Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP5409007B2 - 高効率の太陽電池及びその調製方法 - Google Patents

高効率の太陽電池及びその調製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5409007B2
JP5409007B2 JP2008538804A JP2008538804A JP5409007B2 JP 5409007 B2 JP5409007 B2 JP 5409007B2 JP 2008538804 A JP2008538804 A JP 2008538804A JP 2008538804 A JP2008538804 A JP 2008538804A JP 5409007 B2 JP5409007 B2 JP 5409007B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
conductivity type
passivation layer
solar cell
conductive semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008538804A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009515336A (ja
Inventor
ヒュン・ジュン・パク
Original Assignee
エルジー・エレクトロニクス・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー・エレクトロニクス・インコーポレーテッド filed Critical エルジー・エレクトロニクス・インコーポレーテッド
Publication of JP2009515336A publication Critical patent/JP2009515336A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5409007B2 publication Critical patent/JP5409007B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明は高効率太陽電池に関する。より詳細には、本発明は、第1導電型半導体基板と共にp−n接合を形成し、第1導電型半導体基板とは反対の導電型を有する第2導電型半導体層上における酸窒化シリコンパッシベーション層及び窒化シリコン反射防止層の連続的な形成によって、パッシベーション層及び反射防止層からなる二重反射膜構造体により吸収された光の反射率を最小化することによって、同時にパッシベーション層によって半導体表面で起こるキャリアの再結合を効果的に防いで、光電変換効率を改善することができる太陽電池に関する。さらに、本発明は太陽電池の調製方法を提供し、前記方法は二重反射膜構造体のインサイチュ連続形成により大量生産が可能であることによって製造コストを低減することができる。
近年環境問題及びエネルギー枯渇に関する関心が高まっており、太陽電池は豊富なエネルギー源を利用し、環境汚染に関連する問題がなく、高エネルギー効率を有する代替エネルギー源として注目を集めている。
太陽電池は、太陽熱を用いてタービンを回転するのに必要な蒸気エネルギーを生成する太陽熱電池、及び半導体の有利な性質を用いてフォトンを電気エネルギーに変換する電気太陽光電池に分類されるであろう。特に、光吸収によって生成されるp型半導体の電子及びn型半導体のホールが電気エネルギーに変換される太陽光電池に関して多くの研究が活発に行なわれてきた。
太陽光電池の作製に関して考慮されてきた重要な因子は、吸収された光の反射率を低減することである。なぜなら、吸収される光の量に依存して、生成される電子及びホールの数が決定され、生成される電流の量が制御されるためである。したがって、光の反射率を低減するために、反射防止層が使用され、又は電極端子を形成するとき入射光を遮蔽する領域を最小化する方法が用いられた。特に、高い反射防止性能をもたらすことを可能とする反射防止層を開発するために様々な試み及び取り組みが行なわれてきた。様々な種類の太陽電池の中で、太陽電池市場の大部分を占め、単結晶、多結晶、又はマルチ結晶の薄膜を含む結晶質シリコン太陽電池には、反射防止層成分のシリコン内部への拡散が高い確率で起こるという問題があり、したがって反射防止層とシリコン層との間に別個にパッシベーション層を有する二重反射膜構造体が広く使用されている。
例えば、米国特許第4927770号明細書は、窒化シリコンの反射防止層を用いて、及び窒化シリコンとシリコン半導体層との間に酸化シリコンのパッシベーション層を形成することによってシリコン半導体層の表面を保護して、吸収される光の反射率を低減する方法を開示する。しかしながら、この技術は方法の不連続性という欠点を有する。なぜなら、パッシベーション層及び反射防止層の堆積において、酸化シリコンは化学気相蒸着(CVD)によって堆積される一方で、窒化シリコンはプラズマ化学気相成長法(PECVD)によって堆積されるためである。
さらに、大韓民国特許出願公開第2003−0079265号明細書は、パッシベーション層としてのアモルファスシリコン薄膜及び反射防止層としての窒化シリコンからなる二重反射膜構造体を用いることによって、シリコン半導体層をアモルファスシリコン薄膜で保護する技術を開示する。しかしながら、この技術はアモルファスシリコン薄膜を使用するので、望ましい程度の反射防止効率を得ることが難しい。さらに、この大韓民国特許によると、焼成プロセスは450℃未満という低温で実施されなくてはならず、したがって電極の形成においてスクリーン印刷法を使用することができず、結果的にレーザ装置等高価な装置が必要となる。すなわち、この方法は、複雑な製造方法、及び製造コストのかなりの増加等様々な問題を有し、その実用化を困難にしている。
一方で、米国特許第6518200号明細書は、基板上への酸窒化シリコン及び窒化シリコンからなる層の形成を含む複合材料マイクロ電子層の作製方法を開示し、前記層には太陽電池、センサーイメージアレイ、ディスプレイイメージアレイなどが形成される。しかしながら、この特許は酸窒化シリコン及び窒化シリコンを集電のための誘電体材料として使用する技術に関し、したがって、それは、これ以降に述べるように、酸窒化シリコン及び窒化シリコンを太陽電池のパッシベーション層及び反射防止層として用いる本発明とは明確に異なる。
米国特許第4927770号明細書 大韓民国特許出願公開第2003−0079265号明細書 米国特許第6518200号明細書
このように、本発明は未だ解決されていない上述の問題及び他の技術的問題を解決するためになされた。
すなわち、本発明は上述の問題を考慮してなされ、本発明の目的は、酸窒化シリコンパッシベーション層及び窒化シリコン反射防止層からなる二重反射膜構造体により吸収光の反射率を最小化することによって、同時に半導体表面で起こるキャリア再結合をパッシベーション層により効果的に防止することで、光電変換効率を改善することができる構造を有する太陽電池を提供することである。
本発明の他の目的は、インサイチュ工程で二重反射膜構造体を連続形成することにより低コストの大量生産が可能である太陽電池を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、上述の太陽電池を調製する方法を提供することである。
本発明の上述の及び他の目的、特徴及び他の有利な点は、添付される図面と共に以下の詳細な記述からより明確に理解されるであろう。
図1は、本発明の一つの実施形態による、半導体基板、パッシベーション層及び反射防止層からなる太陽電池の概略図である。
これ以降、本発明はより詳細に説明される。
本発明の一つの態様によると、上述の及び他の目的は、第1導電型半導体基板、第1導電型半導体基板の上に形成され、該基板とは反対の導電型を有する第2導電型半導体層、それらの間の界面におけるp−n接合、第1導電型半導体基板と少なくとも部分的に接触する背面電極、第2導電型半導体層と少なくとも部分的に接触する前面電極、及び第1導電型半導体基板の後方表面上及び/又は第2導電型半導体層の前方表面上に連続して形成される酸窒化シリコンパッシベーション層及び窒化シリコン反射防止層を含む太陽電池の提供によって達成されてよい。
したがって、本発明による太陽電池は、第2導電型半導体層と窒化シリコン反射防止層との間に酸窒化シリコンパッシベーション層を含む構造を有し、結果的にパッシベーション層が反射防止層と共に二重反射膜構造体を形成し、前記二重反射膜構造体は吸収光の反射率を最小化することによって、同時に半導体表面で起こるキャリア再結合をパッシベーション層により効果的に防止することで、太陽電池の効率をさらに改善することができる。
好ましくは、パッシベーション層及び反射防止層は第2導電型半導体層の前方表面上に形成される。好ましい実施形態において、パッシベーション層は第2導電型半導体層上で1から40nmの厚みに形成され、パッシベーション層の上に形成される反射防止層は屈折率1.9から2.3を有するように作製される。
第1導電型半導体基板は、ホウ素(B)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)等周期表III族の元素でドープされたp型シリコン基板である。第2導電型半導体層は、リン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)等周期表V族の元素でドープされたn型エミッタ層である。第1導電型半導体基板及び第2導電型半導体層は接触させられてp−n接合を形成する。
図1は本発明の一つの実施形態による太陽電池の構成を概略的に示すが、該図は理解を容易にするためにただ便宜的に提供されるものであって、本発明の範囲を制限するものとして解釈されるべきではない。
図1を参照すると、基板とは反対の導電型を有する第2導電型半導体層12が第1導電型半導体基板上11上に形成され、それによってそれらの間の界面にp−n接合13を形成する。酸窒化シリコンのパッシベーション層14が第2導電型半導体層12上に形成され、窒化シリコンの反射防止層15がパッシベーション層14上に形成される。
背面電極21は第1導電型半導体基板11と電気的に接続されるように形成される。それに対して、前面電極22は第2導電型半導体層12に接続され、パッシベーション層14及び反射防止層15を通って、反射防止層15の上部から上方に突出する。
本発明の他の態様によると、以下の段階を含む太陽電池の調製方法が提供される。
(a)第1導電型半導体基板上に、前記基板とは反対の導電型の第2導電型半導体層を形成し、それによってそれらの間の界面にp−n接合を形成する段階、
(b)前記第2導電型半導体層上に酸窒化シリコンのパッシベーション層を形成する段階、
(c)前記パッシベーション層上に窒化シリコンの反射防止層を形成する段階、
(d)前記第1導電型半導体基板の後方表面上に電極を形成する段階、
(e)前記反射防止層上に、前記第2導電型半導体層に接続される電極を形成する段階。
これ以降、本発明による太陽電池の調製が段階的に詳細に記述される。
段階(a)において、B、Ga、又はIn等のIII族の元素でドープされたp−型シリコン基板としての第1導電型半導体基板、P、As、又はSb等のV族の元素でドープされたn−型エミッタ層としての第2導電型半導体層、並びにそれらの間のp−n接合が、高温拡散等当技術分野で知られる従来の方法によって形成されてよい。
段階(b)及び(c)において、第2導電型半導体層上のパッシベーション層の形成及びパッシベーション層上の反射防止層の形成は、例えば一連のプラズマ化学気相成長法(PECVD)によって、連続的に実施されてよい。したがって、太陽電池の製造コストは対応する製造方法の簡素化によって低減され得る。
段階(d)において、背面電極は、例えば第1導電型半導体基板へのアルミニウム(Al)含有ペーストのスクリーン印刷によって、及びそのように印刷されたペーストを焼成することによって形成されてよい。
さらに、段階(c)において、前面電極が形成されるとき、例えば反射防止層の上部の上への銀(Ag)含有ペーストのスクリーン印刷によって、及びこのように印刷されたペーストを焼成することによって、前面電極がパッシベーション層及び反射防止層を通じて第2導電型半導体層に接続されるように形成されてよい。
酸窒化シリコンパッシベーション層を除く、残りの構成要素の形成は、当技術分野で知られる従来法によって実施されてよく、したがってそれに関する詳細な記述は省略される。
さらに、上述の製造方法の幾つかは異なる工程順で実施されてよく、又は他のやり方で一緒に実施されてよい。例えば、段階(d)及び段階(c)の電極形成工程は逆の順番で実施されてよい。必要であれば、段階(d)及び段階(c)は、対応するペーストによるパターン形成の後、焼成工程と共に実施されてよい。
実施例
本発明は以下の例を参照してより詳細に説明されるであろう。これらの例は本発明を説明するためだけに提供され、本発明の範囲及び精神を制限するものであると解釈されるべきではない。
[実施例1]
リン−ドープn型エミッタ層がホウ素ドープp型シリコン基板上に形成され、p−n接合が形成された。パッシベーション層としての酸窒化シリコン(SiO)がn型エミッタ層上に、PECVD法によって、30nmの厚みで堆積された。その後、反射防止層としての屈折率1.9を有する窒化シリコン(SiN)が、PECVD法によって、酸窒化シリコンパッシベーション層上に堆積された。その後、Al−含有ペーストはp型シリコン基板上にスクリーン印刷され、Ag−含有ペーストは窒化シリコン層上にスクリーン印刷され、それによってパターンを形成した。結果として得られる構造体は約800℃で約30秒間焼成され、p型シリコン基板に接続された背面電極及びn型エミッタ層に接続された前面電極を同時に形成し、それによって太陽電池が作製された。
[比較例1]
太陽電池は、パッシベーション層としての酸窒化シリコンの代わりに二酸化シリコン(SiO)がn型エミッタ層上に堆積されたこと以外は、例1と同様の方法で作製された。
[比較例2]
太陽電池は、酸窒化シリコンパッシベーション層がn型エミッタ層上に堆積されなかったこと以外は、例1と同じ方法で作製された。
[実験例1]
実施例1、比較例1及び2で作製された太陽電池の効率を測定するため、解放電圧(Voc)及び短絡回路電流(Jsc)が各々測定された。その後、このように測定されたVoc及びJscの値に基づき、曲線因子(FF)及び太陽電池効率が測定された。得られた結果は表1に説明される。ここで、曲線因子(FF)は(Vmp×Jmp)/(Voc×Jsc)として定義され、Jmp及びVmpは電流密度及び最大出力点における電圧を表す。太陽電池効率はPmax/Pinで与えられ、Pmaxは電池によって生成される最大出力を表し、システム内部への入力パワー、Pin、は入射光強度、すなわち単位時間あたりシステムに供給される光エネルギー、で定義される。
Figure 0005409007
表1の結果から示されるように、二酸化シリコンパッシベーション層の二重反射膜構造体(比較例1)及び窒化シリコン層のみからなる反射防止層(比較例2)と比較して、本発明による実施例1の太陽電池は、Jsc値が減少することなく、Voc値のかなりの増大を示し、太陽電池効率が0.14%以上改善されたことを立証した。そのような電池効率の改善は、本発明が属する技術分野において顕著な結果であり、二重反射膜構造体が吸収された光の反射率を最小化し、同時に酸窒化シリコンのパッシベーション層によって、半導体表面で起こるキャリア再結合を効果的に防止することに起因すると考えられる。
上記記述から明らかなように、本発明による太陽電池は、パッシベーション層及び反射防止層からなる二重反射膜構造体により吸収光の反射率を最小化することによって、同時にパッシベーション層によって半導体表面で起こるキャリアの再結合を効果的に防いで、光電変換効率を大きく改善することができる。さらに、本発明は二重反射膜構造体のインサイチュ連続形成により大量生産が可能であることによって製造コストを大きく低減することができる。
本発明の好ましい実施形態が説明のために開示されたが、添付されるクレームに開示される本発明の範囲及び精神から逸脱することなく様々な修正、追加及び置換が可能であることは当業者には明白であろう。
本発明の一つの実施形態による、半導体基板、パッシベーション層及び反射防止層からなる太陽電池の概略図である。
符号の説明
11 第1導電型半導体基板
12 第2導電型半導体層
13 p−n接合
14 パッシベーション層
15 反射防止層
21 背面電極
22 前面電極

Claims (6)

  1. 第1導電型半導体基板、
    前記第1導電型半導体基板の上に形成され、前記第1導電型とは反対の導電型を有する第2導電型半導体層、
    前記第2導電型半導体層の上に直接接触され、SiOで形成されたパッシベーション層、
    前記パッシベーション層の上に窒化シリコンで連続的に形成された反射防止層、
    前記第1導電型半導体基板と接触する背面電極、
    前記反射防止層及び前記パッシベーション層を通って前記第2導電型半導体層と接触する前面電極、を含み、
    二重反射膜構造体は前記パッシベーション層と前記反射防止層とを含
    前記パッシベーション層の厚みが1から40nmである、
    二重反射膜構造体の太陽電池。
  2. 前記反射防止層の屈折率が1.9から2.3である、請求項1に記載の太陽電池。
  3. 前記第1導電型半導体基板はp型シリコン基板であり、前記第2導電型半導体層はn型エミッタ層である、請求項1に記載の太陽電池。
  4. (a)第1導電型半導体基板上に、前記第1導電型とは反対の導電型の第2導電型半導体層を形成し、それによってそれらの間の界面にp−n接合を形成する段階と、
    (b)前記第2導電型半導体層上に直接酸窒化シリコンのパッシベーション層を形成する段階と、
    (c)前記パッシベーション層上に窒化シリコンの反射防止層を形成する段階と、
    (d)前記第1導電型半導体基板の後方表面上に電極を形成する段階と、
    (e)前記反射防止層及び前記パッシベーション層を通って前記第2導電型半導体層に接続される電極を形成する段階と、を含み、
    前記(b)及び(c)がプラズマ化学気相成長法(PECVD)によって連続的に形成され二重反射膜構造体を形成する、
    二重反射膜構造体を有する太陽電池の製造方法。
  5. 前記第1導電型半導体基板はp型シリコン基板であり、前記第2導電型半導体層はn型エミッタ層である、請求項に記載の方法。
  6. 前記前面電極は前記反射防止層の上部の上への銀(Ag)含有ペーストのスクリーン印刷によって、及び印刷されたペーストを焼成することによって形成され、前記背面電極は前記第1導電型半導体基板上へのアルミニウム(Al)含有ペーストのスクリーン印刷によって、及び印刷されたペーストを焼成することによって形成される、請求項に記載の方法。
JP2008538804A 2005-11-08 2006-10-30 高効率の太陽電池及びその調製方法 Active JP5409007B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2005-0106220 2005-11-08
KR20050106220 2005-11-08
PCT/KR2006/004439 WO2007055484A1 (en) 2005-11-08 2006-10-30 Solar cell of high efficiency and process for preparation of the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009515336A JP2009515336A (ja) 2009-04-09
JP5409007B2 true JP5409007B2 (ja) 2014-02-05

Family

ID=38023440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008538804A Active JP5409007B2 (ja) 2005-11-08 2006-10-30 高効率の太陽電池及びその調製方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20070175508A1 (ja)
EP (1) EP1949450B1 (ja)
JP (1) JP5409007B2 (ja)
KR (1) KR100877817B1 (ja)
CN (2) CN101840962A (ja)
TW (1) TWI368997B (ja)
WO (1) WO2007055484A1 (ja)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100900443B1 (ko) * 2006-11-20 2009-06-01 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그의 제조방법
KR100974220B1 (ko) * 2006-12-13 2010-08-06 엘지전자 주식회사 태양전지
TWI394290B (zh) * 2006-12-18 2013-04-21 Delta Electronics Inc 電激發光裝置及其製造方法
US20080241356A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Jianming Fu Photovoltaic devices manufactured using crystalline silicon thin films on glass
ES2354400T3 (es) 2007-05-07 2011-03-14 Georgia Tech Research Corporation Formación de un contacto posterior de alta calidad con un campo en la superficie posterior local serigrafiada.
US20090126786A1 (en) * 2007-11-13 2009-05-21 Advent Solar, Inc. Selective Emitter and Texture Processes for Back Contact Solar Cells
US20090260685A1 (en) * 2008-04-17 2009-10-22 Daeyong Lee Solar cell and method of manufacturing the same
US20090286349A1 (en) * 2008-05-13 2009-11-19 Georgia Tech Research Corporation Solar cell spin-on based process for simultaneous diffusion and passivation
US7964499B2 (en) * 2008-05-13 2011-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming semiconductor solar cells having front surface electrodes
KR100984701B1 (ko) * 2008-08-01 2010-10-01 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
AU2010213356B2 (en) 2009-02-11 2015-05-28 Newsouth Innovations Pty Limited Photovoltaic device structure and method
JP5334645B2 (ja) * 2009-03-31 2013-11-06 富士フイルム株式会社 可撓性太陽電池モジュール
CN101866956B (zh) * 2009-04-16 2013-02-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种减反射膜及其制备方法
CN102460654A (zh) * 2009-04-17 2012-05-16 转换太阳能股份有限公司 细长太阳能电池和边缘接触
JP5152407B2 (ja) * 2009-04-29 2013-02-27 三菱電機株式会社 太陽電池セルおよびその製造方法
US20100275995A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Calisolar, Inc. Bifacial solar cells with back surface reflector
DE102009025977A1 (de) 2009-06-16 2010-12-23 Q-Cells Se Solarzelle und Herstellungsverfahren einer Solarzelle
KR101303857B1 (ko) * 2009-07-07 2013-09-04 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
EP2293351B1 (en) * 2009-09-07 2017-04-12 Lg Electronics Inc. Solar cell
DE102009044052A1 (de) * 2009-09-18 2011-03-24 Schott Solar Ag Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls
EP2478571A4 (en) * 2009-09-18 2014-03-19 Air Liquide SOLAR CELL WITH ENHANCED PERFORMANCE
US20110094574A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Calisolar Inc. Polarization Resistant Solar Cell Design Using SiCN
KR101155890B1 (ko) * 2009-10-28 2012-06-20 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
TWI514608B (zh) * 2010-01-14 2015-12-21 Dow Global Technologies Llc 具曝露式導電柵格之防溼光伏打裝置
CN102812558B (zh) * 2010-02-09 2015-09-09 陶氏环球技术有限责任公司 具有改善的屏障膜粘附的抗湿光伏器件
KR101113205B1 (ko) * 2010-04-08 2012-02-20 (주)퓨쳐 라이팅 태양전지를 이용한 자전거 거치대
CN101814541B (zh) * 2010-04-09 2012-07-18 上海交通大学 表面分布有金属纳米线的硅太阳电池
KR101579320B1 (ko) * 2010-05-12 2015-12-21 엘지전자 주식회사 태양 전지
KR20120011337A (ko) * 2010-07-19 2012-02-08 삼성전자주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
DE102010060339A1 (de) * 2010-11-04 2012-05-10 Q-Cells Se Solarzelle und Solarzellenherstellungsverfahren
KR101745683B1 (ko) * 2011-01-14 2017-06-09 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
CN102651425B (zh) * 2011-02-25 2015-02-25 昱晶能源科技股份有限公司 太阳能电池的制造方法
CN103022166A (zh) * 2011-09-28 2013-04-03 杭州赛昂电力有限公司 以覆铜铝线为背极的太阳能电池及其生产工艺
GB201209694D0 (en) 2012-05-31 2012-07-18 Dow Corning Passivation of silicon dielectric interface
GB201209693D0 (en) 2012-05-31 2012-07-18 Dow Corning Silicon wafer coated with a passivation layer
CN102683504B (zh) * 2012-06-05 2015-08-05 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 通过离子注入砷改进晶体硅太阳能电池制作工艺的方法
CN102800760A (zh) * 2012-08-29 2012-11-28 英利能源(中国)有限公司 一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法
CN103779430A (zh) * 2012-10-26 2014-05-07 上海比亚迪有限公司 一种晶体硅太阳电池的导电减反射膜和晶体硅太阳电池
CN103107240B (zh) * 2012-12-06 2016-08-03 杭州赛昂电力有限公司 多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法
US9018516B2 (en) 2012-12-19 2015-04-28 Sunpower Corporation Solar cell with silicon oxynitride dielectric layer
TWI513018B (zh) * 2013-06-28 2015-12-11 Mh Gopower Company Ltd 具抗反射層之太陽能電池及其製程方法
US20160155868A1 (en) * 2013-07-25 2016-06-02 Namics Corporation Crystalline silicon solar cell and method for producing same
CN103943718A (zh) * 2014-03-19 2014-07-23 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 一种制备抗pid薄膜的方法
WO2015178305A1 (ja) * 2014-05-23 2015-11-26 シャープ株式会社 光電変換素子及びその製造方法
JP6700654B2 (ja) * 2014-10-21 2020-05-27 シャープ株式会社 ヘテロバックコンタクト型太陽電池とその製造方法
KR102649295B1 (ko) * 2018-05-02 2024-03-18 삼성전자주식회사 광전자 소자 및 이를 포함하는 이미지 센서와 전자 장치
CN109216473B (zh) 2018-07-20 2019-10-11 常州大学 一种晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法
CN113097346A (zh) * 2021-04-20 2021-07-09 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4144094A (en) * 1975-01-06 1979-03-13 Motorola, Inc. Radiation responsive current generating cell and method of forming same
JPS59143372A (ja) * 1983-02-03 1984-08-16 Fuji Xerox Co Ltd 光電変換素子およびその製造方法
JPH0691268B2 (ja) * 1985-03-28 1994-11-14 松下電子工業株式会社 受光素子
DE3536299A1 (de) * 1985-10-11 1987-04-16 Nukem Gmbh Solarzelle aus silizium
DE3725346A1 (de) * 1987-07-30 1989-02-09 Nukem Gmbh Verfahren zur wiederverwendung von silizium-basismaterial einer metall-isolator-halbleiter-(mis)-inversionsschicht-solarzelle
US4927770A (en) * 1988-11-14 1990-05-22 Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia Method of fabricating back surface point contact solar cells
JPH02216874A (ja) * 1989-02-17 1990-08-29 Hitachi Ltd シリコン結晶太陽電池
JP2989923B2 (ja) * 1991-03-25 1999-12-13 京セラ株式会社 太陽電池素子
JP3006266B2 (ja) * 1992-03-10 2000-02-07 トヨタ自動車株式会社 太陽電池素子
JP3722326B2 (ja) 1996-12-20 2005-11-30 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US6380480B1 (en) * 1999-05-18 2002-04-30 Nippon Sheet Glass Co., Ltd Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device
US6518200B2 (en) 2001-06-07 2003-02-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Graded composite layer and method for fabrication thereof
KR100852700B1 (ko) 2002-04-03 2008-08-19 삼성에스디아이 주식회사 고효율 태양전지 및 그 제조 방법
JP2005116740A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Sharp Corp プラズマプロセス装置
JP2004247364A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Hitachi Cable Ltd 結晶系シリコン太陽電池の製造方法
US20050189015A1 (en) * 2003-10-30 2005-09-01 Ajeet Rohatgi Silicon solar cells and methods of fabrication
KR20050087248A (ko) * 2004-02-26 2005-08-31 삼성에스디아이 주식회사 이층 반사방지막을 사용하는 태양전지 및 그 제조방법
JP4535767B2 (ja) * 2004-04-26 2010-09-01 京セラ株式会社 光電変換装置およびその製造方法ならびに光発電装置
US20060130891A1 (en) * 2004-10-29 2006-06-22 Carlson David E Back-contact photovoltaic cells

Also Published As

Publication number Publication date
CN101305472B (zh) 2011-07-13
TWI368997B (en) 2012-07-21
WO2007055484A1 (en) 2007-05-18
KR20070049555A (ko) 2007-05-11
CN101840962A (zh) 2010-09-22
EP1949450A4 (en) 2012-08-01
KR100877817B1 (ko) 2009-01-12
US20070175508A1 (en) 2007-08-02
TW200723553A (en) 2007-06-16
EP1949450B1 (en) 2015-01-21
EP1949450A1 (en) 2008-07-30
CN101305472A (zh) 2008-11-12
JP2009515336A (ja) 2009-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5409007B2 (ja) 高効率の太陽電池及びその調製方法
KR100976454B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101000064B1 (ko) 이종접합 태양전지 및 그 제조방법
TWI398004B (zh) 太陽能電池及其製備方法
KR100974226B1 (ko) 유전체를 이용한 태양전지의 후면 반사막 및 패시베이션층형성
JP3998619B2 (ja) 光起電力素子およびその製造方法
KR101860919B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
JP2008021993A (ja) 全背面接点構成を含む光起電力デバイス及び関連する方法
WO2010064303A1 (ja) 太陽電池セルの製造方法
JP3205613U (ja) ヘテロ接合太陽電池構造
US20100126569A1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101886818B1 (ko) 이종 접합 실리콘 태양 전지의 제조 방법
TWI424582B (zh) 太陽能電池的製造方法
KR101076611B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
JP2023507176A (ja) 両面タンデム太陽電池とモジュール
KR20090075421A (ko) 태양 전지
KR102405082B1 (ko) 저온 소성 도전성 페이스트를 이용한 태양전지의 전극 제조 방법
KR101622088B1 (ko) 태양전지
KR101155890B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101898996B1 (ko) 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지
JP5645734B2 (ja) 太陽電池素子
CN117321776A (zh) 多结太阳能电池
KR101322628B1 (ko) 태양전지의 후면반사막 형성방법, 이를 포함하는후면전극부 형성방법 및 태양전지의 제조방법
KR20160097919A (ko) 태양 전지
KR101612959B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20090402

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091030

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120619

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120913

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130402

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130802

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20130912

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131008

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5409007

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250