JP6027349B2 - 絶縁電線及びそれを用いたコイル - Google Patents
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Description
本実施の形態の絶縁電線は、導体と、導体の外周に設けられたポリイミド樹脂からなる絶縁層とを備えた絶縁電線において、前記絶縁層は、上記式(A)で表される繰返し単位と、上記式(B)で表される繰返し単位とを、モル比(繰返し単位(A)/繰返し単位(B))で、50/50以上及び90/10以下の範囲で含有するとともに、300℃における貯蔵弾性率が、1000MPa以上であるポリイミド樹脂からなるものである。
テトラカルボン酸二無水物成分としては、例えば、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)、4,4’−オキシジフタル酸二無水物(ODPA)、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、4,4’−(2,2−ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸二無水物(6FDA)等を挙げることができる。
ジアミン成分としては、例えば、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル(BAPE)、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル(BAPB)、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)、1,4−ジアミノベンゼン、2,4−ジアミノトルエン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ビス(4−アミノフェニル)スルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン等、又はそれらの異性体を挙げることができる。
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)を360.9g、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を82.2g、NMP3120gに溶解した後、ピロメリット酸二無水物(PMDA)436.9gを溶解させ、窒素中、室温で12時間撹拌し、ポリアミック酸塗料(ポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料)を得た。また、得られたポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料を、直径が0.8mmの導体上に塗布、焼付けを繰り返し皮膜厚40μmのポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する絶縁電線を得た。この場合、繰返し単位(A)と繰返し単位(B)とのモル比(繰返し単位(A)/繰返し単位(B))=90/10とした。
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)を306.2g、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を156.8g、NMP3120gに溶解した後、ピロメリット酸二無水物(PMDA)417.0gを溶解させ、窒素中、室温で12時間撹拌し、ポリアミック酸塗料(ポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料)を得た。また、得られたポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料を直径が0.8mmの導体上に塗布、焼付けを繰り返し皮膜厚40μmのポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する絶縁電線を得た。この場合、繰返し単位(A)と繰返し単位(B)とのモル比(繰返し単位(A)/繰返し単位(B))=80/20とした。
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)を256.2g、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を225.0g、NMP3120gに溶解した後、ピロメリット酸二無水物(PMDA)398.8gを溶解させ、窒素中、室温で12時間撹拌し、ポリアミック酸塗料(ポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料)を得た。また、得られたポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料を直径が0.8mmの導体上に塗布、焼付けを繰り返し皮膜厚40μmのポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する絶縁電線を得た。この場合、繰返し単位(A)と繰返し単位(B)とのモル比(繰返し単位(A)/繰返し単位(B))=70/30とした。
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)を168.3g、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を344.9g、NMP3120gに溶解した後、ピロメリット酸二無水物(PMDA)366.8gを溶解させ、窒素中、室温で12時間撹拌し、ポリアミック酸塗料(ポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料)を得た。また、得られたポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料を直径が0.8mmの導体上に塗布、焼付けを繰り返し皮膜厚40μmのポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する絶縁電線を得た。この場合、繰返し単位(A)と繰返し単位(B)とのモル比(繰返し単位(A)/繰返し単位(B))=50/50とした。
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)を390.3g、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を42.1g、NMP3120gに溶解した後、ピロメリット酸二無水物(PMDA)447.6gを溶解させ、窒素中、室温で12時間撹拌し、ポリアミック酸塗料(ポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料)を得た。また、得られたポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料を直径が0.8mmの導体上に塗布、焼付けを繰り返し皮膜厚40μmのポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する絶縁電線を得た。この場合、繰返し単位(A)と繰返し単位(B)とのモル比(繰返し単位(A)/繰返し単位(B))=95/5とした。
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)を129.5g、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を397.9g、NMP3120gに溶解した後、ピロメリット酸二無水物(PMDA)352.6gを溶解させ、窒素中、室温で12時間撹拌し、ポリアミック酸塗料(ポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料)を得た。また、得られたポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料を直径が0.8mmの導体上に塗布、焼付けを繰り返し皮膜厚40μmのポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する絶縁電線を得た。この場合、繰返し単位(A)と繰返し単位(B)とのモル比(繰返し単位(A)/繰返し単位(B))=40/60とした。
実施例1〜4及び比較例1〜2で得られた絶縁電線の特性(長期熱劣化試験、溶接性及び部分放電開始電圧(PDIV))を以下のようにして評価した。
JIS記載の方法により、ツイストペアの絶縁電線のサンプルを作製し、端部から10mmの位置まで絶縁皮膜を削って端末処理部を形成した。測定は耐圧モードで行い端末処理部に電極を接続し、23℃×50%RH雰囲気で50Hzの電圧を10〜30V/sで昇圧させながら、ツイストペアの絶縁電線に100pCの放電が1秒間に50回発生する電圧まで昇圧して行った。これを3回繰返し、それぞれの値の平均値を部分放電開始電圧とした。皮膜厚40μmで、920Vp以上を○、920Vp未満を×とした。
得られた絶縁電線を、220℃の恒温槽に投入し、500hr熱劣化試験を行った。熱劣化試験後の皮膜の可とう性試験を行い、5倍径で割れが生じないもの(5d以上の場合)を合格(○)とし、5倍径で割れが生じた(5d未満の場合)を×とした。
得られた絶縁電線を、ティグ(Tig)溶接した際、外観良好なもの(皮膜の膨れ等外観に異常がない場合)を○、膨れ等が生じ外観が悪化する場合を×とした。
(2)長期熱劣化:220℃で500hr加熱後の可とう性試験で、5d以上を○、5d未満を×
(3)溶接性:溶接性試験後の溶接部近傍の皮膜に膨れ等の発生がないものを○、発生のあるものを×
(4)PDIV:23℃×50%RHの環境下で、920Vp以上を○、920Vp未満を×
Claims (3)
- 導体と、
前記導体の外周に設けられた、下記式(A)で表される繰返し単位と、下記式(B)で表される繰返し単位とを、モル比(繰返し単位(A)/繰返し単位(B))で、80/20以上及び90/10以下(ただし、前記繰返し単位(B)が12モル%以下の場合を除く)の範囲でN−メチル−2−ピロリドン(NMP)からなる溶剤中に溶解されて含有されたポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料を前記導体上に塗布し、焼付けすることによって得られるとともに、300℃における貯蔵弾性率が、1000MPa以上であるポリイミド樹脂からなる絶縁層と、を備え、
前記ポリイミド樹脂の融点よりも高い熱が前記絶縁層に加わるように溶接されるのに用いられる絶縁電線。
- 前記ポリイミド樹脂は、前記繰返し単位(A)及び繰返し単位(B)のテトラカルボン酸二無水物部分の構成成分であるピロメリット酸二無水物(PMDA)と、ジアミン部分の構成成分である4,4'−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)及び2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)とが、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)からなる溶剤中に溶解されて含有されたポリイミド樹脂前駆体絶縁塗料を、皮膜化することによって得られるものである請求項1に記載の絶縁電線。
- 請求項1又は2に記載の絶縁電線を用いたコイル。
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