JP5931654B2

JP5931654B2 - 絶縁電線及びそれを用いたコイル

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Publication number: JP5931654B2
Application number: JP2012193046A
Authority: JP
Inventors: 剛真牛渡; 祐樹本田; 秀太鍋島; 菊池　英行; 英行菊池
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 2012-09-03
Filing date: 2012-09-03
Publication date: 2016-06-08
Anticipated expiration: 2032-09-03
Also published as: CN103680697A; JP2014049377A; US20140065421A1; US10199137B2

Description

本発明は、絶縁電線及びそれを用いたコイルに関する。さらに詳しくは、耐部分放電性及び高温における加工性に優れた絶縁電線及びそれを用いたコイルに関する。

機械的特性、耐熱性、耐溶剤性に優れた絶縁層（絶縁皮膜）を有する絶縁電線として、例えば、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）と４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）とから合成されるポリイミドを絶縁層に用いた絶縁電線が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

近年、産業用モータは、小型、軽量化がなされている。また、高出力のための高電圧駆動化とともに、動力性能向上のためのインバータ駆動化が急速に進んでいる。

モータが高電圧駆動され、同時にインバータ駆動されることで、高電圧駆動とインバータサージの重畳により、モータの絶縁電線に部分放電が発生するリスクが高まっている。部分放電開始電圧（ＰＤＩＶ：ＰａｒｔｉａｌＤｉｓｃｈａｒｇｅＩｎｃｅｐｔｉｏｎＶｏｌｔａｇｅ）の低い絶縁電線では、部分放電がより低い電圧で発生しやすく、発生した部分放電により絶縁層が徐々に浸食され、最終的には絶縁不良となる。

絶縁電線のＰＤＩＶは、絶縁層の皮膜厚を大きくすることと、絶縁層の比誘電率を小さくすることで向上させることができる。高出力のモータには、例えば、皮膜厚４０μｍで９００Ｖｐ以上のＰＤＩＶが必要である。

このような高出力のモータにおいて、上述したポリイミドを絶縁層に用いた絶縁電線を適用しようとする場合、比誘電率が比較的大きいポリイミドであるため、上述したＰＤＩＶを満たさないおそれがあり、皮膜厚を大きくすることでＰＤＩＶ向上に対処する必要がある。しかし、大きい皮膜厚の絶縁層を用いるとモータ内での導体の占積率が低下してしまい、モータの高出力化が難しくなる。

絶縁層の比誘電率を小さくすることは、絶縁層中の極性の大きい官能基の濃度を減少させることによって達成することができる。ポリイミドであれば、イミド基濃度が極性の大きい官能基であり、ポリイミドの原料であるジアミン成分や酸二無水物成分に分子量の大きいものを用いることで、イミド基濃度を減少させ、誘電率を小さくすることができる。

特開平９−１０６７１２号公報

しかし、ポリイミド中のイミド基を減少させると、機械的強度が低下するおそれがある。特に、溶接等の高温での加工がなされた場合に変形、膨れ等が発生しやすくなる。従って、高温における加工に対して絶縁層に変形、膨れ等が発生しにくい絶縁層が求められている。

本発明は、上述の課題に鑑み、耐部分放電性及び高温における加工性に優れた絶縁電線及びそれを用いたコイルを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明者等は、鋭意検討した結果、ポリイミドに特定の構造を導入し、高温における高い貯蔵弾性率を持たせることによって、部分放電開始電圧が高く、高温における加工において絶縁層に変形、膨れが発生しにくいポリイミドの絶縁層を備えた絶縁電線を得ることができることを見出し、本発明を完成させた。

具体的には、ＰＭＤＡとＯＤＡから構成されるポリイミドに、ビフェニル基を有する３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓ−ＢＰＤＡ）を導入し、ジアミン成分にＯＤＡ及びこれ以外のジアミン成分を加えることによって、ＰＤＩＶの向上を達成するとともに、ｓ―ＢＰＤＡの導入によって低下する高温での貯蔵弾性率を高く保持することができることを見出し、本発明を完成させた。

本発明によれば、以下の絶縁電線及びそれを用いたコイルが提供される。

［１］導体と、前記導体の外周に設けられたポリイミドからなる絶縁層とを備えた絶縁電線であって、前記絶縁層は、下記式（１）で示される繰り返し単位と、下記式（２）で示される繰り返し単位とを有するポリイミドで構成され、前記式（１）で示される繰り返し単位中の第１の酸成分と、前記式（２）で示される繰り返し単位中の第２の酸成分とは、モル比（第１の酸成分：第２の酸成分）で表した場合、８５：１５〜４０：６０のモル比の範囲で配合されており、前記式（１）及び前記式（２）におけるジアミン成分の残基であるＲは、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、下記式（６）、（８）に示されるジアミンの群から選ばれるジアミンの残基とからなり、前記４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、前記式（６）、（８）に示されるジアミンの残基とは、モル比（４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基：前記式（６）、（８）に示されるジアミンの残基）で表した場合、９９：１〜２５：７５（ただし、前者がジアミンの全量に対して５６モル％以下の場合を除く）のモル比の範囲で構成され、かつ、前記ポリイミドの３２５℃の貯蔵弾性率は、５０ＭＰａ以上である絶縁電線。

［２］前記［１］に記載の絶縁電線を用いたコイル。

本発明によれば、耐部分放電性及び高温における加工性に優れた絶縁電線及びそれを用いたコイルが提供される。具体的には、本発明の絶縁電線は、比誘電率が小さいため、皮膜厚を過剰に大きくすることなしに、高いＰＤＩＶを実現し、かつ高温における貯蔵弾性率が高いために、高温における優れた加工性を実現することができる。

［実施の形態の要約］
本実施の形態の絶縁電線は、導体と、前記導体の外周に設けられたポリイミドからなる絶縁層とを備えた絶縁電線において、前記絶縁層は、上記式（１）で示される繰り返し単位と上下記式（２）で示される繰り返し単位とを有するポリイミドで構成され、上記式（１）で示される繰り返し単位中の第１の酸成分と、上記式（２）で示される繰り返し単位中の第２の酸成分とは、８５：１５〜４０：６０のモル比の範囲で配合されており、上記式（１）及び上記式（２）におけるジアミン成分の残基であるＲは、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、上記式（３）〜（８）に示されるジアミンの群から選ばれるジアミンの残基とからなり、かつ、前記ポリイミドの３２５℃の貯蔵弾性率は、５０ＭＰａ以上であるものである。

［実施の形態］
以下、本発明の絶縁電線及びそれを用いたコイルの実施の形態について、具体的に説明する。

（絶縁電線）
本実施の形態の絶縁電線は、導体と、導体の外周に設けられたポリイミドからなる絶縁層とを備えた絶縁電線であって、絶縁層は、上記式（１）で示される繰り返し単位と、上記式（２）で示される繰り返し単位とを有するポリイミドで構成され、上記式（１）で示される繰り返し単位中の第１の酸成分と、上記式（２）で示される繰り返し単位中の第２の酸成分とは、モル比（第１の酸成分：第２の酸成分）で表した場合、８５：１５〜４０：６０のモル比の範囲で配合されており、上記式（１）及び上記式（２）におけるジアミン成分の残基であるＲは、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、上記式（３）〜（８）に示されるジアミンの群から選ばれるジアミンの残基とからなり、かつ、ポリイミドの３２５℃の貯蔵弾性率は、５０ＭＰａ以上であるように構成されている。

本実施の形態においては、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、上記式（３）〜（８）に示されるジアミンの残基とは、モル比（４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基：前記式（３）〜（８）に示されるジアミンの残基）で表した場合、９９：１〜２５：７５のモル比の範囲で構成されることが好ましい。

本実施の形態に用いられる導体は、例えば、銅線やアルミニウム線等の金属線から構成することができる。

上記式（１）で示される繰り返し単位中の第１の酸成分としては、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を挙げることができる。また、上記式（２）で示される繰り返し単位中の第２の酸成分としては、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓ−ＢＰＤＡ）を挙げることができる。

上記式（２）で示される繰り返し単位中の第２の酸成分の配合量を、上記式（１）で示される繰り返し単位中の第１の酸成分とのモル比（第１の酸成分：第２の酸成分）で表した場合、第２の酸成分の配合量が、８５：１５未満であると（すなわち、第２の酸成分の配合量が１５モル％未満であると）、上記式（２）の構造を導入する効果が小さくなり、ＰＤＩＶ向上には絶縁層の厚膜化で対処することになる。一方、上記式（２）で示される繰り返し単位中の第２の酸成分が、４０：６０のモル比（６０モル％）を超えると、ポリイミドの分子構造が柔軟になり、ガラス転移温度（Ｔｇ）や高温の貯蔵弾性率が低下し、熱可塑性が現れてくる。この場合、Ｔｇに近い温度域以上の高温における加工において、皮膜に変形や膨れが発生したり、耐熱性に問題が生じる。そのため、上記式（２）で示される繰り返し単位のモル比は、４０：６０（６０モル％）以下であることが必要で、６０：４０（４０モル％）以下であることが好ましい。

高温における加工性を満足させるためには、ポリイミドの３２５℃での貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以上必要である。

上記式（１）と上記式（２）中のＲで表されるジアミン成分の残基は、ＯＤＡ由来の残基と、上記式（３）〜（８）に示されるジアミンの群から選ばれるジアミンの残基とからなり、モル比（ＯＤＡ由来の残基：上記式（３）〜（８）に示されるジアミンの残基）で表した場合、これらは、９９：１〜２５：７５のモル比の範囲で構成される。

Ｒで表されるＯＤＡ以外のジアミン成分由来の残基としては、例えば、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｑ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）、１、３―ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ）等のジアミン成分の残基を挙げることができる。

これらの上記式（３）〜（８）で示されるＯＤＡ以外の他のジアミンの残基は、ＯＤＡの残基より分子量が大きいため、ポリイミド骨格に導入されると、イミド基の濃度をＯＤＡの残基の場合より低下させることができ、比誘電率低下の効果が上がり、高いＰＤＩＶを得ることができる。特に、ＢＡＰＳやＴＰＥ−Ｑ、ＴＰＥ−Ｒ、ＡＰＢの残基を用いた場合には、高いＰＤＩＶとともに導体との密着性向上を図ることができる。

また、ポリイミド中のｓ−ＢＰＤＡのモル比が大きくなると、貯蔵弾性率が低下する傾向にあるが、ＯＤＡ以外の他のジアミンの残基により貯蔵弾性率を向上させることができる。

ＯＤＡ以外のジアミン成分の残基の配合量を、ＯＤＡの残基とのモル比（ＯＤＡの残基：ＯＤＡ以外のジアミン成分の残基）で表した場合、これらＯＤＡ以外のジアミン成分の残基の配合量が、９９：１未満であると（すなわち、ＯＤＡ以外のジアミン成分の残基の配合量が１モル％未満であると）、これらのイミド基の濃度を低下させる効果が小さく、２５：７５（７５モル％）を超えると、イミド基の濃度を低下させることができ、より高いＰＤＩＶを得ることができるが、ＯＤＡ以外のジアミン成分の特性によって、可とう性が低下したり、耐熱性が悪くなることがある。ＯＤＡの残基とこれ以外のジアミン成分の残基のモル比（ＯＤＡの残基：これ以外のジアミン成分の残基）の範囲は、９０：１０〜４０：６０であることがさらに好ましい。

なお、ＯＤＡ以外の他のジアミン成分の残基として、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）の残基を用いる場合は、ＢＡＰＰの残基がアルキル基を有する比較的柔らかい構造を含むモノマであることから、作製されるポリイミドの貯蔵弾性率が低下することがある。このため、このＢＡＰＰの残基をＯＤＡの残基の配合量よりも多い配合量（５０モル％を超える量）で配合する際には、上記式（１）で示される繰り返し単位中の第１の酸成分であるＰＭＤＡの配合量を多くする（例えば、ＰＭＤＡが５０モル％を超えるようにする）ことにより、ＢＡＰＰの残基を配合したことによる貯蔵弾性率の低下を抑えることができる。

一方、ＯＤＡ以外の他のジアミン成分の残基として、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｑ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）、１、３―ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ）の残基を用いる場合は、これらのジアミンの残基が剛直な構造を含むモノマであることから、作製されるポリイミドの可とう性が低下することがある。このため、これらのジアミンの残基をＯＤＡの残基の配合量よりも多い配合量（５０モル％を超える量）で配合する際には、上記式（１）で示される繰り返し単位中の第１の酸成分であるＰＭＤＡの配合量を少なくする（例えば、ＰＭＤＡが５０モル％未満になるようにする）ことにより、ＢＡＰＰの残基を配合したことによる貯蔵弾性率の低下を抑えることができる。

ポリイミドの貯蔵弾性率が３２５℃で５０ＭＰａ未満であると、溶接等の高温における加工の際にかかる応力で、容易に皮膜が変形し、膨れ等の不具合が生じるので、ポリイミドは５０ＭＰａ以上の貯蔵弾性率を有する必要がある。

本発明の絶縁層のポリイミドでは、この特性を損ねない限りにおいて、上記式（１）及び上記式（２）以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。すなわち、テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、３，３’４、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，３’４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）、４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、３，３’４，４‘−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−（２，２−ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸二無水物（６ＦＤＡ）等を挙げることができる。また、必要に応じ、ブタンテトラカルボン酸二無水物や５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロへキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、又は上述のテトラカルボン酸二無水物を水添した脂環式テトラカルボン酸二無水物類等を併用してもよい。

また、本実施の形態の絶縁層を構成するポリイミドにおいては、高分子末端にキャッピングを施してもよい。キャッピングに用いる材料には、無水酸を含む化合物、又はアミノ基を含む化合物を用いることができる。無水酸を含む化合物としては、例えば、フタル酸無水物、４−メチルフタル酸無水物、３−メチルフタル酸無水物、１，２−ナフタル酸無水物マレイン酸無水物、２，３−ナフタレンジカルボン酸無水物、各種フッ素化フタル酸無水物、各種ブロム化フタル酸無水物、各種クロル化フタル酸無水物、２，３−アントラセンジカルボン酸無水物、４−エチニルフタル酸無水物、４−フェニルエチニルフタル酸無水物等を挙げることができる。

アミノ基を含むキャッピング化合物としては、アミノ基を１つ含む化合物を選択し用いることができる。

本実施の形態の絶縁電線は、密着性の高い皮膜を本実施の形態のポリイミドの絶縁層の下側に設けてもよい。これにより、導体と絶縁層との密着性を上げることができる。密着層は、絶縁電線の可とう性や耐部分放電性を損ねない程度に薄い厚さで設けることができる。密着層の皮膜厚は、例えば、１〜１０μｍであることが好ましい。この密着層を設けることで、本実施の形態のポリイミドの絶縁層と導体、又は、この絶縁層とともに絶縁電線を構成する他の絶縁層との密着性を向上させることができる。密着層は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド等の樹脂から構成することができる。

本実施の形態に用いられる絶縁層を構成するポリイミドは、例えば、以下の絶縁塗料を導体に、塗装して焼き付けることによって形成することができる。すなわち、従来の方法で、以下のポリアミック酸状態の絶縁塗料を導体に塗装し、例えば、３５０〜５００℃の炉で１〜２分の間焼き付けることを１０〜２０回程度繰り返し、皮膜厚を大きくして絶縁層とすることができる。

上述の絶縁塗料は、具体的には、下記式（９）に示される繰り返し単位と下記式（１０）に示される繰り返し単位とを有し、下記式（９）に示される繰り返し単位中の第１の酸成分と下記式（１０）に示される繰り返し単位中の第２の酸成分とが、８５：１５〜４０：６０のモル比の範囲で構成され、Ｒはジアミン成分の残基であり、Ｒは、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と上記式（３）に示されるジアミンの群から選ばれるジアミンの残基からなる。この絶縁塗料は、熱処理等によりイミド化した後の３２５℃の貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以上であるポリアミック酸を含む絶縁塗料である。

［コイル］
本実施の形態のコイルは、上述の絶縁電線を用いて構成される。上述の絶縁電線を用いたコイルとしては、特に制限はなく、汎用の方法によって製造することができる。

以下に、本発明の絶縁電線を、実施例を用いてさらに具体的に説明する。但し、実施例２〜７，９〜１１は参考例である。なお、本発明は、以下の実施例によって、いかなる制限を受けるものではない。

（実施例１）
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）と４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）とを、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）に溶解した後、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）と、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓ−ＢＰＤＡ）とを溶解させ、室温で１２時間撹拌し、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＢＡＰＢ＝７５：２５：８５：１５」の配合比率のポリアミック酸塗料を得た。このポリアミック酸塗料は、塗装作業性のために希釈調整を行った。得られた塗料を常法により直径０．８ｍｍの銅線に塗装を行い、４５０℃の塗装炉で９０秒間焼き付けることを１５回繰り返し、皮膜厚４０μｍの絶縁電線を得た。

（実施例２）
実施例１において、ポリアミック酸塗料の配合比率を、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＢＡＰＢ＝５０：５０：５０：５０」に変えたこと以外は、実施例１と同様にした。

（実施例３）
ＯＤＡと１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ―Ｒ）をＮＭＰに溶解した後、ＰＭＤＡと、ｓ−ＢＰＤＡとを溶解させ、室温で１２時間撹拌し、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＴＰＥ―Ｒ＝７５：２５：５０：５０」の配合比率のポリアミック酸塗料を得た。このポリアミック酸塗料は塗装作業性のために希釈調整を行った。得られた塗料を常法により直径０．８ｍｍの銅線に塗装を行い、４５０℃の塗装炉で９０秒間焼き付けることを１５回繰り返し、皮膜厚４０μｍの絶縁電線を得た。

（実施例４）
ＯＤＡとビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ）とをＮＭＰに溶解した後、ＰＭＤＡと、ｓ−ＢＰＤＡとを溶解させ、室温で１２時間撹拌し、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＢＡＰＳ＝７５：２５：５０：５０」の配合比率のポリアミック酸塗料を得た。このポリアミック酸塗料は塗装作業性のために希釈調整を行った。得られた塗料を常法により直径０．８ｍｍの銅線に塗装を行い、４５０℃の塗装炉で９０秒間焼き付けることを１５回繰り返し、皮膜厚４０μｍの絶縁電線を得た。

（実施例５）
ＯＤＡと２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）とをＮＭＰに溶解した後、ＰＭＤＡと、ｓ−ＢＰＤＡとを溶解させ、室温で１２時間撹拌し、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＢＡＰＰ＝６０：４０：５０：５０」の配合比率のポリアミック酸塗料を得た。このポリアミック酸塗料は塗装作業性のために希釈調整を行った。得られた塗料を常法により直径０．８ｍｍの銅線に塗装を行い、４５０℃の塗装炉で９０秒間焼き付けることを１５回繰り返し、皮膜厚４０μｍの絶縁電線を得た。

（実施例６）
実施例１において、ポリアミック酸塗料の配合比率を、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＢＡＰＢ＝４０：６０：２５：７５」に変えたこと以外は、実施例１と同様にした。

（実施例７）
実施例５において、ポリアミック酸塗料の配合比率を、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＢＡＰＰ＝８５：１５：２５：７５」に変えたこと以外は、実施例５と同様にした。

（実施例８）
実施例４において、ポリアミック酸塗料の配合比率を、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＢＡＰＳ＝５０：５０：９９：１」に変えたこと以外は、実施例４と同様にした。

（実施例９）
実施例５において、ポリアミック酸塗料の配合比率を、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＢＡＰＰ＝８５：１５：９９：１」に変えたこと以外は、実施例５と同様にした。

（実施例１０）
実施例３において、ポリアミック酸塗料の配合比率を、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＴＰＥ−Ｒ＝７０：３０：２０：８０」に変えたこと以外は、実施例３と同様にした。

（実施例１１）
実施例１において、ポリアミック酸塗料の配合比率を、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＢＡＰＢ＝７０：３０：２０：８０」に変えたこと以外は、実施例１と同様にした。

（比較例１）
ＯＤＡをＮＭＰに溶解した後、ＰＭＤＡを溶解させ、窒素中、室温で１２時間撹拌し、「ＰＭＤＡ：ＯＤＡ＝１００：１００」の配合比率のポリアミック酸塗料を得た。このポリアミック酸塗料は塗装作業性のために適宜溶剤にて希釈を行った。得られた塗料を常法により直径０．８ｍｍの銅線に塗装を行い、４５０℃の塗装炉で９０秒間焼き付けることを１５回繰り返し、皮膜厚４０μｍの絶縁電線を得た。

（比較例２）
ＯＤＡをＮＭＰに溶解した後、ＰＭＤＡと、ｓ−ＢＰＤＡとを溶解させ、窒素中、室温で１２時間撹拌し、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ＝９０：１０：１００」の配合比率のポリアミック酸塗料を得た。このポリアミック酸塗料は塗装作業性のために適宜溶剤にて希釈を行った。得られた塗料を常法により直径０．８ｍｍの銅線に塗装を行い、４５０℃の塗装炉で９０秒間焼き付けることを１５回繰り返し、皮膜厚４０μｍの絶縁電線を得た。

（比較例３）
比較例２において、ポリアミック酸塗料の配合比率を、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ＝３０：７０：１００」に変えたこと以外は、比較例２と同様にした。

（比較例４）
ＯＤＡとＢＡＰＰとをＮＭＰに溶解した後、ＰＭＤＡと、ｓ−ＢＰＤＡとを溶解させ、窒素中、室温で１２時間撹拌し、「ＰＭＤＡ：ｓ−ＢＰＤＡ：ＯＤＡ：ＢＡＰＰ＝３５：６５：１００：０」の配合比率のポリアミック酸塗料を得た。このポリアミック酸塗料は塗装作業性のために希釈調整を行った。得られた塗料を常法により直径０．８ｍｍの銅線に塗装を行い、４５０℃の塗装炉で９０秒間焼き付けることを１５回繰り返し、皮膜厚４０μｍの絶縁電線を得た。

実施例１〜１１及び比較例１〜４で得られた絶縁電線について、以下の評価試験を行った。その結果を表１に示す。

（貯蔵弾性率）
貯蔵弾性率は、塗料から作製した皮膜に対して粘弾性測定を行い、３２５℃での貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以上であるものを「○」（合格）、５０ＭＰａ未満であるものを「×」（不合格）とした。

（可とう性）
可とう性は、得られた絶縁電線から試料を採取し、採取した試料をその長手方向に２０％伸長、又は３０％伸長した後、導体の外径と同じ外径を有する巻き付け棒に巻き付けを行い、顕微鏡で絶縁層の亀裂、割れの欠陥の有無を観察した。評価は、３０％伸長した場合において絶縁層に亀裂、割れがないものを「◎」、２０％伸長したときに絶縁層に亀裂、割れがないものを「○」（合格）、２０％伸長したときに絶縁層に亀裂、割れがあるものを「×」（不合格）とした。

（部分放電開始電圧）
部分放電開始電圧測定は、次の手順で行った。得られた絶縁電線を５００ｍｍに切り出し、ツイストペアの絶縁電線の試料を１０個作製し、端部から１０ｍｍの位置まで絶縁層を削って端末処理部を形成した。測定は、端末処理部に電極を接続し、２５℃−湿度５０％の雰囲気で、５０Ｈｚの電圧を１０〜３０Ｖ／ｓで昇圧させながら、ツイストペアの絶縁電線に１０ｐＣの放電が毎秒５０回発生する電圧まで昇圧していった。これを３回繰り返しそれぞれの値の平均値を部分放電開始電圧とした。

（溶接性）
作製した絶縁電線から採取した約１０ｃｍ長さの試験片を、温度２５℃、湿度５０％の恒温槽中に３時間放置し、吸湿状態の試験片とした。その後、この吸湿状態の試験片の、端末部分の絶縁被覆を先端から約５ｍｍまで除去し、ＴＩＧ溶接装置にて電流８０Ａで０．３秒の条件で端末部分をそれぞれ溶接した。そのときの外観を電子顕微鏡で観察し、絶縁被覆の剥がれ、発泡の無いものを「○」（合格）、絶縁被覆の剥がれ、発泡が見られるものを「×」（不合格）とした。

Claims

導体と、前記導体の外周に設けられたポリイミドからなる絶縁層とを備えた絶縁電線であって、
前記絶縁層は、下記式（１）で示される繰り返し単位と、下記式（２）で示される繰り返し単位とを有するポリイミドで構成され、
前記式（１）で示される繰り返し単位中の第１の酸成分と、前記式（２）で示される繰り返し単位中の第２の酸成分とは、モル比（第１の酸成分：第２の酸成分）で表した場合、８５：１５〜４０：６０のモル比の範囲で配合されており、
前記式（１）及び前記式（２）におけるジアミン成分の残基であるＲは、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、下記式（６）、（８）に示されるジアミンの群から選ばれるジアミンの残基とからなり、前記４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、前記式（６）、（８）に示されるジアミンの残基とは、モル比（４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基：前記式（６）、（８）に示されるジアミンの残基）で表した場合、９９：１〜２５：７５（ただし、前者がジアミンの全量に対して５６モル％以下の場合を除く）のモル比の範囲で構成され、かつ、
前記ポリイミドの３２５℃の貯蔵弾性率は、５０ＭＰａ以上である絶縁電線。
請求項１に記載の絶縁電線を用いたコイル。