JP5727204B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本発明は酸化物半導体に関する。
特許文献１には、酸化物半導体を用いた半導体装置が開示されている。
シリコン半導体の物性は解明されていることが多いが、酸化物半導体の物性は不明な点が多い。
特に、不純物が酸化物半導体に及ぼす影響について未だ明らかにされていない。
以上に鑑み、酸化物半導体層を用いた半導体装置の電気特性に影響を与える不純物を防止又は排除した構成を以下に開示する。
まず、酸化物半導体層のキャリアの要因は２つある。
一つ目は、酸化物半導体層中の酸素欠損に起因するキャリアである。
二つ目は、酸化物半導体層中のドナー元素又はアクセプター元素に起因するキャリアである。
そして、水素元素は酸化物半導体層中においてキャリア（ドナー）となる。
また、水素元素は還元性を有するので酸素欠損を誘発する元素でもある。
よって、水素元素はキャリアを誘発する２つの要因を双方有しているため、水素元素を含む物質は酸化物半導体層を高純度化してＩ型に近づけることを妨げる元素であるといえる。これは本発明者らが研究により見出した新規な知見である。
なお、水素元素を含む物質とは、例えば、水素、水分、水酸化物、水素化物等である。
ここで本発明者らが研究を進めた結果、驚くべきことに窒素が酸化物半導体層中に多量に含有されていると、水素が酸化物半導体層中に侵入しやすくなることを見出した。
逆にいえば、窒素濃度を低減させた酸化物半導体層は、水素が侵入しにくい酸化物半導体層であるといえる。
具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で計測した酸化物半導体層中の窒素濃度を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）とすることによって、水素が侵入しにくい酸化物半導体層を形成することができる。
つまり、ゲート電極と、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記チャネル形成領域に含まれる窒素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置を提供することができる。
または、ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に設けられた一対のコンタクト電極と、を有し、前記チャネル形成領域に含まれる窒素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置を提供することができる。
または、ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた一対のコンタクト電極と、前記ゲート絶縁層上及び前記一対のコンタクト電極上に設けられチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、を有し、前記チャネル形成領域に含まれる窒素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置を提供することができる。
または、ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に設けられたチャネル保護層と、前記酸化物半導体層上及び前記チャネル保護層上に設けられた一対のコンタクト電極と、を有し、前記チャネル形成領域に含まれる窒素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置を提供することができる。
または、上記半導体装置において、前記チャネル形成領域に含まれる水素濃度が６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置を提供することができる。
または、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である前記酸化物半導体層を３５０℃以上且つ１時間以上で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
または、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である前記酸化物半導体層を４５０℃以上且つ１時間以上で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
または、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である前記酸化物半導体層を５５０℃以上且つ１時間以上で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
または、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である前記酸化物半導体層を６５０℃以上且つ３分以上で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
酸化物半導体層中の窒素濃度を低減させることによって、水素が侵入しにくい酸化物半導体層を形成することができる。
つまり、酸化物半導体層中の窒素濃度を低減させることによって、水素が酸化物半導体層中に侵入することを防止することができる。
実施の形態及び実施例について、図面を用いて詳細に説明する。
但し、発明の趣旨から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。
従って、発明の範囲は以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
また、以下の実施の形態及び実施例は、いくつかを適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態１）
半導体装置の作製方法の一例について説明する。
半導体装置の作製方法の一例について説明する。
まず、絶縁表面を有する基板１００上にゲート電極２００を形成し、ゲート電極２００上にゲート絶縁層３００を形成し、ゲート絶縁層３００上に酸化物半導体層４００を形成する（図１（Ａ））。
基板は、どのような材料でも良い。例えば、ガラス基板、石英基板、金属基板、プラスチック基板、半導体基板等を用いることができるがこれらに限定されない。
基板として絶縁性の基板を用いる場合は、絶縁表面を有しているといえる。
一方、基板として金属基板、半導体基板等を用いる場合は、基板上に下地絶縁層を形成することにより、絶縁表面を形成することができる。
なお、基板として絶縁性の基板を用いる場合にも、基板上に下地絶縁層を形成しても良い。
ゲート電極は導電性を有していればどのような材料でも用いることができる。例えば、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、金、銀、銅、シリコン、様々な合金、酸化物導電層（代表的にはインジウム錫酸化物等）等を用いることができるがこれらに限定されない。ゲート電極は、単層構造でも積層構造でも良い。
ゲート絶縁層は、絶縁性を有していればどのような材料でも用いることができる。例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、窒化アルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜等を用いることができるがこれらに限定されない。ゲート絶縁層は、単層構造でも積層構造でも良い。
但し、酸化物半導体層へのキャリア注入を防止するためゲート絶縁層として水素含有量及び窒素含有量が少ない膜とすることが好ましい。
水素含有量の少ないゲート絶縁層は、成膜ガスとして水素（Ｈ）又は水素化物（例えば、ＳｉＨ４等）を含ませないで形成することが好ましい。
窒素含有量の少ないゲート絶縁層は、成膜ガスとして窒素（Ｎ）又は窒素化物（例えば、Ｎ２Ｏ、ＮＨ４等）を含ませないで形成することが好ましい。
したがって、水素含有量が少ないという点に着目すると、プラズマＣＶＤ法は水素化物（例えば、ＳｉＨ４等）を用いるので、スパッタ法により形成したゲート絶縁膜が好ましい。
また、窒素含有量が少ないという点に着目すると、窒素を含まない酸化膜の方が好ましい。
但し、プラズマＣＶＤ法で形成したゲート絶縁層はスパッタ法で形成したゲート絶縁層よりも欠陥が少なく膜質に優れる。
そのため、プラズマＣＶＤ法で形成したゲート絶縁層を用いた方がトランジスタの特性が高い場合もある。
よって、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、又は他の方法を必要に応じて適宜使い分ければ良い。
なお、プラズマＣＶＤ法で形成したゲート絶縁層を用いる場合、加熱処理を行えば水素元素を含む物質がゲート絶縁層から離脱するため、プラズマＣＶＤ法を用いるときはゲート絶縁層形成後に加熱処理（２００℃以上１０００℃以下（好ましくは３００℃以上８００℃以下））を行うことが好ましい。
なお、水素元素を含む物質とは、例えば、水素、水分、水酸化物、水素化物等である。
酸化物半導体層は、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムと錫と亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムとアルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫とガリウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（アルミニウムとガリウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫とアルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫と亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（アルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｏ系酸化物（インジウム酸化物（酸化インジウム））、Ｓｎ−Ｏ系酸化物（錫酸化物（酸化錫））、Ｚｎ−Ｏ系酸化物（亜鉛酸化物（酸化亜鉛））等の酸化物半導体を用いることができるがこれらに限定されない。
酸化物半導体層は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成することができる。
酸化物半導体層の膜厚は、５ｎｍ〜１μｍ（好ましくは２０〜８０ｎｍ）が好ましい。
酸化物半導体層を形成する場合、酸化物半導体層中に窒素が含まれないように充分注意する。
具体的には、成膜時の酸化物半導体層の窒素濃度は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で計測した窒素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、若しくは、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）が好ましい。
なお、酸化物半導体層に加熱処理を行っても酸化物半導体層中に窒素が侵入しにくい傾向がある。
したがって、半導体装置が完成した後の酸化物半導体層の窒素濃度も、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で計測した窒素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、若しくは、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）が好ましい。
なお、窒素濃度の値は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の有効範囲内における平均値を採用できる。
また、窒素濃度の値は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の有効範囲内における最大値も採用できる。（有効範囲内における最大値が所定の値より小さければ、有効範囲内における平均値も該所定の値よりも小さくなる。）
ここで、スパッタ装置の一例を図９に示す。
図９のスパッタ装置は、成膜室２００１、蓋２００２、ターゲット２００３、ポンプ２００４を有する。
なお、蓋２００２に基板を設置して、ターゲット２００３をスパッタリングして成膜を行う構成になっている。
成膜室２００１と蓋２００２とは連結されており、連結部にはＯリング２００５が設けられている。
成膜室２００１とターゲット２００３とは連結されており、連結部にはＯリング２００６が設けられている。
成膜室２００１とポンプ２００４とは連結されており、連結部にはメタルガスケット２００７及びメタルガスケット２００８が設けられている。
Ｏリング及びメタルガスケットは、いずれも連結部のリークを防止する部材である。つまり、Ｏリング及びメタルガスケットにより大気（特に窒素）が成膜室２００１へ侵入してしまうことを防止している。
Ｏリングは、環状のパッキンである。材質は例えばゴム等である。
メタルガスケットは、環状の固定用シール材である。材質は例えば金属等である。
蓋２００２及びターゲット２００３は頻繁に開閉されるため着脱が容易なＯリングを用いている。
一方、ポンプは開閉の頻度が非常に稀であるため着脱が困難であるがＯリングよりも気密性を向上できるメタルガスケットを設けている。
よって、Ｏリング又はメタルガスケットに傷、ヒビ等がある場合は、リークが生じてしまうので、成膜室２００１内に成膜室２００１外の大気が侵入してしまう。
大気は多量に窒素を含んでいるので、Ｏリング又はメタルガスケットに傷、ヒビ等がないように常に留意し、Ｏリング又はメタルガスケットに起因する大気（特に窒素）が成膜室２００１へ侵入してしまうことを防止する必要がある。
また、メンテナンスの手間が増えるが、Ｏリングを全て気密性の高いメタルガスケットに置換することも大気（特に窒素）が成膜室２００１へ侵入してしまうことを防止する上では有効である。
一方、大気（特に窒素）が成膜室２００１へ侵入してしまうことを防止しても、成膜室２００１の内壁、ターゲット２００３表面に窒素が付着又は侵入している場合、若しくは、成膜室２００１内に窒素が浮遊している場合は酸化物半導体層中に窒素が混入してしまう場合がある。
そこで、成膜室の内壁に付着又は侵入している窒素を除去するために成膜室を２００℃以上５００℃以下の温度で加熱する。
成膜室の加熱によって、成膜室の内壁に付着又は侵入している窒素が成膜室内に放出される。
そして、ポンプ２００４を用いて成膜室の加熱によって放出された窒素が排気されることによって、成膜室の内壁に付着又は侵入している窒素を除去できる。
さらに、成膜室の加熱処理及び排気処理を行った後であって、半導体装置に用いる酸化物半導体層を成膜する前にダミー基板に酸化物半導体層を成膜する処理を行うことが好ましい。
ダミー基板に酸化物半導体層を成膜する処理を行えば、ターゲット表面に付着又は侵入している窒素を除去できる。
また、ダミー基板に酸化物半導体層を成膜する処理によって成膜室内に残存した窒素がダミー基板上の酸化物半導体層に取り込まれるため、半導体装置に用いる酸化物半導体層を成膜する前に成膜室内に残存した窒素を除去できることになる。
その後、ダミー基板を取り出して、半導体装置に用いる酸化物半導体層を成膜する。
なお、ダミー基板への成膜は複数回行った方が効果が高い。
以上のように、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減、ダミー基板への成膜等を充分行うことによって、窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排除することができる。
次に、フォトリソグラフィ法を用いて酸化物半導体層４００を島状にエッチングして酸化物半導体層４１０を形成する（図１（Ｂ））。
次に、酸化物半導体層の第１の加熱処理（Ｘ℃以上Ｙ℃未満）を行う。
第１の加熱処理の雰囲気は、窒素雰囲気、希ガス雰囲気、酸素雰囲気、酸素と窒素を含む雰囲気、酸素と希ガスを含む雰囲気、窒素と希ガスを含む雰囲気、酸素と窒素と希ガスを含む雰囲気等から適宜選択できる。
第１の加熱処理は酸化物半導体層４００を島状にエッチングして酸化物半導体層４１０を形成する前に行っても良い。
一方、フォトリソグラフィ法を用いて酸化物半導体層４００を島状にエッチングして酸化物半導体層４１０を形成する工程で酸化物半導体層がフォトレジスト並びに剥離液の水分に曝される。
したがって、フォトレジスト並びに剥離液に起因する水分を除去するため、酸化物半導体層４００を島状にエッチングして酸化物半導体層４１０を形成した後に第１の加熱処理を行った方が好ましいといえる。
第１の加熱処理の下限値（Ｘ℃）は、３５０℃以上（又は３５０℃超過）、４００℃以上（又は４００℃超過）、４５０℃以上（又は４５０℃超過）、５００℃以上（又は５００℃超過）、５５０℃以上（又は５５０℃超過）、６００℃以上（又は６００℃超過）、６５０℃以上（又は６５０℃超過）、７００℃以上（又は７００℃超過）、７５０℃以上（又は７５０℃超過）から選ぶことができる。
第１の加熱処理は、炉、オーブン、ガスＲＴＡ等を用いる加熱方法を用いることが好ましい。
ガスＲＴＡとは、高温に暖めたガス内に被処理物を短時間（数分〜数十分）入れることにより急速に被処理物を加熱する方式をいう。
第１の加熱処理の温度は高い方が好ましいので特に上限を設ける必要はない。
但し、第１の加熱処理の上限値（Ｙ℃）は、基板の耐熱性温度よりも低い温度であると好ましい。
また、第１の加熱処理の上限値（Ｙ℃）を、１０００℃以下（又は１０００℃未満）、９００℃以下（又は９００℃未満）、８００℃以下（又は８００℃未満）、７００℃以下（又は７００℃未満）から選ぶこともできる。
第１の加熱処理の時間は１時間以上が好ましい。上限は特に限定されないが、処理時間削減の観点から１０時間以下、９時間以下、８時間以下から選ぶことができる。
第１の加熱処理の時間をガスＲＴＡで行う場合は３分以上が好ましい。上限は特に限定されないが、処理時間削減の観点から１時間以下、５０分以下、４０分以下から選ぶことができる。
なお、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で測定したところ、４５０℃、１時間のベークを行ったサンプルは３００℃付近の水分のピークがなくなっていた。ガスＲＴＡで６５０℃、３分でベークを行ったサンプルも３００℃付近の水分のピークがなくなっていた。一方、３５０℃、１時間のベークを行ったサンプルは３００℃付近の水分のピークが残存していた。
また、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定したところ、５５０℃、１時間のベークを行ったサンプルは、４５０℃、１時間のベークを行ったサンプルと比較して、１桁近く水素濃度が減少していた。
つまり、窒素濃度を低減した酸化物半導体層に所定条件の第１の加熱処理を加えることによって、トランジスタの電気特性に悪影響を与える水素元素を含む物質を激減させることができることがわかった。
なお、酸化物半導体に与えられるエネルギーが大きいほど水素元素を含む物質が離脱しやすくなるので、加熱温度は高い方が好ましく、加熱時間も多い方が好ましい。
第１の加熱処理後の酸化物半導体層の水素濃度は、６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、若しくは、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）が好ましい。
なお、窒素濃度を低減した酸化物半導体層には、第１の加熱処理以降の工程において水素の侵入を防止することができる特性がある。
よって、半導体装置が完成した後の酸化物半導体層の水素濃度も、６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、若しくは、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）が好ましい。
なお、水素濃度の値は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の有効範囲内における平均値を採用できる。
また、水素濃度の値は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の有効範囲内における最大値も採用できる。（有効範囲内における最大値が所定の値より小さければ、有効範囲内における平均値も該所定の値よりも小さくなる。）
なお、酸化物半導体層中に含まれる水素元素を含む物質の量が少ないほど、酸化物半導体層を用いたトランジスタの電気特性は向上する。
次に、酸化物半導体層４１０上に導電層５００を形成する（図１（Ｃ））。
導電層は導電性を有していればどのような材料でも用いることができる。例えば、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、イットリウム、インジウム、金、銀、銅、シリコン、これらの金属を含む様々な合金、酸化物導電層（代表的にはインジウム錫酸化物等）等を用いることができるがこれらに限定されない。導電層は、単層構造でも積層構造でも良い。
なお、酸化物半導体層と接する導電層をチタン、インジウム、イットリウム、インジウムと亜鉛との合金、ガリウム合金（窒化ガリウム等）等とすることによって、導電層をエッチングして形成される電極（配線）と酸化物半導体層との接触抵抗を低減することができる。
接触抵抗を低減することができる理由は、チタン、インジウム、イットリウム、インジウムと亜鉛との合金、ガリウム合金（窒化ガリウム等）等の電子親和力が、酸化物半導体層の電子親和力よりも低いからである。
つまり、単層の場合には、酸化物半導体層の電子親和力より低い金属（又は合金、化合物）が好ましい。
一方、積層の場合には、酸化物半導体層の電子親和力より低い金属（又は合金、化合物）を酸化物半導体層と接する位置に配置することが好ましい。
チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）との合金、ガリウム（Ｇａ）合金（窒化ガリウム等）等は抵抗率が高いので、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、これらの金属を含む様々な合金等の抵抗率の低い材料を酸化物半導体層と接する位置に配置された導電層上に積層することが好ましい。
具体的には、Ｔｉ、Ａｌを順次積層した構造、Ｔｉ、Ａｌ合金を順次積層した構造、Ｙ、Ａｌを順次積層した構造、Ｙ、Ａｌ合金を順次積層した構造、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉを順次積層した構造、Ｔｉ、Ａｌ合金、Ｔｉを順次積層した構造、Ｉｎ、Ａｌ、Ｍｏを順次積層した構造、Ｙ、Ａｌ、Ｔｉを順次積層した構造、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉを順次積層した構造、Ｔｉ、Ａｌ合金、Ｍｏ、Ｔｉを順次積層した構造等の多くのバリエーションがあるがこれらに限定されない。
なお、抵抗率の低い合金としては、アルミニウム、金、銀、銅等と、他の物質と、の合金をいう。（例えば、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｄ、Ｃｕ−Ｐｂ−Ｆｅ、Ｃｕ−Ｎｉ等）
なお、酸化物導電層の材料として酸化物半導体層と同様の材料を用いることができる。
酸化物導電層はチャネル形成領域に用いる酸化物半導体層よりも抵抗率が低ければ良い。
ここで、酸化物導電層は、水素元素を含む物質又は酸素欠損を意図的に多く含有させた酸化物である。水素元素を含む物質及び酸素欠損はキャリアを誘発するので酸化物の導電性を上昇させることができる。
また、酸化物半導体層は、水素元素を含む物質又は酸素欠損を意図的には含有させていない酸化物である。
つまり、酸化物半導体層中の水素元素を含む物質の含有量の調整又は酸素欠損の調整により抵抗率の調整が可能である。
なお、酸化物導電層とチャネル形成領域に用いる酸化物半導体層との材料が異なることに起因して、酸化物導電層がチャネル形成領域に用いる酸化物半導体層よりも抵抗率が低くなるのであれば、酸化物半導体層中の水素元素を含む物質の含有量の調整又は酸素欠損の調整による抵抗率の調整は不要である。
次に、導電層５００をエッチングして複数の電極又は複数の配線（ソース電極（コンタクト電極）、ドレイン電極（コンタクト電極）、配線等）を形成する（図２（Ａ））。なお、図２（Ａ）はコンタクト電極５１０、コンタクト電極５２０等を図示している。
図２（Ａ）の工程によりトランジスタが完成する（チャネルエッチ型トランジスタ）。
なお、図２の破線８０００の部分は導電層５００のエッチング時に若干エッチングされる。
破線８０００の部分は、チャネル形成領域の裏側に配置されているためバックチャネルと呼ばれる。
次に、トランジスタを覆う絶縁層６００（保護膜、層間絶縁膜）を形成する（図２（Ｂ））。
絶縁層は絶縁性を有していればどのような材料でも用いることができる。例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、窒化アルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、シロキサン膜、アクリル膜、ポリイミド膜等を用いることができるがこれらに限定されない。層間絶縁膜は、単層構造でも積層構造でも良い。
ここで、絶縁層の種類を変えてトランジスタの電気特性を比較したところ、バックチャネル（破線８０００の部分）と接する部分の絶縁層はスパッタガスとして水素元素を含む物質を用いないで形成した膜が良いことが判明した。
バックチャネルに水素元素を含む物質が含まれると、トランジスタの閾値電圧（Ｖｔｈ）がマイナス側にシフトする。
よって、プラズマＣＶＤ法では水素元素を含むガス（代表的にはＳｉＨ４等）を用いているので、プラズマＣＶＤ法で絶縁層を形成するとバックチャネルに水素元素を含む物質が添加されてしまう。
また、シロキサン膜、アクリル膜、ポリイミド膜等は水分を多量に含有しているため、バックチャネルに水素元素を含む物質が常に供給された状態となってしまう。
よって、バックチャネルと接する絶縁層は水素元素を含む物質の含有量が少ない膜を用いることが好ましいといえる。
なお、図２（Ｂ）の工程は、コンタクト電極５１０上、コンタクト電極５２０上、バックチャネル（破線８０００の部分）上に絶縁層６００を形成する工程ともいえる。
図２（Ｂ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に配線８１０、配線８２０等を形成しても良い（図３（Ａ））。
図２（Ｂ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に画素電極９１０を形成しても良い（図３（Ｂ））。
図３（Ａ）のように絶縁層６００上に配線を形成した後、配線上に更に絶縁層、配線、トランジスタ、表示素子、又はアンテナ等を形成しても良い。
図３（Ｂ）のように画素電極９１０を形成した後、表示素子（ＥＬ素子、液晶素子等）を形成することによって、表示装置を形成することができる。
また、図３（Ａ）の工程又は図３（Ｂ）の工程の後、第２の加熱処理を行うことが好ましい。
図２（Ｂ）の工程と、図３（Ａ）の工程又は図３（Ｂ）の工程と、の間に第２の加熱処理を行っても良い。
つまり、第２の加熱処理は絶縁層６００形成後であればいつ行っても良い。
第２の加熱処理の加熱温度は１５０℃以上５００℃以下（好ましくは２００℃以上３００℃以下）が好ましい。
第２の加熱処理の加熱時間は１時間以上１０時間以下が好ましい。
第２の加熱処理は、炉、オーブン、ガスＲＴＡ等を用いることが好ましい。
ところで、先に行った第１の加熱処理により酸化物半導体層中の水素が放出されるとともに、酸化物半導体層中の酸素も放出される。
つまり、第１の加熱処理によって酸化物半導体層中に酸素欠損が形成されている。
そこで、第２の加熱処理を行う際、絶縁層を酸素過剰な状態にしておくことによって、酸化物半導体層中に酸素を供給することができるので、酸化物半導体層中の酸素欠損を低減することができる。
酸素過剰な絶縁層の形成方法は、例えば、スパッタターゲットとして非酸化物ターゲット（珪素、アルミニウム等）を用い且つスパッタガスとして酸素を用いた反応性スパッタを行う場合において酸素流量を多くする方法、スパッタターゲットとして酸化物ターゲット（酸化珪素、酸化アルミニウム等）を用い且つスパッタガスとして酸素を用いる方法（酸化物ターゲットを用いる場合通常はスパッタガスとして酸素を用いない。）、絶縁層を形成後に絶縁層に酸素をイオン注入又はイオンドーピングする方法等を用いることができるがこれらに限定されない。（なお、反応性スパッタを行う場合、アルゴン等のガスを用いず酸素１００％のスパッタガスとすることが好ましい。）
つまり、絶縁層形成時の成膜ガスに酸素を用いる方法、絶縁層に事後的に酸素を添加する方法等を用いれば良い。勿論、絶縁層形成時の成膜ガスに酸素を用い、且つ、絶縁層に事後的に酸素を添加しても良い。
なお、コンタクト電極としてチタンを用いている場合、絶縁層６００を形成後、第２の加熱処理を行うことによって、酸化物半導体層とチタンとの間にチタン酸化物を形成することができる。
そして、チタン酸化物を形成することによって、酸化物半導体層とチタンとの間のコンタクト抵抗を低減することができる。
なお、酸化物半導体層とチタンとの間にチタン酸化物が存在すれば酸化物半導体層とチタンとの間のコンタクト抵抗を低減することができるため、コンタクト電極を形成する際にチタン酸化物とチタンとを順次積層した構造を形成しても良い。
この場合、チタン酸化物はスパッタ法、蒸着法等により形成することができる。
本実施の形態の内容の一部又は全部は、他の全ての実施の形態及び実施例と組み合わせて実施することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では実施の形態１と異なる構造のトランジスタを有する半導体装置について説明する。
本実施の形態では実施の形態１と異なる構造のトランジスタを有する半導体装置について説明する。
なお、各層の材料等は実施の形態１と同様である。
図４（Ａ）のトランジスタはボトムゲートボトムコンタクト型（ＢＧＢＣ）であり、絶縁表面を有する基板１００上に設けられたゲート電極２００と、ゲート電極２００上に設けられたゲート絶縁層３００と、ゲート絶縁層３００上に設けられたコンタクト電極５１０及びコンタクト電極５２０と、ゲート絶縁層３００上及びコンタクト電極５１０上及びコンタクト電極５２０上に設けられた酸化物半導体層４１０（島状）と、を有するトランジスタである。
なお、トランジスタを覆う絶縁層６００が設けられている。
また、破線８０００の部分がバックチャネルになる。
図４（Ｂ）のトランジスタはトップゲート型のトランジスタであり、絶縁表面を有する基板１００上に設けられた酸化物半導体層４１０（島状）と、酸化物半導体層４１０上に設けられたゲート絶縁層３００と、ゲート絶縁層３００上に設けられたゲート電極２００とを有するトランジスタである。
なお、トランジスタを覆う絶縁層６００が設けられており、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して配線８１０、配線８２０、配線８３０が設けられている。
図４（Ｃ）のトランジスタはチャネルストップ型のトランジスタであり、絶縁表面を有する基板１００上に設けられたゲート電極２００と、ゲート電極２００上に設けられたゲート絶縁層３００と、ゲート絶縁層３００上に設けられた酸化物半導体層４１０（島状）と、酸化物半導体層４１０上に設けられたチャネル保護層７００と、酸化物半導体層４１０上及びチャネル保護層７００上に設けられたコンタクト電極５１０及びコンタクト電極５２０と、を有するトランジスタである。
なお、トランジスタを覆う絶縁層６００が設けられている。
また、破線８０００の部分がバックチャネルになる。
ここで、チャネル保護層７００の材料は、実施の形態１で説明した絶縁層６００の材料と同様の材料を用いることができる。チャネル保護層７００と絶縁層６００の材料は同じでも異なっていても良い。
そして、チャネルストップ型のトランジスタにおいてバックチャネルと接する部分は絶縁層６００ではなくチャネル保護層７００である。
よって、チャネル保護層７００には水素元素を含む物質の含有量が少ない膜を用いることが好ましい。
図１５（Ａ）のトランジスタはトップゲート型のトランジスタ（ＴＧＢＣ）であり、下地絶縁層９００上に設けられたコンタクト電極５１０及びコンタクト電極５２０と、下地絶縁層９００上及びコンタクト電極５１０上及びコンタクト電極５２０上に設けられた酸化物半導体層４１０（島状）と、酸化物半導体層４１０上に設けられたゲート絶縁層３００と、ゲート絶縁層３００上に設けられたゲート電極２００とを有するトランジスタである。
なお、下地絶縁層９００は、基板１００上に設けられている。
また、トランジスタを覆う絶縁層６００が設けられている。
また、破線８０００の部分がバックチャネルになる。
ここで、下地絶縁層９００の材料は、実施の形態１で説明した絶縁層６００の材料と同様の材料を用いることができる。下地絶縁層９００と絶縁層６００の材料は同じでも異なっていても良い。
そして、トップゲート型のトランジスタにおいてバックチャネルと接する部分は絶縁層６００ではなく下地絶縁層９００である。
よって、下地絶縁層９００には水素元素を含む物質の含有量が少ない膜を用いることが好ましい。
また、実施の形態１に記載した方法と同様の方法を用いて、下地絶縁層９００を酸素過剰な絶縁層とすると好ましい。この場合、第１の加熱処理を行うと、酸化物半導体層から酸素が放出されると同時に、下地絶縁層から酸素が酸化物半導体層に供給されることになる。
図１５（Ｂ）のトランジスタはトップゲート型のトランジスタ（ＴＧＴＣ）であり、下地絶縁層９００上に設けられた酸化物半導体層４１０（島状）と、酸化物半導体層４１０上及び下地絶縁層９００上に設けられたコンタクト電極５１０及びコンタクト電極５２０と、酸化物半導体層上及びコンタクト電極５１０上及びコンタクト電極５２０上に設けられたゲート絶縁層３００と、ゲート絶縁層３００上に設けられたゲート電極２００とを有するトランジスタである。
なお、下地絶縁層９００は、基板１００上に設けられている。
また、トランジスタを覆う絶縁層６００が設けられている。
また、破線８０００の部分がバックチャネルになる。
ここで、下地絶縁層９００の材料は、実施の形態１で説明した絶縁層６００の材料と同様の材料を用いることができる。下地絶縁層９００と絶縁層６００の材料は同じでも異なっていても良い。
そして、トップゲート型のトランジスタにおいてバックチャネルと接する部分は絶縁層６００ではなく下地絶縁層９００である。
よって、下地絶縁層９００には水素元素を含む物質の含有量が少ない膜を用いることが好ましい。
なお、図４（Ｂ）のトランジスタでは、チャネル形成領域（ゲート電極と酸化物半導体層とが重なる領域）と、接触領域（配線と酸化物半導体が接触している領域）と、の間に数μｍのオフセット領域が形成されている。
オフセット領域は、トランジスタのオフ電流を下げる点でメリットがあるが、トランジスタのオン電流も下げてしまうという点でデメリットがある。
一方、図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）では、図４（Ｂ）のようなオフセット領域が存在しないので、図４（Ｂ）と比較してトランジスタのオン電流を向上することができるというメリットがある。
以上のように、トランジスタはどのような構造でも良い。
つまり、トランジスタは、少なくともゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層を有する構造であればどのような構造を用いても良い。
また、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上の第２のゲート絶縁層と、第２のゲート絶縁層上の第２のゲート電極と、を有するデュアルゲート型トランジスタを用いても良い。
したがって、トランジスタの構造は、実施の形態１及び実施の形態２に列挙した構造に限定されないことを付言しておく。
本実施の形態の内容の一部又は全部は、他の全ての実施の形態及び実施例と組み合わせて実施することができる。
（実施の形態３）
図４（Ａ）に示す半導体装置の作製方法の一例を示す。
図４（Ａ）に示す半導体装置の作製方法の一例を示す。
なお、材料、加熱処理条件等は他の実施の形態と同様である。
絶縁表面を有する基板１００上にゲート電極２００を形成し、ゲート電極２００上にゲート絶縁層３００を形成し、ゲート絶縁層３００上にコンタクト電極５１０及びコンタクト電極５２０を形成する（図５（Ａ））。
次に、ゲート絶縁層３００上及びコンタクト電極５１０上及びコンタクト電極５２０上に酸化物半導体層４００を形成する（図５（Ｂ））。
次に、酸化物半導体層の第１の加熱処理を行う。
第１の加熱処理の条件は実施の形態１と同様である。
第１の加熱処理は酸化物半導体層４００を島状にエッチングして酸化物半導体層４１０を形成した後に行っても良い。
しかしながら、島状にエッチングして酸化物半導体層４１０を形成した後であると、コンタクト電極が露出している。
コンタクト電極が露出した状態で第１の加熱処理を行うとコンタクト電極表面が酸化して表面の導電性が低下する。
よって、コンタクト電極が酸化物半導体層４００で覆われた状態で第１の加熱処理を行うことが好ましい。
次に、酸化物半導体層４００を島状にエッチングして酸化物半導体層４１０を形成し、トランジスタを覆う絶縁層６００を形成する（図５（Ｃ））。
なお、破線８０００の部分がバックチャネルとなる。
図５（Ｃ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に配線８１０、配線８２０等を形成しても良い（図６（Ａ））。
図５（Ｃ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に画素電極９１０を形成しても良い（図６（Ｂ））。
図６（Ａ）のように絶縁層６００上に配線を形成した後、配線上に更に絶縁層、配線、トランジスタ、表示素子、又はアンテナ等を形成しても良い。
図６（Ｂ）のように画素電極９１０を形成した後、表示素子（ＥＬ素子、液晶素子等）を形成することによって、表示装置を形成することができる。
また、図６（Ａ）の工程又は図６（Ｂ）の工程の後、第２の加熱処理を行うことが好ましい。
なお、図５（Ｃ）の工程と、図６（Ａ）の工程又は図６（Ｂ）の工程と、の間に第２の加熱処理を行っても良い。
第２の加熱処理の条件は実施の形態１と同様である。
本実施の形態の内容の一部又は全部は、他の全ての実施の形態及び実施例と組み合わせて実施することができる。
（実施の形態４）
図４（Ｃ）に示す半導体装置の作製方法の一例を示す。
図４（Ｃ）に示す半導体装置の作製方法の一例を示す。
なお、材料、加熱処理条件等は他の実施の形態と同様である。
まず、実施の形態１と同様に図１（Ｂ）の構造を形成する。
なお、実施の形態１と同様に第１の加熱処理もおこなっておく。
次に、チャネル保護層７００（島状）を形成し、チャネル保護層を覆う導電層５００を形成する（図７（Ａ））。
次に、導電層５００をエッチングしてコンタクト電極５１０及びコンタクト電極５２０を形成する（図７（Ｂ））。
なお、破線８０００の部分がバックチャネルである。
そして、チャネル保護層７００が存在することによって、コンタクト電極形成時にバックチャネルがエッチングされないため、バックチャネルのダメージを低減することができる。
ここで、チャネル保護層７００の材料は、実施の形態１で説明した絶縁層６００の材料と同様の材料を用いることができる。チャネル保護層７００と絶縁層６００の材料は同じでも異なっていても良い。
そして、チャネルストップ型のトランジスタにおいてバックチャネルと接する部分は絶縁層６００ではなくチャネル保護層７００である。
よって、チャネル保護層７００は水素元素を含む物質の含有量が少ない膜を用いることが好ましい。
また、実施の形態１に記載した方法と同様の方法を用いて、チャネル保護層７００を酸素過剰な絶縁層とすると好ましい。
次に、トランジスタを覆う絶縁層６００を形成する（図７（Ｃ））。
図７（Ｃ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に配線８１０、配線８２０等を形成しても良い（図８（Ａ））。
図７（Ｃ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に画素電極９１０を形成しても良い（図８（Ｂ））。
図８（Ａ）のように絶縁層６００上に配線を形成した後、配線上に更に絶縁層、配線、トランジスタ、表示素子、又はアンテナ等を形成しても良い。
図８（Ｂ）のように画素電極９１０を形成した後、表示素子（ＥＬ素子、液晶素子等）を形成すると表示装置を形成することができる。
また、図８（Ａ）の工程又は図８（Ｂ）の工程の後、第２の加熱処理を行うことが好ましい。
なお、図７（Ｃ）の工程と、図８（Ａ）の工程又は図８（Ｂ）の工程と、の間に第２の加熱処理を行っても良い。
第２の加熱処理の条件は実施の形態１と同様である。
本実施の形態の内容の一部又は全部は、他の全ての実施の形態及び実施例と組み合わせて実施することができる。
（実施の形態５）
半導体装置としては、各種集積回路がある。
半導体装置としては、各種集積回路がある。
例えば、表示装置（液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置（発光装置）等）、アンテナを介して無線通信を行う半導体装置（ＲＦＩＤタグ、無線タグ、ＩＣチップ、無線チップ、非接触信号処理装置、半導体集積回路チップ）等があるが、これらに限定されない。
本実施の形態の内容の一部又は全部は、他の全ての実施の形態及び実施例と組み合わせて実施することができる。
酸化物半導体中の窒素濃度の影響を調査した。
まず、ガラス基板上に酸化物半導体層を形成した。
そして、酸化物半導体層形成後に加熱処理を行っていない場合と、酸化物半導体層形成後に加熱処理を行った場合と、を比較した。
比較方法は二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いた。
なお、加熱処理は３５０℃、１時間とした。
加熱雰囲気は大気雰囲気又は窒素雰囲気とした。
ここで、酸化物半導体層は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した。
なお、酸化物半導体層の成膜前に、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排除した。
（サンプル１）
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｎ２＝４０／０ｓｃｃｍ（Ｎ２割合０％）のサンプルをサンプル１とした。なお、サンプル１は３つ用意した。
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｎ２＝４０／０ｓｃｃｍ（Ｎ２割合０％）のサンプルをサンプル１とした。なお、サンプル１は３つ用意した。
サンプル１のＳＩＭＳの測定結果を図１０に示す。
（サンプル２）
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｎ２＝３５／５ｓｃｃｍ（Ｎ２割合１２．５％）のサンプルをサンプル２とした。なお、サンプル２は３つ用意した。
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｎ２＝３５／５ｓｃｃｍ（Ｎ２割合１２．５％）のサンプルをサンプル２とした。なお、サンプル２は３つ用意した。
サンプル２のＳＩＭＳの測定結果を図１１に示す。
（サンプル３）
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｎ２＝０／４０ｓｃｃｍ（Ｎ２割合１００％）のサンプルをサンプル３とした。なお、サンプル３は３つ用意した。
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｎ２＝０／４０ｓｃｃｍ（Ｎ２割合１００％）のサンプルをサンプル３とした。なお、サンプル３は３つ用意した。
サンプル３のＳＩＭＳの測定結果を図１２に示す。
（考察）
図１０〜図１２において、点線３００１が加熱処理を行っていないサンプル（ａｓ−ｄｅｐｏ）、太い実線３００２が窒素雰囲気で加熱したサンプル（Ｎ２ベーク）、細い実線３００３が大気雰囲気で加熱したサンプル（大気ベーク）を示している。
図１０〜図１２において、点線３００１が加熱処理を行っていないサンプル（ａｓ−ｄｅｐｏ）、太い実線３００２が窒素雰囲気で加熱したサンプル（Ｎ２ベーク）、細い実線３００３が大気雰囲気で加熱したサンプル（大気ベーク）を示している。
また、図１０〜図１２において、（Ａ）は水素濃度であり、（Ｂ）は窒素濃度である。
図１０〜図１２において、縦軸は濃度であり、横軸は酸化物半導体層表面からの深さ（膜厚）である。
なお、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）の測定結果には有効範囲がある。
そして、本実施例の場合、酸化物半導体層の表面付近（図１０〜図１２だと深さが０ｎｍ〜３０ｎｍ付近）及び酸化物半導体層とガラス基板との界面付近（図１０〜図１２だと深さが８０ｎｍ〜１００ｎｍ付近）について正確な値を算出しにくくなっている。
したがって、本実施例の場合は、深さが３０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲をＳＩＭＳの測定結果の有効範囲とした。
ここで、図１０（Ａ）の点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）、図１１（Ａ）の点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）、及び図１２（Ａ）の点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）の有効範囲における水素濃度の平均値を比較すると、図１１（Ａ）の方が図１０（Ａ）よりも高く、図１２（Ａ）の方が図１１（Ａ）よりも高いことがわかる。
さらに、図１０（Ｂ）の点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）、図１１（Ｂ）の点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）、及び図１２（Ｂ）の点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）の有効範囲における窒素濃度の平均値を比較すると、図１１（Ｂ）の方が図１０（Ｂ）よりも高く、図１２（Ｂ）の方が図１１（Ｂ）よりも高いことがわかる。
つまり、ａｓ−ｄｅｐｏ条件において、酸化物半導体層中の窒素濃度が多いほど、酸化物半導体層中の水素濃度が多くなることがわかる。
したがって、酸化物半導体層中の窒素濃度が多いほど、酸化物半導体層中に水素が混入しやすくなることがわかった。
また、図１０（Ａ）を参照すると加熱処理を行うことによって水素濃度が低下していることがわかる。
一方、図１１（Ａ）、図１２（Ａ）を参照すると加熱処理を行うことによって水素濃度が上昇していることがわかる。
なお、図１２（Ａ）において、３０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲では点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）、太い実線３００２（Ｎ２ベーク）、細い実線３００３（大気ベーク）の水素濃度にあまり差がない。
しかしながら、有効範囲である３０ｎｍ〜８０ｎｍでの水素濃度の平均値は、太い実線３００２（Ｎ２ベーク）及び細い実線３００３（大気ベーク）の方が、点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）よりも高い。
よって、酸化物半導体層中の水素の総量を比較した場合、太い実線３００２（Ｎ２ベーク）及び細い実線３００３（大気ベーク）の方が、点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）よりも多いことは明らかである。
また、図１２（Ａ）において、太い実線３００２（Ｎ２ベーク）及び細い実線３００３（大気ベーク）の形状がＶ字のような形になった理由は、膜表面及びガラス基板から水素が注入されたためであると考察した。
ここで、サンプル１において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）であった。（図１０（Ｂ））
よって、サンプル１において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値も１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）であった（平均値が最大値より大きな値になることはない）。
なお、サンプル１のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は９．３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は１．９×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は６．１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル１のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最大値は６．９×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は４．５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は５．６×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル１のＮ２ベーク条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は９．７×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は３．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は６．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル１のＮ２ベーク条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最大値は２．３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は６．４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は１．２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル１の大気ベーク条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は３．１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は４．４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は１．８×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル１の大気ベーク条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最大値は６．７×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は２．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は３．８×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
一方、サンプル２及びサンプル３において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は、１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であった（図１１（Ｂ）、図１２（Ｂ））。
よって、サンプル２及びサンプル３において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値も、１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であった（平均値が最小値より小さな値になることはない）。
なお、サンプル２のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は１．６×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は１．５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は１．５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル２のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最大値は１．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は６．３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は７．８×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル２のＮ２ベーク条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は１．５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は１．４×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は１．５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル２のＮ２ベーク条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最大値は１．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は６．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は７．７×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル２の大気ベーク条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は１．６×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は１．５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は１．６×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル２の大気ベーク条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最大値は６．９×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は４．４×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は５．３×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル３のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は３．４×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は３．１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は３．３×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル３のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最大値は１．９×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は１．１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は１．４×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル３のＮ２ベーク条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は３．３×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は３．２×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は３．２×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル３のＮ２ベーク条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最大値は８．６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は１．４×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は２．７×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル３の大気ベーク条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は３．５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は３．３×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は３．４×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
また、サンプル３の大気ベーク条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最大値は１．０×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は７．６×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は２．８×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
以上のように、窒素を含有した酸化物半導体層は水素を取り込みやすい性質を有していることがわかった。
逆にいえば、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）である酸化物半導体層は、水素に対して緻密な層であるといえる。
また、サンプル１乃至３において、加熱処理を行っても酸化物半導体層中の窒素濃度は増加しなかった。サンプル１において大気ベークを行ったものでは酸化物半導体層中の窒素濃度は減少していた。
ここで、酸化物半導体層中に窒素が取り込まれるメカニズムは、酸化物半導体層の成膜時において酸化物半導体層中の酸素結合の一部が切れてしまい、切れた結合の位置に窒素結合が形成されるためであると推測した。
よって、切れた結合の位置に酸素結合が形成されれば、酸化物半導体層中に取り込まれる窒素濃度を低減できるという仮説を立てた。なお、この推測及び仮説が正しければ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系以外の酸化物半導体においても窒素は影響を及ぼすことになる。
実施例１の推測及び仮説が正しいか実証するためにスパッタガスに酸素を用いて酸化物半導体層を形成した。
酸素を供給すれば切れた結合の位置に酸素結合が形成される確率が上がるはずである。
酸化物半導体層は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した。
なお、酸化物半導体層の成膜前に、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排除した。
（サンプル４）
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ（Ｏ２割合３３．３％）のサンプルをサンプル４（ａｓ−ｄｅｐｏ）とした。
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ（Ｏ２割合３３．３％）のサンプルをサンプル４（ａｓ−ｄｅｐｏ）とした。
サンプル４のＳＩＭＳの測定結果（窒素）を図１３（Ａ）に示す。
（サンプル５）
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｏ２＝０／４０ｓｃｃｍ（Ｏ２割合１００％）のサンプルをサンプル５（ａｓ−ｄｅｐｏ）とした。
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｏ２＝０／４０ｓｃｃｍ（Ｏ２割合１００％）のサンプルをサンプル５（ａｓ−ｄｅｐｏ）とした。
サンプル５のＳＩＭＳの測定結果（窒素）を図１３（Ｂ）に示す。
（考察）
ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲は実施例１と同じである。
ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲は実施例１と同じである。
ここで、サンプル４（図１３（Ａ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）である。
よって、サンプル４（図１３（Ａ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値も５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）である（平均値が最大値より大きな値になることはない）。
また、サンプル４（図１３（Ａ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値を計算したところ、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）であった。
また、サンプル５（図１３（Ｂ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は、２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）であった。
よって、サンプル５（図１３（Ｂ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）であった。
そして、酸素を添加しなかったサンプル１（図１０（Ｂ））と比較すると、サンプル４（図１３（Ａ））及びサンプル５（図１３（Ｂ））の方が窒素濃度が低い。
なお、サンプル４のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１３（Ａ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は１．６×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は２．２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は４．６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
なお、サンプル５のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１３（Ｂ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大値は１．６×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は２．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は７．７×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
したがって、実施例１の推測及び仮説が正しいことを実証することができた。
絶縁層６００の材料の違いによるトランジスタの電気特性の違いを調査した。
（共通条件）
図２（Ｂ）に記載のチャネルエッチ型トランジスタを作製した。
図２（Ｂ）に記載のチャネルエッチ型トランジスタを作製した。
酸化物半導体層４１０は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を島状にエッチングしたサンプルを用いた。
また、図１（Ｂ）の工程の終了後、大気雰囲気で３５０℃、１時間の第１の加熱処理を行った。
また、図２（Ｂ）の工程の終了後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に配線を形成した。
配線を形成後、大気雰囲気で３５０℃、１時間の第２の加熱処理を行った。
（サンプル６）
絶縁層６００は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
絶縁層６００は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
成膜条件は、基板温度１００℃、Ａｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍとした。
また、ＲＦ電源を用い、電力を１．５ｋＷとした。
また、成膜圧力は０．４Ｐａとした。
（サンプル７）
絶縁層６００は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
絶縁層６００は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
成膜条件は、基板温度２５０℃、Ａｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍで形成した。
また、ＲＦ電源を用い、電力を１．５ｋＷとした。
また、成膜圧力は０．４Ｐａとした。
（サンプル８）
絶縁層６００は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
絶縁層６００は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
成膜条件は、基板温度１００℃、Ａｒ／Ｈ２＝４６／４ｓｃｃｍで形成した。
また、ＲＦ電源を用い、電力を１．５ｋＷとした。
また、成膜圧力は０．４Ｐａとした。
（サンプル９）
絶縁層６００は、プラズマＣＶＤ法で形成した。
絶縁層６００は、プラズマＣＶＤ法で形成した。
成膜条件は、基板温度２００℃、ＳｉＨ４／Ｎ２Ｏ＝２５／１０００ｓｃｃｍとした。
（サンプル１０）
絶縁層６００は、プラズマＣＶＤ法で形成した。
絶縁層６００は、プラズマＣＶＤ法で形成した。
成膜条件は、基板温度３２５℃、ＳｉＨ４／Ｎ２Ｏ＝２７／１０００ｓｃｃｍとした。
（サンプル１１）
絶縁層６００は、シロキサン膜を用いた。
絶縁層６００は、シロキサン膜を用いた。
（サンプル１２）
絶縁層６００は、アクリル膜を用いた。
絶縁層６００は、アクリル膜を用いた。
（サンプル１３）
絶縁層６００は、ポリイミド膜を用いた。
絶縁層６００は、ポリイミド膜を用いた。
（考察）
サンプル８乃至サンプル１３は、サンプル６及びサンプル７と比較して、閾値電圧Ｖｔｈがマイナス側にシフトしていた。
サンプル８乃至サンプル１３は、サンプル６及びサンプル７と比較して、閾値電圧Ｖｔｈがマイナス側にシフトしていた。
ここで、スパッタガスとして意図的に水素元素を含む物質を用いた絶縁層６００は水素元素を含んでいる。
すると、水素を含んだ絶縁層６００がバックチャネルに接した状態になる。
また、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁層６００は水素及び窒素を含んでいる。
すると、水素を含んだ絶縁層６００がバックチャネルに接した状態になる。
また、シロキサン膜、アクリル膜、ポリイミド膜は、水分を吸収しやすく且つ水分を放出しやすい性質を持つ。
すると、水分を放出する絶縁層６００がバックチャネルに接した状態になる。
ここで、計算科学（厳密には異なるがシミュレーションと呼ばれる場合もある）により、バックチャネルにドナーが存在する場合にどのような挙動をするか計算を行ったところ、ドナーが存在すると閾値電圧がマイナス側にシフトすることがわかった。
したがって、スパッタガスとして水素を用いない条件で形成した絶縁層６００を用いることによって閾値電圧のマイナスシフトを防止できることがわかった。
また、酸化珪素ターゲットを用い且つスパッタガスとして酸素を用いた酸素過剰な絶縁層６００を用いた場合（サンプル６及びサンプル７）、第２の加熱処理により酸素がバックチャネルに供給されバックチャネルの酸素欠損が低下したと考察した。
なお、本実施例では第２の加熱処理として３５０℃、１時間の加熱処理を行った。
ここで、絶縁層６００として酸素過剰な絶縁層を用いた場合において、第２の加熱処理を行わなかったサンプルＡと、第２の加熱処理として２５０℃、１時間の加熱処理を行ったサンプルＢと、を用意した。そして、サンプルＡとサンプルＢとを比較した結果、第２の加熱処理として２５０℃、１時間の加熱処理を行ったサンプルＢの方がトランジスタの電気特性が優れていた。
また、シリコンターゲットを用いスパッタガスとして酸素のみを用いて形成した絶縁層６００を用いたトランジスタを別途作製した。
シリコンターゲットを用いスパッタガスとして酸素のみを用いて形成した絶縁層６００を形成する際、基板温度を１００℃にした場合と基板温度を２００℃にした場合とで比較すると、基板温度を２００℃にした場合の方がゲートＢＴストレス試験の結果が優れていた。
ゲートＢＴストレス試験の結果が優れていた理由は、絶縁層６００形成時の基板温度を上げることによって、バックチャネル表面の水分を除去できたためであると考察した。
したがって、絶縁層６００形成時の基板温度は２００℃以上が好ましい。（上限は限定されないが、３００℃以下、４００℃以下、５００℃以下、６００℃以下、７００℃以下から選択することができる。）
図２（Ａ）に記載のチャネルエッチ型トランジスタ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のトランジスタ）を作製した。なお、絶縁層６００は形成していない。
そして、トランジスタが形成された基板を浸水した。
トランジスタが形成された基板を浸水する前の特性と、トランジスタが形成された基板を浸水した直後の特性と、を比較したところ、トランジスタを浸水した直後ではトランジスタを浸水する前と比較して閾値電圧がマイナス側にシフトし且つオフ電流も上昇していた。
次に、浸水した基板を大気雰囲気で１２０℃で３分間加熱して乾燥したところ、若干トランジスタの特性の回復が見られた。
次に、３分間乾燥した基板を大気雰囲気で１２０℃で１０分間加熱したところ（計１３分）、さらにトランジスタの特性の回復が見られた。
次に、１３分間乾燥した基板を大気雰囲気で１２０℃で４０分間加熱したところ（計５３分）、トランジスタの特性が浸水前とほぼ同じになった。
よって、バックチャネルの表面に水分が付着するとトランジスタの特性に影響を与えることがわかった。
また、バックチャネルの表面に付着した程度の水分であれば１２０℃以上で５３分以上加熱すれば除去できることが分かった。
なお、水分が蒸発できれば良いので温度を上げればより短い時間の乾燥で済むことは明らかである。
酸化物半導体層の加熱処理の効果について昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて調査した。
昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）は、サンプルを昇温していったときの放出ガスを分析する方法である。
本実施例では水蒸気の放出を調べた。
（サンプル１４）
サンプル１４としてガラス基板を用意した。
サンプル１４としてガラス基板を用意した。
（サンプル１５）
サンプル１５として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
サンプル１５として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
サンプル１５は加熱処理を行っていない（ａｓ−ｄｅｐｏ）。
（サンプル１６）
サンプル１５と同一のサンプルをもう一つ用意し、サンプル１６とした。
サンプル１５と同一のサンプルをもう一つ用意し、サンプル１６とした。
（サンプル１７）
サンプル１７として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
サンプル１７として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
酸化物半導体層形成後、窒素雰囲気で２５０℃、１時間の加熱処理を行った。
（サンプル１８）
サンプル１８として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
サンプル１８として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
酸化物半導体層形成後、窒素雰囲気で３５０℃、１時間の加熱処理を行った。
（サンプル１９）
サンプル１９として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
サンプル１９として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
酸化物半導体層形成後、窒素雰囲気で４５０℃、１時間の加熱処理を行った。
（考察）
サンプル１４及びサンプル１５との昇温脱離ガス分析法の結果を図１４（Ａ）に示す。
サンプル１４及びサンプル１５との昇温脱離ガス分析法の結果を図１４（Ａ）に示す。
なお、図１４（Ａ）において、グラフ１４１４がサンプル１４（ガラス基板のみ）のグラフに対応し、グラフ１４１５がサンプル１５（ガラス基板及び酸化物半導体層（ａｓ−ｄｅｐｏ））のグラフに対応する。
図１４（Ａ）において、５０℃付近の水分のピーク１４０１、１００℃付近の水分のピーク１４０２、３００℃付近の水分のピーク１４０３が存在することがわかる。
ガラス基板のみのサンプル１４は、５０℃付近の水分のピーク１４０１、１００℃付近の水分のピーク１４０２だけがあり、３００℃付近の水分のピーク１４０３は存在しない。
一方、酸化物半導体層を有するサンプル１５では、５０℃付近の水分のピーク１４０１、１００℃付近の水分のピーク１４０２、及び３００℃付近の水分のピーク１４０３が存在する。
したがって、３００℃付近の水分のピーク１４０３は酸化物半導体層特有の水分のピークである。
よって、３００℃付近の水分のピーク１４０３が検出された場合、酸化物半導体層に水分が含まれていると判断できる。
サンプル１６〜サンプル１９の比較結果を図１４（Ｂ）に示す。
なお、図１４（Ｂ）において、グラフ１４１６がサンプル１６（ａｓ−ｄｅｐｏ）のグラフに対応し、グラフ１４１７がサンプル１７（２５０℃）のグラフに対応し、グラフ１４１８がサンプル１８（３５０℃）のグラフに対応し、グラフ１４１９がサンプル１９（４５０℃）のグラフに対応する。
サンプル１７（２５０℃）及びサンプル１８（３５０℃）では３００℃付近の水分のピーク１４０３が確認された。
また、サンプル１７（２５０℃）及びサンプル１８（３５０℃）では３００℃付近の水分のピーク１４０３のカウント数が、サンプル１６（ａｓ−ｄｅｐｏ）よりも下がっていた。
よって、加熱処理によってある程度の水分が減少することがわかった。
さらに、サンプル１９（４５０℃）では３００℃付近の水分のピーク１４０３が存在していない。
よって、４５０℃以上且つ１時間以上の加熱処理を行えば水分が完全に離脱するといえる。
（サンプル２０）
また、サンプル２０として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
また、サンプル２０として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
そして、サンプル２０はガスＲＴＡ装置を用い窒素雰囲気で６５０℃、３分の加熱処理を行った。
サンプル２０（６５０℃）では３００℃付近の水分のピークが存在していなかった。
よって、６５０℃以上且つ３分以上の加熱処理を行えば水分が完全に離脱するといえる。
また、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：１（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：２（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意して同様の実験（ａｓ−ｄｅｐｏ、２５０℃、３５０℃、４５０℃の比較）を行った結果、窒素雰囲気で４５０℃１時間の加熱処理を行ったサンプルのみ３００℃付近の水分のピークが存在していなかった。
また、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：４（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：８（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意して同様の実験（ａｓ−ｄｅｐｏ、２５０℃、３５０℃、４５０℃の比較）を行った結果、窒素雰囲気で４５０℃１時間の加熱処理を行ったサンプルのみ３００℃付近の水分のピークが存在していなかった。
よって、昇温脱離ガス分析法において３００℃付近の水分のピークが存在しない酸化物半導体層（１００℃以上４００℃以下（好ましくは、２５０℃以上３００℃以下）においてカウント数が２×１０−１１以下）は、４５０℃以上且つ１時間以上、若しくは、６５０℃以上且つ３分以上で加熱された酸化物半導体層であるということができる。
昇温脱離ガス分析法において３００℃付近の水分のピークが存在しないということは、昇温脱離ガス分析法において１００℃以上４００℃以下の水分のピークが存在しないともいえる。
昇温脱離ガス分析法において３００℃付近の水分のピークが存在しないということは、酸化物半導体層に起因する水分のピークが存在しないともいえる。
また、第１の加熱処理のみの条件を替えて図２（Ａ）の構造のトランジスタを作製したところ、昇温脱離ガス分析法において３００℃付近の水分のピークが存在する酸化物半導体層を用いたトランジスタ（２５０℃、３５０℃）は、昇温脱離ガス分析法において３００℃付近の水分のピークが存在しない酸化物半導体層を用いたトランジスタ（４５０℃）よりも、閾値電圧がマイナス側にシフトしており、且つ、ゲートＢＴストレス試験における劣化が大きかった。
なお、酸化物半導体層は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を用いた。
また、酸化物半導体層の成膜前に、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素の影響を徹底的に排除した。
よって、酸化物半導体層中の水分がトランジスタの電気特性に影響を与えていることが分かった。
昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて以下のサンプルの脱ガス（水分）を測定した。
（サンプル２１）
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成したサンプルを用意した。
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成したサンプルを用意した。
酸化珪素膜は、酸化珪素をターゲットとしてＡｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍのガス流量で成膜を行った。
サンプル２１は加熱処理を行っていない。
（サンプル２２）
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成したサンプルを用意した。
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成したサンプルを用意した。
酸化珪素膜は、酸化珪素をターゲットとしてＡｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍのガス流量で成膜を行った（スパッタガスとして酸素を用いた）。
その後、窒素雰囲気で２５０℃、１時間の加熱処理（炉）を行った。
（サンプル２３）
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成したサンプルを用意した。
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成したサンプルを用意した。
酸化珪素膜は、酸化珪素をターゲットとしてＡｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍのガス流量で成膜を行った。（スパッタガスとして酸素を用いた。）
その後、窒素雰囲気で３５０℃、１時間の加熱処理（炉）を行った。
（サンプル２４）
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成したサンプルを用意した。
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成したサンプルを用意した。
酸化珪素膜は、酸化珪素をターゲットとしてＡｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍのガス流量で成膜を行った。（スパッタガスとして酸素を用いた。）
その後、窒素雰囲気で４５０℃、１時間の加熱処理（炉）を行った。
（考察）
昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で計測したところ、いずれのサンプルも３００℃付近の水分のピークが観測されなかった。
昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で計測したところ、いずれのサンプルも３００℃付近の水分のピークが観測されなかった。
実施例５の結果からすると、少なくとも３５０℃以下の加熱では水分が完全に離脱しない。
つまり、サンプル２３及びサンプル２４は３００℃付近の水分のピークが観測されるはずであるのに、３００℃付近の水分のピークが確認されなかったことになる。
この理由は、スパッタガスとして酸素を用いた酸化珪素膜（酸素過剰な酸化珪素膜）が水分の放出をブロックしてしまったためであると考察した。
したがって、スパッタガスとして酸素を用いた酸化珪素膜（酸素過剰な酸化珪素膜）には水分の拡散を防止することがわかった。
つまり、酸素過剰な酸化珪素膜は水分のブロッキング効果があることがわかった。
逆に考えれば、第１の加熱処理を行い水分を放出させた酸化物半導体層上に酸素過剰な酸化珪素膜を形成すれば、外部からの水分の混入を防止することができるということになる。
実施例５より４５０℃以上、１時間以上の加熱で水分が完全に除去されることがわかった。
そこで、４５０℃より高い温度で加熱したサンプルの水素濃度について、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて調べた。
まず、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを複数用意した。
また、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：１（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：２（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを複数用意した。
なお、酸化物半導体層の成膜前に、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排除した。
また、スパッタガスはＡｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ（Ｏ２割合３３．３％）とした。
そして、加熱処理を４５０℃、５５０℃、６００℃、６５０℃と条件を変えた複数のサンプルを用意した。なお、複数のサンプルの加熱時間は１時間である。
また、加熱処理の雰囲気を、窒素雰囲気、酸素雰囲気、窒素と酸素を含む雰囲気（ｄｒｙ Ａｉｒ（窒素：酸素＝４：１である雰囲気））と条件を変えたサンプルを用意した。
比較結果を表１に示す。
表１において、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の値はＳＩＭＳの有効範囲の平均値を示した。
表１から、５５０℃以上且つ１時間以上で加熱を行うと酸化物半導体層中の水素濃度が大幅に減少することがわかった。
つまり、水素濃度が６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の酸化物半導体層は高温（５５０℃以上且つ１時間以上）で加熱された酸化物半導体層であるということができる。
なお、第１の加熱処理の条件のみを替えて図２（Ａ）の構造のトランジスタを作製したところ、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の水素を含有する酸化物半導体層を用いたトランジスタ（４５０℃）は、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の水素を含有する酸化物半導体層を用いた酸化物半導体層を用いたトランジスタ（５５０℃、６００℃、６５０℃）よりも、閾値電圧がマイナス側にシフトしており、且つ、ゲートＢＴストレス試験における劣化が大きかった。
なお、酸化物半導体層は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した酸化物半導体層を用いた。
また、酸化物半導体層の成膜前に、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素の影響を徹底的に排除した。
よって、酸化物半導体層中の水素がトランジスタの電気特性に影響を与えていることが分かった。
図１６は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ，Ｈｉｔａｃｈｉ Ｈ−９０００ＮＡＲ，３００ｋＶ）で観察した写真である。
図１６に示す薄膜トランジスタは、酸化物半導体層１６０１としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を５０ｎｍ成膜後、窒素雰囲気下において第１の加熱処理（６５０℃、１時間）を行い、その後金属膜としてチタン層１６０４を１５０ｎｍ成膜し、さらに窒素雰囲気下において第２の加熱処理（２５０℃、１時間）を行ったサンプルである。
図１６において、酸化物半導体層１６０１とチタン層１６０４との界面には、インジウムリッチ層１６０２およびチタン酸化物層１６０３が確認できる。
なお、インジウムリッチ層１６０２およびチタン酸化物層１６０３の確認は、ＦＦＴＭ（Ｆａｓｔ Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｍａｐｐｉｎｇ）法を用いて行った。
チタン層１６０４と酸化物半導体層１６０１が接した状態において第２の加熱処理を行うことによって、酸化物半導体層から酸素が引き抜かれてチタン酸化物層１６０３が形成されたと考察した。
また、酸化物半導体層１６０１において酸素が引き抜かれた箇所はインジウムの結晶が析出したインジウムリッチ層１６０２になったと考察した。
このように、チタン層１６０４と酸化物半導体層１６０１が接した状態において第２の加熱処理を行うことによってチタン酸化物層１６０３を形成することができる。
なお、本実施例の反応は酸素とチタン（Ｔｉ）の反応であるので、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体層以外でも同様の反応が生じることは明らかである。
したがって、第２の加熱処理は２５０℃以上で行うことが好ましい。（上限は限定されないが、３００℃以下、４００℃以下、５００℃以下、６００℃以下、７００℃以下から選択することができる。）
なお、チタン層１６０４上に低抵抗な材料（アルミニウムを主成分とする膜、銅を主成分とする膜等）を形成すると配線抵抗を下げることができるので好ましい。
１００ 基板
２００ ゲート電極
３００ ゲート絶縁層
４００ 酸化物半導体層
４１０ 酸化物半導体層
５００ 導電層
５１０ コンタクト電極
５２０ コンタクト電極
６００ 絶縁層
７００ チャネル保護層
８１０ 配線
８２０ 配線
８３０ 配線
９００ 下地絶縁層
１４０１ ピーク
１４０２ ピーク
１４０３ ピーク
１４１４ グラフ
１４１５ グラフ
１４１６ グラフ
１４１７ グラフ
１４１８ グラフ
１４１９ グラフ
１６０１ 酸化物半導体層
１６０２ インジウムリッチ層
１６０３ チタン酸化物層
１６０４ チタン層
２００１ 成膜室
２００２ 蓋
２００３ ターゲット
２００４ ポンプ
２００５ Ｏリング
２００６ Ｏリング
２００７ メタルガスケット
２００８ メタルガスケット
３００１ 点線
３００２ 太い実線
３００３ 細い実線
８０００ 破線
２００ ゲート電極
３００ ゲート絶縁層
４００ 酸化物半導体層
４１０ 酸化物半導体層
５００ 導電層
５１０ コンタクト電極
５２０ コンタクト電極
６００ 絶縁層
７００ チャネル保護層
８１０ 配線
８２０ 配線
８３０ 配線
９００ 下地絶縁層
１４０１ ピーク
１４０２ ピーク
１４０３ ピーク
１４１４ グラフ
１４１５ グラフ
１４１６ グラフ
１４１７ グラフ
１４１８ グラフ
１４１９ グラフ
１６０１ 酸化物半導体層
１６０２ インジウムリッチ層
１６０３ チタン酸化物層
１６０４ チタン層
２００１ 成膜室
２００２ 蓋
２００３ ターゲット
２００４ ポンプ
２００５ Ｏリング
２００６ Ｏリング
２００７ メタルガスケット
２００８ メタルガスケット
３００１ 点線
３００２ 太い実線
３００３ 細い実線
８０００ 破線
Claims (2)
- ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、
窒素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である前記酸化物半導体層を３５０℃以上且つ１時間以上で加熱処理を行い、水素を低減し、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、前記酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、
窒素濃度が１×１０ ２０ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ３ 以下である前記酸化物半導体層を３５０℃以上且つ１時間以上で第１の加熱処理を行い、水素を低減し、
前記絶縁層は、スパッタガスとして水素を含む物質を用いずに形成され、
前記絶縁層は、第２の加熱処理により、前記酸化物半導体層に酸素を供給し、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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