JP5229267B2 - 電子装置 - Google Patents
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 270
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 46
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
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- H01L2924/014—Solder alloys
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description
一面にランドが形成された配線基板と、
ランドに対応して、外部接続用の電極が形成された電子部品と、
ランドと電極とを接続するはんだ接続部と、を備え、
電子部品が配線基板に表面実装されてなる電子装置であって、
配線基板は、一端がランドに開口し、他端が一面の裏面に開口するとともに、壁面に壁面導体部が形成された貫通孔を有し、
ランドは、貫通孔の一端が開口され、壁面導体部と接続された孔ありランドを含み、
孔ありランドと電極とを接続するはんだ接続部は、貫通孔内に配置されて壁面導体部に接続された孔内はんだ接続部と、一体的に形成されており、
電子部品は、配線基板との対向面に、最外周に位置し、環状に配置された複数の電極からなる環状部と、該環状部の内周よりも内側に配置された複数の電極からなる内周部を有し、
対向面に配置された複数の電極は格子状に配列され、
孔ありランドに対応する電極は、電子部品に構成された回路と電気的に接続されており、
対向面に配置された複数の電極に対応する複数のランドとして、孔ありランドとともに、貫通孔のない孔なしランドを含み、
孔なしランドのほうが、孔ありランドよりも多くされるとともに、内周部の電極に対応するランドのほうが、環状部の電極に対応するランドよりも、孔ありランドを多く含むことを特徴とする。
偶数個の孔ありランドが、配線基板の一面に投影した電子部品の投影部位の中心を通り、一面に沿いつつ互いに直交する2軸それぞれに対して線対称となり、且つ、上記2軸に対して貫通孔の開口部位も線対称となるように配置されることが好ましい。
(第1実施形態)
図3は、第1実施形態に係る電子装置の概略構成を示す断面図であり、図1及び図2のIII−III線に沿う断面に対応している。図1及び図3では、ソルダレジストなどの保護層から露出する電極部分のみを、電極21として示している。同様に、図2及び図3では、ソルダレジストなどの保護層から露出するランド部分のみを、ランド31として示している。また、図4では、図3の破線IVで囲まれた部分の拡大断面図を示すとともに、該断面に対応する配線基板30の平面図を、紙面上側に併せて示している。
本実施形態における電子装置10では、電子部品20の矩形状をなす対向面20a四隅の電極21に対応するランド31の少なくとも1つが、孔ありランド31aとなっている点を特徴とする。
本実施形態における電子装置10では、はんだ接続部40を介して接続された孔ありランド31a及び電極21において、はんだ接続部40との接続面積(接触面積)は、孔ありランド31aのほうが電極21よりも小さい点を特徴とする。
本実施形態における電子装置10では、はんだ接続部40を介して接続された孔ありランド31a及び電極21において、配線基板30の電子部品搭載面30aに投影した電極21の投影部位21aの中心と、孔ありランド31aの中心と、孔ありランド31aにおける貫通孔32の開口部位の中心とが、互いに一致する点を特徴とする。
上記した各実施形態では、電子部品20として、配線基板30との対向面20aに、最外周に位置し、環状に配置された複数の電極21からなる環状部(第1矩形環状部が相当)と、該環状部の内周よりも内側に配置された複数の電極21からなる内周部を有する構成の電子部品20、より具体的には、複数の電極21が格子状に配列されたグリッドアレイ型パッケージの例を示した。別の言い方をすれば、電子部品20の対向面20aと配線基板30の電子部品搭載面30aとの対向領域内に、はんだ接続部40が位置する構成の例を示した。
第5実施形態に示した構成の電子装置10に対し、本実施形態では、図10に示すように、配線基板30の電子部品搭載面30aに投影した電極21の投影部位21a内に、孔ありランド31aにおける貫通孔32の開口部位が位置している。
本実施形態では、図11に示すように、配線基板30が偶数個の孔ありランド31aを有し、偶数個の孔ありランド31aが、配線基板30の電子部品搭載面30aに投影した電子部品20の投影部位20bの中心C1を通り、電子部品搭載面30aに沿いつつ互いに直交する2軸A1,A2それぞれに対して線対称の配置となっている。さらに、上記2軸A1,A2に対して貫通孔32の開口部位も線対称の配置となっている点を特徴とする。
本実施形態では、第5実施形態で示した、両端部に電極21をそれぞれ有する電子部品20について電子部品20の位置ずれを抑制する構成を示す。
本実施形態では、電子部品20を製造する際のスクリーン印刷に特徴がある。具体的には、図14に示すように、印刷工程において、孔ありランド31aに対応する転写部位51aが孔ありランド31aよりも大きいスクリーン50を用いて、はんだペースト42を配線基板30の電子部品搭載面30a上に塗布することを特徴とする。
20・・・電子部品
21・・・電極
21a・・・投影部位
30・・・配線基板
31・・・ランド
31a・・・孔ありランド
31b・・・孔なしランド
32・・・貫通孔
33・・・壁面導体部
40・・・はんだ接続部
41・・・孔内はんだ接続部
42・・・はんだペースト
43・・・はんだボール
Claims (6)
- 一面にランドが形成された配線基板と、
前記ランドに対応して、外部接続用の電極が形成された電子部品と、
前記ランドと前記電極とを接続するはんだ接続部と、を備え、
前記電子部品が前記配線基板に表面実装されてなる電子装置であって、
前記配線基板は、一端が前記ランドに開口し、他端が前記一面の裏面に開口するとともに、壁面に壁面導体部が形成された貫通孔を有し、
前記ランドは、前記貫通孔の一端が開口され、前記壁面導体部と接続された孔ありランドを含み、
前記孔ありランドと前記電極とを接続するはんだ接続部は、前記貫通孔内に配置されて前記壁面導体部に接続された孔内はんだ接続部と、一体的に形成されており、
前記電子部品は、前記配線基板との対向面に、最外周に位置し、環状に配置された複数の前記電極からなる環状部と、該環状部の内周よりも内側に配置された複数の前記電極からなる内周部を有し、
前記対向面に配置された複数の電極は格子状に配列され、
前記孔ありランドに対応する電極は、前記電子部品に構成された回路と電気的に接続されており、
前記対向面に配置された複数の電極に対応する複数の前記ランドとして、前記孔ありランドとともに、前記貫通孔のない孔なしランドを含み、
前記孔なしランドのほうが、前記孔ありランドよりも多くされるとともに、前記内周部の電極に対応する前記ランドのほうが、前記環状部の電極に対応する前記ランドよりも、前記孔ありランドを多く含むことを特徴とする電子装置。 - 前記はんだ接続部を介して接続された前記孔ありランド及び前記電極において、前記配線基板の一面に投影した前記電極の投影部位の中心と、前記孔ありランドの中心と、前記孔ありランドにおける貫通孔の開口部位の中心とが、互いに一致していることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 前記電子部品の対向面は矩形状をなし、
前記対向面四隅の電極に対応する前記ランドの少なくとも1つが、前記孔ありランドとされていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 - 前記はんだ接続部を介して接続された前記孔ありランド及び前記電極において、前記はんだ接続部との接続面積は、前記孔ありランドのほうが前記電極よりも小さいことを特徴とする請求項1〜3いずれか1項に記載の電子装置。
- 前記はんだ接続部を介して接続された前記孔ありランド及び前記電極において、前記配線基板の一面に投影した前記電極の投影部位内に、前記孔ありランドにおける貫通孔の開口部位が位置していることを特徴とする請求項4に記載の電子装置。
- 前記配線基板は、偶数個の前記孔ありランドを有し、
偶数個の前記孔ありランドは、前記配線基板の一面に投影した前記電子部品の投影部位の中心を通り、前記一面に沿いつつ互いに直交する2軸それぞれに対して線対称となり、且つ、前記2軸に対して前記貫通孔の開口部位も線対称となるように配置されていることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載の電子装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010106586A JP5229267B2 (ja) | 2010-05-06 | 2010-05-06 | 電子装置 |
DE102011017543.1A DE102011017543B4 (de) | 2010-05-06 | 2011-04-26 | Elektronische Vorrichtung und Verdrahtungsplatine |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010106586A JP5229267B2 (ja) | 2010-05-06 | 2010-05-06 | 電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011238662A JP2011238662A (ja) | 2011-11-24 |
JP5229267B2 true JP5229267B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=44803186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010106586A Active JP5229267B2 (ja) | 2010-05-06 | 2010-05-06 | 電子装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5229267B2 (ja) |
DE (1) | DE102011017543B4 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5980634B2 (ja) | 2012-09-14 | 2016-08-31 | 富士通コンポーネント株式会社 | プリント基板 |
JP6487286B2 (ja) * | 2015-07-07 | 2019-03-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 配線基板 |
CN118250897A (zh) * | 2024-05-29 | 2024-06-25 | 苏州元脑智能科技有限公司 | 一种焊盘阵列、印刷线路板及其制造方法、板卡、服务器及芯片 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06112640A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Sony Corp | 回路基板 |
JP2916086B2 (ja) * | 1994-10-28 | 1999-07-05 | 株式会社日立製作所 | 電子部品の実装方法 |
JPH11111771A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板の接続方法、キャリア基板および配線基板 |
US20050173152A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-08-11 | Post Scott E. | Circuit board surface mount package |
JP2008288356A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Fdk Corp | プリント基板およびモジュール構造体 |
JP5078683B2 (ja) | 2008-03-11 | 2012-11-21 | パナソニック株式会社 | プリント基板、及び表面実装デバイスの実装構造体 |
JP2009283561A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 電子装置 |
-
2010
- 2010-05-06 JP JP2010106586A patent/JP5229267B2/ja active Active
-
2011
- 2011-04-26 DE DE102011017543.1A patent/DE102011017543B4/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102011017543A9 (de) | 2012-02-02 |
JP2011238662A (ja) | 2011-11-24 |
DE102011017543A1 (de) | 2011-11-10 |
DE102011017543B4 (de) | 2021-04-01 |
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