JP5662160B2 - 微小機械式共振器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 32
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 11
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
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- H02N1/002—Electrostatic motors
- H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
- H02N1/008—Laterally driven motors, e.g. of the comb-drive type
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H9/02259—Driving or detection means
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/02338—Suspension means
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2447—Beam resonators
- H03H9/2463—Clamped-clamped beam resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2468—Tuning fork resonators
- H03H9/2478—Single-Ended Tuning Fork resonators
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2468—Tuning fork resonators
- H03H9/2478—Single-Ended Tuning Fork resonators
- H03H9/2484—Single-Ended Tuning Fork resonators with two fork tines, e.g. Y-beam cantilever
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02283—Vibrating means
- H03H2009/02291—Beams
- H03H2009/02299—Comb-like, i.e. the beam comprising a plurality of fingers or protrusions along its length
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Description
で与えられる。
が考慮されることがさらに好ましい。幅の寸法の設定において、電極フィンガの曲げの効果が考慮されることがさらに好ましい。
m=NwfhLfρ
であり、ここでNは電極フィンガ5〜9の数、wfは電極フィンガ幅、hは高さ、Lfは電極フィンガ長さ、ρは密度である。
のようになる。
を寸法変化δの関数として示している。図5では、w=3はばねの幅であって、W=1は質量フィンガの幅である。
はδ=0においてゼロであって、製造変動は1次については補償されていることがわかる。勾配
は、製造寸法変動に対する周波数感度として定義される。共振器の寸法を適切に設定することによって、周波数感度
はゼロに近づき、製造変動は1次については補償される。
)を生成し、寸法製造変動に対する共振周波数の感度がゼロに近づくように設定することもできる。
である。前述の式(数8)が示しているように、電極フィンガのたわみを考慮すると共振周波数が低くなる。
が変化する。これによって、製造変動に対する周波数の感度を減少させる自由度が増す。
を寸法変化δの関数として示している。
についても見られる。したがって、勾配
がゼロになって、製造変動が2次まで補償される点が2つ存在する。パラメータaの値を増加させると、極大値が減少し、パラメータaの十分に大きな値によって、寸法変化への周波数変化の局所依存は単調になる。これによって、図7に示しているように、製造変動に対する周波数の感度を減少させる自由度が増す。
容量Cは総面積に比例するため、共振器の効果的な作動には多数の電極フィンガを使用することができる。
d=d0−δ
ここで、d0は理想的な電極間隔、δは電極の寸法変化である。電極の大きさが増加すると、電極間の間隔は減少する。前述の2つの式からわかるように、以下の式が得られる。
ここで、cは寸法依存定数である。
を寸法変化δの関数として示している。寸法変化の正の値に対しては、電気ばねは周波数変化を減少させることになる。
を寸法変化δの関数として示している。図示しているグラフ19〜22は、全ての前述の3つのアプローチの組み合わせの効果を示しており、広範囲な変動に対して寸法変化への感度をどのようにして最小にするかを示している。前述の3つの方法の組み合わせを周波数変化を最小にするために使用している。これらの曲線において、共振器の寸法は変化し、間隔も変化している。
2、12、13 質量
3 ばね構造
4 可動質量構造
5〜9、25、26、31〜34 電極フィンガ
11、14 ばね
Claims (13)
- ばね構造と可動質量構造とを有する微小機械式共振器であって、
前記ばね構造は、一方の端部が固定された少なくとも一つのばね要素で構成されており、
前記可動質量構造は、一方の端部が互いに接続された、前記ばね要素に平行に延びる複数の電極フィンガで構成されており、
前記複数の電極フィンガの前記一方の端部が前記ばね要素の他方の端部に共振器として動作可能な状態で接続されており、
前記少なくとも1つのばね要素の幅は、前記複数の電極フィンガの幅よりも広く、前記2つの幅は、Δω 0 /ω 0 を共振周波数ω 0 の変化率とし、δを製造寸法変化としたとき、前記製造寸法変化に対する共振周波数の変化率の感度d(Δω 0 /ω 0 )/dδがゼロに近づくように設定されていることを特徴とする、
前記微小機械式共振器。 - ばね構造と可動質量構造とを有する微小機械式共振器であって、
前記ばね構造は、一方の端部が固定された少なくとも一つのばね要素で構成されており、
前記可動質量構造は、一方の端部が互いに接続された、前記ばね要素に平行に延びる複数の電極フィンガで構成されており、
前記複数の電極フィンガの前記一方の端部が前記ばね要素の他方の端部に共振器として動作可能な状態で接続されており、
Δω 0 /ω 0 を共振周波数ω 0 の変化率とし、δを製造寸法変化としたとき、前記製造寸法変化に対する共振周波数の変化率の感度d(Δω 0 /ω 0 )/dδが2つ以上の製造寸法変化δの値でゼロに近づくように、前記電極フィンガの幅が設定されることを特徴とする、
前記微小機械式共振器。 - 前記ばね構造が、音叉構造を形成するように一緒に固定されている2つのばね要素からなることを特徴とする、請求項1または2に記載の微小機械式共振器。
- 前記ばね要素の幅が、前記電極フィンガの幅の2〜5倍であることを特徴とする、請求項1または2に記載の微小機械式共振器。
- 前記ばね要素の幅が、前記電極フィンガの幅の約3倍であることを特徴とする、請求項1または2に記載の微小機械式共振器。
- 前記電極フィンガの幅の設定において、wfを電極フィンガの幅、Lfを電極フィンガの長さ、ρを密度、Yをヤング率としたとき、下記の式で計算される電極フィンガの共振周波数ωfが考慮されることを特徴とする、請求項1または2に記載の微小機械式共振器。
- 前記電極フィンガの幅の寸法の設定において、前記電極フィンガの曲げの効果が考慮されることを特徴とする、請求項1または2に記載の微小機械式共振器。
- 前記製造寸法変化に対する共振器共振周波数の変化率が極大値をもつように、前記電極フィンガの長さが、電極フィンガ共振周波数が共振器共振周波数に影響する長さに設定されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の微小機械式共振器。
- 前記電極フィンガの長さが、前記ばね要素の長さの1/6〜1/2倍であることを特徴とする、請求項8に記載の微小機械式共振器。
- 前記微小機械式共振器を静電気的に駆動する手段をさらに有することを特徴とする、請求項1または2に記載の微小機械式共振器。
- 前記微小機械式共振器を静電気的に駆動する手段をさらに有し、前記駆動する電極が、500nmから5μmの電極間隔の幅を有することを特徴とする、請求項1または2に記載の微小機械式共振器。
- 前記音叉構造における2つのばね要素のうちの一方に接続される電極フィンガは、前記音叉構造における2つのばね要素のうちの他方に接続される電極フィンガと対称的に配置されていることを特徴とする、請求項3に記載の微小機械式共振器。
- 前記微小機械式共振器は複数の電極フィンガのそれぞれに対して、複数の交差指形の電極を備えることを特徴とする、請求項1または2に記載の微小機械式共振器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US2341408P | 2008-01-24 | 2008-01-24 | |
US61/023,414 | 2008-01-24 | ||
PCT/FI2009/000020 WO2009092846A1 (en) | 2008-01-24 | 2009-01-23 | A micromechanical resonator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011510577A JP2011510577A (ja) | 2011-03-31 |
JP5662160B2 true JP5662160B2 (ja) | 2015-01-28 |
Family
ID=40898492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010543534A Active JP5662160B2 (ja) | 2008-01-24 | 2009-01-23 | 微小機械式共振器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8102224B2 (ja) |
EP (1) | EP2245738B1 (ja) |
JP (1) | JP5662160B2 (ja) |
KR (1) | KR101694133B1 (ja) |
CN (1) | CN101919159B (ja) |
WO (1) | WO2009092846A1 (ja) |
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US20120091854A1 (en) | 2012-04-19 |
WO2009092846A1 (en) | 2009-07-30 |
CN101919159A (zh) | 2010-12-15 |
CN101919159B (zh) | 2014-01-08 |
KR20100111724A (ko) | 2010-10-15 |
US8102224B2 (en) | 2012-01-24 |
US8334736B2 (en) | 2012-12-18 |
US20090189481A1 (en) | 2009-07-30 |
EP2245738A1 (en) | 2010-11-03 |
EP2245738B1 (en) | 2015-06-17 |
JP2011510577A (ja) | 2011-03-31 |
KR101694133B1 (ko) | 2017-01-09 |
EP2245738A4 (en) | 2014-03-12 |
WO2009092846A8 (en) | 2009-09-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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