙げると、ｘ方向寸法が３００μｍ程度、ｙ方向寸法が３００μｍ程度である。

図１４に示すように、第一表面電極２１１および第二表面電極２１２は、表面２０１に形成されており、たとえばＡｕめっき層からなる電極層２１３の一部ずつによって構成されている。本実施形態においては、第一表面電極２１１がゲート電極であり、第二表面電極２１２がソース電極である。本実施形態においては、図１４において、第一表面電極２１１がｘ方向左方側に位置し、第二表面電極２１２がｘ方向右方側に位置する。また、第一表面電極２１１がｙ方向図中下方側に位置し、第二表面電極２１２がｙ方向図中上方側に位置する。裏面電極２２０は、裏面２０２に形成されている。本実施形態においては、裏面電極２２０がドレイン電極である。

電極層２３１の一部が除去されることにより、除去領域２１４が形成されている。除去領域２１４は、第一表面電極２１１を囲む形状とされている。より具体的には、除去領域２１４は、半導体素子２００の四辺に沿って互いに平行に延びる部分と、第一表面電極２１１を囲むべく比較的広い面積を挟んで位置する部分と、を有している。このような環状とされた除去領域２１４によって第一表面電極２１１と第二表面電極２１２とが絶縁されている。

第二表面電極２１２の周辺領域は、アクティブ領域２１６とされている。アクティブ領域２１６には、表面２０１からｚ方向内方にある部位に、ＭＯＳＦＥＴ２１７が作りこまれている。ＭＯＳＦＥＴ２１７は、マトリクス状に配置された複数の単位セル２１８によって構成されている。なお、複数の単位セル２１８の配列形態は、マトリクス状に限らず、たとえばストライプ状、千鳥状であってもよい。

なお、本実施形態においては、ソース電極としての第二表面電極２１２が１つ設けられているが、これに限定されず、複数の第二表面電極２１２を設けてもよい。

主リード３００には、半導体素子２００が配置されている。図２、図３に示すように、本実施形態においては、厚さ方向ｚ視において、主リード３００に重ならない部位を、半導体素子２００が有している。すなわち、厚さ方向ｚ視において、主リード３００の外側にはみ出る部位を、半導体素子２００が有している。後に詳述するが、主リード３００は、樹脂パッケージ８００から露出している。主リード３００は、リードフレームに由来する。主リード３００は、たとえばＣｕからなる金属板に対してエッチングなどのパターニングが施されることによって形成される。

図４、図５等に示すように、主リード３００は、互いに反対側を向く主リード主面３１０および主リード裏面３２０を有する。主リード主面３１０および主リード裏面３２０はいずれも、平坦である。

主リード主面３１０は、厚さ方向ｚ上方を向いている。主リード主面３１０には、半導体素子２００が配置されている。また、本実施形態においては、主リード３００における主リード主面３１０に、主表面めっき層３１１が形成されている。主表面めっき層３１１は、半導体素子２００および主リード３００の間に介在している。主表面めっき層３１１は、主リード主面３１０の全域にわたって形成されている。主表面めっき層３１１は、たとえば厚さが２μｍ程度のＡｇからなる。

図３では、主リード裏面３２０をハッチングによって示している。主リード裏面３２０は、主リード主面３１０とは反対側の厚さ方向ｚ下方を向いており、半導体装置１０１を面実装するために用いられる。主リード裏面３２０は、矩形状である。主リード裏面３２０は、厚さ方向ｚ視において主リード主面３１０にその全てが重なっており、主リード主面３１０に内包されている。

主リード３００は、主全厚部３３０および主ひさし部３４０を含む。

主全厚部３３０は、厚さ方向ｚにおいて主リード主面３１０から主リード裏面３２０にわたる部位である。本実施形態においては、主全厚部３３０は、全体にわたって、厚さ方向ｚ視において、半導体素子２００に重なっている。主全厚部３３０には、第一表面電極２１１および第二表面電極２１２の少なくともいずれかが、厚さ方向視ｚにおいて重なっている。本実施形態では、主全厚部３３０には、第一表面電極２１１および第二表面電極２１２のいずれもが、厚さ方向視ｚにおいて重なっている。すなわち、厚さ方向視ｚにおいて、第一表面電極２１１および第二表面電極２１２が半導体素子２００の中心寄りに配置されている。本実施形態とは異なり、第一表面電極２１１のみが主全厚部３３０に厚さ方向視ｚにおいて重なっており、第二表面電極２１２が主全厚部３３０に厚さ方向視ｚにおいて重なっていなくてもよい。同様に、本実施形態とは異なり、第二表面電極２１２のみが主全厚部３３０に厚さ方向視ｚにおいて重なっており、第一表面電極２１１が主全厚部３３０に厚さ方向視ｚにおいて重なっていなくてもよい。本実施形態においては、主全厚部３３０の厚さは、０．９〜１．１ｍｍ程度である。主全厚部３３０は、主リード裏面３２０を構成している。

主ひさし部３４０は、厚さ方向ｚに対して直角である方向に、主全厚部３３０から突出している。本実施形態においては、主ひさし部３４０は、厚さ方向ｚに対して直角であるｘ方向およびｙ方向に、主全厚部３３０から突出している。本実施形態においては、更に、主ひさし部３４０は、主全厚部３３０の主リード主面３１０側部分から厚さ方向ｚに対して直角であるｘ方向およびｙ方向に突出している。主ひさし部３４０の厚さは、たとえば主全厚部３３０の半分であり、０．０５ｍｍ程度である。主ひさし部３４０および主全厚部３３０は、上述の主リード主面３１０を構成している。一方、主ひさし部３４０は、主リード裏面３２０を構成していない。主ひさし部３４０は、厚さ方向ｚ視において、主全厚部３３０を囲んでいる。本実施形態においては更に、主ひさし部３４０は、全体にわたって、厚さ方向ｚ視において、半導体素子２００に重なっている。

本実施形態においては、主ひさし部３４０は、主前方部３４１、主側方部３４２および主後方部３４３を有する。

主前方部３４１は、主全厚部３３０から、第一副リード４００に向かって突出している。また、本実施形態においては更に、主前方部３４１は、主全厚部３３０から、第二副リード５００に向かって突出している。

主側方部３４２は、主前方部３４１の突出する方向に対して直角である方向に、主全厚部３３０から突出している。具体的には、主側方部３４２は、主全厚部３３０からｙ方向に向かって突出している。本実施形態においては、２つの主側方部３４２が形成されている。また、本実施形態においては、主リード３００は、２つの主側方連結部３５１を有している。主側方連結部３５１は、主ひさし部３４０の主側方部３４２から延びており、主側方部３４２と同じ厚さとされている。主側方連結部３５１のｙ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出している。

主後方部３４３は、主前方部３４１が突出する方向とは反対方向に、主全厚部３３０から突出している。本実施形態においては、主リード３００は、主後方連結部３５２を有している。主後方連結部３５２は、主ひさし部３４０の主後方部３４３から延びており、主後方部３４３と同じ厚さとされている。主後方連結部３５２のｘ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出している。

図６に示すように、半導体素子２００は、裏面電極２２０が主リード主面３１０（主表面めっき層３１１）に接合されている。具体的には、金属単体層としての裏面電極２２０が、主リード主面３１０（主表面めっき層３１１）に対してたとえば熱圧着の手法によって直接接合されている。この熱圧着においては、振動は付与されず、熱と圧力のみが付与される。

第一副リード４００は、主リード３００から離間している。具体的には、第一副リード４００は、主リード３００に対してｘ方向に離間して配置されている。また、第一副リード４００は、第二副リード５００から離間している。第一副リード４００は、厚さ方向ｚ視において、樹脂パッケージ８００の外方に、樹脂パッケージ８００から露出している。本実施形態では、第一副リード４００は、樹脂パッケージ８００から方向ｘおよび方向ｙに、樹脂パッケージ８００から露出している。第一副リード４００は、リードフレームに由来する。第一副リード４００は、たとえばＣｕからなる金属板に対してエッチングなどのパターニングが施されることによって形成される。

第一副リード４００は、第一副リード主面４１０と、第一副リード裏面４２０と、第一副リード端面４８１と、第一副リード側面４８２と、を有する。第一副リード主面４１０と、第一副リード裏面４２０と、第一副リード端面４８１と、第一副リード側面４８２と、はいずれも平坦である。

第一副リード主面４１０は、厚さ方向ｚ上方を向いている。第一副リード主面４１０には、第一ワイヤ６００がボンディングされる。本実施形態においては、第一副リード主面４１０に第一副表面めっき層４１１が形成されている。第一副表面めっき層４１１は、第一副リード主面４１０と第一ワイヤ６００との間に介在している。第一副表面めっき層４１１は、第一副リード主面４１０の全域にわたって形成されている。第一副表面めっき層４１１は、たとえば厚さが２μｍ程度のＡｇからなる。なお、図１においては、理解の便宜上、第一副表面めっき層４１１にハーフトーンを施している。

第一副リード裏面４２０は、第一副リード主面４１０の向く方向とは反対側を向いている。具体的には、第一副リード裏面４２０は、第一副リード主面４１０とは反対側の厚さ方向ｚ下方を向いている。第一副リード裏面４２０は、樹脂パッケージ８００から露出している。第一副リード裏面４２０は、半導体装置１０１を面実装するために用いられる。図３では、第一副リード裏面４２０をハッチングによって示している。

第一副リード端面４８１は、主リード３００の位置する側とは反対側を向いている。具体的には、第一副リード端面４８１は、図３の右側を向いている。第一副リード端面４８１は、第一副リード裏面４２０につながっている。第一副リード端面４８１は、樹脂パッケージ８００から露出している。

第一副リード側面４８２は、第一副リード端面４８１の向く方向と、半導体素子２００の厚さ方向ｚとのいずれに対しても直角である方向を向いている。具体的には、第一副リード側面４８２は、図３の下側を向いている。第一副リード側面４８２は、第一副リード裏面４２０につながっている。第一副リード側面４８２は、樹脂パッケージ８００から露出している。

第一副リード４００は、第一副全厚部４３０と、第一副ひさし部４４０とを含む。

第一副全厚部４３０は、厚さ方向ｚにおいて第一副リード主面４１０から第一副リード裏面４２０にわたる部位である。本実施形態においては、第一副全厚部４３０の厚さが０．１ｍｍ程度である。第一副全厚部４３０は、第一副リード主面４１０および第一副リード裏面４２０を構成している。本実施形態においては、第一副全厚部４３０が樹脂パッケージ８００から露出している。そのため、第一副全厚部４３０は、第一副リード端面４８１および第一副リード側面４８２を構成している。

第一副ひさし部４４０は、厚さ方向ｚに対して直角である方向に、第一副全厚部４３０から突出している。本実施形態においては、第一副ひさし部４４０は、ｘ方向およびｙ方向に突出している。第一副ひさし部４４０の厚さは、たとえば第一副全厚部４３０の半分であり、０．０５ｍｍ程度である。第一副ひさし部４４０は、第一副リード主面４１０を構成している。一方、第一副ひさし部４４０は、第一副リード裏面４２０を構成していない。

本実施形態においては、第一副ひさし部４４０は、第一副前方部４４１および第一副内方部４４２を有している。

第一副前方部４４１は、第一副全厚部４３０から主リード３００に向かって突出している。第一副内方部４４２は、第一副全厚部４３０から第二副リード５００に向かって突出している。

第二副リード５００は、主リード３００から離間している。具体的には、第二副リード５００は、主リード３００に対してｘ方向に離間して配置されている。また、第二副リード５００は、第一副リード４００から離間している。第二副リード５００は、厚さ方向ｚ視において、樹脂パッケージ８００の外方に、樹脂パッケージ８００から露出している。本実施形態では、第二副リード５００は、樹脂パッケージ８００から方向ｘおよび方向ｙに、樹脂パッケージ８００から露出している。第二副リード５００は、リードフレームに由来する。第二副リード５００は、たとえばＣｕからなる金属板に対してエッチングなどのパターニングが施されることによって形成される。

第二副リード５００は、第二副リード主面５１０と、第二副リード裏面５２０と、第二副リード端面５８１と、第二副リード側面５８２と、を有する。第二副リード主面５１０と、第二副リード裏面５２０と、第二副リード端面５８１と、第二副リード側面５８２と、はいずれも平坦である。

第二副リード主面５１０は、厚さ方向ｚ上方を向いている。第二副リード主面５１０には、第二ワイヤ７００がボンディングされる。本実施形態においては、第二副リード主面５１０に第二副表面めっき層５１１が形成されている。第二副表面めっき層５１１は、第二副リード主面５１０と第二ワイヤ７００との間に介在している。第二副表面めっき層５１１は、第二副リード主面５１０の全域にわたって形成されている。第二副表面めっき層５１１は、たとえば厚さが２μｍ程度のＡｇからなる。なお、図１においては、理解の便宜上、第二副表面めっき層５１１にハーフトーンを施している。

第二副リード裏面５２０は、第二副リード主面５１０の向く方向とは反対側を向いている。具体的には、第二副リード裏面５２０は、第二副リード主面５１０とは反対側の厚さ方向ｚ下方を向いている。第二副リード裏面５２０は、樹脂パッケージ８００から露出している。第二副リード裏面５２０は、半導体装置１０１を面実装するために用いられる。図３では、第二副リード裏面５２０をハッチングによって示している。

第二副リード端面５８１は、主リード３００の位置する側とは反対側を向いている。具体的には、第二副リード端面５８１は、図３の右側を向いている。第二副リード端面５８１は、第二副リード裏面５２０につながっている。第二副リード端面５８１は、樹脂パッケージ８００から露出している。

第二副リード側面５８２は、第二副リード端面５８１の向く方向と、半導体素子２００の厚さ方向ｚとのいずれに対しても直角である方向を向いている。具体的には、第二副リード側面５８２は、図３の上側を向いている。第二副リード側面５８２は、第二副リード裏面５２０につながっている。第二副リード側面５８２は、樹脂パッケージ８００から露出している。

第二副リード５００は、第二副全厚部５３０と、第二副ひさし部５４０とを含む。

第二副全厚部５３０は、厚さ方向ｚにおいて第二副リード主面５１０から第二副リード裏面５２０にわたる部位である。本実施形態においては、第二副全厚部５３０の厚さが０．１ｍｍ程度である。第二副全厚部５３０は、第二副リード主面５１０および第二副リード裏面５２０を構成している。本実施形態においては、第二副全厚部５３０が樹脂パッケージ８００から露出している。そのため、第二副全厚部５３０は、第二副リード端面５８１および第二副リード側面５８２を構成している。

第二副ひさし部５４０は、厚さ方向ｚに対して直角である方向に、第二副全厚部５３０から突出している。本実施形態においては、第二副ひさし部５４０は、ｘ方向およびｙ方向に突出している。第二副ひさし部５４０の厚さは、たとえば第二副全厚部５３０の半分であり、０．０５ｍｍ程度である。第二副ひさし部５４０は、第二副リード主面５１０を構成している。一方、第二副ひさし部５４０は、第二副リード裏面５２０を構成していない。

本実施形態においては、第二副ひさし部５４０は、第二副前方部５４１および第二副内方部５４２を有している。

第二副前方部５４１は、第二副全厚部５３０から主リード３００に向かって突出している。第二副内方部５４２は、第二副全厚部５３０から第一副リード４００に向かって突出している。

第一ワイヤ６００は、半導体素子２００に直接接続され、半導体素子２００および第一副リード４００を導通させている。具体的には、第一ワイヤ６００は、半導体素子２００の第一表面電極２１１と、第一副表面めっき層４１１と、に接合されている。

第一ワイヤ６００は、ファーストボンディング部６１０およびセカンドボンディング部６２０を有している。第一ワイヤ６００は、直径が２０μｍ程度のＡｕからなる。

ファーストボンディング部６１０は、第一副表面めっき層４１１に対して接合されており、冠状の塊部分を有する。

セカンドボンディング部６２０は、第一バンプ６３０を介して半導体素子２００の第一表面電極２１１に接合されている。セカンドボンディング部６２０は、先端に向かうほど厚さ方向ｚ厚さが小となるテーパ形状となっている。

第一バンプ６３０は、ファーストボンディング部６１０の上記塊部分に類似した部位である。本実施形態においては、第一バンプ６３０は、ファーストボンディング部６１０の上記塊部分よりも体積が若干小である。第一バンプ６３０は、厚さ方向ｚ視において、主全厚部３３０に重なっている。なお、図１０に、図１に示した半導体装置のセカンドボンディング部６２０の拡大画像を示している。

第二ワイヤ７００は、半導体素子２００に直接接続され、半導体素子２００および第二副リード５００を導通させている。具体的には、第二ワイヤ７００は、半導体素子２００の第二表面電極２１２と、第二副表面めっき層５１１と、に接合されている。

第二ワイヤ７００は、ファーストボンディング部７１０およびセカンドボンディング部７２０を有している。第二ワイヤ７００は、直径が２０μｍ程度のＡｕからなる。

ファーストボンディング部７１０は、第二副表面めっき層５１１に対して接合されており、冠状の塊部分を有する。

セカンドボンディング部７２０は、第二バンプ７３０を介して半導体素子２００の第二表面電極２１２に接合されている。セカンドボンディング部７２０は、先端に向かうほど厚さ方向ｚ厚さが小となるテーパ形状となっている。

第二バンプ７３０は、ファーストボンディング部７１０の上記塊部分に類似した部位である。第二バンプ７３０は、厚さ方向ｚ視において、主全厚部３３０に重なっている。本実施形態においては、第二バンプ７３０は、ファーストボンディング部７１０の上記塊部分よりも体積が若干小である。

樹脂パッケージ８００は、半導体素子２００と、主リード３００と、第一副リード４００と、第二副リード５００と、第一ワイヤ６００と、第二ワイヤ７００と、を覆っている。樹脂パッケージ８００は、たとえば、黒色のエポキシ樹脂からなる。また、樹脂パッケージ８００は、主リード３００の主リード裏面３２０、第一副リード４００の第一副リード裏面４２０および第二副リード５００の第二副リード裏面５２０のいずれもを厚さ方向ｚ下方側に露出させている。

樹脂パッケージ８００は、樹脂主面８０１と、樹脂裏面８０２と、第一樹脂側面８０３と、第二樹脂側面８０４と、第一樹脂端面８０５と、第二樹脂端面８０６と、を有する。

樹脂主面８０１は、主リード主面３１０の向く方向と同一方向を向いている。本実施形態において樹脂主面８０１は平坦である。

樹脂裏面８０２は、主リード裏面３２０の向く方向と同一方向を向いている。すなわち、樹脂裏面８０２は、樹脂主面８０１の向く方向とは反対方向を向いている。樹脂裏面８０２は、平坦である。樹脂裏面８０２からは、主リード３００と、第一副リード４００と、第二副リード５００とが露出している。そして、本実施形態では、樹脂裏面８０２は、主リード裏面３２０と、第一副リード裏面４２０と、第二副リード裏面５２０とのいずれとも面一となっている。

第一樹脂側面８０３は、第一副リード４００における第一副リード側面４８２の向く方向と同一方向を向いている。第一樹脂側面８０３は、平坦である。第一樹脂側面８０３からは、第一副リード４００が露出している。本実施形態においては、第二樹脂側面８０４からは、第一副全厚部４３０が露出している。そして、第一樹脂側面８０３は、第一副リード側面４８２と面一となっている。本実施形態においては更に、第一樹脂側面８０３は、主リード３００が露出している。具体的には、第一樹脂側面８０３は、主リード３００における主側方連結部３５１が露出している。そして、第一樹脂側面８０３は、主側方連結部３５１の端面と面一となっている。

第二樹脂側面８０４は、第二副リード５００における第二副リード側面５８２の向く方向と同一方向を向いている。第二樹脂側面８０４は、平坦である。第二樹脂側面８０４からは、第二副リード５００が露出している。そして、第二樹脂側面８０４は、第二副リード側面５８２と面一となっている。本実施形態においては、第二樹脂側面８０４からは、第二副全厚部５３０が露出している。本実施形態においては更に、第二樹脂側面８０４は、主リード３００が露出している。具体的には、第二樹脂側面８０４は、主リード３００における主側方連結部３５１が露出している。そして、第二樹脂側面８０４は、主側方連結部３５１の端面と面一となっている。

第一樹脂端面８０５は、第一副リード４００における第一副リード端面４８１の向く方向と同一方向を向いている。第一樹脂端面８０５は平坦である。第一樹脂端面８０５からは、第一副リード４００が露出している。そして、第一樹脂端面８０５は、第一副リード端面４８１と面一となっている。本実施形態においては、第一樹脂端面８０５からは、第一副全厚部４３０が露出している。同様に、第一樹脂端面８０５は、第二副リード５００における第二副リード端面５８１の向く方向と同一方向を向いている。第一樹脂端面８０５からは、第二副リード５００が露出している。そして、第一樹脂端面８０５は、第二副リード端面５８１と面一となっている。本実施形態においては、第一樹脂端面８０５からは、第二副全厚部５３０が露出している。

第二樹脂端面８０６は、第一樹脂端面８０５の向く方向とは反対方向を向いている。第二樹脂端面８０６は平坦である。第二樹脂端面８０６からは、主リード３００が露出している。本実施形態においては、第二樹脂端面８０６からは主後方連結部３５２が露出している。第二樹脂端面８０６は、主後方連結部３５２の端面と面一となっている。

なお、樹脂における面と、リード（主リード３００、第一副リード４００、あるいは第二副リード５００）の面とが面一となっているのは、半導体装置１０１の製造の際、リードフレームと、樹脂パッケージになる樹脂部材とが、一括してダイシングされるからである。図１１には、図１に示した半導体装置の製造方法における一工程の断面図を示している。同図は、第一副リード４００の近傍を示すものである。なお、本実施形態では、同図の線Ｃｔ１に沿って、リードおよび樹脂部材がダイシングされる。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態においては、半導体素子２００は、半導体素子２００の厚さ方向ｚ視において、主リード３００に重ならない部分を有する。このような構成によると、厚さ方向ｚ視において、主リード３００のサイズを、半導体素子２００のサイズよりも、比較的小さくすることができる。これにより、樹脂パッケージ８００の厚さ方向ｚ視におけるサイズは、主リード３００ではなく、半導体素子２００によって決定されることとなる。これにより、半導体装置１０１の厚さ方向ｚ視におけるサイズの小型化を図ることができる。

本実施形態においては、主リード３００は、主全厚部３３０および主ひさし部３４０を含む。このような構成によると、半導体素子２００と、主リード３００との接合面積を大きくすることができる。これにより、半導体素子２００を主リード３００により確実に接合できる。

そして、第一ワイヤ６００のセカンドボンディング部６２０が第一バンプ６３０を介して第一表面電極２１１に接合され、第二ワイヤ７００のセカンドボンディング部７２０が第二バンプ７３０を介して第二表面電極２１２に接合された構成とすることにより、第一ワイヤ６００および第二ワイヤ７００の厚さ方向ｚ高さを削減することができる。これは、半導体装置１０１の厚さ方向ｚ高さを低くするのに寄与する。したがって、本実施形態によれば、半導体装置１０１の小型化を図ることができる。

ゲート電極としての第一表面電極２１１が、ソース電極としての第二表面電極２１２よりも第一副リード４００および第二副リード５００に対して離間していることにより、第一ワイヤ６００の長さを第二ワイヤ７００よりも長くすることができる。長さが長い第一ワイヤ６００の方が、特にセカンドボンディング部６２０における接合強度を高めやすい。一般に、ゲート電極としての第一表面電極２１１は、半導体層２３１の比較的平滑な面上において絶縁層（図示略）を介して形成される。このような第一表面電極２１１は、ワイヤボンディングの接合強度を比較的向上させにくい。一方、ソース電極としての第二表面電極２１２は、半導体層２３１に形成された複数のトレンチ（竪穴）に充填された金属部に繋がっていることが多い。このような構成により、第二表面電極２１２は、ワイヤボンディングの接合強度を比較的向上させやすい。したがって、相対的に接合強度不足が懸念されるゲート電極としての第一表面電極２１１に接合強度を高めやすい第一ワイヤ６００を接合することは、ワイヤ剥離などの不具合を回避するのに有利である。

主ひさし部３４０が、主前方部３４１を有することにより、主リード３００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。また、半導体素子２００と第一副リード４００および第二副リード５００とを近づけつつ、主リード裏面３２０と第一副リード裏面４２０および第二副リード裏面５２０とが不当に近づいてしまうことを回避することができる。

主ひさし部３４０が主側方部３４２および主後方部３４３を有することにより、主リード３００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。主全厚部３３０のすべてが、主ひさし部３４０に囲まれている構成は、主リード３００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めるのに好適である。

主側方連結部３５１および主後方連結部３５２は、半導体装置１０１の製造工程において主リード３００を適切に保持する。主側方連結部３５１のｙ方向端面および主後方連結部３５２のｘ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出するものの主リード裏面３２０とは離間している。このため、半導体装置１０１を面実装するためのはんだが主側方連結部３５１のｙ方向端面および主後方連結部３５２のｘ方向端面に誤って広がってしまうおそれが少ない。

主リード主面３１０に、主表面めっき層３１１が形成されていることにより、半導体素子２００の裏面電極２２０と主リード主面３１０との接合強度を高めることができる。主表面めっき層３１１が、主ひさし部３４０のすべてに重なることにより、主リード主面３１０として利用できる面積を拡大することができる。

第一副リード４００が、第一副ひさし部４４０を有することにより、第一副リード４００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。第一副ひさし部４４０が、第一副前方部４４１を有することにより、樹脂パッケージ８００との接合強度を高めつつ、第一副リード裏面４２０と主リード裏面３２０との距離とが不当に近づいてしまうことを回避することができる。これは、半導体装置１０１の全体が小型化する場合であっても、第一副リード裏面４２０と主リード裏面３２０とが、第一副リード裏面４２０に付着するハンダと、主リード裏面３２０に付着するハンダと、を経由して、導通してしまう不具合を防止できることを意味する。

第一副ひさし部４４０が、第一副内方部４４２を有することにより、第一副リード４００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。第一副ひさし部４４０が、第一副内方部４４２を有することにより、樹脂パッケージ８００との接合強度を高めつつ、第一副リード裏面４２０と第二副リード裏面５２０との距離とが不当に近づいてしまうことを回避することができる。これは、半導体装置１０１の全体が小型化する場合であっても、第一副リード裏面４２０と第二副リード裏面５２０とが、第一副リード裏面４２０に付着するハンダと、第二副リード裏面５２０に付着するハンダと、を経由して、導通してしまう不具合を防止できることを意味する。

本実施形態においては、第一副リード４００は、第一副リード裏面４２０につながる第一副リード端面４８１を有する。第一副リード端面４８１は、樹脂パッケージ８００から露出している。そのため、第一副リード裏面４２０をより広くすることができる。これにより、樹脂パッケージ８００を形成するための樹脂モールドの際に用いるテープ９０１（図１１参照）と、第一副リード裏面４２０と、をより強固に接合できる。そのため、樹脂モールドの際に、テープ９０１と、第一副リード裏面４２０との間に樹脂材が入り込むことを防止できる。これにより、第一副リード裏面４２０に樹脂バリが発生することを防止できる。同様に、第一副リード側面４８２が樹脂パッケージ８００から露出していることによっても同様の効果を奏する。また、第二副リード５００における第二副リード端面５８１が樹脂パッケージ８００から露出していること、および、第二副リード側面５８２が露出していること、によっても、第一副リード４００に対する効果と上述の同様の効果を奏する。

第一副リード主面４１０に、第一副表面めっき層４１１が形成されていることにより、第一ワイヤ６００と第一副リード主面４１０との接合強度を高めることができる。

第二副リード５００が、第二副ひさし部５４０を有することにより、第二副リード５００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。第二副ひさし部５４０が、第二副前方部５４１を有することにより、樹脂パッケージ８００との接合強度を高めつつ、第二副リード裏面５２０と主リード裏面３２０との距離とが不当に近づいてしまうことを回避することができる。

第二副ひさし部５４０が、第二副内方部５４２を有することにより、第二副リード５００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。第二副ひさし部５４０が、第二副内方部５４２を有することにより、樹脂パッケージ８００との接合強度を高めつつ、第二副リード裏面５２０と第一副リード裏面４２０との距離とが不当に近づいてしまうことを回避することができる。これは、半導体装置１０１の全体が小型化する場合であっても、第一副リード裏面４２０と第二副リード裏面５２０とが、第一副リード裏面４２０に付着するハンダと、第二副リード裏面５２０に付着するハンダと、を経由して、導通してしまう不具合を防止できることを意味する。

第二副リード主面５１０に、第二副表面めっき層５１１が形成されていることにより、第二ワイヤ７００と第二副リード主面５１０との接合強度を高めることができる。

半導体素子２００と主リード３００の主リード主面３１０との接合においては、金属単体層からなる裏面電極２２０が、主リード主面３１０に直接接合されており、その接合に際しては振動が付与されていない。このような構成により、主リード３００のうち半導体素子２００の周囲に位置する領域に、振動を加味した余裕領域を設定する必要がない。これは、半導体装置１０１の小型化に有利である。

図１２、図１３を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。

図１２は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。図１３は、図１２に示した半導体装置の平面図である。

これらの図に示す半導体装置１０２は、第一副リード４００および第二副リード５００の形状が半導体装置１０１とは異なる。以下に述べるもの以外の構成は、半導体装置１０１と同様であるから、第１実施形態と同様の符号を付して、説明を省略する。

本実施形態においては、第一副リード４００は、第一副全厚部４３０と、第一副ひさし部４４０と、に加え、第一副延出部４６０を含む。

本実施形態においては、第一副全厚部４３０が樹脂パッケージ８００から露出していない。

第一副延出部４６０は、厚さ方向ｚに対して直角である方向に、第一副全厚部４３０から延出している。第一副延出部４６０の厚さは、たとえば第一副全厚部４３０の半分であり、０．０５ｍｍ程度である。第一副延出部４６０は、第一副リード裏面４２０を構成している。一方、第一副延出部４６０は、第一副リード主面４１０を構成していない。第一副延出部４６０は、厚さ方向ｚ視において、樹脂パッケージ８００の外方に向かって、樹脂パッケージ８００から露出している。具体的には、第一副延出部４６０は、樹脂パッケージ８００から方向ｘおよび方向ｙに向かって、樹脂パッケージ８００から露出している。そのため、第一副延出部４６０は、第一副リード端面４８１および第一副リード側面４８２を構成している。

本実施形態においては、第一副延出部４６０は、第一副後方部４６１および第一副側方部４６２を有する。

第一副後方部４６１は、第一副全厚部４３０から主リード３００の位置する側とは反対側に向かって突出している。第一副後方部４６１は、第一副リード端面４８１を構成している。第一副側方部４６２は、第一副全厚部４３０から第二副リード５００の位置する側とは反対側に向かって突出している。第一副側方部４６２は、第一副リード側面４８２を構成している。

本実施形態においては、第二副全厚部５３０が樹脂パッケージ８００から露出していない。

第二副延出部５６０は、厚さ方向ｚに対して直角である方向に、第二副全厚部５３０から延出している。第二副延出部５６０の厚さは、たとえば第二副全厚部５３０の半分であり、０．０５ｍｍ程度である。第二副延出部５６０は、第二副リード裏面５２０を構成している。一方、第二副延出部５６０は、第二副リード主面５１０を構成していない。第二副延出部５６０は、厚さ方向ｚ視において、樹脂パッケージ８００の外方に向かって、樹脂パッケージ８００から露出している。具体的には、第二副延出部５６０は、樹脂パッケージ８００から方向ｘおよび方向ｙに向かって、樹脂パッケージ８００から露出している。そのため、第二副延出部５６０は、第二副リード端面５８１および第二副リード側面５８２を構成している。

本実施形態においては、第二副延出部５６０は、第二副後方部５６１および第二副側方部５６２を有する。

第二副後方部５６１は、第二副全厚部５３０から主リード３００の位置する側とは反対側に向かって突出している。第二副後方部５６１は、第二副リード端面５８１を構成している。第二副側方部５６２は、第二副全厚部５３０から第一副リード４００の位置する側とは反対側に向かって突出している。第二副側方部５６２は、第二副リード側面５８２を構成している。

なお、半導体装置１０２を製造する際、半導体装置１０１の説明で用いた図１１の線Ｃｔ２に沿って、リードおよび樹脂部材がダイシングされる。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態によると、半導体装置１０１に関して述べたのと同様の作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。

本実施形態によると、リードフレームのうち第一副リード４００を切断する際、第一副全厚部４３０をダイシングする必要がなく、比較的薄い部分をダイシングすればよい。バリの発生は、切断するリードフレームの厚さに比例する。そのため、リードフレームのうち第一副リード４００となるべき部位を切断することにより形成されうる金属バリの発生を抑制することができる。同様に、リードフレームのうち第二副リード５００となるべき部位を切断することにより形成されうる金属バリの発生を抑制することができる。

なお、実際のところ、主リード３００、第一副リード４００および第二副リード５００をエッチングによってパターン形成した場合、主全厚部３３０と主ひさし部３４０との境界は、図１〜図１３等に示した明確な角は形成されず、曲面となりうる。同様に、第一副リード４００における第一副全厚部４３０と第一副ひさし部４４０との境界、第一副ひさし部４４０と第一副延出部４６０との境界、第二副リード５００における第二副全厚部５３０と第二副ひさし部５４０との境界、および、第二副ひさし部５４０と第二副延出部５６０との境界等も、曲面となりうる。これは、図１〜図１３等に示した形態を意図した設計を経たとしても、半導体装置１０１，１０２が上述した非常に小型の構成である場合、エッチングの過程において上述した曲面が不可避的に生じる場合があるからである。

図１５には、半導体装置の変形例を示している。同図に示すように、ゲート電極たる第一表面電極２１１と、ソース電極たる第二表面電極２１２と、セカンドボンディング部６２０，７２０と、第一バンプ６３０と、第二バンプ７３０と、の位置が、図２に示した半導体装置とは異なっている。図１５に示した半導体装置についてのこれらの位置以外の説明は、半導体装置１０１に関して述べた説明を適用できるから、位置以外の説明を省略する。図２では、ゲート電極たる第一表面電極２１１は半導体素子２００における左寄りに位置しており、ソース電極たる第二表面電極２１２は半導体素子２００における右寄りに位置していた。また、セカンドボンディング部６２０および第一バンプ６３０は、セカンドボンディング部７２０および第二バンプ７３０よりも左側に位置していた。一方、図１５では、ゲート電極たる第一表面電極２１１は、半導体素子２００における右寄りに位置しており、ソース電極たる第二表面電極２１２は半導体素子２００における左寄りに位置している。また、セカンドボンディング部６２０および第一バンプ６３０は、セカンドボンディング部７２０および第二バンプ７３０の右側に位置している。このように、平面視における、ゲート電極たる第一表面電極２１１と、ソース電極たる第二表面電極２１２との位置は自在に変更可能である。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。半導体素子は、トランジスタに限定されず、たとえば、ダイオードであってもよい。

図１６〜図２４は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の一例を示している。

本実施形態の半導体装置１０１は、半導体素子２００、主リード３００、第１副リード４００、第２副リード５００、第１ワイヤ６００、第２ワイヤ７００および樹脂パッケージ８００を備えている。半導体装置１０１は、いわゆる面実装が可能な比較的小型の半導体装置として構成されており、大きさの一例を挙げると、ｘ方向寸法が０．８ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．６ｍｍ程度、ｚ方向寸法が０．３６ｍｍ程度である。なお、ｚ方向は、本発明で言う半導体素子、主リード、第１副リードおよび第２副リードの厚さ方向である。図１６は、半導体装置１０１をｚ方向上方から見た斜視図である。図１７は、半導体装置１０１をｚ方向下方から見た斜視図である。図１８は、半導体装置１０１の平面図である。図１９は、図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿うｚｘ平面における断面図である。図２０は、図１８のＸＸ−ＸＸ線に沿うｚｘ平面における断面図である。図２１は、半導体素子２００を横切るｚｘ平面における要部拡大断面図である。図２２は、図１８のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿うｙｚ平面における断面図である。図２３は、図１８のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿うｙｚ平面における断面図である。図２４は、図１８のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿うｙｚ平面における断面図である。

半導体素子２００は、本実施形態においては、いわゆるトランジスタとして構成されている。半導体素子２００は、表面２０１および裏面２０２を有しており、第１表面電極２１１、第２表面電極２１２および裏面電極２２０が形成されている。表面２０１および裏面２０２は、ｚ方向において互いに反対方向を向いている。半導体素子２００の大きさの一例を挙げると、ｘ方向寸法が３００μｍ程度、ｙ方向寸法が３００μｍ程度である。

図２５に示すように、第１表面電極２１１および第２表面電極２１２は、表面２０１に形成されており、たとえばＡｕめっき層からなる電極層２１３の一部ずつによって構成されている。本実施形態においては、第１表面電極２１１がゲート電極であり、第２表面電極２１２がソース電極である。本実施形態においては、図１８および図２５において、第１表面電極２１１がｘ方向左方側に位置し、第２表面電極２１２がｘ方向右方側に位置する。また、第１表面電極２１１がｙ方向図中下方側に位置し、第２表面電極２１２がｙ方向図中上方側に位置する。裏面電極２２０は、裏面２０２に形成されている。本実施形態においては、裏面電極２２０がドレイン電極である。

電極層２３１の一部が除去されることにより、除去領域２１４が形成されている。除去領域２１４は、第１表面電極２１１を囲む形状とされている。より具体的には、除去領域２１４は、半導体素子２００の四辺に沿って互いに平行に延びる部分と、第１表面電極２１１を囲むべく比較的広い面積を挟んで位置する部分と、を有している。このような環状とされた除去領域２１４によって第１表面電極２１１と第２表面電極２１２とが絶縁されている。

第２表面電極２１２の周辺領域は、アクティブ領域２１６とされている。アクティブ領域２１６には、表面２０１からｚ方向内方にある部位に、ＭＯＳＦＥＴ２１７が作りこまれている。ＭＯＳＦＥＴ２１７は、マトリクス状に配置された複数の単位セル２１８によって構成されている。なお、複数の単位セル２１８の配列形態は、マトリクス状に限らず、たとえばストライプ状、千鳥状であってもよい。

なお、本実施形態においては、ソース電極としての第２表面電極２１２が１つ設けられているが、これに限定されず、複数の第２表面電極２１２を設けてもよい。

図２１は、半導体素子２００の裏面電極２２０付近を示している。本実施形態の半導体素子２００は、半導体層２３１および共晶層２３２を有している。半導体層２３１は、トランジスタとして機能する各部位が作りこまれた層であり、たとえばＳｉからなる。共晶層２３２は、半導体層２３１を構成する半導体と金属との共晶体からなる。本実施形態においては、共晶層２３２は、半導体としてのＳｉと金属としてのＡｕとの共晶体からなる。共晶層２３２は、半導体層２３１にＡｕからなる層を積層させた後に、これらを加熱することによる合金化処理によって形成される。共晶層２３２のｚ方向下方には、裏面電極２２０が積層されている。裏面電極２２０は、たとえば共晶層２３２に対して蒸着によってＡｕの層が形成されたものであり、本発明で言う金属単体層の一例である。共晶層２３２は、その厚さがたとえば１２００ｎｍ程度である。金属単体層としての裏面電極２２０は、その厚さがたとえば６００ｎｍ程度であり、共晶層２３２よりも薄い。本実施形態においては、共晶層２３２のｚ方向下方を向く面を半導体素子２００の裏面２０２と定義している。

主リード３００は、ダイパッド部３１０、主裏面端子部３２０、主全厚部３３０および主ひさし部３４０を有している。主リード３００は、たとえばＣｕからなる金属板に対してエッチングなどのパターニングが施されることによって形成される。

ダイパッド部３１０は、ｚ方向上方を向いており、半導体素子２００が搭載される部位である。本実施形態においては、ダイパッド部３１０は、ｘ方向寸法が０．４ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．５ｍｍ程度の矩形状である。また、本実施形態においては、ダイパッド部３１０に主表面めっき層３１１が形成されている。主表面めっき層３１１は、ダイパッド部３１０の全域にわたって形成されている。主表面めっき層３１１は、たとえば厚さが２μｍ程度のＡｇからなる。なお、図１６においては、理解の便宜上、主表面めっき層３１１にハーフトーンを施している。

主裏面端子部３２０は、ダイパッド部３１０とは反対側のｚ方向下方を向いており、半導体装置１０１を面実装するために用いられる。主裏面端子部３２０は、ｘ方向寸法が０．１８ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．４８ｍｍ程度の矩形状である。主裏面端子部３２０は、ｚ方向視においてダイパッド部３１０にその全てが重なっており、ダイパッド部３１０に内包されている。本実施形態においては、主リード３００には、主裏面めっき層３２１が形成されている。主裏面めっき層３２１は、主リード３００のうち主裏面端子部３２０を形成するための部位に積層されており、たとえば厚さが０．０６ｍｍ程度のＮｉ、Ｓｎまたはこれらの合金からなる。本実施形態においては、便宜上、主裏面めっき層３２１のｚ方向下面を主裏面端子部３２０と定義するが、たとえば主裏面めっき層３２１を有しない構成においては、上述したＣｕからなる部分によって主裏面端子部３２０が構成されてもよい。

主全厚部３３０は、ｚ方向においてダイパッド部３１０から主裏面端子部３２０にわたる部位である。本実施形態においては、主全厚部３３０は、主裏面めっき層３２１を除いたＣｕからなる部位を指し、その厚さが０．１ｍｍ程度である。主全厚部３３０は、主裏面端子部３２０と同様に、ｘ方向寸法が０．１８ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．４８ｍｍ程度である。

主ひさし部３４０は、主全厚部３３０のダイパッド部３１０側部分からｚ方向に対して直角であるｘ方向およびｙ方向に突出している。主ひさし部３４０は、ｚ方向上端面が主全厚部３３０と面一となっている。本実施形態においては、主ひさし部３４０は、主前方部３４１、主側方部３４２および主後方部３４３を有している。主ひさし部３４０の厚さは、たとえば主全厚部３３０の半分であり、０．０５ｍｍ程度である。

主前方部３４１は、ｘ方向において主全厚部３３０から第１副リード４００および第２副リード５００に向かって突出している。本実施形態においては、主前方部３４１は、ｘ方向寸法が０．２１ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．５ｍｍ程度の矩形状である。

主側方部３４２は、主全厚部３３０からｙ方向に向かって突出している。本実施形態においては、２つの主側方部３４２が形成されている。主側方部３４２は、ｘ方向寸法が０．１８ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．０１ｍｍ程度である。また、本実施形態においては、主リード３００は、２つの主側方連結部３５１を有している。主側方連結部３５１は、主ひさし部３４０の主側方部３４２から延びており、主側方部３４２と同じ厚さとされている。主側方連結部３５１のｙ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出している。主側方連結部３５１は、ｘ方向寸法が０．１ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．０４ｍｍ程度である。

主後方部３４３は、主全厚部３３０から主前方部３４１とは反対側に突出している。主後方部３４３は、ｘ方向寸法が０．０１ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．５ｍｍ程度である。本実施形態においては、主リード３００は、２つの主後方連結部３５２を有している。主後方連結部３５２は、主ひさし部３４０の主後方部３４３から延びており、主後方部３４３と同じ厚さとされている。主後方連結部３５２のｘ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出している。主後方連結部３５２は、ｘ方向寸法が０．０４ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．１ｍｍ程度である。

上述した構成により、本実施形態においては、ｚ方向視において主全厚部３３０のすべてが主ひさし部３４０に囲まれている。また、主全厚部３３０および主ひさし部３４０のｚ方向上面が、ダイパッド部３１０となっており、主表面めっき層３１１は、主全厚部３３０および主ひさし部３４０のすべてに重なっている。また、図１８によく表れているように、半導体素子２００は、ｚ方向視においてその半分程度が主全厚部３３０に重なり、その他の半分程度が主ひさし部３４０の主前方部３４１に重なっている。そして、ゲート電極としての第１表面電極２１１が主全厚部３３０と重なっており、ソース電極としての第２表面電極２１２が主ひさし部３４０の主前方部３４１に重なっている。

図２１に示すように、半導体素子２００は、裏面電極２２０がダイパッド部３１０（主表面めっき層３１１）に接合されている。具体的には、金属単体層としての裏面電極２２０が、ダイパッド部３１０（主表面めっき層３１１）に対してたとえば熱圧着の手法によって直接接合されている。この熱圧着においては、振動は付与されず、熱と圧力のみが付与される。

第１副リード４００は、主リード３００に対してｘ方向に離間して配置されており、第１ワイヤボンディング部４１０、第１副裏面端子部４２０、第１副全厚部４３０および第１副ひさし部４４０を有している。第１副リード４００は、たとえばＣｕからなる金属板に対してエッチングなどのパターニングが施されることによって形成される。

第１ワイヤボンディング部４１０は、ｚ方向上方を向いており、第１ワイヤ６００がボンディングされる部位である。本実施形態においては、第１ワイヤボンディング部４１０は、ｘ方向寸法が０．２ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．２ｍｍ程度の矩形状である。また、本実施形態においては、第１ワイヤボンディング部４１０に第１副表面めっき層４１１が形成されている。第１副表面めっき層４１１は、第１ワイヤボンディング部４１０の全域にわたって形成されている。第１副表面めっき層４１１は、たとえば厚さが２μｍ程度のＡｇからなる。なお、図１６においては、理解の便宜上、第１副表面めっき層４１１にハーフトーンを施している。

第１副裏面端子部４２０は、第１ワイヤボンディング部４１０とは反対側のｚ方向下方を向いており、半導体装置１０１を面実装するために用いられる。第１副裏面端子部４２０は、ｘ方向寸法が０．１８ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．１３ｍｍ程度の矩形状である。第１副裏面端子部４２０は、ｚ方向視において第１ワイヤボンディング部４１０にその全てが重なっており、第１ワイヤボンディング部４１０に内包されている。本実施形態においては、第１副リード４００には、第１副裏面めっき層４２１が形成されている。第１副裏面めっき層４２１は、第１副リード４００のうち第１副裏面端子部４２０を形成するための部位に積層されており、たとえば厚さが０．０６ｍｍ程度のＮｉ、Ｓｎまたはこれらの合金からなる。本実施形態においては、便宜上、第１副裏面めっき層４２１のｚ方向下面を第１副裏面端子部４２０と定義するが、たとえば第１副裏面めっき層４２１を有しない構成においては、上述したＣｕからなる部分によって第１副裏面端子部４２０が構成されてもよい。

第１副全厚部４３０は、ｚ方向において第１ワイヤボンディング部４１０から第１副裏面端子部４２０にわたる部位である。本実施形態においては、第１副全厚部４３０は、第１副裏面めっき層４２１を除いたＣｕからなる部位を指し、その厚さが０．１ｍｍ程度である。第１副全厚部４３０は、第１副裏面端子部４２０と同様に、ｘ方向寸法が０．１８ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．１３ｍｍ程度である。

第１副ひさし部４４０は、第１副全厚部４３０の第１ワイヤボンディング部４１０側部分からｚ方向に対して直角であるｘ方向およびｙ方向に突出している。第１副ひさし部４４０は、ｚ方向上端面が第１副全厚部４３０と面一となっている。本実施形態においては、第１副ひさし部４４０は、第１副前方部４４１、第１副側方部４４２および第１副後方部４４３を有している。第１副ひさし部４４０の厚さは、たとえば第１副全厚部４３０の半分であり、０．０５ｍｍ程度である。

第１副前方部４４１は、ｘ方向において第１副全厚部４３０から主リード３００に向かって突出している。本実施形態においては、第１副前方部４４１は、ｘ方向寸法が０．０１ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．２ｍｍ程度である。

第１副側方部４４２は、第１副全厚部４３０からｙ方向に向かって突出している。本実施形態においては、２つの第１副側方部４４２が形成されている。図１８においてｙ方向図中上方に位置する第１副側方部４４２は、第２副リード５００に向かって突出しており、ｘ方向寸法が０．２ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．０６ｍｍ程度である。ｙ方向図中下方に位置する第１副側方部４４２は、ｙ方向ｘ方向寸法が０．２ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．０１ｍｍ程度である。また、本実施形態においては、第１副リード４００は、第１副側方連結部４５１を有している。第１副側方連結部４５１は、第１副ひさし部４４０の第１副側方部４４２から図１８におけるｙ方向図中下方に延びており、第１副側方部４４２と同じ厚さとされている。第１副側方連結部４５１のｙ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出している。第１副側方連結部４５１は、ｘ方向寸法が０．１ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．０４ｍｍ程度である。

第１副後方部４４３は、第１副全厚部４３０から第１副前方部４４１とは反対側に突出している。第１副後方部４４３は、ｘ方向寸法が０．０１ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．１４ｍｍ程度である。本実施形態においては、第１副リード４００は、第１副後方連結部４５２を有している。第１副後方連結部４５２は、第１副ひさし部４４０の第１副後方部４４３から延びており、第１副後方部４４３と同じ厚さとされている。第１副後方連結部４５２のｘ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出している。第１副後方連結部４５２は、ｘ方向寸法が０．０４ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．１ｍｍ程度である。

上述した構成により、本実施形態においては、ｚ方向視において第１副全厚部４３０のすべてが第１副ひさし部４４０に囲まれている。また、第１副全厚部４３０および第１副ひさし部４４０のｚ方向上面が、第１ワイヤボンディング部４１０となっており、第１副表面めっき層４１１は、第１副全厚部４３０および第１副ひさし部４４０のすべてに重なっている。

第２副リード５００は、ｙ方向において第１副リード４００と並んだ位置において主リード３００に対してｘ方向に離間して配置されており、第２ワイヤボンディング部５１０、第２副裏面端子部５２０、第２副全厚部５３０および第２副ひさし部５４０を有している。第２副リード５００は、たとえばＣｕからなる金属板に対してエッチングなどのパターニングが施されることによって形成される。

第２ワイヤボンディング部５１０は、ｚ方向上方を向いており、第２ワイヤ７００がボンディングされる部位である。本実施形態においては、第２ワイヤボンディング部５１０は、ｘ方向寸法が０．２ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．２ｍｍ程度の矩形状である。また、本実施形態においては、第２ワイヤボンディング部５１０に第２副表面めっき層５１１が形成されている。第２副表面めっき層５１１は、第２ワイヤボンディング部５１０の全域にわたって形成されている。第２副表面めっき層５１１は、たとえば厚さが２μｍ程度のＡｇからなる。なお、図１６においては、理解の便宜上、第２副表面めっき層５１１にハーフトーンを施している。

第２副裏面端子部５２０は、第２ワイヤボンディング部５１０とは反対側のｚ方向下方を向いており、半導体装置１０１を面実装するために用いられる。第２副裏面端子部５２０は、ｘ方向寸法が０．１８ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．１３ｍｍ程度の矩形状である。第２副裏面端子部５２０は、ｚ方向視において第２ワイヤボンディング部５１０にその全てが重なっており、第２ワイヤボンディング部５１０に内包されている。本実施形態においては、第２副リード５００には、第２副裏面めっき層５２１が形成されている。第２副裏面めっき層５２１は、第２副リード５００のうち第２副裏面端子部５２０を形成するための部位に積層されており、たとえば厚さが０．０６ｍｍ程度のＮｉ、Ｓｎまたはこれらの合金からなる。本実施形態においては、便宜上、第２副裏面めっき層５２１のｚ方向下面を第２副裏面端子部５２０と定義するが、たとえば第２副裏面めっき層５２１を有しない構成においては、上述したＣｕからなる部分によって第２副裏面端子部５２０が構成されてもよい。

第２副全厚部５３０は、ｚ方向において第２ワイヤボンディング部５１０から第２副裏面端子部５２０にわたる部位である。本実施形態においては、第２副全厚部５３０は、第２副裏面めっき層５２１を除いたＣｕからなる部位を指し、その厚さが０．１ｍｍ程度である。第２副全厚部５３０は、第２副裏面端子部５２０と同様に、ｘ方向寸法が０．１８ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．１３ｍｍ程度である。

第２副ひさし部５４０は、第２副全厚部５３０の第２ワイヤボンディング部５１０側部分からｚ方向に対して直角であるｘ方向およびｙ方向に突出している。第２副ひさし部５４０は、ｚ方向上端面が第２副全厚部５３０と面一となっている。本実施形態においては、第２副ひさし部５４０は、第２副前方部５４１、第２副側方部５４２および第２副後方部５４３を有している。第２副ひさし部５４０の厚さは、たとえば第２副全厚部５３０の半分であり、０．０５ｍｍ程度である。

第２副前方部５４１は、ｘ方向において第２副全厚部５３０から主リード３００に向かって突出している。本実施形態においては、第２副前方部５４１は、ｘ方向寸法が０．０１ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．２ｍｍ程度である。

第２副側方部５４２は、第２副全厚部５３０からｙ方向に向かって突出している。本実施形態においては、２つの第２副側方部５４２が形成されている。図１８においてｙ方向図中下方に位置する第２副側方部５４２は、第１副リード４００に向かって突出しており、ｘ方向寸法が０．２ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．０６ｍｍ程度である。ｙ方向図中上方に位置する第２副側方部５４２は、ｘ方向寸法が０．２ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．０１ｍｍ程度である。また、本実施形態においては、第２副リード５００は、第２副側方連結部５５１を有している。第２副側方連結部５５１は、第２副ひさし部５４０の第２副側方部５４２から図１８におけるｙ方向図中上方に延びており、第２副側方部５４２と同じ厚さとされている。第２副側方連結部５５１のｙ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出している。第２副側方連結部５５１は、ｘ方向寸法が０．１ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．０４ｍｍ程度である。

第２副後方部５４３は、第２副全厚部５３０から第２副前方部５４１とは反対側に突出している。第２副後方部５４３は、ｘ方向寸法が０．０１ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．１４ｍｍ程度である。本実施形態においては、第２副リード５００は、第２副後方連結部５５２を有している。第２副後方連結部５５２は、第２副ひさし部５４０の第２副後方部５４３から延びており、第２副後方部５４３と同じ厚さとされている。第２副後方連結部５５２のｘ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出している。第２副後方連結部５５２は、ｘ方向寸法が０．０４ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．１ｍｍ程度である。

上述した構成により、本実施形態においては、ｚ方向視において第２副全厚部５３０のすべてが第２副ひさし部５４０に囲まれている。また、第２副全厚部５３０および第２副ひさし部５４０のｚ方向上面が、第２ワイヤボンディング部５１０となっており、第２副表面めっき層５１１は、第２副全厚部５３０および第２副ひさし部５４０のすべてに重なっている。

第１ワイヤ６００は、半導体素子２００の第１表面電極２１１と第１副リード４００の第１ワイヤボンディング部４１０とに接合されており、ファーストボンディング部６１０およびセカンドボンディング部６２０を有している。第１ワイヤ６００は、直径が２０μｍ程度のＡｕからなる。

ファーストボンディング部６１０は、第１副リード４００の第１ワイヤボンディング部４１０に対して接合されており、冠状の塊部分を有する。セカンドボンディング部６２０は、第１バンプ６３０を介して半導体素子２００の第１表面電極２１１に接合されている。セカンドボンディング部６２０は、先端に向かうほどｚ方向厚さが小となるテーパ形状となっている。第１バンプ６３０は、ファーストボンディング部６１０の上記塊部分に類似した部位である。本実施形態においては、第１バンプ６３０は、ファーストボンディング部６１０の上記塊部分よりも体積が若干小である。

第２ワイヤ７００は、半導体素子２００の第２表面電極２１２と第２副リード５００の第２ワイヤボンディング部５１０とに接合されており、ファーストボンディング部７１０およびセカンドボンディング部７２０を有している。第２ワイヤ７００は、直径が２０μｍ程度のＡｕからなる。

ファーストボンディング部７１０は、第２副リード５００の第２ワイヤボンディング部５１０に対して接合されており、冠状の塊部分を有する。セカンドボンディング部７２０は、第２バンプ７３０を介して半導体素子２００の第２表面電極２１２に接合されている。セカンドボンディング部７２０は、先端に向かうほどｚ方向厚さが小となるテーパ形状となっている。第２バンプ７３０は、ファーストボンディング部７１０の上記塊部分に類似した部位である。本実施形態においては、第２バンプ７３０は、ファーストボンディング部７１０の上記塊部分よりも体積が若干小である。

樹脂パッケージ８００は、半導体素子２００と主リード３００、第１副リード４００および第２副リード５００の一部ずつとを覆っており、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。また、樹脂パッケージ８００は、主リード３００の主裏面端子部３２０、第１副リード４００の第１副裏面端子部４２０および第２副リード５００の第２副裏面端子部５２０のいずれもをｚ方向下方側に露出させている。また、本実施形態においては、第１ワイヤ６００および第２ワイヤ７００のｚ方向上端と樹脂パッケージ８００のｚ方向上端との距離は、５０μｍ程度である。

次に、半導体装置１０１の製造方法の一例について、図２６〜図３３を参照しつつ以下に説明する。

図２６〜図３２においては、第１ワイヤ６００をボンディングする工程を主に説明するが、第２ワイヤ７００も同様の工程によりボンディングされる。まず、図２６に示すように、主リード３００に半導体素子２００を接合しておく。この際、主リード３００、第１副リード４００および第２副リード５００が複数個ずつ連結されたリードフレームを用いると、製造効率を向上させることができる。キャピラリＣｐを用意し、その先端からワイヤ６０１を露出させる。ワイヤ６０１は、直径が２０μｍ程度のＡｕからなる。そして、半導体素子２００の第１表面電極２１１の直上において、スパークを発生させることにより、ワイヤ６０１の先端にボール６０２を形成する。

次いで、図２７に示すように、キャピラリＣｐを下降させることにより、ボール６０２を半導体素子２００の第１表面電極２１１に接合する。そして、ワイヤ６０１をキャピラリＣｐに対して固定させた状態でキャピラリＣｐを上昇させる。これにより、図２８に示すように、第１表面電極２１１上に第１バンプ６３０が形成される。

次いで、図２９に示すように、第１副リード４００の第１ワイヤボンディング部４１０の直上においてスパークを発生させることにより、ワイヤ６０１の先端にボール６０２を再び形成する。次いで、図３０に示すように、キャピラリＣｐを下降させることにより、ボール６０２を第１副リード４００の第１ワイヤボンディング部４１０に接合する。

次いで、キャピラリＣｐに対してワイヤ６０１を固定しない状態で、図３１に示すようにキャピラリＣｐを移動させる。これにより、まず、ファーストボンディング部６１０が形成される。また、キャピラリＣｐの先端を第１バンプ６３０に押し付ける。この際、キャピラリＣｐと第１バンプ６３０との間に、ワイヤ６０１が挟まれる格好となる。また、たとえば主リード３００を保持する支持台（図示略）を介して熱と振動とを付与してもよい。そして、ワイヤ６０１をキャピラリＣｐに対して固定した状態でキャピラリＣｐを半導体素子２００から離間させる。これにより、セカンドボンディング部６２０が形成される。図３２は、セカンドボンディング部６２０および第１バンプ６３０をｚ方向上方から撮影した拡大画像である。同図によく表れているように、平面視円形状の第１バンプ６３０上に、やや広がった形状のセカンドボンディング部６２０が接合された構成となっている。

この後は、第１ワイヤ６００のボンディング工程とともに、第２ワイヤ７００のボンディング工程を行う。また、半導体素子２００と、主リード３００、第１副リード４００および第２副リード５００の一部ずつと、第１ワイヤ６００および第２ワイヤ７００とを覆うように、たとえば黒色のエポキシ樹脂を用いて板状の樹脂部材を形成する。図３３は、上述したリードフレーム、半導体素子２００、第１ワイヤ６００および第２ワイヤ７００を示しており、これらが上記樹脂部材（図示略）によって覆われている。そして、図中の切断線ＣＬに沿って上記樹脂部材と上記リードフレームとを一括して切断することにより、図１６〜図２４に示す半導体装置１０１が得られる。

次に、半導体装置１０１の作用について説明する。

本実施形態によれば、ダイパッド部３１０および半導体素子２００が、ｚ方向視において主全厚部３３０および主ひさし部３４０の双方に重なっている。主ひさし部３４０は、主リード３００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高める機能を発揮する。この接合強度の向上を図りつつ、主リード３００が半導体素子２００から過度にはみ出すことを抑制することができる。これは、半導体装置１０１のｚ方向視寸法を小さくするのに寄与する。また、第１表面電極２１１および第２表面電極２１２の少なくともいずれかが、主ひさし部３４０に重なることは、半導体装置１０１のｚ方向視寸法を小さくするのに有利である。そして、第１ワイヤ６００のセカンドボンディング部６２０が第１バンプ６３０を介して第１表面電極２１１に接合され、第２ワイヤ７００のセカンドボンディング部７２０が第２バンプ７３０を介して第２表面電極２１２に接合された構成とすることにより、第１ワイヤ６００および第２ワイヤ７００のｚ方向高さを削減することができる。これは、半導体装置１０１のｚ方向高さを低くするのに寄与する。したがって、本実施形態によれば、半導体装置１０１の小型化を図ることができる。

ゲート電極としての第１表面電極２１１が、ソース電極としての第２表面電極２１２よりも第１副リード４００および第２副リード５００に対して離間していることにより、第１ワイヤ６００の長さを第２ワイヤ７００よりも長くすることができる。長さが長い第１ワイヤ６００の方が、特にセカンドボンディング部６２０における接合強度を高めやすい。一般に、ゲート電極としての第１表面電極２１１は、半導体層２３１の比較的平滑な面上において絶縁層（図示略）を介して形成される。このような第１表面電極２１１は、ワイヤボンディングの接合強度を比較的向上させにくい。一方、ソース電極としての第２表面電極２１２は、半導体層２３１に形成された複数のトレンチ（竪穴）に充填された金属部に繋がっていることが多い。このような構成により、第２表面電極２１２は、ワイヤボンディングの接合強度を比較的向上させやすい。したがって、相対的に接合強度不足が懸念されるゲート電極としての第１表面電極２１１に接合強度を高めやすい第１ワイヤ６００を接合することは、ワイヤ剥離などの不具合を回避するのに有利である。

第１表面電極２１１が、ｚ方向視において主全厚部３３０と重なることにより、図２７および図３１に示すように、相対的に接合強度不足が懸念されるゲート電極としての第１表面電極２１１に対して、キャピラリＣｐをより確実に押し当てることができる。一方、相対的に接合強度を向上させやすいソース電極としての第２表面電極２１２を、ｚ方向視において主ひさし部３４０に重なる位置に配置することにより、半導体装置１０１のｚ方向視寸法を削減することができる。

主ひさし部３４０がは、主前方部３４１を有することにより、主リード３００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。また、半導体素子２００と第１副リード４００および第２副リード５００とを近づけつつ、主裏面端子部３２０と第１副裏面端子部４２０および第２副裏面端子部５２０とが不当に近づいてしまうことを回避することができる。

主ひさし部３４０が主側方部３４２および主後方部３４３を有することにより、主リード３００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。主全厚部３３０のすべてが、主ひさし部３４０に囲まれている構成は、主リード３００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めるのに好適である。

主側方連結部３５１および主後方連結部３５２は、半導体装置１０１の製造工程において主リード３００を適切に保持する。主側方連結部３５１のｙ方向端面および主後方連結部３５２のｘ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出するものの主裏面端子部３２０とは離間している。このため、半導体装置１０１を面実装するためのはんだが主側方連結部３５１のｙ方向端面および主後方連結部３５２のｘ方向端面に誤って広がってしまうおそれが少ない。

ダイパッド部３１０に、主表面めっき層３１１が形成されていることにより、半導体素子２００の裏面電極２２０とダイパッド部３１０との接合強度を高めることができる。主表面めっき層３１１が、主ひさし部３４０のすべてに重なることにより、ダイパッド部３１０として利用できる面積を拡大することができる。

第１副リード４００が、第１副ひさし部４４０を有することにより、第１副リード４００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。第１副ひさし部４４０が、第１副前方部４４１を有することにより、樹脂パッケージ８００との接合強度を高めつつ、第１副裏面端子部４２０と主裏面端子部３２０との距離とが不当に近づいてしまうことを回避することができる。

第１副ひさし部４４０が、第１副側方部４４２および第１副後方部４４３を有することにより、第１副リード４００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。第１副全厚部４３０のすべてが、第１副ひさし部４４０に囲まれている構成は、第１副リード４００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めるのに好適である。第２副リード５００側の第１副側方部４４２が相対的に大であることにより、接合強度の向上を図るとともに、第１副裏面端子部４２０と第２副裏面端子部５２０とが不当に近づいてしまうことを回避することができる。

第１副側方連結部４５１および第１副後方連結部４５２は、半導体装置１０１の製造工程において第１副リード４００を適切に保持する。第１副側方連結部４５１のｙ方向端面および第１副後方連結部４５２のｘ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出するものの第１副裏面端子部４２０とは離間している。このため、半導体装置１０１を面実装するためのはんだが第１副側方連結部４５１のｙ方向端面および第１副後方連結部４５２のｘ方向端面に誤って広がってしまうおそれが少ない。

第１ワイヤボンディング部４１０に、第１副表面めっき層４１１が形成されていることにより、第１ワイヤ６００と第１ワイヤボンディング部４１０との接合強度を高めることができる。

第２副リード５００が、第２副ひさし部５４０を有することにより、第２副リード５００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。第２副ひさし部５４０が、第２副前方部５４１を有することにより、樹脂パッケージ８００との接合強度を高めつつ、第２副裏面端子部５２０と主裏面端子部３２０との距離とが不当に近づいてしまうことを回避することができる。

第２副ひさし部５４０が、第２副側方部５４２および第２副後方部５４３を有することにより、第２副リード５００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めることができる。第２副全厚部５３０のすべてが、第２副ひさし部５４０に囲まれている構成は、第２副リード５００と樹脂パッケージ８００との接合強度を高めるのに好適である。第１副リード４００側の第２副側方部５４２が相対的に大であることにより、接合強度の向上を図るとともに、第２副裏面端子部５２０と第１副裏面端子部４２０とが不当に近づいてしまうことを回避することができる。

第２副側方連結部５５１および第２副後方連結部５５２は、半導体装置１０１の製造工程において第２副リード５００を適切に保持する。第２副側方連結部５５１のｙ方向端面および第２副後方連結部５５２のｘ方向端面は、樹脂パッケージ８００から露出するものの第２副裏面端子部５２０とは離間している。このため、半導体装置１０１を面実装するためのはんだが第２副側方連結部５５１のｙ方向端面および第２副後方連結部５５２のｘ方向端面に誤って広がってしまうおそれが少ない。

第２ワイヤボンディング部５１０に、第２副表面めっき層５１１が形成されていることにより、第２ワイヤ７００と第２ワイヤボンディング部５１０との接合強度を高めることができる。

半導体素子２００と主リード３００のダイパッド部３１０との接合においては、金属単体層からなる裏面電極２２０が、ダイパッド部３１０に直接接合されており、その接合に際しては振動が付与されていない。このような構成により、主リード３００のうち半導体素子２００の周囲に位置する領域に、振動を加味した余裕領域を設定する必要がない。これは、半導体装置１０１の小型化に有利である。

図３４は、半導体装置１０１のＸ線画像である。同図によく表れているように、主リード３００、第１副リード４００および第２副リード５００をエッチングによってパターン形成した場合、主全厚部３３０と主ひさし部３４０との境界は、図１６〜図２４に示した明確な角は形成されず、曲面となる。同様に、第１副リード４００における第１副全厚部４４０と第１副ひさし部４４０との境界、あるいは第２副リード５００における第２副全厚部５４０と第２副ひさし部５４０との境界も、曲面となる。これは、図１６〜図２４に示した形態を意図した設計を経たとしても、半導体装置１０１が上述した非常に小型の構成である場合、エッチングの過程において上述した曲面が不可避的に生じることによる。

図３５は、本発明の第４実施形態に基づく半導体装置を示している。なお、同図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

本実施形態においては、第１表面電極２１１が、ｚ方向視において主全厚部３３０と主ひさし部３４０との双方に重なっている。そして、第１ワイヤ６００の第１バンプ６３０およびセカンドボンディング部６２０が、ｚ方向視において主全厚部３３０と主ひさし部３４０との双方に重なっている。同図において第１ワイヤ６００の第１バンプ６３０およびセカンドボンディング部６２０に、ｙ方向に延びる破線が重なっている。この破線が、ｚ方向視における主全厚部３３０と主ひさし部３４０との境界である。このような実施形態によっても、半導体装置１０２の小型化を図ることができる。

本発明に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

本発明で言う半導体素子は、トランジスタには限定されず、第１表面電極および第２表面電極を有する様々な半導体素子を用いることができる。

１０１ 半導体装置
１０２ 半導体装置
２００ 半導体素子
２０１ 表面
２０２ 裏面
２１１ 第一表面電極
２１２ 第二表面電極
２２０ 裏面電極
２３１ 半導体層
２３２ 共晶層
３００ 主リード
３１０ 主リード主面
３１１ 主表面めっき層
３２０ 主リード裏面
３３０ 主全厚部
３４０ 主ひさし部
３４１ 主前方部
３４２ 主側方部
３４３ 主後方部
３５１ 主側方連結部
３５２ 主後方連結部
４００ 第一副リード
４１０ 第一副リード主面
４１１ 第一副表面めっき層
４２０ 第一副リード裏面
４３０ 第一副全厚部
４４０ 第一副ひさし部
４４１ 第一副前方部
４４２ 第一副内方部
４６０ 第一副延出部
４６１ 第一副後方部
４６２ 第一副側方部
４８１ 第一副リード端面
４８２ 第一副リード側面
５００ 第二副リード
５１０ 第二副リード主面
５１１ 第二副表面めっき層
５２０ 第二副リード裏面
５３０ 第二副全厚部
５４０ 第二副ひさし部
５４１ 第二副前方部
５４２ 第二副内方部
５６０ 第二副延出部
５６１ 第二副後方部
５６２ 第二副側方部
５８１ 第二副リード端面５８２ 第二副リード側面
６００ 第一ワイヤ
６１０ ファーストボンディング部
６２０ セカンドボンディング部
６３０ 第一バンプ
７００ 第二ワイヤ
７１０ ファーストボンディング部
７２０ セカンドボンディング部
７３０ 第二バンプ
８００ 樹脂パッケージ
８０１ 樹脂主面
８０２ 樹脂裏面
８０３ 第一樹脂側面
８０４ 第二樹脂側面
８０５ 第一樹脂端面
８０６ 第二樹脂端面
９０１ テープ
Ｃｔ１ 線
Ｃｔ２ 線
ｘ 方向
ｙ 方向
ｚ 厚さ方向

１０１，１０２ 半導体装置
２００ 半導体素子
２０１ 表面
２０２ 裏面
２１１ 第１表面電極
２１２ 第２表面電極
２１３ 電極層
２１４ 除去領域
２１６ アクティブ領域
２１７ ＭＯＳＦＥＴ
２１８ 単位セル
２２０ 裏面電極（金属単体層）
２３１ 半導体層
２３２ 共晶層
３００ 主リード
３１０ ダイパッド部
３１１ 主表面めっき層
３２０ 主裏面端子部
３２１ 主裏面めっき層
３３０ 主全厚部
３４０ 主ひさし部
３４１ 主前方部
３４２ 主側方部
３４３ 主後方部
３５１ 主側方連結部
３５２ 主後方連結部
４００ 第１副リード
４１０ 第１ワイヤボンディング部
４１１ 第１副表面めっき層
４２０ 第１副裏面端子部
４２１ 第１副裏面めっき層
４３０ 第１副全厚部
４４０ 第１副ひさし部
４４１ 第１副前方部
４４２ 第１副側方部
４４３ 第１副後方部
４５１ 第１副側方連結部
４５２ 第１副後方連結部
５００ 第２副リード
５１０ 第２ワイヤボンディング部
５１１ 第２副表面めっき層
５２０ 第２副裏面端子部
５２１ 第２副裏面めっき層
５３０ 第２副全厚部
５４０ 第２副ひさし部
５４１ 第２副前方部
５４２ 第２副側方部
５４３ 第２副後方部
５５１ 第２副側方連結部
５５２ 第２副後方連結部
６００ 第１ワイヤ
６１０ ファーストボンディング部
６２０ セカンドボンディング部
６３０ 第１バンプ
７００ 第２ワイヤ
７１０ ファーストボンディング部
７２０ セカンドボンディング部
７３０ 第２バンプ
８００ 樹脂パッケージ
Ｃｐ キャピラリ
６０１ ワイヤ
６０２ ボール

Claims (34)

1. 厚さ方向において互いに反対方向を向く表面および裏面、上記表面に形成された第１表面電極および第２表面電極、上記裏面に形成された裏面電極、を有する半導体素子と、
   上記裏面電極が導通接続されるダイパッド部および上記ダイパッド部とは反対側を向く主裏面端子部を有する主リードと、
   第１ワイヤを介して上記第１表面電極に接続される第１ワイヤボンディング部および上記第１ワイヤボンディング部とは反対側を向く第１副裏面端子部を有する第１副リードと、
   第２ワイヤを介して上記第２表面電極に接続される第２ワイヤボンディング部および上記第２ワイヤボンディング部とは反対側を向く第２副裏面端子部を有する第２副リードと、
   上記半導体素子と上記主リード、上記第１副リードおよび上記第２副リードの一部ずつとを覆うとともに、上記主裏面端子部、上記第１副裏面端子部および上記第２副裏面端子部を同じ側に露出させる樹脂パッケージと、を備えており、
   上記主リードは、上記ダイパッド部から上記主裏面端子部にわたる主全厚部と、この主全厚部の上記ダイパッド部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する主ひさし部と、を有しており、
   上記ダイパッド部および上記半導体素子は、厚さ方向視において上記主全厚部および上記主ひさし部の双方に重なり、
   上記第１表面電極および上記第２表面電極の少なくともいずれか、は上記主ひさし部に重なり、
   上記第１ワイヤは、上記第１ワイヤボンディング部に接合されたファーストボンディング部と、上記第１表面電極に対して第１バンプを介して接合されたセカンドボンディング部と、を有し、
   上記第２ワイヤは、上記第２ワイヤボンディング部に接合されたファーストボンディング部と、上記第２表面電極に対して第２バンプを介して接合されたセカンドボンディング部と、を有し、
   上記第１バンプは、そのすべてが厚さ方向視において上記主全厚部と重なり、
   上記第２バンプは、そのすべてが厚さ方向視において上記主ひさし部と重なることを特徴とする、半導体装置。
2. 上記第１表面電極がゲート電極であり、上記第２表面電極がソース電極であり、上記裏面電極がドレイン電極であるとともに、上記半導体素子がトランジスタとして構成されており、
   上記第１表面電極が、上記第２表面電極よりも上記第１副リードおよび上記第２副リードに対して離間している、請求項１に記載の半導体装置。
3. 上記第１表面電極は、厚さ方向視において上記主全厚部と重なり、上記第２表面電極は、厚さ方向視において上記主ひさし部に重なる、請求項２に記載の半導体装置。
4. 上記第１表面電極は、厚さ方向視において上記主全厚部および上記主ひさし部の双方と重なる、請求項３に記載の半導体装置。
5. 上記第２表面電極は、そのすべてが厚さ方向視において上記主ひさし部と重なる、請求項４に記載の半導体装置。
6. 上記主ひさし部は、上記主全厚部から上記第１副リードおよび上記第２副リードに向かって突出する主前方部を有する、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
7. 上記主ひさし部は、上記主前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する主側方部を有する、請求項６に記載の半導体装置。
8. 上記主リードは、上記主側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する主側方連結部を有する、請求項７に記載の半導体装置。
9. 上記主ひさし部は、上記主前方部とは反対側に突出する主後方部を有する、請求項６ないし請求項８のいずれかに記載の半導体装置。
10. 上記主リードは、上記主後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する主後方連結部を有する、請求項９に記載の半導体装置。
11. 上記主全厚部のすべてが、上記主ひさし部に囲まれている、請求項３ないし請求項１０のいずれかに記載の半導体装置。
12. 上記ダイパッド部には、主表面めっき層が形成されている、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の半導体装置。
13. 上記主表面めっき層は、上記主ひさし部のすべてに重なる、請求項１２に記載の半導体装置。
14. 上記第１副リードは、上記第１ワイヤボンディング部から上記第１副裏面端子部にわたる第１副全厚部と、この第１副全厚部の上記第１ワイヤボンディング部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する第１副ひさし部と、を有している、請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の半導体装置。
15. 上記第１副ひさし部は、上記第１副全厚部から上記主リードに向かって突出する第１副前方部を有する、請求項１４に記載の半導体装置。
16. 上記第１副ひさし部は、上記第１副前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する第１副側方部を有する、請求項１５に記載の半導体装置。
17. 上記第１副リードは、上記第１副側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第１副側方連結部を有する、請求項１６に記載の半導体装置。
18. 上記第１副ひさし部は、上記第１副前方部とは反対側に突出する第１副後方部を有する、請求項１５ないし請求項１７のいずれかに記載の半導体装置。
19. 上記第１副リードは、上記第１副後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第１副後方連結部を有する、請求項１８に記載の半導体装置。
20. 上記第１副全厚部のすべてが、上記第１副ひさし部に囲まれている、請求項１４ないし請求項１９のいずれかに記載の半導体装置。
21. 上記第１ワイヤボンディング部には、第１副表面めっき層が形成されている、請求項１４ないし請求項２０のいずれかに記載の半導体装置。
22. 上記第１副表面めっき層は、上記第１副ひさし部のすべてに重なる、請求項２１に記載の半導体装置。
23. 上記第２副リードは、上記第２ワイヤボンディング部から上記第２副裏面端子部にわたる第２副全厚部と、この第２副全厚部の上記第２ワイヤボンディング部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する第２副ひさし部と、を有している、請求項１ないし請求項２２のいずれかに記載の半導体装置。
24. 上記第２副ひさし部は、上記第２副全厚部から上記主リードに向かって突出する第２副前方部を有する、請求項２３に記載の半導体装置。
25. 上記第２副ひさし部は、上記第２副前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する第２副側方部を有する、請求項２４に記載の半導体装置。
26. 上記第２副リードは、上記第２副側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第２副側方連結部を有する、請求項２５に記載の半導体装置。
27. 上記第２副ひさし部は、上記第２副前方部とは反対側に突出する第２副後方部を有する、請求項２４ないし請求項２６のいずれかに記載の半導体装置。
28. 上記第２副リードは、上記第２副後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第２副後方連結部を有する、請求項２７に記載の半導体装置。
29. 上記第２副全厚部のすべてが、上記第２副ひさし部に囲まれている、請求項２３ないし請求項２８のいずれかに記載の半導体装置。
30. 上記第２ワイヤボンディング部には、第２副表面めっき層が形成されている、請求項２３ないし請求項２９のいずれかに記載の半導体装置。
31. 上記第２副表面めっき層は、上記第２副ひさし部のすべてに重なる、請求項３０に記載の半導体装置。
32. 上記半導体素子は、互いに積層された半導体層、半導体と金属との共晶層および上記裏面電極を構成する金属単体層を有しており、上記金属単体層が上記ダイパッド部に直接接合されている、請求項１ないし請求項３１のいずれかに記載の半導体装置。
33. 上記共晶層は、ＳｉとＡｕとの共晶からなる、請求項３２に記載の半導体装置。
34. 上記金属単体層は、上記共晶層よりも薄い、請求項３２または請求項３３に記載の半導体装置。