JP4891199B2 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4891199B2 JP4891199B2 JP2007291866A JP2007291866A JP4891199B2 JP 4891199 B2 JP4891199 B2 JP 4891199B2 JP 2007291866 A JP2007291866 A JP 2007291866A JP 2007291866 A JP2007291866 A JP 2007291866A JP 4891199 B2 JP4891199 B2 JP 4891199B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pod
- storage container
- loading
- opening
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 98
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 84
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 199
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 115
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 29
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 163
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 61
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 29
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67775—Docking arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
- H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67769—Storage means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
- H01L21/67781—Batch transfer of wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)を作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に絶縁膜、金属膜、半導体膜等の薄膜を形成したり不純物を拡散したりするバッチ式縦形拡散・CVD装置に利用して有効なものに関する。
従来の収納容器には、オープンカセットと、FOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)とがある。オープンカセットは略立方体の箱形状に形成されており、対向する一対の面が開口されている。ポッドは略立方体の箱形状に形成されており、一つの面が開口されているとともに、該開口面にドアが着脱自在に装着されている。
ポッドはウエハを密閉した状態で搬送する。したがって、ポッド周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していても、ポッド内のウエハは清浄度を維持することができる。このため、バッチ式CVD装置が設置されるクリーンルーム内は、清浄度をあまり高く設定する必要がない。その結果、クリーンルームの清浄度の維持に要するコストを低減することができる。
そこで、最近のバッチ式CVD装置においては、ポッドを収納容器に採用している。
ポッドオープナはドアを装着したり外したりしてポッドのウエハ出し入れ口を開閉する。マッピング装置はポッド内のウエハを検出することにより、ウエハが各ウエハ保持溝(スロット)にそれぞれ保持されているか否かを検出する。
搬入搬出部においてポッドのドアを装着したり外したりするためには、搬入搬出部に退避可能なポッドオープナを設ける構成を考えることができる。すなわち、筐体外からポッドを筐体内に搬入したり、ポッドを筐体内から筐体外へ搬出したりする際には、ポッドオープナを搬入搬出部から退避させることにより、ポッドを搬入させたり搬出させたりする通路を確保する。
しかしながら、この構成においては、ポッドオープナを搬入搬出部から退避させるため、バッチ式CVD装置が複雑になるという問題点がある。
複数の基板を収納し基板出し入れ口が蓋体によって塞がれる収納容器と、
筐体内と外との間で該収納容器の搬入搬出が行われる搬入搬出部と、
該搬入搬出部で前記収納容器を載置する載置部と、
前記筐体内に設けられ、前記収納容器を保管する保管室と、
前記載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口の開閉を行う開閉装置と、
前記収納容器下面を保持する保持機構を有し、前記開閉装置の上方を経由して前記保管室内と外との間で、該保持機構によって保持した前記収納容器を搬送する搬送装置と、
前記開閉装置が前記収納容器の開閉を行う際における前記載置部の高さ位置と、前記搬送装置が前記収納容器の授受を行う高さ位置との間で、前記載置部の昇降を行う昇降機構と、
を備える基板処理装置。
ポッド2は略立方体の箱形状に形成されており、図3に示されているように、ポッド2の一つの側壁にはウエハ出し入れ口3が開設されている。ウエハ出し入れ口3には、これを閉塞する蓋体としてのドア4が装着したり外したりすることができるように装着されている。ポッド2の下面には複数個の位置決め穴5が没設されている。
メイン筐体11の正面壁11aはメイン筐体11内外を区画する区画壁を構成している。この正面壁11aの中間高さには、メイン筐体11内外を連通させたポッド搬入搬出口12が開設されている。ポッド搬入搬出口12はポッド2を搬入したり、ポッド2を搬出したりする。フロントシャッタ13はポッド搬入搬出口12を閉じたり開いたりする。
ポッド2はロードポート14上にバッチ式CVD装置外(筐体外)にある工程内搬送装置(工程間搬送装置ともいう。)によって搬入され、かつまた、ロードポート14上から搬出される。
工程内搬送装置としては、図1に示された床走行型構内搬送車(以下、AGVという。)9、図8に示された天井走行型構内搬送装置(後述する)等、があり、いずれのものも適用することができる。
なお、ボックス14Aとメイン筐体11とは、バッチ式CVD装置の筐体を構成している。
図1に示されているように、ボックス14A内には後記するコントローラ77が設置されている。
ポッドエレベータ15は、昇降駆動装置16と、昇降駆動装置16によって昇降されるシャフト17と、を備えいる。シャフト17上端に水平に設置された保持台(収納容器載置部)18と、収納容器位置決め手段(収納容器位置決め具ともいう。)としての複数個の受けキネマティックピン19とはポットエレベータ15に連結されている。複数本のキネマティックピン19は保持台18上面に突設されており、ポッド2下面に形成された各位置決め穴5にそれぞれ嵌入することにより、ポッド2を保持台18に位置決めする。ポッドエレベータ15は、ポッド2を保持台18によって下から支持するとともに、受けキネマティックピン19をポッド2の位置決め穴5に嵌入させた状態で、ポッド2を昇降させる。
つまり、保持台18はポッド2下面を保持する保持部を構成しているとともに、ポッド載置部を構成している。
図1に示されているように、密閉筐体21には窒素ガス供給ライン21Aの一端および排気ライン21Bの一端がそれぞれ接続されている。窒素ガス供給ライン21Aの他端は窒素ガス供給装置21A’に接続されており、排気ライン21Bの他端は排気装置21B’に接続されている。窒素ガス供給ライン21Aはロードロック室20内に窒素ガスを供給する。排気ライン21Bはロードロック室20内を排気する。
なお、コントローラ77は窒素ガス供給装置21A’および排気装置21B’を制御する。
ロードロック室20内には収納容器蓋体開閉部(開閉装置ともいう。)としてのポッドオープナ23が設置されている。ポッドオープナ23はロードポート14に載置されたポッド2のウエハ出し入れ口3および正面壁11aのドア出し入れ口22を開いたり閉じたりする。
ポッドオープナ23は移動台25とクロージャ26とを備えている。移動台25はドア出し入れ口22に対して前後(垂直方向)および上下(平行方向)に移動する。蓋体保持部としてのクロージャ26は移動台25によって移動される。クロージャ26はドア4を保持することができるとともに、ドア出し入れ口22を塞ぐことができる。
つまり、ドア4を保持した状態のクロージャ26を移動台25が前後および上下に移動させることにより、ポッドオープナ23はポッド2のウエハ出し入れ口3およびドア出し入れ口22を開いたり閉じたりする。
マッピング装置27は駆動源であるリニアアクチュエータ28と、ホルダ29と、複数の検出子30とを備えている。ホルダ29はリニアアクチュエータ28によってポッド2のウエハ出し入れ口3に対して前後方向に移動される。複数の検出子30はホルダ29に保持されている。
マッピング装置27はポッド2内のウエハ1を各検出子30によってそれぞれ検出する。これにより、マッピング装置27はポッド2内の複数のスロットにウエハ1がそれぞれ1枚ずつ保持されているか否かを検出する。
回転式ポッド棚31は支柱32と複数枚の棚板33とを備えている。支柱32は垂直に立設されており、水平面内で間欠回転される。複数枚の棚板33は支柱32に上中下段の各位置において放射状に支持される。複数枚の棚板33は複数個のポッド2をそれぞれ載置することができる。
棚板33の上面には複数個の受けキネマティックピン34が突設されており、受けキネマティックピン34はポッド2の位置決め穴5に嵌入することができる。
ポッド搬送装置35は収納容器昇降機構としてのポッドエレベータ35aと、収納容器搬送機構としてのポッド搬送機構35bとによって構成されている。ポッド搬送機構35bは、ポッドの下面を保持する保持部(保持機構ともいう。)を有している。
ポッド搬送装置35はポッドエレベータ35aとポッド搬送機構35bとの連続動作により、保持台18と、回転式ポッド棚31と、後に詳述するポッドオープナ42の載置台43との間でポッド2を搬送する。
サブ筐体40の正面壁40aには一対のウエハ搬入搬出口41、41が垂直方向で上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口41、41にはポッドオープナ42、42がそれぞれ設置されている。ウエハ搬入搬出口41はウエハ1をサブ筐体40内に対して搬入したり、サブ筐体40から搬出することができる。
ポッドオープナ42はポッド2を載置する載置台43と、ポッド2のドア4を着脱する着脱機構44とを備えている。載置台43に載置されたポッド2のドア4を着脱機構44によって装着したり外したりすることにより、ポッドオープナ42はポッド2のウエハ出し入れ口3を開閉する。
予備室45の前側領域にはウエハ移載機構46が設置されている。ウエハ移載機構46はウエハ移載装置46aとウエハ移載装置エレベータ46bとツィーザ46cとを備えている。ツィーザ46cはウエハ1の載置部を構成している。ウエハ移載装置46aはウエハ1を保持したツィーザ46cを水平面内において回転ないし直進させる。ウエハ移載装置エレベータ46bは予備室45内の前方領域右端部に設置されている。ウエハ移載装置エレベータ46bはウエハ移載装置46aを昇降させる。
ウエハ移載機構46はツィーザ46cで保持したウエハ1をウエハ移載装置エレベータ46bおよびウエハ移載装置46aの連続動作によって、ポッド2からボート(基板保持具)47へ搬送し、搬送したウエハ1をボート47に装填(チャージング)する。
また、ウエハ移載機構46はボート47のウエハ1をツィーザ46cで保持することによりボート47から脱装(ディスチャージング)し、ボート47からポッド2へ搬送して、ポッド2に戻す。
コントローラ77は、ロードポート14、ポッドエレベータ15、ポッドオープナ23、マッピング装置27、回転式ポッド棚31、ポッド搬送装置35、ポッドオープナ42、ウエハ移載機構46等のバッチ式CVD装置内のすべての動作を制御する。
ボートエレベータ48の昇降台に連結された連結具としてのアーム49には、シールキャップ50が水平に据え付けられている。シールキャップ50はボート47を垂直に支持し、後記する処理炉51の下端部を閉塞することができる。
ボート47は複数本の保持部材を備えている。ボート47は複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ1をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持する。
また、ウエハ移載装置46aとクリーンユニットとの間にはノッチ合わせ装置が設置されている。ノッチ合わせ装置はウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置を構成している。
クリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置46aおよびボート47に流通された後に、図示しないダクトによって吸い込まれる。吸い込まれたクリーンエアは、メイン筐体11の外部に排気がなされるか、もしくは、クリーンユニットの吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環されて再びクリーンユニットによって予備室45内に吹き出されるか、する。
図4に示されているように、処理炉51は加熱機構としてのヒータ52を有する。
ヒータ52は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース53に支持されることにより垂直に据え付けられている。
アウタチューブ55は、例えば石英(SiO2 )または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料から形成されている。アウタチューブ55は、内径がインナチューブ56の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウタチューブ55はインナチューブ56と同心円状に設けられている。
インナチューブ56は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料から形成されている。インナチューブ56は上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ56の筒中空部は処理室57を形成している。処理室57は、ウエハ1を水平姿勢で垂直方向に多段に整列させて保持したボート47を収容することができる。
アウタチューブ55とインナチューブ56との隙間は筒状空間58を形成している。
マニホールド59がヒータベース53に支持されることにより、プロセスチューブ54は垂直に据え付けられた状態となっている。
プロセスチューブ54およびマニホールド59は反応容器を形成する。
なお、マニホールド59とアウタチューブ55との間には、シール部材としてのOリング59aが設けられている。
ガス供給管61にはノズル60との接続側と反対側(上流側)に、MFC(マスフローコントローラ)62を介してガス供給源63が接続されている。MFC62はガス流量制御器を構成する。ガス供給源63は処理ガス、不活性ガス等の所望のガスを供給する。
MFC62にはガス流量制御部64が電気配線Cによって電気的に接続されており、ガス流量制御部64は供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングをもって、MFC62を制御する。
排気管65にはマニホールド59との接続側と反対側(下流側)に、圧力センサ66および圧力調整装置67を介して排気装置68が接続されている。圧力センサ66は圧力検出器を構成する。排気装置68は真空ポンプ等によって構成されている。圧力センサ66、圧力調整装置67および排気装置68は処理室57内を、その圧力が所定の圧力(真空度)となるように排気する。
圧力調整装置67および圧力センサ66には圧力制御部69が電気配線Bによって電気的に接続されている。圧力制御部69は圧力調整装置67を、圧力センサ66により検出された圧力に基づいて処理室57内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて、制御する。
シールキャップ50は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ50の上面にはシール部材としてのOリング50aが設けられている。Oリング50aはマニホールド59の下端と当接する
シールキャップ50には処理室57と反対側に、ボートを回転させる回転機構70が設置されている。回転機構70の回転軸71はシールキャップ50を貫通して、ボート47に接続されている。回転軸71はボート47を回転させることにより、ウエハ1を回転させる。
回転機構70およびボートエレベータ48には駆動制御部72が電気配線Aによって電気的に接続されている。駆動制御部72は回転機構70およびボートエレベータ48を、所望の動作をするように所望のタイミングにて制御する。
なお、ボート47の下部には複数枚の断熱板73が水平姿勢で多段に配置されている。断熱板73は例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料が使用されて、円板形状に形成されている。断熱板73は断熱部材を構成している。複数枚の断熱板73はヒータ52からの熱がマニホールド59側に伝わり難くさせる。
温度制御部75は温度センサ74により検出された温度情報に基づきヒータ52への通電具合を調整することにより、処理室57内の温度が所望の温度分布となるようにヒータ52を所望のタイミングにて制御する。
ガス流量制御部64、圧力制御部69、駆動制御部72、温度制御部75および主制御部76は、コントローラ77を構成している。
なお、以下の説明において、バッチ式CVD装置を構成する各部の作動は、コントローラ77により制御される。
このとき、保持台18の受けキネマティックピン19がポッド2の下面の位置決め穴5に嵌入されることにより、ポッド2は保持台18に位置決めされた状態になる。
クロージャ26はドア4を保持すると、移動台25の後退によってドア4をウエハ出し入れ口3から取り外す(脱装し)。
その後に、図5(b)に示されているように、クロージャ26はロードロック室20内を移動台25の下降によってウエハ出し入れ口3の位置から離脱する。
ウエハ出し入れ口3が開放されると、図5(b)に示されているように、マッピング装置27のホルダ29がリニアアクチュエータ28によってウエハ出し入れ口3に挿入される。マッピング装置27の検出子30はポッド2内のウエハ1をマッピングする。
ホルダ29が待機位置に復帰されると、クロージャ26は移動台25の上昇によってウエハ出し入れ口3の位置に移動される。
その後に、図5(a)に示されているように、クロージャ26は移動台25の前進によってドア4をウエハ出し入れ口3に取り付ける(装着する)。
このように、マッピング装置27によって読み取ったマッピング情報と予め提供されたマッピング情報との相違が発見されたポッド2をロードポート14から直ちに送り返すことにより、メイン筐体11内、特に載置台43や回転式ポッド棚31までポッド2を搬入した後に搬入搬出部に戻してから送り返す場合に比べて、大幅にステップを少なくすることができる。惹いては、ボート47へのウエハ載置時間の増大およびウエハ処理スタート待機時間の増大を抑制することができる。
具体的には保持台18は、密閉筐体21より上方であって、ポッド搬送機構35bによってポッド2を下側から掬い取ることができる高さまで、上昇される。
ポッド2がポッド搬入搬出口12の高さまで上昇されると、ポッド搬入搬出口12はフロントシャッタ13によって開放される。
続いて、ポッド搬送機構35bがポッド搬入搬出口12を潜り、図6に示されているように、保持台18によって支持されたポッド2は、ポッド搬送装置35のポッド搬送機構35bによって下側から掬い取られる。つまり、保持台18とポッド搬送機構との間でポッド2は受け渡される。
ポッド搬送機構35bによって掬い取られたポッド2は、ポッド搬入搬出口12からメインメイン筐体11内に搬入される。つまり、ポッド搬送機構によってポッド2はポッドオープナ23や、密閉筐体21の上方を経由してメイン筐体11外から内に搬入される。なお、ポッドオープナ23や、密閉筐体21を跨いでメイン筐体11外から内に搬入されるとも言える。
図1および図2に示されているように、搬入されたポッド2は回転式ポッド棚31の指定された棚板33へポッド搬送装置35によって自動的に搬送されて受け渡される。
このとき、棚板33の受けキネマティックピン34がポッド2の下面の位置決め穴5に嵌入されることにより、ポッド2は棚板33に位置決め保持された状態になる。
その後に、ポッド2は棚板33から一方のポッドオープナ42にポッド搬送装置35によって搬送されて載置台43に移載される。
この際、ポッドオープナ42のウエハ搬入搬出口41は着脱機構44によって閉じられており、予備室45にはクリーンエアが流通されて充満されている。
予備室45にはクリーンエアとして窒素ガスが充満している。この状態で、予備室45の酸素濃度は、例えば20ppm以下と、メイン筐体11の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遥かに低くなっている。
なお、ポッド搬入搬出口12からメイン筐体11内に搬送機構35bによって搬入されたポッド2が、ウエハ搬入搬出口41に設置されたポッドオープナ42に直接的に搬送される場合もある。
この際には、ロードポート14において既にマッピングされているため、ポッド2内のウエハ1群についてのマッピングは省略することができる。
ポッド2がポッドオープナ42によって開放されると、ウエハ移載装置46aはツィーザ46cによってウエハ1をウエハ出し入れ口3を通じてポッド2からピックアップする。ウエハ1をツィーザ46cによってピックアップすると、ウエハ移載装置46aはウエハ1をノッチ合わせ装置(図示せず)に搬送する。ノッチ合わせ装置はウエハ1を位置合わせする。位置合わせ後に、ウエハ移載装置46はツィーザ46cによってウエハ1をノッチ合わせ装置からピックアップし、ボート47に搬送する。ウエハ移載装置46は搬送したウエハ1をボート47に装填(チャージング)する。
ボート47にウエハ1を受け渡したウエハ移載装置46aはポッド2に戻り、次のウエハ1をボート47に装填する。
続いて、ウエハ1群を保持したボート47は、シールキャップ50がボートエレベータ48によって上昇されることにより、処理炉51内へ搬入(ボートローディング)されて行く。
なお、以下の説明において、処理炉51を構成する各部の動作はコントローラ77により制御される。
この状態で、シールキャップ50はOリング50aを介してマニホールド59の下端をシールした状態となる。
また、処理室57内は所望の温度となるようにヒータ52によって加熱される。この際、処理室57内が所望の温度分布となるように、温度センサ74が検出した温度情報に基づきヒータ52への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構70によってボート47が回転されることにより、ウエハ1が回転される。
導入されたガスは処理室57内を上昇し、インナチューブ56の上端開口から筒状空間58に流出して排気管65から排出する。
ガスは処理室57内を通過する際にウエハ1の表面と接触する。この際に、ウエハ1の表面上に薄膜が熱CVD反応によって堆積(デポジション)される。
所定枚数の処理済みウエハ1が収納されると、ポッド2のウエハ出し入れ口3にはドア4がポッドオープナ42によって装着される。
ポッド2は一時的に保管される。その後に、フロントシャッタ13が開くと、ポッド搬送装置35はポッド2を棚板33からポッド搬入搬出口12に搬送し、ポッドエレベータ15の保持台18上にポッド搬入搬出口12を潜らされて受け渡す。
なお、処理済みウエハ1を収納したポッド2がポッドオープナ42からポッド搬入搬出口12へ、ポッド搬送装置35によって直接的に搬送される場合もある。
ロードポート14上に下降されたポッド2は所定の工程へ、工程内搬送装置、例えば、図1に示されたAGV9によって搬送されて行く。
その点、ロードポートの上方にポッド搬入搬出口を設けるとともに、ポッドを下から保持する保持台をロードポートとポッド搬入搬出口との間で昇降させるポッドエレベータを設置することにより、ポッド搬送装置によりポッドを下側から掬い取れるため、ポッドの上部を掴んでハンドリングする場合に比べて、ハンドリング構造を簡単かつ小型に構成することができる。したがって、CVD装置の小型軽量化、単純化、高速化、安全化およびスペースの活用化を図ることができる。
すなわち、図7に示されているように、ロードポート14は予備室45を形成するサブ筐体40の正面壁(区画壁)40aに設置されており、この正面壁40aにはポッドオープナ83が設置されている。ポッドオープナ83のロードロック室80を形成した密閉筐体81の背面壁81aには、ウエハ搬入搬出口91が開設されているとともに、このウエハ搬入搬出口91を開閉するドア機構92が設置されている。
予備室45内に設置されたウエハ移載機構46は、基板搬送装置を構成している。ドア機構92がウエハ搬入搬出口91を開放した際に、ウエハ移載機構46はポッド2とボート47との間でウエハ1を搬送する。
ボートエレベータ48はボート47を予備室45に隣接した処理炉51の処理室57に搬入したり、ボート47を処理室51から搬出したりする。
予備室45の天井面に隣接した保管室11bには、保管棚31Aとポッド搬送装置35とが設置されている。
メイン筐体11の正面壁11aにおいて保管室11bに面した部位にはポッド搬入搬出口12が開設されている。フロントシャッタ13はポッド搬入搬出口12を開けたり、閉じたりする。
第一実施形態のポッドオープナ42と同様に、ロードロック室80にはマッピング装置84が設置されている。マッピング装置84はドア出し入れ口82に対して前後(垂直方向)および上下(平行方向)に移動することができる。
なお、コントローラ77は以下の作動を制御する。
このとき、保持台18に突設されている受けキネマティックピン19がポッド2の下面の位置決め穴5に嵌入されることにより、ポッド2は保持台18に位置決めされた状態になる。
ドア4を保持すると、クロージャ86は移動台85の後退によってドア4をウエハ出し入れ口3およびドア出し入れ口82から取り外す。その後に、クロージャ86はロードロック室80内を移動台85によって下降され、ウエハ出し入れ口3およびドア出し入れ口82の位置から離脱する。
ウエハ出し入れ口3が開放されると、マッピング装置84の検出子がウエハ出し入れ口3に挿入される(図5(b)参照)。マッピング装置84は検出子によってポッド2内のウエハ1をマッピングする。
その後、クロージャ86は移動台85の上昇に伴ってウエハ出し入れ口3の位置に移動される。その後に、クロージャ86は移動台85の前進によってドア4をウエハ出し入れ口3およびドア出し入れ口82に取り付ける。
ポッド2がポッド搬入搬出口12の高さまで上昇されると、フロントシャッタ13はポッド搬入搬出口12を開放する。
続いて、ポッド搬送装置35のポッド搬送機構35bは保持台18によって支持されたポッド2を掬い取る。
ポッド搬送機構35bは掬い取ったポッド2をポッド搬入搬出口12からメイン筐体11内に搬入する。
ポッド搬送装置35は搬入したポッド2を保管棚31Aに搬送し、指定された棚板33Aへ自動的に受け渡す。
その後に、前述とは逆の手順で、ポッド搬送装置35およびポッドエレベータ15はポッド2を保管棚31Aからロードポート14へ搬送する。
この際、予備室45にはクリーンエアが流通されて充満されている。
ドア4を保持すると、クロージャ86は移動台85の後退によってドア4をウエハ出し入れ口3から取り外す。その後に、クロージャ86はロードロック室80内を移動台85によって下降され、ウエハ出し入れ口3およびドア出し入れ口82の位置から離脱する。
ウエハ出し入れ口3が開放されると、ウエハ搬入搬出口91がドア機構92によって開放される。
この際には、ポッド内のウエハのマッピングは既に済んでいるので、省略することができる。
ボート47にウエハ1を受け渡したウエハ移載装置46aはポッド2に戻り、次のウエハ1をボート47に装填する。
なお、保管棚31Aでポッド2を一時的に保管するステップを行わずに、ウエハ1をポッド2からウエハ移載装置46aはツィーザ46cによって直接的に搬送してもよい。すなわち、マッピングが完了し、マッピング装置の検出子がウエハ出し入れ口3から元の待機位置に復帰された後、もしくは、マッピング中にウエハ搬入搬出口91を開放させる。ウエハ移載装置46aはウエハ搬入搬出口91にツィーザ46cを挿入してウエハ1をポッド2からピックアップする。
すなわち、図8に示されているように、ポッドの上部を掴んでハンドリングするポッド搬送装置(以下、掴み式ポッド搬送装置という。)100は、予備室45の天井面に隣接した保管室11bに保管棚31Aと共に設置されている。
掴み式ポッド搬送装置100はポッドエレベータ101と、ポッドエレベータ101によって昇降されるポッド搬送機構102と、ポッド搬送機構102によって移動されるクリップ部103とを備えている。グリップ部103は、伸び縮みしてポッド2の上面に突設された鍔部6を上からグリップすることができる。
ポッドステージ機構105は、ロードポート14の真上に開設された開口部106を開閉するスライドプレート107を備えている。ポッドステージ機構105は開口部106が開いた状態で、ポッド2を天井開口14Bおよび開口部106を経由してロードポート14の保持台18にOHT110から載置させる。
他方、スライドプレート107が開口部106を閉じた時に、OHT110はポッド2をスライドプレート107(一時保管棚の役目をする)に載置させる。
その後に、スライドプレート107からロードポート14の保持台18にポッド2を載置させる際には、ポッド搬送機構102がポッド2を持ち上げた状態で、ポッドステージ機構105がスライドプレート107をスライドさせて開口部106を開く。続いて、ポッド搬送機構102はポッド2をハンドリングし、ハンドリングした開口部106を通してロードポート14の保持台18に載置する。
なお、ポッド内のウエハをマッピングするマッピングステップ等の他のステップは、前述した第二実施形態と同様であるので、それらのステップの説明は省略する。
このとき、保持台18の受けキネマティックピン19がポッド2の下面の位置決め穴5に嵌入されることにより、ポッド2は保持台18に位置決めされた状態になる。
このマッピングステップにおいて、マッピング装置によって読み取った実際のマッピング情報と、当該ポッド2に関して予め提供されたマッピング情報とが相違した場合には、相違が発見されたポッド2はロードポート14からウエハ編成工程または直前工程等にOHT110によって直ちに搬送される。
続いて、ポッド搬送機構102がグリップ部103をポッド搬入搬出口12を潜らさせてポッド2の真上に移動させる。
次いで、ポッド搬送機構102はグリップ部103を下降させる。クリップ部103は下方に伸長してポッド2の鍔部6を上からグリップする。
ポッド2の鍔部6をグリップすると、グリップ部103が上方に短縮してポッド2を吊り上げるとともに、ポッドエレベータ101がポッド搬送機構102をポッド搬入搬出口12と対応する高さに上昇させる。
ポッド搬送機構102は吊り上げたポッド2をポッド搬入搬出口12からメイン筐体11のポッド保管室11b内に搬入する。
掴み式ポッド搬送装置100は搬入されたポッド2を保管棚31Aに搬送し、指定された棚板33Aへ自動的に受け渡す。
ポッド2は一時的に保管される。
その後、前述とは逆の手順で、掴み式ポッド搬送装置100はポッド2を保管棚31Aからロードポート14へ搬送する。
すなわち、図8に想像線で示されているように、ポッドステージ機構105はスライドプレート107をスライドさせて開口部106を閉じることにより、OHT110のポッド2をスライドプレート107によって受け取る。つまり、スライドプレート107は一時保管棚の役目を果たす。
その後、スライドプレート107からロードポート14の保持台18にポッド2を移す際には、ポッド搬送機構102がポッド2をスライドプレート107から持ち上げた状態で、ポッドステージ機構105はスライドプレート107をスライドさせて開口部106を開く。続いて、ポッド搬送機構102は持ち上げたポッド2を開口部106を通して、ロードポート14の保持台18に載せる。
マッピングステップ中にOHTによってポッドが搬送されて来た場合等においては、ポッドステージ機構が当該ポッドをスライドプレートによってOHTから受け取ることにより、一時的に保管することができる。
本実施形態が前記第一実施形態と異なる点は、ポッド2の鍔部6を掴んで搬送するポッド搬送装置(以下、掴み式ポッド搬送装置という。)200を備えている点である。
すなわち、図9に示されているように、掴み式ポッド搬送装置200は、ポッド保管室11bに設置されている。掴み式ポッド搬送装置200は鍔部6を掴んだ状態で、ポッド搬入搬出口12を経由し、ポッド2を保持台18とポッド保管室11b内との間で搬送することができる。
掴み式ポッド搬送装置200はポッドエレベータ201と、ポッドエレベータ201によって昇降されるポッド搬送機構202と、ポッド搬送機構202によって移動されるグリップ部203と、を備えている。グリップ部203には、水平方向に伸び縮みして鍔部6を掴むタイプと、水平方向に伸び縮みする機構を備えないで、略コの字型で形成されて鍔部に引っ掛けるだけの引っ掛けタイプと、さらに、鉛直方向に伸び縮みする機構を備えるタイプと、がある。
掴み式ポッド搬送装置200はコントローラ77によって制御される。
以下の説明において、コントローラ77は掴み式ポッド搬送装置200、ポッドエレベータ15、フロントシャッタ13等の作動を制御する。
図10(a)に示されているように、ポッドエレベータ15は昇降駆動装置16によってシャフト17を伸長させ、ポッド2を支持した保持台18をポッド2の底面が基準高さ204より高い位置になるまで上昇させる。前述のポッドエレベータ15の動作と同時に、ポッドエレベータ201はグリップ部203の高さが鍔部6の高さと同じ高さとなるように、ポッド搬送機構202、グリップ部203を昇降させる。
なお、基準高さ204はポッド搬入搬入口12(図9参照)の下端の高さであって、少なくとも密閉筐体21の上端の高さ位置以上の高さ位置である。ロードロック室20の上端の高さ位置よりは高い高さ位置である。
フロントシャッタ13はポッド搬入搬出口12を開放する(図9参照)。
図10(b)に示されているように、ポッド搬送機構202が伸長し、ポッド保管室11b内からポッド搬入搬出口12を経由し、メイン筐体11外にあるグリップ部203まで水平移動することにより、グリップ部203を鍔部6の下に替らせる。
図10(c)に示されているように、ポッドエレベータ201がポッド搬送機構202を上昇させると、グリップ部203が保持台18の上からポッド2を吊り上げる。
図10(d)に示されているように、掴み式ポッド搬送装置200はポッド搬送機構202を短縮させて、ポッド2をポッド保管室11b内に搬入させる。
他方、ポッドエレベータ15は昇降駆動装置16によってシャフト17を短縮させて、保持台18をロードポート14上まで下降させる。
その後、掴み式ポッド搬送装置200はポッド2を回転式ポッド棚31に搬送し、それを指定された棚板33に受け渡す。
この第一例によれば、グリップ部203は鍔部6を引っ掛けるだけで済む。したがって、グリップ部203は水平方向および鉛直方向に伸び縮みする機構を必要とせず、その構造および作動がシンプルとなる。その結果、低コスト化、省スペース化や運用時間の短縮化を図ることができる。
図11(a)に示されているように、ポッドエレベータ15は昇降駆動装置16によってシャフト17を伸長させ、ポッド2を支持した保持台18を、ポッドの底面は基準高さ204より下になる位置であって、鍔部6が基準高さ204より上になる位置まで上昇させる。
前述のポッドエレベータ15の動作と同時に、ポッドエレベータ201はグリップ部203の高さが鍔部6の高さと同じ高さとなるようにポッド搬送機構202、グリップ部203を昇降させる。
フロントシャッタ13はポッド搬入搬出口12を開放する(図9参照)。
図11(b)に示されているように、ポッド搬送機構202が伸長し、ポッド保管室11b内からポッド搬入搬出口12を経由し、メイン筐体11外にあるグリップ部203まで水平移動することにより、グリップ部203を鍔部6の下に替らせる。
図11(c)に示されているように、ポッドエレベータ201がポッド搬送機構202を上昇させると、グリップ部203が保持台18の上からポッド2を吊り上げる。
図11(d)に示されているように、掴み式ポッド搬送装置200はポッド搬送機構202を短縮させて、ポッド2をポッド保管室11b内に搬入させる。
他方、ポッドエレベータ15は昇降駆動装置16によってシャフト17を短縮させて、保持台18をロードポート14上まで下降させる。
その後、掴み式ポッド搬送装置200はポッド2を回転式ポッド棚31に搬送し、それを指定された棚板33に受け渡す。
第一例と比べて、ポッドエレベータ201によりポッド2を保持台18とポッド搬入搬出口12の高さとの間で昇降させる動作および動作時間を必要とする点で劣るものの、この第二例においても、グリップ部203は鍔部6を引っ掛けるだけで済む。したがって、グリップ部203は水平方向および鉛直方向に伸び縮みする機構を必要とせず、その構造および作動がシンプルとなる。その結果、低コスト化、省スペース化や運用時間の短縮化を図ることができる。
図12(a)に示されているように、ポッドエレベータ15は昇降駆動装置16によってシャフト17を伸長させ、ポッド2を支持した保持台18を、鍔部6が基準高さ204直下になる位置まで上昇させる。前述のポッドエレベータ15の動作と同時に、ポッドエレベータ201はグリップ部203の高さがポッド搬入搬出口12に対向する高さとなるよう、ポッド搬送機構202、グリップ部203を昇降させる。
フロントシャッタ13はポッド搬入搬出口12を開放する(図9参照)。
図12(b)に示されているように、ポッド搬送機構202がポッド搬入搬出口12を潜ると、グリップ部203は鍔部6の真上に位置する。
図12(c)に示されているように、ポッドエレベータ201がポッド搬送機構202を下降させると、グリップ部203が鍔部6まで下降する。グリップ203は水平方向に伸長する。
図12(d)に示されているように、グリップ部203は水平方向に短縮し、鍔部6の下に替る。
図13(a)に示されているように、ポッドエレベータ201がポッド搬送機構202を上昇させると、グリップ部203が保持台18の上からポッド2を吊り上げる。ポッドエレベータ201はポッド搬送機構202を少なくともポッド2の底面が基準高さより上になる高さまで上昇させる。
図13(b)に示されているように、掴み式ポッド搬送装置200はポッド搬送機構202を短縮させて、ポッド2をポッド保管室11b内に搬入させる。
他方、ポッドエレベータ15は昇降駆動装置16によってシャフト17を短縮させて、保持台18をロードポート14上まで下降させる。
その後、掴み式ポッド搬送装置200はポッド2を回転式ポッド棚31に搬送し、それを指定された棚板33に受け渡す。
この第三例によれば、第一例、第二例に比べて、ポッドエレベータ201によりポッド2を保持台18とポッド搬入搬出口12の高さとの間で昇降させる動作および動作時間が必要な点と、グリップ部203に水平方向に伸び縮みする機構を必要とする点で劣るものの、グリップ部203は、鉛直方向に伸び縮みする機構を必要とせず、その構造および作動がシンプルになる。その結果、低コスト化、省スペース化や運用時間の短縮化を図ることができる。
また、ポッドエレベータと掴み式ポッド搬送装置とに分かれていることにより、ロードポートにおけるポッドの上昇動作と同時に、掴み式ポッド搬送装置をポッド受け渡し位置直前まで作動させて、待機させることができる。つまりは、同時並行処理することができるので、総搬送時間を短縮させることができる。
同様に、掴み式ポッド搬送装置の上昇とポッドエレベータの下降とを同時に実施することにより、ポッドの受け渡し時間も短縮することができる。
なお、第四実施形態の運用方法は前述した第一実施形態および第二実施形態に適用することができる。適用した場合には、前述した第一実施形態および第二実施形態と同様の効果を得ることができる。
図15はその分解斜視図である。
図14に示されているように、密閉筐体21の上面壁には窒素ガス供給ライン21Aの一端が接続されており、密閉筐体21の下面壁には排気ライン21Bの一端が接続されている。窒素ガス供給ライン21Aは窒素ガス21Cを吹出口からロードロック室20内に下向きに吹き出す。排気ライン21Bはロードロック室20内を排気する。
図14および図15に示されているように、ロードロック室20内の上端部にはルーバ(Louver)21Dが窒素ガス供給ライン21Aの吹出口と対向する位置に敷設されている。ルーバ21Dは窒素ガス供給ライン21Aの吹出口から吹き出された窒素ガス21Cの流れの向きを偏向する偏向具を構成している。ルーバ21Dはドア出し入れ口22に向けて傾斜している。この傾斜により、ルーバ21Dは窒素ガス流をドア出し入れ口22に向けて偏向させる。
窒素ガス供給ライン21Aがロードロック室20の上端に接続され、排気ライン21Bが下端に配置されているため、ロードロック室20内の窒素ガス流はダウンフローとなる。ダウンフローの窒素ガス21Cはロードロック室20内の塵埃および有機物等の異物を効果的に排出する。すなわち、ダウンフローの窒素ガス21Cは異物のウエハ1への付着、ポッド2への侵入を未然に防止することができる。ロードロック室20内の異物には、ロードロック室20内に設置された移動台25、クロージャ26、マッピング装置27からの発塵および有機物等がある。
ルーバ21Dは窒素ガス21Cをドア出し入れ口22に向けて偏向させて、ポッド2内に導く。このポッド2内への窒素ガス21Cの流れは、ロードロック室20内下部からの対流による異物の巻き込みを防止する。
ポッド2をロードポート14から工程内搬送装置によって搬出する際に、ポッド2内に窒素ガス21Cをルーバ21Dによって導くことにより、ポッド2内の雰囲気(空気および異物等)を窒素ガス21Cによって強制的にパージ(置換)する。この後に、ポッド2のウエハ出し入れ口3にドア4をポッドオープナ23により装着する。
この運用方法によれば、ポッド2内に窒素ガス21Cをより一層封入することができるので、ポッド2内の汚染および自然酸化膜形成を防止することができる。
例えば、サブ筐体40内が窒素ガス雰囲気になっていない場合であっても、ポッド2内に窒素ガス21Cを封入することができる。
さらに、ウエハ出し入れ口3にドア4を装着する以前にポッド2内のウエハ1に対してマッピングを実施した場合には、マッピング済みポッド2を窒素ガス21Cを封入した状態で、次工程へ送付することができる。
図17はその作用状態を示す斜視図である。
図16にされているように、ポッドエレベータ15にはカバー300が設置されている。カバー300は水平に配置された天板301と、垂直に配置されて上端辺が天板301の前端辺に固定された前板302とを備えている。天板301は昇降駆動装置16のシャフト17に固定されている。前板302は、ロードポート14を被覆可能な横幅と、シャフト17のストロークよりも大きい高さ(図17参照)で形成されている。
昇降駆動装置16、シャフト17は1つでもよいが、2以上を所定の間隔設けて設置することが好ましい。こうすることにより、ポッドを載置した状態で天板301を安定的に昇降させることができる。
天板301には三角形の逃げ孔303がロードポート14上の保持台18に対向する部位に開設されている。逃げ孔303の三角形頂点のそれぞれにはキネマティックピン19が突設されている。したがって、天板301はポッド2下面を保持する保持部を構成しているとともに、ポッド載置部を構成している。
なお、天板301を保持部と表現し、カバー300は保持部に固定されたものであると、表現してもよい。
また、カバー300は保持部に必ずしも固定されていなくてもよい。例えば、カバー300にも駆動装置を設けて、保持部、昇降機構の作動に応じて昇降を行うようにしてもよい。
便宜上、ポッド2の図示は省略するが、図16の状態から図17の状態に移行する際には、天板301は保持台18上からポッド2を掬い取る。このとき、天板301のキネマティックピン19はポッド2下面の位置決め穴5に保持台18のキネマティックピン19の外側においてそれぞれ嵌合する。
なお、通常の待機時には、天板301は保持台18より下方に位置し、保持台18がドア出し入れ口22に対し、前後する時の干渉を回避している。
図17の状態から図16の状態へ移行する際には、天板301はポッド2を保持台18上に受け渡す。
ポッドエレベータ15を被覆したカバー300はポッドエレベータ15からのパーティクルの飛散を抑制する。特に、ポッド2を天板301によりポッド搬入搬出口12近傍まで上昇させた状態では、装置正面から正面開口14Cにより、昇降駆動装置16およびシャフト17等が剥き出しになってしまうため、装置外にパーティクルを飛散させてしまう。しかし、カバー300により、このようなパーティクルの飛散を抑制することができる。
ポッドエレベータ15を被覆したカバー300は昇降駆動装置16およびシャフト17が作業空間に剥き出しになることによる作業者の危険を抑制することができる。
例えば、作業者が手作業でポッド2をボックス14Aの正面開口14C(図1参照)からロードポート14に載置する場合の昇降駆動装置16およびシャフト17への接触を、カバー300によって阻止することができる。
図19はその作用状態を示す斜視図である。
本実施例が前記実施例と異なる点は、カバー300が一対の側板304、304を有する点である。一対の側板304、304は前板302の左右両端辺にそれぞれ直角に固定されている。つまり、ポッドオープナ23がある側を除く三側面に設けられている。
本実施例によれば、カバー300がポッドエレベータ15の前方のみならず、左右側方を被覆しているので、パーティクル飛散防止効果および安全性確保効果をより一層向上させることができる。
また、ポッド搬入搬出口12を最大限大きくして、実質的にポッドオープナ23および密閉筐体21より上方の区画壁の殆ど全てを開口してもよい。
例えば、ポッド搬送装置35がアクセス可能な高さ位置までポッドエレベータ15により保持台18(天板301)を予め上昇させておきその位置でOHTからポッドを受け取り、保持台18を下降させてドア4の開閉動作を行うことなく、ポッド搬送装置35により保持台18からポッドを受け取るようにしてもよい。
このように運用すると、OHTの下降範囲が保持台18が上昇していた分少なくて済む。さらに、保持台18がポッドをOHTから受け取った後に、ポッド搬送装置35がアクセス可能な高さ位置まで上昇させることを必要としないため、その分、搬送時間を短縮することができる。
例えば、掴み式ポッド搬送装置は第一実施形態および第二実施形態にも採用することができる。
第三実施形態の第二区画壁およびポッドステージ機構は、第一実施形態および第二実施形態にも採用することができる。
マッピング装置は第一実施形態を第二実施形態、第三実施形態および第四実施形態に適用してもよいし、第二実施形態、第三実施形態および第四実施形態を第一実施形態に適用してもよい。
(1)複数の基板を収納し基板出し入れ口が蓋体によって塞がれる収納容器と、
筐体内と外との間で該収納容器の搬入搬出が行われる搬入搬出部と、
該搬入搬出部で前記収納容器を載置する載置部と、
前記搬入搬出部に隣接して設けられ、前記収納容器を保管する保管室と、
該載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口の開閉を行う開閉装置と、
前記収納容器下面を保持する保持機構を有し、前記開閉装置の上方を経由して前記保管室内と外との間で、該保持機構によって保持した前記収納容器を搬送する搬送装置と、
前記開閉装置が前記収納容器の開閉を行う際における前記載置部の高さ位置と、前記搬送装置が前記収納容器の授受を行う高さ位置との間で、前記載置部の昇降を行う昇降機構と、
を備える基板処理装置。
(2)複数の基板を収納し基板出し入れ口が蓋体によって塞がれる収納容器と、
筐体内と外との間で該収納容器の搬入搬出が行われる搬入搬出部と、
該搬入搬出部で前記収納容器を載置する載置部と、
前記搬入搬出部に隣接して設けられ、前記収納容器を保管する保管室と、
前記保管室に設けられ、該載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口の開閉を行う開閉装置と、
前記開閉装置の上方を経由して前記保管室内と外との間で、前記収納容器を搬送する搬送装置と、
前記開閉装置が前記収納容器の開閉を行う際における前記載置部の高さ位置と、前記搬送装置が前記収納容器の授受を行う高さ位置との間で、前記載置部の昇降を行う昇降機構と、
前記保管室内と外との間で前記収納容器を搬送可能な高さ位置に前記載置部を前記昇降機構が上昇させた状態で、前記搬送装置と前記載置部との間で前記収納容器の授受を行わせるよう、前記昇降機構および前記搬送装置を制御するコントローラと、
を備える基板処理装置。
(3)複数の基板を収納し基板出し入れ口が蓋体によって塞がれる収納容器と、
筐体内と外との間で該収納容器の搬入搬出が行われる搬入搬出部と、
該搬入搬出部で前記収納容器を載置する載置部と、
該載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口の開閉を行う開閉装置と、
前記筐体内に設けられ、前記収納容器を保管する保管棚と、
前記筐体内に設けられ、前記開閉装置の上方を経由して前記載置部と前記保管棚との間で、前記収納容器を搬送する搬送装置と、
前記搬送装置がアクセス可能な位置まで前記載置部を上昇させる昇降機構と、
を備える基板処理装置。
(4)前記収納容器開閉時における前記基板出し入れ口および前記開閉装置を囲う開閉室を備え、該開閉室は内部に不活性ガスを充填可能である前記(1)の基板処理装置。
(5)前記開閉室に、基板状態検出装置を備える前記(1)の基板処理装置。
(6)前記開閉室に不活性ガスを供給するガス供給ラインと、前記開閉室を排気する排気ラインとを備え、前記ガス供給ラインは前記開閉装置による前記蓋体を取り外した際の退避方向と反対側に設けられ、前記排気ラインは前記開閉装置による前記蓋体を取り外した際の退避方向と同じ側に設けられる前記(4)の基板処理装置。
(7)前記開閉室は、前記ガス供給ラインと前記基板出し入れ口との間にルーバ(偏向具)を備える前記(6)の基板処理装置。
(8)前記(1)の基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記収納容器を前記搬入搬出部に搬入し、前記載置部に前記収納容器を載置するステップと、
前記載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口から前記蓋体を前記開閉装置が取り外すステップと、
前記載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口に前記蓋体を前記開閉装置が取り付けるステップと、
前記蓋体取り外し取り付け時における前記載置部の高さ位置と、前記搬送装置が前記収納容器の授受を行う高さ位置との間で、前記昇降機構が前記載置部を上昇させるステップと、
前記保持機構が保持した前記収納容器を、前記搬送装置が前記開閉装置の上方を経由して前記保管室内に搬入するステップと、
前記基板を処理室内で処理するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
(9)複数の基板を収納し基板出し入れ口が蓋体によって塞がれる収納容器と、
筐体内と外との間で該収納容器の搬入搬出が行われる搬入搬出部と、
該搬入搬出部で前記収納容器を載置する載置部と、
前記搬入搬出部に隣接して設けられ、前記収納容器を保管する保管室と、
前記載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口の開閉を行う開閉装置と、
前記保管室の内と外とを区画する区画壁と、
前記開閉装置より上方の前記区画壁に設けられ、前記保管室の内と外との間で前記収納容器の搬入搬出が行われる開口と、
前記保管室内に設けられ、前記開口を経由して前記載置部から前記収納容器を搬送する搬送装置と、
前記搬送装置が前記載置部に載置された前記収納容器にアクセス可能な位置まで前記載置部を上昇させる昇降機構と、
を備える基板処理装置。
(10)前記載置部上方に該載置部に対向して設けられる第二区画壁と、該第二区画壁に設けられる第二開口と、該第二開口の開閉を行う第二開閉装置と、を備える前記(9)の基板処理装置。
(11)前記第二開閉装置の上面は、前記第二開口を閉塞した際に前記収納容器を載置可能に形成されている前記(10)の基板処理装置。
(12)前記開口の開閉を行う第二開閉装置を備えている前記(9)の基板処理装置。
(13)前記収納容器の前記蓋体を前記開閉装置が取り外した際に、前記収納容器と基板保持具との間で前記基板を搬送する基板搬送装置が設置されている予備室と、
該予備室に隣接して設けられ、前記基板保持具に保持された前記基板を処理する処理室と、
前記予備室に隣接して設けられ、前記保管棚および前記搬送装置が設置されている保管室と、
を備える前記(1)の基板処理装置。
(14)収納容器を搬入搬出部に搬入し、載置部に該収納容器を載置するステップと、
前記載置部に載置された前記収納容器の基板出し入れ口から蓋体を前記開閉装置が取り外すステップと、
基板状態検出装置が前記収納容器内の基板配列状態を検出するステップと、
前記蓋体取り外し取り付け時の前記載置部の高さから、前記開閉装置上方の高さであって、前記載置部と前記搬送装置との間で前記収納容器の授受を行う高さまで、前記載置部を上昇させるステップと、
前記搬送装置が前記収納容器を保持して、前記載置部から保管棚へ搬送するステップと、
前記基板を処理室内で処理するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
(15)複数の基板を収納し基板出し入れ口が蓋体により塞がれる収納容器と、
筐体内と外との間で該収納容器の搬入搬出が行われる搬入搬出部と、
該搬入搬出部で前記収納容器を載置する載置部と、
該載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口の開閉を行う開閉装置と、
前記開閉装置による前記収納容器の開閉可能な高さ位置と、前記開閉装置の上方を跨いで前記収納容器を搬送可能な高さ位置との間で、前記載置部の昇降を行う昇降機構と、
前記収納容器を搬送可能な高さの前記載置部との間で、前記収納容器の授受を行う搬送装置と、
を備える基板処理装置。
(16)複数の基板を収納し基板出し入れ口が蓋体により塞がれる収納容器と、
筐体内と外との間で該収納容器の搬入搬出が行われる搬入搬出部と、
該搬入搬出部で前記収納容器を載置する載置部と、
該載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口の開閉を行う開閉装置と、
前記開閉装置を囲う開閉室と、
前記開閉装置による前記収納容器の開閉可能な高さ位置と、前記載置部に載置された前記収納容器の少なくとも一部が前記開閉室の上端より高くなる高さ位置との間で、前記載置部の昇降を行う昇降機構と、
を備える基板処理装置。
(17)前記載置部の下部を覆うカバーを備え、該カバーは前記昇降機構の作動に応じて昇降を行う前記(16)の基板処理装置。
(18)前記カバーは前記載置部の前側に配置される前記(17)の基板処理装置。
(19)前記カバーは前記開閉装置がある側を除く三側面に設けられている前記(17)の基板処理装置。
(20)複数の基板を収納し基板出し入れ口が蓋体により塞がれる収納容器と、
筐体内と外との間で該収納容器の搬入搬出が行われる搬入搬出部と、
該搬入搬出部で前記収納容器を載置する載置部と、
該載置部の下方に設けられ、該載置部の昇降を行う昇降機構と、
前記載置部の下部を覆うように設けられ、前記昇降機構の作動に応じて昇降を行うカバーと、
を備える基板処理装置。
(21)複数の基板を収納し基板出し入れ口が蓋体により塞がれる収納容器と、
筐体内と外との間で該収納容器の搬入搬出を行う搬入搬出部と、
該搬入搬出部で前記収納容器を載置する載置部と、
前記筐体内に設けられ、前記収納容器を保管する保管室と、
該載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口の開閉を行う開閉装置と、
前記収納容器下面を保持する保持機構を有し、前記開閉装置の上方を経由して前記保管室内と外との間で、該保持機構が保持した前記収納容器を搬送する搬送装置と、
前記開閉装置が前記収納容器の開閉を行う際における前記載置部の高さ位置と、前記搬送装置が前記収納容器の授受を行う高さ位置との間で、前記載置部の昇降を行う昇降機構と、
前記収納容器下面を前記保持機構により保持しつつ前記収納容器を前記昇降機構が搬送可能な高さ位置に前記載置部を上昇させた状態で、前記搬送装置と前記載置部との間で前記収納容器の授受を行わせるよう、前記昇降機構部および前記搬送装置を制御するコントローラと、
を備える基板処理装置。
(22)前記(16)の基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記収納容器を前記搬入搬出口に搬入し、前記載置部に前記収納容器を載置するステップと、
前記蓋体取り外し取り付け時における前記載置部の高さ位置と、前記載置部に載置された前記収納容器の少なくとも一部が前記開閉室上端より高くなる高さ位置との間で、前記昇降機構が前記載置部を上昇もしくは下降させるステップと、
前記基板を処理室内で処理するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
(23)前記収納容器を搬送可能な高さに前記載置部を前記昇降機構が上昇させた状態で、前記搬送装置と前記載置部との間で前記収納容器の授受を行わせるよう、前記昇降機構および搬送装置を制御するコントローラと、を備えた前記(16)の基板処理装置。
(24)前記(1)または前記(16)の基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記収納容器を前記搬入搬出部に搬入し、前記載置部に前記収納容器を載置するステップと、
前記昇降機構が前記載置部を上昇もしくは下降させるステップと、
前記基板を処理室内で処理するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
10…バッチ式CVD装置(基板処理装置)、11…メイン筐体、11a…正面壁(区画壁)、11b…ポッド保管室、12…ポッド搬入搬出口(収納容器搬入搬出口)、13…フロントシャッタ(開閉体)、14…ロードポート(収納容器搬入搬出部)、
14A…ボックス、14B…天井開口、14C…正面開口。
15…ポッドエレベータ(収納容器載置部昇降機構部)、16…昇降駆動装置、17…シャフト、18…保持台(収納容器載置部)、19…受けキネマティックピン。
20…ロードロック室、21…密閉筐体(区画壁)、21A…窒素ガス供給ライン、21B…排気ライン、21A’…窒素ガス供給装置、21B’…排気装置。
22…ドア出し入れ口(開口部)、23…ポッドオープナ(収納容器蓋体開閉部)、25…移動台、26…クロージャ、27…マッピング装置(基板状態検出部)、28…リニアアクチュエータ、29…ホルダ、30…検出子。
31…回転式ポッド棚(保管棚)、32…支柱、33…棚板、34…受けキネマティックピン。
35…ポッド搬送装置(収納容器搬送部)、35a…ポッドエレベータ(収納容器昇降機構)、35b…ポッド搬送機構(収納容器搬送機構)。
40…サブ筐体、40a…正面壁(区画壁)、41…ウエハ搬入搬出口、42…ポッドオープナ(収納容器蓋体開閉部)、43…載置台、44…着脱機構。
45…予備室、46…ウエハ移載機構、46a…ウエハ移載装置、46b…ウエハ移載装置エレベータ、46c…ツィーザ。
47…ボート(基板保持具)、48…ボートエレベータ、49…アーム、50…シールキャップ。
51…処理炉、52…ヒータ、53…ヒータベース、54…プロセスチューブ、55…アウタチューブ、56…インナチューブ、57…処理室、58…筒状空間、59…マニホールド。
60…ノズル、61…ガス供給管、62…MFC、63…ガス供給源、64…ガス流量制御部、65…排気管、66…圧力センサ、67…圧力調整装置、68…真空排気装置、69…圧力制御部、70…回転機構、71…回転軸、72…駆動制御部、73…断熱板、74…温度センサ、75…温度制御部、76…主制御部、77…コントローラ。
31A…保管棚、33A…棚板、80…ロードロック室、81…密閉筐体、81a…背面壁、82…ドア出し入れ口、83…ポッドオープナ、84…マッピング装置、85…移動台、86…クロージャ、91…ウエハ搬入搬出口、92…ドア機構。
100…掴み式ポッド搬送装置、101…ポッドエレベータ、102…ポッド搬送機構、103…グリップ部、
105…ポッドステージ機構、106…開口部、107…スライドプレート、
110…天井走行型構内搬送装置(OHT)。
200…掴み式ポッド搬送装置、201…ポッドエレベータ、202…ポッド搬送機構、203…グリップ部、204…基準高さ。
300…カバー、301…天板、302…前板、303…逃げ孔、304…側板。
Claims (4)
- 複数の基板を収納し基板出し入れ口が蓋体により塞がれる収納容器と、
筐体内と外との間で該収納容器の搬入搬出が行われる搬入搬出部と、
該搬入搬出部で前記収納容器を載置する載置部と、
該載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口の開閉を行う開閉装置と、
前記開閉装置を囲う開閉室と、
前記開閉装置による前記収納容器の開閉可能な高さ位置と、前記載置部に載置された前記収納容器の少なくとも一部が前記開閉室の上端より高くなる高さ位置との間で、前記載置部の昇降を行う昇降機構と、
を備える基板処理装置。 - 前記開閉室は内部に不活性ガスを充填可能である請求項1の基板処理装置。
- 前記開閉室に、不活性ガスを供給するガス供給ラインと前記基板出し入れ口との間に偏向具を備える請求項2の基板処理装置。
- 複数の基板を収納し基板出し入れ口が蓋体によって塞がれる収納容器と、
筐体内と外との間で該収納容器の搬入搬出が行われる搬入搬出部と、
該搬入搬出部で前記収納容器を載置する載置部と、
前記搬入搬出部に隣接して設けられ、前記収納容器を保管する保管室と、
前記載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口の開閉を行う開閉装置と、 前記収納容器下面を保持する保持機構を有し、前記開閉装置の上方を経由して前記保管室内と外との間で、該保持機構によって保持した前記収納容器を搬送する搬送装置と、
前記開閉装置が前記収納容器の開閉を行う際における前記載置部の高さ位置と、前記搬送装置が前記収納容器の授受を行う高さ位置との間で、前記載置部の昇降を行う昇降機構と、を備える基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記収納容器を前記搬入搬出部に搬入し、前記載置部に前記収納容器を載置するステップと、
前記載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口から前記蓋体を前記開閉装置が取り外すステップと、
前記載置部に載置された前記収納容器の前記基板出し入れ口に前記蓋体を前記開閉装置が取り付けるステップと、
前記蓋体取り外し取り付け時における前記載置部の高さ位置と、前記搬送装置が前記収納容器の授受を行う高さ位置との間で、前記昇降機構が前記載置部を上昇させるステップと、
前記保持機構が保持した前記収納容器を、前記搬送装置が前記開閉装置の上方を経由して前記保管室内に搬入するステップと、
前記基板を処理室内で処理するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007291866A JP4891199B2 (ja) | 2006-11-27 | 2007-11-09 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US11/984,589 US8128333B2 (en) | 2006-11-27 | 2007-11-20 | Substrate processing apparatus and manufacturing method for semiconductor devices |
TW096143938A TWI379373B (en) | 2006-11-27 | 2007-11-20 | Substrate processing apparatus and manufacturing method for a semiconductor device |
KR1020070120211A KR100932961B1 (ko) | 2006-11-27 | 2007-11-23 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US12/382,435 US20090185892A1 (en) | 2006-11-27 | 2009-03-17 | Substrate processing apparatus and manufacturing method for semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006318343 | 2006-11-27 | ||
JP2006318343 | 2006-11-27 | ||
JP2007291866A JP4891199B2 (ja) | 2006-11-27 | 2007-11-09 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009069650A Division JP2009177195A (ja) | 2006-11-27 | 2009-03-23 | 収納容器の搬送方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008160076A JP2008160076A (ja) | 2008-07-10 |
JP4891199B2 true JP4891199B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=39660614
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007291866A Active JP4891199B2 (ja) | 2006-11-27 | 2007-11-09 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009069650A Pending JP2009177195A (ja) | 2006-11-27 | 2009-03-23 | 収納容器の搬送方法および半導体装置の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009069650A Pending JP2009177195A (ja) | 2006-11-27 | 2009-03-23 | 収納容器の搬送方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP4891199B2 (ja) |
KR (1) | KR100932961B1 (ja) |
TW (1) | TWI379373B (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4264115B2 (ja) | 2007-07-31 | 2009-05-13 | Tdk株式会社 | 被収容物の処理方法及び当該方法に用いられる蓋開閉システム |
JP4309935B2 (ja) | 2007-07-31 | 2009-08-05 | Tdk株式会社 | 密閉容器の蓋開閉システム及び当該システムを用いた基板処理方法 |
JP2009135232A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Sinfonia Technology Co Ltd | ロードポート |
KR101015225B1 (ko) * | 2008-07-07 | 2011-02-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리장치 및 이의 기판 이송 방법 |
KR101077566B1 (ko) | 2008-08-20 | 2011-10-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리장치 및 이의 기판 이송 방법 |
KR101019212B1 (ko) * | 2008-08-21 | 2011-03-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 및 방법 |
KR101110621B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2012-02-28 | 가부시키가이샤 다이후쿠 | 기판용 수납 용기와 기판용 수납 용기를 위한 기판 반송 설비 |
KR101755047B1 (ko) * | 2009-05-18 | 2017-07-06 | 크로씽 오토메이션, 인코포레이티드 | 기판 컨테이너 보관 시스템과 연결하기 위한 일체형 시스템 |
EP2433299B1 (en) * | 2009-05-18 | 2022-10-26 | Brooks Automation US, LLC | Substrate container storage system |
US8882433B2 (en) | 2009-05-18 | 2014-11-11 | Brooks Automation, Inc. | Integrated systems for interfacing with substrate container storage systems |
JP5768337B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2015-08-26 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | ロードポート |
KR101283312B1 (ko) | 2011-12-29 | 2013-07-09 | 로체 시스템즈(주) | Fosb 오토 로딩 시스템 |
JP2013143425A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム及び基板位置矯正方法 |
WO2017037785A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP6562803B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-08-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理システム |
JP7090513B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2022-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びパージ方法 |
JP7213056B2 (ja) * | 2018-10-18 | 2023-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7113722B2 (ja) * | 2018-11-05 | 2022-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板収容容器の蓋を開閉する方法、及びプログラム |
CN111354667A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 一种晶圆盒搬运装置 |
JP7229644B2 (ja) * | 2019-07-26 | 2023-02-28 | 株式会社ディスコ | 搬送システム |
CN111977290A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-11-24 | 台州市老林装饰有限公司 | 一种光刻设备的晶圆储存盒输送小车 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3635061B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2005-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体収容ボックスの開閉蓋の開閉装置及び被処理体の処理システム |
JP3723398B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2005-12-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2002208622A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2002246436A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2002246439A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の搬出入装置と処理システム |
JP4255222B2 (ja) * | 2001-06-22 | 2009-04-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
JP4168724B2 (ja) * | 2002-10-15 | 2008-10-22 | 神鋼電機株式会社 | ロードポート |
JP4344593B2 (ja) * | 2002-12-02 | 2009-10-14 | ローツェ株式会社 | ミニエンバイロメント装置、薄板状物製造システム及び清浄容器の雰囲気置換方法 |
JP2004319614A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2005026513A (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP4719435B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2011-07-06 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置、半導体基板の移載方法及び半導体製造方法 |
-
2007
- 2007-11-09 JP JP2007291866A patent/JP4891199B2/ja active Active
- 2007-11-20 TW TW096143938A patent/TWI379373B/zh active
- 2007-11-23 KR KR1020070120211A patent/KR100932961B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-03-23 JP JP2009069650A patent/JP2009177195A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200832592A (en) | 2008-08-01 |
JP2009177195A (ja) | 2009-08-06 |
KR100932961B1 (ko) | 2009-12-21 |
TWI379373B (en) | 2012-12-11 |
JP2008160076A (ja) | 2008-07-10 |
KR20080047985A (ko) | 2008-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4891199B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
US8128333B2 (en) | Substrate processing apparatus and manufacturing method for semiconductor devices | |
KR100831933B1 (ko) | 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법 | |
US8814488B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP2009010009A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR102592920B1 (ko) | 로드락 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 | |
JPH07297257A (ja) | 処理装置 | |
JP4275184B2 (ja) | 基板処理装置、ロードポート、半導体装置の製造方法および収納容器の搬送方法 | |
CN112151411A (zh) | 基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质 | |
JP2009267153A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
US20090269937A1 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JP5164416B2 (ja) | 基板処理装置、収納容器の搬送方法および半導体装置の製造方法 | |
KR100985723B1 (ko) | 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2012054392A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2014060338A (ja) | 基板処理装置 | |
CN110047791B (zh) | 基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 | |
JP2002076089A (ja) | 被処理体の処理システム | |
JP2012169534A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
WO2012073765A1 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP4359109B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2005347667A (ja) | 半導体製造装置 | |
WO2024162483A1 (ja) | 基板保持具用治具、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2002246436A (ja) | 基板処理装置 | |
TW202433648A (zh) | 搬運模組及搬運方法 | |
JP2007242764A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110329 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111206 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4891199 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |