JP5727450B2 - Supply power regulator and semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、ヒータに電力を供給する供給電力調整器、及びそれを用いた半導体製造装置に関するものである。 The present invention relates to a supply power regulator for supplying power to a heater and a semiconductor manufacturing apparatus using the same.
図3に従来のヒータ用の供給電力調整器を示す。ヒータ用の供給電力調整器20は、その入力端に交流電源1に接続される受電端子台2を持ち、その出力端にヒータ7に接続される分配用端子台6を持つ。受電端子台2と分配用端子台6との間に、電源ブレーカ3、電源トランス4、電力調整器としての電力制御用サイリスタ5が接続される。ヒータ7に温度測定用熱電対8が設けられる。
FIG. 3 shows a conventional heater power supply regulator. The heater
交流電源1を受電端子台2で受電し、電源ブレーカ3を通して、電源トランス4に電力を供給する。電源トランス4で変圧された電力は、電力制御用サイリスタ5で制御され、分配用端子台6からヒータ7に供給される。これによりヒータ7が加熱されて、ヒータ7の温度が変化する。このヒータ温度は温度測定用熱電対8によって測定されて温度調節計9に入力される。温度調節計9は、温度測定用熱電対8で測定された測定温度と設定温度との差を求め、その温度差に応じてヒータ7に供給すべき電力量を演算する。この演算結果は位相制御量に換算されて、温度調節計9から電力制御用サイリスタ5に制御信号として出力される。電力制御用サイリスタ5は、その制御信号のタイミングに応じた電力をヒータ7に供給する。
このようにヒータ用の供給電力調整器20は、ヒータ温度を検出してから温度調節計9で制御信号を出力するタイミングを決定し、このタイミングに応じて電力制御用サイリスタ5を位相制御することで、ヒータ7の温度が設定温度となるように制御している。
The
In this way, the heater
この位相制御のやり方を図4に示す。図4(a)は交流電源の電源波形を示し、図4(b)は電力制御用サイリスタを制御する電力制御用サイリスタ制御信号を示す。位相制御方法では、交流電源の1サイクル毎に、電力制御用サイリスタ制御信号の発生時から電源波形のゼロボルト時までの期間を電力制御期間Aとし、ゼロボルト時から制御信号の発生時までの期間を無効電力期間Bとする。また、温度安定時に必要とされる電力よりも大きな最大電力が電源に求められる。したがって、温度安定時の有効電力は最大電力の60%〜80%程度にとどまり、それ以外は無効電力となるため、電源としての効率が悪かった。 This phase control method is shown in FIG. 4A shows a power supply waveform of the AC power supply, and FIG. 4B shows a power control thyristor control signal for controlling the power control thyristor. In the phase control method, for each cycle of the AC power supply, the period from the generation of the power control thyristor control signal to the zero volt time of the power supply waveform is defined as the power control period A, and the period from the zero volt time to the generation of the control signal Reactive power period B. Further, the power source is required to have a maximum power that is greater than that required when the temperature is stable. Therefore, the effective power when the temperature is stable is only about 60% to 80% of the maximum power, and the rest is reactive power, so that the efficiency as a power source is poor.
これを改善するために、無効電力が原理的に生じないゼロクロス制御を採用したものや、力率改善用の進相コンデンサを用いて有効電力の比率を85%以上に高める工夫がされている。 In order to improve this, there have been devised methods that employ zero-crossing control in which reactive power does not occur in principle or increase the active power ratio to 85% or more by using a phase advance capacitor for power factor improvement.
ゼロクロス制御は、回路的には図3と同じであるが、一般に電力制御用素子としてサイリスタではなく、SSR(ソリッドステートリレー)を採用し、その制御信号の内容を変えている点が異なる。このゼロクロス制御のやり方を図5に示す。図5(a)は交流電源の電源波形を示し、図5(b)はSSRを制御する電力制御用SSR制御信号を示す。電源波形のゼロボルト時にSSRをオンさせる点弧方式を採用し、交流電源の規定時間(A+B)を1周期(1サイクルタイム)として、その間に電力制御用SSR制御信号が出力されて通電している期間を電力制御期間Aとし、それ以外を電力の消費されない非通電期間Bとしている。ゼロクロス制御は、電源をオン/オフするだけなので、原理的に無効電力は生じない。 The zero cross control is the same as FIG. 3 in terms of circuit, but generally differs from the power control element in that an SSR (solid state relay) is used instead of a thyristor and the contents of the control signal are changed. FIG. 5 shows how this zero cross control is performed. FIG. 5A shows a power supply waveform of the AC power supply, and FIG. 5B shows a power control SSR control signal for controlling the SSR. Employs an ignition system that turns on the SSR when the power supply waveform is at zero volts, and the AC power supply has a specified time (A + B) of one cycle (one cycle time), during which the power control SSR control signal is output and energized The period is a power control period A, and the other period is a non-energization period B in which power is not consumed. Zero-crossing control simply turns the power on / off, and in principle, no reactive power is generated.
また、進相コンデンサによる制御方式を図6に示す。図6(a)の実線が供給側交流電源波形W1を示し、点線が制御側電源波形W2を示す。また、図6(b)は電力制御用サイリスタ制御信号を示す。この制御信号により実線で示す供給側交流電源波形W1を制御する場合、無効電力期間Bが大きいため、位相角P1のときの電力制御は例えば70%にとどまる。しかし、進相コンデンサで位相を進ませた点線で示す制御側電源波形W2を電力制御用サイリスタ制御信号で制御するようにすると、位相角P2の進んだ分だけ無効電力期間B’が小さくなり、見かけ上の力率が向上し、電力制御は90%に増加する。 FIG. 6 shows a control method using a phase advance capacitor. The solid line in FIG. 6A shows the supply-side AC power supply waveform W1, and the dotted line shows the control-side power supply waveform W2. FIG. 6B shows a power control thyristor control signal. When the supply-side AC power supply waveform W1 indicated by the solid line is controlled by this control signal, the reactive power period B is long, so that the power control at the phase angle P1 remains at 70%, for example. However, if the control-side power supply waveform W2 indicated by the dotted line whose phase is advanced by the phase advance capacitor is controlled by the power control thyristor control signal, the reactive power period B ′ is reduced by the advance of the phase angle P2, The apparent power factor improves and power control increases to 90%.
しかし、ゼロクロス制御の場合には、電力制御用素子に、絶縁型バイポーラトランジスタIGBT(Insulated Gate Bipolor Transistor)のような高速スイッチング電力制御用半導体と比べて、オン電圧が比較的大きいSSRを用いているため、ヒータ温度の応答性が悪くなるという問題があった。また、進相コンデンサによる場合は、進相コンデンサの補正があることで最大電力に至るまでのプロフィールを制限する電力調整が必要となる。これは進相しているので、いきなり最大電力をかけると欠相するからである。したがって、使い勝手が悪かった。 However, in the case of zero-cross control, an SSR having a relatively large on-voltage is used as a power control element as compared with a high-speed switching power control semiconductor such as an insulated bipolar transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). For this reason, there is a problem that the responsiveness of the heater temperature is deteriorated. In the case of using a phase advance capacitor, power adjustment is required to limit the profile up to the maximum power due to the correction of the phase advance capacitor. This is because the phase is advanced, and suddenly the maximum power is lost. Therefore, it was not easy to use.
上述したように従来の電力制御用素子にSSRを用いた供給電力調整器では、電力制御用サイリスタをゼロクロス制御して温度制御する場合は、温度応答性が悪くなるという問題があった。また、進相コンデンサによる場合は、最大電力に至るまでのプロフィールを制限する電力調整が必要となり、使い勝手が悪かった。さらに、両者に共通して言えることであるが、電源変動及び負荷変動に対する措置を講じていないため、電源変動及び負荷変動に対する安定度が悪いという問題があった。 As described above, in the power supply regulator using the SSR as the conventional power control element, there is a problem that the temperature responsiveness is deteriorated when the power control thyristor is temperature controlled by performing the zero cross control. In addition, in the case of using a phase advance capacitor, it is necessary to adjust the power to limit the profile up to the maximum power, which is inconvenient. Furthermore, as can be said in common with both, there is a problem that stability against power supply fluctuations and load fluctuations is poor because measures for power supply fluctuations and load fluctuations are not taken.
本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を解消して、コンパクトで、温度応答性に優れ、電源変動及び負荷変動に対する安定度も良好で、使い勝手のよい供給電力調整器及び半導体製造装置を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and is compact, excellent in temperature responsiveness, excellent in stability against power supply fluctuation and load fluctuation, and easy to use. Is to provide.
本発明の態様によれば、反応炉内に複数枚の基板を装填した基板保持具を搬入して熱処理を行う半導体製造装置において、
前記反応炉の周囲に設けられたヒータと、前記ヒータへの供給電力を調整する供給電力調整器と、を有し、
前記供給電力調整器は、交流電源の交流電圧を、制御信号の周波数に応じた交流電力に変換して前記ヒータに供給する電力用IGBT変換器と、該IGBT変換器のスイッチング動作により生じる逆起電力を回生して前記交流電源に戻す回生用IGBT変換器とで構成されていることを特徴とする半導体製造装置が提供される。
According to an aspect of the present invention, in a semiconductor manufacturing apparatus that carries out a heat treatment by carrying a substrate holder loaded with a plurality of substrates into a reaction furnace,
A heater provided around the reactor, and a supply power regulator that adjusts the supply power to the heater;
The power supply regulator converts an AC voltage of an AC power source into AC power corresponding to a frequency of a control signal and supplies the power to the heater, and a counter electromotive force generated by a switching operation of the IGBT converter. There is provided a semiconductor manufacturing apparatus comprising a regeneration IGBT converter that regenerates electric power and returns it to the AC power source.
本発明の実施の形態によれば、コンパクトで、温度応答性に優れ、電源変動及び負荷変動に対する安定度も良好で、使い勝手のよい供給電力調整器及び半導体製造装置を得ることができる。 According to the embodiment of the present invention, it is possible to obtain a supply power regulator and a semiconductor manufacturing apparatus that are compact, excellent in temperature responsiveness, excellent in stability against power supply fluctuation and load fluctuation, and easy to use.
本発明者は、前述した目的を達すべく研究の結果、IGBTが、消費電力、高速スイッチング等を考慮した場合、上記目的に最適であることを見出し、さらにIGBTで交流電圧を直接スイッチングすれば、整流回路を備える必要がなくなるとの知見を得て本発明を創案するに至ったものである。
以下に本発明の供給電力調整器の一実施の形態について説明する。
As a result of research to achieve the above-mentioned object, the present inventor found that the IGBT is optimal for the above-mentioned object when considering power consumption, high-speed switching, etc., and further switching the AC voltage directly with the IGBT, The present invention has been invented based on the knowledge that it is not necessary to provide a rectifier circuit.
An embodiment of the power supply regulator of the present invention will be described below.
実施の形態の供給電力調整器は、高速スイッチング動作する変換器の出力をヒータに電力として供給するものであり、その変換器のデバイスに高速スイッチング電力制御用素子であるIGBTを用いている。交流電源の交流電圧をIGBTで直接スイッチングしてパルス変調した交流電力をヒータに供給し、無効電力をほとんどゼロにして電源を有効利用している。 The supply power regulator according to the embodiment supplies the output of a converter that performs a high-speed switching operation to a heater as power, and an IGBT that is an element for high-speed switching power control is used for the converter device. The AC power of the AC power supply is directly switched by the IGBT and pulse-modulated AC power is supplied to the heater so that the reactive power is almost zero and the power supply is effectively used.
図1に示すように、交流電源1からヒータ7に電力を供給する供給電力調整器21は、その入力端に交流電源1に接続する受電端子台2を備え、その出力端にヒータ7に接続する分配用端子台6とを備える。交流電源1は、例えば周波数50/60Hz、AC200Vの単相の商用電源である。ヒータ7は、例えばニケイ化モリブデン製の抵抗加熱ヒータである。
As shown in FIG. 1, a
受電端子台2には、電源ブレーカ3が接続され、さらに必要に応じて電源トランス4が接続される。交流電源1を受電端子台2で受電し、電源ブレーカ3を通して、電源トランス4に電力を供給するようになっている。この電源トランス4は、ヒータ7の仕様により、使われない場合もある。なお、供給電力調整器21は、ヒータ7を複数の領域に分割して個別に電力制御が可能なように、IGBT変換器11を複数用意することもある。
A
電源トランス4の2次側には、さらに入力側フィルタ回路10と、IGBT変換器11と、電源変動検出手段22と、負荷変動検出手段23と、温度変動検出手段24と、周波数可変手段(以下周波数可変回路)15と、出力側フィルタ回路30とを備える。電源トランス4で変圧された電力は、入力側フィルタ回路10を通して、周波数可変回路15により制御されるIGBT変換器11へ供給され、出力側フィルタ回路30を介して分配用端子台6に接続されたヒータ7に加えられるようになっている。
On the secondary side of the
次に、図7に示す供給電力調整器の要部図を用いて入力側フィルタ回路10、出力側フィルタ回路30、及びIGBT変換器11について説明する。
Next, the input
入力側フィルタ回路10は、フィルタ方式にLCを用いたローパスフィルタであり、フィルタ要素がCLCの順に配置された構成をしている。コイルLは、入力ライン及びコモンラインにL1−1とL1−2とに分割されて挿入されている。尚、LCの前のコンデンサC1−1は電源波形にのった高周波成分を除去するためと損失低減のためのものであり、非常に小さな容量のコンデンサとするのが望ましい。ローパスフィルタの遮断周波数は、電源波形やノイズの観点からスイッチング周波数(IGBTが1秒間にON/OFFする回数で本実施例では20KHzとする。)の1/10〜1/40(500Hz〜2KHz)に設定されている。従って、高い周波数成分を遮断して、目的とする商用周波数(50又は60Hz)程度の電力を確実にヒータ7に供給できる。
入力側フィルタ回路10は、IGBT変換器11を高速・高周波でスイッチング動作させることにより発生する電磁ノイズを抑制する。したがって、交流電源1側につながるIGBT変換器11の入力ラインに電磁ノイズが誘導されるのを抑制でき、交流電源にノイズ障害が発生するのを防止することができる。
The input-
The input
出力側フィルタ回路30は、入力側フィルタ回路10と同様に、フィルタ方式にLCを用いたローパスフィルタであり、フィルタ要素LCCの順に配置された構成をしている。コイルLは、出力ライン及びコモンラインにL2−1とL2−2とに分割されて挿入されている。尚、LCの後のコンデンサC2−2は、入力側フィルタ回路10においても説明したように、電源波形にのった高周波成分を除去するためのコンデンサである。更に、このローパスフィルタの遮断周波数も同様に500Hz〜2kHzである。
出力側フィルタ回路30は、IGBT変換器11でスイッチングして得た出力をスムージング(平滑)すると共に、出力中に含まれる高調波成分を有効に除去する。
Similar to the input
The
IGBT変換器11は電力用IGBT変換器11aと回生用IGBT変換器11bとを備えている。IGBT変換器11は、正の電圧・電流と負の電圧・電流波形のスイッチングを別々に行うため、ダブルアーム型が望ましい。電力用IGBT変換器11aは高速整流回路FRD1と、IGBT2を有するチョッパー部とから構成されている。チョッパー部はチョッパー部PWM信号が加えられる上アームと、下アームとを有する。回生用IGBT変換器11bはIGBT3と高速整流回路FRD2とを備えている。
The
上記IGBT2により交流を高速・高周波の基本キャリア周波数で直接スイッチさせる。例えばPWM方式によるスイッチのタイミングは、供給元の交流からゼロクロス点を検出し、そのゼロクロス点を基準に、制御信号(PWM信号)を合わせる。そして、合わせたキャリア周波数で供給元の交流をスイッチしてパルス変調波を得、これを出力側フィルタ回路30を介してヒータ7に供給する。周波数可変回路15から出力される制御信号は、IGBTのゲート(アーム)に加えられる制御信号のデューティ比を変動(温度、電力、負荷)に応じて変える。
The alternating current is directly switched at the basic carrier frequency of high speed and high frequency by the IGBT2. For example, the switch timing by the PWM method detects a zero cross point from the alternating current of the supply source, and adjusts the control signal (PWM signal) based on the zero cross point. Then, the alternating current of the supply source is switched at the combined carrier frequency to obtain a pulse modulated wave, and this is supplied to the
図8は、図7に示される供給電力調整器の要部のスイッチング動作、並びに図7に示される各ポイント((a)〜(e)、(f)〜(i))での電圧波形を示したものである。図8を用いてIGBT変換器11の作用について詳述する。まず、端子台TB1に商用周波数交流電源の電圧波形Aが(a)に示すように供給される。アームを介して加えられるIGBT変換器11へのPWM信号の入力周波数は20KHz(50μsec)で固定される。IGBT2の上アーム及び下アームに、それぞれ(b)、(c)に示すようなチョッパー部PWM信号が加えられる。IGBT変換器11の出力の電圧波形Bは、IGBT2がONの時(PWM信号が加えられている時)だけ商用周波数交流電源を通電させ、IGBT2がOFFの時には商用周波数交流電源を遮断させるため、(d)のような出力波形となる。この出力は出力側フィルタ回路30により平滑化され、出力側フィルタ回路30から分配用端子台(TB2)を介して、歪みの少ない商用周波数の電圧波形Cが(e)のように出力される。このように、IGBT2がONしている時間を変えて最終的な負荷へ出力される供給電圧の電圧波高値を制御する。したがって、IGBT変換器11に用いられるIGBT2へのPWM信号により、供給電圧の周波数を変えないで、波高値のみを0〜70%の範囲で制御し、負荷へ出力できるようになっている。
8 shows the switching operation of the main part of the supply power regulator shown in FIG. 7 and the voltage waveforms at the respective points ((a) to (e), (f) to (i)) shown in FIG. It is shown. The operation of the
尚、IGBT2の上アーム及び下アームに加えられるチョッパー部PWM信号のパルス幅を(f)、(g)のように、上述した(b)、(c)に示すパルス幅よりも大きくすると、IGBT変換器11の出力の電圧波形Bは、(h)のような波形となり、最終的な負荷へ出力される供給電圧の電圧波形Cは(i)のように、上述した(e)よりも電圧波高値を大きくできる。
If the pulse width of the chopper PWM signal applied to the upper arm and lower arm of the
IGBT変換器11内に組込んだIGBT2で交流を直接スイッチしているので、IGBT変換器11の入力側にダイオード全波整流回路が不要となる。
このIGBT変換器11を構成するスイッチング素子であるIGBT2は、電圧駆動のゲートを組み合わされたバイポーラパワートランジスタであり、ゲート駆動消費電力が少なく高速スイッチングに適している。また、高周波かつ大容量の素子であり、オン電圧がMOSFET(SSR)より大幅に小さい。このIGBT2は無効電力を低減するために高周波で制御される。
Since the alternating current is directly switched by the
The
温度変動検出手段24は、ヒータ7の温度変動を検出して、その変動に応じたフィードバック信号を周波数可変回路15に出力する。この温度変動検出手段24は、温度センサとしての温度測定用熱電対8と、ヒータ温度を調節するための温度調節計9とを有する。
温度測定用熱電対8は、ヒータ7の近傍に必要数設けられ、熱起電力によりヒータ温度を測定する。温度調節計9は、温度測定用熱電対8で測定されたヒータ7の測定温度と設定温度との温度差(温度変動)を求める。この温度差に応じて、ヒータ7に供給すべき電力量を演算し、周波数可変回路15に演算結果をフィードバック信号として出力する。また、温度調節計9は、温度異常を検出した時は、アラームを出力する。
The temperature
The required number of
電源変動検出手段22は、入力側フィルタ回路10からの出力電力の変動を検出して、その変動に応じたフィードフォワード信号を周波数可変回路15に出力する。この電源変動検出手段22は、入力側フィルタ回路10の出力に流れる電流を測定するカレントトランス12と、入力側フィルタ回路10の出力線間電圧を測定する電圧測定ライン13と、電源電圧・電流フィードフォワード回路14とを有する。出力電力の変動を検出するために、電源電圧・電流フィードフォワード回路14は、カレントトランス12で測定した測定電流と設定電流との差、及び電圧測定ライン13で測定した測定電圧と設定電圧との差を求める。これらの差の積(電力)が電源変動となる。この電源変動が周波数可変回路15にフィードフォワード信号として加えられる。
The power fluctuation detection means 22 detects a fluctuation in output power from the input
負荷変動検出手段23は、ヒータ7に供給される出力電力の変動を検出して、その変動に応じたフィードバック信号を周波数可変回路15に出力する。この負荷変動検出手段23は、出力側フィルタ回路30の出力線間電圧を測定する電圧測定ライン17と、ヒータ7に流れる電流を測定するカレントトランス18と、制御電圧・電流フィードバック回路16とを有する。負荷変動を検出するために、制御電圧・電流フィードバック回路16は、電圧測定ライン17で測定した測定電圧と設定電圧との差、及びカレントトランス18で測定した測定電流と設定電流との差を求める。これらの差の積(電力)が負荷変動となる。この負荷変動が周波数可変回路15にフィードバック信号として加えられる。
なお、カレントトランス18は負荷電流の変動を精度良く測定するために、分配用端子台6よりも外側のヒータ7側に設けるとよい。
The load
The
周波数可変回路15は、電源変動検出手段22、及び負荷変動検出手段23の変動結果に応じてIGBT変換器11を周波数制御する。具体的には、周波数可変回路15は、電源変動検出手段22の電源電圧・電流フィードフォワード回路14、及び負荷変動検出手段23の制御電圧・電流フィードバック回路16から出力される変動信号と、温度変動検出手段24の温度調節計9から出力される信号とから、ヒータ7に供給するべき電力量に応じた周波数をもつゲート制御信号をIGBT変換器11を構成する各IGBTのゲートに加える。
IGBTは周波数制御され、周波数を略連続的に変化させることで、ヒータ7に投入される電力を制御している。周波数可変幅が大きいほど電力の制御性が良くなる。
周波数可変回路15による周波数制御は、周波数を変化させるという点で、VVVF制御のVF(可変周波数)制御と同じである。本周波数制御には、基本キャリア周波数を一定としてデューティ比を制御するPWM制御も含まれる。VF制御、PWM制御のいずれも、ゼロボルト時にIGBTがオンするのでゼロクロス制御となる。
The
The frequency of the IGBT is controlled, and the electric power supplied to the
The frequency control by the
上述した実施の形態による供給電力調整器21において、温度調節計9及び周波数可変回路15は、次のようにしてヒータ7の温度を設定温度となるように制御する。
In the
温度調節計9は、測定温度と設定温度との温度差を求め、この温度差に応じて、ヒータ7に供給すべき電力量を演算し、周波数可変回路15に演算結果を出力する。周波数可変回路15は、温度調節計9からの出力値に応じた周波数を持つゲート制御信号をIGBT変換器11に加える。IGBT変換器11は、入力側フィルタ回路10からの交流電力を、周波数可変回路15のゲート制御信号に応じた周波数の交流電力に変換し、出力側フィルタ回路30を介してヒータ7に供給する。ヒータ7に電力が供給されることにより、ヒータ7の温度が変化する。
The
このような温度変動検出→制御演算→出力値の出力→温度の変化→温度変動の検出→・・・という閉じたループによりフィードバック制御を行う。温度状態を検出してから、温度調節計9及び周波数可変回路15により出力量を決定するので、良好にフィードバック制御することができる。したがって、ヒータの温度変動が補正されてヒータ7に安定した電力を供給し、ヒータ7を所定の温度に保持できる。また、周波数制御はゼロクロス制御であるため、無効電力がなく、効率の高い制御ができる。
Feedback control is performed by such a closed loop of temperature fluctuation detection → control calculation → output of output value → temperature change → temperature fluctuation detection →. Since the output amount is determined by the
上述したようにヒータ温度が良好にフィードバック制御されているときに、交流電源1の電圧が変動すると、その電圧変動は入力側フィルタ回路10の出力に、電流変動及び電圧変動となってあらわれる。この電流変動及び電圧変動は、カレントトランス12と電圧測定ライン13で測定され、電源電圧・電流フィードフォワード回路14で検出される。電源電圧・電流フィードフォワード回路14から、その電力変動に応じた制御信号が周波数可変回路15に入力される。周波数可変回路15は、この信号を用いて、電源電力と設定電力との差に応じた周波数のゲート制御信号を出力する。そのゲート制御信号をIGBT変換器11に加えてIGBT変換器11を周波数制御する。したがって、交流電源1の電圧変動が補正されてヒータ7に安定した電力を供給できる。また、周波数制御はゼロクロス制御であるため、無効電力がなく、効率の高い制御ができる。このフィードフォワード制御によって、入力側フィルタ(交流電源)10から温度測定用熱電対8までの応答特性が改善される。
As described above, when the heater temperature is favorably feedback controlled, if the voltage of the
また、上述したようにヒータ温度が良好にフィードバック制御されているときに、ヒータ7に外乱(例えば外気が当たる等)が生じたり、ヒータの性質が多少変化したりして負荷が変動すると、それはIGBT変換器11の出力電力の変動として現れる。すなわちヒータ7に流れる負荷電流、及びヒータ7に加わる負荷電圧が変動する。この電流変動及び電圧変動は、カレントトランス18と電圧測定ライン17で検出され、制御電圧・電流フィードバック回路16で測定される。制御電圧・電流フィードバック回路16から、その電力変動に応じた信号が周波数可変回路15に入力される。周波数可変回路15は、この信号を用いて、電源電力と設定電力との差に応じた周波数のゲート制御信号を出力する。そのゲート制御信号をIGBT変換器11に加えて周波数制御する。したがって、負荷変動が補正されてヒータ7に安定した電力を供給できる。また、周波数制御はゼロクロス制御であるため、無効電力がなく、効率の高い制御ができる。
この負荷変動制御は、外乱→ヒータ温度変化→熱電対検出の3ステップを経る温度変動制御と比べて、外乱→電力変動検出と2ステップであり、熱電対検出のステップが省略できるので、応答特性が速い。
上記実施形態では、電源変動検出手段22、負荷変動検出手段23、温度変動検出手段24、周波数可変回路15が供給電力調整器21に備えられていたが、この形態によらず、例えば負荷(ヒータ)への供給電力を調整する公知の電力調整器と制御信号を出力する手段として、電源変動検出手段22、負荷変動検出手段23、温度変動検出手段24、周波数可変回路15を設け、これらを組み合わせてもよい。
In addition, when the heater temperature is favorably feedback-controlled as described above, if the
This load fluctuation control has two steps, disturbance → power fluctuation detection, compared to temperature fluctuation control through three steps of disturbance → heater temperature change → thermocouple detection, and the thermocouple detection step can be omitted. Is fast.
In the above embodiment, the power supply fluctuation detection means 22, the load fluctuation detection means 23, the temperature fluctuation detection means 24, and the
周波数可変回路15が、電源変動検出手段22、負荷変動検出手段23、温度変動検出手段24からの変動信号より、IGBTへのゲート制御信号を出力する処理について、図9を用いて別の実施形態について説明する。
Another embodiment of the process in which the
電源変動検出手段22は、カレントトランス12による電流、電圧測定ライン13による電圧を実効値(RMS)からAC/DC変換器22a、22bでそれぞれDC変換し、演算器22cで電流(DC)×電圧(DC)=一次側電力を計算して、一次側電源変動フィードバック信号FB1として周波数可変回路15に入力する。
The power fluctuation detection means 22 converts the current by the
負荷変動検出手段23は、カレントトランス18による電流、電圧測定ライン17による電圧を実効値(RMS)からAC/DC変換器23a、23bでそれぞれDC変換し、演算器23cで電流(DC)×電圧(DC)=二次側電力を計算して、二次側負荷変動フィードバック信号FB2として周波数可変回路15に入力する。
The load fluctuation detecting means 23 converts the current by the
温度変動検出手段24は、温度調節計9から出力される信号を電力設定信号として周波数可変回路15に入力する。
The temperature fluctuation detecting means 24 inputs the signal output from the
周波数可変回路15は、内部に2個の電力ゲイン調整器15a、15bと、1個の電力設定ゲイン調整器15cとを有し、個別に調整可能なアナログ演算又はCPU演算により、それぞれの信号レベルのレベル調整を行う。そして、レベル調整されたそれぞれの信号を加算器15fに入力して加算を行う。この加算もアナログ演算またはCPU演算によって行われる。
The
上記のような構成において、周波数可変回路15に一次側電源変動フィードバック信号FB1及び二次側負荷変動フィードバック信号FB2がそれぞれ入力されると、一次側フィードバック電源変動信号FB1及び二次側負荷変動フィードバック信号FB2は、電力ゲイン調整器15a、15bでゲインが調整され、インバータ15d、15eによりそれぞれ負に反転されて加算器15fに入力される。そして、加算器15fでは、予め電力設定信号を出力するときのフィードバック信号FB1´(FB2´)とフィードバック信号FB1(FB2)が比較される。その差が電源変動(負荷変動)として、電力設定信号に加算される。
温度変動検出手段24から周波数可変回路15に電力設定信号が入力されると、電力設定信号は、電力設定ゲイン調整器15cでゲインが調整されて加算器15fに入力される。周波数可変回路15は、電源変動または負荷変動が生じた場合、上記のようにゲイン調整した一次側電源変動フィードバック信号FB1及び二次側負荷変動フィードバック信号FB2の変動分を、加算器15f内で電力設定信号に加算して、最適な電力設定信号をゲート制御信号(IGBT周波数設定信号)として出力する。
In the above configuration, when the primary side power fluctuation feedback signal FB1 and the secondary load fluctuation feedback signal FB2 are input to the
When the power setting signal is input from the temperature
このように高速スイッチング電力制御用半導体変換器を構成する素子として高周波かつ大容量のIGBTを用いて、温度制御に対するフィードバック制御に、電源変動に対するフィードフォワード制御及び負荷変動に対するフィードバック制御を取り込むようにしたので、温度安定度、及び電源変動及び負荷変動に対する安定度が極めて優れ、ヒータ温度に高い安定性が得られる。特に、温度変動に加えて電源電圧変動及び負荷変動を取り込むことは、高周波かつ大容量の素子であるIGBTを採用することで初めて可能になる。 As described above, a high-frequency and large-capacity IGBT is used as an element constituting a semiconductor converter for high-speed switching power control, and feed-forward control for power supply fluctuation and feedback control for load fluctuation are incorporated in feedback control for temperature control. Therefore, the temperature stability and the stability against power supply fluctuation and load fluctuation are extremely excellent, and high stability in heater temperature can be obtained. In particular, it is possible to capture power supply voltage fluctuations and load fluctuations in addition to temperature fluctuations only by adopting an IGBT which is a high-frequency and large-capacity element.
図2は、上述した入力側フィルタ回路10、IGBT変換器11、出力側フィルタ回路30の具体的な説明図である。
FIG. 2 is a specific explanatory diagram of the input-
入力側フィルタ回路10及び出力側フィルタ回路30はともにノーマルモードフィルタ回路で構成する。すなわち、入力側フィルタ回路10は、入力ライン31に直列に接続されたチョークコイルACL1と、チョークコイルACL1の電力用IGBT変換器11a側の入力ライン31とコモンライン33間に並列接続された複数のコンデンサCF1〜CF6とから構成される。入力側フィルタ回路10をノーマルモードフィルタ回路で構成すると、IGBT変換器11から入力側に漏れる電磁ノイズを有効に減衰させることができる。
Both the input
また、出力側フィルタ回路30は、出力ライン32に直列に接続されたチョークコイルACL2と、チョークコイルACL2のヒータ7側の出力ライン32とコモンライン33間に並列接続された複数のコンデンサCF7〜CF12とから構成される。出力側フィルタ回路30をノーマルモードフィルタ回路で構成すると、IGBT変換器11から出力される交流電力中に含まれる高調波成分を有効に除去できる。また、コモンライン33に素子を設けないノーマルモードフィルタであると、高い周波数のスパイク成分(逆起電力)をヒータ7を介してコモンライン33から回生用IGBT変換器11bに有効に戻すことができる。その結果、コモンライン33でのエネルギー放出なしに電力回生を有効に行うことができ、交流電源1のエネルギー効率を向上できる。
The output
IGBT変換器11は、主回路のON/OFFを行う主回路スイッチング素子部である電力用IGBT変換器11aと、主回路スイッチング素子のOFF時に動作する回生用IGBT変換器11bとから構成され、それぞれ一体化されてパッケージ化されている。各素子は、正の電圧・電流用と負の電圧・電流用の2系統で構成され、逆流防止のため、高速整流素子も各々配置される。
The
電力用IGBT変換器11aは、高速整流回路FRD1と、直列上下二段の前段スイッチ回路IGBT1と、スナバ回路CRF1と、直列上下二段の後段スイッチ回路(チョッパー部)IGBT2とから構成される。図2では、電流を多く流すためIGBTを2つ用意している。スイッチング方法として、電力用IGBT変換器11aは、上述したようにPWM制御(パルス幅変調)にてON/OFF制御する。回生用IGBT変換器11bは電源電圧の正負を判断して動作する。負荷が純抵抗負荷又は誘導性負荷をもった純抵抗負荷によってはスイッチング動作に遅延時間を入れて調整できるような回路構成にしておくのが望ましい。
高速整流回路FRD1は、センタタップに入力ライン31が接続されるセンタタップ型の高速整流素子で構成され、入力ライン31から加えられる供給元の交流を正の半波と負の半波とに整流して、極性に応じて前段スイッチ回路IGBT1の上段と下段とに振分ける。
The
The high-speed rectifier circuit FRD1 is configured by a center tap type high-speed rectifier element in which the
前段スイッチ回路IGBT1と後段スイッチ回路IGBT2は、ともに直列上下二段積みされたタブラアーム型のIGBTで構成され、各IGBTに並列にフリーホイールダイオードが接続されている。前段スイッチ回路IGBT1と後段スイッチ回路IGBT2は、並列運転され、高速整流回路FRD1により振分けられた正の半波を上段のIGBTで、負の半波を下段のIGBTでそれぞれ直接スイッチする。
スナバ回路CRF1は、同じくタブラアーム型で構成され、前段スイッチ回路IGBT1と後段スイッチ回路IGBT2とに共通接続され、これらを構成する各IGBTのオフ時に回路内で発生し、フリーホイールダイオードFWDを通して流れる電流を熱として消費させる。
Each of the front-stage switch circuit IGBT1 and the rear-stage switch circuit IGBT2 is configured by a tabular arm type IGBT stacked in series in two stages, and a free wheel diode is connected in parallel to each IGBT. The front-stage switch circuit IGBT1 and the rear-stage switch circuit IGBT2 are operated in parallel and directly switch the positive half-wave distributed by the high-speed rectifier circuit FRD1 with the upper-stage IGBT and the negative half-wave with the lower-stage IGBT.
The snubber circuit CRF1 is similarly configured as a tabular arm type, and is commonly connected to the front-stage switch circuit IGBT1 and the rear-stage switch circuit IGBT2, and generates a current flowing through the freewheel diode FWD in the circuit when each of the IGBTs constituting them is turned off. Consume as heat.
電力用IGBT変換器11aは、入力ライン31に加えられる交流を極性に応じて高速整流回路FRD1で振分け、前段スイッチ回路IGBT1及び後段スイッチ回路IGBT2でスイッチして交流電力を得て、この交流電力を出力側フィルタ回路30に加える。また、スナバ回路CRF1により電力用IGBT変換器11a内で発生する逆起電力を熱消費させる。
The
回生用IGBT変換器11bは、センタタップにコモンライン33が接続されるセンタタップ型の高速整流回路FRD2と、直列上下二段のタブラ型のスイッチ回路IGBT3と、スイッチ回路IGBT3の各段に並列に接続される2つのシングルタイプのスナバ回路CRF2、CRF3とから構成される。
この回生用IGBT変換器11bでは、IGBT変換器11外で発生してコモンライン33から戻ってくる逆起電力を極性に応じて高速整流回路FRD2で振分け、スイッチ回路IGBT3の各段で極性に応じて直接交流をスイッチして回生電力を得、この回生電力を電力用IGBT変換器11a、入力側フィルタ回路10を介して交流電源1に戻す。また、スナバ回路CRF2、CRF3では、回生用IGBT変換器11b内で発生する逆起電力を熱消費させる。
IGBTは周波数ゼロから電源周波数より高い周波数(例えば300Hz)に連続的に変化させることが可能であるが、周波数が300Hzよりも高くなると、負荷のインダクタンス要素に起因して発生する逆起電力の影響が無視できなくなる。しかし、本実施の形態では、回生用IGBT変換器11bを設けているので、誘導負荷の逆起電力を効率良く交流電源1に戻すことができるため、その影響を無視できる。
The
In the
The IGBT can be continuously changed from a frequency of zero to a frequency higher than the power supply frequency (for example, 300 Hz). However, when the frequency is higher than 300 Hz, the influence of the counter electromotive force generated due to the inductance element of the load. Cannot be ignored. However, in the present embodiment, since the
図10に、本発明の実施の形態に係る半導体を製造するプロセスの一つである、熱処理を半導体基板に行うための半導体製造装置としての熱処理装置110の斜視図の一例を示す。この熱処理装置110は、バッチ式縦型熱処理であり、主要部が配置される筐体112を有する。
FIG. 10 shows an example of a perspective view of a
筐体112内の背面側上側には反応炉140が配置されている。この反応炉140内に、複数枚の基板を装填した基板支持具130が搬入され熱処理が行われる。
A
図11に、反応炉140の断面図の一例を示す。この反応炉140は、石英製の反応管142を有する。この反応管142は、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状をしている。この反応管142の下方には反応管142を支持するよう石英製のアダプタ144が配置される。この反応管142とアダプタ144により反応容器143が形成されている。また、反応容器143のうち、アダプタ144を除いた反応管142の周囲には、ヒータ146が配置されている。
FIG. 11 shows an example of a cross-sectional view of the
反応管142とアダプタ144により形成される反応容器143の下部は、基板支持具130を挿入するために開放され、この開放部分(炉口部)は炉口シールキャップ148がアダプタ144の下端部フランジの下面に当接することにより密閉されるようにしてある。炉口シールキャップ148は基板支持具130を支持し、基板支持具130と共に昇降可能に設けられている。基板支持具130は、多数枚、例えば25〜100枚の基板154を略水平状態で隙間をもって多段に支持し、反応管142内に装填される。
A lower portion of the
アダプタ144には、アダプタ144と一体にガス供給口156とガス排気口159とが設けられている。ガス供給口156にはガス導入管160が、ガス排気口159には排気管162がそれぞれ接続されている。
The
ガス導入管160からガス供給口156に導入された処理ガスは、アダプタ144の側壁部に設けられたガス導入経路164、及びノズル166を介して反応管142内に供給される。
The processing gas introduced from the
次に上述したように構成された熱処理装置110の作用について説明する。
なお、以下の説明において、熱処理装置110、すなわち熱処理を行うための基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ170により制御される。
Next, the operation of the
In the following description, the operation of each unit constituting the
まず、ポッドステージ114に複数枚の基板154を収容したポッド116がセットされると、ポッド搬送装置118によりポッド116をポッドステージ114からポッド棚120へ搬送し、このポッド棚120にストックする。次に、ポッド搬送装置118により、このポッド棚120にストックされたポッド116をポッドオープナ122に搬送してセットし、このポッドオープナ122によりポッド116の蓋を開き、基板枚数検知器124によりポッド116に収容されている基板154の枚数を検知する。
First, when a
次に、基板移載機126のツイーザ132により、ポッドオープナ122の位置にあるポッド116から基板154を取り出し、ノッチアライナ128に移載する。このノッチアライナ128においては、基板154を回転させながら、ノッチを検出し、整列させる。次に、基板移載機126のツイーザ132により、ノッチアライナ128から基板154を取り出し、基板支持具130に移載する。
Next, the
このようにして、1バッチ分の基板154を基板支持具130に移載すると、例えば600℃程度の温度に設定された反応炉140(反応容器143)内に複数枚の基板154を装填した基板支持具130を挿入し、炉口シールキャップ148により反応炉140内を密封する。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させて、ガス導入管160からガス供給口156、アダプタ144側壁部に設けられたガス導入経路164、及びノズル166を介して反応管142内に処理ガスを導入する。基板154を熱処理する際、基板154は例えば1000℃の設定温度に加熱される。設定温度にするためヒータへの供給電力を調節する際に、実施の形態の供給電力調整器が前記コントローラ170の一部として用いられる。
In this way, when one batch of
基板154の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を600℃程度の温度に降温した後、熱処理後の基板154を支持した基板支持具130を反応炉140からアンロードし、基板支持具130に支持された全ての基板154が冷える間で、基板支持具130を所定位置で待機させる。次に、待機させた基板支持具130の基板154が所定温度まで冷却されると、基板移載機126により、基板支持具130から基板154を取り出し、ポッドオープナ122にセットされている空のポッド116に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置118により、基板154が収容されたポッド116をポッド棚120、またはポッドステージ114に搬送して一連の処理が完了する。
When the heat treatment of the
以上述べたように、実施の形態の供給電力調整器によれば次のような効果を奏する。 As described above, the supply power regulator according to the embodiment has the following effects.
交流電源の交流電圧を直接IGBT変換器でスイッチングしているので、IGBT変換器の前段のダイオード全波整流回路が不要となり、コンパクトな供給電力調整器を実現できる。
例えば、全波整流回路は、その容量にも依存するが、200Aクラスでは、200(W)×350(D)×100(H)位の大きさとなる。このような全波整流回路を備えた供給電力調整器全体の大きさは、600(W)×800(D)×1200(H)位の大きさとなる。本実施の形態では、全波整流回路がないので、供給電力調整器全体の大きさを、この80%位のサイズにすることが可能になる。
Since the AC voltage of the AC power supply is directly switched by the IGBT converter, a diode full-wave rectifier circuit in front of the IGBT converter becomes unnecessary, and a compact supply power regulator can be realized.
For example, the full-wave rectifier circuit has a size of about 200 (W) × 350 (D) × 100 (H) in the 200A class, although it depends on its capacity. The overall size of the power supply regulator provided with such a full-wave rectifier circuit is about 600 (W) × 800 (D) × 1200 (H). In the present embodiment, since there is no full-wave rectifier circuit, the size of the entire power supply regulator can be reduced to about 80%.
また、IGBT変換器で発生した電磁ノイズは、入力側フィルタ回路によって抑制されるので、交流電源へ電磁ノイズが混入するのを防止できる。したがって、交流電源にノイズ障害が発生するのを防止することができる。また、交流電源からIGBT変換器に至る入力ケーブルに電磁ノイズが誘導されるのを抑制することができる。 Moreover, since the electromagnetic noise generated by the IGBT converter is suppressed by the input side filter circuit, it is possible to prevent the electromagnetic noise from being mixed into the AC power supply. Therefore, it is possible to prevent noise disturbance from occurring in the AC power supply. Further, induction of electromagnetic noise in the input cable from the AC power source to the IGBT converter can be suppressed.
また、IGBT変換器の出力に含まれる高調波成分は、出力側フィルタ回路によって抑制されるので、ヒータに供給される交流電力中の高調波成分を減衰することできる。 Moreover, since the harmonic component contained in the output of the IGBT converter is suppressed by the output side filter circuit, the harmonic component in the AC power supplied to the heater can be attenuated.
また、回生用IGBT変換器を備え、IGBT変換器外で発生する逆起電力を回生して交流電源に戻しているので、交流電源のエネルギー効率を向上できる。特に、IGBT変換器は、高速・高周波でスイッチング動作させるので、逆起電力の発生回数もそれだけ多く、電力回生が頻繁に行われるので、エネルギー効率の向上に大きく寄与できる。 Moreover, since the IGBT converter for regeneration is provided and the back electromotive force generated outside the IGBT converter is regenerated and returned to the AC power supply, the energy efficiency of the AC power supply can be improved. In particular, since the IGBT converter is switched at a high speed and a high frequency, the number of occurrences of the counter electromotive force is so large and the power regeneration is frequently performed, which can greatly contribute to the improvement of energy efficiency.
電源電圧変動をフィードフォワード制御として、及び負荷変動をフィードバック制御として、温度変動のフィードバック制御に取り込んだので、温度安定性に優れた制御システムが提供可能となる。また、安定した電力制御が可能となり、使い勝手がよい。
ゼロクロス制御であるため、原理的に無効電力のない、電源電力を有効利用でき、高効率な供給電力調整器を提供することができる。
Since the power supply voltage fluctuation is taken as feedforward control and the load fluctuation is taken as feedback control, it is incorporated into the temperature fluctuation feedback control, so that a control system having excellent temperature stability can be provided. In addition, stable power control is possible, and usability is good.
Since zero-crossing control is used, it is possible to provide a highly efficient supply power regulator that can effectively use power source power that has no reactive power in principle.
既存の温度調節計9を用いて、その出力を周波数可変回路15に加えて、IGBTのゲート制御信号を出力するようにしたので、従来のシシステムと互換性を持たせることができ、僅かな変更を加えるだけで、従来システムから本システムに容易に変更できる。なお、温度調節計に既存のものを用いず、電源変動や負荷変動の場合と同様に、演算機能を周波数可変回路15に移植して、温度調節計は、単に温度変動のみを検出する回路として構成するようにしてもよい。
Since the existing
高速スイッチング素子を採用することで省電力化され、無駄なく必要な電力を得ることが可能となる。特に、高周波の素子であるIGBTを用いているので、温度応答性に優れ、またノイズを嫌う計装ライン近辺のヒータ制御に好適である。 By adopting a high-speed switching element, power can be saved and necessary power can be obtained without waste. In particular, since an IGBT, which is a high-frequency element, is used, it is excellent in temperature responsiveness and suitable for heater control in the vicinity of an instrumentation line that dislikes noise.
なお、上述した実施の形態では、温度変動に加えて電源電圧変動及び負荷変動の両方を制御に取り込むようにしたが、温度変動制御に電源電圧変動のみを制御に取り込むようにしたり、あるいは温度変動制御に負荷変動のみを制御に取り込むようにしたりしても良い。前者では供給電源の電圧変動を補正して、安定した供給電力を得ることが可能となる。後者では、ヒータの負荷変動を押さえることが可能となる。 In the above-described embodiment, both the power supply voltage fluctuation and the load fluctuation are taken into the control in addition to the temperature fluctuation, but only the power supply voltage fluctuation is taken into the control in the temperature fluctuation control, or the temperature fluctuation Only load fluctuations may be taken into the control. In the former, stable supply power can be obtained by correcting the voltage fluctuation of the supply power supply. In the latter, it is possible to suppress the load fluctuation of the heater.
本発明の実施の形態より、使用する機器への誤動作・破損、更に周辺機器への誤動作原因となっていた高速スイッチング時に発生させるサージ電流や高周波ノイズを小さくすることができるようになり、歪みの少ない、きれいな交流正弦波出力にすることができるようになった。 From the embodiment of the present invention, it becomes possible to reduce the surge current and high-frequency noise generated at the time of high-speed switching, which has caused malfunctions and damage to the equipment used, and malfunctions to the peripheral equipment, and distortion can be reduced. It is now possible to produce a small, clean AC sine wave output.
また、上述した実施の形態の供給電力調整器21は、ヒータにより加熱される反応炉を備えた半導体製造装置に用いることが可能である。反応炉は、石英チューブと、この石英チューブを外部から加熱する筒状のヒータとから構成される。このヒータを加熱するために実施の形態の供給電力調整器を用いる。上述した供給電力調整器を半導体製造装置に用いれば、ヒータ温度の安定性が得られるので、高性能な半導体デバイスを得ることができる。
Further, the
以下に、本発明の好ましい態様を付記する。
第1の態様は、交流電源の交流電圧を、制御信号の周波数に応じた交流電力に変換して、この交流電力をヒータに供給するIGBT変換器と、前記IGBT変換器の入力側に設けられ、前記IGBT変換器で発生する電磁ノイズを抑制する入力側フィルタ回路と、前記IGBT変換器の出力側に設けられ、前記IGBT変換器から出力される交流電力に含まれる高調波成分を抑制する出力側フィルタ回路と、前記ヒータの温度変動を検出する温度変動検出手段と、前記交流電源から前記IGBT変換器に供給される交流電圧から前記交流電源の電源変動を検出する電源変動検出手段と、前記IGBT変換器から前記ヒータに供給される交流電力から負荷変動を検出する負荷変動検出手段と、前記温度変動検出手段、前記電源変動検出手段、及び前記負荷変動検出手段の各検出結果に応じて、前記ヒータに供給すべき電力量を演算して、その演算結果に応じて前記IGBT変換器に加える前記制御信号の周波数を制御する周波数可変手段と、を備えたことを特徴とする供給電力調整器である。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.
The first aspect is provided on the input side of the IGBT converter, which converts the AC voltage of the AC power source into AC power corresponding to the frequency of the control signal and supplies the AC power to the heater. An input side filter circuit that suppresses electromagnetic noise generated in the IGBT converter, and an output that is provided on the output side of the IGBT converter and suppresses harmonic components contained in AC power output from the IGBT converter A side filter circuit, temperature fluctuation detection means for detecting temperature fluctuations of the heater, power supply fluctuation detection means for detecting power fluctuation of the AC power supply from an AC voltage supplied from the AC power supply to the IGBT converter, A load fluctuation detecting means for detecting a load fluctuation from AC power supplied from the IGBT converter to the heater, the temperature fluctuation detecting means, the power supply fluctuation detecting means, and Frequency variable means for calculating the amount of power to be supplied to the heater according to each detection result of the load fluctuation detection means, and controlling the frequency of the control signal applied to the IGBT converter according to the calculation result; And a supply power regulator characterized by comprising:
本態様によれば、交流電源の交流電圧を直接IGBT変換器でスイッチングしているので、IGBT変換器の前段の整流回路が不要となり、コンパクトな電源を実現できる。 According to this aspect, since the AC voltage of the AC power source is directly switched by the IGBT converter, the rectifier circuit in the previous stage of the IGBT converter is not required, and a compact power source can be realized.
また、IGBT変換器で発生した電磁ノイズは、入力側フィルタ回路によって抑制されるので、交流電源へ電磁ノイズが混入するのを防止できる。
また、IGBT変換器の出力に含まれる高調波成分は、出力側フィルタ回路によって抑制されるので、ヒータに供給される交流電力中に高調波成分が含まれるのを防止できる。
Moreover, since the electromagnetic noise generated by the IGBT converter is suppressed by the input side filter circuit, it is possible to prevent the electromagnetic noise from being mixed into the AC power supply.
Moreover, since the harmonic component contained in the output of the IGBT converter is suppressed by the output side filter circuit, it can be prevented that the harmonic component is contained in the AC power supplied to the heater.
また、温度変動検出手段で温度変動を検出し、周波数可変手段でその検出結果に応じた電力量を演算し、その演算結果に応じてIGBT変換器を周波数制御することにより、温度変動に対するヒータへの供給電力をフィードバック制御している。したがって、ヒータの温度を所定の温度に良好に保つことができる。 Further, the temperature fluctuation is detected by the temperature fluctuation detecting means, the electric energy corresponding to the detection result is calculated by the frequency variable means, and the frequency of the IGBT converter is controlled according to the calculation result. The power supply is feedback controlled. Therefore, the temperature of the heater can be kept good at a predetermined temperature.
また、交流電源が変動すると、その変動はIGBT変換器の入力側に電力の変動として現れる。電源変動検出手段で、この電力変動を検出し、周波数可変手段でその検出結果に応じた電力量を演算し、その演算結果に応じてIGBT変換器を周波数制御することにより、電源変動に対する供給電力をフィードフォワード制御している。したがって、良好にフィードバック制御されているときに電源変動が生じて、ヒータへの供給電力量が変動してしまうことで生じるヒータ温度の乱れを抑制することができる。 Further, when the AC power supply fluctuates, the fluctuation appears as a fluctuation in power on the input side of the IGBT converter. The power fluctuation detection means detects this power fluctuation, the frequency variable means calculates the amount of power according to the detection result, and frequency-controls the IGBT converter according to the calculation result, thereby supplying power to the power fluctuation. Feedforward control. Accordingly, it is possible to suppress the disturbance of the heater temperature that occurs when the power supply fluctuates when the feedback control is favorably performed and the amount of power supplied to the heater fluctuates.
また、負荷が変動すると、その変動はヒータに供給される電力の変動として現れる。負荷変動検出手段でこの電力変動を検出し、周波数可変手段でその検出結果に応じた電力量を演算し、その演算結果に応じてIGBT変換器を周波数制御することにより、負荷変動に対する供給電力をフィードバック制御している。したがって、良好にフィードバック制御されているときに負荷変動が生じて、ヒータへの供給電力量の制御が負荷変動で大きく乱れてしまうことで生じるヒータ温度の乱れを抑制することができる。 Further, when the load fluctuates, the fluctuation appears as a fluctuation of the electric power supplied to the heater. The load fluctuation detecting means detects this power fluctuation, the frequency variable means calculates the amount of power corresponding to the detection result, and frequency-controls the IGBT converter according to the calculation result, thereby reducing the supply power for the load fluctuation. Feedback control. Therefore, it is possible to suppress the disturbance of the heater temperature that occurs when the load fluctuation occurs when the feedback control is well performed and the control of the amount of power supplied to the heater is greatly disturbed by the load fluctuation.
このようにIGBT変換器を用いて、温度制御に対するフィードバック制御に、電源変動に対するフィードフォワード制御及び負荷変動に対するフィードバック制御を取り込むようにしたので、温度安定度、及び電源変動及び負荷変動に対する安定度が極めて優れ、ヒータ温度に高い安定性が得られる。また、IGBT変換器に高速スイッチング動作をさせるので温度応答性に優れる。また、進相コンデンサの補正によらない制御なので、使い勝手がよくなる。さらに、変換器をIGBTで構成したので、特に過渡応答性に優れる。また、IGBTの周波数制御は、ゼロクロス制御であるので、電源の効率を向上できる。 As described above, since the feed-back control with respect to the power supply fluctuation and the feedback control with respect to the load fluctuation are incorporated into the feedback control with respect to the temperature control using the IGBT converter, the temperature stability and the stability with respect to the power supply fluctuation and the load fluctuation are increased. Extremely excellent and high stability in heater temperature is obtained. Moreover, since the IGBT converter is caused to perform a high-speed switching operation, the temperature response is excellent. In addition, since the control does not depend on the correction of the phase advance capacitor, the usability is improved. Furthermore, since the converter is composed of an IGBT, the transient response is particularly excellent. Moreover, since the frequency control of IGBT is zero cross control, the efficiency of a power supply can be improved.
第2の態様は、第1の態様において、前記IGBT変換器は、該IGBT変換器のスイッチング動作により生じる逆起電力を回生して前記交流電源に戻す回生用IGBT変換器を備えていることを特徴とする供給電力調整器である。
IGBT変換器が回生用IGBT変換器を備えて、熱エネルギーとして放出される逆起電力を回生して交流電源に戻しているので、交流電源のエネルギー効率を上げることができる。
According to a second aspect, in the first aspect, the IGBT converter includes a regenerative IGBT converter that regenerates a back electromotive force generated by a switching operation of the IGBT converter and returns the back electromotive force to the AC power source. It is the supply power regulator characterized.
Since the IGBT converter includes an IGBT converter for regeneration and regenerates the back electromotive force released as thermal energy and returns it to the AC power supply, the energy efficiency of the AC power supply can be increased.
第3の態様は、第1ないし第2の態様の供給電力調整器をヒータ用電源に用いた半導体製造装置である。ヒータ温度に高い安定性が得られる第1の発明ないし第2の発明の供給電力調整器を備えているので、高性能な半導体デバイスを製造することができる。 A third aspect is a semiconductor manufacturing apparatus using the supply power regulator of the first or second aspect as a heater power source. Since the power supply regulator according to the first or second aspect of the present invention that provides high stability in the heater temperature is provided, a high-performance semiconductor device can be manufactured.
1 交流電源
7 ヒータ
8 温度測定用熱電対
9 温度調節計
10 入力側フィルタ回路
11 IGBT変換器
20 出力側フィルタ回路
21 供給電力調整器
14 電源電圧・電流フィードフォワード回路
16 制御電圧・電流フィードバック回路
15 周波数可変回路(周波数可変手段)
22 電源変動検出手段
23 負荷変動検出手段
24 温度変動検出手段
DESCRIPTION OF
22 Power fluctuation detection means 23 Load fluctuation detection means 24 Temperature fluctuation detection means
Claims (8)
前記負荷の測定温度と設定温度との温度差に応じた温度変動を電力設定信号として検出する温度変動検出手段と、
前記交流電源から前記電力用IGBT変換器に供給される交流電圧から前記交流電源の電源変動を電源変動フィードフォワード信号として検出する電源変動検出手段と、
前記電力用IGBT変換器から前記負荷に供給される交流電力から負荷変動を負荷変動フィードバック信号として検出する負荷変動検出手段と、
前記温度変動検出手段、前記電源変動検出手段及び前記負荷変動検出手段の各検出結果に応じて、前記温度変動に対するフィードバック制御に、前記電源変動に対するフィードフォワード制御及び前記負荷変動に対するフィードバック制御を取り込むことにより、前記電源変動フィードフォワード信号及び前記負荷変動フィードバック信号の変動分を前記電力設定信号に加算して、調整された最適な電力設定信号をゲート制御信号として前記電力用IGBT変換器に出力し、前記制御信号の周波数を制御する周波数可変手段と、
を備えた供給電力調整器。 A power supply regulator that converts AC voltage of an AC power source into AC power corresponding to the frequency of the control signal and adjusts the power supplied to the load, and is stacked in two upper and lower stages in series, and the upper IGBT converter Two power IGBT converters composed of lower IGBT converters connected in parallel to the front and rear stages respectively, and rectifying the AC voltage into a positive half wave and a negative half wave, and depending on the polarity, An upper power IGBT converter and a power rectifier circuit that distributes to the lower power IGBT converter;
Temperature fluctuation detecting means for detecting a temperature fluctuation corresponding to a temperature difference between the measured temperature of the load and a set temperature as a power setting signal;
Power fluctuation detection means for detecting a power fluctuation of the AC power as a power fluctuation feedforward signal from an AC voltage supplied from the AC power to the power IGBT converter;
Load fluctuation detecting means for detecting a load fluctuation as a load fluctuation feedback signal from AC power supplied from the power IGBT converter to the load;
According to the detection results of the temperature fluctuation detection means, the power fluctuation detection means, and the load fluctuation detection means, feed-forward control for the power fluctuation and feedback control for the load fluctuation are incorporated in the feedback control for the temperature fluctuation. The power fluctuation feedforward signal and the fluctuation of the load fluctuation feedback signal are added to the power setting signal, and the adjusted optimum power setting signal is output to the power IGBT converter as a gate control signal. Frequency variable means for controlling the frequency of the control signal;
Supply power regulator with.
前記スナバ回路により、複数の前記電力用IGBT変換器の前記上段のIGBT変換器と前記下段の2つのIGBT変換器のオフ時に発生する逆起電力を熱として消費させる請求項1の供給電力調整器。 Furthermore, it has a snubber circuit,
The power supply regulator according to claim 1, wherein the snubber circuit consumes back electromotive force generated as heat when the upper IGBT converter and the lower two IGBT converters of the plurality of power IGBT converters are turned off as heat. .
前記回生用IGBT変換器は、負荷側で発生して戻ってくる逆起電力を、スイッチングして回生電力を得、この回生電力を前記電力用IGBT変換器を介して前記交流電源へ戻す請求項1記載の供給電力調整器。 Furthermore, an IGBT converter for regeneration is configured,
The regenerative IGBT converter switches back electromotive force generated and returned on the load side to obtain regenerative power, and returns the regenerative power to the AC power supply via the power IGBT converter. The power supply regulator according to 1.
更に、前記逆起電力を正の半波と負の半波に整流して、極性に応じて前記回生用IGBT変換器の前記上段のIGBT変換器と前記下段のIGBT変換器に振分ける回生用整流回路を備え、
前記回生用IGBT変換器の上段のIGBT変換器は前記逆起電力の正の半波の期間はこの正の半波をスイッチングして回生電力を得、この回生電力を前記電力用IGBT変換器を介して前記交流電源へ戻し、負の半波の期間はオフ状態に設定され、
前記回生用IGBT変換器の前記下段のIGBT変換器は、前記逆起電力の正の半波の期間はオフ状態に設定され、負の半波の期間はこの負の半波をスイッチングして回生電力を得、この回生電力を前記電力用IGBT変換器を介して前記交流電源へ戻す請求項3記載の供給電力調節器。 The regenerative IGBT converter includes an upper IGBT converter and a lower IGBT converter stacked in two stages in series,
Further, the back electromotive force is rectified into a positive half wave and a negative half wave, and distributed to the upper IGBT converter and the lower IGBT converter of the regenerative IGBT converter according to polarity. With rectifier circuit,
The IGBT converter in the upper stage of the regenerative IGBT converter obtains regenerative power by switching the positive half wave during the positive half wave period of the back electromotive force, and the regenerative power is supplied to the power IGBT converter. Through the AC power supply, the negative half-wave period is set to the off state,
The IGBT converter in the lower stage of the regenerative IGBT converter is set to an off state during the positive half-wave period of the back electromotive force, and the negative half-wave is switched to regenerate during the negative half-wave period. The supply power regulator according to claim 3, wherein power is obtained and the regenerative power is returned to the AC power supply via the power IGBT converter.
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